JP3222097B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザにより開
口部を穿設し、該開口部にめっき膜を生成することでバ
イアホールを形成するプリント配線板の製造方法に関す
るものである。
口部を穿設し、該開口部にめっき膜を生成することでバ
イアホールを形成するプリント配線板の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】樹脂絶縁層の表面に導体層を形成し、そ
の導体層の一部にエッチングにより開口を設け、この開
口にレーザを照射して樹脂絶縁層に孔を開ける、いわゆ
るコンフォーマルマスクを用いるプリント配線板の製造
方法として、特公平４−３６７６号が提案されている。
の導体層の一部にエッチングにより開口を設け、この開
口にレーザを照射して樹脂絶縁層に孔を開ける、いわゆ
るコンフォーマルマスクを用いるプリント配線板の製造
方法として、特公平４−３６７６号が提案されている。
【０００３】このコンフォーマルマスクを用いるバイア
ホールの形成方法について、図５を参照して説明する。
まず、図５（Ａ）に示す基板１２０の片側に１８μｍ〜
１２μｍの銅箔１２２がラミネートされてなる片側銅張
積層板１２０ａを出発材料とし、図５（Ｂ）に示すよう
に該片側銅張積層板１２０ａを２枚張り合わせる。次
に、感光性樹脂を均一に該基板１２０に塗付した後、露
光・現像してバイアホール用の開口１２４ａを有するレ
ジスト１２４を形成する（図５（Ｃ））。その後、エッ
チングにより該開口部１２４ａに対応させて銅箔１２２
を除去し開口１２２ａを形成してから、レジスト１２４
を剥膜する（図５（Ｄ））。引き続き、該銅箔１２２の
開口部１２２ａからレーザ光を照射し、即ち、該銅箔１
２２をマスクとして用いて基板１２０にバイアホール形
成用開口１２０ａを形成した後、該開口１２０ａ内をデ
スミア処理し、開口１２０ａ内の樹脂を完全に除去する
（図５（Ｅ））。そして、触媒核を付与してから、無電
解銅めっきを行い２μｍ程度の無電解めっき膜１４０を
析出させる（図５（Ｆ））。その後、所定パターンにレ
ジスト１４２を形成した後（図５（Ｇ））、電解めっき
により電解めっき膜１４４をレジスト１４２の非形成部
に形成する（図５（Ｈ））。そして、レジスト１４２を
剥膜した後、該レジスト下の無電解めっき膜１４０及び
銅箔１２２をパターンエッチングにて除去することでバ
イアホール１４８及び導体回路１４６を完成している
（図５（Ｉ））。
ホールの形成方法について、図５を参照して説明する。
まず、図５（Ａ）に示す基板１２０の片側に１８μｍ〜
１２μｍの銅箔１２２がラミネートされてなる片側銅張
積層板１２０ａを出発材料とし、図５（Ｂ）に示すよう
に該片側銅張積層板１２０ａを２枚張り合わせる。次
に、感光性樹脂を均一に該基板１２０に塗付した後、露
光・現像してバイアホール用の開口１２４ａを有するレ
ジスト１２４を形成する（図５（Ｃ））。その後、エッ
チングにより該開口部１２４ａに対応させて銅箔１２２
を除去し開口１２２ａを形成してから、レジスト１２４
を剥膜する（図５（Ｄ））。引き続き、該銅箔１２２の
開口部１２２ａからレーザ光を照射し、即ち、該銅箔１
２２をマスクとして用いて基板１２０にバイアホール形
成用開口１２０ａを形成した後、該開口１２０ａ内をデ
スミア処理し、開口１２０ａ内の樹脂を完全に除去する
（図５（Ｅ））。そして、触媒核を付与してから、無電
解銅めっきを行い２μｍ程度の無電解めっき膜１４０を
析出させる（図５（Ｆ））。その後、所定パターンにレ
ジスト１４２を形成した後（図５（Ｇ））、電解めっき
により電解めっき膜１４４をレジスト１４２の非形成部
に形成する（図５（Ｈ））。そして、レジスト１４２を
剥膜した後、該レジスト下の無電解めっき膜１４０及び
銅箔１２２をパターンエッチングにて除去することでバ
イアホール１４８及び導体回路１４６を完成している
（図５（Ｉ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術では、１２μｍ〜１８μｍと厚みのある銅箔１２
２をコンフォーマルマスクとして使用するため、ファイ
ンピッチの導体回路１４８を形成することができなかっ
た。即ち、図５（Ｈ）及び図５（Ｉ）を参照して上述し
たように電解めっき膜１４４を形成した後、レジスト１
４２下の無電解めっき膜１４０（０．１〜５μｍ）及び
銅箔１２２（１２μｍ〜１８μｍ）を除去しなければな
らないため、導体回路１４８の幅Ｗ１を、除去する厚み
（２μｍ＋１２μｍ〜１８μｍ）よりも狭くすることが
できなかった。
た技術では、１２μｍ〜１８μｍと厚みのある銅箔１２
２をコンフォーマルマスクとして使用するため、ファイ
ンピッチの導体回路１４８を形成することができなかっ
た。即ち、図５（Ｈ）及び図５（Ｉ）を参照して上述し
たように電解めっき膜１４４を形成した後、レジスト１
４２下の無電解めっき膜１４０（０．１〜５μｍ）及び
銅箔１２２（１２μｍ〜１８μｍ）を除去しなければな
らないため、導体回路１４８の幅Ｗ１を、除去する厚み
（２μｍ＋１２μｍ〜１８μｍ）よりも狭くすることが
できなかった。
【０００５】同様に、厚みのある銅箔１２２をコンフォ
ーマルマスクとして使用するため、微細な孔径のバイア
ホールを形成することができなかった。即ち、レジスト
１４２下の無電解めっき膜（２μｍ）及び銅箔（１２μ
ｍ〜１８μｍ）を除去しなければならないため、電解め
っき膜１４４の厚みＷ２をあまり薄くすることができな
いため、バイアホールの直径Ｗ３を該厚みＷ２の２倍以
下にすることが困難であった。
ーマルマスクとして使用するため、微細な孔径のバイア
ホールを形成することができなかった。即ち、レジスト
１４２下の無電解めっき膜（２μｍ）及び銅箔（１２μ
ｍ〜１８μｍ）を除去しなければならないため、電解め
っき膜１４４の厚みＷ２をあまり薄くすることができな
いため、バイアホールの直径Ｗ３を該厚みＷ２の２倍以
下にすることが困難であった。
【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、コンフ
ォーマルマスクを用いて微細な孔径のバイアホールを形
成し得るプリント配線板の製造方法を提案することにあ
る。
なされたものであり、その目的とするところは、コンフ
ォーマルマスクを用いて微細な孔径のバイアホールを形
成し得るプリント配線板の製造方法を提案することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線板
の製造方法は、上記目的を達成するため、以下の（ａ）
〜（ｉ）の工程を含むことを技術的特徴をする。 （ａ）導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を形成する工
程。 （ｂ）前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程。 （ｃ）前記導体層形成基板の表面に第１の無電解めっき
膜を形成する工程。 （ｄ）前記無電解めっき膜に開口を設ける工程。 （ｅ）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層を除去してバイアホール形成用の開口を設ける工程。 （ｆ）第２の無電解めっき膜を前記導体層形成基板の全
面に形成する工程。 （ｇ）前記導体層形成基板にめっきレジストを形成する
工程。 （ｈ）前記めっきレジスト非形成部に電解めっきを施す
工程。 （ｉ）前記めっきレジストを除去し、めっきレジスト下
の第１及び第２無電解めっき膜をエッチングして除去す
る工程。
の製造方法は、上記目的を達成するため、以下の（ａ）
〜（ｉ）の工程を含むことを技術的特徴をする。 （ａ）導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を形成する工
程。 （ｂ）前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程。 （ｃ）前記導体層形成基板の表面に第１の無電解めっき
膜を形成する工程。 （ｄ）前記無電解めっき膜に開口を設ける工程。 （ｅ）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層を除去してバイアホール形成用の開口を設ける工程。 （ｆ）第２の無電解めっき膜を前記導体層形成基板の全
面に形成する工程。 （ｇ）前記導体層形成基板にめっきレジストを形成する
工程。 （ｈ）前記めっきレジスト非形成部に電解めっきを施す
工程。 （ｉ）前記めっきレジストを除去し、めっきレジスト下
の第１及び第２無電解めっき膜をエッチングして除去す
る工程。
【０００８】上記目的を達成するため、請求項２のプリ
ント配線板の製造方法では、前記導体層形成基板に層間
樹脂絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶
解可能な相の含まれる樹脂を用い、前記層間樹脂絶縁層
の表面を粗化する工程において、化成処理液を用いるこ
とを技術的特徴とする。
ント配線板の製造方法では、前記導体層形成基板に層間
樹脂絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶
解可能な相の含まれる樹脂を用い、前記層間樹脂絶縁層
の表面を粗化する工程において、化成処理液を用いるこ
とを技術的特徴とする。
【０００９】上記目的を達成するため、請求項３のプリ
ント配線板の製造方法では、前記層間樹脂絶縁層の表面
を粗化する工程において、層間樹脂絶縁層を形成し、つ
いで表面が粗化処理された金属箔を圧着せしめ、さらに
該金属箔をエッチングして除去することを技術的特徴と
する。
ント配線板の製造方法では、前記層間樹脂絶縁層の表面
を粗化する工程において、層間樹脂絶縁層を形成し、つ
いで表面が粗化処理された金属箔を圧着せしめ、さらに
該金属箔をエッチングして除去することを技術的特徴と
する。
【００１０】上記目的を達成するため、請求項４のプリ
ント配線板の製造方法では、前記第１及び第２無電解め
っき膜を２μｍ以下に形成することを技術的特徴とす
る。
ント配線板の製造方法では、前記第１及び第２無電解め
っき膜を２μｍ以下に形成することを技術的特徴とす
る。
【００１１】また、本発明は、好適な態様において、前
記導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を形成する工程にお
いて、化成処理により溶解可能な粒子の含まれる樹脂を
用い、前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程におい
て、化成処理液を用いることが可能である。
記導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を形成する工程にお
いて、化成処理により溶解可能な粒子の含まれる樹脂を
用い、前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程におい
て、化成処理液を用いることが可能である。
【００１２】また、本発明は、好適な態様において、第
１及び第２無電解めっき膜を２μｍ以下に形成すること
ができる。
１及び第２無電解めっき膜を２μｍ以下に形成すること
ができる。
【００１３】本発明では、第１の無電解めっき膜をコン
フォーマルマスクとして用い、レーザによりバイアホー
ル用開口を設け、第２の無電解めっき層の上に電解めっ
き層を設ける。導体回路及びバイアホールを形成する際
に、レジスト下層の第１、第２無電解めっき層をエッチ
ングで除去するが、両めっき層が無電解めっきにより析
出された薄い膜であり容易に除去できるので、該エッチ
ングの際に導体回路及びバイアホールを形成する電解め
っき層を浸食することがない。このため、ファインピッ
チな配線及び微細な孔径のバイアホールを形成すること
が可能となる。
フォーマルマスクとして用い、レーザによりバイアホー
ル用開口を設け、第２の無電解めっき層の上に電解めっ
き層を設ける。導体回路及びバイアホールを形成する際
に、レジスト下層の第１、第２無電解めっき層をエッチ
ングで除去するが、両めっき層が無電解めっきにより析
出された薄い膜であり容易に除去できるので、該エッチ
ングの際に導体回路及びバイアホールを形成する電解め
っき層を浸食することがない。このため、ファインピッ
チな配線及び微細な孔径のバイアホールを形成すること
が可能となる。
【００１４】請求項２では、導体層形成基板に層間樹脂
絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶解可
能な粒子が含まれる樹脂を用い、化成処理液を用いて該
粒子を溶解することで、層間樹脂絶縁層を粗面化する。
このため、該層間樹脂絶縁層の表面に第１の無電解めっ
き膜を形成する際に、該第１無電解めっき膜を高い密着
性を持たせて形成することができる。
絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶解可
能な粒子が含まれる樹脂を用い、化成処理液を用いて該
粒子を溶解することで、層間樹脂絶縁層を粗面化する。
このため、該層間樹脂絶縁層の表面に第１の無電解めっ
き膜を形成する際に、該第１無電解めっき膜を高い密着
性を持たせて形成することができる。
【００１５】請求項３では、層間樹脂絶縁層を形成し、
ついで表面が粗化処理された金属箔を圧着せしめ、さら
に該金属箔をエッチングして除去することにより、金属
箔の粗化面を樹脂絶縁層表面に転写するものである。
ついで表面が粗化処理された金属箔を圧着せしめ、さら
に該金属箔をエッチングして除去することにより、金属
箔の粗化面を樹脂絶縁層表面に転写するものである。
【００１６】請求項４では、導体回路及びバイアホール
を形成する際に、不要部分の第１、第２無電解めっき層
をエッチングで除去するが、両めっき層が２μｍ以下の
厚みであり容易に除去できるので、該エッチングの際に
導体回路及びバイアホールを形成する電解めっき層を浸
食することがない。このため、ファインピッチな配線及
び微細な孔径のバイアホールを形成することが可能とな
る。
を形成する際に、不要部分の第１、第２無電解めっき層
をエッチングで除去するが、両めっき層が２μｍ以下の
厚みであり容易に除去できるので、該エッチングの際に
導体回路及びバイアホールを形成する電解めっき層を浸
食することがない。このため、ファインピッチな配線及
び微細な孔径のバイアホールを形成することが可能とな
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。ここでは、先ず、プリント配線板に用いる無電解
めっき用接着剤組成物の調製について説明する。 （ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量２５００）３５重量部、消泡剤（サンノプコ
製 Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を
撹拌混合する。 （ｂ）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、
エポキシ樹脂粒子（三洋化成製 商品名 ポリマーポー
ル）の平均粒径１．０μｍを７．２重量部、平均粒径
０．５μｍのものを３．０９重量部を混合した後、さら
にＮＭＰ３０重量部を添加し、３本ローラーで撹拌混合
する。 （ｃ）イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４
ＭＺ−ＣＮ）２重量部、ＮＭＰｌ．５重量部を撹拌混合
する。 これらを混合して無電解めっき用接着剤組成物を得る。
るプリント配線板の製造方法について図を参照して説明
する。ここでは、先ず、プリント配線板に用いる無電解
めっき用接着剤組成物の調製について説明する。 （ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量２５００）３５重量部、消泡剤（サンノプコ
製 Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を
撹拌混合する。 （ｂ）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、
エポキシ樹脂粒子（三洋化成製 商品名 ポリマーポー
ル）の平均粒径１．０μｍを７．２重量部、平均粒径
０．５μｍのものを３．０９重量部を混合した後、さら
にＮＭＰ３０重量部を添加し、３本ローラーで撹拌混合
する。 （ｃ）イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４
ＭＺ−ＣＮ）２重量部、ＮＭＰｌ．５重量部を撹拌混合
する。 これらを混合して無電解めっき用接着剤組成物を得る。
【００１８】一方、該無電解めっき用接着剤組成物の下
層に塗布する下層用感光性接着剤を用意する。ここで
は、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解した濃度８０ｍｏｌ％クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）３５重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
２重量部、これらの混合物に対し、エポキシ樹脂粒子
（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍ
のものを１４．４９重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ
−６５）０．５重量部を混合した後、さらにＮＭＰ３０
重量部を添加しながら混合して粘度１．５Ｐａ・ｓの層
間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。
層に塗布する下層用感光性接着剤を用意する。ここで
は、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル）に溶解した濃度８０ｍｏｌ％クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量２５００）３５重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、
イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
２重量部、これらの混合物に対し、エポキシ樹脂粒子
（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍ
のものを１４．４９重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ
−６５）０．５重量部を混合した後、さらにＮＭＰ３０
重量部を添加しながら混合して粘度１．５Ｐａ・ｓの層
間樹脂絶縁剤（下層用）を得る。
【００１９】引き続き、図１〜図４を参照して第１実施
形態のプリント配線板の製造工程について説明する。 （１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビ
スマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板２０の両面
に１８μｍの銅箔２２がラミネートされている銅張積層
板２０ａを出発材料として用いる（図１（Ａ））。
形態のプリント配線板の製造工程について説明する。 （１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビ
スマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板２０の両面
に１８μｍの銅箔２２がラミネートされている銅張積層
板２０ａを出発材料として用いる（図１（Ａ））。
【００２０】（２）基板２０を水洗いし、乾燥した後、
ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）と
し、全表面に粗化層２３を設ける（図１（Ｂ））。
ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／
ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）と
し、全表面に粗化層２３を設ける（図１（Ｂ））。
【００２１】（３）基板の両面に、上述した工程により
調整した下層用感光性接着剤（層間樹脂絶縁剤（粘度
１．５Ｐａ・ｓ））をロールコータで塗布し、水平状態
で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行
う。次に、上述した工程により調整した無電解めっき用
接着剤をロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０
分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、１０
０℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理をす
ることにより、厚さ２０μｍの接着剤層２６を形成する
（図１（Ｃ））。
調整した下層用感光性接着剤（層間樹脂絶縁剤（粘度
１．５Ｐａ・ｓ））をロールコータで塗布し、水平状態
で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行
う。次に、上述した工程により調整した無電解めっき用
接着剤をロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０
分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、１０
０℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理をす
ることにより、厚さ２０μｍの接着剤層２６を形成する
（図１（Ｃ））。
【００２２】（４）上述した処理を施した基板２０を、
８００ｇ／ｌのクロム酸に７０℃で１５分間浸漬して、
樹脂粒子を溶解除去して表面を粗化し、深さ３μｍの粗
化面２８を得る（図１（Ｄ））。その後、中和溶液（シ
プレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面
化処理した該基板２０の表面に、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２６
の表面に触媒核を付ける。
８００ｇ／ｌのクロム酸に７０℃で１５分間浸漬して、
樹脂粒子を溶解除去して表面を粗化し、深さ３μｍの粗
化面２８を得る（図１（Ｄ））。その後、中和溶液（シ
プレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面
化処理した該基板２０の表面に、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２６
の表面に触媒核を付ける。
【００２３】（５）以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板２０を浸漬して、粗面全体に厚さ１．６μｍの無電
解銅めっき膜３０を形成する（図２（Ｅ））。上述した
ように樹脂粒子を化成処理により溶解除去して層間樹脂
絶縁層２６の表面を蛸壺状に粗化してあるため、該無電
解めっき膜３０を高い接着力で形成することができる。 無電解めっき液 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／l 硫酸銅 ２０ ｇ／l ＨＣＨＯ ３０ｍｌ／l ＮａＯＨ ４０ ｇ／l α、α’−ビピリジル ８０ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ０．１ｇ／ｌ 無電解めっき条件 ７０℃の液温度で３０分
基板２０を浸漬して、粗面全体に厚さ１．６μｍの無電
解銅めっき膜３０を形成する（図２（Ｅ））。上述した
ように樹脂粒子を化成処理により溶解除去して層間樹脂
絶縁層２６の表面を蛸壺状に粗化してあるため、該無電
解めっき膜３０を高い接着力で形成することができる。 無電解めっき液 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／l 硫酸銅 ２０ ｇ／l ＨＣＨＯ ３０ｍｌ／l ＮａＯＨ ４０ ｇ／l α、α’−ビピリジル ８０ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ０．１ｇ／ｌ 無電解めっき条件 ７０℃の液温度で３０分
【００２４】（６）市販の感光性ドライフィルムを無電
解銅めっき膜に張り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト３２を設ける
（図２（Ｆ））。
解銅めっき膜に張り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ2 で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト３２を設ける
（図２（Ｆ））。
【００２５】（７）硫酸−過酸化水素水溶液によりバイ
アホール形成位置の無電解めっき膜３０を除去して直径
２０μｍの開口３０ａを設ける（図２（Ｇ））。ついで
水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジスト３２を剥
離する（図２（Ｈ））。
アホール形成位置の無電解めっき膜３０を除去して直径
２０μｍの開口３０ａを設ける（図２（Ｇ））。ついで
水酸化ナトリウム水溶液でエッチングレジスト３２を剥
離する（図２（Ｈ））。
【００２６】（８）炭酸ガスレーザにて、無電解めっき
膜３２の開口３０ａから露出する樹脂２６を除去して、
直径２０μｍのバイアホール用の開口２６ａを設け、銅
箔２２面を露出させる（図３（Ｉ））。即ち、厚み１．
６μｍの無電解めっき膜３２をコンフォーマルマスクと
して用い、レーザにより開口２６ａを穿設する。ここ
で、該炭酸ガスレーザの照射は、それぞれの無電解めっ
き膜３２の開口３０ａに向けて、一穴毎に照射すること
も、或いは、プリント配線板全体を走査するようにレー
ザを照射し、無電解めっき膜３２の各開口３０ａ下の樹
脂２６を除去することも可能である。またビーム径は、
開口径の１．３倍以上がよい。さらに開口３０ａを形成
した後、デスミア処理してもよい。 （９）触媒核付与後に、上述した（５）の工程で用いた
無電解めっき用の液に再び浸漬し、全面に厚み２μｍ以
下の無電解めっき膜４０を析出させる（図３（Ｊ））。
膜３２の開口３０ａから露出する樹脂２６を除去して、
直径２０μｍのバイアホール用の開口２６ａを設け、銅
箔２２面を露出させる（図３（Ｉ））。即ち、厚み１．
６μｍの無電解めっき膜３２をコンフォーマルマスクと
して用い、レーザにより開口２６ａを穿設する。ここ
で、該炭酸ガスレーザの照射は、それぞれの無電解めっ
き膜３２の開口３０ａに向けて、一穴毎に照射すること
も、或いは、プリント配線板全体を走査するようにレー
ザを照射し、無電解めっき膜３２の各開口３０ａ下の樹
脂２６を除去することも可能である。またビーム径は、
開口径の１．３倍以上がよい。さらに開口３０ａを形成
した後、デスミア処理してもよい。 （９）触媒核付与後に、上述した（５）の工程で用いた
無電解めっき用の液に再び浸漬し、全面に厚み２μｍ以
下の無電解めっき膜４０を析出させる（図３（Ｊ））。
【００２７】（１０）市販の感光性ドライフィルム３４
を無電解銅めっき膜３０に張り付け、所定位置に黒点３
６ａの設けられたマスク３６を載置して、１００ｍＪ／
ｃｍ2で露光する（図３（Ｋ））。その後、０．８％炭
酸ナトリウムで現像処理し非露光部分を除去して、厚さ
２０μｍのめっきレジスト３８を設ける（図３
（Ｌ））。
を無電解銅めっき膜３０に張り付け、所定位置に黒点３
６ａの設けられたマスク３６を載置して、１００ｍＪ／
ｃｍ2で露光する（図３（Ｋ））。その後、０．８％炭
酸ナトリウムで現像処理し非露光部分を除去して、厚さ
２０μｍのめっきレジスト３８を設ける（図３
（Ｌ））。
【００２８】（１１）ついで、以下の条件で電解銅めっ
きを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４４を形成す
る（図４（Ｍ））。 電解めっき液 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製 商品名カパラシドＧ
Ｌ）１ｍｌ／ｌ 電解めっき条件 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 ３０分 温度 室温
きを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜４４を形成す
る（図４（Ｍ））。 電解めっき液 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製 商品名カパラシドＧ
Ｌ）１ｍｌ／ｌ 電解めっき条件 電流密度 １Ａ／ｄｍ2 時間 ３０分 温度 室温
【００２９】（１２）めっきレジスト３８を５％ＫＯＨ
で剥離除去し（図４（Ｎ））、その後、硫酸と過酸化水
素混合液でエッチングを行い、めっきレジスト３８の下
側にあった無電解めっき膜３０、４０を溶解除去して無
電解銅めっき膜３０、４０と電解銅めっき膜４４からな
る厚さ１８μｍの導体回路４６、バイアホール４８を形
成する（図４（Ｏ））。さらに、７０℃で８００ｇ／ｌ
のクロム酸に３分間浸漬して、導体回路間の無電解めっ
き用接着剤層２６表面を１μｍエッチング処理し、表面
のパラジウム触媒を除去する。これは、図中に便宜上導
体回路４６を１本のみ示すが、実際のプリント配線板上
には多数の導体回路が形成されているため、これら導体
回路間の絶縁性を確保するためエッチング処理である。
これにより、パターン幅２０μｍ程度のファインパター
ンの導体回路４６が得られる。更に上述した工程を繰り
返し、配線層をビルトアップすることにより多層プリン
ト配線板を完成する。
で剥離除去し（図４（Ｎ））、その後、硫酸と過酸化水
素混合液でエッチングを行い、めっきレジスト３８の下
側にあった無電解めっき膜３０、４０を溶解除去して無
電解銅めっき膜３０、４０と電解銅めっき膜４４からな
る厚さ１８μｍの導体回路４６、バイアホール４８を形
成する（図４（Ｏ））。さらに、７０℃で８００ｇ／ｌ
のクロム酸に３分間浸漬して、導体回路間の無電解めっ
き用接着剤層２６表面を１μｍエッチング処理し、表面
のパラジウム触媒を除去する。これは、図中に便宜上導
体回路４６を１本のみ示すが、実際のプリント配線板上
には多数の導体回路が形成されているため、これら導体
回路間の絶縁性を確保するためエッチング処理である。
これにより、パターン幅２０μｍ程度のファインパター
ンの導体回路４６が得られる。更に上述した工程を繰り
返し、配線層をビルトアップすることにより多層プリン
ト配線板を完成する。
【００３０】この実施形態では、コンフォーマルマスク
に用いる金属膜を無電解めっきにて粗面化した層間樹脂
絶縁層２６上に析出するため、該コンフォーマルマスク
（無電解めっき膜３０）を薄く、且つ、該層間樹脂絶縁
層２６に高い密着性で形成することができる。ここで、
該無電解めっき膜３０の密着性が高いため、該無電解め
っき膜３０の上に電解めっき層４４を形成して成るバイ
アホール４８及び導体回路４６に高い信頼性を持たせる
ことができる。また、該コンフォーマルマスク（無電解
めっき膜３０）を薄く形成するため、導体回路４６及び
バイアホール４８を形成する際に、不要部分の無電解め
っき層３０をエッチングで除去するが、めっき層３０を
薄く形成してあるため容易に除去でき、該エッチングの
際に導体回路４６及びバイアホール４８を形成する電解
めっき層４４を大きく浸食することがない。このため、
ファインピッチな配線及び微細な孔径のバイアホールを
形成することが可能となる。
に用いる金属膜を無電解めっきにて粗面化した層間樹脂
絶縁層２６上に析出するため、該コンフォーマルマスク
（無電解めっき膜３０）を薄く、且つ、該層間樹脂絶縁
層２６に高い密着性で形成することができる。ここで、
該無電解めっき膜３０の密着性が高いため、該無電解め
っき膜３０の上に電解めっき層４４を形成して成るバイ
アホール４８及び導体回路４６に高い信頼性を持たせる
ことができる。また、該コンフォーマルマスク（無電解
めっき膜３０）を薄く形成するため、導体回路４６及び
バイアホール４８を形成する際に、不要部分の無電解め
っき層３０をエッチングで除去するが、めっき層３０を
薄く形成してあるため容易に除去でき、該エッチングの
際に導体回路４６及びバイアホール４８を形成する電解
めっき層４４を大きく浸食することがない。このため、
ファインピッチな配線及び微細な孔径のバイアホールを
形成することが可能となる。
【００３１】なおここで、不要部分を除去する無電解め
っき膜３０、４０は、エッチングが容易なように２．０
μｍ以下の厚みであることが望ましい。
っき膜３０、４０は、エッチングが容易なように２．０
μｍ以下の厚みであることが望ましい。
【００３２】また、層間樹脂絶縁層表面を粗化するため
に、厚さ１２〜１８μｍの銅箔などの金属箔の表面を粗
化処理して、この粗化面を転写する方法も採用できる。
例えば、銅箔表面を次亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／
ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸ナトリ
ウム（１２ｇ／ｌ）からなる混合水溶液を用いて、酸化
処理（黒化処理）して粗化し、この銅箔を層間樹脂絶縁
層として形成した半硬化状態のエポキシ樹脂に熱圧（１
００〜１８０℃、１〜５０ｋｇ／ｃｍ2 ）してエポキシ
樹脂を硬化し、さらに硫酸−過酸化水素水の混合液によ
り銅箔をエッチング除去して、層間樹脂絶縁層表面に粗
化層を露出させる。
に、厚さ１２〜１８μｍの銅箔などの金属箔の表面を粗
化処理して、この粗化面を転写する方法も採用できる。
例えば、銅箔表面を次亜塩素酸ナトリウム（３１ｇ／
ｌ）、水酸化ナトリウム（１５ｇ／ｌ）、リン酸ナトリ
ウム（１２ｇ／ｌ）からなる混合水溶液を用いて、酸化
処理（黒化処理）して粗化し、この銅箔を層間樹脂絶縁
層として形成した半硬化状態のエポキシ樹脂に熱圧（１
００〜１８０℃、１〜５０ｋｇ／ｃｍ2 ）してエポキシ
樹脂を硬化し、さらに硫酸−過酸化水素水の混合液によ
り銅箔をエッチング除去して、層間樹脂絶縁層表面に粗
化層を露出させる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第１の
無電解めっき膜をコンフォーマルマスクとして用い、レ
ーザによりバイアホール用開口を設け、第２の無電解め
っき層の上に電解めっき層を設ける。導体回路及びバイ
アホールを形成する際に、不要部分の第１、第２無電解
めっき層をエッチングで除去するが、両めっき層を無電
解めっきにより薄く形成してあるため容易に除去でき、
該エッチングの際に導体回路及びバイアホールを形成す
る電解めっき層を浸食することがない。このため、ファ
インピッチな配線及び微細な孔径のバイアホールを形成
することが可能となる。
無電解めっき膜をコンフォーマルマスクとして用い、レ
ーザによりバイアホール用開口を設け、第２の無電解め
っき層の上に電解めっき層を設ける。導体回路及びバイ
アホールを形成する際に、不要部分の第１、第２無電解
めっき層をエッチングで除去するが、両めっき層を無電
解めっきにより薄く形成してあるため容易に除去でき、
該エッチングの際に導体回路及びバイアホールを形成す
る電解めっき層を浸食することがない。このため、ファ
インピッチな配線及び微細な孔径のバイアホールを形成
することが可能となる。
【００３４】請求項２では、導体層形成基板に層間樹脂
絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶解可
能な粒子が含まれる樹脂を用い、化成処理液を用いて該
粒子を溶解することで、層間樹脂絶縁層を粗面化する。
このため、該層間樹脂絶縁層の表面に第１の無電解めっ
き膜を形成する際に、該第１無電解めっき膜を高い密着
性を持たせて形成することができる。
絶縁層を形成する工程において、化成処理により溶解可
能な粒子が含まれる樹脂を用い、化成処理液を用いて該
粒子を溶解することで、層間樹脂絶縁層を粗面化する。
このため、該層間樹脂絶縁層の表面に第１の無電解めっ
き膜を形成する際に、該第１無電解めっき膜を高い密着
性を持たせて形成することができる。
【００３５】請求項３では、導体回路及びバイアホール
を形成する際に、不要部分の第１、第２無電解めっき層
をエッチングで除去するが、両めっき層を２μｍ以下の
厚みに形成してあり容易に除去できるので、該エッチン
グの際に導体回路及びバイアホールを形成する電解めっ
き層を浸食することがない。このため、ファインピッチ
な配線及び微細な孔径のバイアホールを形成することが
可能となる。
を形成する際に、不要部分の第１、第２無電解めっき層
をエッチングで除去するが、両めっき層を２μｍ以下の
厚みに形成してあり容易に除去できるので、該エッチン
グの際に導体回路及びバイアホールを形成する電解めっ
き層を浸食することがない。このため、ファインピッチ
な配線及び微細な孔径のバイアホールを形成することが
可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。
製造工程図である。
【図５】従来技術に係るプリント配線板の製造工程図で
ある。
ある。
２０ 基板 ２０ａ 銅張積層板（導体層形成基板） ２２ 銅箔 ２６ 層間樹脂絶縁層 ２６ａ 開口（バイアホール形成用開口） ３０ 無電解めっき膜（第１無電解めっき膜） ３０ａ 開口 ３８ めっきレジスト ４０ 無電解めっき膜（第２無電解めっき膜） ４６ 導体回路 ４８ バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ 3/38 3/38 Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を含むこと
を特徴をするプリント配線板の製造方法。 （ａ）導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を形成する工
程。 （ｂ）前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程。 （ｃ）前記導体層形成基板の表面に第１の無電解めっき
膜を形成する工程。 （ｄ）前記無電解めっき膜に開口を設ける工程。 （ｅ）レーザを照射して開口から露出する層間樹脂絶縁
層を除去してバイアホール形成用の開口を設ける工程。 （ｆ）第２の無電解めっき膜を前記導体層形成基板の全
面に形成する工程。 （ｇ）前記導体層形成基板にめっきレジストを形成する
工程。 （ｈ）前記めっきレジスト非形成部に電解めっきを施す
工程。 （ｉ）前記めっきレジストを除去し、めっきレジスト下
の第１及び第２無電解めっき膜をエッチングして除去す
る工程。 - 【請求項２】 前記導体層形成基板に層間樹脂絶縁層を
形成する工程において、化成処理により溶解可能な相の
含まれる樹脂を用い、 前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工程において、化
成処理液を用いることを特徴とする請求項１に記載のプ
リント配線板の製造方法。 - 【請求項３】 前記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する工
程において、層間樹脂絶縁層を形成し、 ついで表面が粗化処理された金属箔を圧着せしめ、さら
に該金属箔をエッチングして除去することを特徴とする
請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22432697A JP3222097B2 (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22432697A JP3222097B2 (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154920A JPH1154920A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3222097B2 true JP3222097B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16812010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22432697A Expired - Fee Related JP3222097B2 (ja) | 1997-08-05 | 1997-08-05 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3222097B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7243065B2 (ja) * | 2017-07-27 | 2023-03-22 | Tdk株式会社 | シート材、メタルメッシュ、配線基板及び表示装置、並びにそれらの製造方法 |
| WO2022039062A1 (ja) * | 2020-08-15 | 2022-02-24 | Ｍｇｃエレクトロテクノ株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
-
1997
- 1997-08-05 JP JP22432697A patent/JP3222097B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154920A (ja) | 1999-02-26 |
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