CN112087873B - 进阶反转电解铜箔及其铜箔基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种进阶反转电解铜箔及其铜箔基板，其中进阶反转电解铜箔具有一不平整的微粗糙化处理面。微粗糙化处理面具有呈非均匀性分布的多个铜结晶、多个铜晶须以及多个铜结晶团，它们构成了一非均匀分布的垂流状条纹图案。因此，本发明的进阶反转电解铜箔与树脂基复合材料之间具有良好的结合力，且能够提高信号完整性以及减少信号的传输损耗，满足5G应用的需求。

Description

进阶反转电解铜箔及其铜箔基板
技术领域
本发明涉及一种电解铜箔及其应用，特别是涉及一种通过表面处理工艺形成的进阶反转电解铜箔，以及使用其的铜箔基板。此表面处理工艺是采用电镀技术将微细颗粒状铜结晶(下称“铜结晶”)非均匀地沉积于铜箔表面上，又称为铜箔表面电镀铜微粗糙化处理。
背景技术
随着信息和电子产业的发展，高频高速的信号传输已成为现代电路设计与制造的一环。电子产品为了要符合高频高速的信号传输需求，所使用的铜箔基板必须在高频下需要有良好的信号完整性(signal integrity，SI)表现，以避免严重的信号传输损耗。铜箔基板的信号完整性与铜箔的表面粗糙度有高度关联；一般来说，铜箔的表面形貌愈平坦，即铜箔的表面粗糙度愈低，所形成的铜箔基板的信号完整性就愈好。然而，在降低铜箔表面粗糙度的同时，也会导致铜箔基板的剥离强度(peel strength)下降，即铜箔与基材(如树脂基复合材料)之间的结合力下降，影响后端产品的良率。因此，如何在维持铜箔基板的剥离强度于业界水平的前提之下，使铜箔基板具有良好的信号完整性表现，已成为本领域所欲解决的课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种进阶反转电解铜箔，其能够适应信号传输的高频、高速化，满足5G应用的需求，且不会损害目标应用所需的特性，例如降低电解铜箔的剥离强度(peel strength)。本发明还提供一种使用此进阶反转电解铜箔的铜箔基板，可作为高频高速基板。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔具有一不平整的微粗糙化处理面，且所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；其中，不同数量的铜结晶堆栈在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；其中，当使用日本日立(Hitachi)公司制S-3400N型扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述铜结晶、所述铜晶须与所述铜结晶团构成一非均匀分布的垂流状条纹图案。。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种铜箔基板，其包括一基板以及一进阶反转电解铜箔，所述进阶反转电解铜箔设置于所述基板上，且具有一不平整的微粗糙化处理面接合于所述基板的一表面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；其中，不同数量的所述铜结晶堆栈在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；其中，当使用日本Hitachi公司制S-3400N型扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述铜结晶、所述铜晶须与所述铜结晶团构成一非均匀分布的垂流状条纹图案，其发想于人类头发的纹路图案，如图24所示。
在本发明的一实施例中，当使用扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述微粗糙化处理面具有至少有两个长为500纳米且宽为500纳米的平滑区域(即指粗糙化处理面上不存在颗粒状铜结晶、铜晶须及/或铜晶团的区域)以及至少有一个长为1000纳米且宽为1000纳米的粗糙区域，所述粗糙区域内存在至少六个铜结晶及/或铜晶须及/或铜结晶团。
在本发明的一实施例中，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。
在本发明的一实施例中，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。
在本发明的一实施例中，在10000倍放大倍率下，观察到至少一个所述粗糙区域内所述顶部铜结晶的数量，占所述微粗糙化处理面的所述顶部铜结晶的总数的至少10％。
在本发明的一实施例中，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度Rz(JIS94)小于2.3微米。
在本发明的一实施例中，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述微细铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。
在本发明的一实施例中，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
在本发明的一实施例中，所述基板的材料为EM526预浸材料(Prepreg)，所述铜箔基板依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在4GHz下的插入损耗在-0.36dB/in与-0.44dB/in之间。
在本发明的一实施例中，所述基板的材料为EM526预浸材料，所述铜箔基板依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在8GHz下的插入损耗在-0.59dB/in与-0.72dB/in之间。
在本发明的一实施例中，所述基板的材料为EM526预浸材料，依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在12.89GHz下的插入损耗在-0.85dB/in与-1.05dB/in之间。
本发明的其中一有益效果在于，本发明的进阶反转电解铜箔，其表面上除了有呈非均匀性分布的多个铜结晶之外，还有不同数量的铜结晶所分别形成的多个铜晶须，以及不同数量的铜晶须所分别形成的铜结晶团，使得铜箔的表面形貌有明显的凹凸起伏。因此，能够在维持良好剥离强度的前提下，提高信号完整性并抑制插入损耗(insertion loss)，以适应信号传输的高频、高速化，满足5G应用的需求。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明的进阶反转电解铜箔的结构示意图。
图2为图1的II部分的放大示意图。
图3为用于生产本发明进阶反转电解铜箔的连续式电解设备的结构示意图。
图4为本发明的铜箔基板的结构示意图。
图5为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的其中一表面形貌。
图6为以倾斜角度35度与放大倍率3000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的其中一表面形貌。
图7为以倾斜角度35度与放大倍率5000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的其中一表面形貌。
图8为以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的其中一表面形貌。
图9为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外一表面形貌。
图10为以倾斜角度35度与放大倍率3000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外一表面形貌。
图11为以倾斜角度35度与放大倍率5000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外一表面形貌。
图12为以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外一表面形貌。
图13为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外再一表面形貌。
图14为以倾斜角度35度与放大倍率3000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外再一表面形貌。
图15为以倾斜角度35度与放大倍率5000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外再一表面形貌。
图16为以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示本发明的进阶反转电解铜箔的另外再一表面形貌。
图17为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示C公司的反转铜箔的表面形貌。
图18为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示F公司的反转铜箔的表面形貌。
图19为根据本发明的进阶反转电解铜箔与根据现有的反转铜箔的印刷电路板的插入损耗的其中一比较图。
图20为根据本发明的进阶反转电解铜箔与根据现有的反转铜箔的印刷电路板的插入损耗的另外一比较图。
图21为根据本发明的进阶反转电解铜箔与根据现有的反转铜箔的印刷电路板的插入损耗的另外再一比较图。
图22为根据本发明的进阶反转电解铜箔与根据现有的反转铜箔的印刷电路板的插入损耗的另外再一比较图。
图23为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示F公司的HVLP铜箔的表面形貌。
图24为以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察得到的扫描式电子显微镜图影像，显示人类头发的表面形貌。
具体实施方式
目前业界普遍的认知是，铜箔的表面形貌愈平坦，所形成的铜箔基板的信号完整性(signal integrity，SI)就愈好，但是会降低铜箔基板的剥离强度；也就是说，当铜箔的表面形貌较为平坦时，会难以兼顾铜箔基板的信号完整性与剥离强度。因此，本发明提供一种进阶反转电解铜箔，其具有不同于既有之电解铜箔的特殊表面形貌，而能够提高信号完整性，以及减少信号的传输损耗，且不会降低形成的电解铜箔的剥离强度。
值得一提的是，本发明在某种程度上采用因「技术偏见」而被舍弃的技术手段，即使铜箔表面的具有一定的不平整度，且此技术手段直接产生了在维持良好剥离强度的前提下进一步优化电气特性的有益技术效果。
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“进阶反转电解铜箔及其铜箔基板”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
参阅图1及图2所示，本发明的进阶反转电解铜箔11具有一不平整的微粗糙化处理面110，其是通过电镀铜微粗糙化处理而形成。值得一提的是，微粗糙化处理面110具有多个铜结晶111、多个铜晶须W及多个铜结晶团G，它们呈非均匀性分布，即非均匀地沉积于铜箔表面上。每一个铜晶须W由两个或更多的铜结晶111堆栈而成，且不同数量的铜结晶111堆栈在一起以形成各自的铜晶须W；每一个铜晶须W具有一顶部铜结晶111，其可为锥状、棒状或球状，且优选为球状。每一个铜结晶团G由两个或更多的铜晶须W团聚而成，且不同数量的铜晶须W团聚在一起以形成各自的铜结晶团G。
在一些实施例中，多个铜晶须W的平均高度可小于3.0微米，优选为小于1.8微米，且更优选为小于1.6微米；另外，多个铜结晶团G的平均高度可小于4微米，优选为小于3.0微米，且更优选为小于1.6微米。在一些实施例中，每一个铜晶须W可包括最多50个铜结晶111，优选为最多30个铜结晶111，更优选为最多15个铜结晶111，且特别优选为最多8个铜结晶111。在一些实施例中，多个铜结晶111的平均外径可小于1.0微米，优选为0.5至1.0微米，且更优选为0.01至0.5微米。
值得一提的是，不同于既有之电解铜箔，其中多个铜结晶是均匀地分布于铜箔表面上，仅有少部分聚集在一起；本发明的进阶反转电解铜箔11，其表面上除了有呈非均匀性分布的多个铜结晶111之外，还有不同数量的铜结晶111所分别形成的多个铜晶须W，以及不同数量的铜晶须W所分别形成的铜结晶团G，使得铜箔的表面形貌有明显的凹凸起伏。借此，本发明的进阶反转电解铜箔11能够在维持良好剥离强度的前提下，提高信号完整性并抑制插入损耗(insertion loss)，以适应信号传输的高频、高速化。此外，微粗糙化处理面110的表面粗糙度Rz(JIS94)小于等于2.3微米，此对线宽和线距的微缩有所贡献。
配合图5、图9及图13并配合图24所示，当使用扫描式电子显微镜(Hitachi S-3400N)以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察微粗糙化处理面110时，可以看出铜结晶111、铜晶须W与铜结晶团G构成凹凸起伏的非均匀分布的垂流状条纹图案，其近似于人类头发的纹路图案。配合图8、图12及图16所示，当使用扫描式电子显微镜(Hitachi S-3400N)以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察微粗糙化处理面110时，可以看出微粗糙化处理面110具有至少有两个长为500纳米且宽为500纳米的平滑区域110a及至少一个长为1000纳米且宽为1000纳米的粗糙区域110b，其中平滑区域110a内不存在任何铜结晶111、铜晶须W及/或铜结晶团G；粗糙区域110b内存在至少六个铜结晶111、铜晶须W及/或铜结晶团G，且粗糙区域110b内顶部铜结晶111的数量，占微粗糙化处理面110上顶端铜结晶总数的10％以上。此外，可以看出每一个铜结晶团G中，多个铜晶须W分别朝不同的方向延伸而呈分岔状。
图8所示进阶反转电解铜箔11的微粗糙化处理面110上至少有七个平滑区域110a及三个粗糙区域110b；图12所示进阶反转电解铜箔11的微粗糙化处理面110上至少有三个平滑区域110a及四个粗糙区域110b；图16所示进阶反转电解铜箔11的微粗糙化处理面110上至少有五个平滑区域110a及三个粗糙区域110b。
复参图2所示，微粗糙化处理面110还包括多个凸峰112及多个位于凸峰112之间的凹槽113，且多个铜结晶111、多个铜晶须W与多个铜结晶团G对应形成于多个凸峰112上。值得一提的是，若每一个凹槽113具有U形或V形的剖面形貌，加上有多个填充空间114存在于多个微细铜结晶111、多个铜晶须W与多个铜结晶团G之间，则在将本发明的进阶反转电解铜箔11压合于一树脂基复合材料时，微粗糙化处理面110可以接收更多个树脂材料，以增加铜箔与基材之间的结合力。在一些实施例中，多个凹槽113的平均深度可小于1.5微米，优选为小于1.3微米，且更优选为小于1微米；多个凹槽113的平均宽度可为0.1至4微米，且优选为0.6至3.8微米。
复参阅图1，并配合图3所示，本发明的进阶反转电解铜箔11可以是对生箔的亮面(shiny side)进行电镀铜微粗糙化处理而获得，其中经过处理的亮面即形成微粗糙化处理面110；电镀铜微粗糙化处理优选使用一连续式电解设备2，并配合5至20m/min(公尺/分钟)的生产速度、20至60℃的生产温度及预定的电流密度来实现。然而，这些细节只是本实施例所提供可行的实施方式，而并非用以限定本发明。在一些实施例中，可以对生箔的暗面(matte side)进行电镀铜微粗糙化处理，使其形成微粗糙化处理面110；另外，电镀铜微粗糙化处理可使用一批次式电解设备来实现。
如图3所示，连续式电解设备2包括一送料辊21、一收料辊22、多个电解槽23、多个电解辊组24及多个辅助辊组25；多个电解槽23设置于送料辊21与收料辊22之间，用以盛装相同或不同配方的含铜镀液，且每一个电解槽23内设有一组电极231(如白金电极)；多个电解辊组24分别设置于多个电解槽23上方，多个辅助辊组25分别设置于多个电解槽23内，多个电解辊组24与多个辅助辊组25能带动生箔以一定的速度依序经过多个电解槽23内的镀液；每一个电解槽23内的电极231与相对应的电解辊组24共同电性连接一外部电源(图未示)，用以对相对应的镀液进行电解，而于铜箔上附加所需功效。
电镀铜微粗糙化处理所用的含铜镀液可含有铜离子源、金属添加剂及非金属他添加剂；铜离子源可举出硫酸铜及硝酸铜；金属添加剂可举出钴、铁、锌、它们的氧化物和盐类；非金属他添加剂可举出明胶、有机氮化物、羟乙基纤维素(hydroxyethyl cellulose，HEC)、聚乙二醇(Poly(ethylene glycol)、PEG)、3-巯基-1-丙烷磺酸钠(Sodium 3-mercaptopropanesulphonate，MPS)、聚二硫二丙烷磺酸钠(Bis-(sodium sulfopropyl)-disulfide，SPS)及硫脲基化合物。然而，这些细节只是本实施例所提供可行的实施方式，而并非用以限定本发明。
在一些实施例中，电镀铜微粗糙化处理分成两个阶段(即第一阶段及第二阶段)，其分别使用两个不同配方的含铜镀液(即第一含铜镀液及第二含铜镀液)。进一步而言，第一阶段对第一含铜镀液施加25至40A/dm2(安培/平方分米)的电流密度，第一含铜镀液中，铜离子浓度为10至30g/l，酸浓度为70至100g/l，且金属添加剂浓度为150至300mg/l；第二阶段对第二含铜镀液施加30至56A/dm2的电流密度，第二含铜镀液中，铜离子浓度为70至100g/l，酸浓度为30至60g/l，且金属添加剂浓度为15至100mg/l。优选于第一阶段对第一含铜镀液施加30至56A/dm2的电流密度，并于第二阶段对第二含铜镀液施加23至26A/dm2的电流密度。
在一些实施例中，电镀铜微粗糙化处理可分成三个阶段以上，其交替使用两个不同配方的含铜镀液(即第一含铜镀液及第二含铜镀液)，且每一个阶段施加的电流密度介于1至60A/dm2之间。进一步而言，可于第三阶段使用第一含铜镀液并对其施加1至8A/dm2的电流密度，并于第四阶段使用第二含铜镀液并对其施加40至60A/dm2的电流密度；另外，第五阶段以后施加的电流密度为小于或等于5A/dm2。
需要说明的是，前述的电镀铜微粗糙化处理除了可以用来生产反转铜箔之外，也可以用来生产高温延展铜箔(high temperature elongation，HTE)或极低粗糙度铜箔(very low profile，VLP)。
参阅图4所示，本发明还提供一种铜箔基板1，其包括一基板12及两个进阶反转电解铜箔11，两个进阶反转电解铜箔11设置于基板12上，其中两个进阶反转电解铜箔11的微粗糙化处理面110分别接合于基板12的两相对表面(未标号)。在一未绘示的实施例中，铜箔基板1可以只包括一个进阶反转电解铜箔11设置于基板12上，且进阶反转电解铜箔11的微粗糙化处理面110接合于基板12的一表面。
进一步而言，基板12优选具有低介电损耗(dissipation factor，Df)值；基板12于10GHz频率的Df值为小于或等于0.015，优选为小于或等于0.010，且更优选为小于或等于0.005。基板12可为一树脂基复合材料(即预浸材)，其是将一基材含浸于一合成树脂后再固化而获得。基材可举出：酚醛棉纸、棉纸、树脂制纤维布、树脂制纤维不织布、玻璃板、玻璃织布及玻璃不织布；合成树脂可举出：环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、聚苯醚树脂及酚树脂，且合成树脂层可以形成单层或多层结构。在一些实施例中，基板12可选自EM526、EM891、IT958G、IT150DA、S7040G、S7439G、MEGTRON 4、MEGTRON 6或MEGTRON 7材料。
参阅图19及图20，图19显示实施例1与比较例1的印刷电路板于4GHz、8GHz频率的插入损耗表现，图20显示实施例1与比较例1的印刷电路板于12.89GHz、16GHz频率的插入损耗表现。实施例1的印刷电路板是由多个进阶反转电解铜箔与多个基板经印刷电路板的制造工艺制成，进阶反转电解铜箔的表面粗糙度Rz(JIS94)小于或等于2.3微米，基板是采用S公司所生产的低损耗预浸材料(low loss prepreg，型号是S7439G)；这两个进阶反转电解铜箔的生产是采用六个阶段的电镀铜微粗糙化处理，其可由图3所示的连续式电解设备2实现，各阶段的生产条件如表1所示；实施例1所用进阶反转电解铜箔的表面形貌如图5至图16所示，相关的技术细节已如前述。
表1
Figure BDA0002299906170000091
Figure BDA0002299906170000101
另外，比较例1的印刷电路板，是由多个C公司所生产的反转铜箔(型号RTF3)与多个基板经印刷电路板的制造工艺制成，反转铜箔的表面粗糙度Rz(JIS94)小于或等于3.0微米，基板同样是采用低损耗预浸材料S7439G；比较例1所用反转铜箔的表面形貌如图17至图18所示，其中铜结晶很明显是均匀地分布于铜箔表面上。
从图19及图20可以看出，实施例1的印刷电路板于8GHz下的插入损耗较比较例1的印刷电路板减少了11.2％，且实施例1的印刷电路板于16GHz下的插入损耗较比较例1的印刷电路板减少了16.1％；由此可知，进阶反转电解铜箔能够提高信号完整性。此外，经测试实施例1的印刷电路板的剥离强度满足使用要求。
表2不同铜箔配合EM526测试Insertion Loss(插入损耗)数据
Figure BDA0002299906170000102
测的数据条件:
测试材料(Test Material):低损耗(Low Loss)EM526+(RG311/FT1-UP/RTF-3)
测试设计(Test Design):阻抗(Impedance):85Ω(差分，Differential)
(Line length):5/10英寸(inch)
PCB(Thinckness):77密耳(mil)
表3以最常用反转铜箔RTF-3为基准，RG311结合EM526测试Insertion Loss，数据显示效能提升百分比
Figure BDA0002299906170000111
表4以最常用HVLP铜箔Ftl-up为基准，RG311结合EM526测试Insertion Loss，数据显示效能提升百分比
Figure BDA0002299906170000112
参阅图21所示，其显示实施例1与比较例2的印刷电路板的插入损耗表现如上表2所示。比较例2的印刷电路板，是由多个C公司所生产的反转铜箔(型号是RTF-3)与多个基板经印刷电路板的制造工艺制成，基板是采用E公司所生产的低损耗预浸材料(型号是EM526)；比较例2所用反转铜箔的表面形貌，其中铜结晶很明显也是均匀地分布于铜箔表面上。
从图21可以看出，实施例1的印刷电路板于8GHz下的插入损耗较比较例1的印刷电路板减少了(-0.76-(-0.66))/-0.76＝13.3％，且实施例1的印刷电路板于12.89GHz下的插入损耗减少了(-1.15-(-0.95))/(-1.15)＝17.4％；由表2及表3的测试结果可知，进阶反转电解铜箔能够提高信号完整性。
参阅图22所示，其显示实施例1与比较例1及3的印刷电路板的插入损耗表现。比较例3的印刷电路板，是由多个F公司所生产的超低轮廓(HVLP)铜箔(型号是Ft1-up，如图23所示)与多个基板经印刷电路板的制造工艺制成，超低轮廓铜箔的表面粗糙度Rz(JIS94)小于或等于2.0微米，基板是采用E公司所生产的低损耗预浸材料(型号是EM526)。
从图22、表2及表4可以看出，实施例1的印刷电路板于8GHz下的插入损耗较比较例1及3的印刷电路板减少了8.4％，且实施例1的印刷电路板于12.89GHz下的插入损耗较比较例1及3的印刷电路板减少了10.4％；由此可知，进阶反转电解铜箔能够提高信号完整性。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明的进阶反转电解铜箔，其表面上除了有呈非均匀性分布的多个铜结晶之外，还有不同数量的铜结晶所分别形成的多个铜晶须，以及不同数量的铜晶须所分别形成的铜结晶团，使得铜箔的表面形貌有明显的凹凸起伏。因此，能够在维持良好剥离强度的前提下，提高信号完整性并抑制插入损耗(insertion loss)，以适应信号传输的高频、高速化，满足5G应用的需求。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (17)

1.一种进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述进阶反转电解铜箔具有一不平整的微粗糙化处理面，且所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；其中，不同数量的铜结晶堆栈在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；其中，当使用扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述铜结晶、所述铜晶须与所述铜结晶团构成一非均匀分布的垂流状条纹图案，其近似于人类头发的纹路图案；其中，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度Rz小于2.3微米。
2.根据权利要求1所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，使用扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述微粗糙化处理面具有至少有两个长为500纳米且宽为500纳米的平滑区域及至少一个长为1000纳米且宽为1000纳米的粗糙区域，其中所述平滑区域内不存在任何铜结晶、铜晶须或铜结晶团；所述粗糙区域内存在至少六个铜结晶及/或铜晶须及/或铜结晶团。
3.根据权利要求2所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。
4.根据权利要求3所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。
5.根据权利要求3所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，在10000倍放大倍率下，观察到至少一个所述粗糙区域内所述顶部铜结晶的数量，占所述微粗糙化处理面的所述顶部铜结晶的总数的至少10％。
6.根据权利要求1所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。
7.根据权利要求6所述的进阶反转电解铜箔，其特征在于，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
8.一种铜箔基板，其特征在于，所述铜箔基板包括：
一基板；以及
一进阶反转电解铜箔，其设置于所述基板上，且具有一不平整的微粗糙化处理面接合于所述基板的一表面，其中所述微粗糙化处理面具有多个呈非均匀性分布的铜结晶；
其中，不同数量的所述铜结晶堆栈在一起以形成各自的铜晶须，不同数量的所述铜晶须团聚在一起以形成各自的铜结晶团；
其中，当使用扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率1000倍观察所述微粗糙化处理面时，所述铜结晶、所述铜晶须与所述铜结晶团构成一非均匀分布的垂流状条纹图案，其近似于人类头发的纹路图案；其中，所述微粗糙化处理面的表面粗糙度Rz小于2.3微米。
9.根据权利要求8所述的铜箔基板，其特征在于，使用扫描式电子显微镜以倾斜角度35度与放大倍率10000倍观察所述微粗糙化处理面时，具有至少有两个长为500纳米且宽为500纳米的平滑区域及至少一个长为1000纳米且宽为1000纳米的粗糙区域，其中所述平滑区域内不存在任何铜结晶、铜晶须或铜结晶团；所述粗糙区域内存在至少六个铜结晶及/或铜晶须及/或铜结晶团。
10.根据权利要求9所述的铜箔基板，其特征在于，每一个所述铜晶须具有一顶部铜结晶。
11.根据权利要求10所述的铜箔基板，其特征在于，多个所述顶部铜结晶呈锥状、棒状及/或球状。
12.根据权利要求10所述的铜箔基板，其特征在于，在10000倍放大倍率下，观察到至少一个所述粗糙区域内所述顶部铜结晶的数量，占所述微粗糙化处理面的所述顶部铜结晶的总数的至少10％。
13.根据权利要求8所述的铜箔基板，其特征在于，所述微粗糙化处理面还包括多个凸峰及位于多个所述凸峰之间的多个凹槽，且多个所述铜结晶、多个所述铜晶须与多个所述铜结晶团对应形成于多个所述凸峰上。
14.根据权利要求13所述的铜箔基板，其特征在于，每一所述凹槽具有一U形或V形的剖面形貌。
15.根据权利要求8所述的铜箔基板，其特征在于，所述基板的材料为EM526预浸材料，所述铜箔基板依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在4GHz下的插入损耗在-0.36dB/in与-0.44dB/in之间。
16.根据权利要求8所述的铜箔基板，其特征在于，所述基板的材料为EM526预浸材料，所述铜箔基板依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在8GHz下的插入损耗在-0.59dB/in与-0.72dB/in之间。
17.根据权利要求8所述的铜箔基板，其特征在于，所述基板的材料为EM526预浸材料，依Delta-L规范进行带状线法量测得到，在12.89GHz下的插入损耗在-0.85dB/in与-1.05dB/in之间。
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