JP2002047594A

JP2002047594A - 電解めっき液、その液を用いた多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板

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Publication number: JP2002047594A
Application number: JP2000194619A
Authority: JP
Inventors: Honchin En; 本鎮袁
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-08-06
Filing date: 2000-06-28
Publication date: 2002-02-15
Anticipated expiration: 2020-06-28
Also published as: JP4480236B2

Abstract

(57)【要約】【課題】多層プリント配線板を製造する際に、同一層
におけるビアホールの上面と導体回路の上面とを略同一
平面に形成できる電解めっき液を提供する。【解決手段】導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶
縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板
の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ
／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０
ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング
剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を
含有することを特徴とする電解めっき液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造に用いる電解めっき液、該電解めっき液を用い
た多層プリント配線板の製造方法、および、多層プリン
ト配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍ
ｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。

【０００３】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチ
ング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面
に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成す
る。そして、この粗化面を有する導体回路上に樹脂絶縁
層を形成した後、露光および現像処理等を行ってバイア
ホール用開口部を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を
経て層間樹脂絶縁層を形成する。

【０００４】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化処理を施した後、薄い金属層を形成し、この
金属層上にめっきレジストを形成した後、電解めっきに
より厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチング
を行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続さ
れた導体回路を形成する。この工程を繰り返した後、最
後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形
成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接
続のために開口部を露出させた部分にめっき等を施した
後、半田ペーストを印刷して半田バンプを形成すること
により、ビルドアップ多層プリント配線板の製造を完了
する。

【０００５】このようなビルドアップ多層プリント配線
板の製造において、無電解めっきと電解メッキとを行う
ことにより下層の導体回路とバイアホールにより接続さ
れた導体回路を形成する場合、バイアホール用開口部は
金属で完全に充填されておらず、図２５に示すように、
バイアホール周辺部には凹部が形成されていた。なお、
図２５は、従来の多層プリント配線板のバイアホールの
断面を示す断面図である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のビ
ルドアップ多層プリント配線板では、導体回路上面、特
にバイアホール周辺が平坦では無かったため、導体回路
上面に層間樹脂絶縁層を形成した場合、該層間樹脂絶縁
層にうねりが生じてしまい、層間樹脂絶縁層の剥離やク
ラックの原因となったり、層間樹脂絶縁層の上層に形成
する導体回路に断線を引き起こす原因となることがあっ
た。

【０００７】また、プリント配線板の高速化、ファイン
化のため、配線距離を短縮するビルドアップ多層プリン
ト配線板の構造として、スタックビア構造（バイアホー
ルの直上にバイアホールを形成する構造、図１参照）が
要求されている。しかしながら、上述したように従来の
方法で製造されたビルドアップ多層プリント配線板は、
バイアホール用開口部が金属で完全に充填されていない
ため、スタックビア構造をとることが難しかった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
に鑑みて鋭意研究した結果、特定のレベリング剤と光沢
剤とからなる添加剤を特定の割合で含む電解めっき液を
用いることにより、バイアホール用開口部を完全に金属
で充填することができ、同一層におけるバイアホールの
上面と導体回路の上面とを略同一平面にすることができ
ることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発
明に到達した。

【０００９】即ち、本発明の電解めっき液は、導体回路
が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次
積層された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっ
き液であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２
００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、
および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１
〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有することを特徴とす
る。

【００１０】また、上記レベリング剤として、ポリエチ
レン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる
群より選択される少なくとも１種を用いることが望まし
く、上記光沢剤として、酸化物硫黄、その関連化合物、
硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物か
らなる群から選択される少なくとも１種を用いることが
望ましい。

【００１１】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法は、少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、即ち、
（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行
うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層
を形成する工程、（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホール
用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏおよび
Ｗからなる群より選択される少なくとも１種からなる金
属層を形成する工程、（ｃ）上記金属層上にめっきレジ
ストを形成する工程、（ｄ）本発明の電解めっき液を用
いて、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形
成する工程、（ｅ）上記めっきレジストを剥離した後、
上記めっきレジストの下に存在する金属層をエッチング
することにより導体回路を形成する工程、を含むことを
特徴とする。

【００１２】上記本発明の多層プリント配線板の製造方
法において、（ｂ）の工程では、金属層は、スパッタリ
ング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっき
を行うことにより形成することが望ましい。また、上記
樹脂絶縁層は、フッ素樹脂、ポリオレフィン系樹脂およ
びポリフェニレン系樹脂からなる群より選択される少な
くとも一種であるか、または、熱可塑性樹脂と熱硬化性
樹脂とを含む樹脂複合体であることが望ましい。

【００１３】また、上記（ｄ）の工程では、電解めっき
液に含有される上記レベリング剤として、ポリエチレ
ン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群
より選択される少なくとも１種を用いることが望まし
く、また、上記光沢剤として、酸化物硫黄、その関連化
合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化
合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いる
ことが望ましい。

【００１４】また、本発明の多層プリント配線板は、導
体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路と
が順次積層され、上下に隣り合う導体回路がバイアホー
ルにより接続された多層プリント配線板であって、上記
バイアホールには、金属が充填され、同一層における上
記バイアホールの上面と上記導体回路の上面とが略同一
平面にあり、かつ、上記バイアホールの底面から上面ま
での距離が上記導体回路の厚さの２〜７倍であることを
特徴とする。

【００１５】上記多層プリント配線板において、上記樹
脂絶縁層は、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下であ
ることが望ましい。また、上記多層プリント配線板は、
本発明の多層プリント配線板の製造方法を用いて製造さ
れることが望ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】まず、本発明の電解めっき液につ
いて説明する。本発明の電解めっき液は、導体回路が設
けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層
された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液
であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００
ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、およ
び、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜１
０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有することを特徴とする。

【００１７】本発明の電解めっき液によれば、該電解め
っき液を用いて多層プリント配線板を製造することによ
り、バイアホール用開口部が金属で完全に充填され、同
一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが
略同一平面にあるバイアホール（以下、このようなバイ
アホールをフィールドビアともいう）を形成することが
できる。即ち、本発明の電解めっき液は、フィールドビ
ア用電解めっき液に最適である。

【００１８】上記電解めっき液は、５０〜３００ｇ／ｌ
の硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ
／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と
光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有
する。

【００１９】上記電解めっき液において、硫酸銅の濃度
が５０ｇ／ｌ未満では、フィールドビアが形成できず、
３００ｇ／ｌを超えると、めっき膜厚のバラツキが大き
くなる。また、硫酸の濃度が３０ｇ／ｌ未満では、液抵
抗が大きくなるため、めっき析出がされにくくなり、２
００ｇ／ｌを超えると、硫酸銅が結晶になりやすい。ま
た、塩素イオンの濃度が２５ｍｇ／ｌ未満では、めっき
膜の光沢が低下し、９０ｍｇ／ｌを超えるとアノードが
溶解しにくくなる。

【００２０】このような組成の電解めっき液を用いるこ
とにより、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や
厚さ、樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィー
ルドビアを形成することができる。

【００２１】また、多層プリント配線板を製造する際
に、上記電解めっき液を用いると、該電解めっき液が銅
イオンを高濃度で含有していることから、バイアホール
用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開
口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきする
ことができ、電解めっき工程の高速化を図ることもでき
る。

【００２２】また、上記電解めっき液は、硫酸を高濃度
で含有しているため、めっき時の液抵抗を下げることが
できる。そのため、電流密度が高くなり、バイアホール
用開口部でのめっき膜の成育も妨げられず、フィールド
ビア構造の形成に適している。

【００２３】上記電解めっき液の望ましい組成は、１０
０〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫
酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なく
ともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／
ｌの添加剤を含有する組成である。

【００２４】上記添加剤は、少なくともレベリング剤と
光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含
有していてもよい。

【００２５】上記レベリング剤としては、例えば、ポリ
エチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体から
なる群から選択される少なくとも１種を用いることが望
ましい。

【００２６】上記ポリエチレン誘導体としては特に限定
されず、例えば、ポリエチレンイソフタレート、ポリエ
チレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリエチレング
リコール、ポリエチレングリコールエステル、ポリエチ
レングリコールエーテル、ポリエチレンスルフィド、ポ
リエーテル等を挙げることができる。これらのなかで
は、ポリエチレングリコールまたはゼラチンを用いるこ
とが望ましい。汎用性が高く、樹脂絶縁層や金属膜への
損傷がないからである。

【００２７】また、上記光沢剤としては、例えば、酸化
物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物お
よびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少な
くとも１種を用いることが望ましい。

【００２８】上記酸化物硫黄およびその関連化合物とし
ては特に限定されず、例えば、スルホン酸系化合物、ス
ルホン系化合物、亜硫酸系化合物およびその他の酸化物
硫黄化合物等が挙げられる。

【００２９】上記スルホン酸系化合物としては特に限定
されず、例えば、スルホ安息香酸、スルホ安息香酸塩、
スルホアントラキノン、スルホメタン、スルホエタン、
スルホカルバミド、スルホ琥珀酸、スルホ琥珀酸エステ
ル、スルホ酢酸、スルホサリチル酸、スルホシアヌル
酸、スルホシアン、スルホシアン酸エステル、スルホニ
ン、スルホビン酸、スルホフタル酸、スルホン酸アミ
ド、スルホン酸イミド等、および、スルホカルボアニリ
ド等のスルホカルボニル系化合物等を挙げることができ
る。

【００３０】上記スルホン系化合物としては特に限定さ
れず、例えば、スルホナール、スルホニルジ酢酸、スル
ホニルジフェニルメタン、スルホキシル酸、スルホキシ
ル酸塩、スルホンアミド、スルホンイミド等、および、
スルホニルクロリド系化合物等を挙げることができる。

【００３１】上記亜硫酸系化合物としては特に限定され
ず、例えば、亜硫酸、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸カリ
ウム、亜硫酸ジエチル、亜硫酸ジメチル、亜硫酸水素ナ
トリウムおよび亜硫酸エステル化合物等を挙げることが
できる。

【００３２】上記その他の酸化物硫黄化合物としては特
に限定されず、例えば、スルホキシド等を挙げることが
できる。

【００３３】上記硫化水素、その関連化合物としては特
に限定されず、例えば、スルホニウム化合物、および、
スルホニウム塩等を挙げることができる。上記その他の
硫黄化合物としては特に限定されず、例えば、ビスジス
ルフィド等を挙げることができる。

【００３４】本発明の電解めっき液は、さらに、上記光
沢剤を含有することにより、多層プリント配線板を製造
する際にバイアホール用開口部を金属で完全に充填する
ことができ、上記レベリング剤を含有することにより、
同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面と
を略同一平面に形成することができる。

【００３５】これは、上記光沢剤がバイアホール用開口
部の低電流部分を活性化することにより、バイアホール
用開口部へのめっき析出を加速させ、上記レベリング剤
が導体回路表面に吸着することにより、導体回路表面で
のめっきの析出を抑制するからである。

【００３６】上記レベリング剤の配合量は、１〜１００
０ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１
〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率
は、２：１〜１０：１が望ましい。

【００３７】上記レベリング剤の配合量が少なすぎる
と、導体回路表面へのレベリング剤の吸着量が少なく、
導体回路へのめっき析出が速くなる。一方、レベリング
剤の配合量が多すぎると、バイアホール用開口部底部へ
のレベリング剤の吸着量が多く、バイアホール用開口部
へのめっき析出が遅くなる。

【００３８】また、上記光沢剤の配合量が少なすぎる
と、バイアホール用開口部の底部の活性化ができなくな
り、めっきによりバイアホール用開口部を金属で完全に
充填することができない。一方、多すぎると、導体回路
部分のめっきの析出が速くなり、導体回路上面とバイア
ホール上面に段差が生じてしまう。

【００３９】このような構成の電解めっき液を用いる電
解めっき法としては特に限定されず、以下に示す電解め
っき法等を用いることができる。即ち、一般的な電解め
っき法である直流電解めっき法（ＤＣめっき法）や、カ
ソード電流の供給および中断を交互に繰り返すことによ
り、電流を矩形波のパルス電流に制御する方法（ＰＣめ
っき法）、カソード電流の供給とアノード電流の供給と
を交互に反転させて繰り返すことにより、周期的逆転波
を用いて電流を制御するパルス−リバース電気めっき法
（ＰＲめっき法）、カソード電流として高密度電流パル
スと低密度電流パルスとを交互に印加する方法等を用い
ることができる。これらのなかでは、多層プリント配線
板を製造する際に、フィールドビアを形成するのに適し
ており、また、高価な電源装置や制御装置を必要としな
い点から直流電解めっき法が望ましい。

【００４０】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法について説明する。本発明の多層プリント配線板の
製造方法は、少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、即
ち、（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理
を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶
縁層を形成する工程、（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホ
ール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏお
よびＷからなる群より選択される少なくとも１種からな
る金属層を形成する工程、（ｃ）上記金属層上にめっき
レジストを形成する工程、（ｄ）本発明の電解めっき液
を用いて、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜
を形成する工程、（ｅ）上記めっきレジストを剥離した
後、上記めっきレジストの下に存在する金属層をエッチ
ングすることにより導体回路を形成する工程、を含むこ
とを特徴とする。

【００４１】以下に、上記本発明の多層プリント配線板
の製造方法について、工程順に説明する。 (1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、ま
ず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作
製する。

【００４２】絶縁性基板としては、樹脂基板が望まし
く、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイ
ミド基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂基板、フッ素
樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げられ
る。本発明の多層プリント配線板の製造方法では、この
絶縁性基板にドリル等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面
および銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およ
びスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅め
っきが好ましい。

【００４３】この無電解めっきの後、通常、スルーホー
ル内壁および無電解めっき膜表面の粗化面形成処理を行
う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還
元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレ
ー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理など
が挙げられる。

【００４４】(2) 次に、無電解めっきが施された基板上
に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチ
ングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この
導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾
燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材
の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基
板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完
全硬化する。なお、樹脂充填材の層を形成する際、導体
回路非形成部分に開口が形成されたマスクを用い、エッ
チングにより凹部が形成された導体回路非形成部分のみ
を樹脂充填剤で充填し、その後、上記した研磨処理等を
行ってもよい。

【００４５】(3) 次に、導体回路上に、必要により、粗
化層または粗化面（以下、粗化層ともいう）を形成す
る。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還
元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレ
ー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理などが挙
げられる。

【００４６】(4) ついで、形成された粗化層表面に、必
要により、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリ
ウム、鉛等からなる被覆層を無電解めっき、蒸着などに
より形成する。上記被覆層を０．０１〜２μｍの範囲で
析出させることにより、樹脂絶縁層から露出した導体回
路を粗化液やエッチング液から保護し、内層パターンの
変色、溶解を確実に防止することができるからである。

【００４７】(5) この後、粗化層が形成された導体回路
上に、後工程を経て樹脂絶縁層となる未硬化の樹脂層を
形成する。上記樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹
脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。上
記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂を塗布して形成して
もよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成
してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅
箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付しても
よい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイ
アホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ
光を照射して開口部を設ける。金属層が形成された樹脂
フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することが
できる。

【００４８】これらの樹脂絶縁層の材料のなかでは、ポ
リオレフィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂（ＰＰＥ、
ＰＰＯ等）、フッ素系樹脂等が望ましい。低誘電率の樹
脂絶縁層を形成するのに適しているからである。上記ポ
リオレフィン系樹脂としては、例えば、上記ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン、２−ノルボルネン、５−エチリデ
ン−２−ノルボルネン、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられ、上記フッ素系樹脂としては、例えば、エチル／
テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリ
クロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げら
れる。

【００４９】また、上記樹脂絶縁層の材料としては、上
記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体
も使用することができる。上記熱可塑性樹脂としては、
例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰ
Ｓ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリ
フェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド
（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙げられ
る。これらのなかでは、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポ
リエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド
（ＰＩ）および／またはフェノキシ樹脂が望ましい。耐
熱性、絶縁性に優れるとともに、高い靱性値を有するた
め、耐クラック性、形状保持性に優れる樹脂絶縁層を形
成するのに特に適しているからである。

【００５０】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げら
れる。また、上記熱硬化性樹脂は、感光化した樹脂であ
ってもよく、具体的には、例えば、メタクリル酸やアク
リル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応させたもの等が
挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアクリレート化した
ものが望ましい。これらのなかでは、１分子中に、２個
以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望まし
い。

【００５１】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００５２】上記樹脂複合体における熱可塑性樹脂と熱
硬化性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹
脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なう
ことなく、高い靱性値を確保することができるからであ
る。また、上記樹脂複合体は、感光性の付与された感光
性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いる場合、露光
・現像処理にてバイアホール用開口部を形成することが
できる。

【００５３】上記樹脂複合体の具体例としては、例え
ば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子
という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶
性樹脂という）中に分散した粗化面形成用樹脂組成物等
が挙げられる。なお、上記「難溶性」および「可溶性」
という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、
相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」とい
い、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と
呼ぶ。

【００５４】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよ
い。

【００５５】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００５６】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径ものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とのを含有する等であ
る。これにより、より複雑な粗化面を形成することがで
き、導体回路との密着性にも優れる。なお、本明細書に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。

【００５７】上記可溶性樹脂粒子としては、酸あるいは
酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂
よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されず、そ
の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からなるものが挙げら
れ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよい
し、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよ
い。

【００５８】これらの可溶性樹脂粒子としては、(a) 平
均粒径が１０μｍ以下の可溶性樹脂粉末、(b) 平均粒径
が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
(c) 平均粒径が２〜１０μｍの可溶性樹脂粉末と平均粒
径が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末との混合物、(d) 平均
粒径が２〜１０μｍの可溶性樹脂粉末の表面に平均粒径
が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末または無機粉末のいずれ
か少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均
粒径が０．１〜０．８μｍの可溶性樹脂粉末と平均粒径
が０．８μｍを超え、２μｍ未満の可溶性樹脂粉末との
混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの可溶性樹
脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑な
アンカーを形成することができるからである。

【００５９】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた
場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、
酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述する
ように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与
する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化され
たりすることがない。

【００６０】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００６１】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグ
ネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ
素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００６２】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００６３】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため上下の導体回路間の絶縁性を
確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱
膨張の調整が図りやすく、樹脂絶縁層にクラックが発生
せず、樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しない
からである。

【００６４】上記難溶性樹脂としては、樹脂絶縁層に酸
または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の
形状を保持できるものであればよく、上記熱可塑性樹脂
と上記熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。

【００６５】上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂
組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹
脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一
な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バ
イアホールを含む導体回路との密着性を確保することが
できるからである。また、粗化面を形成する表層部だけ
に可溶性粒子を含有するフィルムを用いてもよい。この
場合、フィルムの表層部以外は、酸または酸化剤にさら
されることがないため、樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００６６】上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹
脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜
４０重量％がさらに望ましい。可溶性粒子の混合重量比
が５重量％未満では、充分な粗さの粗化面を形成するこ
とができない場合があり、５０重量％を超えると、酸ま
たは酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解して粗化面を形成
する際に、樹脂絶縁層の深部まで溶解してしまい、樹脂
絶縁層を介した上下の導体回路間の絶縁性を確保するこ
とができず、短絡の原因となる場合がある。

【００６７】上記粗化面形成用樹脂組成物は、上記熱可
塑性樹脂および上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、その
他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤
としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬
化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシ
アダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したも
の、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォ
ニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系
化合物等が挙げられる。

【００６８】上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂
組成物に対して、０．０５〜１０重量％であることが望
ましい。０．０５重量％未満では、樹脂絶縁層を形成す
る際に、樹脂複合体が充分に硬化せず、酸や酸化剤を用
いて樹脂絶縁層表面に粗化面を形成し、酸等が樹脂フィ
ルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂絶縁層の絶縁
性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超える
と過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変成させることがあ
り、信頼性の低下を招いてしまうことがある。

【００６９】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが
挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリ
カ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹
脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラ
ーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱
性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性
能をより向上させることができる。

【００７０】また、上記粗化面形成用樹脂組成物は、溶
剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテ
ートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げ
られる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併
用してもよい。

【００７１】上述した樹脂複合体を用いて樹脂絶縁層を
形成することにより、この樹脂絶縁層に容易に粗化面を
形成することができ、また、この粗化面が形成された樹
脂絶縁層の上に、本発明の電解めっき液を用いてめっき
層を形成した際、このめっき層には余り大きな応力が発
生せず、該応力が緩和されているため、樹脂絶縁層にク
ラックや剥離が発生することがない。特に、フィールド
ビア周縁部において好適な効果が得られる。

【００７２】(6) 次に、露光および現像処理、もしく
は、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部
を有する樹脂絶縁層を形成する。バイアホール用開口部
の形成は、樹脂複合体の樹脂マトリックスが熱硬化性樹
脂、ポリオレフィン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等
の場合は、レーザ光や酸素プラズマ等を用いて行い、感
光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行うかまた
はレーザ処理により行う。上記露光現像処理は、未硬化
の感光性樹脂層を硬化する前に行う。また、上記レーザ
処理は、熱硬化や光硬化の前後を問わず行うことができ
る。また、露光現像処理は、バイアホール用開口部形成
のための円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス
基板がよい）を、円パターン側を感光性の樹脂絶縁層の
上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬
するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。充
分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された
未硬化の樹脂層を硬化させることにより、導体回路との
密着性に優れた樹脂絶縁層を形成することができる。

【００７３】上記レーザ光を用いて、バイアホール用開
口部を設ける場合、使用するレーザ光としては、例え
ば、炭酸ガス（ＣＯ₂ ）レーザ、紫外線レーザ、エキシ
マレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらのなか
では、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが好
ましい。

【００７４】エキシマレーザは、後述するように、バイ
アホール用開口部を形成する部分に貫通光が形成された
マスク等を用いることにより、一度に多数のバイアホー
ル用開口部を形成することができ、また、短パルスの炭
酸ガスレーザは、開口部内の樹脂残りが少なく、開口部
周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。

【００７５】また、エキシマレーザのなかでも、ホログ
ラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホ
ログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レン
ズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射
する方式であり、この方式を用いることにより、一度の
照射で多数の開口部を効率的に形成することができる。

【００７６】また、炭酸ガスレーザを用いる場合、その
パルス間隔は、１０^-4〜１０^-8秒であることが望まし
い。また、開口部を形成するためのレーザを照射する時
間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。エキシ
マレーザを用いる場合、バイアホール用開孔を形成する
部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光
のスポット形状を真円にするために、真円である必要が
あり、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望まし
い。

【００７７】レーザ光にて開口部を形成した場合、特に
炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行う
ことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マ
ンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うこ
とができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ₄ と酸素の混合
プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧
水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面
改質することもできる。

【００７８】(7) 次に、必要に応じてバイアホール用開
口部を設けた樹脂絶縁層の表面を粗化する。上記粗化
は、例えば、樹脂絶縁層の材料として粗化面形成用樹脂
組成物を用いた場合、樹脂絶縁層の表面に存在する可溶
性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより
行う。酸処理等により形成する粗化面の高さは、Ｒｍａ
ｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着
性を確保するためである。特にセミアディティブ法で
は、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、
金属層を除去することができるからである。

【００７９】上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、
硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることが
でき、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理
した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐
食させにくいからである。上記酸化処理は、クロム酸、
過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いるこ
とが望ましい。

【００８０】(8) 次に、樹脂絶縁層およびバイアホール
用開口部の表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷ
からなる群より選択される少なく一種からなる薄付けの
金属層を形成する。この金属層の厚さは、０．１〜５μ
ｍが望ましく、０．５〜２μｍがより望ましい。上記金
属層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタ
リングおよびめっきを行うことにより形成することが望
ましい。

【００８１】(9) 次いで、上記(8) で形成した金属層上
にめっきレジストを形成する。上記めっきレジストとし
ては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使
用することができる。また、上記めっきレジストは、感
光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗
布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現
像処理することにより形成することができる。

【００８２】(10)次いで、本発明の電解めっき液を用い
て、(9) で形成しためっきレジスト非形成部に電解めっ
き膜を形成する。これは、上記電解めっき液に上記金属
層およびめっきレジストを形成した基板を浸漬すること
により行う。また、上記電解めっき液に含有されるレベ
リング剤としては、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチ
ンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくと
も１種を用いることが望ましく、また、上記電解めっき
液に含有される光沢剤としては、酸化物硫黄、その関連
化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄
化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用い
ることが望ましい。電解めっきとしては、電解銅めっき
が望ましく、その厚さは、バイアホール以外の導体回路
部分では、３〜２５μｍが望ましい。厚さが３μｍ未満
では、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路上
面とが略同一平面にならないことがあり、２５μｍを超
える厚さの導体回路を形成しようとすると、めっきレジ
ストの厚さが厚くなり、めっきレジスト非形成部に電解
めっき液が入りこみにくくなることがある。より望まし
くは、５〜１５μｍである。また、形成されたバイアホ
ールの底面から上面までの距離が、上記導体回路部分の
厚さの２〜７倍であることが望ましい。上記電解めっき
の方法としては特に限定されないが、上述したように、
直流電解めっき法を用いることが望ましい。

【００８３】(11)次いで、上記めっきレジストを強アル
カリ水溶液等で剥離した後、その下に存在する金属層を
エッチングすることにより、上層導体回路およびバイア
ホールを独立パターンとする。上記エッチングは、硫酸
／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸
アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液等をエッチング液
として用いた化学エッチング、イオンビームエッチング
等による物理エッチング等が使用される。なお、非導体
回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫
酸、過酸化水素等により溶解除去する。

【００８４】(12)必要により、(3) 〜(11)の工程を繰り
返し、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件
で無電解めっきやエッチング等を施し、最上層の導体回
路上に粗化層または粗化面を形成する。

【００８５】次に、最上層の導体回路を含む基板面にソ
ルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレジスト層
としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、
ソルダーレジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられ
る。上記ソルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組
成物）をロールコータ法等により塗布し、上述した開口
処理、硬化処理等を行うことにより形成する。

【００８６】上記ソルダーレジスト樹脂組成物として
は、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アク
リレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アク
リル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度
の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノー
ル型エステル樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリ
ル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル
系溶剤等を含むペースト状の流動体等が挙げられ、その
粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていること
が望ましい。

【００８７】上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）
アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラック
やクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリ
ル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙
げられる。また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エス
テルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジ
オール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙
げられる。

【００８８】そしてこの後、上記ソルダーレジスト層の
開口部分に半田バンプを形成することにより本発明の多
層プリント配線板の製造を終了する。なお、製品認識文
字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジス
ト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ
処理を適時行ってもよい。

【００８９】図１は、本発明の多層プリント配線板の一
断面を示す断面図であるが、このような本発明の多層プ
リント配線板の製造方法によれば、図１に示すようにバ
イアホール用開口部が金属で完全に充填され、同一層に
おけるバイアホール７の上面と導体回路４、５の上面と
が略同一平面にあるプリント配線板を製造することがで
き、さらには、スタックビア構造を有するプリント配線
板を製造することができる。なお、上記スタックビア構
造とは、バイアホール７の直上に、上層のバイアホール
７が設けられた構造のことである。

【００９０】上記多層プリント配線板は、上述の方法と
は別の製造方法によっても製造することができる。この
他の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも下記
の工程（ａ）〜（ｄ）、即ち、（ａ）露光および現像処
理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホー
ル用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する工程、（ｂ）
樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面に、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択
される少なくとも１種からなる金属層を形成する工程、
（ｃ）本発明の電解めっき液を用いて、上記金属層上に
電解めっき膜を形成する工程、（ｄ）上記電解めっき膜
上にエッチングレジストを形成した後、エッチングを行
うことにより導体回路を形成する工程を含む。

【００９１】以下に、上記他の多層プリント配線板の製
造方法（以下、他の製造方法ともいう）について、工程
順に説明する。なお、上記他の多層プリント配線板の製
造方法は、上記（ｃ）および（ｄ）の工程が、本発明の
多層プリント配線板の製造方法と異なるのみであり、上
記（ｃ）および（ｄ）以外の工程は、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法と同様の方法を用いて行うことが
できる。従って、ここでは、上記別の製造方法の（ｃ）
および（ｄ）の工程について、主に説明することにす
る。

【００９２】(1) まず、本発明の多層プリント配線板の
製造方法の(1) 〜(8) の工程と同様にして、上記絶縁層
およびバイアホール用開口部に薄付けの金属層を形成す
る。

【００９３】(2) 次いで、本発明の電解めっき液を用い
て、(1) で形成した金属層上に電解めっき膜を形成す
る。これは、上記電解めっき液に上記金属層を形成した
基板を浸漬することにより行う。また、上記電解めっき
液に含有されるレベリング剤として、ポリエチレン、そ
の誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選
択される少なくとも１種を用いることが望ましく、ま
た、上記電解めっき液に含有される光沢剤として、酸化
物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物お
よびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少な
くとも１種を用いることが望ましい。電解めっきとして
は、電解銅めっきが望ましく、その厚さは、バイアホー
ル以外の導体回路部分では、３〜２５μｍが望ましい。
厚さが３μｍ未満では、同一層におけるバイアホールの
上面と導体回路上面とが略同一平面にならなかったり、
エッチング時に導体回路の断線が発生することがあり、
２５μｍを超えるとエッチングにより、電解めっき層や
金属層が完全に除去されない場合がある。より望ましく
は、５〜１５μｍである。また、形成されたバイアホー
ルの底面から上面までの距離が、上記導体回路部分の厚
さの２〜７倍であることが望ましい。上記電解めっきの
方法としては特に限定されないが、上述したように、直
流電解めっき法を用いることが望ましい。

【００９４】(3) さらに、この電解めっき膜上にエッチ
ングレジストを形成した後、エッチングを行うことによ
り導体回路を形成する。上記エッチングレジストとして
は、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用
することができる。そして、感光性ドライフィルムを貼
り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処
理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。

【００９５】(4) 次いで、非導体回路形成部の金属層お
よび電解めっき層をエッチングすることにより除去した
後、エッチングレジストを強アルカリ水溶液で剥離する
ことにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パ
ターンとする。上記エッチングは、硫酸／過酸化水素水
溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムな
どの過硫酸塩の水溶液等をエッチング液として用いた化
学エッチング、イオンビームエッチング等による物理エ
ッチング等が使用される。なお、非導体回路部分に露出
したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素
等により溶解除去する。

【００９６】(5) さらに、必要により、本発明の多層プ
リント配線板の製造方法と同様、導体回路表面に粗化層
を形成する工程から、導体回路を形成する工程（上記
(4) の工程）までを繰り返し、その後、最上層の導体回
路上に粗化層または粗化面を形成する。

【００９７】次に、本発明の多層プリント配線板の製造
方法と同様にして、ソルダーレジスト層を形成し、この
ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成する
ことにより、他の製造方法に係る多層プリント配線板の
製造を終了する。

【００９８】次に、本発明の多層プリント配線板につい
て説明する。本発明の多層プリント配線板は、導体回路
が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次
積層され、上下に隣り合う導体回路がバイアホールによ
り接続された多層プリント配線板であって、上記バイア
ホールには、金属が充填され、同一層における上記バイ
アホールの上面と上記導体回路の上面とが略同一平面に
あり、かつ、上記バイアホールの底面から上面までの距
離が前記導体回路の厚さの２〜７倍であることを特徴と
する。

【００９９】本発明の多層プリント配線板によれば、バ
イアホール用開口部に金属が完全に充填され、同一層に
おける上記バイアホールの上面と前記導体回路の上面と
が略同一平面にあるため、バイアホールを含む導体回路
と樹脂絶縁層との間で剥離やクラックが発生したり、該
導体回路の上層の導体回路が断線したりすることがな
い。また、上記多層プリント配線板は、プリント配線板
の高速化およびファイン化を達成するために配線距離を
短縮したスタックビア構造をとることもできる。

【０１００】本発明の多層プリント配線板としては、例
えば、図１に示すような構成のものを挙げることができ
る。本発明の多層プリント配線板においては、バイアホ
ールの底面から上面までの距離が、導体回路の厚さの２
〜７倍である。バイアホールの底面から上面までの距離
が、導体回路の厚さの７倍を超えるものは、バイアホー
ル用開口部を金属で完全に充填しにくいため、同一層に
おけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一
平面にならないことがあり、スタックビア構造を形成し
にくい。一方、バイアホール用開口部の深さが浅いほど
フィールドビア構造を形成し易いが、バイアホールの底
面から上面までの距離が、導体回路の厚さの２倍未満の
ものは、バイアホールの上面が導体回路の上面より高く
なったり、エッチングを行った場合に、導体回路で断線
が発生することがある。

【０１０１】上記多層プリント配線板の樹脂絶縁層は、
１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下であることが望ま
しい。誘電率が３．０以下の樹脂絶縁層を用いることに
より、１ＧＨｚ以上の高周波帯域で使用した際にも電子
信号に関する遅延やエラーを防止することができる。上
記樹脂絶縁層に用いる樹脂としては、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法で用いる樹脂と同様の樹脂が挙げ
られる。

【０１０２】このような本発明の多層プリント配線板
は、本発明の多層プリント配線板の製造方法を用いて製
造することが望ましい。

【０１０３】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。（実施例１）Ａ．樹脂複合体の調製（上層用接着剤） (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１
５重量部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）０．５
重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。

【０１０４】(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマー
ポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部およ
び平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器
にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製
した。

【０１０５】(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥ
ＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより樹脂複合体を得
た。

【０１０６】Ｂ．樹脂複合体の調製（下層用接着剤） (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社
製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重
量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モ
ノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量
部、消泡剤（サンノプコ社製Ｓ−６５）０．５重量部
およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。

【０１０７】(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１
２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、
ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４
９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮ
ＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。

【０１０８】(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥ
ＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより樹脂複合体を得
た。

【０１０９】Ｃ．樹脂充填材の調製 (i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、
表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均
粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下の
ＳｉＯ₂ 球状粒子（アドマテックス社製、ＣＲＳ１１
０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノ
プコ社製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にと
り、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で
４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬
化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ
４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。

【０１１０】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１
８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出
発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、この銅貼積層
板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン
状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導
体回路４とスルーホール９を形成した。

【０１１１】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする
黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ
₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を
行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表
面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参照）。

【０１１２】(3) 上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製し
た後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホー
ル９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導
体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹
脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾
燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開
口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹
部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層
を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２
（ｃ）参照）。

【０１１３】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成さ
れた樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成され
た樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。なお、必要に応じて、研摩の前後に
エッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび
下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化しても
よい。この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の
加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。

【０１１４】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図２（ｄ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂
充填剤の表面と内層銅パターンとの表面が同一平面とな
る。

【０１１５】(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面
にスプレイで吹きつけた後、搬送ロールで送ることで下
層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面と内
壁とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全
表面に厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図３
（ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅
(II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カ
リウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メ
ックエッチボンド）を使用した。

【０１１６】(6) 基板の両面に、上記Ｂにおいて記載し
た下層用の樹脂複合体（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製
後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状
態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プ
リベーク）を行った。次いで、上記Ａにおいて記載した
上層用の樹脂複合体（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４
時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状
態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プ
リベーク）を行い、厚さ３５μｍの樹脂複合体の層２
ａ、２ｂを形成した（図３（ｂ）参照）。

【０１１７】(7) 上記(6) で樹脂複合体の層を形成した
基板の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォト
マスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００
ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレ
ー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯
により３０００ｍＪ／ｃｍ² 強度で露光し、１００℃で
１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の加熱処
理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に
優れた直径８５μｍのバイアホール用開口部６を有する
厚さ３５μｍの樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｃ）参
照）。なお、バイアホールとなる開口部には、下層導体
回路４の粗化面を露出させた。

【０１１８】(8) バイアホール用開口部６を形成した基
板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸
漬し、樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を
溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その
後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いを
した（図３（ｄ）参照）。さらに、粗面化処理した該基
板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与
することにより、絶縁材層の表面およびバイアホール用
開口部の内壁面に触媒核を付着させた。

【０１１９】(9) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．
２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図４（ａ）
参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ１０ｇ／ｌＨＣＨＯ８ｇ／ｌＮａＯＨ８ｇ／ｌロッシェル塩４５ｇ／ｌ添加剤３０ｍｌ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で２５分

【０１２０】(10)ついで、無電解銅めっき膜上の全面に
以下の条件で電解めっきを施し、厚さ７．５μｍの電解
めっき膜１３を形成した（図４（ｂ）参照）。〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ２１０ｇ／ｌ硫酸１５０ｇ／ｌＣｌ^- ４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール３００ｍｇ／ｌビスジスルフィド１００ｍｇ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１．０Ａ／ｄｍ² 時間３５分温度２５ ℃

【０１２１】(11)市販の感光性ドライフィルムを電解銅
めっき膜１３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で
現像処理することにより、厚さ１５μｍのエッチングレ
ジスト３を設けた（図４（ｃ）参照）。

【０１２２】(12)さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用
いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエ
ッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水
溶液中でレジストフィルムを剥離除去した。その後、基
板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅め
っき膜とからなる厚さ１５μｍの導体回路とフィールド
ビアとを形成した（図４（ｄ）参照）。

【０１２３】(13)導体回路を形成した基板に対し、上記
(5) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回
路の表面に粗化面を形成した（図５（ａ）参照）。 (14)続いて、上記 (6)〜(13)の工程を、繰り返すことに
より、さらに上層の導体回路を形成し、８層の多層プリ
ント配線板を得た。なお、図中では、構造を理解しやす
いように６層のものを示している（図５（ｂ）〜図６
（ｃ）参照）。

【０１２４】(15)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬
化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．
６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく
多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ
６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてのベンゾフェノン（関東
化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２
５℃で２．０Ｐａ・ｓに調製したソルダーレジスト樹脂
組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計
器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（６０ｒｐｍ）
の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（６ｒｐｍ）の
場合はローターＮｏ．３によった。

【０１２５】(16)次に、多層配線基板の両面に、上記(1
5)に記載したソルダーレジスト樹脂組成物を調製した
後、これを２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソ
ルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍ
ｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１
０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で
現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口径２
００μｍの半田パッド部分（バイアホールとそのランド
部分とを含む）が開口した、その厚さが２０μｍのソル
ダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。

【０１２６】(17)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂
絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層
１６を形成した。

【０１２７】(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開
口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローする
ことにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を
有する多層配線プリント基板を製造した（図７（ａ）参
照）。

【０１２８】（実施例２）Ａ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両
面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層
板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。まず、この銅
貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に
下層導体回路４とスルーホール９を形成した。

【０１２９】(2) スルーホール９および下層導体回路４
を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、下記のエッチ
ング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、下層導体
回路４とスルーホール９のランド表面および内壁をエッ
チングすることにより、スルーホール９を含む下層導体
回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図８
（ｂ）参照）。エッチング液としては、イミダゾール銅
（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カ
リウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合し
たものを使用した。

【０１３０】(3) 次に、ポリオレフィン系樹脂を主成分
とする樹脂充填剤を、基板の両面に印刷機を用いて塗布
することにより下層導体回路４間およびスルーホール９
内に充填し、加熱乾燥をおこなった（図８（ｃ）参
照）。すなわち、この工程により、樹脂充填剤１０が下
層導体回路４間およびスルーホール９内に充填される。

【０１３１】(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成さ
れた樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成され
た樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行った。このような一連の研磨を基板の他方の面につい
ても同様に行った。なお、必要に応じて、研摩の前後に
エッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび
下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化しても
よい。この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の
加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。

【０１３２】このようにして、スルーホール９や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および
下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下
層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着
し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０
とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た
（図８（ｄ）参照）。

【０１３３】(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソ
フトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面
にスプレイで吹きつけた後、搬送ロールで送ることで下
層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とを
エッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に
厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した。エッチング
液としては、上記(2) の工程で用いたものと同様のもの
を用いた。

【０１３４】(6) 基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化
型ポリオレフィン系樹脂シートを温度を５０〜１５０℃
まで昇温しながら圧力０．５ＭＰａ（５ｋｇｆ／ｃｍ
² ）で真空ラミネートし、ポリオレフィン系樹脂からな
る樹脂絶縁層を設けた。なお、真空圧着時の真空度は、
１３３０Ｐａ（１０ｍｍＨｇ）とした（図９（ａ）参
照）。

【０１３５】(7) 樹脂絶縁層を設けた基板の両面に、炭
酸（ＣＯ₂ ）ガスレーザを用いて、ビーム径５ｍｍ、ト
ップハットモード、パルス幅５０μ秒、マスクの穴径
０．５ｍｍ、３ショットの条件で直径８０μｍのバイア
ホール用開口部６を設けた。（図９（ｂ）参照）。この
後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。

【０１３６】(8) バイアホール用開口部６を形成した基
板にプラズマ処理を施し、樹脂絶縁層の表層を粗化した
（図９（ｃ）参照）。この際、不活性ガスとしてアルゴ
ンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温
度７０℃の条件で、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４
５４０を用い、２分間プラズマ処理を実施した。

【０１３７】(9) 次に、樹脂絶縁層の表層を粗化した基
板に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用
い、ＮｉとＣｕとの合金をターゲットにしたスパッタリ
ングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、
時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１２を樹脂
絶縁層２の表面に形成した（図９（ｄ）参照）。このと
き、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層の厚さは０．２μｍで
あった。さらに、基板をコンデショニングし、アルカリ
触媒中で触媒付与を５分間行った。

【０１３８】(10)ついで、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１２上の全
面に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ５μｍの電解
めっき膜１３を形成した（図１０（ａ）参照）。〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ１４０ｇ／ｌ硫酸１２０ｇ／ｌＣｌ^- ５０ｍｇ／ｌゼラチン３００ｍｇ／ｌスルホン酸アミド１００ｍｇ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度０．８Ａ／ｄｍ² 時間３０分温度２５ ℃

【０１３９】(11)市販の感光性ドライフィルムを電解銅
めっき膜１３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で
現像処理することにより、厚さ２０μｍのエッチングレ
ジスト３を設けた（図１０（ｂ）参照）。

【０１４０】(12)さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用
いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエ
ッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水
溶液中でレジストフィルムを剥離除去した。その後、基
板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅め
っき膜とからなる厚さ１５μｍの導体回路５とフィール
ドビア７とを形成した。形成された導体回路の上面とフ
ィールドビアの上面との樹脂基板１からの高さの差は１
μｍ以下と、略同一平面にあり、また、バイアホールの
上面に凹部は形成されていなかった（図１０（ｃ）参
照）。

【０１４１】(13)続いて、上記 (7)〜(13)の工程を、繰
り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、８
層の多層プリント配線板を得た。なお、図中では、構造
を理解しやすいように６層のものを示している（図１１
（ａ）〜図１３（ａ）参照）。なお、表層の導体回路に
も上記(2) の工程で用いたエッチング液と同様のものを
用いてエッチングを行い、粗化面を形成した。

【０１４２】(14)次に、ジエチレングリコールジメチル
エーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように
溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日
本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光
性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重
量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品
名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬
化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．
６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく
多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ
６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてのベンゾフェノン（関東
化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２
５℃で２．０Ｐａ・ｓに調製したソルダーレジスト樹脂
組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計
器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ^-1（６０ｒｐｍ）
の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ^-1（６ｒｐｍ）の
場合はローターＮｏ．３によった。

【０１４３】(15)次に、多層配線基板の両面に、上記(1
5)に記載したソルダーレジスト樹脂組成物を調製した
後、これを２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分
間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソ
ルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍ
ｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１
０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で
現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口径２
００μｍの半田パッド部分（バイアホールとそのランド
部分とを含む）が開口した、その厚さが２０μｍのソル
ダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。

【０１４４】(16)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂
絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８
×１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケ
ルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍの
ニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッ
ケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層
１６を形成した。

【０１４５】(17)この後、ソルダーレジスト層１４の開
口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローする
ことにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を
有する多層配線プリント基板を製造した（図１３（ｂ）
参照）。

【０１４６】（実施例３）Ａ．プリント配線板の製造方法 (1) 実施例１の(1) 〜(8) の工程と同様にして、導体回
路４と樹脂絶縁層２の形成された基板を作製し、その
後、実施例１の(9) の工程と同様にして無電解銅めっき
膜１２を形成した（図１４（ａ）〜図１６（ａ）参
照）。

【０１４７】(2) 市販の感光性ドライフィルムを無電解
銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００
ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液
で現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジ
スト２３を設けた（図１６（ｂ）参照）。

【０１４８】(3) 次に、めっきレジスト２３の非形成部
に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ７．５μｍの電
解めっき膜１３を形成した（図１６（ｃ）参照）。〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ２１０ｇ／ｌ硫酸１５０ｇ／ｌＣｌ^- ４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール３００ｍｇ／ｌビスジスルフィド１００ｍｇ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１．０Ａ／ｄｍ² 時間３５分温度２５ ℃

【０１４９】続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶
液中でめっきレジストを剥離除去した。その後、基板に
１５０℃で１時間熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶
液等のエッチング液を用いて、導体回路以外の金属を除
去し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ８μｍの
導体回路とフィールドビアとを形成した（図１６（ｄ）
参照）。

【０１５０】(4) その後、実施例１の(13)〜(18)と同様
の工程を施し、半田バンプ１７を有する多層配線プリン
ト基板を製造した（図１７〜図１８参照）。

【０１５１】（実施例４）Ａ．樹脂複合体からなるフィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３
０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポ
キシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロ
ンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノ
ールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、
大日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し樹
脂複合体の溶液を得た。得られた樹脂複合体の溶液を厚
さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μ
ｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８
０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、樹脂複
合体のフィルムを作製した。

【０１５２】Ｂ．プリント配線板の製造方法 (1) 実施例１の(1) 〜(4) の工程と同様にして、スルー
ホール９および導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層
が形成された基板を作製し、その後、実施例１の(5) の
工程と同様にして下層導体回路４の表面とスルーホール
９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導
体回路４の表面全体に厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを
形成した（図１９（ａ）〜図２０（ａ）参照）。

【０１５３】(2) 上記基板の両面に、上記Ａにおいて記
載した樹脂複合体フィルムを、以下の方法により真空ラ
ミネータ装置を用いて張り付けることにより樹脂複合体
フィルム層を形成し、その後、熱硬化させて、樹脂絶縁
層２０とした（図２０（ｂ）参照）。即ち、上記樹脂複
合体フィルムの張り付けは、真空度７５Ｐａ、圧力０．
４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で行い、
上記熱硬化は、１００℃で３０分、１５０℃で１時間の
条件で行った。

【０１５４】(3) 次に、樹脂絶縁層２０上に、貫通孔が
形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂
ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモ
ード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０
ｍｍ、２ショットの条件で樹脂絶縁層２０に、直径６０
μｍのバイアホール用開口部６を形成した（図２０
（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア
処理を行った。なお、バイアホール用開口部６には、下
層導体回路４の粗化面を露出させた。

【０１５５】(4) バイアホール用開口部６を形成した基
板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸
漬し、樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を
溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その
後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いを
した（図２０（ｄ）参照）。さらに、粗面化処理した該
基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付
与することにより、絶縁材層の表面およびバイアホール
用開口部６の内壁面に触媒核を付着させた。

【０１５６】(5) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水
溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．
２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図２１
（ａ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ１０ｇ／ｌＨＣＨＯ８ｇ／ｌＮａＯＨ８ｇ／ｌロッシェル塩４５ｇ／ｌ添加剤３０ｍｌ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で２５分

【０１５７】(6) 市販の感光性ドライフィルムを電解銅
めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で
現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジス
ト２３を設けた（図２１（ｂ）参照）。

【０１５８】(7) 次に、めっきレジスト２３の非形成部
に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ１５μｍの電解
めっき膜１３を形成した（図２１（ｃ）参照）。〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ２１０ｇ／ｌ硫酸１５０ｇ／ｌＣｌ^- ４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール３００ｍｇ／ｌビスジスルフィド１００ｍｇ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１．０Ａ／ｄｍ² 時間６０分温度２５ ℃

【０１５９】続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶
液中でめっきレジスト２３を剥離除去した。その後、基
板に１５０℃で１時間熱処理を施し、硫酸−過酸化水素
水溶液等のエッチング液を用いて、導体回路以外の金属
を除去し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ１５
μｍの導体回路とフィールドビアとを形成した（図２１
（ｄ）参照）。

【０１６０】(8) 導体回路を形成した基板に対し、上記
(1) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回
路の表面に粗化面を形成した（図２２（ａ）参照）。 (9) 続いて、上記(2) 〜(8) の工程を、繰り返すことに
より、さらに上層の樹脂絶縁層と導体回路とを形成し、
多層プリント配線板を得た（図２２（ｂ）〜図２３
（ｂ）参照）。

【０１６１】(10)その後、実施例１の(15)〜(18)と同様
の工程を施し、半田バンプ１７を有する多層配線プリン
ト基板を製造した（図２３（ｃ）参照）。

【０１６２】（実施例５）樹脂複合体からなるフィルム
として、エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）とフェノキシ樹
脂（熱可塑性樹脂）の樹脂複合体によって形成されたも
のを用いた以外は、実施例４とほぼ同様にして多層プリ
ント配線板を製造した。

【０１６３】（実施例６）電解めっき液の添加剤とし
て、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０
ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例１とほぼ同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１６４】（実施例７）電解めっき液の添加剤とし
て、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０
ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例２とほぼ同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１６５】（実施例８）電解めっき液の添加剤とし
て、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０
ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例３とほぼ同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１６６】（実施例９）電解めっき液の添加剤とし
て、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン
酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例１とほ
ぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。

【０１６７】（実施例１０）電解めっき液の添加剤とし
て、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン
酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例２とほ
ぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。

【０１６８】（実施例１１）電解めっき液の添加剤とし
て、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン
酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例３とほ
ぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。

【０１６９】（実施例１２）電解めっき液の添加剤とし
て、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０
ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例５とほぼ同様にして多
層プリント配線板を製造した。

【０１７０】（実施例１３）電解めっき液の添加剤とし
て、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン
酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例５とほ
ぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。

【０１７１】（比較例１）Ａ．樹脂複合体の調製（上層用接着剤）、樹脂複合体の
調製（下層用接着剤）、および、樹脂充填材の調製は実
施例１と同様に行った。

【０１７２】Ｂ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板を用い
た以外は、実施例１の(1) 〜(6) と同様にして厚さ３５
μｍの樹脂複合体の層を形成した（図２（ａ）〜図３
（ｂ）参照）。

【０１７３】(2) 次に、樹脂複合体の層を形成した基板
の両面に、直径９０μｍの黒円が印刷されたフォトマス
クフィルムを密着させた以外は、実施例１の(7) と同様
にして、直径９０μｍのバイアホール用開口部を有する
厚さ３５μｍの樹脂絶縁層を形成した（図３（ｃ）参
照）。なお、バイアホールとなる開口部には、下層導体
回路の粗化面を露出させた。

【０１７４】(3) さらに、バイアホール用開口部を形成
した基板をコンデイショニングし、アルカリ触媒中で触
媒付与を５分間行った後、基板を活性化し、以下の組成
の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体
に厚さ１．１μｍの無電解銅めっき膜を形成した。〔無電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ１０ｇ／ｌＨＣＨＯ８ｇ／ｌＮａＯＨ８ｇ／ｌロッシェル塩４５ｇ／ｌ添加剤３０ｍｌ／ｌ〔無電解めっき条件〕３４℃の液温度で２５分

【０１７５】(4) ついで、無電解銅めっき膜上の全面に
以下の条件で電解めっきを施し、厚さ１１μｍの電解め
っき膜１３を形成した。〔電解めっき水溶液〕ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ８０ｇ／ｌ硫酸１８０ｇ／ｌＣｌ^- ４０ｍｇ／ｌ添加剤０．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１．０Ａ／ｄｍ² 時間５０分温度２７ ℃

【０１７６】(5) 市販の感光性ドライフィルムを電解銅
めっき膜に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／
ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像
処理することにより、厚さ２０μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０／１
０μｍのめっきレジストを設けた。

【０１７７】(6) さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用
いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエ
ッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水
溶液中でレジストフィルムをを剥離除去した。その後、
基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅
めっき膜とからなる導体回路とフィールドビアとを形成
した。

【０１７８】(7) 導体回路を形成した基板に対し、上記
(5) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回
路の表面に厚さ２μｍの粗化面をを形成した。 (8) 続いて、上記 (1)の樹脂複合体の層を形成する工程
〔実施例１の(1) 〜(7)の工程〕を、繰り返すことによ
り、さらに上層の導体回路を形成し、８層の多層プリン
ト配線板を得た。

【０１７９】(9) 次に、実施例１の(15)と同様にしてソ
ルダーレジスト樹脂組成物を得た。さらに、実施例１の
(16)〜(18)と同様にして、半田バンプを有する多層配線
プリント基板を製造した。

【０１８０】実施例および比較例で得られた半田バンプ
を有する多層配線プリント基板をカッターで切断し、そ
の断面を顕微鏡で観察したところ、実施例に係る多層プ
リント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で
観察したところ、導体回路の上面とフィールドビアの上
面との樹脂基板からの高さの差は、１μｍ以下と略同一
平面にあり、また、バイアホールの上面に凹部は形成さ
れていなかった。一方、比較例に係る多層プリント配線
板は、バイアホール用開口部が金属で完全に充填されて
おらず、バイアホール上面に凹部が形成されていた。

【０１８１】また、実施例に係る多層配線プリント基板
は、スタックビア構造を有しており、導通試験等の結
果、このスタックビア構造部分でも導通はとれていた。
一方、比較例に係る多層プリント配線板では、導通試験
等の結果、スタックビア構造の部分では導通がとれてい
なかった。

【０１８２】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の電解
めっき液によれば、この電解めっき液を用いて多層プリ
ント配線板を製造することにより、バイアホール用開口
部に金属が完全に充填され、同一層におけるバイアホー
ルの上面と導体回路の上面とが略同一平面にあるバイア
ホールを形成することができる。

【０１８３】また、本発明の多層プリント配線板の製造
方法によれば、バイアホール用開口部に金属が完全に充
填され、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路
の上面とが略同一平面にあるバイアホールを形成するこ
とができ、さらには、スタックビア構造を有する多層プ
リント配線板を製造することができる。

【０１８４】また、本発明の多層プリント配線板によれ
ば、バイアホール用開口部に金属が完全に充填され、同
一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが
略同一平面にあるため、バイアホールを含む導体回路と
樹脂絶縁層との間で剥離やクラックが発生したり、該導
体回路の上層の導体回路が断線したりすることがなく、
接続信頼性を向上させることができる。また、上記多層
プリント配線板は、プリント配線板の高速化およびファ
イン化を達成するために配線距離を短縮したスタックビ
ア構造をとることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層プリント配線板の一断面を示す断
面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の
製造工程の一部を示す断面図である。

【図７】（ａ）は、他の多層プリント配線板の製造工程
の一部を示す断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の
別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の
別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板
の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板
の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板
の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｂ）は、他の多層プリント配線板
の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の製造工程の一部を示す断面図である。

【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配
線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配
線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。

【図２４】本発明の多層プリント配線板のバイアホール
の断面を示す顕微鏡写真である。

【図２５】従来の多層プリント配線板のバイアホールの
断面を示す顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１基板２ａ、２ｂ樹脂複合体２樹脂絶縁層４下層導体回路４ａ粗化面５上層導体回路６バイアホール用開口部７バイアホール８銅箔９スルーホール９ａ粗化面１０樹脂充填材１１粗化層１２Ｎｉ−Ｃｕ合金層１３電解めっき層１４ソルダーレジスト層１５ニッケルめっき膜１６金めっき膜１７ハンダバンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 ＢＮＴＨ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 4K023 AA19 BA06 CA01 CB15 CB17 CB32 CB40 4K024 AA09 AB01 BA12 BB11 FA05 GA02 5E343 AA07 AA16 AA19 BB24 BB40 BB44 BB45 BB48 CC78 DD25 DD43 DD76 ER18 ER26 5E346 AA43 CC08 CC14 CC21 CC57 DD17 DD22 DD47 EE35 EE38 GG15 GG17 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶
縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板
の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ
／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０
ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング
剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を
含有することを特徴とする電解めっき液。
【請求項２】前記レベリング剤として、ポリエチレ
ン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群
より選択される少なくとも１種を用いる請求項１に記載
の電解めっき液。
【請求項３】前記光沢剤として、酸化物硫黄、その関
連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫
黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用
いる請求項１または２に記載の電解めっき液。
【請求項４】少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、
即ち（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理
を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶
縁層を形成する工程、（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホ
ール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏお
よびＷからなる群より選択される少なくとも１種からな
る金属層を形成する工程、（ｃ）前記金属層上にめっき
レジストを形成する工程、（ｄ）請求項１記載の電解め
っき液を用いて、前記めっきレジスト非形成部に電解め
っき膜を形成する工程、（ｅ）前記めっきレジストを剥
離した後、前記めっきレジストの下に存在する金属層を
エッチングすることにより導体回路を形成する工程、を
含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】前記（ｂ）の工程において、金属層は、
スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングお
よびめっきを行うことにより形成する請求項４に記載の
多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】前記樹脂絶縁層は、フッ素樹脂、ポリオ
レフィン系樹脂およびポリフェニレン系樹脂からなる群
より選択される少なくとも一種からなる請求項４または
５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】前記樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬
化性樹脂とを含む樹脂複合体からなる請求項４または５
に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】前記（ｄ）の工程において、電解めっき
液に含有されるレベリング剤として、ポリエチレン、そ
の誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選
択される少なくとも１種を用いる請求項４〜７のいずれ
か１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】前記（ｄ）の工程において、電解めっき
液に含有される光沢剤として、酸化物硫黄、その関連化
合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化
合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いる
請求項４〜８のいずれか１に記載の多層プリント配線板
の製造方法。
【請求項１０】導体回路が設けられた基板上に、樹脂
絶縁層と導体回路とが順次積層され、上下に隣り合う導
体回路がバイアホールにより接続された多層プリント配
線板であって、前記バイアホールには、金属が充填さ
れ、同一層における前記バイアホールの上面と前記導体
回路の上面とが略同一平面にあり、かつ、前記バイアホ
ールの底面から上面までの距離が前記導体回路の厚さの
２〜７倍であることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項１１】前記樹脂絶縁層は、１ＧＨｚにおける
誘電率が３．０以下である請求項１０に記載の多層プリ
ント配線板。
【請求項１２】請求項４〜９のいずれか１に記載の多
層プリント配線板の製造方法を用いて製造される請求項
１０または１１に記載の多層プリント配線板。