JPH07316876A - 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 - Google Patents
電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴Info
- Publication number
- JPH07316876A JPH07316876A JP13258294A JP13258294A JPH07316876A JP H07316876 A JPH07316876 A JP H07316876A JP 13258294 A JP13258294 A JP 13258294A JP 13258294 A JP13258294 A JP 13258294A JP H07316876 A JPH07316876 A JP H07316876A
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- JP
- Japan
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- copper
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 フェノール性水酸基を有する化合物からなる
電気銅めっき用添加剤。 【効果】 本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっき皮
膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することができ
る。
電気銅めっき用添加剤。 【効果】 本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっき皮
膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気銅めっき皮膜を装
飾的又は機能的用途に用いる際、特にスルホールを有す
るプリント配線板に電気銅めっきを施す際に電気銅めっ
き浴に添加する電気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添
加してなる電気銅めっき浴に関する。
飾的又は機能的用途に用いる際、特にスルホールを有す
るプリント配線板に電気銅めっきを施す際に電気銅めっ
き浴に添加する電気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添
加してなる電気銅めっき浴に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
光沢のある銅めっき皮膜を得るため、電気銅めっき浴に
光沢剤として有機チオ化合物などの有機化合物を添加す
ることが行われている。
光沢のある銅めっき皮膜を得るため、電気銅めっき浴に
光沢剤として有機チオ化合物などの有機化合物を添加す
ることが行われている。
【０００３】しかし、従来知られた電気銅めっき用の光
沢剤は、銅めっき皮膜の低電流密度部分における光沢、
つきまわりを悪くし、粗雑な皮膜を形成させ、その機械
的特性、特に硬度、延びの低下を生じさせる場合があ
る。これは、スルホールの有るプリント配線板ではスル
ホールのコーナー部でのクラック、いわゆる熱衝撃、機
械的歪み等によるコーナークラックを生じ、これは結果
として配線の断線のトラブルの原因となるので電子工業
界では重大な問題となる。
沢剤は、銅めっき皮膜の低電流密度部分における光沢、
つきまわりを悪くし、粗雑な皮膜を形成させ、その機械
的特性、特に硬度、延びの低下を生じさせる場合があ
る。これは、スルホールの有るプリント配線板ではスル
ホールのコーナー部でのクラック、いわゆる熱衝撃、機
械的歪み等によるコーナークラックを生じ、これは結果
として配線の断線のトラブルの原因となるので電子工業
界では重大な問題となる。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
低電流密度部分のつきまわりを改良することができる電
気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添加した電気銅めっ
き浴を提供することを目的とする。
低電流密度部分のつきまわりを改良することができる電
気銅めっき用添加剤及び該添加剤を添加した電気銅めっ
き浴を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ハイドロ
キノン等のフェノール性水酸基を有する化合物を水溶性
銅塩と酸とを含む酸性電気銅めっき浴に添加することに
より、めっき皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良
すること、特に有機チオ化合物、分子量５００以上の酸
素含有高分子有機化合物、有機酸アミド類等の公知の光
沢剤、添加剤と併用した場合、光沢効果、平滑性を改良
し、とりわけ低電流密度部分の皮膜特性が改良されるこ
とを知見し、本発明をなすに至ったものである。
記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ハイドロ
キノン等のフェノール性水酸基を有する化合物を水溶性
銅塩と酸とを含む酸性電気銅めっき浴に添加することに
より、めっき皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良
すること、特に有機チオ化合物、分子量５００以上の酸
素含有高分子有機化合物、有機酸アミド類等の公知の光
沢剤、添加剤と併用した場合、光沢効果、平滑性を改良
し、とりわけ低電流密度部分の皮膜特性が改良されるこ
とを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【０００６】なお、上記フェノール性水酸基を有する化
合物の作用は必ずしも明確ではないが、有機チオ化合物
等の添加量を増すと低電部への光沢のつきまわりが更に
悪くなることから、有機チオ化合物等は低電部に吸着し
やすい傾向があり、これを抑えることで低電部への光沢
のつきまわりを改善するものと推定される。
合物の作用は必ずしも明確ではないが、有機チオ化合物
等の添加量を増すと低電部への光沢のつきまわりが更に
悪くなることから、有機チオ化合物等は低電部に吸着し
やすい傾向があり、これを抑えることで低電部への光沢
のつきまわりを改善するものと推定される。
【０００７】以下、本発明につき更に詳述すると、本発
明の電気銅めっき用添加剤は、フェノール性水酸基を有
する化合物の１種又は２種以上からなるものである。
明の電気銅めっき用添加剤は、フェノール性水酸基を有
する化合物の１種又は２種以上からなるものである。
【０００８】ここで、フェノール性水酸基を有する化合
物としては、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、
ピロカテコール、レゾルシノール、ピロガロール、β−
ナフトール、α−ナフトール、フェノールスルホン酸及
び塩、スルホサリチル酸及び塩、クレゾールスルホン酸
及び塩、１−ナフトール−４−スルホン酸（ＮＷ Ａｃ
ｉｄ）及び塩、２−ナフトール−６−スルホン酸（Ｓｃ
ｈａｅｆｆｅｒ’ｓＡｃｉｄ）及び塩等が挙げられる。
物としては、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、
ピロカテコール、レゾルシノール、ピロガロール、β−
ナフトール、α−ナフトール、フェノールスルホン酸及
び塩、スルホサリチル酸及び塩、クレゾールスルホン酸
及び塩、１−ナフトール−４−スルホン酸（ＮＷ Ａｃ
ｉｄ）及び塩、２−ナフトール−６−スルホン酸（Ｓｃ
ｈａｅｆｆｅｒ’ｓＡｃｉｄ）及び塩等が挙げられる。
【０００９】本発明の添加剤は、水溶性銅塩と酸とを含
む酸性銅めっき浴に添加されて使用されるが、この場合
その添加量は０．０１〜３ｇ／ｌ、特に０．０２〜２ｇ
／ｌとすることが好ましい。
む酸性銅めっき浴に添加されて使用されるが、この場合
その添加量は０．０１〜３ｇ／ｌ、特に０．０２〜２ｇ
／ｌとすることが好ましい。
【００１０】ここで、上記銅めっき浴を構成する水溶性
銅塩としては硫酸銅が用いられ、その配合量は３０〜２
５０ｇ／ｌ、特に３０〜１００ｇ／ｌとすることが好ま
しい。また、酸としては硫酸が挙げられ、その配合量は
５０〜２５０ｇ／ｌ、特に１００〜２５０ｇ／ｌとする
ことが好ましい。なお、上記めっき浴には通常微量（１
０〜２００ｍｇ／ｌ程度）の塩素が添加される。この塩
素としては、水溶性塩化物、例えばＮａＣｌ等を添加す
ることにより含有させることができる。
銅塩としては硫酸銅が用いられ、その配合量は３０〜２
５０ｇ／ｌ、特に３０〜１００ｇ／ｌとすることが好ま
しい。また、酸としては硫酸が挙げられ、その配合量は
５０〜２５０ｇ／ｌ、特に１００〜２５０ｇ／ｌとする
ことが好ましい。なお、上記めっき浴には通常微量（１
０〜２００ｍｇ／ｌ程度）の塩素が添加される。この塩
素としては、水溶性塩化物、例えばＮａＣｌ等を添加す
ることにより含有させることができる。
【００１１】本発明の銅めっき浴には、本発明の添加剤
に加え、公知の光沢剤、添加剤、例えば有機チオ化合
物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合物、有
機酸アミド類などを添加することが好ましく、これらの
光沢剤、添加剤と本発明の添加剤とを併用することによ
り、めっき皮膜の低電流密度部分の光沢のつきまわりを
効果的に改良し得ることができる。
に加え、公知の光沢剤、添加剤、例えば有機チオ化合
物、分子量５００以上の酸素含有高分子有機化合物、有
機酸アミド類などを添加することが好ましく、これらの
光沢剤、添加剤と本発明の添加剤とを併用することによ
り、めっき皮膜の低電流密度部分の光沢のつきまわりを
効果的に改良し得ることができる。
【００１２】この場合、有機チオ化合物としては、ジ−
ｎ−プロピル−チオエーテル−ジ−３−スルホン酸（２
ナトリウム塩）、ビス（３−スルホプロピル）ジサルフ
ァィド（２ナトリウム塩）、ビス（２−スルホプロピ
ル）ジサルファィド（２ナトリウム塩）、ビス（３−ス
ルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジサルファィド（２ナ
トリウム塩）、ビス（４−スルホブチル）ジサルファィ
ド（２ナトリウム塩）、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジ
サルファィド（２ナトリウム塩）、３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）プロピルスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−
スルホプロピル）エステル（ナトリウム塩）、Ｏ−エチ
ル−ジエチル炭酸−Ｓ−（３−スルホプロピル）エステ
ル（カリウム塩）、チオ尿素及びその誘導体、Ｓ−（２
−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（４−ブチルアミド）
−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（３
−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル−
２−ヒドロキシ−３−スルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ
−（３−プロピルアミド）−チオフェニルスルホン酸
（ナトリウム塩）、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロ
ピルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）等が挙げられ、
０．０００５〜０．１ｇ／ｌの濃度で添加することがで
きる。
ｎ−プロピル−チオエーテル−ジ−３−スルホン酸（２
ナトリウム塩）、ビス（３−スルホプロピル）ジサルフ
ァィド（２ナトリウム塩）、ビス（２−スルホプロピ
ル）ジサルファィド（２ナトリウム塩）、ビス（３−ス
ルホ−２−ヒドロキシプロピル）ジサルファィド（２ナ
トリウム塩）、ビス（４−スルホブチル）ジサルファィ
ド（２ナトリウム塩）、ビス（ｐ−スルホフェニル）ジ
サルファィド（２ナトリウム塩）、３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）プロピルスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオカルバミン酸−（３−
スルホプロピル）エステル（ナトリウム塩）、Ｏ−エチ
ル−ジエチル炭酸−Ｓ−（３−スルホプロピル）エステ
ル（カリウム塩）、チオ尿素及びその誘導体、Ｓ−（２
−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（４−ブチルアミド）
−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ−（３
−ブチルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウ
ム塩）、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル−
２−ヒドロキシ−３−スルホン酸（ナトリウム塩）、Ｓ
−（３−プロピルアミド）−チオフェニルスルホン酸
（ナトリウム塩）、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロ
ピルアミド）−チオプロパンスルホン酸（ナトリウム
塩）、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸（ナトリウム塩）等が挙げられ、
０．０００５〜０．１ｇ／ｌの濃度で添加することがで
きる。
【００１３】また、分子量５００以上の酸素含有高分子
有機化合物としては、ポリビニルアルコール、カルボキ
シメチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、ステアリン酸−ポリエチレングリ
コールエステル、ステアリルアルコール−ポリエチレン
グリコールエーテル、ノニルフェノール−ポリエチレン
グリコールエーテル、オクチルフェノール−ポリエチレ
ングリコールエーテル、ポリエチレン−プロピレングリ
コール（共重合体又はブロック共重合体）、β−ナフト
ールポリエチレングリコールエーテル等が挙げられ、
０．１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加することができる。
有機化合物としては、ポリビニルアルコール、カルボキ
シメチルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、ステアリン酸−ポリエチレングリ
コールエステル、ステアリルアルコール−ポリエチレン
グリコールエーテル、ノニルフェノール−ポリエチレン
グリコールエーテル、オクチルフェノール−ポリエチレ
ングリコールエーテル、ポリエチレン−プロピレングリ
コール（共重合体又はブロック共重合体）、β−ナフト
ールポリエチレングリコールエーテル等が挙げられ、
０．１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加することができる。
【００１４】更に、有機酸アミド類としては、アセトア
ミド、プロピルアミド、ベンズアミド、アクリルアミ
ド、メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリ
ルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、
ポリアクリル酸アミド、ポリアクリル酸アミド加水分解
物等が挙げられ、０．００１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加
することができる。
ミド、プロピルアミド、ベンズアミド、アクリルアミ
ド、メタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−
ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリ
ルアミド、Ｎ−（ヒドロキシメチル）アクリルアミド、
ポリアクリル酸アミド、ポリアクリル酸アミド加水分解
物等が挙げられ、０．００１〜１０ｇ／ｌの濃度で添加
することができる。
【００１５】なお、本発明のめっき浴のｐＨは１以下で
ある。本発明のめっき浴を用いて電気銅めっきを行う場
合のめっき条件としては、めき温度２０〜３０℃、陰極
電流密度１〜８Ａ／ｄｍ2が好ましく、また空気撹拌、
カソードロッキング等の撹拌を行うことが好ましい。陽
極としては、銅板、不溶性陽極を用いることができる。
ある。本発明のめっき浴を用いて電気銅めっきを行う場
合のめっき条件としては、めき温度２０〜３０℃、陰極
電流密度１〜８Ａ／ｄｍ2が好ましく、また空気撹拌、
カソードロッキング等の撹拌を行うことが好ましい。陽
極としては、銅板、不溶性陽極を用いることができる。
【００１６】電気銅めっきが施される被めっき物は特に
制限されないが、本発明のめっき浴は特にスルホールを
有するプリント配線基板、その他の電気・電子部品への
めっきに有効である。
制限されないが、本発明のめっき浴は特にスルホールを
有するプリント配線基板、その他の電気・電子部品への
めっきに有効である。
【００１７】
【発明の効果】本発明の電気銅めっき用添加剤は、めっ
き皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することが
できる。
き皮膜の低電流密度部分のつきまわりを改良することが
できる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。
【００１９】〔実施例１〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、ハイドロキ
ノンを１００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電流
０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっき
を行った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢を
有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、ハイドロキ
ノンを１００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、総電流
０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いてめっき
を行った。その結果、析出物は下記条件で良好な光沢を
有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２０】〔実施例２〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、Ｓ−（３−プロピルアミド）−
チオプロパンスルホン酸ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリ
エチレングリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、フ
ェノールスルホン酸を３００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を
用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を
用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条件で
良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
チオプロパンスルホン酸ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリ
エチレングリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ、フ
ェノールスルホン酸を３００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を
用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を
用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条件で
良好な光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２１】〔実施例３〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、クレゾー
ルスルホン酸を２００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、
総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いて
めっきを行った。その結果、析出物は下記条件で良好な
光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、クレゾー
ルスルホン酸を２００ｍｇ／ｌ加えためっき浴を用い、
総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験器を用いて
めっきを行った。その結果、析出物は下記条件で良好な
光沢を有するものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２２】〔実施例４〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、アクリル
アミドを１ｇ／ｌ、クレゾールスルホン酸を２００ｍｇ
／ｌ加えためっき浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０
分でハルセル試験器を用いてめっきを行った。その結
果、析出物は下記条件で良好な光沢を有するものであっ
た。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃６，０００）を０．３ｇ／ｌ、アクリル
アミドを１ｇ／ｌ、クレゾールスルホン酸を２００ｍｇ
／ｌ加えためっき浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０
分でハルセル試験器を用いてめっきを行った。その結
果、析出物は下記条件で良好な光沢を有するものであっ
た。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
【００２３】〔比較例〕 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ ｇ／ｌ 濃硫酸 ２００ ｇ／ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／ｌ ｐＨ ＜１ からなる銅めっき液に、ビス（３−スルホプロピル）ジ
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ加えためっき
浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験
器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条
件で低電部（０．２Ａ／ｄｍ2以下）にくもりのあるハ
ルセル面が得られた。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
スルファイド２ナトリウムを３ｍｇ／ｌ、ポリエチレン
グリコール（＃１０，０００）を３ｇ／ｌ加えためっき
浴を用い、総電流０．５Ａ、時間４０分でハルセル試験
器を用いてめっきを行った。その結果、析出物は下記条
件で低電部（０．２Ａ／ｄｍ2以下）にくもりのあるハ
ルセル面が得られた。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．０４〜１Ａ／ｄ
ｍ2
Claims (3)
- 【請求項１】 フェノール性水酸基を有する化合物から
なる電気銅めっき用添加剤。 - 【請求項２】 水溶性銅塩と酸とを含有する酸性電気銅
めっき浴に請求項１記載の添加剤を添加してなる電気銅
めっき浴。 - 【請求項３】 有機チオ化合物、分子量５００以上の酸
素含有高分子有機化合物及び有機酸アミド類から選ばれ
る１種又は２種以上を添加した請求項２記載のめっき
浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258294A JPH07316876A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13258294A JPH07316876A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316876A true JPH07316876A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15084710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13258294A Pending JPH07316876A (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316876A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002047594A (ja) * | 1999-08-06 | 2002-02-15 | Ibiden Co Ltd | 電解めっき液、その液を用いた多層プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板 |
| JP2003013277A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | C Uyemura & Co Ltd | 硫酸銅めっき浴 |
| JP2003129270A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-08 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| JP2003147572A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-21 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
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