JP2003129270A

JP2003129270A - 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法

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Publication number: JP2003129270A
Application number: JP2002289419A
Authority: JP
Inventors: David R Gabe; デービッド・アール・ゲイブ; Andrew J Cobley; アンドリュー・ジェイ・コブリー; Leon R Barstad; レオン・アール・バースタッド; Mark J Kapeckas; マーク・ジェイ・カペッカス; Erik Reddington; エリック・レディントン; Wade Sonnenberg; ウェイド・ソンネンバーグ; Thomas Buckley; トーマス・バックリー
Original assignee: Shipley Co LLC
Current assignee: Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date: 2001-10-02
Filing date: 2002-10-02
Publication date: 2003-05-08
Anticipated expiration: 2022-10-02
Also published as: KR20030028691A; TWI252870B; EP1300487A1; US20030102226A1; JP4559019B2; US20050155866A1; US6773573B2; EP1300487B1

Abstract

(57)【要約】【課題】寿命が長く、基体上に良好な物理−機械的特性
を有する均一で光沢性の高い金属層を提供するメッキ浴
の提供。【解決手段】添加剤消費を抑制するアルコールおよび、
銅、金、銀、パラジウム、白金、コバルト、カドミウ
ム、クロム、ビスマス、インジウム、ロジウム、ルテニ
ウム、およびイリジウムからなる金属から選択される金
属の塩を含む金属メッキ浴。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、基体上の金属の堆積を向上させ
るメッキ浴および方法に関する。より詳細には、本発明
はメッキ浴添加剤の分解を防止するアルコールをメッキ
浴中に組み入れることにより基体上の金属の堆積を向上
させるメッキ浴および方法に関する。

【０００２】基体上へ金属を堆積させることは、さまざ
まな工業用途、たとえば、電鋳、電解精錬、銅粉の製
造、電気メッキ、無電解メッキなどにおいて用いられ
る。基体を金属でメッキするプロセスは、衛生用品、自
動車部品、宝石および家具の装飾品、多くの電気装置お
よび回路、たとえば、プリント配線板および回路板、電
解ホイル、シリコンウェハメッキなどの製造において用
いられる。基体上にメッキすることができる金属の例と
しては、銅、金、銀、パラジウム、白金、亜鉛、スズ、
ニッケル、鉛、コバルトおよびその合金が挙げられる。
装飾品および電気装置の製造におけるメッキにおいて多
くの金属を用いることができるが、銅がメッキされる金
属のうち、最も一般的なもののひとつである。電子産業
では、プリント配線板および回路板、ならびに他の電子
製品の製造における金属として銅が広く用いられてい
る。

【０００３】電子産業では、プリント配線板上の銅堆積
物について多くの必要条件がある。たとえば、銅層は熱
ショック（２８８℃の液体スズ／鉛はんだ中少なくとも
１回１０秒間浸漬）を受けた場合に亀裂を生じてはなら
ない。加えて、銅層はなめらかでなければならず、コー
トされた表面のすべての位置で均一の厚さでなければな
らない。さらに、堆積法は操作が簡単で、経済的でなけ
ればならない。

【０００４】電気メッキ中に分解する陽極、たとえば、
銅陽極が、銅の電気メッキにおいて用いられることが多
い。このような陽極は、可溶性陽極として該産業におい
て公知である。可溶性陽極は、プレート、バーまたは球
状の形態であってもよい。プレートおよびバーは適当な
固定手段により電源に連結される。球体は多くの場合チ
タンでできているバスケット中に入れる。球は適当な固
定手段で電源に連結される。このような陽極は堆積中に
銅が堆積浴から析出するのとほぼ同じ速度で分解し、堆
積溶液中の銅の量はほぼ一定である。したがって、銅の
補充は必要でない。

【０００５】もう一つのタイプの陽極は、不溶性陽極で
ある。不溶性陽極の外寸は、金属堆積プロセス中に変化
しない。このような陽極は、高い陽極の過電圧を防止す
るために、白金などの触媒金属でコートされることので
きるチタンまたは鉛などの不活性物質からなる。不溶性
陽極はプリント配線板および回路板の製造において可溶
性陽極よりも好ましい。不溶性陽極を用いる電気メッキ
プロセスは、消耗電極を用いたものよりも融通が利き、
より高いメッキ速度が可能になり、必要とする装置サイ
ズがより小さくてすみ、メンテナンスが容易であり、溶
液流れおよび撹拌が向上され、陽極を陰極の近くに設置
することが可能になる。特に有利なのは、不溶性陽極の
サイズが変わらないことである（すなわち、セルの構造
が一定のままである）。したがって、より均一なメッキ
が得られる。加えて、銅の供給源を提供するために使用
される銅塩は、多くの場合銅メッキされた装置の製造に
関連したエッチング法の産物として利用可能である。た
とえば、回路板の製造において、銅層を絶縁基体の全表
面上に置き、銅の一部をエッチングで除去して、目的と
する回路板を製造する。、

【０００６】基体上のメッキ金属、たとえば銅を用いた
電気メッキはさまざまな製造工程において広範囲に使用
される。銅メッキは、さらなる金属層の結合層としてさ
まざまな表面（すなわち、鉄表面）上の腐食を防止し、
導電性および熱伝導性を増大させ、多くの電気的用途に
おける導電路を提供するために用いられる。銅を用いる
電気メッキは、電気装置、たとえば、回路板、集積回
路、電気接触面などの製造において使用される。

【０００７】金属のメッキは、メッキ浴中に複数の成分
を含む複雑なプロセスである。金属源を提供する金属
塩、ｐＨ調節剤および界面活性剤または湿潤剤に加え
て、多くのメッキ浴、たとえば電気メッキ浴は、メッキ
プロセスのさまざまな態様を向上させる化合物を含む。
このような化合物または添加剤は、金属メッキの光沢、
特に延性およびミクロ均一電着性（ｍｉｃｒｏ−ｔｈｒ
ｏｗｉｎｇｐｏｗｅｒ）に関するメッキされた金属の
物理的特性ならびに電気メッキ浴のマクロ均一電着性を
向上するために使用される補助的な浴成分である。主な
関心事は、光沢のある仕上がり、表面上の金属堆積の水
平化および均一性に影響を与える添加剤である。許容差
内でこのような添加剤の浴濃度を維持することは高品質
の金属堆積物を得るために重要である。このような添加
剤は金属メッキ中に分解する。添加剤の分解は、陽極で
の酸化、陰極での還元および化学的分解による。添加剤
がメッキ中に分解する場合、分解生成物の結果、金属層
堆積物特性が工業的基準に満たないものになる場合があ
る。産業界における作業員により確立された添加剤の最
適濃度を試行し、維持するための経験則に基づいた添加
剤の標準的添加が採用されてきた。しかしながら、添加
剤がメッキ浴中非常に低い濃度、すなわち溶液のｐｐｍ
濃度で存在するので、金属メッキを向上させる添加剤の
濃度をモニターすることは非常に困難である。また、添
加剤およびメッキ中に添加剤から形成される分解生成物
の複雑な混合物も補充プロセスを複雑にする。さらに、
特定の添加剤の消耗は時間または使用される浴に関して
必ずしも一定であるとは限らない。したがって、特定の
添加剤の濃度は正確にはわからず、浴中の添加剤の量
は、最終的に許容範囲から逸脱する範囲まで減少または
増大する。添加剤含量が許容範囲をはるかに逸脱するな
らば、金属堆積物の品質は悪化し、堆積物は外観が鈍く
なる、および／または構造が脆いかまたは粉末状にな
る。他の結果としては、低い均一電着性および／または
不良なレベリングを伴うメッキフォールドが挙げられ
る。多層プリント回路板の製造におけるスルーホール連
結の電気メッキは、高品質のメッキが必要とされる例で
ある。

【０００８】メッキ浴の安定性および寿命は非常に重要
である。添加剤の安定性の増大は金属メッキを向上さ
せ、メッキ浴の寿命の延長につながる。寿命の長いメッ
キ浴は経済的に非常に重要である。前記のようにメッキ
浴を頻繁に取り替えること、ならびに劣化した添加剤を
含む浴を廃棄することにより金属メッキ操作が中断され
る。このような中断は生成物収率を低下させる。したが
って、添加剤の分解が防止または低減されている安定な
メッキ浴が非常に望ましい。

【０００９】米国特許第４４６９５６４号は、電気メッ
キ浴寿命を延長すると思われる銅電気メッキプロセスを
開示する。該特許は、可溶性または不溶性陽極を用いて
該プロセスを使用することができることを記載してい
る。有機添加物が陽極と接触し、陽極により酸化される
ことを防止するために、カチオン透過膜で陽極を包み込
む。かかるプロセスの欠点は、カチオン透過膜が腐食性
化学物質に長時間暴露され、これにより膜の分解が起こ
ることである。たとえば、浴のｐＨは１．０未満から１
１．０以上までの範囲である。また、浴ｐＨ範囲は、浴
成分が消費されるかまたは分解するので時間によって上
下する。したがって、当該分野の作業員は、電気メッキ
中のｐＨの変動により分解しない化学組成を有する膜を
選択しなければならない。加えて、前記のように、電気
メッキ浴はさまざまな成分を含む。成分、たとえば有機
添加剤またはその分解生成物はカチオン透過膜の孔をふ
さぎ、浴へのカチオンの通路を妨害する。したがって、
作業員は電気メッキプロセスを停止し、膜を取り替えな
ければならない。孔の閉塞およびプロセスの停止により
金属メッキが不十分になる。

【００１０】日本国特開昭６３−０１４８８６Ａ２は、
塩化物イオンを有し、さらに０．０１−１００ｇ／ｌの
量において遷移金属イオンを含む酸銅電気メッキ浴を開
示している。電気メッキ浴は有機添加剤消費の欠点はな
いようである。かかる有機添加剤としては、光沢剤、レ
ベリング剤、硬化剤、展性および延性改良剤、および堆
積改良剤が挙げられる。

【００１１】ＥＰ０４０２８９６は、酸銅電気メッキ浴
における有機添加剤、たとえば光沢剤を安定化させる方
法を開示する。該プロセスは、チタンバスケット中の銅
チップの可溶性陽極を使用する。マンガン、鉄、クロ
ム、およびチタンの遷移金属塩を５ｇ／ｌ以下の濃度に
おいて電気メッキ溶液に添加する。遷移金属は少なくと
も２つの陽性酸化状態において存在するが、実質的にそ
の最低の一般的な陽性酸化状態において溶液中に存在す
る。遷移金属イオンの陽性酸化状態の溶液中の存在は有
機添加剤を安定化させるようである。

【００１２】米国特許第６０９９７１１号は、可逆性レ
ドックス系の形態の金属イオンジェネレーターを使用す
ることにより電気メッキ浴において金属イオン、たとえ
ば、銅イオンが補給される不溶性陽極を使用した電気メ
ッキプロセスを開示している。可溶性陽極のかわりに不
溶性陽極が使用されるので、金属イオンは陽極の溶解に
より浴中に補給されない。したがって、可逆性レドック
ス系が金属イオンを補給する。鉄（ＩＩ）および鉄（Ｉ
ＩＩ）化合物が電気化学的可逆性レドックス系として使
用される。該特許において開示されている他のレドック
ス系としては、チタン、セリウム、バナジウム、マンガ
ンおよびクロムの金属があげられる。かかる金属は、硫
酸鉄（ＩＩ）五水和物、硫酸鉄（ＩＩ）九水和物、チタ
ニル−硫酸、硫酸セリウム（ＩＶ）、メタバナジウム酸
ナトリウム、硫酸マンガン（ＩＩ）またはクロム酸ナト
リウムの形態において銅堆積溶液に添加される。該特許
は、レドックス系は組み合わせることができることを記
載している。

【００１３】電気メッキ浴における金属イオンの補給に
加えて、該特許は、該プロセスが有機添加剤の劣化を相
当な程度まで防止することを記載している。浴中の大量
の有機添加剤の劣化は、陽極電位のために陽極で電解に
より起こる。当該分野における作業員は、鉄（ＩＩ）の
鉄（ＩＩＩ）へのレドックス反応の電位（ＳＣＥに対し
て約０．５３０Ｖ）により、陽極での光沢剤酸化を防止
できるほど低い陽極電位が得られると考えている。した
がって、光沢剤消費が低減される。そのような有機添加
剤としては、光沢剤、レベラー、および湿潤剤があげら
れる。使用される光沢剤としては、水溶性硫黄化合物お
よび酸素含有高分子量化合物が挙げられる。他の添加剤
化合物としては、窒素含有硫黄化合物、ポリマー窒素化
合物および／またはポリマーフェナゾニウム化合物が挙
げられる。

【００１４】該特許は金属イオンを補給し、光沢剤消費
を低減することを主張しているが、米国特許第６０９９
７１１号において開示されているプロセスは欠点を有す
る。可逆性レドックス反応において、銅が銅（ＩＩ）に
酸化される代わりに、鉄（ＩＩＩ）が鉄（ＩＩ）に還元
される。加えて、鉄が経時的に系中に蓄積し、操作の停
止およびクリーニングを必要とする。かかる操作は、プ
ロセスの効率を減少させ、プロセスのコストを増大させ
る。該プロセスについてのもうひとつの欠点は、レドッ
クス系における化合物の濃度を、一定の金属イオンの濃
度が堆積溶液中で維持されるようにレドックス系を調整
しなければならないことである。したがって、プロセス
を操作するためには堆積溶液中レドックス化合物の濃度
における誤差の範囲は狭いかまたはほとんどない。した
がって、レドックス化合物の濃度におけるわずかな変化
がプロセスの操作を妨害する可能性がある。

【００１５】日本国特開平０８−１９９３８５号は、フ
ッ化物系界面活性剤および有機添加剤、たとえば光沢剤
を含む電気メッキ法および液を開示している。

【００１６】金属メッキ浴における添加剤の劣化を防止
する方法が存在するが、浴添加剤の劣化を防止するさら
なる方法が依然として必要とされている。

【００１７】本発明は、メッキ浴における添加剤の劣化
を防止するアルコールを含有するメッキ浴、およびメッ
キ浴を用いて基体上に金属をメッキする方法に関する。
かかるアルコールとしては、アルキル、アルケニル、お
よびアルキニルアルコールならびに芳香族および非芳香
族環状アルコールがあげられる。かかるアルコールは非
置換であってもよいし、置換されていてもよい。

【００１８】本発明のアルコールは、金属メッキ浴にお
いて、銅、金、銀、パラジウム、白金、コバルト、カド
ミウム、クロム、ビスマス、インジウム、イリジウム、
ルテニウム、およびロジウムをメッキするために金属メ
ッキ浴において用いることができる。

【００１９】有利には、添加剤消費を抑制するアルコー
ルをメッキ浴に添加することにより、寿命の長いメッキ
浴が得られ、非常に有効な金属メッキ法が得られる。さ
らに、本発明のアルコールは添加剤の劣化を抑制するの
で、本発明のメッキ浴は、基体上に良好な物理−機械的
特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。

【００２０】本発明の金属メッキ浴は、金属メッキする
ことができる任意の基体上に金属層をメッキするために
使用することができる。本発明の金属メッキ法は、溶解
させたメッキ金属、浴添加剤および１またはそれ以上の
本発明の添加剤消費抑制アルコールを含む浴中に浸漬さ
せた陰極および陽極の２つの電極間に電流を通すことを
含む。基体が所望の厚さの金属でメッキされるまで電流
を浴に通す。

【００２１】本発明の添加剤消費を抑制するアルコール
および方法は、金属メッキが使用される産業において用
いることができる。たとえば、金属メッキ浴は、電子装
置、たとえばプリント回路板および配線板、集積回路、
電気接触面およびコネクター、電解ホイル、マイクロチ
ップ用途のシリコンウェハ、半導体および半導体パッケ
ージング、リードフレーム、オプトエレクトロニクス製
品およびオプトエレクトロニクスパッケージング、たと
えばウェハ上のソルダーバンプなどの製造において用い
ることができる。さらに、金属メッキ浴は、宝石類、家
具類、自動車部品、衛生器具などの装飾品を金属メッキ
するために使用することができる。さらに、本発明のア
ルコールは、廃棄物処理法において使用することができ
る。

【００２２】本発明はまた、電力源、陽極、陰極、およ
び本発明の添加剤消費を抑制するアルコールを含む金属
メッキ浴からなる装置も包含する。装置の陰極は、金属
メッキされる物品である。装置は、垂直または水平金属
メッキ装置であってもよい。

【００２３】本発明の第一の目的は、金属メッキ浴にお
ける添加剤の劣化を抑制するアルコールを提供すること
である。

【００２４】本発明のもうひとつ目的は、寿命の長い金
属メッキ浴を提供することである。

【００２５】本発明のさらなる目的は、基体上に金属を
メッキする有効な方法を提供することである。

【００２６】本発明のさらなる目的は、基体上に、良好
な物理−機械的特性を有する均一で光沢度の高い金属層
をメッキする方法を提供することである。

【００２７】さらに、本発明のさらなる目的は、添加剤
消費を抑制するアルコールを含む金属メッキ浴を含む装
置を提供することである。

【００２８】当業者は本発明の詳細な説明および添付の
請求の範囲を読むと本発明のさらなる目的を確認するこ
とができるであろう。

【００２９】図１は、本発明にしたがった垂直法による
製品の処理を示す図である。図２は、本発明にしたがっ
た水平法による製品を処理する装置を表す図である。

【００３０】本発明の金属メッキ浴は、基体上の金属堆
積を向上させるために金属メッキ浴に添加される添加剤
の劣化を抑制するアルコールを含む。かかるアルコール
としては、アルキル、アルケニルおよびアルキニルアル
コール（非分岐または分岐）、ならびに芳香族アルコー
ル、および非芳香族環状アルコールが挙げられる。かか
るアルコールとしてはさらに、複素環式アルコールが挙
げられる。本発明の範囲内のアルコールは、１またはそ
れ以上のヒドロキシル基を有することができる。本発明
のアルコールはまた、非置換であってもよいし、置換さ
れていてもよい。置換されているとは、炭素の１または
それ以上の水素が１またはそれ以上の置換基により置換
されていることを意味する。好ましいアルコールは、式
Ｉ：

【化１１】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、または環状アルキ
ル；（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルケニル；
（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；（Ｃ_１
−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；アリール；ハ
ロゲン；チエニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−Ｓ
Ｈ；−ＮＯ_２；ＳＯ_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；シラン；シリ
ル；−Ｓｉ（ＯＨ）_３；ＰＯ_３Ｍ；−Ｐ（Ｒ^４）_２；ア
ミニル；アミニルハライド；ヒドロキシアミニル；エス
テル；ケト；またはアシルハライドである；ただし、
Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２、またはＲ^３の少なくとも１つは−Ｏ
Ｈ；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ
（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ
_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコ
キシ、またはヒドロキシアリールであり；Ｒ^４は水素ま
たはハロゲンであり；Ｍは水素またはアルカリ金属、た
とえば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、またはＣｓであり；ヒ
ドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）ア
ルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、ヒ
ドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニルで
あり、アリール基は置換されているかまたは置換されて
いないとする；あるいはＲ^１およびＲ^２は一緒になって
炭素−炭素結合を形成するか；またはＲ^１およびＲ^２は
これらが結合している原子と一緒になって、５〜７員炭
素環を形成する；または５〜７員炭素環は任意に１また
はそれ以上の５または６員炭素環と縮合していてもよ
い；該５〜７員環および１またはそれ以上の５または６
員環はそれぞれ環において任意に１またはそれ以上のカ
ルボニルを含んでもよい；あるいは５〜７員環、あるい
は１またはそれ以上の５または６員縮合環はそれぞれ任
意に複素原子、たとえば酸素または窒素を含んで、複素
環を形成する；該複素環は、環中にカルボニル基を含ん
でもよい；５〜７員環、５〜６員縮合環および複素環は
非置換であってもよいし、または置換されていてもよ
い；ＲおよびＲ^３は前記定義の通りである）を有する化
合物を包含する。Ｒ^１およびＲ^２は一緒になって結合ま
たは環構造を形成する場合には、該化合物には少なくと
も１つのＯＨ基が存在する

【００３１】置換基は、−ＯＨ；−ＳＯ_３Ｍ；−ＰＯ_３
Ｍ；−ＳＯ_２Ｈ；−ＮＯ_２；アミニル；アミニルハライ
ド；ヒドロキシアミニル；−ＳＨ；−ＣＮ；−ＳＣＮ；
−Ｃ＝ＮＳ；−Ｐ（Ｒ^４）_２（式中、Ｒ^４は前記定義の
とおりである）；シリル；シラン；−Ｓｉ（ＯＨ）_３；
アリール；アシルハライド；エステル；ケト；またはア
ルコキシから選択される。５〜７員環、５〜６員縮合環
および複素環はさらに任意に（Ｃ_１−Ｃ_６）直鎖または
分枝アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_６）直鎖または分
枝アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_６）直鎖または分枝
アルケニル；−ＯＨ、ハロゲンまたは（Ｃ_１−Ｃ_３）ア
ルコキシで置換されているかまたは置換されていないフ
ェニル；１またはそれ以上のペントースまたはヘキソー
ス基；あるいは−ＳＨ基で置換されていてもよい。ハロ
ゲンとしては、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩが挙げられる。
アリールとしては、これに限定されないが、フェニル、
ナフチル、アンスリル、フェナンスリル、フラニル、ピ
リジニル、およびピリミジニルが挙げられる．最も好ま
しいアリール基は、フェニルまたはナフチルである。

【００３２】本発明のアルコールの例としては、これに
限定されないが、クロチルアルコール、２−メチレン−
１，３−プロパンジオール、３−ブテン−１−オール、
および１，４−アンヒドロ−エリスリトールが挙げられ
る。好ましいアルコールは、不飽和アルコールである。

【００３３】Ｒ^１およびＲ^２が一緒になって、さらなる
６員環と縮合した６員環を形成する化合物の例は、ナフ
タレンおよびナフタレン誘導体である。本発明を実施す
るために用いることができるこのような化合物は、以下
の一般式ＩＩ：

【化１２】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^６はそれぞれ独立
して前記のようなＲ、またはＲ^３から選択される）を有
する。ナフタレン化合物の水和物、半水和物およびアル
カリ金属塩も含まれる。かかるアルカリ金属としては、
ナトリウムおよびカリウム塩が挙げられ、一ナトリウム
および二ナトリウム塩が好ましい。

【００３４】かかるナフタレン誘導体の例としては、
１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキ
シナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，
４−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナ
フタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−
ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸二ナト
リウム塩、６，７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−
ジスルホン酸、６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホ
ン酸、４−アミノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレ
ンジスルホン酸一ナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ
−１，２，３，４−テトラヒドラ−ナフタレン、２，６
−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフ
タレン、１−ナフトール−３，６−ジスルホン酸二ナト
リウム塩水和物、デカヒドロ−２−ナフトール、１，
２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトール、２−ナフ
タレンメタノール、１，６−ジヒドロキシナフタレン、
６，７−ジヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸半水
和物、および４−ヒドロキシ−１−ナフタレンスルホン
酸ナトリウム塩が挙げられる。

【００３５】好ましいナフタレン誘導体としては、１，
２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナ
フタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−
ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタ
レン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒ
ドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸二ナトリウ
ム塩、６，７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジス
ルホン酸、６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン
酸、４−アミノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレン
ジスルホン酸一ナトリウム塩、および１，５−ジヒドロ
キシ−１，２，３，４−テトラヒドラ−ナフタレンが挙
げられる。

【００３６】最も好ましいナフタレン誘導体は、環の２
および７炭素、２および３炭素、１および８炭素、また
は環の２および８炭素でのＲ^６、Ｒ^７、およびＲ^８が−
ＯＨ基、または−ＳＯ_３Ｈ基である誘導体である。最も
好ましいナフタレン誘導体の例としては、これに限定さ
れないが、２，７−ジヒドロキシナフタレンおよび２，
３−ジヒドロキシナフタレンが挙げられる。

【００３７】Ｒ^１およびＲ^２が一緒になって５または６
員環を形成する式Ｉの範囲に含まれる他の化合物として
は、これに限定されないが、アルコール、酸および酸素
が複素原子である複素環式化合物が挙げられる。好まし
い芳香族アルコールとしては、５−メトキシレゾルシノ
ール、４−クロロレゾルシノール、２−ニトロレゾルシ
ノール、２−アリルフェノール、１，２，４−ベンゼン
トリオール、イソオイゲノール、α，α，α−トリフル
オロ−ｍ−クレゾール、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコー
ル、３−ヒドロキシ−１−ベンジルアルコール、４−ヒ
ドロキシベンジルアルコール、フロログルシノール二水
和物および無水物、オリベトール、および３−クロロフ
ェノールが挙げられる。

【００３８】他の適当なアルコールの例としては、１，
２−ベンゼンジメタノール、１，３−ベンゼンジメタノ
ール、４−アミノフェノール、４−メトキシフェノー
ル、４−エチルレゾルシノール、ヒドロキノン、クロロ
キノン、ヒドロキノンスルホン酸カリウム塩、４−（メ
チルチオ）ベンジルアルコール、ベンジルアルコール、
コニフェリルアルコール、３−メトキシカテコール、４
−メルカプト−フェノール、４，４’−チオジフェノー
ル、３−メトキシフェノール、フェノール、クレゾー
ル、およびオルシノール一水和物が挙げられる。

【００３９】他の好ましい化合物としては、これに限定
されないが、２’，４’，６’−トリヒドロキシアセト
フェノン一水和物、２，５−ジヒドロキシ−１，４−ベ
ンゾキノン、およびテトラヒドロキシ−１，４−キノン
水和物が挙げられる。

【００４０】複素環式化合物としては、飽和ラクトンあ
るいは１またはそれ以上の二重結合を有するラクトンが
挙げられる。好ましいラクトンは、アスコルビン酸およ
びα−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンである。ナトリ
ウム、カリウムおよび鉄塩などのこのようなラクトンの
金属塩も含まれる。他の好ましい複素環式化合物の例と
しては、２−ヒドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒド
ロ−４−ヒドロキシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−
オン、２−ヒドロキシベンゾフラン、ナリンギン水和
物、セサモール、２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピ
リミジン、および１，２，４−トリアゾロ（１，５−
Ａ）−ピリミジンが挙げられる。

【００４１】他の適当な化合物の例としては、３−フラ
ンメタノール、２，４，５−トリヒドロキシ−ピリミジ
ン、５，６−イソプロピリデンアスコルビン酸およびデ
ヒドロアスコルビン酸が挙げられる。本発明の範囲内に
含まれるアルコールは、高分子量ポリマー、たとえば、
以下に列挙する抑制物質として使用される酸素含有高分
子量化合物を除外する。

【００４２】前記化合物は、銅、金、銀、パラジウム、
白金、コバルト、クロム、カドミウム、ビスマス、イン
ジウム、ロジウム、イリジウム、およびルテニウムのメ
ッキのために金属メッキ浴において使用することができ
る。好ましくは、前記化合物は、銅、金、銀、白金、パ
ラジウム、イリジウム、およびルテニウムからなる群か
ら選択される金属メッキ浴において用いることができ
る。さらに好ましくは、前記添加剤消費を抑制する化合
物は、銅、イリジウム、またはルテニウムからなる群か
ら選択される金属をメッキするための浴において使用さ
れる。最も好ましくは、前記添加剤消費を抑制する化合
物は、銅をメッキするためにメッキ浴において使用する
ことができる。

【００４３】本発明の１またはそれ以上のアルコールを
金属メッキ浴に添加することにより、金属メッキ浴にお
ける添加剤の劣化が防止または軽減される。好ましく
は、金属メッキ浴は電気メッキ浴である。好ましくは本
発明の金属メッキ浴は水性である。アルコールは、一般
に浴１Ｌあたり約０．００１ｇ〜約１００ｇの量におい
て添加される。好ましくは、アルコールは一般にメッキ
浴において約０．０１ｇ／Ｌ〜約２０．０ｇ／Ｌで使用
される。

【００４４】添加剤消費を抑制するアルコールは、浴に
成分を添加するために使用される任意の適当な方法によ
りメッキ浴に添加することができる。一方法は、アルコ
ールをメッキ浴中に他の浴成分および添加剤と混合する
ことである。

【００４５】アルコールがその分解を抑制する添加剤と
しては、これに限定されないが、光沢剤、レベラー、湿
潤剤、展性、延性および堆積改良剤、抑制物質などが挙
げられる。このような添加剤は主に有機化合物である。
添加剤消費を抑制するアルコールは、光沢剤およびレベ
ラーの消費の抑制に特に有効である。本発明の範囲内で
定義される添加剤としては、本発明の消費抑制アルコー
ル以外の金属メッキ浴に添加することができる任意の化
合物、塩または液体が挙げられる。

【００４６】理論に限定されないが、本発明のアルコー
ルは以下のメカニズムの１つまたは組合せにより添加剤
消費を抑制すると考えられる。多くの添加剤が陽極で分
解して、酸化生成物になる。本発明のアルコールは添加
剤よりも競合的に陽極上に吸着し、添加剤の代わりに酸
化される。多くの金属メッキ浴は塩化物を含む。塩化物
はしばしばＨＣｌの形態で金属メッキ浴に添加される。
塩化物は陽極で酸化されて塩素になる。塩素は次に浴添
加剤を酸化し、金属メッキ浴中の添加剤の有効性を低下
させる。１またはそれ以上のアルコールを金属メッキ浴
に添加することにより、塩素は添加剤よりも１またはそ
れ以上のアルコールを酸化する。言い換えれば、アルコ
ールは犠牲種として役割を果たす。もう一つの考えられ
るメカニズムにおいては、アルコールは陽極表面で、塩
化物と競合するか、または塩化物および添加剤のどちら
とも競合する。このように、アルコールは陽極で塩化物
よりも、あるいは塩化物と添加剤の両方よりも酸化され
る。

【００４７】本発明のメッキ浴において使用される適当
な光沢剤の例としては、これに限定されないが、構造
式：ＨＯ_３Ｓ−Ｒ^１１−ＳＨ、ＨＯ_３Ｓ−Ｒ^１１−Ｓ−
Ｓ−Ｒ ^１１−ＳＯ_３Ｈ（式中、Ｒ^１１はＣ_１−Ｃ_６また
はアリール基である）、およびＨＯ_３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ
−Ａｒ−ＳＯ_３Ｈ（式中、Ａｒはフェニルまたはナフチ
ルである）を含む化合物が挙げられる。アルキルおよび
アリール基の置換基は、たとえば、アルキル、ハロおよ
びアルコキシである。このような光沢剤の例としては、
３−メルカプト−プロピルスルホン酸（ナトリウム
塩）、２−メルカプト−エタンスルホン酸（ナトリウム
塩）、およびビススルホプロピルジスルフィド（ＢＳＤ
Ｓ）である。このような化合物は、米国特許第３７７０
５９８号、第４３７４７０９号、第４３７６６８５号、
第４５５５３１５号および第４６７３４６９号に記載さ
れ、これらはすべて本発明の一部として参照される。こ
のようなポリスルフィドも、堆積した金属の延性を増大
させるために使用することができる。

【００４８】メッキ浴において使用することができるレ
ベラーの例としては、これに限定されないが、アルキル
化ポリアルキレンイミンおよび有機スルホスルホネート
が挙げられる。これらの化合物の例としては、１−（２
−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリジンチオン（Ｈ
ＩＴ）、４−メルカプトピリジン、２−メルカプトチア
ゾリン、エチレンチオ尿素、チオ尿素およびアルキル化
ポリアルキレンイミンが挙げられる。このような化合物
は、米国特許第４３７６６８５号、第４５５５３１５号
および第３７７０５９８号に開示され、その開示は全体
として本発明の一部として参照される。

【００４９】本発明の範囲内のメッキ浴において光沢剤
として機能することができる他の添加剤の例としては、
これに限定されないが、硫黄化合物、たとえば、３−
（ベンズチアゾリル−２−チオ）−プロピルスルホン酸
ナトリウム塩、３−メルカプトプロパン−１−スルホン
酸ナトリウム塩、エチレンジチオジプロピルスルホン酸
ナトリウム塩、ビス−（ｐ−スルホフェニル）ジスルフ
ィド二ナトリウム塩、ビス−（ω−スルホブチル）−ジ
スルフィド二ナトリウム塩、ビス−（ω−スルホヒドロ
キシプロピル）−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−
（ω−スルホプロピル）−ジスルフィド二ナトリウム
塩、ビス−（ω−スルホプロピル）−スルフィドジナト
リウム塩、メチル−（ω−スルホプロピル）−ジスルフ
ィドナトリウム塩、メチル−（ω−スルホプロピル）−
トリスルフィド二ナトリウム塩、Ｏ−エチル−ジチオカ
ルボン酸−Ｓ−（ω−スルホプロピル）−エステル、カ
リウム塩チオグリコール酸、チオリン酸−Ｏ−エチル−
ビス−（ω−スルホプロピル）エステル二ナトリウム
塩、チオリン酸−トリス（ω−スルホプロピル）−エス
テル三ナトリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルジチオカルバミ
ン酸（３−スルホプロピル）エステル、ナトリウム塩
（ＤＰＳ）、（Ｏ−エチルジチオカルボナート）−Ｓ−
（３−スルホプロピル）−エステル、カリウム塩（ＯＰ
Ｘ）、３−［（アミノ−イミノメチル）−チオ］−１−
プロパンスルホン酸（ＵＰＳ）、３−（２−ベンズチア
ゾリルチオ）−１−プロパンスルホン酸、ナトリウム塩
（ＺＰＳ）、ビススルホプロピルジスルフィドのチオー
ル（ＭＰＳ）などが挙げられる。

【００５０】抑制物質として使用することができる酸素
含有高分子量化合物の例としては、カルボキシメチルセ
ルロール、ノニルフェノールポリグリコールエーテル、
オクタジオールビス−（ポリアルキレングリコールエー
テル）、オクタノールポリアルキレングリコールエーテ
ル、オレイン酸ポリグリコールエステル、ポリエチレン
プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリ
エチレングリコールジメチルエーテル、ポリオキシプロ
ピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビ
ニルアルコール、ステアリン酸ポリグリコールエステ
ル、ステアリルアルコールポリグリコールエーテルなど
が挙げられる。

【００５１】堆積物の光沢度を向上させるために芳香族
および脂肪族第四アミンもメッキ浴に添加することがで
きる。フェナジンクラス（サフラニンタイプ）の染料お
よびフェナジンアゾ染料（ＪａｎｕｓＧｒｅｅｎＢ
タイプ）をレベラーとして使用することができる。金属
メッキの厚さおよび均一性を向上させるためにポリエー
テルが使用される。

【００５２】光沢剤およびレベラーは、メッキ浴に、約
１ｐｐｂから約１ｇ／Ｌの量において添加される。光沢
剤およびレベラーは、約１０ｐｐｂから約５００ｐｐｍ
の範囲であることが多い。浴成分の範囲は、各浴の組成
によって異なる。したがって、有機添加物についての前
記範囲は一般的な範囲である。

【００５３】本発明のメッキ浴に用いられる適当な湿潤
剤または界面活性剤の例としては、非イオン性界面活性
剤、たとえば、フェノキシポリエトキシエタノールが挙
げられる。複数のオキシエチレン基を含む他の適当な湿
潤剤も使用できる。このような湿潤剤としては、２０か
ら１５０個の繰り返し単位を有するポリオキシエチレン
ポリマーの化合物が挙げられる。このような化合物も抑
制物質として機能する。さらに、ポリオキシエチレンお
よびポリオキシプロピレンのブロックコポリマーもこの
ポリマーのクラスに含まれる。界面活性剤および湿潤剤
は公知量において添加される。

【００５４】添加剤に加えて、金属イオン供給源とし
て、ｐＨ調節剤、たとえば無機酸、ならびにハライドイ
オンの供給源などの他のメッキ浴成分もメッキ浴中に含
まれる。一般に、メッキ浴は水性である。浴のｐＨは０
〜約１４の範囲であり、好ましくは、０〜約８である。
メッキ浴において用いられる湿潤剤およびかかる浴にお
いて用いられる量は、当該分野においては周知である。
使用される無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸
などが挙げられるが、これに限定されない。硫酸が好ま
しい酸である。ハロゲンイオンは任意である。メッキ浴
において用いられるハロゲンイオンとしては、好ましく
はクロリド、フルオリド、およびブロミドが挙げられ
る。このようなハライドは、水溶性塩として浴中に添加
される。クロリドが好ましく、浴中に、好ましくはＨＣ
ｌとして添加される。金属の水溶性塩は、基体上にメッ
キされる金属の供給源を提供する。このような水溶性塩
としては、銅、クロム、金、銀、カドミウム、白金、パ
ラジウム、コバルト、ビスマス、インジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、およびイリジウムの金属塩が挙げられ
る。

【００５５】本発明の浴でメッキされる最も好ましい選
択される金属は銅で構成される。好ましくは、銅は電気
メッキされる。有用な銅は、任意の溶液可溶性銅化合物
の形態であってよい。好適な銅化合物としては、ハロゲ
ン化銅、硫酸銅、アルカンスルホン酸銅、アルカノール
スルホン酸銅などが挙げられるが、これに限定されな
い。ハロゲン化銅が使用される場合、クロリドが好まし
いハライドである。好ましい銅化合物は、硫酸銅、アル
カンスルホン酸銅、またはその混合物である。より好ま
しいのは、硫酸銅、メタンスルホン酸銅またはその混合
物である。本発明において有用な銅化合物は、一般に商
業的に入手可能であるか、または文献において公知の方
法により調製することができる。銅が基体上でメッキさ
れる場合、浴のｐＨは０〜約１４．０の範囲である。好
ましくは、浴のｐＨは０〜約８．０の範囲である。

【００５６】金属イオンは、メッキ浴中の濃度が約０．
０１０ｇ／Ｌ〜約２００ｇ／Ｌの範囲であり、好ましく
は、約０．５ｇ／Ｌ〜約１００．０ｇ／Ｌである。銅が
使用される場合、銅の量は約０．０１ｇ／Ｌ〜約１００
ｇ／Ｌの範囲である。好ましくは、銅は、約０．１０ｇ
／Ｌ〜約５０ｇ／Ｌの範囲である。本発明の浴が非高速
メッキプロセスにおいて使用される場合、浴中に存在す
る銅の量は、約０．０２ｇ／Ｌ〜約２５ｇ／Ｌの範囲で
ある。本発明の浴が、高速メッキプロセスにおいて使用
される場合、浴中に存在する銅の量は、約１．０ｇ／Ｌ
〜約１００ｇ／Ｌの範囲であり、好ましくは約２．０ｇ
／Ｌ〜約５０ｇ／Ｌの範囲である。

【００５７】ハライドイオンは、０ｍｇ／Ｌ〜約１ｇ／
Ｌ、好ましくは約１．０ｍｇ／Ｌ〜約１５０ｍｇ／Ｌの
濃度範囲である。ｐＨを約０〜約８．０にするために酸
をメッキ浴に添加する。したがって、酸は約１０ｇ／Ｌ
〜約６００ｇ／Ｌ、好ましくは約１５ｇ／Ｌ〜約５００
ｇ／Ｌの量において添加される。

【００５８】本発明を実施するための酸銅電気メッキ浴
の例は、次のような組成を有する：銅イオン（硫酸銅として）０．０１〜５０ｇ／Ｌ（濃）硫酸１５から５００ｇ／Ｌクロリドイオン（塩化ナトリウムとして）１ｐｐｍから１５０ｐｐｍ添加剤適宜添加剤保存化合物０．１〜１０ｇ／Ｌ水１リットルにする量

【００５９】基体が金属メッキされる適当なメッキ浴に
おいて添加剤の分解を防止するために選択された化合物
を使用することができるが、好ましくは添加剤保存化合
物を電気メッキ浴において使用する。このような電気メ
ッキ浴は、プリント配線板およびマイクロチップ用途に
おいて使用されるシリコンウェハの製造、ならびに電気
装置の他の部品の製造においてなど、基体上への金属の
電着において使用することができる。電着プロセスは、
基体を所望の厚さまで金属メッキするために十分な時
間、陽極、電気メッキ液、および陰極に電流を流すこと
を含む。陽極は、可溶性陽極（メッキが起こると溶解し
て、電気メッキ浴を補充する銅などの金属からなる）で
あってもよい。別法として、不溶性陽極（不活性物質、
たとえば、白金、白金化チタン、鉛などからなる）を使
用することもできる。好ましくは、本発明は、可溶性陽
極を使用したプロセスよりも、電気メッキ速度が大き
く、添加剤消費に関連する問題（陽極での酸化であるこ
とが多い）が大きい不溶性陽極を使用するメッキプロセ
スにおいて使用される。

【００６０】有用な不溶性陽極の例は、イリジウムおよ
びタンタルの酸化物を有する表面を有する陽極である。
このような陽極は、約２０から約９０モル％のイリジウ
ムを有し、残りはタンタルである。約６０から約９０モ
ル％のイリジウムと残りがタンタルであるのが好まし
い。陽極は、イリジウムおよびタンタルを導電性基体、
たとえば、チタン基体上にコーティングすることにより
製造される。

【００６１】他の適当な陽極としては、少なくとも約１
０モル％のＶＩＩＩ族金属、少なくとも約１０モル％の
バルブ金属および少なくとも約５モル％のバインダー金
属からなる陽極が挙げられる。ＶＩＩＩ族金属として
は、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、イリジウムおよび白金が挙げられる。バルブ金
属としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナ
ジウム、ニオブおよびタンタルが挙げられる。バインダ
ー金属としては、ベリリウム、カルシウム、ストロンチ
ウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタ
ンおよび原子番号５８から７１の希土類が挙げられる。
特に有用なのは、約５〜約２０モル％のバリウムの酸化
組成物であり、イリジウムとタンタルの比は約１／４〜
約４である。このような組成は、約５モル％のバリウ
ム、約３０から約４０モル％のイリジウムと残りがタン
タルである。加えて、オスミウム、銀および金または他
の酸化物を不溶性陽極において用いることができる。

【００６２】前記のように、本発明のメッキ浴は、金属
が基体上にメッキされる任意の適当なメッキプロセスに
おいて用いることができる。本発明のメッキ浴は、プリ
ント配線板産業などの電子装置の製造およびマイクロプ
ロセッシングにおけるシリコンウェハの製造において基
体をメッキするのに特に好適である。

【００６３】電気メッキプロセスにおいて、メッキされ
る基体が陰極として使用される。可溶性または好ましく
は不溶性陽極は、前記のように、第二の電極として使用
される。パルスメッキ、またはＤＣ（直流）メッキ、あ
るいはパルスメッキとＤＣメッキの組合せが用いられ
る。このようなメッキ法は当該分野においては一般的で
ある。電流密度および電極表面電位は、メッキされる具
体的基体によって変わる。一般に、陽極および陰極電流
密度は約１〜約１０００アンペア／ｆｔ^２（ＡＳＦ）ま
で変化しうる。メッキ浴は約２０℃〜約１１０℃の範囲
の温度に維持される。具体的金属についての温度範囲は
さまざまである。銅浴は、約２０℃〜約８０℃の温度範
囲に維持され、酸銅浴は約２０℃〜約５０℃の温度に維
持される。メッキは所望の厚さの堆積物が形成されるた
めに十分な時間継続される。一般に、回路板についての
メッキ時間は約４５分〜約８時間である。回路板製造に
関しては、所望の厚さは約０．５〜約３．０ｍｉｌであ
る。層の厚さは約１．０〜約１．５ｍｉｌであることが
多い。

【００６４】垂直および水平メッキプロセスのどちらも
用いることができる。垂直プロセスにおいて、基体、た
とえば、プリント回路または配線板を本発明のメッキ浴
液を入れた容器中に垂直な位置において沈める。陰極と
して機能する基体は、少なくとも一つの陽極、好ましく
は不溶性陽極と反対の垂直な位置に設置される。基体お
よび陽極は電源に連結されている。電源で電流を調節す
る代わりに、基体と陽極間の電圧が調節されるような電
圧調節も可能である。ポンプなどの輸送装置によりメッ
キ液を連続して容器に向かわせる。

【００６５】垂直法により基体または製品を処理するの
に適した配置および装置の例を図１に示す。装置１０
は、添加剤消費抑制アルコールを含む金属メッキ浴１４
を有する容器１２を有する。該金属メッキ浴１４は、た
とえば銅メッキに用いることができ、すでに記載した成
分および添加剤を含む。

【００６６】製品１６（陰極）、たとえば回路板、およ
び陽極１８、たとえば二酸化イリジウムでコートされた
不溶性チタン陽極は金属メッキ浴１４中に浸漬されてい
る。製品１６および陽極１８は電源２０に電気的に連結
されている。電源で電流を調節する代わりに、製品１６
と陽極１８間の電圧を調節するために電圧配列（ｖｏｌ
ｔａｇｅａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）（図示せず）を用
いることができる。金属メッキ浴１４はポンプなどの輸
送手段（図示せず）により連続して第二の容器または貯
蔵槽２２に向けられる。金属メッキ浴１４が流れる貯蔵
槽２２は、銅塩、光沢剤、レベラー、添加剤消費抑制ア
ルコールなどの金属メッキ浴１４中の金属浴成分および
添加剤を補充する。

【００６７】水平メッキプロセスにおいて、基体は水平
方向に移動してコンベヤーユニットを通して水平な位置
において輸送される。メッキ液を連続して基体の下およ
び／または上からスプラッシュノズルまたはフラッドパ
イプにより注入する。陽極は基体に関して間隔をおいて
配列され、適当な装置によりメッキ浴と接触させられ
る。基体はローラーまたはプレートにより輸送される。

【００６８】本発明を実施するために用いることができ
る水平法および装置の一例を図２に示す。装置４６のス
プレーチャンバー２４は、金属メッキされる回路板パネ
ルなどのパネル２８が連続して輸送されてチャンバー２
４に入り、出ていくために両末端にスロット２６を有す
るように形成されている。回路板パネルを図示したが、
水平装置によりメッキすることができる任意の適当な表
面が本発明の範囲内に含まれる。パネル２８はアイドラ
ーローラー３０により矢印の方向に移動される。一連の
ローラーブラシ３２はパネル２８の上面および下面と接
触する位置にあり、一連の陽極３４はパネル２８から離
れてアイドラーローラー３０の側のローラーブラシ３２
と接触する位置にある。陽極３４は任意の適当な金属、
たとえば、二酸化イリジウムでコートされたチタンで形
成されている。任意の好適な陽極を使用できるが、不溶
性陽極、たとえば、二酸化イリジウムでコートされたチ
タンが好ましい。陽極３４は、陽極が上側からアイドラ
ーローラー３４の上側の組に接触し、下側からアイドラ
ーローラー３０の下側の組と接触する位置にある。陽極
３４は電源３６の正端子と並列に電気的に接続されてい
る。電極３６の負端子はメッキされるパネル２８（陰
極）と連結されている。ライン４４により金属メッキ液
４０を含む貯蔵槽４２と連結されているスプレージェッ
ト３８は、下方向に陽極３４とローラーブラシ３２なら
びにパネル２８上に金属メッキ液４０をスプレーするた
めにローラーブラシ３２間に配列されている。矢印は金
属浴がライン４４を通って流れる方向を示す。金属メッ
キ液４０は、貯蔵槽４２への機械的連結においてポンピ
ング手段（図示せず）により貯蔵槽４２からライン４４
を通ってポンプ輸送される。パネル２８の輸送機械手段
（図示せず）は、電源３６の負極とパネル２８間の電気
的接触を維持しながら、チャンバー２４を通ってパネル
２８を連続して移動させるコンベアタイプの機械であ
る。

【００６９】添加剤分解の量を防止するかまたは実質的
に減少させることにより、選択された化合物はメッキさ
れた金属の光沢を向上させ、メッキされた金属の物理的
性質を向上させる。本発明の浴でメッキされた金属層は
構造が脆かったり、粉末状になりやすくない。さらに、
本発明の浴でメッキされた金属層は良好な均一電着性を
有し、メッキ皺がない。金属層のこのような性質はプリ
ント回路および配線板におけるスルーホールに特に望ま
しい。加えて、選択された化合物は金属メッキ中におけ
る有機添加剤の分解を防止するかまたは実質的にその量
を減少させるので、有機添加剤の補充は必要であっても
まれである。さらに、有機添加剤の分解を防止すること
により浴を交換せずに金属メッキ操作の長期間継続が許
容される。さらに、選択された化合物は有機添加剤の分
解を防止するので、メッキ中の装置からコストのかかる
半透過性膜を除去することができる。このように、選択
された化合物を含むメッキ浴は、選択された化合物を含
まない浴よりも有効で経済的な金属メッキ法を提供す
る。したがって、本発明の金属メッキ浴は、向上された
金属メッキプロセスを提供する。本発明におけるすべて
の数の範囲は両端を含み、組合せ可能である。

【００７０】本発明をプリント配線板産業におけるメッ
キプロセスに重点をおいて記載したが、本発明は任意の
適当なメッキプロセスにおいて用いることができる。化
合物はプリント回路および配線板、集積回路、電気接触
面およびコネクター、電解ホイル、マイクロチップ用途
のシリコンウェハ、半導体および半導体パッケージン
グ、リードフレーム、オプトエレクトロニクスおよびオ
プトエレクトロニクスパッケージング、ウェハ上などの
ソルダーバンプなどの電気装置の製造における金属メッ
キ浴において用いることができる。加えて、金属メッキ
浴を、宝石、家具類、自動車部品、衛生用品などの装飾
品の金属メッキに用いることができる。さらに、本発明
の添加剤消費抑制化合物は、廃棄物処理法において用い
ることができる。

【００７１】以下の実施例は本発明にをよりよく説明す
るために提供し、本発明の範囲を制限することを意図す
るものではない。

【００７２】実施例１光沢剤消費をハルセル（ＨｕｌｌＣｅｌｌ）を用いて
電気メッキ浴において測定した。使用した各ハルセルは
流体力学的に制御されたハルセル（ＨＣＨＣ）であっ
た。浴は以下の成分を含む銅メッキ浴であった。硫酸銅五水和物８０ｇ／Ｌ（濃）硫酸２２５ｇ／Ｌ塩化物（塩化ナトリウムとして）５０ｐｐｍビススルホプロピルジスルフィド（光沢剤）１ｍｇ／Ｌ水１Ｌにする量

【００７３】第一のハルセル実験は可溶性銅陽極および
銅クラッド陰極を使用した。第二および第三のハルセル
実験は可溶性銅陽極の代わりに二酸化イリジウム不溶性
陽極を使用した。前記浴成分に加えて、第三のハルセル
は約１ｇ／Ｌのｌ−アスコルビン酸ナトリウム塩を含ん
でいた。光沢剤消費をマット（％）として測定した。マ
ットとはメッキされた銅上の曇った、あるいは非反射性
表面である。

【００７４】各ハルセル実験を約３アンペアで約２分間
行って光沢剤消費を測定し、その後約１０分間行って光
沢剤消費を測定した。

【００７５】次の表に記載した結果は、ｌ−アスコルビ
ン酸を浴へ添加することにより光沢剤消費が軽減される
ことを示す。

【表１】

【００７６】約２分後、約３２％のメッキされた銅は外
見がマットで、約１０分後、約３４％のメッキされた銅
はマットな表面を有していた。したがって、光沢剤消費
は２分および１０分間の操作について本質的に同じであ
った。不溶性二酸化イリジウム陽極を使用したハルセル
実験は約２分後３３％マットであった。光沢剤消費は、
可溶性陽極について２分間行った場合と本質的に同じで
あった。しかしながら、約１０分後、銅表面は不溶性二
酸化イリジウム陽極を用いたメッキプロセスにおいて約
１００％マットであった。したがって、浴中のほとんど
すべての光沢剤が消費された。光沢剤消費は、不溶性陽
極を使用した場合に特に問題であった。

【００７７】不溶性二酸化イリジウム陽極を使用した浴
にｌ−アスコルビン酸を添加した場合、約２分後わずか
約２５％のメッキされた銅表面がマットであった。約１
０分後、わずか約２７％のメッキされた銅表面がマット
であった。したがって、光沢剤消費は、不溶性陽極につ
いて１０分の操作後も２分操作と本質的に同じであっ
た。ｌ−アスコルビン酸を浴に添加することにより、光
沢剤消費が抑制された。

【００７８】実施例２本発明の範囲内の化合物を、銅メッキ浴における光沢剤
消費を抑制する能力について試験した。光沢剤消費を防
止する化合物の能力を測定するために流体力学的に制御
されたハルセルを使用した。光沢剤を補充しないで約５
−９０ＡＳＦ電流密度範囲において製造される、完全に
光沢のある陰極の数を記録することにより化合物の光沢
剤消費を抑制する能力を測定した。

【００７９】試験において使用した銅メッキ浴は以下の
とおりである：浴成分量硫酸銅五水和物８０ｇ／Ｌ（濃）硫酸２２５ｇ／Ｌ塩化物（塩化ナトリウムとして）５０ｐｐｍポリエチレンオキシド（抑制物質）１ｇ／Ｌビススルホプロピルジスルフィド（光沢剤）１ｐｐｍ水１Ｌになる量

【００８０】試験した化合物を結果と共に以下の表に記
載する。各化合物を約０．１ｇ／Ｌの量においてメッキ
浴に添加した。光沢剤保護添加剤を含まない対照浴も試
験した。各ハルセル実験は、陰極として機能する銅クラ
ッドＦＲ４／ガラス−エポキシ、および陽極（不溶性陽
極）として機能する二酸化イリジウムコートチタンメッ
シュに関して行った。陰極を約３アンペアで約１０分間
ＤＣ整流器を用いて電気メッキした。約１０分後、陰極
堆積物が約５−９０ＡＳＦ電流密度範囲において光沢が
あるならば、新しい銅陰極を浸漬し、電気メッキした。
陰極堆積物が約５−９０ＡＳＦ電流密度範囲においてマ
ットになるまでプロセスを繰り返した。約７ｇの硫酸銅
七水和物を約３０分ごとにメッキ浴に添加して銅イオン
を補充した。マットな堆積物が記録されたら、光沢剤は
浴から枯渇したことになる。

【００８１】光沢剤保護添加剤を含まないメッキ浴対照
例は約５−９０ＡＳＦ電流密度範囲において光沢のある
陰極を生じなかった。多くの異なる光沢剤保護化合物か
ら生じた光沢のある陰極の数を次の表に記載する：化合物光沢のあるハルセルの数２，７−ジヒドロキシナフタレン１５２，３−ジヒドロキシナフタレン１０５−メトキシレゾルシノール１０フロログルシノール二水和物１０４−クロロレゾルシノール８１，２，４−ベンゼントリオール８クロチルアルコール７２−メチレン−１，３−プロパンジオール６２，５−ジヒドロキシ−１，４−ベンゾキノン６６，７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸５３−ブテン−１−オール５オリベトール３２−ニトロレゾルシノール３３−クロロフェノール３２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン３Ｌ−アスコルビン酸３ナリンギン水和物３Ｄ−エリスロニック−ガンマ−ラクトン３未満対照（化合物を添加しない）１未満ナフタレン構造の２および７位の炭素でヒドロキシル置
換を有する置換ナフタレン化合物について最良の結果が
得られた。試験したすべての化合物は、銅浴成分のみか
らなる対照と比較して、幾分かの光沢剤保持能を示し
た。したがって、光沢剤消費を抑制するために前記の化
合物を銅メッキ浴に添加することができる。

【００８２】実施例３本発明の範囲内の化合物を銅メッキ浴における光沢剤消
費を抑制するその能力に関して試験した。化合物の光沢
剤消費を抑制する能力を測定するために流体力学的に制
御されたハルセルを使用した。光沢剤消費を抑制する化
合物の能力は、光沢剤を補充しないで約５−９０ＡＳＦ
電流密度範囲において生じる完全に光沢のある陰極の数
を記録することにより測定した。

【００８３】試験において使用した銅メッキ浴は次の通
りであった：浴成分量硫酸銅五水和物８０ｇ／Ｌ（濃）硫酸２２５ｇ／Ｌ塩化物（塩化ナトリウムとして）５０ｐｐｍポリエチレンオキシド（抑制物質）１ｇ／Ｌビススルホプロピルジスルフィド（光沢剤）１ｐｐｍ水１Ｌにする量

【００８４】試験した化合物を以下の表に結果とともに
記載する。各化合物を約１ｇ／Ｌの量においてメッキ浴
に添加した。光沢剤保護添加剤を含まない対照浴も試験
した。各ハルセル実験を、陰極として機能する銅クラッ
ドＦＲ４／ガラス−エポキシ、および陽極（不溶性陽
極）として機能する二酸化イリジウムコートチタンメッ
シュに関して行った。陰極を約３アンペアで約１０分間
ＤＣ整流器を用いて電気メッキをした。約１０分後、陰
極堆積物が５−９０ＡＳＦ電流密度範囲において光沢が
あるならば、新しい銅陰極を浸漬し、電気メッキした。
合計メッキ時間約３０分まで、すなわち３つの連続した
光沢のあるハルセルパネルで、陰極堆積物が約５−９０
ＡＳＦ電流密度範囲においてマットになるまで、プロセ
スを繰り返した。マットな堆積物が記録されたときに、
光沢剤が浴から消耗していた。

【００８５】光沢剤保護添加剤を含まないメッキ浴対照
例は約５−９０ＡＳＦ電流密度範囲において光沢のある
陰極を生じなかった。多くの異なる光沢剤保護化合物か
ら生じた光沢のある陰極の数を次の表に記載する：化合物光沢のあるハルセルパネルの数２，７−ジヒドロキシナフタレン３２，３−ジヒドロキシナフタレン３５−メトキシレゾルシノール３フロログルシノール二水和物３４−クロロレゾルシノール３１，４−ペンタジエン−３−オール３クロチルアルコール３２−メチレン−１，３−プロパンジオール３２，５−ジヒドロキシ−１，４−ベンゾキノン３オルシノール一水和物３３−ブテン−１−オール３オリベトール３２−ニトロレゾルシノール３３−クロロフェノール３２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジン３４−エチルレゾルシノール３ナリンギン水和物３ｄ−エリスロニック−ガンマ−ラクトン３１，３−プロパンジオール２１，３−シクロヘキサンジオール２カテコール１トランス−２−ペンテノール１対照（化合物を添加しない）１未満試験したすべての化合物は、銅浴成分のみからなる対照
と比較して、幾分かの光沢剤保持能を示した。したがっ
て、光沢剤消費を抑制するために前記の化合物を銅メッ
キ浴に添加することができる。

【００８６】実施例４以下の比較試験は、本発明の光沢剤消費抑制化合物は光
沢剤消費を抑制するための鉄レドックス法よりも改良さ
れていることを示す。

【００８７】４つの金属メッキ浴を調製し、すべて、約
８０ｇ／Ｌの硫酸銅五水和物、約２２５ｇ／Ｌの硫酸、
約１ｇ／Ｌのポリエチレンオキシドおよび約１ｐｐｍの
ビススルホプロピルジスルフィド（光沢剤）を含んでい
た。硫酸鉄（ＩＩ）七水和物を異なる量において４つの
浴のうちの３つの添加した。１つの浴は約１ｇ／Ｌの硫
酸鉄（ＩＩ）七水和物を含み、第二の浴は、約１０ｇ／
Ｌの硫酸鉄（ＩＩ）七水和物を含み、第三の浴は約２０
０ｇ／Ｌの硫酸鉄（ＩＩ）七水和物を含んでいた。標準
的ハルセルにおいて銅クラッドＦＲ４／ガラス−エポキ
シパネル上に銅をメッキする間の光沢剤消費を防止する
硫酸鉄（ＩＩ）七水和物の能力を試験するために、硫酸
鉄（ＩＩ）七水和物を各浴に添加した。第四の浴は対照
である。ハルセルは二酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）メッ
シュタイプ不溶性陽極を含んでいた。銅クラッドＦＲ４
／ガラス−エポキシパネルは陰極として機能した。各ハ
ルセルを約３アンペアで約１０分間操作した。

【００８８】さまざまな量の硫酸鉄（ＩＩ）の存在下で
約１０分電気メッキした後、完全に光沢のあるパネルは
約５−９０ＡＳＦの電流密度で生じなかった。したがっ
て、相当量の光沢剤がメッキ中に消費された。しかしな
がら、電流密度が約０−１２ＡＳＦの範囲にある場合、
光沢剤の保護において若干の改善が見られた。半光沢パ
ネルが生じた。電流密度が約０−６０ＡＳＦ範囲まで減
少した場合、鉄を含まない対照パネルは半光沢性表面を
有していた。

【００８９】前記実施例２の添加剤消費を抑制する化合
物は、約５−９０ＡＳＦの電流密度で鉄塩と比較して改
善された光沢剤保護を示した。鉄塩を含むメッキ浴中お
よび対照浴中の光沢剤は、約１０分後に実質的に消費さ
れ、添加剤消費抑制化合物をメッキ浴に添加すると多く
の光沢のあるパネルが生じた実施例２のメッキ浴と対照
的に、完全に光沢のあるパネルは得られなかった。

【００９０】実施例５鉄に加えて他の遷移金属を、酸銅メッキ浴における光沢
剤消費を防止する能力について試験した。

【００９１】８０ｇ／Ｌの硫酸銅五水和物、約２２５ｇ
／Ｌの硫酸、約１ｇ／Ｌのポリエチレンオキシドおよび
約１ｐｐｍのビススルホプロピルジスルフィド（光沢
剤）を用いて５つの浴を調製した。１つの浴は約１０ｇ
／ＬのＮａ_２ＭｏＯ_４を含み、第二の浴は約１０ｇ／Ｌ
のＭｎＳＯ_４を含み、第三の浴は約１ｇ／ＬのＭｎＳＯ
_４を含み、第四の浴は約１ｇ／ＬのＴｅＯ_２を含んでい
た。第五の浴は対照として機能し、遷移金属化合物を含
んでいなかった。光沢剤消費を陰極として銅クラッドＦ
Ｒ４／ガラス−エポキシパネルおよびＩｒＯ_２コートチ
タン陽極を用いてハルセルにおいて試験した。電気メッ
キを約１０分間約３アンペアでＤＣ整流器を用い、空気
撹拌をしながら行った。電流密度は約５−９０ＡＳＦの
範囲であった。

【００９２】遷移元素を含む浴は対照パネルと対照的に
半光沢のパネルを生じたが、どの浴も約５−９０ＡＳＦ
電流密度範囲において完全に光沢のある陰極を生じなか
った。実施例４の硫酸鉄（ＩＩ）と同様に、遷移金属塩
を含む浴は対照よりも若干光沢のある銅堆積物を提供し
た。

【００９３】前記実施例２に示すように、本発明の添加
剤消費抑制化合物は、本実施例の遷移金属塩と対照的に
改良された光沢剤保存活性を有していた。遷移元素を含
む浴ではなかったのに対し、実施例２の添加剤消費抑制
化合物を含むメッキ浴を用いていくつかの完全に光沢の
あるパネルが生じた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にしたがった垂直法による製品の処理
を示す図である。

【図２】本発明にしたがった水平法による製品を処理
する装置を表す図である。

【符号の説明】

１０：装置１２：容器１４：金属メッキ浴１６：製品１８：陽極２０：電源２２：貯蔵槽２４：スプレーチャンバー２６：スロット２８：パネル３０：アイドラーローラー３２：ローラーブラシ３４：陽極３６：電極３８：スプレージェット４０：金属メッキ液４２：貯蔵槽４４：ライン４６：装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者デービッド・アール・ゲイブイギリス，ラフバラ州，エルイー11・３ティーエー，タインデール・ロード・35 (72)発明者アンドリュー・ジェイ・コブリーイギリス，コベントリー州，シーブイ５・９イーワイ，アレズリー・ビレッジ，ヘンダーソン・クローズ・７ (72)発明者レオン・アール・バースタッドアメリカ合衆国マサチューセッツ州02767, レイナム，リーガン・サークル・８ (72)発明者マーク・ジェイ・カペッカスアメリカ合衆国マサチューセッツ州01752, マルボロ，ブロード・ストリート・33 (72)発明者エリック・レディントンアメリカ合衆国マサチューセッツ州01721, アッシュランド，アネッタ・ロード・24 (72)発明者ウェイド・ソンネンバーグアメリカ合衆国マサチューセッツ州02539, エドガータウン，アールアール１・472シー (72)発明者トーマス・バックリーアメリカ合衆国マサチューセッツ州02026, デドハム，ワシントン・ストリート・736 Ｆターム(参考） 4K023 AA11 AA13 AA16 AA19 AA24 AA25 AA26 AA27 AA28 AA29 AA30 BA06 BA07 BA12 BA21 CB05 DA02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】添加剤消費を抑制するアルコールおよ
び、銅、金、銀、パラジウム、白金、コバルト、カドミ
ウム、クロム、ビスマス、インジウム、ロジウム、ルテ
ニウム、およびイリジウムからなる金属から選択される
金属の塩を含む金属メッキ浴。
【請求項２】添加剤消費を抑制するアルコールが、以
下の式：【化１】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、または環状アルキ
ル；（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルケニル；
（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；（Ｃ_１
−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；アリール；ハ
ロゲン；チエニル；シラン；シリル；−Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）_３；アミニル；アミニルハライド；ヒドロキシアミ
ニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−Ｎ
Ｏ_２；ＳＯ_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；ＰＯ_３Ｍ；ケト；エステ
ル；−Ｐ（Ｒ^４）（ただし、Ｒ^４は、水素またはハロゲ
ンである）；またはアシルハライドである；ただし、
Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも１つは−ＯＨ、
ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ（Ｃ
_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）
アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
またはヒドロキシアリールであり；Ｍは水素またはアル
カリ金属；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒド
ロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）ア
ルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アル
キル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）
アルキニルであり、アリール基は置換されているかまた
は置換されていないとする；あるいはＲ^１およびＲ^２は
一緒になって結合を形成するか；またはＲ^１およびＲ^２
はこれらが結合している原子と一緒になって、任意に１
またはそれ以上の５または６員炭素環と縮合していても
よい５〜７員環を形成する；該５〜７員環および１また
はそれ以上の５〜６員縮合環はそれぞれ環において任意
に１またはそれ以上のカルボニルを含む；あるいは５〜
７員環、あるいは１またはそれ以上の５または６員縮合
環はそれぞれ任意に複素原子、たとえば酸素または窒素
を含んで、複素環を形成する；該複素環は、環中にカル
ボニル基を含んでもよい；５〜７員環、５〜６員縮合環
および複素環は非置換であってもよいし、あるいは置換
されていてもよい；ＲおよびＲ^３は前記定義の通りであ
る；Ｒ^１およびＲ^２は一緒になって結合を形成するかま
たは環構造を形成する場合には、該化合物には少なくと
も１つのＯＨ基が存在する）を有する化合物である請求
項１記載の金属メッキ浴。
【請求項３】ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、
ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ
（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ
_２０）アルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルキル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、
アリール、５〜７員環、５〜６員縮合環、または複素環
が、ハロゲン、シリル、シラン、−Ｓｉ（ＯＨ）_３、ア
ミニル、アミルハライド、ヒドロキシアミニル、−Ｏ
Ｈ、ＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ＝ＮＳ、−ＳＨ、−ＮＯ_２、
−ＳＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ_３Ｍ、Ｐ（Ｒ^４）、エ
ステル、ケト、アルコキシ、ペントース、ヘキソース、
またはその組合せである１またはそれ以上の置換基で置
換されている請求項２記載の金属メッキ浴。
【請求項４】添加剤消費を抑制する化合物が、以下の
式：【化２】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^８はそれぞれ独立
してＲから選択される）を有するナフタレン化合物であ
る請求項３記載の金属メッキ浴。
【請求項５】ナフタレン誘導体が、１，２−ジヒドロ
キシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、
２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキ
シナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒドロキシナ
フタレン−２，７−ジスルホン酸二ナトリウム塩、６，
７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、
６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸、４−アミ
ノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレンジスルホン酸
一ナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，
４−テトラヒドラ−ナフタレン、２，６−ジヒドロキシ
ナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ナ
フトール−３，６−ジスルホン酸二ナトリウム塩水和
物、デカヒドロ−２−ナフトール、１，２，３，４−テ
トラヒドロ−１−ナフトール、２−ナフタレンメタノー
ル、１，６−ジヒドロキシナフタレン、６，７−ジヒド
ロキシ−２−ナフタレンスルホン酸半水和物または４−
ヒドロキシ−１−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩を
含む請求項３記載の金属メッキ浴。
【請求項６】添加剤消費を抑制する化合物が、５−メ
トキシレゾルシノール、４−クロロレゾルシノール、２
−ニトロレゾルシノール、２−アリルフェノール、１，
２，４−ベンゼントリオール、イソオイゲノール、α、
α、α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、クレゾール、
４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−ヒドロキシ−１
−ベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルアルコ
ール、フロログルシノール二水和物、無水物、オリベト
ール、３−クロロフェノール、１，２−ベンゼンジメタ
ノール、１，３−ベンゼンジメタノール、４−アミノフ
ェノール、４−メトキシフェノール、４−エチルレゾル
シノール、ヒドロキノン、クロロキノン、ヒドロキノン
スルホン酸カリウム塩、４−（メチルチオ）−ベンジル
アルコール、ベンジルアルコール、コニフェリルアルコ
ール、３−メトキシカテコール、４−メルカプトフェノ
ール、４，４’−チオジフェノール、３−メトキシフェ
ノール、フェノール、またはオルシノール一水和物を含
む請求項３記載の金属メッキ浴。
【請求項７】添加剤消費を抑制する化合物が、アスコ
ルビン酸、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、ある
いはそのナトリウム、カリウム、または鉄塩を含む請求
項３記載の金属メッキ浴。
【請求項８】添加剤消費を抑制する化合物が、２−ヒ
ドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒドロ−４−ヒドロ
キシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、２−ヒド
ロキシベンゾフラン、ナリンギン水和物、セサモール、
または２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジンを
含む請求項３記載の金属メッキ浴。
【請求項９】添加剤消費を抑制する化合物が、クロチ
ルアルコール、２−メチレン−１，３−プロパンジオー
ル、３−ブテン−１−オール、または１，４−アンヒド
ロ−エリスリトールを含む請求項３記載の金属メッキ
浴。
【請求項１０】添加剤消費を抑制する化合物が、浴１
Ｌあたり約０．００１ｇ〜約１００ｇである請求項１の
金属メッキ浴。
【請求項１１】さらに、光沢剤、レベラー、硬化剤、
湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積改良剤、または
抑制物質を含む請求項１記載の金属メッキ浴。
【請求項１２】光沢剤が、式：ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−
ＳＨ；ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−Ｓ−Ｓ−Ｒ^１１−ＳＯ_３Ｈ
（式中、Ｒ^１１はＣ_１−Ｃ_６アルキルまたはアリール基
である）；あるいはＨＯ_３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−Ｓ
Ｏ_３Ｈ（式中、Ａｒはフェニルまたはナフチルである）
を有する化合物を含み、アルキルおよびアリール基はア
ルキル基、ハロまたはアルコキシ基で置換されていても
よいし、あるいは置換されていなくてもよい請求項１１
記載の金属メッキ浴。
【請求項１３】光沢剤が、３−メルカプト−プロピル
スルホン酸ナトリウム塩、２−メルカプト−エタンスル
ホン酸ナトリウム塩、ビススルホプロピルジスルフィ
ド、またはその混合物を含む請求項１２記載の金属メッ
キ浴。
【請求項１４】レベラーが、アルキル化ポリアルキレ
ンイミン、オルガノスルホスルホン、フェナジンクラス
の染料、フェナジンアゾ染料、またはその混合物を含む
請求項１１記載のメッキ浴。
【請求項１５】さらに、添加剤３−（ベンズチアゾリ
ル−２−チオ）−プロピルスルホン酸ナトリウム塩、３
−メルカプトプロパン−１−スルホン酸ナトリウム塩、
エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム塩、ビ
ス−（ｐ−スルホフェニル）−ジスルフィド二ナトリウ
ム塩、ビス−（ω−スルホブチル）−ジスルフィド二ナ
トリウム塩、ビス−（ω−スルホヒドロキシプロピル）
−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−（ω−スルホプ
ロピル）−ジスルフィド二ナトリウム塩、ビス−（ω−
スルホプロピル）−スルフィド二ナトリウム塩、メチル
−（ω−スルホプロピル）ナトリウム塩、メチル−（ω
−スルホプロピル）−トリスルフィド二ナトリウム塩、
Ｏ−エチル−ジチオカルボン酸−Ｓ−（ω−スルホプロ
ピル）−エステル、カリウム塩チオグリコール酸、チオ
リン酸−Ｏ−エチル−ビス−（ω−スルホプロピル）−
エステル二ナトリウム塩、チオリン酸−トリ（ω−スル
ホプロピル）−エステル三ナトリウム塩、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルジチオカルバミン酸（３−スルホプロピル）エステ
ルナトリウム塩、（Ｏ−エチルジチオカルボナート）−
Ｓ−（３−スルホプロピル）エステルカリウム塩、３−
［（アミノ−イミノメチル）−チオ］−１−プロパンス
ルホン酸、３−（２−ベンズチアゾリルチオ）−１−プ
ロパンスルホン酸ナトリウム塩、またはその混合物を含
む請求項１１記載のメッキ浴。
【請求項１６】さらに、添加剤カルボキシメチルセル
ロース、ノニルフェノールポリグリコールエーテル、オ
クタンジオールビス−（ポリアルキレングリコールエー
テル）、オクタノールポリアルキレングリコールエーテ
ル、オレイン酸ポリグリコールエステル、ポリエチレン
プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリ
エチレングリコールジメチルエーテル、ポリオキシプロ
ピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリビ
ニルアルコール、ステアリン酸ポリグリコールエステ
ル、ステアリルアルコールポリグリコールエーテル、ま
たはその混合物を含む請求項１１記載のメッキ浴。
【請求項１７】浴のｐＨが０〜約８．０の範囲である
請求項１記載の金属メッキ浴。
【請求項１８】銅塩、および添加剤消費を抑制するア
ルコールを含む銅金属メッキ浴。
【請求項１９】添加剤消費を抑制するアルコールが、
式：【化３】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、または環状アルキ
ル；（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルケニル；
（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；（Ｃ_１
−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；アリール；ハ
ロゲン；チエニル；シリル；シラン；−Ｓｉ（Ｏ
Ｈ）_３；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ
_２；ＳＯ_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；ＰＯ_３Ｍ；−Ｐ
（Ｒ^４）_２；アミニル；アミニルハライド；ヒドロキシ
アミニル；ケト；エステル；またはアシルハライドであ
る；ただし、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも１
つは−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒ
ドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ
_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）
アルコキシ、またはヒドロキシアリールであり；Ｒ^４は
水素またはハロゲンであり；Ｍは水素またはアルカリ金
属；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ
（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ
_２０）アルキニル、ヒドロキシアリール、ヒドロキシ
（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）ア
ルキニル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシであり、アリー
ル基は置換されていてもよいし、あるいは置換されてい
なくてもよい；あるいはＲ^１およびＲ^２は一緒になって
結合を形成するか；またはＲ^１およびＲ^２はこれらが結
合している原子と一緒になって５〜７員環を形成する；
該５〜７員炭素環は１以上のカルボニル基を含んでもよ
い；該５〜７員炭素環は任意に１以上の５〜６員環と縮
合してもよく、該１以上の５または６員縮合環は環中に
１以上のカルボニル基を含んでもよい；該５〜７員環ま
たは１以上の５〜６員縮合環は環において炭素が複素原
子と置換されて複素環を形成してもよく、該複素原子は
酸素または窒素であつてもよく；５〜７員環、縮合５ま
たは６員環、または複素環は置換されていなくてもよい
し、置換されていてもよい；ＲおよびＲ^３は前記定義の
通りである；Ｒ^１およびＲ^２が一緒になって結合または
環を形成する場合には、該化合物には少なくとも１つの
ＯＨ基が存在する）を有する化合物である請求項１８記
載の金属銅メッキ浴。
【請求項２０】ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキ
シ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルキル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_１
−Ｃ_２０）アルキニル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
アリール、５〜７員環、５〜６員縮合環、および複素環
が、ハロゲン、シリル、シラン、−Ｓｉ（ＯＨ）_３、ア
ミニル、アミニルハライド、ヒドロキシアミニル、アシ
ルハライド、ＯＨ、−ＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ＝ＮＳ、Ｓ
Ｈ、−ＮＯ_２、ＳＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｍ、ＰＯ_３Ｍ、−Ｐ
（Ｒ^４）_２、ケト、エステル、またはアルコキシを含む
１またはそれ以上の置換基で置換されていてもよい請求
項１９記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２１】添加剤消費を抑制する化合物が、以下
の式：【化４】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^６はそれぞれ独立
してＲから選択される）を有するナフタレン化合物を含
む請求項２０記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２２】ナフタレン化合物が、１，２−ジヒド
ロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、
２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキ
シナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒドロキシナ
フタレン−２，７−ジスルホン酸二ナトリウム塩、６，
７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、
６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸、４−アミ
ノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレンジスルホン酸
一ナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，
４−テトラヒドラナフタレン、２，６−ジヒドロキシナ
フタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ナフ
トール−３，６−ジスルホン酸二ナトリウム塩水和物、
デカヒドロ−２−ナフトール、１，２，３，４−テトラ
ヒドロ−１−ナフトール、２−ナフタレンメタノール、
１，６−ジヒドロキシナフタレン、６，７−ジヒドロキ
シ−２−ナフタレンスルホン酸半水和物、または４−ヒ
ドロキシ−１−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩を含
む請求項２１記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２３】添加剤消費を抑制する化合物が、５−
メトキシレゾルシノール、４−クロロレゾルシノール、
２−ニトロレゾルシノール、２−アリルフェノール、
１，２，４−ベンゼントリオール、イソオイゲノール、
α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、クレゾー
ル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−ヒドロキシ
−１−ベンジルアルコール、フェニルメチル、フロログ
ルシノール二水和物、無水物、オリベトール、３−クロ
ロフェノール、１，２−ベンゼンジメタノール、１，３
−ベンゼンジメタノール、４−アミノフェノール、４−
メトキシフェノール、４−エチルレゾルシノール、ヒド
ロキノン、クロロキノン、ヒドロキノンスルホン酸カリ
ウム塩、４−（メチルチオ）−ベンジルアルコール、ベ
ンジルアルコール、コニフェリルアルコール、３−メト
キシカテコール、４−メルカプトフェノール、４，４’
−チオジフェノール、３−メトキシフェノール、オルシ
ノール一水和物、またはその混合物を含む請求項２０記
載の銅金属メッキ浴。
【請求項２４】添加剤消費を抑制する化合物が、２−
ヒドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒドロ−４−ヒド
ロキシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、２−ヒ
ドロキシベンゾフラン、ナリンギン水和物、セサモー
ル、または２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジ
ン、またはその混合物を含む請求項２０記載の銅金属メ
ッキ浴。
【請求項２５】添加剤消費を抑制する化合物が、クロ
チルアルコール、２−メチレン−１，３−プロパンジオ
ール、３−ブテン−１−オール、または１，４−アンヒ
ドロエリスリトールを含む請求項２０記載の銅金属メッ
キ浴。
【請求項２６】添加剤消費を抑制するアルコールが浴
１Ｌあたり約０．００１ｇ〜約１００ｇである請求項１
８記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２７】銅塩が、ハロゲン化銅、硫酸銅、アル
カンスルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅、または
その混合物を含む請求項１８記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２８】浴のｐＨが０〜約８．０である請求項
１８記載の銅金属メッキ浴。
【請求項２９】さらに、光沢剤、レベラー、硬化剤、
湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積改良剤、抑制物
質、またはその混合物を含む添加剤を含む請求項１８記
載の銅金属メッキ浴。
【請求項３０】光沢剤が、式：ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−
ＳＨ；ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−Ｓ−Ｓ−Ｒ^１１−ＳＯ_３Ｈ
（式中、Ｒ^１１はＣ_１−Ｃ_６アルキルまたはアリール基
である）；あるいはＨＯ_３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−Ｓ
Ｏ_３Ｈ（式中、Ａｒはフェニルまたはナフチルであり、
該アルキルおよびアリール基はアルキル基、ハロ、また
はアルコキシで置換されていても、置換されていなくて
もよい）を含む請求項２９記載の銅金属メッキ浴。
【請求項３１】レベラーが、アルキル化ポリアルキレ
ンイミン、オルガノスルホスルホン、フェナジンクラス
の染料、フェナジンアゾ染料、またはその混合物を含む
請求項２９記載の銅金属電気メッキ浴。
【請求項３２】基体を金属メッキ浴と接触させ；十分
な電流密度を金属メッキ浴にかけて、金属を基体上に堆
積させることを含み；金属メッキ浴が、添加剤消費を抑
制するアルコールおよび、銅、金、銀、パラジウム、白
金、コバルト、カドミウム、クロム、ビスマス、インジ
ウム、ロジウム、ルテニウム、およびイリジウムからな
る金属から選択される金属の塩を含む、基体上に金属を
メッキする方法。
【請求項３３】添加剤消費を抑制するアルコールが、
式：【化５】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキル；
（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖または分枝アルケニル；（Ｃ_２−
Ｃ_２０）直鎖または分枝アルキニル；（Ｃ_１−Ｃ_２０）
直鎖または分枝アルコキシ；アリール；ハロゲン；チエ
ニル；−ＣＮ；−ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ
_２；ＳＯ_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；ＰＯ_３Ｍ；−Ｐ（Ｒ^４）；
シリル；シラン；−Ｓｉ（ＯＨ）_３；アミニル；アミニ
ルハライド；ヒドロキシアミニル；またはアシルハライ
ドである；ただし、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ ^２およびＲ^３の少なく
とも１つは−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキ
シ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルコキシ、またはヒドロキシアリールであり；
Ｒ^４は、水素またはハロゲンである；Ｍは水素またはア
ルカリ金属である；あるいはＲ^１およびＲ^２は一緒にな
って結合を形成するか；またはＲ^１およびＲ^２はこれら
が結合している原子と一緒になって５〜７員環を形成す
る；該５〜７員炭素環はカルボニル基を含んでもよい；
あるいは５〜７員炭素環は５〜６員環と縮合してもよ
く、５または６員縮合環は環中にカルボニル基を含んで
もよい；該５〜７員環または５〜６員縮合環は環におい
て炭素が複素原子と置換されていてもよく、複素原子は
酸素または窒素である；５〜７員環および縮合５または
６員環は置換されていていなくてもよいし、置換されて
いてもよい；ＲおよびＲ^３は前記定義の通りである；Ｒ
^１およびＲ^２は一緒になって結合または環を形成し、該
化合物には少なくとも１つのＯＨ基が存在する）を有す
る化合物である請求項３２記載の方法。
【請求項３４】ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキ
シ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルキル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルキニル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
アリール、５〜７員環、５〜６員環および複素環が、ハ
ロゲン、−ＯＨ、−ＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ＝ＮＳ、−Ｓ
Ｈ、ＮＯ_２、−ＳＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ_３Ｍ、−
Ｐ（Ｒ^４）_２、シリル、シラン、−Ｓｉ（ＯＨ）_３、ケ
ト、エステル、アミニル、アミニルハライド、ヒドロキ
シアミニル、ペントース、またはヘキソースを含む１ま
たはそれ以上の置換基で置換されている請求項３３記載
の方法。
【請求項３５】添加剤消費を抑制する化合物が、以下
の式：【化６】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^８はそれぞれ独立
してＲから選択される）を有するナフタレン化合物を含
む請求項３３記載の方法。
【請求項３６】ナフタレン化合物が、１，２−ジヒド
ロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、
２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキ
シナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒドロキシナ
フタレン−２，７−ジスルホン酸二ナトリウム塩、６，
７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、
６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸、４−アミ
ノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレンジスルホン酸
一ナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，
４−テトラヒドラ−ナフタレン、２，６−ジヒドロキシ
ナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ナ
フトール−３，６−ジスルホン酸二ナトリウム塩水和
物、デカヒドロ−２−ナフトール、１，２，３，４−テ
トラヒドロ−１−ナフトール、２−ナフタレンメタノー
ル、１，６−ジヒドロキシナフタレン、６，７−ジヒド
ロキシ−２−ナフタレンスルホン酸半水和物、または４
−ヒドロキシ−１−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩
を含む請求項３５記載の方法。
【請求項３７】添加剤消費を抑制する化合物が、５−
メトキシレゾルシノール、４−クロロレゾルシノール、
２−ニトロレゾルシノール、２−アリルフェノール、
１，２，４−ベンゼントリオール、イソオイゲノール、
α，α，α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、クレゾー
ル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−ヒドロキシ
−１−ベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルア
ルコール、フロログルシノール二水和物、オリベトー
ル、３−クロロフェノール、１，２−ベンゼンジメタノ
ール、１，３−ベンゼンジメタノール、４−アミノフェ
ノール、４−メトキシフェノール、４−エチルレゾルシ
ノール、ヒドロキノン、クロロキノン、ヒドロキノンス
ルホン酸カリウム塩、４−（メチルチオ）−ベンジルア
ルコール、ベンジルアルコール、コニフェリルアルコー
ル、３−メトキシカテコール、４−メルカプトフェノー
ル、４，４’−チオフェノール、３−メトキシフェノー
ル、フェノール、またはオルシノール一水和物を含む請
求項３３記載の方法。
【請求項３８】添加剤消費を抑制する化合物が、アス
コルビン酸、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、あ
るいはそのナトリウム、カリウムまたは鉄塩を含む請求
項３３記載の方法。
【請求項３９】添加剤消費を抑制する化合物が、２−
ヒドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒドロ−４−ヒド
ロキシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、２−ヒ
ドロキシベンゾフラン、ナリンギン水和物、セサモー
ル、または２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジ
ンを含む請求項３３記載の方法。
【請求項４０】添加剤消費を抑制する化合物が、クロ
チルアルコール、２−メチレン−１，３−プロパンジオ
ール、３−ブテン−１−オール、または１，４−アンヒ
ドロエリスリトールを含む請求項３３記載の方法。
【請求項４１】添加剤消費を抑制する化合物が、浴１
Ｌあたり約０．００１ｇ〜約１００ｇである請求項３３
記載の方法。
【請求項４２】浴が０〜約８．０のｐＨを有する請求
項３２記載の方法。
【請求項４３】さらに、光沢剤、レベラー、硬化剤、
湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積改良剤、抑制物
質、またはその混合物を含む請求項３２記載の方法。
【請求項４４】光沢剤が、式：ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−
ＳＨ；ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−Ｓ−Ｓ−Ｒ^１１−ＳＯ_３Ｈ
（式中、Ｒ^１１はＣ_１−Ｃ_６アルキルまたはアリール基
である）；あるいはＨＯ_３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−Ｓ
Ｏ_３Ｈ（式中、Ａｒはフェニルまたはナフチルであり、
該アルキルおよびアリール基はアルキル基、ハロ、また
はアルコキシで置換されていても、置換されていなくて
もよい）を有する化合物を含む請求項４３記載の方法。
【請求項４５】基体が、プリント配線板、集積回路、
電気接触面、コネクター、電解ホイル、シリコンウェ
ハ、半導体、リードフレーム、オプトエレクトロニクス
部品、ソルダーバンプ、装飾品、衛生用品などを含む請
求項３２記載の方法。
【請求項４６】基体を銅メッキ浴と接触させる段階；
および十分な電流密度を銅メッキ浴にかけて、金属銅を
基体上に堆積させる段階を含み；銅金属メッキ浴が銅塩
および添加剤消費を抑制するアルコールを含む、基体上
に金属銅をメッキする方法。
【請求項４７】添加剤の消費を抑制するアルコール
が、以下の式：【化７】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキル；
（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルケニル；（Ｃ_２
−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；（Ｃ _１−Ｃ
_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；アリール；ハロゲ
ン；チエニル；シリル；シラン；−Ｓｉ（ＯＨ）_３；ア
ミニル；アミニルハライド；ヒドロキシアミニル；−Ｃ
Ｎ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ_２；ＳＯ
_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；−ＰＯ_３Ｍ；−Ｐ（Ｒ^４）_２；ケ
ト；エステル；またはアシルハライドである；ただし、
Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも１つは−ＯＨ；
ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ（Ｃ
_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）
アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
またはヒドロキシアリールであり；Ｒ^４は水素またはハ
ロゲンであり；Ｍは水素またはアルカリ金属；ヒドロキ
シ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ
_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキ
ニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、ヒドロ
キシアリール、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、（Ｃ _２−Ｃ
_２０）アルケニル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、（Ｃ
_１−Ｃ_２０）アルコキシであるか、あるいはアリール基
は置換されていなくてもよいし、あるいは置換されてい
てもよい；あるいはＲ^１およびＲ^２は一緒になって結合
を形成するか；またはＲ^１およびＲ^２はこれらが結合し
ている原子と一緒になって５〜７員環を形成する；該５
〜７員炭素環はカルボニル基を含んでもよい；または５
〜６員環と縮合した５〜７員炭素環を形成し、該５〜６
員環はカルボニル基を含んでもよい；該５〜７員環また
は５〜６員縮合環は複素原子を含有して複素環を形成し
てもよく、環内の複素原子は酸素または窒素であつても
よく；５〜７員環、縮合５または６員環、または複素環
は置換されていなくてもよいし、置換されていてもよ
い；ＲおよびＲ^３は前記定義の通りである；Ｒ^１および
Ｒ^２が一緒になって結合または環を形成する場合には、
該化合物には少なくとも１つのＯＨ基が存在する）を有
する化合物である請求項４６記載の方法。
【請求項４８】ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキ
シ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルキル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルキニル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
アリール、５〜７員環、５〜６員縮合環、または複素環
が、ハロゲン、−ＯＨ、ＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ＝ＮＳ、
−ＳＨ、−ＮＯ_２、−ＳＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ_３
Ｍ、Ｐ（Ｒ^４）_２、ケト、エステル、シリル、シラン、
−Ｓｉ（ＯＨ）_３、アミニル、アミルハライド、ヒドロ
キシアミニル、ペントース、ヘキソース、またはその組
合せからなる１またはそれ以上の置換基で置換されてい
る請求項４７記載の方法。
【請求項４９】添加剤消費を抑制する化合物が、以下
の式：【化８】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^８はそれぞれ独立
してＲから選択される）を有するナフタレン化合物であ
る請求項４７記載の方法。
【請求項５０】ナフタレン化合物が、１，２−ジヒド
ロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、
２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキ
シナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，
６−ジヒドロキシナフタレン、４，５−ジヒドロキシナ
フタレン−２，７−ジスルホン酸二ナトリウム塩、６，
７−ジヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、
６−ヒドロキシ−２−ナフタレンスルホン酸、４−アミ
ノ−５−ヒドロキシ−２，７−ナフタレンジスルホン酸
一ナトリウム塩、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，
４−テトラヒドラ−ナフタレン、２，６−ジヒドロキシ
ナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１−ナ
フトール−３，６−ジスルホン酸二ナトリウム塩水和
物、デカヒドロ−２−ナフトール、１，２，３，４−テ
トラヒドロ−１−ナフトール、２−ナフタレンメタノー
ル、１，６−ジヒドロキシナフタレン、６，７−ジヒド
ロキシ−２−ナフタレンスルホン酸半水和物または４−
ヒドロキシ−１−ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩を
含む請求項４９記載の方法。
【請求項５１】添加剤消費を抑制する化合物が、５−
メトキシレゾルシノール、４−クロロレゾルシノール、
２−ニトロレゾルシノール、２−アリルフェノール、
１，２，４−ベンゼントリオール、イソオイゲノール、
α、α、α−トリフルオロ−ｍ−クレゾール、クレゾー
ル、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−ヒドロキシ
−１−ベンジルアルコール、４−ヒドロキシベンジルア
ルコール、フロログルシノール二水和物、オリベトー
ル、３−クロロフェノール、１，２−ベンゼンジメタノ
ール、１，３−ベンゼンジメタノール、４−アミノフェ
ノール、４−メトキシフェノール、４−エチルレゾルシ
ノール、ヒドロキノン、クロロキノン、ヒドロキノンス
ルホン酸カリウム塩、４−（メチルチオ）−ベンジルア
ルコール、ベンジルアルコール、コニフェリルアルコー
ル、３−メトキシカテコール、４−メルカプトフェノー
ル、４，４’−チオフェノール、３−メトキシフェノー
ル、フェノール、またはオルシノール一水和物またはそ
の混合物を含む請求項４７記載の方法。
【請求項５２】添加剤消費を抑制する化合物が、アス
コルビン酸、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、あ
るいはそのナトリウム、カリウム、または鉄塩を含む請
求項４７記載の方法。
【請求項５３】添加剤消費を抑制する化合物が、２−
ヒドロキシベンゾフラン、５，６−ジヒドロ−４−ヒド
ロキシ−６−メチル−２Ｈ−ピラン−２−オン、２−ヒ
ドロキシベンゾフラン、ナリンギン水和物、セサモー
ル、または２，４−ジヒドロキシ−６−メチルピリミジ
ンを含む請求項４７記載の方法。
【請求項５４】添加剤消費を抑制する化合物が、クロ
チルアルコール、２−メチレン−１，３−プロパンジオ
ール、３−ブテン−１−オール、または１，４−アンヒ
ドロ−エリスリトール、またはその混合物を含む請求項
４７記載の方法。
【請求項５５】添加剤消費を抑制する化合物が、浴１
Ｌあたり約０．００１ｇ〜約１００ｇである請求項４６
の方法。
【請求項５６】浴が０〜約８．０のｐＨを有する請求
項４６記載の方法。
【請求項５７】さらに、光沢剤、レベラー、硬化剤、
湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積改良剤、または
抑制物質を含む請求項４６記載の方法。
【請求項５８】光沢剤が、式：ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−
ＳＨ；ＨＯ_３−Ｓ−Ｒ^１１−Ｓ−Ｓ−Ｒ^１１−ＳＯ_３Ｈ
（式中、Ｒ^１１はＣ_１−Ｃ_６アルキルまたはアリール基
である）；あるいはＨＯ_３Ｓ−Ａｒ−Ｓ−Ｓ−Ａｒ−Ｓ
Ｏ_３Ｈ（式中、Ａｒはフェニルまたはナフチルである）
を有する化合物を含み、アルキルおよびアリール基がア
ルキル基、ハロまたはアルコキシ基で置換されているか
または置換されていない請求項５７記載の方法。
【請求項５９】プリント配線板、集積回路、電気接触
面、コネクター、電解ホイル、シリコンウェハ、半導
体、リードフレーム、オプトエレクトロニクス部品、ソ
ルダーバンプ、装飾品、衛生用品などの製造において基
体にメッキするために電気メッキ法が用いられる請求項
４６記載の方法。
【請求項６０】電流が不溶性陽極および陰極に流れる
ように、また不溶性陽極および陰極が、銅、金、銀、パ
ラジウム、白金、コバルト、カドミウム、クロム、ビス
マス、インジウム、ロジウム、イリジウム、およびルテ
ニウムからなる群から選択される金属の塩、および添加
剤消費を抑制するアルコールを含む金属メッキ浴と接触
するように、不溶性陽極および陰極と電気的に連結され
た電源を含む、基体を電気メッキする装置。
【請求項６１】添加剤消費を抑制する化合物が、以下
の式：【化９】（式中、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立して、水素；
−ＯＨ；ヒドロキシ（Ｃ _１−Ｃ_２０）直鎖、分枝、また
は環状アルキル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、ま
たは分枝アルケニル；ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）直
鎖、または分枝アルキニル；ヒドロキシ（Ｃ_１−
Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルコキシ；ヒドロキシアリ
ール；（Ｃ_１−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキル；
（Ｃ_２−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルケニル；（Ｃ_２
−Ｃ_２０）直鎖、または分枝アルキニル；アリール；ハ
ロゲン；チエニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−Ｓ
Ｈ；−ＮＯ_２；−ＳＯ_２Ｈ；−ＳＯ_３Ｍ；−ＰＯ_３Ｍ；
−Ｐ（Ｒ^４）_２；−Ｓｉ（ＯＨ）_３；シラン；シリル；
アミニル；アミニルハライド；ヒドロキシアミニル；ケ
ト；エステル；またはアシルハライドである；ただし、
Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも１つは−ＯＨ；
ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキル、ヒドロキシ（Ｃ
_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）
アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
またはヒドロキシアリールであり；Ｒ^４は水素またはハ
ロゲンであり；Ｍは水素またはアルカリ金属である；あ
るいはＲ^１およびＲ^２は一緒になって結合を形成する
か；またはＲ^１およびＲ^２はこれらが結合している原子
と一緒になって５〜７員環を形成する；または１以上の
５〜６員炭素環と縮合した５〜７員炭素環を形成する；
該５〜７員環および１以上の５〜６員炭素環はそれぞれ
環中に１以上のカルボニル基を含んでもよい；該５〜７
員環または１以上の５〜６員縮合環は環において炭素が
複素原子と置換されて複素環を形成してもよく、該複素
原子は酸素または窒素であつてもよく；５〜７員環、ま
たは縮合５または６員環は置換されていなくてもよい
し、置換されていてもよい；ＲおよびＲ^３は前記定義の
通りである；Ｒ^１およびＲ^２が一緒になって結合または
環を形成する場合には、該化合物には少なくとも１つの
ＯＨ基が存在する）を有する化合物である請求項６０記
載の装置。
【請求項６２】ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルキ
ル、ヒドロキシ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、ヒドロキ
シ（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルキニル、ヒドロキシ（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルコキシ、ヒドロキシアリール、（Ｃ_１−Ｃ
_２０）アルキル、（Ｃ_２−Ｃ_２０）アルケニル、（Ｃ_２
−Ｃ_２０）アルキニル、（Ｃ_１−Ｃ_２０）アルコキシ、
アリール、５〜７員環、５〜６員縮合環、および複素環
が、ハロゲン、−ＯＨ、ＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ＝ＮＳ、
−ＳＨ、−ＮＯ_２、−ＳＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｍ、−ＰＯ_３
Ｍ、−Ｓｉ（ＯＨ）_３、シリル、シラン、アミニル、ア
ミルハライド、ヒドロキシアミニル、ペントース、ヘキ
ソース、ケト、またはエステルである１またはそれ以上
の置換基で置換されている請求項６１記載の装置。
【請求項６３】添加剤消費を抑制する化合物が、以下
の式：【化１０】（式中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、およびＲ^８はそれぞれ独立
してＲから選択される）を有するナフタレン化合物であ
る請求項６１記載の装置。
【請求項６４】添加剤消費を抑制する化合物が浴１Ｌ
あたり約０．００１ｇ／Ｌ〜約１００．０ｇである請求
項６０記載の装置。
【請求項６５】金属メッキ浴がさらに、光沢剤、レベ
ラー、硬化剤、湿潤剤、展性改良剤、延性改良剤、堆積
改良剤、または抑制物質を含む請求項６０記載の装置。
【請求項６６】金属メッキ浴が、０〜約８．０のｐＨ
を有する請求項６０記載の装置。
【請求項６７】金属塩が、ハロゲン化銅、硫酸銅、ア
ルカンスルホン酸銅、アルカノールスルホン酸銅、また
はその混合物を含む請求項６０記載の装置。
【請求項６８】不溶性陽極が、コバルト、ニッケル、
ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、また
は白金の金属を含む請求項６０記載の装置。
【請求項６９】不溶性陽極が、さらにチタン、ジルコ
ニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、またはタン
タルの金属を含む請求項６８記載の装置。
【請求項７０】不溶性陽極が、さらにベリリウム、カ
ルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、
イットリウム、ランタン、または希土類元素を含む請求
項６９記載の装置。
【請求項７１】不溶性陽極が、二酸化イリジウムを含
む請求項６０記載の装置。
【請求項７２】陰極が、配線板、集積回路、電気接触
面、コネクター、電解ホイル、シリコンウェハ、半導
体、リードフレーム、オプトエレクトロニクス部品、ソ
ルダーバンプ、装飾品、衛生用品などを含む請求項６０
記載の装置。
【請求項７３】不溶性陽極および陰極が約１〜約１０
００アンペア／ｆｔ ^２の電流密度を有する請求項６０記
載の装置。