TWI525222B - Printed wiring board copper foil, manufacturing method thereof, resin substrate for printed wiring board, and printed wiring board - Google Patents

Printed wiring board copper foil, manufacturing method thereof, resin substrate for printed wiring board, and printed wiring board Download PDF

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TWI525222B
TWI525222B TW100132982A TW100132982A TWI525222B TW I525222 B TWI525222 B TW I525222B TW 100132982 A TW100132982 A TW 100132982A TW 100132982 A TW100132982 A TW 100132982A TW I525222 B TWI525222 B TW I525222B
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Michiya Kohiki
Terumasa Moriyama
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

印刷配線板用銅箔、其製造方法、印刷配線板用樹脂基板及印刷配線板
本發明係關於一種耐化學品性及接著性優異之印刷配線板用銅箔、其製造方法、印刷配線板用樹脂基板及印刷配線板。尤其是提供一種針對以BT(Bismaleimide Triazine)樹脂含浸基材為代表之封裝用基板，對於精細圖案形成時之化學處理，可獲得較強之剝離強度，從而可進行精密蝕刻之銅箔及其製造方法以及印刷配線板。又，於在對銅箔進行全面蝕刻後利用無電電鍍形成銅圖案之方法中，提供一種可較大地提高剝離強度之印刷配線板用銅箔、其製造方法、印刷配線板用樹脂基板及印刷配線板。
半導體封裝基板用銅箔一般亦稱為印刷配線板用銅箔，通常藉由如下步驟製作。首先，於高溫高壓下將銅箔積層且接著於合成樹脂等基材。其次，為了於基板上形成所欲之導電性之電路而藉由耐蝕刻性樹脂等材料於銅箔上印刷與電路同等之電路。
而且，藉由蝕刻處理去除露出之銅箔之不必要之部分。於蝕刻後去除由樹脂等材料所構成之印刷部分，從而於基板上形成導電性之電路。最後於所形成之導電性電路焊接特定元件，從而形成電子裝置用之各種印刷電路板。
最後，與抗蝕劑或增層樹脂基板接合。一般而言，對印刷配線板用銅箔之品質要求，與樹脂基材接著之接著面(所謂粗化面)及非接著面(所謂光澤面)並不相同，必需同時滿足兩者。
對光澤面之要求，係要求(1)外觀良好及保存時不會產生氧化變色；(2)焊料潤濕性良好；(3)高溫加熱時不會產生氧化變色；(4)抗蝕劑之密合性良好等。
另一方面，對於粗化面主要要求(1)保存時不會產生氧化變色；(2)與基材之剝離強度於高溫加熱、濕式處理、焊接、化學處理等後亦充分；(3)與基材之積層、蝕刻後不會產生所謂積層污點等。
又，近年來隨著圖案之精細化，逐漸要求銅箔之低輪廓化。於此情況下，必需增加銅箔粗化面之剝離強度。
進而，於電腦或移動通訊等電子機器中，隨著通訊之高速化、大容量化，電訊號之高頻化不斷進展，要求有可與其相應之印刷配線板及銅箔。若電訊號之頻率成為1GHz以上，則電流僅流通於導體表面之集膚效應之影響會變得顯著，因表面之凹凸而使電流傳輸路徑發生變化從而增大阻抗之影響變得無法忽視。由此亦期望銅箔之表面粗糙度小。
為了因應上述要求，針對印刷配線板用銅箔提出多種處理方法。
一般而言，印刷配線板用銅箔之處理方法中使用壓延銅箔或電解銅箔，首先為了提高銅箔與樹脂之接著力(剝離強度)而通常進行將由銅及氧化銅所構成之微粒子賦予銅箔表面之粗化處理。其次，為了使其具有耐熱、防銹之特性而形成黃銅或鋅等之耐熱處理層(障壁層)。而且，除此以外為了防止搬運時或保管時之表面氧化等，藉由實施浸漬或電解鉻酸處理或者電解鉻、鋅處理等防銹處理而製成製品。
其中，尤其是粗化處理層承擔了提高銅箔與樹脂之接著力(剝離強度)之重大任務。先前，該粗化處理中，認為具有弧度(球狀)之突起物較佳。該具有弧度之突起物係藉由抑制樹枝狀結晶之發展而達成者。但是，該具有弧度之突起物於蝕刻時會發生剝離，產生稱為「落粉」之現象。該現象可謂理所當然。其原因在於，球狀突起物與銅箔之接觸面積相較於具有弧度(球狀)之突起物之直徑非常地小。
為避免該「落粉」現象，於上述粗化處理後，於突起物上形成較薄之鍍銅層而防止突起物之剝離(參照專利文獻1)。其雖然具有防止「落粉」之效果，但卻有步驟增加、因其較薄之鍍銅而使防止「落粉」之效果不同等問題。
又，已知有於銅箔上形成由銅與鎳之合金所構成之針狀之結節狀(nodular)被覆層之技術(專利文獻2)。由於該結節狀被覆層呈針狀，故而考慮到與上述專利文獻1中揭示之具有弧度(球狀)之突起物相比，增加了與樹脂之接著強度，但其係與成為基底之銅箔成分不同之銅-鎳合金，於形成銅之電路時具有不同之蝕刻速度。因此有不適合作為穩定電路設計之問題。
於形成印刷配線板用銅箔時，通常會形成耐熱、防銹處理層。作為形成耐熱處理層之金屬或合金之例，形成有Zn、Cu-Ni、Cu-Co及Cu-Zn等被覆層之多個銅箔已實用化(例如，參照專利文獻3)。
其中，形成有由Cu-Zn(黃銅)構成之耐熱處理層的銅箔當積層在由環氧樹脂等所構成之印刷電路板時，具有無樹脂層污垢且高溫加熱後之剝離強度之劣化小等優異之特性，因此被廣泛使用於工業中。
關於形成該由黃銅構成之耐熱處理層之方法，於專利文獻4及專利文獻5中有詳細敍述。
其次，對形成有由上述黃銅所構成之耐熱處理層的銅箔進行蝕刻處理以形成印刷電路。近來，大多採用鹽酸系蝕刻液來形成印刷電路。
然而，若利用鹽酸系蝕刻液(例如CuCl2、FeCl3等)對使用形成有由黃銅所構成之耐熱處理層之銅箔的印刷電路板進行蝕刻處理，將不是印刷電路部分之銅箔不要部分去除而形成導電性之電路，則會產生下述問題：於電路圖案之兩側產生所謂之電路端部(邊緣部)侵蝕(電路侵蝕)現象，與樹脂基材之剝離強度劣化。
所謂該電路侵蝕現象，係指下述現象：自藉由上述蝕刻處理所形成之電路的銅箔與樹脂基材之接著邊界層即由黃銅構成之耐熱、防銹處理層露出之蝕刻側面，受到上述蝕刻液侵蝕且之後的水洗不足，故而通常呈現黃色(因為由黃銅所構成)之兩側面被侵蝕而呈現紅色，該部分之剝離強度明顯劣化。而且，若該現象產生於電路圖案之整個面上，則電路圖案會自基材剝離，而成為問題。
由此，提出有於對銅箔之表面進行粗化處理、鋅或鋅合金之防銹處理及鉻酸處理後，使經鉻酸處理後之表面吸附含有少量鉻離子之矽烷偶合劑，從而提升耐鹽酸性(參照專利文獻7)。
專利文獻1：日本特開平8-236930號公報
專利文獻2：日本特許第3459964號公報
專利文獻3：日本特公昭51-35711號公報
專利文獻4：日本特公昭54-6701號公報
專利文獻5：日本特許第3306404號公報
專利文獻6：日本特願2002-170827號公報
專利文獻7：日本特開平3-122298號公報
本發明之課題在於開發一種不會使銅箔之其他各特性劣化而避免上述電路侵蝕現象之半導體封裝基板用銅箔。其課題尤其是提供一種可改善銅箔之粗化處理與步驟，且可提高銅箔與樹脂之接著強度之印刷配線板用銅箔、其製造方法、印刷配線板用樹脂基板及印刷配線板。
為了解決上述課題，本發明人經潛心研究之結果，提供以下之印刷配線板用銅箔及其製造方法以及印刷配線板。
1)一種印刷配線板用銅箔，於銅箔之至少一面具有粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。
2)如上述1)之印刷配線板用銅箔，其中，於銅箔之至少一面，粒子長度之50%之位置之粒子中央的平均直徑D2與上述粒子根部的平均直徑D1之比D2/D1為1～4。
3)如上述2)之印刷配線板用銅箔，其中，上述粒子中央的平均直徑D2與粒子長度之90%之位置的粒子前端D3之比D2/D3為0.8～1.0。
4)如上述2)或3)之印刷配線板用銅箔，其中，上述粒子中央D2的平均直徑為0.7～1.5μm。
5)如上述3)或4)之印刷配線板用銅箔，其中，上述粒子前端的平均直徑D3為0.7～1.5μm。
6.如上述1)至5)中任一項之印刷配線板用銅箔，其中，於上述粗化處理層上具備含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，於該耐熱、防銹層上具備鉻酸鹽皮膜層，且於該鉻酸鹽皮膜層上具備矽烷偶合劑層。
7)一種印刷配線板用銅箔之製造方法，使用包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中至少一種以上之物質之由硫酸、硫酸銅所構成的電解浴，形成上述1)至6)中任一項之粗化處理層。
8)如上述7)之印刷配線板用銅箔之製造方法，其中，於上述粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，其次於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，進而於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
9)一種印刷配線板用銅箔，於將樹脂層積層在具有粗化處理層之印刷配線板用銅箔後，在藉由蝕刻而去除銅層之樹脂的表面，具有凹凸之樹脂粗化面上孔所佔之面積總和為20%以上。
10)一種印刷配線板用銅箔，於將樹脂層積層在上述1)至8)中任一項之具有粗化處理層之印刷配線板用銅箔後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂，轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為20%以上。
11)一種印刷配線板，於將樹脂層積層在具有粗化處理層之印刷配線板用銅箔後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂表面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路。
12)一種印刷配線板，於樹脂層積層在上述1)至8)中任一項之具有粗化處理層之印刷配線板用銅箔後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂表面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路。
13)如上述11)或12)之印刷配線板，其中，針狀粒子於電路寬度10μm中存在5個以上。
如上述，本發明之印刷配線板用銅箔並非先前認為較佳之粗化處理之具有弧度(球狀)的突起物，而係於銅箔之至少一面形成針狀或棒狀之微細之粗化粒子者。
該銅箔具有下述優異之效果：可提供一種印刷配線板，其可提高與樹脂之接著強度，針對封裝用基板，對於精細圖案形成時之化學處理，亦可增大剝離強度，從而可進行精密蝕刻。又，該銅箔亦對下述方法有用：先藉由蝕刻全面地去除銅層，將粗化面轉印於樹脂層上，藉此提高與其後形成於樹脂面上之電路用之鍍銅層(無電電鍍層)之密合力。
近年來，於印刷電路之精細圖案化及高頻化之發展過程中，作為印刷電路用銅箔(半導體封裝基板用銅箔)及將半導體封裝基板用銅箔與半導體封裝用樹脂貼合而製作之半導體封裝用基板極其有效。
其次，為了更容易地理解本發明而具體且詳細地說明本發明。本發明中使用之銅箔可為電解銅箔或者壓延銅箔中之任一者。
如上所述，本發明之印刷配線板用銅箔並非先前認為較佳之粗化處理之具有弧度(球狀)之突起物，而係於銅箔之至少一面形成針狀或棒狀之微細之粗化粒子者。
其形狀係具有粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下之銅箔粗化處理層。作為更理想之形狀，係於銅箔之至少一面，粒子長度之50%之位置之粒子中央的平均直徑D2與上述粒子根部的平均直徑D1之比D2/D1為1～4。進而，上述粒子中央的平均直徑D2與粒子長度之90%之位置的粒子前端D3之比D2/D3可設為0.8～1.0。於此情形時，較理想的是上述粒子中央D2之平均直徑為0.7～1.5μm，且上述粒子前端之平均直徑D3為0.7～1.5μm。
圖1為表示粒子尺寸之概略說明圖。圖1中表示粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1、粒子長度之50%之位置之粒子中央的平均直徑D2、及粒子長度之90%之位置的粒子前端D3。藉此，可特定粒子之形狀。
又，可於上述粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，且於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
該等銅箔之粗化處理層可使用包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中至少一種以上之物質之由硫酸、硫酸銅所構成的電解浴形成，為了成為上述形狀，可藉由任意地設定電解處理條件而達成。進而，可於上述粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，其次可於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，進而可於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
形成有上述粗化處理層之銅箔與樹脂可藉由稱為加壓(press)法或者層疊(laminate)法之方法製成積層體。
進而，當如此將樹脂積層於具有粗化處理層之銅箔且藉由蝕刻而去除銅層時，則會將銅箔之粗化面之凹凸轉印於已去除銅層之樹脂。該經轉印之樹脂之凹凸係表示銅箔表面之粗化粒子之形狀與個數分佈者，較為重要。於銅箔之粗面之粒子之根部較細之情形時，孔徑變小，樹脂面上孔所佔之面積總和變小。
銅箔之粗面之粒子之根部較細，所謂之倒淚滴狀之粒子看上去會使銅箔與樹脂之接著強度增加，但因銅層與粗化粒子之密合寬度較窄，故於剝離銅層與樹脂層時，粗化粒子易於自其根部切離，且於銅層與粗化粒子之界面或自粗化粒子之根部切離之部分剝離，使密合力下降。樹脂面上孔所佔之面積總和必需為20%以上。
又，於銅箔之粗面之粒子之根部較細之情形時，已藉由蝕刻而去除銅層之樹脂上的孔呈章魚籠狀，因表面之孔較小，故即便於在樹脂表面形成無電電鍍之情形時，無電電鍍液亦無法進入而導致無電電鍍不完全。當然會產生鍍敷之剝離強度下降之問題。
如此，銅箔之粗化面係某種程度之直徑與長度為必需，對該銅箔之粗面進行轉印之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和是重要的。可藉由將其設為20%以上而提高電路之剝離強度。
如上所述，於將樹脂層積層於具有粗化處理層之銅箔後，在已藉由蝕刻而去除銅層之樹脂表面，按照無電解鍍銅、電解鍍銅之順序進行鍍敷，形成銅層，進而可獲得藉由蝕刻形成電路之印刷配線板，但無電電鍍、電解電鍍層(銅層)係形成於樹脂基板之粗面之凹凸上，故反映其樹脂面之凹凸且形成有針狀粒子或棒狀之粒子。
該針狀粒子或棒狀之粒子較理想的是於電路寬度10μm中存在5個以上，藉此，可大大提高樹脂與利用無電電鍍之電路層的接著強度。本發明提供以此方式形成之印刷配線板。
如上所述，由針狀或棒狀之微細之銅之粗化粒子構成之粗化處理層可使用包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中至少一種以上之物質之由硫酸、硫酸銅所構成的電解浴製造。
較理想的是，由針狀之微細之銅之粗化粒子構成的粗化處理層係利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴進行覆蓋鍍敷，以防止落粉、提高剝離強度。
具體之處理條件係如下所述。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：39.3～118g/L
Cu：10～30g/L
H2SO4：10～150g/L
Na2WO4‧2H2O：0～90mg/L
W：0～50mg/L
十二烷基硫酸鈉：0～50mg
H3AsO3(60%水溶液)：0～6315mg/L
As：0～2000mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30～70℃
(電流條件1)
電流密度：25～110A/dm2
粗化庫倫量：50～500As/dm2
鍍敷時間：0.5～20秒
(液體組成2)
CuSO4‧5H2O：78～314g/L
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30～70℃
(電流條件2)
電流密度：5～50A/dm2
粗化庫倫量：50～300As/dm2
鍍敷時間：1～60秒
並且，可於上述粗化處理層上形成進而含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，且於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層，從而製成印刷配線板用銅箔。
耐熱、防銹層並無特別限定，可使用先前之耐熱、防銹層。例如，對於半導體封裝基板用銅箔，可使用先前一直使用之黃銅被覆層。
進而，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層及矽烷偶合劑層，製成銅箔之至少與樹脂之接著面。將具有由該等鉻酸鹽皮膜層與矽烷偶合劑層所構成之被覆層的銅箔積層接著於樹脂，進而於在該銅箔上形成耐蝕刻性之印刷電路後，藉由蝕刻而將不是印刷電路部分之銅箔不要部分去除，從而形成導電性之電路。
作為耐熱、防銹層，可使用原有之處理，但具體而言例如可使用下述者。
(液體組成)
NaOH：40～200g/L
NaCN：70～250g/L
CuCN：50～200g/L
Zn(CN)2：2～100g/L
As2O3：0.01～1g/L
(液溫)
40～90℃
(電流條件)
電流密度：1～50A/dm2
鍍敷時間：1～20秒
上述鉻酸鹽皮膜層可使用電解鉻酸鹽皮膜層或浸漬鉻酸鹽皮膜層。該鉻酸鹽皮膜層較理想的是Cr量為25-150μg/dm2。
若Cr量未達25μg/dm2，則無防銹層效果。又，若Cr量超過150μg/dm2，則效果飽和，故成為浪費。因此，Cr量設為25～150μg/dm2較佳。
以下記載用以形成上述鉻酸鹽皮膜層之條件之例。但如上所述，無需限定於該條件，先前公知之鉻酸處理均可使用。該防銹處理係會對耐酸性造成影響之因素之一，藉由鉻酸處理可更加提升耐酸性。
(a)浸漬鉻酸處理
K2Cr207：1～5g/L、pH：2.5～4.5、溫度：40～60℃、時間：0.5～8秒
(b)電解鉻酸處理(鉻、鋅處理(鹼性浴))
K2Cr2O7：0.2～20g/L、酸：磷酸、硫酸、有機酸、pH：1.0～3.5、溫度：20～40℃、電流密度：0.1～5A/dm2、時間：0.5～8秒
(c)電解鉻、鋅處理(鹼性浴)
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或者CrO3)：2～10g/L、NaOH或KOH：10～50g/L、ZnOH或ZnSO4‧7H2O：0.05～10g/L、pH：7～13、浴溫：20～80℃、電流密度：0.05～5A/dm2、時間：5～30秒
(d)電解鉻酸處理(鉻、鋅處理(酸性浴))
K2Cr2O7：2～10g/L、Zn：0～0.5g/L、Na2SO4：5～20g/L、pH：3.5～5.0、浴溫：20～40℃、電流密度：0.1～3.0A/dm2、時間：1～30秒
使用於本發明之半導體封裝基板用銅箔的矽烷偶合劑層，可使用通常使用於銅箔之矽烷偶合劑，並無特別限定。例如，若表示矽烷處理之具體之條件，則如下所述：0.2%環氧矽烷/0.4%TEOS、PH5。
可使用含有四烷氧基矽烷、及具備具有與樹脂之反應性之官能基的烷氧基矽烷中之一種以上者。該矽烷偶合劑層可任意選擇，但較理想的是考慮到與樹脂之接著性而進行選擇。
實施例
其次，對實施例及比較例進行說明。再者，本實施例係表示較佳之一例者，本發明並不限定於該等實施例。因此，本發明之技術思想中所包含之變形、其他實施例或態樣全部包含於本發明。
再者，為了與本發明之對比而揭載比較例。
(實施例1)
使用厚度12μm之電解銅箔(銅層粗化形成面粗糙度：Rz0.6μm)，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷。以下表示處理條件。其等均為用以形成對本發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為2.50。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
於本粗化處理後進行下文所述之正常鍍敷。以下表示處理條件。
(液體組成2)
CuSO4‧5H2O：156g/L
Cu：40g/L
H2SO4：100g/L
(電鍍溫度1)40℃
(電流條件1)
電流密度：30A/dm2
粗化庫倫量：150As/dm2
其次，於耐熱、防銹層上進行電解鉻酸處理。
電解鉻酸處理(鉻、鋅處理(酸性浴))
CrO3：1.5g/L
ZnSO4‧7H2O：2.0g/L
Na2SO4：18g/L
pH：4.6、浴溫：37℃
電流密度：2.0A/dm2
時間：1～30秒
(PH調整係藉由硫酸或氫氧化鉀實施)
其次，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
矽烷處理之條件係如下所述：0.2%環氧矽烷。
將實施例1之粗化處理層之FIB-SIM照片示於圖2之左側。該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.17μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.57μm，粒子長度L1為2.68，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為4.74，由上述圖2可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.57以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.83、前端的平均直徑D3：0.68，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=1.47、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=1.21、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.83，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔。圖2之右側表示藉由蝕刻去除積層有樹脂之銅層的樹脂(複製試樣)表面之SEM照片。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為51%，孔之密度為2.10個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述在銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為1.01kg/cm，加熱後之剝離強度為0.94kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(實施例2)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。其等均為用以形成本申請案發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為3.10。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.51μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.51μm，粒子長度L1為2.68，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為5.21，由上述圖2推定可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.51μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.78μm、前端的平均直徑D3：0.68μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=1.51、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=1.32、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.87，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔，其後藉由蝕刻而去除銅層。轉印有銅箔之粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為29%，孔之密度為1.93個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.81kg/cm，加熱後之剝離強度為0.78kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(實施例3)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。其等均為用以形成對本申請案發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為4.30。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.56μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.59μm，粒子長度L1為2.68，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為4.52，由上述圖2推定可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.51μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.73μm、前端的平均直徑D3：0.65μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=1.23、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=1.10、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.89，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為43%，孔之密度為1.77個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.84kg/cm，加熱後之剝離強度為0.77kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(實施例4)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下文所述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。其等均為用以形成對本申請案發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為3.50。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.62μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.89μm，粒子長度L1為2.98，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為3.33，由上述圖2推定可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.89μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：1.65μm、前端的平均直徑D3：0.98μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=1.18、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=1.10、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.93，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為78%，孔之密度為2.02個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.90kg/cm，加熱後之剝離強度為0.86kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(實施例5)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。其等均為用以形成對本申請案發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為4.80。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.01μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.26μm，粒子長度L1為2.68，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為10.34，由上述圖2推定可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.26μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.84μm、前端的平均直徑D3：0.79μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=3.23、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=3.06、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.95，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為40%，孔之密度為2.65個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.91kg/cm，加熱後之剝離強度為0.84kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(實施例6)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。其等均為用以形成對本申請案發明之銅箔之粗化處理層之步驟。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為3.20。
(液體組成1)
CuSO4，5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.48μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.60μm，粒子長度L1為2.68，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為4.44，由上述圖2推定可知，形成為針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
滿足本申請案發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。該條件於達成本申請案發明方面為必需條件。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.60μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.84μm、前端的平均直徑D3：0.78μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=1.39、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=1.30、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=0.94，其等均為符合本申請案發明之較佳之必要條件者。
但是，應容易理解，其等並非作為本申請案發明之最重要之必要條件即必需條件。僅表示更佳之條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為93%，孔之密度為2.22個/μm2，可知滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.91kg/cm，加熱後之剝離強度為0.91kg/cm，與下述比較例相比，剝離強度均提高。
(比較例1)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為10.50。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
將比較例1之粗化處理層之SEM照片示於圖3之左側。該粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.13μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.12μm且根部寬度小，粒子長度L1為3.87，與上述粒子根部之平均直徑D1之比L1/D1成為30.97，由上述圖3推定可知，形成為不符合本發明之針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
如上所述，未滿足本發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.12μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.74μm、前端的平均直徑D3：0.74μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=5.93、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=5.93、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=1.00，但其等均不符合本申請案發明之較佳之必要條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為2%，孔之密度為1.06個/μm2，可知並未滿足本申請案發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.54kg/cm，加熱後之剝離強度為0.53kg/cm，與上述之比較例相比，剝離強度均較大地劣化。如上所述於使用具有根部較細之粗化粒子之銅箔時情形時，當剝離銅箔與樹脂時於銅層與粗化粒子界面會產生剝離，因此，無法期待剝離強度之提高。
(比較例2)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為9.50。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
比較例2之粗化處理層之表面粗糙度Rz為1.02μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.15μm且根部寬度小，粒子長度L1為2.83，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為18.54，由上述圖3推定可知，形成為不符合本申請案發明之針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
如上所述，未滿足本發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm～1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.15μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.65μm、前端的平均直徑D3：0.65，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=4.25、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=4.25、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=1.00，但其等均不符合本申請案發明之較佳之必要條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為4%，孔之密度為2.11個/μm2，可知並未滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.54kg/cm、加熱後之剝離強度為0.53kg/cm，與上述之比較例相比，剝離強度均較大地劣化。
如上所述於使用具有根部較細之粗化粒子之銅箔時情形時，當剝離銅箔與樹脂時於銅層與粗化粒子界面會產生剝離，因此，無法期待剝離強度之提高。
(比較例3)
使用厚度12μm之電解銅箔，於該銅箔之粗面(無光澤面：M面)進行下述之粗化鍍敷及與實施例1相同之正常鍍敷。以下表示粗化鍍敷處理條件。粗化粒子形成時之對極限電流密度之比設為9.80。
(液體組成1)
CuSO4‧5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
Na2WO4‧2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
十二烷基硫酸鈉添加量：10ppm
(電鍍溫度1)50℃
比較例3之粗化處理層之表面粗糙度Rz為0.88μm，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.14μm且根部寬度小，粒子長度L1為2.98，與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1成為20.64，由上述圖3推定可知，形成為不符合本發明之針狀或棒狀之粒子形狀。再者，粗化粒子之直徑之測定係基於JIS H 0501第7項切斷法。
如上所述，未滿足本發明之條件，即，粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm~1.0μm，且粒子長度L1與上述粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。將其結果示於表1中。
再者，於表1中，除了表示粗化粒子之根部的平粒直徑(寬度)D1：0.14μm以外，亦表示中央的平均直徑D2：0.65μm、前端的平均直徑D3：0.65μm，進而表示中央的平均直徑與根部的平均直徑之比：D2/D1=4.50、前端的平均直徑與根部的平均直徑之比：D3/D1=4.50、及前端的平均直徑與中央的平均直徑之比：D3/D2=1.00，但其等均不符合本申請案發明之較佳之必要條件。
其次，使用該銅箔，樹脂使用MBT-830，將樹脂積層於銅箔上，其後藉由蝕刻而去除銅層。
轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂面上孔所佔之面積總和為14%，孔之密度為3.12個/μm2，可知並未滿足本發明中孔所佔之面積總和為20%以上之條件。
對於如上所述於銅箔上積層有樹脂(MBT-830)者，針對積層體之常態剝離強度與加熱後之剝離強度進行測定，同樣地將其結果示於表1中。剝離強度之電路寬度為10mm。常態剝離強度為0.54kg/cm，加熱後之剝離強度為0.53kg/cm，與上述之比較例相比，剝離強度均較大地劣化。如上所述於使用具有根部較細之粗化粒子之銅箔時情形時，當剝離銅箔與樹脂時於銅層與粗化粒子界面會產生剝離，因此，無法期待剝離強度之提高。
由上述可知，本申請案發明之印刷配線板用銅箔並非先前認為較佳之粗化處理之具有弧度(球狀)之突起物或樹枝狀結晶狀結晶粒徑，而具有下述較大之效果：可提供一種銅箔及其製造方法，該銅箔係藉由於銅箔之至少一方之表面形成針狀之微細之粗化粒子，可提高銅箔本身與樹脂之接著強度，針對封裝用基板，對於精細圖案形成時之化學處理亦可增大剝離強度，從而可進行精密蝕刻。
[產業上之可利用性]
如上文所述，本發明具有下述較大之效果：可提供一種銅箔及其製造方法，該銅箔係藉由於銅箔之至少一方之表面形成針狀之微細之粗化粒子，可提高銅箔本身與樹脂之接著強度，針對封裝用基板，對於精細圖案形成時之化學處理亦可增大剝離強度，從而可進行精密蝕刻。
近年來，於印刷電路之精細圖案化及高頻化之發展過程中，作為印刷電路用銅箔(半導體封裝基板用銅箔)及將半導體封裝基板用銅箔與半導體封裝用樹脂貼合而製作之半導體封裝用基板極其有效。
圖1，係粒子尺寸之概略說明圖。
圖2，係實施例1之粗化處理層之FIB-SIM照片(左側)及將樹脂積層於銅層後藉由蝕刻而去除銅層後的樹脂(複製試樣)表面之SEM照片(右側)。
圖3，係比較例1之粗化處理層之FIB-SIM照片及將樹脂積層於銅層後藉由蝕刻而去除銅層的樹脂(複製試樣)表面之SEM照片(右側)。

Claims (60)

  1. 一種銅箔，於銅箔之至少一面具有粒子長度之10%之位置之粒子根部的平均直徑D1為0.2μm~1.0μm，且平均粒子長度L1與該粒子根部的平均直徑D1之比L1/D1為15以下的銅箔粗化處理層。
  2. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，於銅箔之至少一面，粒子長度之50%之位置之粒子中央的平均直徑D2與該粒子根部的平均直徑D1之比D2/D1為1~4。
  3. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，粒子長度之50%之位置之粒子中央的平均直徑D2與粒子長度之90%之位置的粒子前端D3之比D2/D3為0.8~1.0。
  4. 如申請專利範圍第2項之銅箔，其中，該粒子中央的平均直徑D2與粒子長度之90%之位置的粒子前端之平均直徑D3之比D2/D3為0.8~1.0。
  5. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，粒子長度之50%之位置之粒子中央D2的平均直徑為0.7~1.5μm。
  6. 如申請專利範圍第2項之銅箔，其中，該粒子中央D2的平均直徑為0.7~1.5μm。
  7. 如申請專利範圍第3項之銅箔，其中，該粒子中央D2的平均直徑為0.7~1.5μm。
  8. 如申請專利範圍第4項之銅箔，其中，該粒子中央D2的平均直徑為0.7~1.5μm。
  9. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，粒子長度之90%之位置的粒子前端之平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  10. 如申請專利範圍第2項之銅箔，其中，粒子長度之90%之位置的粒子前端之平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  11. 如申請專利範圍第3項之銅箔，其中，該粒子前端之平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  12. 如申請專利範圍第4項之銅箔，其中，該粒子前端的平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  13. 如申請專利範圍第5項之銅箔，其中，粒子長度之90%之位置的粒子前端之平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  14. 如申請專利範圍第6項之銅箔，其中，該粒子前端的平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  15. 如申請專利範圍第7項之銅箔，其中，該粒子前端的平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  16. 如申請專利範圍第8項之銅箔，其中，該粒子前端的平均直徑D3為0.7~1.5μm。
  17. 如申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔，其中，該粒子為針狀或棒狀。
  18. 如申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔，其中，該D2/D1為1~1.51。
  19. 如申請專利範圍第17項之銅箔，其中，該D2/D1為1~1.51。
  20. 如申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔，其中，該L1/D1為3.33~15。
  21. 如申請專利範圍第17項之銅箔，其中，該L1/D1為3.33~15。
  22. 如申請專利範圍第18項之銅箔，其中，該L1/D1為3.33~15。
  23. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之銅箔，其中，於該粗化處理層上具備含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，於該耐熱、防銹層上具備鉻酸鹽皮膜層，且於該鉻酸鹽皮膜層上具備矽烷偶合劑層。
  24. 一種銅箔之製造方法，使用包含選自硫酸烷基酯鹽、鎢離子、砷離子中至少一種以上之物質之由硫酸、硫酸銅所構成的電解浴，形成申請專利範圍第1至23項中任一項之粗化處理層。
  25. 如申請專利範圍第24項之銅箔之製造方法，其中，於該粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層，其次於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，進而於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
  26. 如申請專利範圍第24或25項中任一項之銅箔之製造方法，其含有超過0mg/l，50mg/l以下之該硫酸烷基酯鹽。
  27. 如申請專利範圍第24或25項中任一項之銅箔之製造方法，其中，於該粗化處理層上，以由硫酸、硫酸銅構成之電解浴進行鍍銅。
  28. 如申請專利範圍第24或25項中任一項之銅箔之製造方法，其中，於該粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、 銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層。
  29. 如申請專利範圍第28項之銅箔之製造方法，其中，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層。
  30. 如申請專利範圍第27項之銅箔之製造方法，其中，於該鍍銅處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層。
  31. 如申請專利範圍第30項之銅箔之製造方法，其中，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層。
  32. 如申請專利範圍第31項之銅箔之製造方法，其中，於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
  33. 一種銅箔，於將具有粗化處理層之銅箔與樹脂層積層後，在藉由蝕刻而去除銅層之樹脂的表面，具有凹凸之樹脂粗化面上孔所佔之面積總和為20%以上。
  34. 一種銅箔，於將樹脂積層在申請專利範圍第1至16項中任一項之具有粗化處理層之銅箔後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂，轉印有銅箔粗化面之具有凹凸之樹脂粗化面上孔所佔之面積總和為20%以上。
  35. 一種印刷配線板，於將具有粗化處理層之銅箔與樹脂層積層後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂表面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路。
  36. 如申請專利範圍第35項之印刷配線板，其中，針狀粒子於電路寬度10μm中存在5個以上。
  37. 一種印刷配線板，於將申請專利範圍第1至23項中 任一項之具有粗化處理層之銅箔與樹脂層積層後，於藉由蝕刻而去除銅層之樹脂表面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路。
  38. 如申請專利範圍第37之印刷配線板，其中，針狀粒子於電路寬度10μm中存在5個以上。
  39. 一種銅箔之製造方法，其含有如下步驟：使用含有鎢離子及砷離子之任一者之一種以上與硫酸烷基酯鹽之硫酸．硫酸銅電解浴，將由銅之粗化粒子構成之粗化處理層設置於銅箔。
  40. 如申請專利範圍第39之銅箔之製造方法，其含有超過0mg/l，50mg/l以下之該硫酸烷基酯鹽。
  41. 如申請專利範圍第39或40項中任一項之銅箔之製造方法，其中，於該粗化處理層上，以由硫酸、硫酸銅構成之電解浴進行鍍銅。
  42. 如申請專利範圍第41項之銅箔之製造方法，其中，於該鍍銅處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層。
  43. 如申請專利範圍第39或40項中任一項之銅箔之製造方法，其中，於該粗化處理層上形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱、防銹層。
  44. 如申請專利範圍第42項之銅箔之製造方法，其中，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層。
  45. 如申請專利範圍第43項之銅箔之製造方法，其中，於該耐熱、防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層。
  46. 如申請專利範圍第44項之銅箔之製造方法，其中，於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
  47. 如申請專利範圍第45項之銅箔之製造方法，其中，於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
  48. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔而製造。
  49. 一種半導體封裝用基板，其係使用申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔而製造。
  50. 一種印刷電路板，其係使用申請專利範圍第1~16項中任一項之銅箔而製造。
  51. 一種電子機器，其使用申請專利範圍第48項之印刷配線板。
  52. 一種電子裝置，其具有申請專利範圍第50項之印刷電路板。
  53. 一種印刷配線板用樹脂，其具有具備凹凸之樹脂粗化面，該凹凸係藉由轉印銅箔表面上之凹凸而形成，該銅箔具有粗化處理層，該轉印係藉由將樹脂積層於該銅箔之粗化處理層側而進行，於積層後藉由蝕刻去除該銅箔，於觀察該除去後之樹脂表面時，相對於觀察視野整體之面積，該樹脂粗化面之孔所佔之面積總和為20%以上。
  54. 如申請專利範圍第53項之印刷配線板用樹脂，其中，該粗化面係用於在該粗化面上形成電路，藉此形成印刷配線板者。
  55. 如申請專利範圍第53項之樹脂，其為BT (Bismaleimide Triazine)樹脂或BT樹脂含浸基材。
  56. 如申請專利範圍第54項之樹脂，其為BT樹脂或BT樹脂含浸基材。
  57. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第53~56項中任一項之樹脂而製造。
  58. 一種半導體封裝用基板，其係使用申請專利範圍第53~56項中任一項之樹脂而製造。
  59. 一種印刷配線板，其係於申請專利範圍第53~56項中任一項之樹脂之樹脂粗化面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路而獲得。
  60. 一種印刷配線板之製造方法，其於申請專利範圍第53~56項中任一項之樹脂之樹脂粗化面，按照無電鍍銅、電鍍之順序進行鍍敷，形成銅層，進而藉由蝕刻形成電路。
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