JP2005251894A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン再現性及び密着性に優れた配線層及びビアを再現できるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び導体層３１を形成し、導体層３１を除去し、絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成し、絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成し、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行い、粗化レジスト層４１を除去する。無電解めっきにてめっき下地導電層４２を形成した後レジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行いビア３２及び導体層３３を形成し、レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去し、配線層３３ａを形成する。
【選択図】図１
【解決手段】回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び導体層３１を形成し、導体層３１を除去し、絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成し、絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成し、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行い、粗化レジスト層４１を除去する。無電解めっきにてめっき下地導電層４２を形成した後レジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行いビア３２及び導体層３３を形成し、レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去し、配線層３３ａを形成する。
【選択図】図１
Description
本発明は、絶縁基材もしくはコア基板等の両面に絶縁層、配線層を順次形成してなるプリント配線板の製造方法に関する。
近年、電子機器の小型、軽量、高速化の要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでいる。従来の、銅箔をエッチングして配線層を形成するサブトラクティブ法によるプリント配線板は、サイドエッチング等の影響で配線層の微細化には限界があり、近年は、セミアディティブプロセスを用いたプリント配線板の製造方法が各種提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
以下、上記セミアディティブプロセスを用いたプリント配線板の製造方法について説明する。
図９（ａ）〜（ｅ）及び図１０（ｆ）〜（ｈ）に、上記セミアディティブプロセスを用いたプリント配線板の製造方法の一例を示す模式構成部分断面図を示す。
まず、両面に配線層１１１、配線層１１２及びスルーホール１１３が形成された回路基板１１０の配線層１１１及び配線層１１２の表面に針状のめっき被膜を形成する、もしくは配線層１１１及び配線層１１２の表面を酸化（黒化）−還元処理する、もしくはエッチングする等の方法で、配線層１１１及び配線層１１２の表面の粗面化処理を行う（図９（ｂ）参照）。
図９（ａ）〜（ｅ）及び図１０（ｆ）〜（ｈ）に、上記セミアディティブプロセスを用いたプリント配線板の製造方法の一例を示す模式構成部分断面図を示す。
まず、両面に配線層１１１、配線層１１２及びスルーホール１１３が形成された回路基板１１０の配線層１１１及び配線層１１２の表面に針状のめっき被膜を形成する、もしくは配線層１１１及び配線層１１２の表面を酸化（黒化）−還元処理する、もしくはエッチングする等の方法で、配線層１１１及び配線層１１２の表面の粗面化処理を行う（図９（ｂ）参照）。
次に、絶縁樹脂フィルムに５μｍ前後の極薄銅箔１３１が積層された銅箔付層間絶縁樹脂フィルムを回路基板１１０の両面にラミネートする等の方法で積層し、回路基板１１０の両面に絶縁層１２１及び極薄銅箔１３１を形成する（図９（ｂ）参照）。
次に、絶縁層１２１及び極薄銅箔１３１の所定位置をレーザー加工等により孔明け加工し、ビア用孔１２２を形成する（図９（ｃ）参照）。
次に、絶縁層１２１及び極薄銅箔１３１の所定位置をレーザー加工等により孔明け加工し、ビア用孔１２２を形成する（図９（ｃ）参照）。
次に、過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてビア用孔１２２内底部の樹脂残さの除去を行い、さらに、貴金属イオンやパラジウムコロイド等を使用して、極薄銅箔１３１及びビア用孔１２２内部に触媒核付与し、触媒核が付与されたビア用孔１２２’及び極薄銅箔１３１’を形成する（図９（ｄ）参照）。
次に、無電解銅めっき等により触媒核が付与されたビア用孔１２２’内及び極薄銅箔１３１’上に所定厚のめっき下地導電層１４１を形成する（図９（ｅ）参照）。
次に、感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行い、パターンめっき用のレジストパターン１５１を形成する（図１０（ｆ）参照）。
次に、めっき下地導電層１４２上にレジストパターン１５１が形成された回路基板を電解銅めっき浴に浸漬し、めっき下地導電層１４１を電極として電解銅めっきを行いビア用孔１２２内にフィルドビア１３２を、極薄銅箔１３１及びめっき下地導電層１４１上に導体層１３３を形成する（図１０（ｇ）参照）。
次に、レジストパターン１５１を専用の剥離液で剥離処理し、レジストパターン１５１下部にあっためっき下地導電層１４１及び銅箔１３１をハロゲン以外の酸及び過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いてエッチングして配線層１３３ａを形成するもので、
めっき下地導電層１４１及び極薄銅箔１３１のサイドエッチを抑えている。上記の工程で回路基板１１０の両面に絶縁層１２１を介して配線層１３３ａ及びフィルドビア１３２が形成された４層のプリント配線板を得る（図１０（ｈ）参照）。
特開２００３−８６９３８号公報
特開平１１−１８６７１６号公報
めっき下地導電層１４１及び極薄銅箔１３１のサイドエッチを抑えている。上記の工程で回路基板１１０の両面に絶縁層１２１を介して配線層１３３ａ及びフィルドビア１３２が形成された４層のプリント配線板を得る（図１０（ｈ）参照）。
上記セミアディティブプロセスを用いたプリント配線板の製造方法では、まず、回路基板１１０の両面に絶縁層を介して形成された５μｍ前後の極薄銅箔１３１の表面を粗面化処理し、銅箔ダイレクトレーザー加工にてビア用孔１２２を形成しているが、レーザー加工の際ビア用孔１２２開口部近傍に飛び散ったカッパースプラッシュの盛り上がり及び銅が庇状に残留する。このため、この後のデスミア処理の処理効果が不十分になったり、めっき下地導電層１４１の密着性劣化を引き起こす。この不都合を解消するために、レーザー加工後のカッパースプラッシュの盛り上がり及び銅の庇をマイクロエッチング等により除去する工程が必要となる。
しかしながら、上記マイクロエッチング工程において、極薄銅箔１３１が過剰にエッチングされて絶縁層１２１が露出する等の問題がある。また、極薄銅箔１３１として５μｍ前後の極薄銅箔を使用するために、高価な材料を使用することになり、プリント配線板のコストアップにつながるという問題を有している。
また、セミアディティブプロセスでは、表面に銅箔を有さない絶縁層にレーザー加工にてビア用孔を形成する場合もある。このときにも、ビア用孔底の密着性を良くし接続信頼性を向上させるため、ビア用孔底の樹脂残渣を除去するデスミア処理が行われる。しかし、ビア用孔底の樹脂残渣の除去を必要十分になるまでデスミア処理を行うと、絶縁層表面において過剰に粗化が行われる場合がある。その場合、絶縁樹脂を支持する支持体が絶縁樹脂より露出し、めっきの未着、膨れ、ピール強度の低下が生じる。また、過剰粗化された絶縁樹脂の内部に無電解めっきが入り込み、配線層パターンの絶縁性が低下するという問題が生じる。また、配線層の形成にあたり行われる無電解めっきのエッチング除去において、絶縁層内部にまで入り込んだ無電解めっきを除去するために過剰にエッチングをおこなうと、配線層もエッチングの影響を受け、配線層の細り、断線などの問題も生じる。
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、パターン再現性に優れた配線層及び密着性に優れた絶縁層及び接続信頼性に優れたビアを再現できるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び導体層３１を形成する工程。
（ｂ）前記導体層３１を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層４１を除去する工程。
（ｇ）めっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｈ）めっき下地導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び導体層３１を形成する工程。
（ｂ）前記導体層３１を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層４１を除去する工程。
（ｇ）めっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｈ）めっき下地導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
また、請求項２においては、少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び銅箔３１を形成する工程。
（ｂ）前記銅箔３１を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層４１上にめっき下地膜導電層４２を形成する工程。
（ｇ）めっき下地膜導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあった粗化レジスト層４１及びめっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層２１及び銅箔３１を形成する工程。
（ｂ）前記銅箔３１を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層４１上にめっき下地膜導電層４２を形成する工程。
（ｇ）めっき下地膜導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあった粗化レジスト層４１及びめっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
また、請求項３においては、少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法したものである。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂を積層して、絶縁層２１を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層２１表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）粗面化処理された前記絶縁２１層上に無電解めっきにて粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層４１を除去する工程。
（ｇ）前記絶縁層２１上にめっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｈ）パターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂を積層して、絶縁層２１を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層２１表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）粗面化処理された前記絶縁２１層上に無電解めっきにて粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層４１を除去する工程。
（ｇ）前記絶縁層２１上にめっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｈ）パターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
さらにまた、請求項４においては、少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法としたものである。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂を積層して絶縁層２１を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層２１表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層４１上にめっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｇ）めっき下地導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあった粗化レジスト層４１及びめっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板１０に層間絶縁樹脂を積層して絶縁層２１を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層２１表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）前記絶縁層２１上に粗化レジスト層４１を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層４１が形成された絶縁層２１の所定位置にビア用孔２２を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層４１上にめっき下地導電層４２を形成する工程。
（ｇ）めっき下地導電層４２上にパターンめっき用のレジストパターン５１を形成し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア３２及び導体層３３を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン５１を除去し、レジストパターン５１下部にあった粗化レジスト層４１及びめっき下地導電層４２をエッチングで除去する工程。
本発明のプリント配線板の製造方法では、層間絶縁層表面の最適な粗面化処理と、予め層間絶縁層上に粗化レジスト層を形成した後レーザー加工にてビア用孔を形成して、ビア用孔底のデスミア処理とを行うため、それぞれに最適な粗面化処理及びデスミア処理条件が設定でき、層間絶縁性及び密着性に優れた絶縁層及び接続信頼性に優れたビアを有し、また、細り、断線の無いパターン再現性に優れたプリント配線板を得ることができる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、予め層間絶縁層上に粗化レジスト層を形成した後ビア用孔加工して、ビア用孔底のデスミア処理を行うことにより、最適なデスミア処理条件が設定できるようにしたもので、層間絶縁性及び密着性に優れた配線層及びビアを有するプリント配線板を得ることができる。
以下、本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。
図１（ａ）〜（ｆ）及び図２（ｇ）〜（ｊ）は、請求項１に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図１（ａ）参照）の両面に、支持体に絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグ及び粗面化処理された銅箔を加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１及び銅箔３１を形成する（図１（ｂ）参照）。
ここで、支持体としては、ガラス織布、ガラス不織布、有機不織布、フィルム等が用いられ、絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂がほとんどであるが、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、耐熱性のエポキシ樹脂が用いられる。また、銅箔に絶縁性樹脂を塗布したＲＣＣ材を用いても良い。また、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
図１（ａ）〜（ｆ）及び図２（ｇ）〜（ｊ）は、請求項１に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図１（ａ）参照）の両面に、支持体に絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグ及び粗面化処理された銅箔を加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１及び銅箔３１を形成する（図１（ｂ）参照）。
ここで、支持体としては、ガラス織布、ガラス不織布、有機不織布、フィルム等が用いられ、絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂がほとんどであるが、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、耐熱性のエポキシ樹脂が用いられる。また、銅箔に絶縁性樹脂を塗布したＲＣＣ材を用いても良い。また、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
次に、銅箔３１をエッチング等で除去し、層間絶縁層２１表面が粗面化された回路基板１０ａを作製する（図１（ｃ）参照）。これは、前工程の銅箔とプリプレグを積層する際粗面化処理された銅箔を用いているため、銅箔３１をエッチング等で除去した後の層間絶縁層２１の表面はほぼ銅箔の粗面化状態を再現できる。そのため、層間絶縁層２１表面を粗面化処理しなくても良い。
次に、回路基板１０ａの層間絶縁層２１表面にめっき触媒核を付与した後無電解銅めっきを行って０．３〜１．０μｍ厚の銅層からなる粗化レジスト層４１を形成する（図１（ｄ）参照）。
ここで、めっき触媒核の付与条件としては、例えば、ＡＩ−ｃｕｐ Ｐｒｏｃｅｓｓ（Ｐｄ ｉｏｎ ｃａｔａｌｙｓｔ、上村製）を用い、アクチベータ（ＭＡＴ）（ＭＡＴ２−Ａ濃度：２００ｍｌ／Ｌ、ＭＡＴ２−Ｂ濃度：３０ｍｌ／Ｌ）浴に６０℃で５分間浸漬後、同社製レデューサー（ＭＡＢ−４−Ａ濃度：２０ｍｌ／Ｌ、ＭＡＢ−４−ｂ濃度：２００ｍｌ／Ｌ）浴に３５℃で３分間、同社製アクセラレーター（ＭＥＬ−３−Ａ濃度：５０ｍｌ／Ｌ）浴に２５℃で３００秒間順次浸漬する。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
次に、所定位置の層間絶縁層２１及び粗化レジスト層４１をレーザー加工により孔明け加工してビア用孔２２を形成する（図１（ｅ）参照）。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
次に、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行い、デスミア処理されたビア用孔２２’を形成する（図１（ｆ）参照）。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスト層４１により粗面化が阻止される。そのため、層間絶縁層２２表面に過剰に粗化が行われることを考慮することなく、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスト層４１により粗面化が阻止される。そのため、層間絶縁層２２表面に過剰に粗化が行われることを考慮することなく、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
デスミア処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で５〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で１０〜２０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で１０〜２０分間浸漬する。
次に、粗化レジスト層４１をエッチング等で除去し、層間絶縁層２１表面及びビア用孔２２’にパラジウム触媒核を付与し、無電解銅めっきにより約１μｍ厚のめっき下地導電層４２を形成する（図２（ｇ）参照）。
次に、めっき下地導電層４２上に感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン５１を形成する（図２（ｈ）参照）。
次に、レジストパターン５１が形成された回路基板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、層間絶縁層２１上に１０〜１５μｍ厚の導体層３３及びビア用孔２２にフィルドビア３２を形成する（図２（ｉ）参照）。
ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ2の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行う。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
次に、０．５〜２ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターン５１を剥離処理し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をフラッシュエッチングで除去し配線層３３ａを形成し、回路基板１０の両面に層間絶縁層２１を介してビア接続信頼性と層間絶縁信頼性を有する配線層３３ａ及びフィルドビア３１が形成されたプリント配線板を得ることができる（図２（ｊ）参照）。なお、絶縁層は過剰に粗化されないため、絶縁層内部へのめっき下地導電層４２の入り込みは少ない。そのため、フラッシュエッチングで行われるエッチング量は少なくてすみ、配線層の細り、断線がぼうしされる。
さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
請求項２に係る本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４（ｇ）〜（ｊ）は、請求項２に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図３（ａ）参照）の両面に、ガラス織布等の支持体に絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグ及び粗面化処理された銅箔を加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１及び銅箔３１を形成する（図３（ｂ）参照）。
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４（ｇ）〜（ｊ）は、請求項２に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図３（ａ）参照）の両面に、ガラス織布等の支持体に絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグ及び粗面化処理された銅箔を加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１及び銅箔３１を形成する（図３（ｂ）参照）。
次に、銅箔３１をエッチング等で除去し、表面が粗面化された層間絶縁層２１が形成された回路基板１０ａを作製する（図３（ｃ）参照）。これは、前工程の銅箔とプリプレグを積層する際粗面化処理された銅箔を用いているため、銅箔３１をエッチング等で除去した後の層間絶縁層２１の表面はほぼ銅箔の粗面化状態を再現できる。そのため、層間絶縁層２１表面を粗面化処理しなくても良い。
次に、回路基板１０ａの層間絶縁層２１表面にめっき触媒核を付与した後無電解銅めっきを行って銅層からなる０．３〜１．０μｍ厚の粗化レジスト層４１を形成する（図３（ｄ）参照）。
ここで、めっき触媒核の付与条件の具体例としては、ＡＩ−ｃｕｐ Ｐｒｏｃｅｓｓ（Ｐｄ ｉｏｎ ｃａｔａｌｙｓｔ、上村製）を用い、アクチベータ（ＭＡＴ）（ＭＡＴ２−Ａ濃度：２００ｍｌ／Ｌ、ＭＡＴ２−Ｂ濃度：３０ｍｌ／Ｌ）浴に６０℃で５分間浸漬後、同社製レデューサー（ＭＡＢ−４−Ａ濃度：２０ｍｌ／Ｌ、ＭＡＢ−４−ｂ濃度：２００ｍｌ／Ｌ）浴に３５℃で３分間、同社製アクセラレーター（ＭＥＬ−３−Ａ濃度：５０ｍｌ／Ｌ）浴に２５℃で３００秒間順次浸漬する。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
次に、所定位置の層間絶縁層２１及び粗化レジスト層４１をレーザー加工により孔明け加工してビア用孔２２を形成する（図３（ｅ）参照）。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
次に、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行い、デスミア処理されたビア用孔２２’を形成する（図３（ｆ）参照）。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスト層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスト層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
デスミア処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で５〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で１０〜２０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で１０〜２０分間浸漬する。
次に、ビア用孔２２’にパラジウム触媒核を付与し、無電解銅めっきによりビア用孔２２’内及び粗化レジスト層４１上に約１μｍ厚のめっき下地導電層４２を形成する（図４（ｇ）参照）。
次に、めっき下地導電層４２上に感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン５１を形成する（図４（ｈ）参照）。
次に、レジストパターン５１が形成された回路基板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、層間絶縁層２１上に１０〜１５μｍ厚の導体層３３及びビア用孔２２にフィルドビア３２を形成する（図４（ｉ）参照）。
ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ2の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行う。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
次に、０．５〜２ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターン５１を剥離処理し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２及び粗化レジスト層４１をフラッシュエッチングで除去して配線層３３ａを形成し、回路基板１０の両面に層間絶縁層２１を介してビア接続信頼性と層間絶縁信頼性を有する配線層３３ａ及びフィルドビア３１が形成されたプリント配線板を得ることができる（図４（ｊ）参照）。さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
請求項３に係る本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｅ）及び図６（ｆ）〜（ｉ）は、請求項３に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図５（ａ）参照）の両面に、絶縁性樹脂フィルムを加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１を形成する（図５（ｂ）参照）。
ここで、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
図５（ａ）〜（ｅ）及び図６（ｆ）〜（ｉ）は、請求項３に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図５（ａ）参照）の両面に、絶縁性樹脂フィルムを加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１を形成する（図５（ｂ）参照）。
ここで、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
次に、層間絶縁層２１表面の粗面化処理を行い、めっき触媒核を付与した後無電解銅めっきを行って０．３〜１．０μｍ厚の銅層からなる粗化レジスト層４１を形成する（図５（ｃ）参照）。
ここで、層間絶縁層２１表面の粗面化処理の処理条件としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で２〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で５〜１５分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で５〜１５分間浸漬する。
また、めっき触媒核の付与条件の具体例としては、ＡＩ−ｃｕｐ Ｐｒｏｃｅｓｓ（Ｐｄ ｉｏｎ ｃａｔａｌｙｓｔ、上村製）を用い、アクチベータ（ＭＡＴ）（ＭＡＴ２−Ａ濃度：２００ｍｌ／Ｌ、ＭＡＴ２−Ｂ濃度：３０ｍｌ／Ｌ）浴に６０℃で５分間浸漬後、同社製レデューサー（ＭＡＢ−４−Ａ濃度：２０ｍｌ／Ｌ、ＭＡＢ−４−ｂ濃度：２００ｍｌ／Ｌ）浴に３５℃で３分間、同社製アクセラレーター（ＭＥＬ−３−Ａ濃度：５０ｍｌ／Ｌ）浴に２５℃で３００秒間順次浸漬する。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものでは
なく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものでは
なく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
次に、所定位置の層間絶縁層２１及び粗化レジスト層４１をレーザー加工により孔明け加工してビア用孔２２を形成する（図５（ｄ）参照）。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
次に、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行い、デスミア処理されたビア用孔２２’を形成する（図５（ｅ）参照）。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスと層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際、層間絶縁層２２表面は粗化ジスと層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
デスミア処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で５〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で１０〜２０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で１０〜２０分間浸漬する。
次に、粗化レジスト層４１をエッチング等で除去し、層間絶縁層２１表面及びビア用孔２２’にパラジウム触媒核を付与し、無電解銅めっきにより約１μｍ厚のめっき下地導電層４２を形成する（図６（ｆ）参照）。
次に、めっき下地導電層４２上に感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン５１を形成する（図６（ｇ）参照）。
次に、レジストパターン５１が形成された回路基板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、層間絶縁層２１上に１０〜１５μｍ厚の導体層３３及びビア用孔２２にフィルドビア３２を形成する（図６（ｈ）参照）。ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ2の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行う。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
次に、０．５〜２ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターン５１を剥離処理し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２をフラッシュエッチングで除去し配線層３３ａを形成し、回路基板１０の両面に層間絶縁層２１を介してビア接続信頼性と層間絶縁信頼性を有する配線層３３ａ及びフィルドビア３１が形成されたプリント配線板を得ることができる（図２（ｊ）参照）。
さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
請求項４に係る本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。
図７（ａ）〜（ｅ）及び図８（ｆ）〜（ｉ）は、請求項４に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図７（ａ）参照）の両面に、絶縁性樹脂フィルムを加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１を形成する（図７（ｂ）参照）。
ここで、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
図７（ａ）〜（ｅ）及び図８（ｆ）〜（ｉ）は、請求項４に係る本発明のプリント配線板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成部分断面図である。
まず、両面に配線層１１、配線層１２及びスルーホール１３が形成された回路基板１０（図７（ａ）参照）の両面に、絶縁性樹脂フィルムを加熱、加圧プレスにて積層し、層間絶縁層２１を形成する（図７（ｂ）参照）。
ここで、回路基板１０としては多層のコア基板等が用いられる。
次に、層間絶縁層２１表面の粗面化処理を行い、めっき触媒核を付与した後無電解銅めっきを行って銅層からなる０．３〜１．０μｍ厚の粗化レジスト層４１を形成する（図７（ｃ）参照）。
ここで、層間絶縁層２１表面の粗面化処理の処理条件としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で２〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で５〜１５分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で５〜１５分間浸漬する。
ここで、層間絶縁層２１表面の粗面化処理の処理条件としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で２〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で５〜１５分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で５〜１５分間浸漬する。
また、めっき触媒核の付与条件の具体例としては、ＡＩ−ｃｕｐ Ｐｒｏｃｅｓｓ（Ｐｄ ｉｏｎ ｃａｔａｌｙｓｔ、上村製）を用い、アクチベータ（ＭＡＴ）（ＭＡＴ２−Ａ濃度：２００ｍｌ／Ｌ、ＭＡＴ２−Ｂ濃度：３０ｍｌ／Ｌ）浴に６０℃で５分間浸漬後、同社製レデューサー（ＭＡＢ−４−Ａ濃度：２０ｍｌ／Ｌ、ＭＡＢ−４−ｂ濃度：２００ｍｌ／Ｌ）浴に３５℃で３分間、同社製アクセラレーター（ＭＥＬ−３−Ａ濃度：５０ｍｌ／Ｌ）浴に２５℃で３００秒間順次浸漬する。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
また、粗化レジスト層４１の形成方法は、特に、無電解銅めっき法に限定されるものではなく、真空蒸着、スパッター等で形成しても良い。
次に、所定位置の層間絶縁層２１及び粗化レジスト層４１をレーザー加工により孔明け加工してビア用孔２２を形成する（図７（ｄ）参照）。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
ここで、レーザー加工に用いるレーザーとしてはＣＯ2レーザー、エキシマ等の気体レーザー及びＹＡＧ等の固体レーザーが使用できる。加工条件も粗化レジスト層４１が非常に薄い膜であるため層間絶縁層単体の加工条件に若干プラスするだけで済む。
次に、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行い、デスミア処理されたビア用孔２２’を形成する（図７（ｅ）参照）。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際層間絶縁層２２表面は粗化ジスと層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
ここで、ビア用孔２２底の樹脂残渣を除去するためのデスミア処理を行う際層間絶縁層２２表面は粗化ジスと層４１により粗面化が阻止されるため、ビア用孔２２の最適のデスミア処理条件が設定できる。
デスミア処理の処方としては、例えば、ＭＬＢ２１１：シプレイ・ファーイースト（株）製を２０ｖｏｌ％、キューポジットＺが１０ｖｏｌ％からなる膨潤浴に６０〜８５℃で５〜１０分間浸漬した後、ＭＬＢ２１３Ａ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１０ｖｏｌ％とＭＬＢ２１３Ｂ（シプレイ・ファーイースト（株）製）が１５ｖｏｌ％とからなるエッチング浴に５５〜７５℃で１０〜２０分間浸漬処理し、ＭＬＢ２１６−２（シプレイ・ファーイースト（株）製）が２０ｖｏｌ％からなる中和浴に３５〜５５℃で１０〜２０分間浸漬する。
次に、ビア用孔２２’にパラジウム触媒核を付与し、無電解銅めっきによりビア用孔２２’内及び粗化レジスト層４１上に約１μｍ厚のめっき下地導電層４２を形成する（図８（ｆ）参照）。
次に、めっき下地導電層４２上に感光性ドライフィルムをラミネートする等の方法で感
光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン５１を形成する（図８（ｇ）参照）。
光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、パターンめっき用のレジストパターン５１を形成する（図８（ｇ）参照）。
次に、レジストパターン５１が形成された回路基板を硫酸銅めっき浴中に浸漬し、めっき下地導電層４２を給電層にして電解銅めっきを行い、層間絶縁層２１上に１０〜１５μｍ厚の導体層３３及びビア用孔２２にフィルドビア３２を形成する（図８（ｈ）参照）。
ここで、電解銅めっき条件としては、例えば、硫酸銅７０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１５０〜２５０ｇ／Ｌ、塩酸５０〜１００ｐｐｍの組成から成る硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度１．５〜２．５Ａ／ｄｍ2の条件で２０〜５０分電解銅めっきを行う。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
また、ビア用孔２２にはフィルドビアを形成したが特に限定されるものではなく、フィルドビア、コンフォーマルビアを適宜選択して用いれば良い。
次に、０．５〜２ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液をスプレーして、レジストパターン５１を剥離処理し、レジストパターン５１下部にあっためっき下地導電層４２及び粗化レジスト層４１をフラッシュエッチングで除去して配線層３３ａを形成し、回路基板１０の両面に層間絶縁層２１を介してビア接続信頼性と層間絶縁信頼性を有する配線層３３ａ及びフィルドビア３１が形成されたプリント配線板を得ることができる（図８（ｉ）参照）。さらに、必用であれば、上記層間絶縁層、配線層、ビア形成工程を繰り返すことにより、所望の多層プリント配線板を得ることができる。
１０、１１０……回路基板
１０ａ……層間絶縁層が粗面化された回路基板
１１、１２、１１１、１１２……配線層
１３……スルーホール
２１……層間絶縁層
２２、１２２……ビア用孔
２２’……デスミア処理されたビア用孔
３１……銅箔
３２、１３２……フィルドビア
３３、１３３……導体層
３３ａ、３３ｂ、１３３ａ……配線層
４１……粗化レジスト層
４２、１４１……めっき下地導電層
１２１……絶縁層
５１、１５１……レジストパターン
１３１……極薄銅箔
１３１’……めっき触媒核が付与された極薄銅箔
１２２’……めっき触媒核が付与されたビア用孔
１０ａ……層間絶縁層が粗面化された回路基板
１１、１２、１１１、１１２……配線層
１３……スルーホール
２１……層間絶縁層
２２、１２２……ビア用孔
２２’……デスミア処理されたビア用孔
３１……銅箔
３２、１３２……フィルドビア
３３、１３３……導体層
３３ａ、３３ｂ、１３３ａ……配線層
４１……粗化レジスト層
４２、１４１……めっき下地導電層
１２１……絶縁層
５１、１５１……レジストパターン
１３１……極薄銅箔
１３１’……めっき触媒核が付与された極薄銅箔
１２２’……めっき触媒核が付与されたビア用孔
Claims (4)
- 少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板（１０）に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層（２１）及び導体層（３１）を形成する工程。
（ｂ）前記導体層（３１）を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層（２１）上に粗化レジスト層（４１）を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層（４１）が形成された絶縁層（２１）の所定位置にビア用孔（２２）を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔（２２）底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層（４１）を除去する工程。
（ｇ）めっき下地導電層（４２）を形成する工程。
（ｈ）めっき下地膜導電層（４２）上にパターンめっき用のレジストパターン（５１）を形成し、めっき下地導電層（４２）を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア（３２）及び導体層（３３）を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン（５１）を除去し、レジストパターン（５１）下部にあっためっき下地導電層（４２）をエッチングで除去する工程。 - 少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板（１０）に層間絶縁樹脂及び銅箔を積層して、絶縁層（２１）及び銅箔（３１）を形成する工程。
（ｂ）前記銅箔（３１）を除去する工程。
（ｃ）前記絶縁層（２１）上に粗化レジスト層（４１）を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層（４１）が形成された絶縁層（２１）の所定位置にビア用孔（２２）を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔（２２）底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層（４１）上にめっき下地膜導電層（４２）を形成する工程。
（ｇ）めっき下地膜導電層（４２）上にパターンめっき用のレジストパターン（５１）を形成し、めっき下地導電層（４２）を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア（３２）及び導体層（３３）を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン（５１）を除去し、レジストパターン（５１）下部にあった粗化レジスト層（４１）及びめっき下地導電層（４２）をエッチングで除去する工程。 - 少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板（１０）に層間絶縁樹脂を積層して、絶縁層（２１）を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層（２１）表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）前記絶縁層（２１）上に粗化レジスト層（４１）を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層（４１）が形成された絶縁層（２１）の所定位置にビア用孔（２２）を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔（２２）底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）前記粗化レジスト層（４１）を除去する工程。
（ｇ）粗面化処理された絶縁層（２１）上にめっき下地導電層（４２）を形成する工程。（ｈ）パターンめっき用のレジストパターン（５１）を形成し、めっき下地導電層（４２）を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア（３２）及び導体層（３３）を形成する工程。
（ｉ）前記レジストパターン（５１）を除去し、レジストパターン（５１）下部にあっためっき下地導電層（４２）をエッチングで除去する工程。 - 少なくとも以下の工程を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
（ａ）片面もしくは両面に配線層を有する回路基板（１０）に層間絶縁樹脂を積層して絶縁層（２１）を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層（２１）表面を粗面化処理する工程。
（ｃ）前記絶縁層（２１）上に粗化レジスト層（４１）を形成する工程。
（ｄ）前記粗化レジスト層（４１）が形成された絶縁層（２１）の所定位置にビア用孔（２２）を形成する工程。
（ｅ）前記ビア用孔（２２）底の樹脂残渣を除去するためのデスミアを行う工程。
（ｆ）粗化レジスト層（４１）上にめっき下地導電層（４２）を形成する工程。
（ｇ）めっき下地導電層（４２）上にパターンめっき用のレジストパターン（５１）を形成し、めっき下地導電層（４２）を給電層にして電解銅めっきを行い、ビア（３２）及び導体層（３３）を形成する工程。
（ｈ）前記レジストパターン（５１）を除去し、レジストパターン（５１）下部にあった粗化レジスト層（４１）及びめっき下地導電層（４２）をエッチングで除去する工程。
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| JP2010238812A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板の製造方法 |
| CN102975429A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-03-20 | 深圳市五株科技股份有限公司 | 一种采用聚甲基丙烯酸甲酯为介质的电解覆铜板、印刷电路板及其制作方法 |
| JP2016072444A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 凸版印刷株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
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2004
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