TWM593711U - 進階反轉電解銅箔及其銅箔基板 - Google Patents

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Abstract

本創作公開一種進階反轉電解銅箔及其銅箔基板，其中進階反轉電解銅箔具有一不平整的微粗糙化處理面。特徵在於，微粗糙化處理面具有呈非均勻性分佈的多個銅結晶、多個銅晶鬚以及多個銅結晶團，它們構成了一非均勻分佈的垂流狀條紋圖案。因此，本創作的進階反轉電解銅箔與樹脂基複合材料之間具有良好的結合力，且能夠提高訊號完整性以及減少訊號的傳輸損耗，滿足5G應用的需求。

Description

進階反轉電解銅箔及其銅箔基板
本創作涉及一種電解銅箔及其應用，特別是涉及一種通過表面處理工藝形成的進階反轉電解銅箔，以及使用其的銅箔基板。此表面處理工藝是採用電鍍技術將微細顆粒狀銅結晶(下稱“銅結晶”)非均勻地沉積於銅箔表面上，又稱為銅箔表面電鍍銅微粗糙化處理。
隨著資訊和電子產業的發展，高頻高速的訊號傳輸已成為現代電路設計與製造的一環。電子產品為了要符合高頻高速的訊號傳輸需求，所使用的銅箔基板必須在高頻下需要有良好的訊號完整性(signal integrity，SI)表現，以避免嚴重的訊號傳輸損耗。銅箔基板的訊號完整性與銅箔的表面粗糙度有高度關聯；一般來說，銅箔的表面形貌愈平坦，即銅箔的表面粗糙度愈低，所形成的銅箔基板的訊號完整性就愈好。然而，在降低銅箔表面粗糙度的同時，也會導致銅箔基板的剝離強度(peel strength)下降，即銅箔與基材(如樹脂基複合材料)之間的結合力下降，影響後端產品的良率。因此，如何在維持銅箔基板的剝離強度於業界水準的前提之下，使銅箔基板具有良好的訊號完整性表現，已成為本領域所欲解決的課題。
本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種進階反轉電解銅箔，其能夠適應訊號傳輸的高頻、高速化，滿足5G應用的需求，且不會損害目標應用所需的特性，例如降低電解銅箔的剝離強度(peel strength)。本創作還提供一種使用此進階反轉電解銅箔的銅箔基板，可作為高頻高速基板。
為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是，提供一種進階反轉電解銅箔，其特徵在於，所述進階反轉電解銅箔具有一不平整的微粗糙化處理面，且所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分佈的銅結晶；其中，不同數量的銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶鬚，不同數量的所述銅晶鬚團聚在一起以形成各自的銅結晶團；其中，當使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述銅結晶、所述銅晶鬚與所述銅結晶團構成一非均勻分佈的垂流狀條紋圖案。電子顯微鏡的型號及操作介面如附件一所示。
為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外一技術方案是，提供一種銅箔基板，其包括一基板以及一進階反轉電解銅箔，所述進階反轉電解銅箔設置於所述基板上，且具有一不平整的微粗糙化處理面接合於所述基板的一表面，其中所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分佈的銅結晶；其中，不同數量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶鬚，不同數量的所述銅晶鬚團聚在一起以形成各自的銅結晶團；其中，當使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述銅結晶、所述銅晶鬚與所述銅結晶團構成一非均勻分佈的垂流狀條紋圖案，其發想於人類頭髮的紋路圖案，如圖24所示。電子顯微鏡的型號及操作介面如附件一所示。
在本創作的一實施例中，當使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述微粗糙化處理面具有至少有兩個長為500 nm且寬為500 nm的平滑區域(即指粗糙化處理面上不存在顆粒狀銅結晶、銅晶鬚及/或銅晶團的區域)以及至少有一個長為1000 nm且寬為1000 nm的粗糙區域，所述粗糙區域內存在至少六個銅結晶及/或銅晶鬚及/或銅結晶團。
在本創作的一實施例中，每一個所述銅晶鬚具有一頂部銅結晶。
在本創作的一實施例中，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。
在本創作的一實施例中，在10000倍放大倍率下，觀察到至少一個所述粗糙區域內所述頂部銅結晶的數量，佔所述微粗糙化處理面的所述頂部銅結晶的總數的至少10%。
在本創作的一實施例中，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度Rz (JIS94)小於2.3微米。
在本創作的一實施例中，所述微粗糙化處理面還包括多個凸峰及位於多個所述凸峰之間的多個凹槽，且多個所述微細銅結晶、多個所述銅晶鬚與多個所述銅結晶團對應形成於多個所述凸峰上。
在本創作的一實施例中，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
本創作的其中一有益效果在於，本創作的進階反轉電解銅箔，其表面上除了有呈非均勻性分佈的多個銅結晶之外，還有不同數量的銅結晶所分別形成的多個銅晶鬚，以及不同數量的銅晶鬚所分別形成的銅結晶團，使得銅箔的表面形貌有明顯的凹凸起伏。因此，能夠在維持良好剝離強度的前提下，提高訊號完整性並抑制插入損耗(insertion loss)，以適應訊號傳輸的高頻、高速化，滿足5G應用的需求。
為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。
目前業界普遍的認知是，銅箔的表面形貌愈平坦，所形成的銅箔基板的訊號完整性(signal integrity，SI)就愈好，但是會降低銅箔基板的剝離強度；也就是說，當銅箔的表面形貌較為平坦時，會難以兼顧銅箔基板的訊號完整性與剝離強度。因此，本創作提供一種進階反轉電解銅箔，其具有不同於既有之電解銅箔的特殊表面形貌，而能夠提高訊號完整性，以及減少訊號的傳輸損耗，且不會降低形成的電解銅箔的剝離強度。
值得一提的是，本創作在某種程度上採用因「技術偏見」而被捨棄之技術手段，即使銅箔表面的具有一定的不平整度，且此技術手段直接產生了在維持良好剝離強度的前提下進一步優化電氣特性的有益技術效果。
以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“進階反轉電解銅箔及其銅箔基板”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
參閱圖1及圖2所示，本創作的進階反轉電解銅箔11具有一不平整的微粗糙化處理面110，其是通過電鍍銅微粗糙化處理而形成。值得一提的是，微粗糙化處理面110具有多個銅結晶111、多個銅晶鬚W及多個銅結晶團G，它們呈非均勻性分佈，即非均勻地沉積於銅箔表面上。每一個銅晶鬚W由兩個或更多的銅結晶111堆疊而成，且不同數量的銅結晶111堆疊在一起以形成各自的銅晶鬚W；每一個銅晶鬚W具有一頂部銅結晶111，其可為錐狀、棒狀或球狀，且優選為球狀。每一個銅結晶團G由兩個或更多的銅晶鬚W團聚而成，且不同數量的銅晶鬚W團聚在一起以形成各自的銅結晶團G。
在一些實施例中，多個銅晶鬚W的平均高度可小於3.0微米，優選為小於1.8微米，且更優選為小於1.6微米；另外，多個銅結晶團G的平均高度可小於4微米，優選為小於3.0微米，且更優選為小於1.6微米。在一些實施例中，每一個銅晶鬚W可包括最多50個銅結晶111，優選為最多30個銅結晶111，更優選為最多15個銅結晶111，且特別優選為最多8個銅結晶111。在一些實施例中，多個銅結晶111的平均外徑可小於1.0微米，優選為0.5至1.0微米，且更優選為0.01至0.5微米。
值得一提的是，不同於既有之電解銅箔，其中多個銅結晶是均勻地分佈於銅箔表面上，僅有少部分聚集在一起；本創作的進階反轉電解銅箔11，其表面上除了有呈非均勻性分佈的多個銅結晶111之外，還有不同數量的銅結晶111所分別形成的多個銅晶鬚W，以及不同數量的銅晶鬚W所分別形成的銅結晶團G，使得銅箔的表面形貌有明顯的凹凸起伏。藉此，本創作的進階反轉電解銅箔11能夠在維持良好剝離強度的前提下，提高訊號完整性並抑制插入損耗(insertion loss)，以適應訊號傳輸的高頻、高速化。此外，微粗糙化處理面110的表面粗糙度Rz (JIS94)小於等於2.3微米，此對線寬和線距的微縮有所貢獻。
配合圖5、圖9及圖13並配合圖24所示，當使用掃描式電子顯微鏡(Hitachi S-3400N)以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察微粗糙化處理面110時，可以看出銅結晶111、銅晶鬚W與銅結晶團G構成凹凸起伏的非均勻分佈的垂流狀條紋圖案，其近似於人類頭髮的紋路圖案。配合圖8、圖12及圖16所示，當使用掃描式電子顯微鏡(Hitachi S-3400N)以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察微粗糙化處理面110時，可以看出微粗糙化處理面110具有至少有兩個長為500 nm且寬為500 nm的平滑區域110a及至少一個長為1000 nm且寬為1000 nm的粗糙區域110b，其中平滑區域110a內不存在任何銅結晶111、銅晶鬚W及/或銅結晶團G；粗糙區域110b內存在至少六個銅結晶111、銅晶鬚W及/或銅結晶團G，且粗糙區域110b內頂部銅結晶111的數量，佔微粗糙化處理面110上頂端銅結晶總數的10%以上。此外，可以看出每一個銅結晶團G中，多個銅晶鬚W分別朝不同的方向延伸而呈分岔狀。
圖8所示進階反轉電解銅箔11的微粗糙化處理面110上至少有七個平滑區域110a及三個粗糙區域110b；圖12所示進階反轉電解銅箔11的微粗糙化處理面110上至少有三個平滑區域110a及四個粗糙區域110b；圖16所示進階反轉電解銅箔11的微粗糙化處理面110上至少有五個平滑區域110a及三個粗糙區域110b。
複參圖2所示，微粗糙化處理面110還包括多個凸峰112及多個位於凸峰112之間的凹槽113，且多個銅結晶111、多個銅晶鬚W與多個銅結晶團G對應形成於多個凸峰112上。值得一提的是，若每一個凹槽113具有U形或V形的剖面形貌，加上有多個填充空間114存在於多個微細銅結晶111、多個銅晶鬚W與多個銅結晶團G之間，則在將本創作的進階反轉電解銅箔11壓合於一樹脂基複合材料時，微粗糙化處理面110可以接收更多個樹脂材料，以增加銅箔與基材之間的結合力。在一些實施例中，多個凹槽113的平均深度可小於1.5微米，優選為小於1.3微米，且更優選為小於1微米；多個凹槽113的平均寬度可為0.1至4微米，且優選為0.6至3.8微米。
複參閱圖1，並配合圖3所示，本創作的進階反轉電解銅箔11可以是對生箔的亮面(shiny side)進行電鍍銅微粗糙化處理而獲得，其中經過處理的亮面即形成微粗糙化處理面110；電鍍銅微粗糙化處理優選使用一連續式電解設備2，並配合5至20 m/min之生產速度、20至60 oC之生產溫度及預定的電流密度來實現。然而，這些細節只是本實施例所提供可行的實施方式，而並非用以限定本創作。在一些實施例中，可以對生箔的暗面(matte side)進行電鍍銅微粗糙化處理，使其形成微粗糙化處理面110；另外，電鍍銅微粗糙化處理可使用一批次式電解設備來實現。
如圖3所示，連續式電解設備2包括一送料輥21、一收料輥22、多個電解槽23、多個電解輥組24及多個輔助輥組25；多個電解槽23設置於送料輥21與收料輥22之間，用以盛裝相同或不同配方的含銅鍍液，且每一個電解槽23內設有一組電極231(如白金電極)；多個電解輥組24分別設置於多個電解槽23上方，多個輔助輥組25分別設置於多個電解槽23內，多個電解輥組24與多個輔助輥組25能帶動生箔以一定的速度依序經過多個電解槽23內的鍍液；每一個電解槽23內的電極231與相對應的電解輥組24共同電性連接一外部電源(圖未示)，用以對相對應的鍍液進行電解，而於銅箔上附加所需功效。
電鍍銅微粗糙化處理所用的含銅鍍液可含有銅離子源、金屬添加劑及非金屬他添加劑；銅離子源可舉出硫酸銅及硝酸銅；金屬添加劑可舉出鈷、鐵、鋅、它們的氧化物和鹽類；非金屬他添加劑可舉出明膠、有機氮化物、羥乙基纖維素(hydroxyethyl cellulose，HEC)、聚乙二醇(Poly(ethylene glycol)、PEG)、3-巰基-1-丙烷磺酸鈉(Sodium 3-mercaptopropanesulphonate，MPS)、聚二硫二丙烷磺酸鈉(Bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide，SPS)及硫脲基化合物。然而，這些細節只是本實施例所提供可行的實施方式，而並非用以限定本創作。
在一些實施例中，電鍍銅微粗糙化處理分成兩個階段(即第一階段及第二階段)，其分別使用兩個不同配方的含銅鍍液(即第一含銅鍍液及第二含銅鍍液)。進一步而言，第一階段對第一含銅鍍液施加25至40 A/dm 2之電流密度，第一含銅鍍液中，銅離子濃度為10至30 g/l，酸濃度為70至100 g/l，且金屬添加劑濃度為150至300 mg/l；第二階段對第二含銅鍍液施加30至56 A/dm 2之電流密度，第二含銅鍍液中，銅離子濃度為70至100 g/l，酸濃度為30至60 g/l，且金屬添加劑濃度為15至100 mg/l。優選於第一階段對第一含銅鍍液施加30至56 A/dm 2之電流密度，並於第二階段對第二含銅鍍液施加23至26 A/dm 2之電流密度。
在一些實施例中，電鍍銅微粗糙化處理可分成三個階段以上，其交替使用兩個不同配方的含銅鍍液(即第一含銅鍍液及第二含銅鍍液)，且每一個階段施加之電流密度介於1至60 A/dm 2之間。進一步而言，可於第三階段使用第一含銅鍍液並對其施加1至8 A/dm 2之電流密度，並於第四階段使用第二含銅鍍液並對其施加40至60 A/dm 2之電流密度；另外，第五階段以後施加之電流密度為小於或等於5 A/dm 2。
需要說明的是，前述的電鍍銅微粗糙化處理除了可以用來生產反轉銅箔之外，也可以用來生產高溫延展銅箔(high temperature elongation，HTE)或極低粗糙度銅箔(very low profile，VLP)。
參閱圖4所示，本創作還提供一種銅箔基板1，其包括一基板12及兩個進階反轉電解銅箔11，兩個進階反轉電解銅箔11設置於基板12上，其中兩個進階反轉電解銅箔11的微粗糙化處理面110分別接合於基板12的兩相對表面(未標號)。在一未繪示的實施例中，銅箔基板1可以只包括一個進階反轉電解銅箔11設置於基板12上，且進階反轉電解銅箔11的微粗糙化處理面110接合於基板12的一表面。
進一步而言，基板12優選具有低介電損耗(dissipation factor，Df)值；基板12於10 GHz頻率的Df值為小於或等於0.015，優選為小於或等於0.010，且更優選為小於或等於0.005。基板12可為一樹脂基複合材料(即預浸材)，其是將一基材含浸於一合成樹脂後再固化而獲得。基材可舉出：酚醛棉紙、棉紙、樹脂製纖維布、樹脂製纖維不織布、玻璃板、玻璃織布及玻璃不織布；合成樹脂可舉出：環氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、聚苯醚樹脂及酚樹脂，且合成樹脂層可以形成單層或多層結構。在一些實施例中，基板12可選自EM891、IT958G、IT150DA、S7040G、S7439G、MEGTRON 4、MEGTRON 6或MEGTRON 7材料。
參閱圖19及圖20，圖19顯示實施例1與比較例1的印刷電路板於4 GHz、8 GHz頻率的插入損耗表現，圖20顯示實施例1與比較例1的印刷電路板於12.89 GHz、16 GHz頻率的插入損耗表現。實施例1的印刷電路板是由多個進階反轉電解銅箔與多個基板經印刷電路板的製造工藝製成，進階反轉電解銅箔的表面粗糙度Rz (JIS94)小於或等於2.3微米，基板是採用S公司所生產的低損耗預浸材料(low loss prepreg，型號是S7439G)；這兩個進階反轉電解銅箔的生產是採用六個階段的電鍍銅微粗糙化處理，其可由圖3所示的連續式電解設備2實現，各階段的生產條件如表1所示；實施例1所用進階反轉電解銅箔的表面形貌如圖5至圖16所示，相關的技術細節已如前述。
表1
Figure 108214520-A0305-0001
另外，比較例1的印刷電路板，是由多個C公司所生產的反轉銅箔(型號RTF3)與多個基板經印刷電路板的製造工藝製成，反轉銅箔的表面粗糙度Rz (JIS94)小於或等於3.0微米，基板同樣是採用低損耗預浸材料S7439G；比較例1所用反轉銅箔的表面形貌如圖17至圖18所示，其中銅結晶很明顯是均勻地分佈於銅箔表面上。
從圖19及圖20可以看出，實施例1的印刷電路板於8 GHz下的插入損耗較比較例1的印刷電路板減少了11.2%，且實施例1的印刷電路板於16 GHz下的插入損耗較比較例1的印刷電路板減少了16.1%；由此可知，進階反轉電解銅箔能夠提高訊號完整性。此外，經測試實施例1的印刷電路板的剝離強度滿足使用要求。
表2 不同銅箔配合EM526測試Insertion Loss(-dB/in)數據
Figure 108214520-A0305-0002
測的數據條件: Test Material : Low Loss EMC526 +(RG311/FT1-UP/RTF-3) Test Design: Impedance: 85 Ω (Differential) Line length: 5/10 inch PCB Thinckness: 77mil
表3 以最常用反轉銅箔RTF-3為基準，RG311結合EM526測試Insertion Loss，數據顯示效能提升百分比
Figure 108214520-A0305-0003
表4 以最常用HVLP銅箔Ft-up為基準，RG311結合EM526測試Insertion Loss，數據顯示效能提升百分比
Figure 108214520-A0305-0004
參閱圖21所示，其顯示實施例1與比較例2的印刷電路板的插入損耗表現如上表2所示。比較例2的印刷電路板，是由多個C公司所生產的反轉銅箔(型號是RTF3)與多個基板經印刷電路板的製造工藝製成，基板是採用E公司所生產的低損耗預浸材料(型號是EM526)；比較例2所用反轉銅箔的表面形貌，其中銅結晶很明顯也是均勻地分佈於銅箔表面上。
從圖21可以看出，實施例1的印刷電路板於8 GHz下的插入損耗較比較例1的印刷電路板減少了(-0.76-(-0.66))/-0.76=13.3%，且實施例1的印刷電路板於12.89 GHz下的插入損耗減少了(-1.15-(-0.95))/(-1.15)=17.4%；由表2及表3的測試結果可知，進階反轉電解銅箔能夠提高訊號完整性。
參閱圖22所示，其顯示實施例1與比較例1及3的印刷電路板的插入損耗表現。比較例3的印刷電路板，是由多個F公司所生產的超低輪廓(HVLP)銅箔(型號是Ft1-up，如圖23所示)與多個基板經印刷電路板的製造工藝製成，超低輪廓銅箔的表面粗糙度Rz (JIS94)小於或等於2.0微米，基板是採用E公司所生產的低損耗預浸材料(型號是EM526)。
從圖22、表2及表4可以看出，實施例1的印刷電路板於8 GHz下的插入損耗較比較例1及3的印刷電路板減少了8.4%，且實施例1的印刷電路板於12.89GHz下的插入損耗較比較例1及3的印刷電路板減少了10.4%；由此可知，進階反轉電解銅箔能夠提高訊號完整性。
[實施例的有益效果]
本創作的其中一有益效果在於，本創作的進階反轉電解銅箔，其表面上除了有呈非均勻性分佈的多個銅結晶之外，還有不同數量的銅結晶所分別形成的多個銅晶鬚，以及不同數量的銅晶鬚所分別形成的銅結晶團，使得銅箔的表面形貌有明顯的凹凸起伏。因此，能夠在維持良好剝離強度的前提下，提高訊號完整性並抑制插入損耗(insertion loss)，以適應訊號傳輸的高頻、高速化，滿足5G應用的需求。
以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。
1:銅箔基板 11:進階反轉電解銅箔 110:微粗糙化處理面 110a:平滑區域 110b:粗糙區域 111:銅結晶 111a:頂部銅結晶 W:銅晶鬚 G:銅結晶團 112:凸峰 113:凹槽 114:填充空間 12:基板 2:連續式電解設備 21:送料輥 22:收料輥 23:電解槽 231:電極 24:電解輥組 25:輔助輥組
圖1為本創作的進階反轉電解銅箔的結構示意圖。
圖2為圖1的II部分的放大示意圖。
圖3為用於生產本創作進階反轉電解銅箔的連續式電解設備的結構示意圖。
圖4為本創作的銅箔基板的結構示意圖。
圖5為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的其中一表面形貌。
圖6為以傾斜角度35度與放大倍率3000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的其中一表面形貌。
圖7為以傾斜角度35度與放大倍率5000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的其中一表面形貌。
圖8為以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的其中一表面形貌。
圖9為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外一表面形貌。
圖10為以傾斜角度35度與放大倍率3000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外一表面形貌。
圖11為以傾斜角度35度與放大倍率5000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外一表面形貌。
圖12為以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外一表面形貌。
圖13為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外再一表面形貌。
圖14為以傾斜角度35度與放大倍率3000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外再一表面形貌。
圖15為以傾斜角度35度與放大倍率5000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外再一表面形貌。
圖16為以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示本創作的進階反轉電解銅箔的另外再一表面形貌。
圖17為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示C公司的反轉銅箔的表面形貌。
圖18為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示F公司的反轉銅箔的表面形貌。
圖19為根據本創作的進階反轉電解銅箔與根據現有的反轉銅箔的印刷電路板的插入損耗的其中一比較圖。
圖20為根據本創作的進階反轉電解銅箔與根據現有的反轉銅箔的印刷電路板的插入損耗的另外一比較圖。
圖21為根據本創作的進階反轉電解銅箔與根據現有的反轉銅箔的印刷電路板的插入損耗的另外再一比較圖。
圖22為根據本創作的進階反轉電解銅箔與根據現有的反轉銅箔的印刷電路板的插入損耗的另外再一比較圖。
圖23為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示F公司的HVLP銅箔的表面形貌。
圖24為以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察得到的掃描式電子顯微鏡圖影像，顯示人類頭髮的表面形貌。
111:銅結晶
111a:頂部銅結晶
W:銅晶鬚
G:銅結晶團
112:凸峰
113:凹槽
114:填充空間

Claims (19)

  1. 一種進階反轉電解銅箔，其特徵在於，所述進階反轉電解銅箔具有一不平整的微粗糙化處理面，且所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分佈的銅結晶；其中，不同數量的銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶鬚，不同數量的所述銅晶鬚團聚在一起以形成各自的銅結晶團；其中，當使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述銅結晶、所述銅晶鬚與所述銅結晶團構成一非均勻分佈的垂流狀條紋圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的進階反轉電解銅箔，其中，使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述微粗糙化處理面具有至少有兩個長為500 nm且寬為500 nm的平滑區域及至少一個長為1000 nm 且寬為1000 nm的粗糙區域，其中所述平滑區域內不存在任何銅結晶、銅晶鬚或銅結晶團；所述粗糙區域內存在至少六個銅結晶及/或銅晶鬚及/或銅結晶團。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的進階反轉電解銅箔，其中，每一個所述銅晶鬚具有一頂部銅結晶。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的進階反轉電解銅箔，其中，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的進階反轉電解銅箔，其中，在10000倍放大倍率下，觀察到至少一個所述粗糙區域內所述頂部銅結晶的數量，佔所述微粗糙化處理面的所述頂部銅結晶的總數的至少10%。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的進階反轉電解銅箔，其中，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度Rz (JIS94)小於2.3微米。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的進階反轉電解銅箔，其中，所述微粗糙化處理面還包括多個凸峰及位於多個所述凸峰之間的多個凹槽，且多個所述微細銅結晶、多個所述銅晶鬚與多個所述銅結晶團對應形成於多個所述凸峰上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的進階反轉電解銅箔，其中，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
  9. 一種銅箔基板，其包括： 一基板；以及 一進階反轉電解銅箔，其設置於所述基板上，且具有一不平整的微粗糙化處理面接合於所述基板的一表面，其中所述微粗糙化處理面具有多個呈非均勻性分佈的銅結晶； 其中，不同數量的所述銅結晶堆疊在一起以形成各自的銅晶鬚，不同數量的所述銅晶鬚團聚在一起以形成各自的銅結晶團； 其中，當使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率1000倍觀察所述微粗糙化處理面時，所述銅結晶、所述銅晶鬚與所述銅結晶團構成一非均勻分佈的垂流狀條紋圖案。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，其中，使用掃描式電子顯微鏡以傾斜角度35度與放大倍率10000倍觀察所述微粗糙化處理面時，具有至少有兩個長為500 nm且寬為500 nm的平滑區域及至少一個長為1000 nm 且寬為1000 nm的粗糙區域，其中所述平滑區域內不存在任何銅結晶、銅晶鬚或銅結晶團；所述粗糙區域內存在至少六個銅結晶及/或銅晶鬚及/或銅結晶團。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的銅箔基板，其中，每一個所述銅晶鬚具有一頂部銅結晶。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的銅箔基板，其中，多個所述頂部銅結晶呈錐狀、棒狀及/或球狀。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的銅箔基板，其中，在10000倍放大倍率下，觀察到至少一個所述粗糙區域內所述頂部銅結晶的數量，佔所述微粗糙化處理面的所述頂部銅結晶的總數的至少10%。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，其中，所述微粗糙化處理面的表面粗糙度Rz (JIS94)小於2.3微米。
  15. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，其中，所述微粗糙化處理面還包括多個凸峰及位於多個所述凸峰之間的多個凹槽，且多個所述微細銅結晶、多個所述銅晶鬚與多個所述銅結晶團對應形成於多個所述凸峰上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的銅箔基板，其中，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
  17. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，所述基板的材料為EM526 Prepreg，所述銅箔基板依Delta-L規範進行帶狀線法量測得到，在4 GHz下的插入損耗在-0.36dB/in與-0.44 dB/in之間。
  18. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，所述基板的材料為EM526 Prepreg，所述銅箔基板依Delta-L規範進行帶狀線法量測得到，在8 GHz下的插入損耗在-0.59dB/in與-0.72 dB/in之間。
  19. 如申請專利範圍第9項所述的銅箔基板，所述基板的材料為EM526 Prepreg，依Delta-L規範進行帶狀線法量測得到，在12.89 GHz下的插入損耗在-0.85dB/in與-1.05 dB/in之間。
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