JP2003133719A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
多層配線板の製造方法Info
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- JP2003133719A JP2003133719A JP2001330014A JP2001330014A JP2003133719A JP 2003133719 A JP2003133719 A JP 2003133719A JP 2001330014 A JP2001330014 A JP 2001330014A JP 2001330014 A JP2001330014 A JP 2001330014A JP 2003133719 A JP2003133719 A JP 2003133719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多層配線板の、特に配線転写工法における微
細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する
問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリア
メタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提
供する。 【解決手段】 エッチング可能な導電材料から成る基板
の片方の面に感光性レジスト膜を形成する工程と、該感
光性レジスト膜を露光して現像する工程と、前記工程で
感光性レジスト膜を除去したところの基板表面を粗化す
る工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法で
ある。
細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する
問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリア
メタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提
供する。 【解決手段】 エッチング可能な導電材料から成る基板
の片方の面に感光性レジスト膜を形成する工程と、該感
光性レジスト膜を露光して現像する工程と、前記工程で
感光性レジスト膜を除去したところの基板表面を粗化す
る工程を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が急速に進んできており、このため、これらの電子
部品を搭載する配線板は、配線の高密度化、高多層化の
要求が高まってきている。
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化と高密度実
装化が急速に進んできており、このため、これらの電子
部品を搭載する配線板は、配線の高密度化、高多層化の
要求が高まってきている。
【０００３】従来の多層配線板は、銅張り積層板を用い
て、これの銅箔をエッチングする方法（サブトラクティ
ブ法）で導体配線を形成した後、複数枚重ねて積層接着
して、ドリルで貫通孔を開けて、孔の壁面に銅メッキを
施して貫通ビアを形成し、層間の電気接続を行ったもの
が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化
が進み、前記の多層配線板では配線密度が不足して、部
品搭載に問題が生じるようになってきている。
て、これの銅箔をエッチングする方法（サブトラクティ
ブ法）で導体配線を形成した後、複数枚重ねて積層接着
して、ドリルで貫通孔を開けて、孔の壁面に銅メッキを
施して貫通ビアを形成し、層間の電気接続を行ったもの
が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化
が進み、前記の多層配線板では配線密度が不足して、部
品搭載に問題が生じるようになってきている。
【０００４】このような背景により、近年ではビルドア
ップ多層配線板が採用されるようになってきている。ビ
ルドアップ多層配線板の製法はいろいろ提案されている
が、基本的には、貫通ビアを極力無くし、ブラインドビ
ア（Ｂｌｉｎｄ Ｖｉａ）やバリードビア（Ｂｕｒｉｅ
ｄ Ｖｉａ）によって層間の導通を図ることで配線密度
を高めている。さらに配線パターンの形成方法では、エ
ッチングで配線を形成するサブトラクティブ法よりも、
高密度配線化に対応可能な電解Ｃｕメッキで配線を形成
する方法（アディティブ法やセミアディティブ法）が採
用されてきている。
ップ多層配線板が採用されるようになってきている。ビ
ルドアップ多層配線板の製法はいろいろ提案されている
が、基本的には、貫通ビアを極力無くし、ブラインドビ
ア（Ｂｌｉｎｄ Ｖｉａ）やバリードビア（Ｂｕｒｉｅ
ｄ Ｖｉａ）によって層間の導通を図ることで配線密度
を高めている。さらに配線パターンの形成方法では、エ
ッチングで配線を形成するサブトラクティブ法よりも、
高密度配線化に対応可能な電解Ｃｕメッキで配線を形成
する方法（アディティブ法やセミアディティブ法）が採
用されてきている。
【０００５】電解Ｃｕメッキで配線を形成する多層配線
板の工法としては、比較的ラフな配線ルールの４層以下
で構成されるベース配線板を用意して、これの表面に高
密度配線層を１層１層形成していくビルドアップ工法
と、これに対して、高密度配線層を別々に製作しておい
て、これらを前記のベース基板と重ねて位置決めして積
層する一括積層工法が知られている。特に、一括積層工
法はＫＧＬ（ｋｎｏｗｎｇｏｏｄ ｌａｙｅｒ）を採用
できるので、１層形成するごとに歩留まりが低下する恐
れのあるビルドアップ工法に対して、高い歩留まりが期
待できることから、近年、一括積層工法への関心は益々
高まってきている。そして、一括積層工法で高密度な多
層配線板を得るために、スタック可能なバンプによる層
間接続方式の開発と、電解メッキによる微細配線転写方
式の開発が鋭意進められている。
板の工法としては、比較的ラフな配線ルールの４層以下
で構成されるベース配線板を用意して、これの表面に高
密度配線層を１層１層形成していくビルドアップ工法
と、これに対して、高密度配線層を別々に製作しておい
て、これらを前記のベース基板と重ねて位置決めして積
層する一括積層工法が知られている。特に、一括積層工
法はＫＧＬ（ｋｎｏｗｎｇｏｏｄ ｌａｙｅｒ）を採用
できるので、１層形成するごとに歩留まりが低下する恐
れのあるビルドアップ工法に対して、高い歩留まりが期
待できることから、近年、一括積層工法への関心は益々
高まってきている。そして、一括積層工法で高密度な多
層配線板を得るために、スタック可能なバンプによる層
間接続方式の開発と、電解メッキによる微細配線転写方
式の開発が鋭意進められている。
【０００６】しかしながら前述の一括積層工法による多
層配線板の製造において、特に配線転写方式は、高密度
配線の形成には優れるものの、積層後の層間絶縁樹脂と
配線表面に形成されているバリアメタルとの密着性に問
題があった。これらの密着性が悪いと部品実装時のリフ
ロー処理で層間の剥離を生じて、樹脂にクラックが入っ
たり、剥離界面に薬液が染み込んで導体を腐食させたり
して信頼性が著しく低下する。
層配線板の製造において、特に配線転写方式は、高密度
配線の形成には優れるものの、積層後の層間絶縁樹脂と
配線表面に形成されているバリアメタルとの密着性に問
題があった。これらの密着性が悪いと部品実装時のリフ
ロー処理で層間の剥離を生じて、樹脂にクラックが入っ
たり、剥離界面に薬液が染み込んで導体を腐食させたり
して信頼性が著しく低下する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は上記
の問題を解決すべくなされたものであり、その目的とす
るところは、一括積層工法と配線転写方式による高密度
多層配線板製造において、層間絶縁樹脂とバリアメタル
との高い密着性を得ることができる製造方法を提供しよ
うとするものである。
の問題を解決すべくなされたものであり、その目的とす
るところは、一括積層工法と配線転写方式による高密度
多層配線板製造において、層間絶縁樹脂とバリアメタル
との高い密着性を得ることができる製造方法を提供しよ
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、エッチング可
能な導電材料から成る基板の片方の面に感光性レジスト
膜を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を露光して
現像する工程と、バリアメタル層が形成される基板表面
を粗化処理する工程とを含んでなることを特徴とする多
層配線板の製造方法である。
能な導電材料から成る基板の片方の面に感光性レジスト
膜を形成する工程と、前記感光性レジスト膜を露光して
現像する工程と、バリアメタル層が形成される基板表面
を粗化処理する工程とを含んでなることを特徴とする多
層配線板の製造方法である。
【０００９】また、基板が銅、銅合金、鉄ニッケル合金
のいずれかから成ることが好ましい。
のいずれかから成ることが好ましい。
【００１０】さらには、粗化処理が薬液により行われ、
該薬液が硫酸と過酸化水素との混合液又はギ酸を主成分
としている薬液を採用することが好ましい。
該薬液が硫酸と過酸化水素との混合液又はギ酸を主成分
としている薬液を採用することが好ましい。
【００１１】また、粗化処理した基板表面の粗さが、算
術平均粗さ（Ｒａ）で０．０２５〜１．６μｍの範囲で
あることが好ましい。
術平均粗さ（Ｒａ）で０．０２５〜１．６μｍの範囲で
あることが好ましい。
【００１２】以下、本発明の作用の一例を図で説明す
る。本発明は配線転写方式で配線を形成する上で最も効
果的である。まず導電材料から成る基板１１の表面を脱
脂処理または化学研磨によって清浄化して感光性レジス
ト１２を形成して、これを露光し現像してパターンニン
グを行う（図１（ａ））。基板１１の材料は、安価で入
手し易く、感光性レジストの密着性がよく、かつエッチ
ングが容易なものであれば、限定されないが、銅、銅合
金、及び鉄ニッケル合金からなるものが好ましい。中で
も、銅箔や銅板、または銅合金などの銅系材料が、より
好ましく、これらの脱脂処理や、化学研磨は基板１１の
材質や汚れ具合いを鑑みて適切な薬品を選択して行う。
る。本発明は配線転写方式で配線を形成する上で最も効
果的である。まず導電材料から成る基板１１の表面を脱
脂処理または化学研磨によって清浄化して感光性レジス
ト１２を形成して、これを露光し現像してパターンニン
グを行う（図１（ａ））。基板１１の材料は、安価で入
手し易く、感光性レジストの密着性がよく、かつエッチ
ングが容易なものであれば、限定されないが、銅、銅合
金、及び鉄ニッケル合金からなるものが好ましい。中で
も、銅箔や銅板、または銅合金などの銅系材料が、より
好ましく、これらの脱脂処理や、化学研磨は基板１１の
材質や汚れ具合いを鑑みて適切な薬品を選択して行う。
【００１３】次いで、従来の工程であれば電解メッキに
てバリアメタルを施すところであるが、これより先に、
現像して露出した基板１１の表面を粗化処理して、算術
平均粗さで１．６μｍ以下の微細な凹凸を形成する（図
１（ｂ））。この微細な凹凸が、後に基板１１をエッチ
ング除去したときに露出するバリアメタル表面の形状と
なり、これがアンカー効果を生み、積層時に層間絶縁樹
脂との密着性向上として作用する。
てバリアメタルを施すところであるが、これより先に、
現像して露出した基板１１の表面を粗化処理して、算術
平均粗さで１．６μｍ以下の微細な凹凸を形成する（図
１（ｂ））。この微細な凹凸が、後に基板１１をエッチ
ング除去したときに露出するバリアメタル表面の形状と
なり、これがアンカー効果を生み、積層時に層間絶縁樹
脂との密着性向上として作用する。
【００１４】粗化処理の方法としては、基材１１が銅系
材料であれば、微細な凹凸形成が比較的容易で、またス
プレーでも浸漬でも処理可能な硫酸と過酸化水素との混
合液を主成分とする粗化液を用いるのが、より好まし
い。ギ酸を主成分とする粗化液も好ましいが、スプレー
装置が不可欠となる点が制約となる。また、基板１１が
銅系以外の、例えば鉄ニッケル合金であれば、塩化第２
鉄系もしくは硝酸系の粗化液を用いることができるが、
銅系材料ほどの微細な凹凸は得られないので、上記の密
着性に及ぼす効果は小さい。
材料であれば、微細な凹凸形成が比較的容易で、またス
プレーでも浸漬でも処理可能な硫酸と過酸化水素との混
合液を主成分とする粗化液を用いるのが、より好まし
い。ギ酸を主成分とする粗化液も好ましいが、スプレー
装置が不可欠となる点が制約となる。また、基板１１が
銅系以外の、例えば鉄ニッケル合金であれば、塩化第２
鉄系もしくは硝酸系の粗化液を用いることができるが、
銅系材料ほどの微細な凹凸は得られないので、上記の密
着性に及ぼす効果は小さい。
【００１５】次いで、電解メッキによってバリアメタル
１３を施し、続けて電解銅メッキを施し配線１４を形成
する（図１（ｃ））。バリアメタル１３は、基板１１を
エッチングする液に溶けず、基板１１上に電解メッキも
しくは無電解メッキで容易に析出する金属を選択する。
例えば、基板１１が銅系材料で、エッチング液に塩化第
２銅もしくは塩化第２鉄を使う場合は、バリアメタルと
して金を用いれば全く問題ない。
１３を施し、続けて電解銅メッキを施し配線１４を形成
する（図１（ｃ））。バリアメタル１３は、基板１１を
エッチングする液に溶けず、基板１１上に電解メッキも
しくは無電解メッキで容易に析出する金属を選択する。
例えば、基板１１が銅系材料で、エッチング液に塩化第
２銅もしくは塩化第２鉄を使う場合は、バリアメタルと
して金を用いれば全く問題ない。
【００１６】次いで、感光性レジスト１２を剥離して、
真空ラミネーターを用いて配線１４の表面に層間絶縁樹
脂１５を形成する（図１（ｄ））。層間絶縁樹脂は、予
め、層間絶縁樹脂のワニスとし、これを用いて基材の上
に塗工し製膜してフィルム状にしておくと良い。
真空ラミネーターを用いて配線１４の表面に層間絶縁樹
脂１５を形成する（図１（ｄ））。層間絶縁樹脂は、予
め、層間絶縁樹脂のワニスとし、これを用いて基材の上
に塗工し製膜してフィルム状にしておくと良い。
【００１７】次いで、Ｃｏ２レーザ装置やＵＶ−ＹＡＧ
レーザ装置を用いて層間絶縁樹脂１５に、配線１４の表
面が露出するように層間接続用の開口部を設けて、前記
開口部にバンプ１６を形成して、最後には基板１１をエ
ッチング除去して高密度配線層１７を得る（図１
（ｅ））。バンプは電解メッキで開口部を充填するか、
導電ペーストを開口部に充填するかして形成する。ま
た、基板１１をエッチングする時は高密度配線層１７の
バンプ形成面をマスキングしてエッチング液から保護し
ておくと良い。
レーザ装置を用いて層間絶縁樹脂１５に、配線１４の表
面が露出するように層間接続用の開口部を設けて、前記
開口部にバンプ１６を形成して、最後には基板１１をエ
ッチング除去して高密度配線層１７を得る（図１
（ｅ））。バンプは電解メッキで開口部を充填するか、
導電ペーストを開口部に充填するかして形成する。ま
た、基板１１をエッチングする時は高密度配線層１７の
バンプ形成面をマスキングしてエッチング液から保護し
ておくと良い。
【００１８】以上の工程で得られる高密度配線層を必要
な層数だけ製作して、別に製作しておいたベース基板１
８と各高密度配線層を層間接着樹脂シート１９を介して
位置合わせした後、真空プレスを用いて、真空中で加圧
加熱して一括積層する。このとき層間絶縁樹脂がバリア
メタルの表面凹凸を完全に埋め込んで硬化して十分なア
ンカー効果を得られるので、層間密着性が高く実装信頼
性に優れた高密度多層配線基板を得ることができる（図
１（ｆ））。
な層数だけ製作して、別に製作しておいたベース基板１
８と各高密度配線層を層間接着樹脂シート１９を介して
位置合わせした後、真空プレスを用いて、真空中で加圧
加熱して一括積層する。このとき層間絶縁樹脂がバリア
メタルの表面凹凸を完全に埋め込んで硬化して十分なア
ンカー効果を得られるので、層間密着性が高く実装信頼
性に優れた高密度多層配線基板を得ることができる（図
１（ｆ））。
【００１９】また、本発明は、導電材料から成る基板２
１の表面を脱脂処理または化学研磨によって清浄化した
後に、先に基板２１の表面を全面粗化処理して微細な凹
凸を形成してから（図２（ａ））、感光性レジスト２２
を形成して露光し現像してパターンニングを行ってもよ
い（図２（ｂ））。後に基板２１をエッチング除去した
ときに露出するバリアメタル表面の形状は図１（ｂ）と
同じであり、アンカー効果による層間絶縁樹脂とバリア
メタルの密着性向上の作用を得ることができる。ただ
し、感光性レジスト２２と基板２１の密着性も高くなる
ので、剥離型の感光性レジストを用いる場合は、先に図
１で説明した工程を選択するほうが望ましい。
１の表面を脱脂処理または化学研磨によって清浄化した
後に、先に基板２１の表面を全面粗化処理して微細な凹
凸を形成してから（図２（ａ））、感光性レジスト２２
を形成して露光し現像してパターンニングを行ってもよ
い（図２（ｂ））。後に基板２１をエッチング除去した
ときに露出するバリアメタル表面の形状は図１（ｂ）と
同じであり、アンカー効果による層間絶縁樹脂とバリア
メタルの密着性向上の作用を得ることができる。ただ
し、感光性レジスト２２と基板２１の密着性も高くなる
ので、剥離型の感光性レジストを用いる場合は、先に図
１で説明した工程を選択するほうが望ましい。
【００２０】
【実施例】以下に、実施例により本発明を更に詳細に説
明するが、本発明は、これにより何ら限定されるもので
はない。
明するが、本発明は、これにより何ら限定されるもので
はない。
【００２１】（実施例１）本発明を用いて一括積層方式
で６層配線基板を製作した。その手順を以下に説明す
る。まず、７０μｍ厚さの電解銅箔３１（三井金属製
ＶＬＰ箔）の光沢面にドライフィルムタイプで厚さが２
５μｍの感光性レジスト３２（ＪＳＲ製 ＦＤＲ−２５
００）を熱ロールでラミネートし、最小配線幅が２０μ
ｍのパターンを描画したガラスマスクを使用して露光
し、三菱瓦斯化学製の現像液ＥＦ−１０５Ａを用いてこ
れを現像して配線パターンを得た（図３（ａ））。次い
で、旭電化製の過酸化水素＋硫酸を主成分とした粗化液
ＳＯ−Ｇを用いて、配線パターンの電解銅箔３１の露出
面を粗化処理して、算術平均粗さで０．２μｍの微細な
凹凸を形成した（図３（ｂ））。次いで、前記配線パタ
ーンにエッチングバリア膜として、厚さ０．３μｍの電
解Ａｕメッキ３３（ＮＥケムキャット製 Ｎ−７００）
を、キャリア式電解Ａｕメッキ装置を用いて成膜した。
続けて、キャリア式電解Ｃｕメッキ装置を用いて電解Ｃ
ｕメッキ３４（奥野製薬製 ８１−ＨＬ）を厚さが１５
μｍとなるように成膜した。この後、三菱瓦斯化学製の
剥離液Ｒ−１００を用いて、感光性レジスト３２を完全
に除去した。（図３（ｃ））。次いで、ドライフィルム
タイプで厚さ２５μｍの層間絶縁樹脂３５（住友ベーク
ライト製 ＰＴ−３６０１）を真空ラミネーターを使用
してＣｕメッキ配線を埋め込み、絶縁層を形成した（図
３（ｄ））。次いで、ＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してφ
４０μｍのブラインドビアを形成し、これをデスミア処
理した後に、Ｃｕメッキ配線の形成でも使用した電解Ｃ
ｕメッキ装置でＣｕメッキを施し、ビアの表面までメッ
キ充填してＣｕポストを形成した。さらに、Ｃｕポスト
３６の表面に鉛フリーはんだメッキのＳｎ−Ａｇメッキ
３７を３μｍの厚さで形成した（図３（ｅ））。次い
で、金属接合接着樹脂３８（住友ベークライト製ＳＣ
Ｒ）を真空ラミネーターを使用してはんだメッキ表面に
接着層を形成した後、電解Ｃｕ箔３１を塩化第２銅エッ
チング液で溶解して、高密度配線層３９を得た（図３
（ｆ））。以上の工程で、第１層、第２層、第５層、第
６層になる４枚の高密度配線層を製作した。
で６層配線基板を製作した。その手順を以下に説明す
る。まず、７０μｍ厚さの電解銅箔３１（三井金属製
ＶＬＰ箔）の光沢面にドライフィルムタイプで厚さが２
５μｍの感光性レジスト３２（ＪＳＲ製 ＦＤＲ−２５
００）を熱ロールでラミネートし、最小配線幅が２０μ
ｍのパターンを描画したガラスマスクを使用して露光
し、三菱瓦斯化学製の現像液ＥＦ−１０５Ａを用いてこ
れを現像して配線パターンを得た（図３（ａ））。次い
で、旭電化製の過酸化水素＋硫酸を主成分とした粗化液
ＳＯ−Ｇを用いて、配線パターンの電解銅箔３１の露出
面を粗化処理して、算術平均粗さで０．２μｍの微細な
凹凸を形成した（図３（ｂ））。次いで、前記配線パタ
ーンにエッチングバリア膜として、厚さ０．３μｍの電
解Ａｕメッキ３３（ＮＥケムキャット製 Ｎ−７００）
を、キャリア式電解Ａｕメッキ装置を用いて成膜した。
続けて、キャリア式電解Ｃｕメッキ装置を用いて電解Ｃ
ｕメッキ３４（奥野製薬製 ８１−ＨＬ）を厚さが１５
μｍとなるように成膜した。この後、三菱瓦斯化学製の
剥離液Ｒ−１００を用いて、感光性レジスト３２を完全
に除去した。（図３（ｃ））。次いで、ドライフィルム
タイプで厚さ２５μｍの層間絶縁樹脂３５（住友ベーク
ライト製 ＰＴ−３６０１）を真空ラミネーターを使用
してＣｕメッキ配線を埋め込み、絶縁層を形成した（図
３（ｄ））。次いで、ＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してφ
４０μｍのブラインドビアを形成し、これをデスミア処
理した後に、Ｃｕメッキ配線の形成でも使用した電解Ｃ
ｕメッキ装置でＣｕメッキを施し、ビアの表面までメッ
キ充填してＣｕポストを形成した。さらに、Ｃｕポスト
３６の表面に鉛フリーはんだメッキのＳｎ−Ａｇメッキ
３７を３μｍの厚さで形成した（図３（ｅ））。次い
で、金属接合接着樹脂３８（住友ベークライト製ＳＣ
Ｒ）を真空ラミネーターを使用してはんだメッキ表面に
接着層を形成した後、電解Ｃｕ箔３１を塩化第２銅エッ
チング液で溶解して、高密度配線層３９を得た（図３
（ｆ））。以上の工程で、第１層、第２層、第５層、第
６層になる４枚の高密度配線層を製作した。
【００２２】そして上記とは別に、総厚さが０．３ｍｍ
で銅箔厚さが１２μｍの両面銅張り積層板（住友ベーク
ライト製ＥＬＣ−４７８１）を用いて、サブトラクティ
ブ法により最小配線幅７５μｍの第３層、第４層となる
ベース基板４０を製作し、このベース基板４０を中心に
して、４枚の高密度配線層を全て位置合わせして配した
（図４（ｇ））。最後に、ベース基板４０と４枚の高密
度配線層を、真空プレスを使用して、真空中で加熱加圧
して層間の金属接合と樹脂接着を同時に行って６層配線
基板を得た（図４（ｈ））。この６層配線基板について
ＪＩＥＰが定めるビルドアップ配線板技術標準Ｖｅｒ
２．０の実装耐熱性試験を実施して、層間剥離、割れ等
の異常が発生しないことを確認した。
で銅箔厚さが１２μｍの両面銅張り積層板（住友ベーク
ライト製ＥＬＣ−４７８１）を用いて、サブトラクティ
ブ法により最小配線幅７５μｍの第３層、第４層となる
ベース基板４０を製作し、このベース基板４０を中心に
して、４枚の高密度配線層を全て位置合わせして配した
（図４（ｇ））。最後に、ベース基板４０と４枚の高密
度配線層を、真空プレスを使用して、真空中で加熱加圧
して層間の金属接合と樹脂接着を同時に行って６層配線
基板を得た（図４（ｈ））。この６層配線基板について
ＪＩＥＰが定めるビルドアップ配線板技術標準Ｖｅｒ
２．０の実装耐熱性試験を実施して、層間剥離、割れ等
の異常が発生しないことを確認した。
【００２３】（実施例２）本発明を用いて一括積層方式
でベース基板レスの４層配線基板を製作した。その手順
を以下に説明する。まず、１５０μｍ厚さの銅合金板４
１（古川電工製 ＦＴＥＣ６４Ｔ）の表面をアルカリ脱
脂して汚れを除去した後、メック製のギ酸を主成分とし
た粗化液ＣＺ８１００を用いて銅合金板の片面だけを粗
化処理して、算術平均粗さで０．４μｍの微細な凹凸を
形成した（図５（ａ））。次いで、液状の感光性レジス
ト４２（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−１２０Ｎ）を厚さが１５μ
ｍになるように塗布して乾燥して、最小配線幅が１０μ
ｍのパターンを描画したガラスマスクを使用して露光
し、専用現像液（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−Ｄ１）でこれを現
像して微細な配線パターンを得た（図５（ｂ））。次い
で、前記配線パターンにエッチングバリア膜として、厚
さ０．５μｍの電解Ａｕメッキ４３（ＮＥケムキャット
製 Ｎ−７００）をキャリア式電解Ａｕメッキ装置を用
いて成膜した。続けてキャリア式電解Ｃｕメッキ装置を
用いて電解Ｃｕメッキ４４（エンソンジャパン製 スー
パースロー２０００）を厚さが５μｍとなるように成膜
した。この後、専用剥離液（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−Ｓ１）
で感光性レジスト４２を完全に除去した（図５
（ｃ））。以上の工程で、４層すべてを製作した。次い
で、第１層、第２層および第３層に、ドライフィルムタ
イプで厚さ１５μｍの層間絶縁樹脂４５（住友ベークラ
イト製 ＰＴ−３９０５）を、真空ラミネーターを使用
して、前記メッキ配線パターンを埋め込み絶縁層を形成
した（図５（ｄ））。次いで、第１層、第２層および第
３層に、ＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してφ３０μｍのブ
ラインドビアを形成し、これをデスミア処理した後に、
Ｃｕメッキ配線の形成でも使用した電解Ｃｕメッキ装置
でＣｕメッキを施し、ビアの表面までメッキで充填して
Ｃｕポスト４６を形成した。さらに、Ｃｕポスト４６の
表面に鉛フリーはんだメッキのＳｎ−Ａｇメッキ４７を
３μｍの厚さで形成した（図５（ｅ））。次いで、第１
層、第２層および第３層に、上記金属接合接着樹脂４８
（住友ベークライト製ＳＣＲ）を真空ラミネーターを使
用して、はんだメッキ表面に接着層を形成した（図５
（ｆ））。
でベース基板レスの４層配線基板を製作した。その手順
を以下に説明する。まず、１５０μｍ厚さの銅合金板４
１（古川電工製 ＦＴＥＣ６４Ｔ）の表面をアルカリ脱
脂して汚れを除去した後、メック製のギ酸を主成分とし
た粗化液ＣＺ８１００を用いて銅合金板の片面だけを粗
化処理して、算術平均粗さで０．４μｍの微細な凹凸を
形成した（図５（ａ））。次いで、液状の感光性レジス
ト４２（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−１２０Ｎ）を厚さが１５μ
ｍになるように塗布して乾燥して、最小配線幅が１０μ
ｍのパターンを描画したガラスマスクを使用して露光
し、専用現像液（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−Ｄ１）でこれを現
像して微細な配線パターンを得た（図５（ｂ））。次い
で、前記配線パターンにエッチングバリア膜として、厚
さ０．５μｍの電解Ａｕメッキ４３（ＮＥケムキャット
製 Ｎ−７００）をキャリア式電解Ａｕメッキ装置を用
いて成膜した。続けてキャリア式電解Ｃｕメッキ装置を
用いて電解Ｃｕメッキ４４（エンソンジャパン製 スー
パースロー２０００）を厚さが５μｍとなるように成膜
した。この後、専用剥離液（ＪＳＲ製 ＴＨＢ−Ｓ１）
で感光性レジスト４２を完全に除去した（図５
（ｃ））。以上の工程で、４層すべてを製作した。次い
で、第１層、第２層および第３層に、ドライフィルムタ
イプで厚さ１５μｍの層間絶縁樹脂４５（住友ベークラ
イト製 ＰＴ−３９０５）を、真空ラミネーターを使用
して、前記メッキ配線パターンを埋め込み絶縁層を形成
した（図５（ｄ））。次いで、第１層、第２層および第
３層に、ＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してφ３０μｍのブ
ラインドビアを形成し、これをデスミア処理した後に、
Ｃｕメッキ配線の形成でも使用した電解Ｃｕメッキ装置
でＣｕメッキを施し、ビアの表面までメッキで充填して
Ｃｕポスト４６を形成した。さらに、Ｃｕポスト４６の
表面に鉛フリーはんだメッキのＳｎ−Ａｇメッキ４７を
３μｍの厚さで形成した（図５（ｅ））。次いで、第１
層、第２層および第３層に、上記金属接合接着樹脂４８
（住友ベークライト製ＳＣＲ）を真空ラミネーターを使
用して、はんだメッキ表面に接着層を形成した（図５
（ｆ））。
【００２４】次いで、第２層と第３層は銅合金板を塩化
第２銅エッチング液で溶解して、第１層と第４層は銅合
金板を残したままで、前記４層を位置合わせして配した
（図６（ｇ））。次いで、真空プレスを使用して、真空
中で加熱加圧して層間の金属接合と樹脂接着を同時に行
った後、最後に、第１層と第４層の銅合金板をエッチン
グ除去してベース基板レスの４層配線基板を得た（図６
（ｈ））。この４層配線基板についてＪＩＥＰが定める
ビルドアップ配線板技術標準Ｖｅｒ２．０の実装耐熱性
試験を実施して、層間剥離、割れ等の異常が発生しない
ことを確認した。
第２銅エッチング液で溶解して、第１層と第４層は銅合
金板を残したままで、前記４層を位置合わせして配した
（図６（ｇ））。次いで、真空プレスを使用して、真空
中で加熱加圧して層間の金属接合と樹脂接着を同時に行
った後、最後に、第１層と第４層の銅合金板をエッチン
グ除去してベース基板レスの４層配線基板を得た（図６
（ｈ））。この４層配線基板についてＪＩＥＰが定める
ビルドアップ配線板技術標準Ｖｅｒ２．０の実装耐熱性
試験を実施して、層間剥離、割れ等の異常が発生しない
ことを確認した。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、層間絶縁樹脂とバリア
メタルの密着性を高めることができるので、高密度多層
配線の形成方法として期待される配線転写工法を使っ
て、さらには生産性が高い一括積層方式で、高信頼性の
高密度多層配線基板を製作することができる。
メタルの密着性を高めることができるので、高密度多層
配線の形成方法として期待される配線転写工法を使っ
て、さらには生産性が高い一括積層方式で、高信頼性の
高密度多層配線基板を製作することができる。
【図１】本発明の製造方法の一例を説明する断面構造の
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明の製造方法の一例を説明する断面構造の
概要図である。
概要図である。
【図３】実施例１の製造工程を説明する断面構造の概略
図である。
図である。
【図４】実施例１の製造工程を説明する断面構造の概略
図である（図３の続き）。
図である（図３の続き）。
【図５】実施例２の製造工程を説明する断面構造の概略
図である。
図である。
【図６】実施例２の製造工程を説明する断面構造の概略
図である。
図である。
１１、２１ 基板
１２、２２、３２、４２ 感光性レジスト
１３ バリアメタル
１４ 配線
１５、３５、４５ 層間絶縁樹脂
１６ バンプ
１７ 高密度配線層
１８、４０ ベース基板
１９ 層間接着樹脂シート
３１ 電解銅箔
３３、４３ 電解Ａｕメッキ
３４、４４ 電解Ｃｕメッキ
３６、４６ Ｃｕポスト
３７、４７ Ｓｎ−Ａｇメッキ
３８、４８ 金属接合接着樹脂
３９ 高密度配線層
４１ 銅合金板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4E351 AA01 BB01 BB23 BB24 BB26
BB33 BB38 CC06 CC17 DD04
DD05 DD06 DD12 DD24 GG02
5E317 AA24 BB01 BB12 BB13 CC31
CC52 CD05 CD32 GG03
5E343 AA02 AA12 BB02 BB08 BB15
BB23 BB24 BB25 BB34 BB53
BB61 BB66 CC33 CC34 CC45
CC50 DD56 DD63 EE52 ER53
GG04
5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA32
AA35 AA43 BB01 CC02 CC08
CC32 CC38 CC58 DD02 DD22
DD33 EE02 EE06 EE07 EE18
EE19 FF04 FF35 FF36 GG02
GG17 GG25 GG27 GG28 HH07
HH11
Claims (4)
- 【請求項１】エッチング可能な導電材料から成る基板の
片方の面に感光性レジスト膜を形成する工程と、前記感
光性レジスト膜を露光して現像する工程と、バリアメタ
ル層が形成される基板表面を粗化処理する工程とを含ん
でなることを特徴とする多層配線板の製造方法。 - 【請求項２】基板が、銅、銅合金、及び鉄ニッケル合金
のいずれかから成る、請求項１に記載の多層配線板の製
造方法。 - 【請求項３】粗化処理が薬液により行われ、該薬液が硫
酸と過酸化水素との混合液又はギ酸を主成分としてい
る、請求項１に記載の多層配線板の製造方法。 - 【請求項４】粗化処理した基板表面の粗さが、算術平均
粗さ（Ｒａ）で０．０２５〜１．６μｍの範囲である、
請求項１に記載の多層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001330014A JP2003133719A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001330014A JP2003133719A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003133719A true JP2003133719A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19145815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001330014A Pending JP2003133719A (ja) | 2001-10-26 | 2001-10-26 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003133719A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7303974B2 (en) | 2005-05-17 | 2007-12-04 | Tdk Corporation And Honda Motor Co., Ltd. | Method for producing electrochemical capacitor electrode |
| KR100935872B1 (ko) | 2007-11-22 | 2010-01-07 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| CN102530837A (zh) * | 2010-11-23 | 2012-07-04 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造微机械组件的方法 |
| CN106028638A (zh) * | 2010-09-27 | 2016-10-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板 |
| CN107920415A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 具厚铜线路的电路板及其制作方法 |
-
2001
- 2001-10-26 JP JP2001330014A patent/JP2003133719A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7303974B2 (en) | 2005-05-17 | 2007-12-04 | Tdk Corporation And Honda Motor Co., Ltd. | Method for producing electrochemical capacitor electrode |
| KR100935872B1 (ko) | 2007-11-22 | 2010-01-07 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| CN106028638A (zh) * | 2010-09-27 | 2016-10-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板 |
| CN102530837A (zh) * | 2010-11-23 | 2012-07-04 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于制造微机械组件的方法 |
| CN107920415A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 具厚铜线路的电路板及其制作方法 |
| CN107920415B (zh) * | 2016-10-06 | 2020-11-03 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 具厚铜线路的电路板及其制作方法 |
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