JP6029590B2 - 樹脂との密着性に優れた銅箔及びその製造方法並びに該電解銅箔を用いたプリント配線板又は電池用負極材 - Google Patents
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Description
そして、露出している銅箔の不要部をエッチング処理により除去する。エッチング後、残存する銅(回路部分)の上にある樹脂(耐エッチング性樹脂)等の材料からなる印刷部を除去して、基板上に導電性の回路を形成する。形成された導電性の回路には、最終的に所定の素子を半田付けして、エレクトロニクスデバイス用の種々の印刷回路板を形成する。最終的には、レジスト又はビルドアップ樹脂基板と接合する。
電解銅箔と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル(凹凸、粗さ)を大きくした生銅箔の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル(凹凸、粗さ)の大きい銅箔を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。
したがって、このような微細配線用途の銅箔としては、樹脂基材との接着面の低プロファイル化と、樹脂基材との高い密着性(剥離強度)の両立が求められている。
さらにその上から、該銅箔に耐熱性・耐候性を持たせるため黄銅又は亜鉛等の耐熱処理層(障壁層)を形成する。
そして、この上に運搬中又は保管中の表面酸化等を防止するため、浸漬又は電解クロメート処理あるいは電解クロム・亜鉛処理等の防錆処理を施すことにより製品とする。
この黄銅から成る耐熱処理層を形成する方法については、特許文献4及び特許文献5に詳述されている。
このように、硫酸銅及び硫酸を主成分とする酸性銅めっき浴に添加する添加剤の工夫もなされているが、その効果には限界があり、さらなる改良が望まれている。
1)電解銅箔の粗化面(M面)に粗化粒子を形成した電解銅箔であって、該粗化粒子の平均サイズが0.1〜1.0μmであることを特徴とする電解銅箔。
2)粗化粒子数の平均が1〜2個/μm2であることを特徴とする1)記載の電解銅箔。
3)前記電解銅箔の粗化面(M面)の表面粗度Rzが3.0μm以下、Raが0.6μm未満、Rtが4.0μm未満であることを特徴とする1)〜2)のいずれかに一項に記載の電解銅箔。
5)BT基材との半田後のピール強度が0.98kN/m以上であることを特徴とする1)〜4)のいずれか一項に記載の電解銅箔。
6)前記粗化粒子層上に、かぶせ銅メッキ層を有することを特徴とする1)〜5)のいずれかに一項に記載の電解銅箔。
8)前記耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を有することを特徴とする7)記載の電解銅箔。
9)前記当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を有することを特徴とする8)記載の電解銅箔。
10)上記1)〜9)のいずれか一項に記載の電解銅箔を用いたプリント配線板又は電池用負極材。
12)タングステンイオンを含有する硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて銅の粗化粒子を形成することを特徴とする11)記載の電解銅箔の製造方法。
この硫酸・硫酸銅からなる電解浴には、ヒ素イオンを含有させない。
微細回路形成には、粗化処理層の粗さが重要であり、低粗度で且つ高ピール強度を発現する銅箔が望ましいとされている。アンカー効果によるピール強度向上を目的に粗化処理層には、粗化粒子層を形成している。本発明は、従来の粒子サイズよりも約1/4以下に小さくし、粒子数を約5〜20倍程度多く形成させることで、低粗度であり且つ高強度を発現する電解銅箔を提供するものである。
この粗化粒子の平均サイズは従来の粗化粒子のサイズの約1/4以下であり、本願発明の著しい特徴である。粗化粒子の平均サイズが0.1〜1.0μmの範囲にあれば、ピール強度を効果的に向上させることができる。また、このときに形成される粗化粒子数の平均は、1〜2個/μm2であり、微細な粒子が、密集した形態を持つ。この結果、アンカー効果によるピール強度を向上させることが可能となった。
以上によって、本願発明の電解銅箔は、BT基材との常態ピール強度が1.0kN/m以上であり、BT基材との半田後のピール強度が0.98kN/m以上を達成可能となる。
電解浴中の銅濃度を10g/L未満であると、粒子成長が緩慢となり生産速度が低下するので好ましくない。また、電解浴中の銅濃度を20g/Lを超えると、従来のように、成長粒子が大きくなり過ぎ、本願発明の目的を達成することができないので、上記の銅濃度とするのが良い。
なお、本願明細書で説明する粗化粒子数は、SEM1万倍画像で観察される粒子数を計測し、画像エリアから個数を換算した。また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した。ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した。表面粗さは、触針式にてJIS−B−0601に準じた方法で測定した。
(液組成)
Cu:10〜20g/L
H2SO4:10〜200g/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0.1〜100mg/l
温度: 25〜60°C
(電流条件)
電流密度: 25〜100A/dm2 (浴の限界電流密度以上であること)
(選択的液組成2)
W(タングステン酸塩で添加):0.1〜100mg/l
本発明と組み合わせるかぶせメッキ処理、耐熱・防錆処理、クロメート処理、シランカップリング剤としては、従来の耐熱・防錆層を使用することが可能である。
(液組成)
Cu:20〜100g/L
H2SO4:50〜150g/L
(液温)
25〜60°C
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2 (浴の限界電流密度以下であること)
めっき時間:1〜20秒
具体例を、以下に示す。
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90°C
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
前記クロメート皮膜層を形成するための条件の例を、以下に記載する。しかし、上記の通り、この条件に限定される必要はなく、すでに公知のクロメート処理はいずれも使用できる。この防錆処理は、耐酸性に影響を与える因子の一つであり、クロメート処理により、耐酸性はより向上する。
K2Cr2O7 :1〜5g/L、pH:2.5〜5.5、温 度:25〜60°C、時間:0.5〜8秒
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L、ZnOH又はZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L、pH:2.5〜5.5、浴温:20〜80°C、電流密度:0.05〜5A/dm2、時間:0.1〜10秒
0.2%エポキシシラン水溶液を銅箔粗化面にスプレー後、乾燥させる。
シランカップリング剤の選択は任意であるが、銅箔と積層する樹脂基材との親和性を考慮した選択が望ましいと言える。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W添加量:3mg/L (タングステン酸ナトリウム2水和物で添加、以下同様)
デシル硫酸ナトリウム添加量:4mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:54 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:100 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 29A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
実施例1で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W添加量:3mg/L (タングステン酸ナトリウム2水和物で添加、以下同様)
デシル硫酸ナトリウム添加量:4mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:54 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:100 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 31A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
実施例2で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:20g/L
H2SO4:100 g/L
W添加量:3mg/L (タングステン酸ナトリウム2水和物で添加、以下同様)
デシル硫酸ナトリウム添加量:4mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:54 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:100 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 33A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
実施例3で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:10g/L
H2SO4:100 g/L
W添加量:3mg/L (タングステン酸ナトリウム2水和物で添加、以下同様)
デシル硫酸ナトリウム添加量:4mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:48 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:100 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 29A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
実施例4で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W添加量:3mg/L (タングステン酸ナトリウム2水和物で添加、以下同様)
デシル硫酸ナトリウム添加量:4mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:45 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:100 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 21A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
実施例5で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:35g/L
H2SO4:97.5 g/L
As添加量:1.6mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:70 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:97.5 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 41A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
比較例1で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:25g/L
H2SO4:97.5 g/L
As添加量:1.6mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:70 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:97.5 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 41A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
比較例2で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:25g/L
H2SO4:97.5 g/L
As添加量:1.6mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:44 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:97.5 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 36A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
比較例3で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
厚さ12μmのIPC Grade 3 の電解銅箔を用い、この銅箔の粗面に、粗化粒子を形成する処理を行った。
粗化粒子を形成する処理(めっき)電解液の浴組成と電解処理条件を示す。
(液組成)
Cu:25g/L
H2SO4:97.5 g/L
As添加量:1.6mg/L
(液温)38°C
(電流条件)
電流密度:52 A/dm2
(かぶせメッキ液組成)
Cu:45g/L
H2SO4:97.5 g/L
(液温)45°C
(電流条件)
電流密度: 36A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
また、粒子サイズは、SEM1万倍画像で観察される粒子を線分法にて計測した結果である。なお、この粒子サイズは、粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である。
BT基材と積層した時の銅箔の剥離強度が0.98kN/m以上であれば、半導体パッケージ基板用途の銅箔として不足ない接着強度を持つと言える。
銅箔を前記2種の基材と所定の条件で熱圧着して銅張積層板とし、幅10mmの回路を湿式エッチングにより作製した後、銅箔を剥離し、90度剥離強度を測定した。
上記の通り、ピール強度は、三菱ガス化製基材のGHPL−830を使用し、JIS−C−6481に準じた方法で測定した結果である。
比較例4で測定した粗化粒子数(個/μm2)、粒子サイズ(平均μm)、表面粗さ(Ra、Rt、Rz)及び剥離強度(BT基材ピール強度(kN/m):常態と半田後のピール強度)を、同様に表1に示す。
Claims (12)
- 電解銅箔の粗化面(M面)に粗化粒子を形成した電解銅箔であって、該粗化粒子の該粗化面の任意の2点で観察した垂直断面における粒子サイズと、任意の2点で観察した平面における粒子サイズの平均値である平均サイズが0.49〜1.0μmであり、該粒子サイズはSEM1万倍画像で観察される該粗化粒子を線分法にて計測したものであり、粗化粒子数の平均が1〜2個/μm2であることを特徴とする電解銅箔。
- 前記電解銅箔の粗化面(M面)の表面粗度Rzが3.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電解銅箔。
- 前記電解銅箔の粗化面(M面)の表面粗度Raが0.6μm未満、Rtが4.0μm未満であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電解銅箔。
- BT基材との常態ピール強度が1.0kN/m以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電解銅箔。
- BT基材との半田後のピール強度が0.98kN/m以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電解銅箔。
- 前記粗化粒子層上に、かぶせ銅メッキ層を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに一項に記載の電解銅箔。
- 前記粗化粒子層上又は前記かぶせメッキ処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに一項に記載の電解銅箔。
- 前記耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を有することを特徴とする請求項7に記載の電解銅箔。
- 前記当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を有することを特徴とする請求項8に記載の電解銅箔。
- 上記請求項1〜9のいずれか一項に記載の電解銅箔を用いたプリント配線板又は電池用負極材。
- 電解銅箔の粗化面(M面)に、硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて粗化粒子を形成する電解銅箔の製造方法であって、電解浴中の銅濃度を10〜20g/Lとして電解し、請求項1〜9のいずれか一項に記載の電解銅箔を製造することを特徴とする電解銅箔の製造方法。
- タングステンイオンを含有する硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて銅の粗化粒子を形成することを特徴とする請求項11に記載の電解銅箔の製造方法。
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JP6083619B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-22 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 低誘電性樹脂基材用処理銅箔及び該処理銅箔を用いた銅張積層板並びにプリント配線板 |
WO2017051897A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Jx金属株式会社 | 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
KR20170038969A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-10 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 표면처리동박 및 그의 제조방법 |
WO2018066113A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層配線板の製造方法 |
JP7492807B2 (ja) * | 2016-12-06 | 2024-05-30 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP7193915B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2022-12-21 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池 |
CN111194362B (zh) * | 2017-07-24 | 2022-03-11 | 古河电气工业株式会社 | 表面处理铜箔、以及使用其的覆铜板及印刷配线板 |
CN111344435A (zh) * | 2017-11-10 | 2020-06-26 | 纳美仕有限公司 | 复合铜箔 |
JP7056167B2 (ja) * | 2018-01-23 | 2022-04-19 | 株式会社豊田自動織機 | 蓄電モジュール、及び、蓄電モジュールの製造方法 |
TWI679314B (zh) | 2018-06-07 | 2019-12-11 | 國立中興大學 | 以單一電鍍槽製備銅箔生箔同時形成粗化毛面的方法及該銅箔生箔 |
CN113795615B (zh) * | 2019-06-07 | 2024-08-02 | 古河电气工业株式会社 | 表面处理铜箔、覆铜层叠板以及印刷电路板 |
TWI719698B (zh) * | 2019-06-12 | 2021-02-21 | 金居開發股份有限公司 | 進階反轉電解銅箔及其銅箔基板 |
JP7392996B2 (ja) * | 2019-06-19 | 2023-12-06 | 金居開發股▲分▼有限公司 | アドバンスド電解銅箔及びそれを適用した銅張積層板 |
TWM608774U (zh) * | 2019-06-19 | 2021-03-11 | 金居開發股份有限公司 | 進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板 |
CN112469194B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-08-05 | 广东嘉元科技股份有限公司 | 一种高密互联电路板用低轮廓电解铜箔 |
WO2022153580A1 (ja) * | 2021-01-15 | 2022-07-21 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
WO2023281759A1 (ja) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
CN115044947B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-09-29 | 山东金宝电子有限公司 | 一种提高铜箔与树脂附着力的表面处理方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5135711A (en) | 1974-09-24 | 1976-03-26 | Komatsu Shoichi | Taisui hatsuyuseiojusurukami narabini sonoseizoho |
JPS581853B2 (ja) | 1977-06-17 | 1983-01-13 | 松下電器産業株式会社 | 選局装置 |
JP2739507B2 (ja) | 1989-10-06 | 1998-04-15 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 銅箔の電解処理方法 |
JP2717911B2 (ja) | 1992-11-19 | 1998-02-25 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
US5482784A (en) * | 1993-12-24 | 1996-01-09 | Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. | Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same |
JP3476264B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2003-12-10 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
TW317575B (ja) | 1994-01-21 | 1997-10-11 | Olin Corp | |
JP2920083B2 (ja) | 1995-02-23 | 1999-07-19 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
JP3949871B2 (ja) | 1999-12-10 | 2007-07-25 | 日本電解株式会社 | 粗化処理銅箔及びその製造方法 |
JP3306404B2 (ja) | 2000-01-28 | 2002-07-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
JP4475836B2 (ja) | 2000-09-25 | 2010-06-09 | イビデン株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP4273309B2 (ja) * | 2003-05-14 | 2009-06-03 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 低粗面電解銅箔及びその製造方法 |
JP2005353919A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔の表面粗化処理方法 |
JP2005353920A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔の表面粗化処理方法 |
JP2006210689A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
JP4709575B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-06-22 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 銅箔の粗面化処理方法及び粗面化処理液 |
TWI434965B (zh) * | 2008-05-28 | 2014-04-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method |
KR102104161B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2020-04-23 | 제이엑스금속주식회사 | 프린트 배선판용 동박 및 그 제조 방법 |
JP5242710B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
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