JP2000036660A - ビルドアップ多層配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】微細な回路導体の形成が可能であり、かつ絶縁
性と接続信頼性に優れたビルドアップ多層配線板の製造
方法を提供する。 【解決手段】回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗
化面を有する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材
とを積層一体化し、キャリア層のみを除去し、極薄の金
属層に、バイアホールとなる箇所に開口部を形成し、開
口部に露出した硬化した絶縁層を、レーザー光を照射し
て、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、除去
し、極薄の金属層をエッチング除去し、バイアホールと
なる穴の内壁と基板表面に無電解めっきを行い、基板表
面のバイアホールとなる箇所と回路導体となる箇所を除
いて、めっきレジストを形成し、めっきレジストで覆わ
れていない箇所に、電気めっきを行い、めっきレジスト
を除去し、除去しためっきレジストの下にあった無電解
めっきを、エッチング除去する、ビルドアップ多層配線
板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微小なバイアホー
ル及び微細な回路導体を有するビルドアップ多層配線板
を効率よく製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、多機
能化が進むのに伴い、大規模集積回路（以下、ＬＳＩと
いう。）やチップ部品等の高集積化が行われ、その結
果、多ピン化、小型化へと急速に変化しているので、多
層配線板にも、電子部品の実装密度を向上するために、
配線パターンの高密度化が一層求められるようになっ
た。この要望を満たすために、層間の薄型化、配線の微
細化、層間接続穴の小径化が行われ、隣接する層間のみ
を接続するインタースティシャルバイアホール（以下、
ＩＶＨという。）や、ベリードバイアホール（以下、Ｂ
ＶＨという。）が用いられるようになり、このＩＶＨや
ＢＶＨも更に小径化されつつある。

【０００３】多層配線板には、通常、複数の回路導体層
とその回路導体層間の絶縁層をまとめて重ね、加熱・加
圧して積層一体化し、必要な箇所に穴をあけ、穴内壁を
金属化して接続する多層配線板と、回路導体を形成した
基板上に絶縁層を形成し、必要な箇所に穴をあけ、その
穴内壁を金属化し、絶縁層上に回路導体を形成し、とい
うように回路導体層と絶縁層とを順次形成するビルドア
ップ多層配線板とがある。

【０００４】このビルドアップ多層配線板の製造方法と
しては、内層回路導体とめっきスルーホールとが形成さ
れた内層回路板の表面に熱硬化性樹脂の絶縁層を形成
し、バイアホールとなる箇所にレーザー光を照射して絶
縁層に穴あけし、このバイアホールとなる穴の内部と絶
縁層の表面を次の工程で行うめっきとの密着性を高める
ために粗化剤で粗化し、全面にめっきした後に、めっき
を残す箇所にエッチングレジストを形成し、エッチング
レジストに覆われていない箇所をエッチング除去して回
路導体を形成する第１の方法が知られている。

【０００５】また、内層回路導体とめっきスルーホール
とが形成された内層回路板の表面に熱硬化性樹脂の絶縁
層を形成し、バイアホールとなる箇所にレーザー光を照
射して絶縁層に穴あけし、このバイアホールとなる穴の
内部と絶縁層の表面を次の工程で行うめっきとの密着性
を高めるために粗化剤で粗化し後に、めっきを行わない
箇所にめっきレジストを形成し、めっきを行って回路導
体を形成する第２の方法が知られている。

【０００６】また、内層回路導体とめっきスルーホール
とが形成された内層回路板の表面に光硬化性樹脂の絶縁
層を形成し、バイアホールとなる箇所以外の箇所を光硬
化し現像して絶縁層に穴あけし、このバイアホールとな
る穴の内部と絶縁層の表面を次の工程で行うめっきとの
密着性を高めるために粗化剤で粗化し、全面にめっきし
た後に、めっきを残す箇所にエッチングレジストを形成
し、エッチングレジストに覆われていない箇所をエッチ
ング除去して回路導体を形成する第３の方法が知られて
いる。

【０００７】さらに、金属箔の粗化面に樹脂を塗布して
半硬化状態とした絶縁層付き金属箔を、内層回路導体と
めっきスルーホールとが形成された内層回路板の表面に
重ね、加熱・加圧して積層一体化した後に、金属箔のバ
イアホールとなる箇所のみをエッチング除去して開口部
を形成し、その開口部にレーザー光を照射して絶縁層に
穴あけし、めっきを行ってバイアホールの穴の内部を金
属化した後、不要な箇所の金属をエッチング除去して回
路導体を形成する第４の方法が知られている。この方法
では、樹脂絶縁層を粗化剤で粗化することなく、樹脂絶
縁層と導体回路となる金属箔との接着強度を確保するこ
とができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
のうち、第２の方法では、回路の形成に、高温、高アル
カリ雰囲気で行う無電解めっきが必要となり、めっきレ
ジストにはこれに耐えうる樹脂を用いることが必要とな
り、現在ではそのようなめっきレジスト用の樹脂が知ら
れていないという課題がある。

【０００９】また、第１の方法と第２の方法と第３の方
法では、絶縁層にはその後の工程で行うめっきとの密着
性を高める程度の粗化剤に粗化される性質が必要であ
り、しかも、一般的に使用できる化学粗化剤で粗化の程
度を制御できなければならない。ところが、通常は絶縁
性と粗化の制御のし易さが両立する樹脂組成は知られて
いないので、粗化され易い充填材を加えて分散させた樹
脂組成や、絶縁層として絶縁性を有する層と粗化され易
い層とを併用する方法を用いなければならず、粗化され
易い充填材を加えて分散させた樹脂組成を用いた場合に
は、高い密着強度を得るために充填材の粒子径を大きく
すると、形成する回路導体の間隔を小さくできないとい
う課題があり、絶縁層として絶縁性を有する層と粗化さ
れ易い層とを併用した場合には、どうしても表面には絶
縁性の低い粗化され易い層を使用しなければならず、こ
の場合もまた、形成する回路導体の間隔を小さくできな
いという課題がある。

【００１０】第４の方法では、通常、接続信頼性を確保
するために、内層の回路導体と表面の回路導体とを接続
するためのめっきの厚さを１０μｍ以上とする必要があ
り、そのようにすると、同じ厚さのめっきが表面の金属
箔にも行われ、表面に形成する回路導体を形成するため
に、金属箔の厚さとめっきの厚さを加えた厚さをエッチ
ング除去しなければならず、より微細な回路導体の形成
が困難になるという課題がある。

【００１１】本発明は、微細な回路導体の形成が可能で
あり、かつ絶縁性と接続信頼性に優れたビルドアップ多
層配線板の製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明のビルドアップ多
層配線板の製造方法は、以下の工程を有することを特徴
とする。 ａ．回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有
する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材とをこの
順に、あるいは粗化面を有する極薄の金属層とキャリア
層からなる複層材の極薄の金属層に接する半硬化状の絶
縁層を形成したものを、半硬化状態の絶縁層が接するよ
うに重ね、加熱・加圧して、積層一体化する工程。 ｂ．第１の基板からキャリア層のみを除去する工程。 ｃ．粗化面を有する極薄の金属層の、バイアホールとな
る箇所のみをエッチング除去して開口部を形成する工
程。 ｄ．開口部に露出した硬化した絶縁層を、レーザー光を
照射して、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、
除去する工程。 ｅ．粗化面を有する極薄の金属層をエッチング除去する
工程。 ｆ．バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解め
っきを行う工程。 ｇ．基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体とな
る箇所を除いて、めっきレジストを形成する工程。 ｈ．めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっ
きを行う工程。 ｉ．めっきレジストを除去する工程。 ｊ．除去しためっきレジストの下にあった無電解めっき
を、エッチング除去する工程。

【００１３】粗化面を有する金属層の厚さは、０．１〜
１０μｍの範囲であることが好ましく、金属層の種類に
は、銅を用いることが好ましい。

【００１４】また、工程ｊで作製したビルドアップ多層
配線板を、回路基板とし、さらに工程ａ〜工程ｊを繰り
返し行うことによって、さらに多層化を行うこともでき
る。

【００１５】半硬化状態の絶縁層に、ガラスクロスなど
の強化繊維を含まない材料を用いることもできる。

【００１６】

【発明の実施の形態】（工程ａ）工程ａにおいて、半硬
化状の絶縁層には、レーザー光による穴あけが可能な樹
脂であればどのようなものでも使用でき、例えば、プリ
ント配線板に一般的に使用されているガラスクロスに、
半硬化性の樹脂を塗布したプリプレグを使用することが
でき、このプリプレグの樹脂には、エポキシ樹脂、変性
ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂等が使用でき、また、ガラ
スクロスのような強化繊維を含まないフィルム状の絶縁
層を用いることもでき、このような絶縁層の樹脂にも、
エポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等が使
用でき、レーザー光による穴あけは容易となるので好ま
しい。

【００１７】本発明に用いる、粗化面を有する金属層と
キャリア層から成る複層材において、キャリア層には、
Ｃｕ，Ａｌ等の汎用的で剥離可能な金属箔や弗素系の剥
離しやすいフィル材料やガラス板、鏡面仕上げステンレ
ス等の金属板を用いることができる。キャリア層が剥離
可能な金属箔の例としては、ピーラブル銅箔と呼ばれる
キャリア（銅箔）７０μｍ／銅箔９μｍのＤＯＵＢＬＥ
ＴＨＩＮ９／７０（古河サーキットフォイル株式会社
製、商品名）、アルミニウム箔をキャリアとし、銅箔と
複合化したピーラブル銅箔があり、あるいはまた、エッ
チング等で除去可能な２種類以上の金属層からなる複合
箔も使用することができ、例えば、キャリア（銅箔）／
中間（ニッケル）層／銅箔５μｍからなるＣＣＴ−ＦＯ
ＩＬ（日本電解株式会社製、商品名）等がある。取扱い
上の観点からこれら支持体の厚さは、１０μｍ以上であ
ることが好ましい。

【００１８】粗化面を有する金属層には、例えば、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂの他、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、はん
だ等の合金あるいはこれら２種類以上からなる複合箔を
用いることができ、粗化処理にも耐え得るものであれば
より好ましい。

【００１９】この金属層の厚さは、厚過ぎると、その後
の除去工程で、内層銅がエッチバックされ、接続信頼性
が低下するおそれがあり、薄い場合には、運搬などの取
り扱い時の衝撃で絶縁層に転写された粗化形状が損傷す
るおそれがあるので、加工条件に応じて最適のものを選
択する必要がある。例えば、金属層にＣｕを用いる場合
には、０．１〜１０μｍの範囲が好ましく、１〜５μｍ
の範囲がより好ましく、また、金属層にＮｉを用いた場
合には、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、１〜３μｍ
の範囲がより好ましい。

【００２０】（工程ｂ）複層材からキャリア層を除去す
るには、ピーラブル銅箔の場合は、手作業で剥離可能で
あり、また２種類以上の金属層からなる複合層の場合に
はエッチング除去することによって可能である。

【００２１】（工程ｃ）粗化面を有する金属層の、バイ
アホールとなる部分のみをエッチング除去して開口部を
形成するには、その開口部になる箇所を除いてエッチン
グレジストを形成し、開口部になる箇所のみをエッチン
グ除去することによって行うことができる。このときの
エッチング液には、塩化銅、塩化鉄、アルカリ性エッチ
ング液、過硫酸アンモニウム、硫酸−過酸化水素等の一
般的なエッチング液が使用でき、市販品としては、エッ
チング液ＳＥ−０７（三菱瓦斯化学株式会社製、商品
名）等が使用でき、エッチング方法には、エッチング液
に浸漬したり、エッチング液を噴霧することによって行
うことができる。

【００２２】（工程ｄ）粗化面を有する金属層に形成し
た開口部に露出した硬化した絶縁層を、回路基板の接続
させる回路導体が露出するまでレーザー光の照射によっ
て除去するには、ＣＯ₂レーザ、エキシマレーザ、ＵＶ
レーザ等が使用でき、その後、過マンガン酸塩等の酸化
性粗化液で、穴内部を洗浄することが好ましい。

【００２３】（工程ｅ）粗化面を有する金属層を除去す
るには、金属層がＣｕの場合、エッチング液としては、
塩化銅、塩化鉄、アルカリエッチ、過硫安、硫酸−過酸
化水素等が使用でき、金属層がＮｉの場合、エッチング
液としてメルストリップＮ−９５０（メルテックス株式
会社製、商品名）やニッケルストリッパーＢＲ（日本マ
クダーミッド株式会社製、商品名）等の市販品が使用で
きる。

【００２４】この金属層を除去するときに、除去する厚
さが薄いので、バイアホールとなる穴の底の回路基板の
導体回路の損傷は極わずかである。特に回路基板の回路
導体がＣｕで、金属層がＮｉの場合、Ｎｉのエッチング
液にＣｕが侵されにくく、損傷はほとんどない。

【００２５】（工程ｆ）バイアホールとなる穴の内部と
絶縁層の表面に、行う無電解めっきには、通常、プリン
ト配線板の製造に用いる、電気めっきの前処理として使
用される無電解めっきが使用でき、ＣＵＳＴ２０１（日
立化成工業株式会社製、商品名）、ＣＵＳＴ２０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）等の市販品が使用
できる。めっきの厚さは、次の工程の電気めっきが行え
る厚さであればよく、０．０１μｍ以上であることが好
ましく、銅めっきであれば１μｍでも十分である。

【００２６】（工程ｇ）無電解めっきを行った表面の、
バイアホールとなる穴の箇所及び導体回路となる箇所以
外の箇所にめっきレジストを形成する工程において、形
成するめっきレジストの厚さは、その後めっきする導体
の厚さと同程度か、より厚い膜厚とするのが好ましい。
このめっきレジストに使用できる樹脂には、感光性樹脂
として、ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業
株式会社製、商品名）のような液状レジストや、Ｈ−Ｗ
４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）、ＲＹ−３
０２５（日立化成工業株式会社製、商品名）等のドライ
フィルムが使用できる。

【００２７】（工程ｈ）めっきレジストが形成されてい
ない箇所に、行う電気めっきには、通常プリント配線板
で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸銅電気めっ
きが使用できる。なお、回路導体をめっきした後、特性
の安定化とレジスト剥離のしやすさの理由で、回路導体
をレジストの厚さとそろえるために、回路導体の表面を
ベルトサンダーで研磨することができ、この場合には、
めっきの厚さを、めっきレジストよりも厚くても良い。

【００２８】（工程ｉ）めっきレジストを除去するに
は、アルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥
離液を用いるによって行うことができる。

【００２９】（工程ｊ）めっきレジストを除去した箇所
の無電解めっきを、エッチング除去するには、塩化銅、
塩化鉄、アルカリ性エッチング液、過硫酸アンモニウ
ム、硫酸−過酸化水素等のエッチング液で、短時間に行
う。

【００３０】（作用）このように本発明では、感光性樹
脂でパターン形成後、電気銅めっきにより、導体回路形
成を行うため、微細な配線を形成することが可能であ
り、また、粗化形状を有する薄い金属層を使用している
ため、この金属層をエッチング除去した時、内層銅のエ
ッチバックが殆ど無く、そのため、内層接続信頼性に問
題は生じない。そして、金属層の粗化形状を絶縁層に転
写するため、特殊な粗化性を有する樹脂絶縁層を使用す
る必要もなく、優れた回路接着性と絶縁性を得ることが
できる。また、レーザでの穴あけ時に、極薄の金属層が
表面に存在するため、作業時に、粗化面を損傷すること
もなく、微細な回路形成が可能となる。

【００３１】

【実施例】実施例１ ・工程ａ 厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体１９を加工して内層
の回路基板１を作製し、図１（ａ）に示すように、極薄
の金属層とキャリア層からなる複層材として、キャリア
２０３（厚さ１８μｍの銅箔）／中間層２０２（厚さ
０．１μｍのニッケル）／厚さ５μｍの銅箔２０１から
なるＣＣＴ−ＦＯＩＬ（日本電解株式会社製、商品名）
の銅箔２０１の酸化処理して粗化した表面に、半硬化状
の絶縁層として、ＭＣＦ６０００Ｅ（日立化成工業株式
会社製、商品名）に用いる充填材の硼酸アルミニウムウ
イスカーを分散させたエポキシ樹脂ワニスを塗布して乾
燥して半硬化状としたエポキシ接着層３１を形成した、
複層金属箔付きエポキシ接着シートを、接着層３１が回
路基板１に接するように重ね、温度１７０℃、時間６０
分間、成形圧力２．５ＭＰａの積層条件で加熱・加圧し
て積層一体化し、第１の基板１１とした。 ・工程ｂ 図１（ｂ）に示すように、アンモニウム系アルカリエッ
チング液であるＡプロセス（メルテックス株式会社製、
商品名）を用いて、第１の基板１１のキャリア２０３を
エッチング除去し、さらにニッケルエッチング液である
メルストリップＮ−９５０（メルテックス株式会社製、
商品名）を用いて、中間層２０２であるニッケル層をエ
ッチング除去し、５μｍの銅箔２０１を残した。 ・工程ｃ 次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１の薄くした
銅箔２０１の表面にラミネートし、バイアホール４とな
る箇所にマスクパターンを形成したフォトマスクを介し
て紫外線を露光し、現像してエッチングレジストを形成
し、アンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプ
ロセス（メルテックス株式会社製、商品名）を噴霧し
て、バイアホール４となる部分のみ銅箔２０１をエッチ
ング除去して開口部４１を形成した。 ・工程ｄ 図１（ｄ）に示すように、前記のエッチングレジストを
３重量％の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去
した後、開口部４１に露出した硬化した絶縁層である硬
化したエポキシ接着層３０１を、炭酸ガスレーザで、周
波数１５０Ｈｚ、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ²、発振
時間１μ秒、４パルスの条件で、内層の回路基板１のバ
イアホール４で接続する箇所の回路導体１９が露出する
まで除去した。 ・工程ｅ その後、図１（ｅ）に示すように、過マンガン酸カリウ
ム水溶液でスミア除去処理を行った後、アンモニウム系
アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス（メルテック
ス株式会社製、商品名）を用いて、第１の基板１１の表
面の銅箔２０１を完全にエッチング除去した。 ・工程ｆ 図１（ｆ）に示すように、第１の基板１１の表面に触媒
化処理を行い、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会
社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件
で、無電解銅めっきを行い、厚さ１μｍの第１のめっき
銅５１を形成した。 ・工程ｇ 次に、図１（ｇ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１の第１のめ
っき銅５１の表面にラミネートし、電気めっきを行う箇
所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、
現像して、めっきレジスト６を形成した。 ・工程ｈ 次に、図１（ｈ）に示すように、電気銅めっきを１０μ
ｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５
０μｍ／５０μｍとなるように、第２のめっき銅７１
を、回路の形状に形成した。 ・工程ｉ 図１（ｉ）に示すように、めっきレジスト６を３重量％
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程ｊ 次に、図１（ｊ）に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株
式会社製、商品名）に、室温で１分間浸漬し、めっきレ
ジスト６の下に形成されていた第１のめっき銅５１をエ
ッチング除去した。

【００３２】実施例２ ・工程ａ 厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体１９を加工し、内層
の回路基板１を作製した。次に、図２（ａ）に示すよう
に、回路基板の両面上に、半硬化状の絶縁層として厚さ
４０μｍのエポキシフィルム３２であるＡＳ３０００
（日立化成工業株式会社製、商品名）と、極薄の金属層
とキャリア層からなる複層材として、ピーラブル銅箔と
呼ばれるキャリア２０３（厚さ７０μｍの銅箔）／厚さ
９μｍの銅箔２０１からなるＤＯＵＢＬＥＴＨＩＮ９／
７０（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名）の
銅箔２０１の酸化処理による粗化を行った表面がエポキ
シフィルム３２に接するように重ね、温度１７０℃、時
間６０分間、成形圧力４．０ＭＰａの条件で加熱・加圧
して積層一体化して、第１の基板１１とした。 ・工程ｂ 図２（ｂ）に示すように、積層一体化した後、第１の基
板１１の端部のキャリア２０３と銅箔２０１の境目にナ
イフの刃先を入れ、キャリア２０３を剥いて、キャリア
２０３と銅箔２０１のピーラブル面が現れた後一気にキ
ャリア２０３をはぎ取り、厚さが９μｍの銅箔２０１を
残した。 ・工程ｃ 次に、図２（ｃ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
ムフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１の薄い銅箔
２０１の表面にラミネートし、バイアホール４となる箇
所のみをマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光
し、現像してエッチングレジストを形成し、エッチング
レジストに覆われていない箇所を、アンモニウム系アル
カリ銅エッチング液であるＡプロセス（メルテックス株
式会社製、商品名）噴霧して、バイアホール４となる部
分のみ薄い銅箔２０１を除去し、開口部４１を形成し
た。その後は、実施例１と同様に行った。

【００３３】実施例３ ・工程ａ 厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の不要な
箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体１９を加工
し、内層の回路基板１を作製した。次に、図３（ａ）に
示すように、回路基板１の両面上に、半硬化状の絶縁層
として、厚さ０．１ｍｍのガラス布エポキシ樹脂製のプ
リプレグ３３であるＧＥＡ−６７９（日立化成工業株式
会社製、商品名）と、極薄の金属層とキャリア層からな
る複層材として、ピーラブル銅箔と呼ばれるキャリア２
０３（厚さ７０μｍの銅箔）／厚さ９μｍの銅箔２０１
からなるＤＯＵＢＬＥＴＨＩＮ９／７０（古河サーキッ
トフォイル株式会社製、商品名）の銅箔２０１の酸化処
理による粗化を行った表面がプリプレグ３３に接するよ
うに重ね、温度１７０℃、時間６０分間、成形圧力２．
５ＭＰａの条件で加熱・加圧して積層一体化して、第１
の基板１１とした。 ・工程ｂ 図３（ｂ）に示すように、積層一体化した後、第１の基
板１１の端部のキャリア２０３と銅箔２０１の境目にナ
イフの刃先を入れ、キャリア２０３を剥いて、キャリア
２０３と銅箔２０１のピーラブル面が現れた後一気にキ
ャリア２０３をはぎ取り、厚さが９μｍの銅箔２０１を
残した。 ・工程ｃ 次に、図３（ｃ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１の銅箔２０
１の表面にラミネートし、バイアホール４となる箇所に
マスクパターンを形成したフォトマスクを介して紫外線
を露光し、現像してエッチングレジストを形成し、アン
モニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス
（メルテックス株式会社製、商品名）を噴霧して、バイ
アホール４となる部分のみ銅箔２０１をエッチング除去
して開口部４１を形成した。 ・工程ｄ 図３（ｄ）に示すように、エッチングレジストを３重量
％の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した
後、開口部４１に露出した硬化した絶縁層である硬化し
たプリプレグ３０３を、炭酸ガスレーザで、周波数１５
０Ｈｚ、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ²、発振時間１μ
秒、６パルスの条件で、内層の回路基板１のバイアホー
ル４で接続する箇所の回路導体１９が露出するまで除去
した。その後は、実施例１と同様に行った。

【００３４】比較例１ ・工程ａ 厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の不要な
銅箔をエッチング除去して回路導体１９を加工して内層
の回路基板１を作製し、図４（ａ）に示すように、粗化
面を有する金属層として、一方の面を酸化処理して粗化
した厚さが１８μｍの銅箔２１であるＮＤＧＲ−１８
（日本電解株式会社製、商品名）を用い、その銅箔２１
の粗化面に、半硬化状の絶縁層として、厚さ４０μｍの
エポキシフィルム３２であるＡＳ３０００（日立化成工
業株式会社製、商品名）を用い、エポキシフィルム３２
が回路基板１に接するように重ね、温度１７０℃、時間
６０分間、成形圧力４．０ＭＰａの積層条件で加熱・加
圧して積層一体化し、第１の基板１１とした。 ・工程Ｂ１ 図４（Ｂ１）に示すように、積層一体化した後、塩化銅
エッチング液を用いて、銅箔２１を全てエッチング除去
した。 ・工程Ｄ１ 図４（Ｄ１）に示すように、銅箔２１を全てエッチング
除去した第１の基板１１のバイアホール４となる箇所の
硬化したエポキシフィルム３０２を、炭酸ガスレーザ
で、周波数１５０Ｈｚ、エネルギー密度２０Ｊ／ｃ
ｍ²、発振時間１μ秒、４パルスの条件で、内層の回路
基板１のバイアホール４で接続する箇所の回路導体１９
が露出するまで除去した。 ・工程Ｆ１ 図４（Ｆ１）に示すように、銅箔２１を全てエッチング
除去した第１の基板１１を、過マンガン酸カリウム水溶
液に浸漬してスミア除去処理を行った後、触媒化処理を
行い、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商
品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で、無電解
銅めっきを行い、厚さ１μｍの第３のめっき銅５２を形
成した。 ・工程ｇ 次に、図４（ｇ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１にラミネー
トし、電気めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスク
を介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト６
を形成した。 ・工程ｈ 次に、図４（ｈ）に示すように、電気銅めっきを１０μ
ｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５
０μｍ／５０μｍとなるように回路導体を形成した。 ・工程ｉ 図４（ｉ）に示すように、めっきレジスト６を３重量％
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程ｊ 次に、図４（ｊ）に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株
式会社製、商品名）に、室温で１分間浸漬し、めっきレ
ジスト６の下に形成されていた第３のめっき銅５２をエ
ッチング除去した。

【００３５】比較例２ ・工程ａ 厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍ
ｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ
−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の不要な
箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体１９を加工
し、内層の回路基板１を作製した。次に、図５（ａ）に
示すように、回路基板１の両面上に、半硬化状の絶縁層
として、厚さ４０μｍのエポキシフィルム３２であるＡ
Ｓ３０００（日立化成工業株式会社製、商品名）を用
い、エポキシフィルム３２と、粗化面を有する金属層と
して、一方の面を酸化処理して粗化した厚さ１８μｍの
銅箔２１であるＮＤＧＲ−１８（日本電解株式会社製、
商品名）とを、この順に、かつ銅箔２１の粗化面がエポ
キシフィルム３２に接するように重ね、温度１７０℃、
時間６０分間、成形圧力４．０ＭＰａの条件で、加熱・
加圧して積層一体化し、第１の基板１１とした。 ・工程Ｃ２ 次に、図５（Ｃ２）に示すように、フォトレジスト用ド
ライフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成
工業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１にラミネ
ートし、バイアホール４となる箇所にマスクパターンを
形成したフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像し
てエッチングレジストを形成し、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるＡプロセス（メルテックス株式
会社製、商品名）を噴霧して、バイアホール４となる部
分のみ銅箔２１をエッチング除去して開口部４１を形成
した。 ・工程Ｄ２ 図５（Ｄ２）に示すように、エッチングレジストを３重
量％の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した
後、開口部４１に露出した硬化した絶縁層である硬化し
たエポキシフィルム３０２を、炭酸ガスレーザで、周波
数１５０Ｈｚ、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ²、発振時
間１μ秒、４パルスの条件で、内層の回路基板１のバイ
アホール４で接続する箇所の回路導体１９が露出するま
で除去した。 ・工程Ｅ２ その後、図５（Ｅ２）に示すように、過マンガン酸カリ
ウム水溶液でスミア処理を行った後、塩化銅エッチング
液を用いて、第１の基板１１の表面の銅箔２１を全てエ
ッチング除去した。 ・工程ｆ 図５（ｆ）に示すように、第１の基板１１の表面の触媒
化処理を行い、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会
社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件
で、無電解銅めっきを行い、厚さ１μｍの第３のめっき
銅５２を形成した。 ・工程ｇ 次に、図５（ｇ）に示すように、フォトレジスト用ドラ
イフィルムであるフォテックＨ−Ｗ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）を、第１の基板１１にラミネー
トし、電気めっきを行う箇所をマスクしたフォトマスク
を介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト６
を形成した。 ・工程ｈ 次に、図５（ｈ）に示すように、電気銅めっきを１０μ
ｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５
０μｍ／５０μｍとなるように、第４のめっき銅７２を
回路の形状に形成した。 ・工程ｉ 図５（ｉ）に示すように、めっきレジスト６を３重量％
の炭酸水素ナトリウム溶液により溶解して除去した。 ・工程ｊ 次に、図５（ｊ）に示すように、アンモニウム系アルカ
リ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株
式会社製、商品名）に、室温で１分間浸漬し、めっきレ
ジスト６の下に形成されていた第４のめっき銅７２をエ
ッチング除去した。

【００３６】（ホットオイル試験）以上のようにして、
ビルドアップ多層配線板を作製した後、層間の接続信頼
性を評価するため、ホットオイル試験を行った。このホ
ットオイル試験は、２６０℃・１０秒／室温１０秒を１
サイクルとして、抵抗上昇率を１０サイクル毎に測定
し、抵抗上昇率が１０％以上になるサイクル数を調べ
た。この結果を表１に示す。 （回路欠陥発生率）また、配線板表面に作製したＬ／Ｓ
＝５０／５０μｍの導体回路の形成状態を調べるため、
自動検査装置を用い、断線、ショート、ヘコミ等の回路
欠陥の発生率を求めた。回路欠陥は、導体の幅が、設計
値の２／３以下に細くなっている箇所が導体幅の長さ以
上にあるのを欠陥とし、また、導体間隔が設計値の２／
３以下に細くなっている箇所が導体幅の長さ以上にある
のも欠陥とし、設計値の回路面積に対する欠陥個所の面
積の合計を割合として算出した。この結果を表１に示
す。

【００３７】比較例１の場合、ホットオイル試験では５
０サイクル以上でも問題ないものの、表面回路の欠陥の
発生率は５％であり、回路形成性に問題があった。比較
例２の場合、ホットオイル試験では１０サイクルで抵抗
上昇率が１０％に達し、接続信頼性が不十分であった。
バイアホール断面を観察したところ、内層銅にネガティ
ブエッチバックが認められた。以上の結果より、本発明
による多層配線板は、回路形成性にも優れ、さらに層間
接続信頼性も十分であることがわかった。

【００３８】

【表１】

【００３９】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、従来の方法に比べて、回路形成性にも優れ、さらに
層間接続信頼性も問題無い多層配線板を、効率良くかつ
経済的に製造する方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｊ）は、本発明の一実施例を示す各
工程における断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の他の実施例を示す
工程における断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のさらに他の実施例
を示す工程における断面図である。

【図４】（ａ）、（Ｂ１）、（Ｄ１）、（Ｆ１）、
（ｇ）〜（ｊ）は、従来例を示す各工程における断面図
である。

【図５】（ａ）、（Ｃ２）、（Ｄ２）、（Ｅ２）、
（ｆ）〜（ｊ）は、他の従来例を示す各工程における断
面図である。

【符号の説明】

１．回路基板 １１．第１の基板 １９．回路導体 ２１．銅箔 ２０１．銅箔 ２０２．中間層 ２０３．キャリア ３１．エポキシ接着層 ３０１．硬化したエポキシ接着層 ３２．エポキシフィルム ３０２．硬化したエポキシフィルム ３３．プリプレグ ３０３．硬化したプリプレグ ４．バイアホール ４１．開口部 ５１．第１のめっき銅 ５２．第３のめっき銅 ６．めっきレジスト ７１．第２のめっき銅 ７２．第４のめっき銅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯野 雅司 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 伊藤 豊樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 菅野 雅雄 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 品田 詠逸 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 島山 裕一 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 BB01 CC08 CC32 CC52 CC54 CC58 DD02 DD25 DD33 DD47 EE33 FF07 FF15 GG15 GG17 GG22 GG23 GG28 HH07 HH08 HH24 HH26

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】以下の工程を有することを特徴とするビル
   ドアップ多層配線板の製造方法。 ａ．回路基板上に、半硬化状態の絶縁層と、粗化面を有
   する極薄の金属層とキャリア層からなる複層材とをこの
   順に、あるいは粗化面を有する極薄の金属層とキャリア
   層からなる複層材の極薄の金属層に接する半硬化状の絶
   縁層を形成したものを、半硬化状態の絶縁層が接するよ
   うに重ね、加熱・加圧して、積層一体化する工程。 ｂ．第１の基板からキャリア層のみを除去する工程。 ｃ．粗化面を有する極薄の金属層の、バイアホールとな
   る箇所のみをエッチング除去して開口部を形成する工
   程。 ｄ．開口部に露出した硬化した絶縁層を、レーザー光を
   照射して、内部の回路基板の回路導体が露出するまで、
   除去する工程。 ｅ．粗化面を有する極薄の金属層をエッチング除去する
   工程。 ｆ．バイアホールとなる穴の内壁と基板表面に無電解め
   っきを行う工程。 ｇ．基板表面のバイアホールとなる箇所と回路導体とな
   る箇所を除いて、めっきレジストを形成する工程。 ｈ．めっきレジストで覆われていない箇所に、電気めっ
   きを行う工程。 ｉ．めっきレジストを除去する工程。 ｊ．除去しためっきレジストの下にあった無電解めっき
   を、エッチング除去する工程。
2. 【請求項２】粗化面を有する金属層の厚さが、０．１〜
   １０μｍの範囲の金属層を用いることを特徴とする請求
   項１に記載のビルドアップ多層配線板の製造方法。
3. 【請求項３】粗化面を有する金属層に、銅を用いること
   を特徴とする請求項１または２に記載のビルドアップ多
   層配線板の製造方法。
4. 【請求項４】工程ｊで作製したビルドアップ多層配線板
   を、回路基板とし、さらに工程ａ〜工程ｊを繰り返し行
   うことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載
   されたビルドアップ多層配線板の製造方法。
5. 【請求項５】半硬化状態の絶縁層として、ガラスクロス
   などの強化繊維を含まない材料を用いることを特徴とす
   る請求項１〜４のうちいずれかに記載のビルドアップ多
   層配線板の構造方法。