JP5285180B1 - キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
極薄銅層と樹脂基材の間の剥離強度を高める方法としては、一般的に、表面のプロファイル(凹凸、粗さ)を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が代表的である。
そのため、キャリア付銅箔について更なる改善が求められている。
そして、露出している銅箔の不要部をエッチング処理により除去する。エッチング後、樹脂等の材料からなる印刷部を除去して、基板上に導電性の回路を形成する。形成された導電性の回路には、最終的に所定の素子を半田付けして、エレクトロニクスデバイス用の種々の印刷回路板を形成する。
最終的には、レジスト又はビルドアップ樹脂基板と接合する。一般に、印刷配線板用銅箔に対する品質要求は、樹脂基材と接着される接着面(所謂、粗化面)と、非接着面(所謂光沢面)とで異なり、両者を同時に満足させることが必要である。
他方、粗化面に対しては、主として、(1)保存時における酸化変色のないこと、(2)基材との剥離強度が、高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分なこと、(3)基材との積層、エッチング後に生じる、所謂積層汚点のないこと等が挙げられる。
また、近年パターンのファイン化に伴い、銅箔のロープロファイル化が要求されてきている。その分、銅箔粗化面の剥離強度の増加が必要となっている。
こうした要求に答えるべく、印刷配線板用銅箔に対して多くの処理方法が提唱されてきた。
そして、この上に運搬中又は保管中の表面酸化等を防止するため、浸漬又は電解クロメート処理あるいは電解クロム・亜鉛処理等の防錆処理を施すことにより製品とする。
この「粉落ち」現象を避けるために、上記粗化処理後に、突起物の上に薄い銅めっき層を形成して、突起物の剥離を防止することが行われた(特許文献1参照)。これは「粉落ち」を防止する効果を有するが、工程が増えるということ、その薄い銅めっきにより「粉落ち」防止効果が異なるという問題があった。
これらの中で、Cu−Zn(黄銅)から成る耐熱処理層を形成した銅箔は、エポキシ樹脂等から成る印刷回路板に積層した場合に樹脂層のしみがないこと、また高温加熱後の剥離強度の劣化が少ない等の優れた特性を有しているため、工業的に広く使用されている。
この黄銅から成る耐熱処理層を形成する方法については、特許文献4及び特許文献5に詳述されている。
特に、銅箔の粗化処理と工程を改善し、銅箔と樹脂との接着強度を高めることができるキャリア付プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板を提供することを課題とする。
3)前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D2/D3が0.8〜1.0であることを特徴とする請求項2記載のキャリア付銅箔。
4)前記粒子中央D2の平均直径が0.7〜1.5μmであることを特徴とする請求項2又は3記載のキャリア付銅箔。
6)前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
8)前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を形成し、次に当該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする請求項7記載のキャリア付銅箔の製造方法。
10)前記請求項1〜8のいずれかの粗化処理層を有するキャリア付き銅箔に樹脂を積層した後、前記キャリアおよび前記中間層を前記極薄銅層から剥離し、その後前記極薄銅層をエッチングにより除去した樹脂において、前記極薄銅層の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が20%以上であることを特徴とするプリント配線板用キャリア付銅箔。
13)針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする請求項11又は12記載のプリント配線板。
この銅箔は、樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能としたプリント配線板を提供することができるという、優れた効果を有する。またこのキャリア付銅箔は、銅層を一旦エッチングにより全面除去し、粗化面が樹脂層に転写されることにより、その後に樹脂面に形成される回路用の銅めっき層(無電解めっき層)との密着力を高める工法にも有用である。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔(半導体パッケージ基板用銅箔)及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
上記の通り、本発明のキャリア付プリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある(球状)突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子を形成するものである。
さらに、前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D2/D3が0.8〜1.0とすることができる。この場合、前記粒子中央D2の平均直径が0.7〜1.5μmであること、前記粒子先端の平均直径D3が0.7〜1.5μmであることが望ましい。
上記の粗化処理層を形成した銅箔と樹脂は、プレス法若しくはラミネート法という手段により積層体とすることができる。
このように、銅箔の粗化面は、ある程度の直径と長さが必要であり、この銅箔の粗面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が重要となる。これを20%以上とすることにより、回路のピーリング強度を向上させることができる。
この、針状粒子又は棒状の粒子は、回路幅10μm中に5個以上存在することが望ましく、これによって、樹脂と無電解めっきによるか回路層との接着強度を大きく向上させることができる。本発明は、このようにして形成されたプリント配線板を提供する。
針状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。
(液組成1)
Cu:10〜30g/L
H2SO4: 10〜150g/L
W: 0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム: 0〜50mg
As: 0 〜2000 mg/L
温度: 30〜70℃
(電流条件1)
電流密度: 25〜110A/dm2
粗化クーロン量: 50〜500As/dm2
めっき時間: 0.5〜20秒
(液組成2)
Cu:20〜80g/L
H2SO4: 50〜200g/L
温度: 30〜70 ℃
(電流条件2)
電流密度: 5〜50 A/dm2
粗化クーロン量: 50〜300 As/dm2
めっき時間: 1〜60 秒
耐熱・防錆層としては、特に制限されるものではなく、従来の耐熱・防錆層を使用することが可能である。例えば、半導体パッケージ基板用銅箔に対して、従来使用されてきた黄銅被覆層を使用することができる。
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90°C
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
Cr量が25μg/ dm2未満では、防錆層効果がない。また、Cr量が150μg/ dm2を超えると効果が飽和するので、無駄となる。したがって、Cr量は25-150μg/ dm2とするのが良い。
前記クロメート皮膜層を形成するための条件の例を、以下に記載する。しかし、上記の通り、この条件に限定される必要はなく、すでに公知のクロメート処理はいずれも使用できる。この防錆処理は、耐酸性に影響を与える因子の一つであり、クロメート処理により、耐酸性はより向上する。
K2Cr2O7 :1〜5g/L、pH :2.5〜4.5、温 度:40〜60°C、時間:0.5〜8秒
(b) 電解クロメート処理(クロム・亜鉛処理(アルカリ性浴))
K2Cr2O7 :0.2〜20g/L、酸:燐酸、硫酸、有機酸、pH :1.0〜3.5、温 度:20〜40°C、電流密度:0.1〜5A/dm2、時 間:0.5〜8秒
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L、NaOH又はKOH :10〜50g/L、ZnOH又はZnSO4・7H2O :0.05〜10g/L、pH :7〜13、浴温:20〜80°C、電流密度:0.05〜5A/dm2、時間:5〜30秒
(d) 電解クロメート処理(クロム・亜鉛処理(酸性浴))
K2Cr2O7 :2〜10g/L、Zn :0〜0.5g/L、Na2SO4 :5〜20g/L、pH :3.5〜5.0、浴温:20〜40°C、電流密度:0.1〜3.0A/dm2、時 間:1〜30秒
0.2vol% 3‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液をスプレー塗布した後、100〜200℃の空気中で0.1〜10秒間乾燥・加熱する。
テトラアルコキシシランと、樹脂との反応性を有する官能基を備えたアルコキシシランを1種以上含んでいるものを使用することもできる。このシランカップリング剤層の選択も任意ではあるが、樹脂との接着性を考慮した選択が望ましいと言える。
本発明のキャリア付銅箔のキャリアには銅箔、アルミ箔、アルミ合金箔または鉄合金、ステンレス、ニッケル、ニッケル合金等の箔を用いることができる。なお、キャリア上への中間層の積層し易さを考慮すると、キャリアは銅箔であることが好ましい。キャリアに用いられる銅箔は典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。
キャリアの上には中間層を設ける。本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、又はこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。中間層は複数の層であっても良い。
中間層の上には極薄銅層を設ける。本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.1〜12μmであり、より典型的には0.5〜12μmであり、更に典型的には2〜5μmである。
このようにして、キャリアと、キャリア上に中間層が積層され、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔が製造される。
キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
本発明に係るキャリア付銅箔の場合、剥離箇所は主としてキャリアと中間層の界面または中間層と極薄銅層の界面である。また、中間層が複数の層からなる場合には、当該複数の層の界面で剥離する場合がある。
なお、本発明との対比のために、比較例を掲載した。
硫酸ニッケル:200〜300g/L
クエン酸三ナトリウム:2-10g/L
pH:2-4
浴温:40〜70℃
電流密度:1〜15A/dm2
(電解クロメート処理)
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
にかわ:1-20ppm
電流密度:10〜100A/dm2
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきを行った。以下に、処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は2.50とした。
(液組成1)
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
(液組成2)
Cu:40g/L
H2SO4:100 g/L
(電気めっき温度1) 40°C
(電流条件1)
電流密度:30 A/dm2
粗化クーロン量:150As/dm2
電解クロメート処理(クロム・亜鉛処理(酸性浴))
CrO3:1.5g/L
Zn SO4・7H2O:2.0g/L
Na2SO4 :18g/L
pH :4.6
浴温:37°C
電流密度:2.0A/dm2
時 間:1〜30秒
(PH調整は硫酸又は水酸化カリウムで実施)
次に、このクロメート皮膜層の上に、シラン処理(塗布による)を施した。
シラン処理の条件は、次の通りである。
0.2% 3‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が51%、穴の密度は2.10個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしていることが分かる。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.10とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.30とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が43%、穴の密度は1.77個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ3μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.50とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が78%、穴の密度は2.02個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ2μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.80とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が40%、穴の密度は2.65個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ12μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.20とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が93%、穴の密度は2.22個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は10.50とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.50とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める面積の総和が4%、穴の密度は2.11個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅層と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。
上記の処理によるキャリア付銅箔(極薄銅層の厚さ5μm、極薄銅層粗化形成面粗さ:Rz0.6μm)を用い、この銅箔の粗面(マット面:M面)に、下記に示す粗化めっきと実施例1と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.80とした。
Cu:15g/L
H2SO4:100 g/L
W:3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量:10ppm
(電気めっき温度1)50°C
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める面積の総和が14%、穴の密度は3.12個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層としてCoMo合金を形成した以外は、実施例1と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、CoMo合金中間層は、以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
(液組成) CoSO4・7H2O : 0.5〜100g/L
Na2MoO4・2H2O : 0.5〜100g/L
クエン酸ナトリウム二水和物 :20〜300g/L
(温度) 10〜70℃
(pH) 3〜5
(電流密度) 0.1〜60A/dm2
そして、上記のように銅箔に樹脂(GHPL-830MBT)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を表2に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。
常態ピール強度は1.01kg/cm、加熱後のピール強度は0.94kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層としてCrを形成した以外は、実施例2と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
(液組成)
CrO3: 200〜400g/L
H2SO4: 1.5〜4g/L
(pH) 1〜4
(液温) 45〜60℃
(電流密度)10〜40A/dm2
そして、上記のように銅箔に樹脂(MBT-830)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を、同様に表2に示す。
ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.81kg/cm、加熱後のピール強度は0.78kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層としてCr/CuPを形成した以外は、実施例3と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Cr/CuP中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることによりで作製した。
(液組成1)
CrO3 :200〜400g/L
H2SO4 :1.5〜4g/L
(pH) :1〜4
(液温) :45〜60℃
(電流密度) :10〜40A/dm2
(液組成2)
Cu2P2O7:3H2O :5〜50g/L
K4P2O7 :50〜300g/L
(温度) :30〜60℃
(pH) :8〜10
(電流密度) :0.1〜1.0A/dm2
そして、上記のように銅箔に樹脂(MBT-830)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を、同様に表2に示す。
ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.84kg/cm、加熱後のピール強度は0.77kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層としてNi/Crを形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。この場合の、Ni/Cr中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
(液組成1)
NiSO4・6H2O:250〜300g/L
NiCl2・6H2O:35〜45g/L
ホウ酸:10〜50g/L
(pH):2〜6
(浴温):30〜70℃
(電流密度):0.1〜50A/dm2
(液組成2)
CrO3 :200〜400g/L
H2SO4 :1.5〜4g/L
(pH) :1〜4
(液温) :45〜60℃
(電流密度):10〜40A/dm2
そして、上記のように銅箔に樹脂(MBT-830)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を、同様に表2に示す。
ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.90kg/cm、加熱後のピール強度は0.86kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層としてCo/クロメート処理の層を形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、Co/クロメート処理の中間層は以下の液組成のめっき液中でめっきすることにより作製した。
(液組成1) CoSO4・7H2O : 10〜100g/L
クエン酸ナトリウム二水和物 :30〜200g/L
(温度) : 10〜70℃
(pH) : 3〜5
(電流密度): 0.1〜60A/dm2
(液組成2) :CrO3 :1〜10g/L
(温度) ;10〜70℃
(pH) :10〜12
(電流密度) :0.1〜1.0A/dm2
そして、上記のように銅箔に樹脂(MBT-830)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を、同様に表2に示す。
ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.91kg/cm、加熱後のピール強度は0.84kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
次に、キャリアと銅箔との間に、中間層として有機物層を形成した以外は、実施例4と同様の条件で、銅層を形成した。
この場合の、有機物層の中間層は液温40℃、pH5、濃度1〜10g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール水溶液を、10〜60秒間噴霧という条件で作製した。
そして、上記のように銅箔に樹脂(MBT-830)を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定した。この結果を、同様に表2に示す。
ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.91kg/cm、加熱後のピール強度は0.91kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔(半導体パッケージ基板用銅箔)及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
Claims (14)
- キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されているキャリア付銅箔であって、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層上に樹脂層を積層した後、前記キャリアおよび前記中間層を前記極薄銅層から剥離し、その後前記極薄銅層をエッチングにより除去した場合に、前記粗化処理層上に積層した樹脂層の前記粗化処理層上に積層された側の表面において、前記粗化処理層の表面の凹凸が転写された凹凸を有する樹脂層粗化面の穴の占める面積の総和が20%以上であることを特徴とするキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層表面に粗化処理層を有し、前記粗化処理層の粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1(μm)、前記粗化処理層の粒子長さの50%の位置の粒子中央の平均直径D2(μm)とした場合に、前記D2と前記D1の比D2/D1が1〜4であることを特徴とする請求項1記載のキャリア付銅箔。
- 前記粒子中央の平均直径D2と粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D2/D3が0.8〜1.0であることを特徴とする請求項2記載のキャリア付銅箔。
- 前記粒子中央の平均直径D2が0.7〜1.5μmであることを特徴とする請求項2又は3記載のキャリア付銅箔。
- 前記粒子先端の平均直径D3が0.7〜1.5μmであることを特徴とする請求項3又は4記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層を備えることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 硫酸アルキルエステル塩、タングステン、砒素から選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、前記請求項1〜8のいずれか一項に記載の粗化処理層を形成することを特徴とするキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リン、コバルトから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を形成し、次に当該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする請求項9記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記請求項1〜10のいずれかに記載のキャリア付銅箔と樹脂層を積層した後、前記キャリアおよび前記中間層を前記極薄銅層から剥離し、その後前記極薄銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき、電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。
- 前記請求項1〜10のいずれかに記載のキャリア付銅箔と樹脂層を積層した後、前記キャリアおよび前記中間層を前記極薄銅層から剥離し、その後前記極薄銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成したプリント配線板。
- 前記請求項1〜10のいずれかに記載のキャリア付銅箔と樹脂層を積層した後、前記キャリアおよび前記中間層を前記極薄銅層から剥離し、その後前記極薄銅層をエッチングにより除去した樹脂の表面に、銅層を形成し、回路を形成したプリント配線板。
- 針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載のプリント配線板。
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