JP2003013277A - 硫酸銅めっき浴 - Google Patents
硫酸銅めっき浴Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 硫酸銅及び硫酸を主構成成分とし、下記
成分（Ａ）〜（Ｃ）を添加してなることを特徴とする硫
酸銅めっき浴。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。 （Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアルキレングリコ
ール化合物の１種又は２種以上。 （Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイド及び／又は
プロピレンオキサイドとの共重合体の１種又は２種以
上。 【効果】 本発明の硫酸銅めっき浴は、均一電着性（つ
きまわり）に優れ、プリント基板のスルホールやブライ
ンドビアホール、特に高アスペクト比のスルホールやブ
ラインドビアホール（アスペクト比が１０以上のスルホ
ールや０．８以上のブラインドビアホール）内に良好に
めっきすることができると共に亀裂が生じにくく、光沢
のあるめっき皮膜が得られる。
成分（Ａ）〜（Ｃ）を添加してなることを特徴とする硫
酸銅めっき浴。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。 （Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアルキレングリコ
ール化合物の１種又は２種以上。 （Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイド及び／又は
プロピレンオキサイドとの共重合体の１種又は２種以
上。 【効果】 本発明の硫酸銅めっき浴は、均一電着性（つ
きまわり）に優れ、プリント基板のスルホールやブライ
ンドビアホール、特に高アスペクト比のスルホールやブ
ラインドビアホール（アスペクト比が１０以上のスルホ
ールや０．８以上のブラインドビアホール）内に良好に
めっきすることができると共に亀裂が生じにくく、光沢
のあるめっき皮膜が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板など
のスルホール及びブラインドビアホールへの銅めっきを
行う場合に好適に用いられる硫酸銅めっき浴及びめっき
方法に関する。
のスルホール及びブラインドビアホールへの銅めっきを
行う場合に好適に用いられる硫酸銅めっき浴及びめっき
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、プリント基板などのスルホール、ブラインドビアホ
ール内に銅めっきする場合には硫酸銅めっき浴が使用さ
れており、この硫酸銅めっき浴には、例えばアミド基を
有する化合物及び有機チオ化合物を添加することが行わ
れていた（特許第２８５９３２６号公報）。
り、プリント基板などのスルホール、ブラインドビアホ
ール内に銅めっきする場合には硫酸銅めっき浴が使用さ
れており、この硫酸銅めっき浴には、例えばアミド基を
有する化合物及び有機チオ化合物を添加することが行わ
れていた（特許第２８５９３２６号公報）。
【０００３】しかしながら、従来のこの種の硫酸銅めっ
き浴は、これを用いてプリント基板にめっきする際、ス
ルホールのアスペクト比（プリント基板厚さ／スルホー
ル直径）が１０以上であるようなプリント基板厚さに対
しスルホール直径が小さい場合、或いはブラインドビア
ホールのアスペクト比（穴深さ／穴直径）が０．８以上
であるような穴直径に対し穴深さが深い場合、スルホー
ルやブラインドビアホール内のめっき膜厚は、基板表面
の膜厚に比べて非常に薄くしかめっきができなかった。
き浴は、これを用いてプリント基板にめっきする際、ス
ルホールのアスペクト比（プリント基板厚さ／スルホー
ル直径）が１０以上であるようなプリント基板厚さに対
しスルホール直径が小さい場合、或いはブラインドビア
ホールのアスペクト比（穴深さ／穴直径）が０．８以上
であるような穴直径に対し穴深さが深い場合、スルホー
ルやブラインドビアホール内のめっき膜厚は、基板表面
の膜厚に比べて非常に薄くしかめっきができなかった。
【０００４】本発明は、上記事情を改善するためになさ
れたもので、高アスペクト比のスルホールの側壁やブラ
インドビアホールの側壁、底面のつきまわりの向上した
硫酸銅めっき浴を提供することを目的とする。
れたもので、高アスペクト比のスルホールの側壁やブラ
インドビアホールの側壁、底面のつきまわりの向上した
硫酸銅めっき浴を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、本発明に到達したもので、本発明は、硫酸銅及び硫
酸を主構成成分とし、下記成分（Ａ）〜（Ｃ）を添加し
てなることを特徴とする硫酸銅めっき浴を提供する。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。 （Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアルキレングリコ
ール化合物の１種又は２種以上。 （Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイド及び／又は
プロピレンオキサイドとの共重合体の１種又は２種以
上。 また、本発明は、（Ｃ）成分のアルキルアミドとエチレ
ンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重
合体がくし型の共重合体である上記記載の硫酸銅めっき
浴を提供する。
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、本発明に到達したもので、本発明は、硫酸銅及び硫
酸を主構成成分とし、下記成分（Ａ）〜（Ｃ）を添加し
てなることを特徴とする硫酸銅めっき浴を提供する。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。 （Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアルキレングリコ
ール化合物の１種又は２種以上。 （Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイド及び／又は
プロピレンオキサイドとの共重合体の１種又は２種以
上。 また、本発明は、（Ｃ）成分のアルキルアミドとエチレ
ンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重
合体がくし型の共重合体である上記記載の硫酸銅めっき
浴を提供する。
【０００６】本発明の硫酸銅めっき浴によれば、特に上
記（Ｃ）成分の添加により、穴径０．１〜１ｍｍでアス
ペクト比（プリント基板厚さ／穴径）が１０以上のスル
ホールで表面膜厚に対してスルホール内の膜厚が８０％
以上、また穴径が０．０３〜０．２ｍｍでアスペクト比
（穴深さ／穴径）が０．８以上のブラインドビアホール
で表面膜厚に対してブラインドビアホール内の膜厚が８
０％以上が可能になったものである。
記（Ｃ）成分の添加により、穴径０．１〜１ｍｍでアス
ペクト比（プリント基板厚さ／穴径）が１０以上のスル
ホールで表面膜厚に対してスルホール内の膜厚が８０％
以上、また穴径が０．０３〜０．２ｍｍでアスペクト比
（穴深さ／穴径）が０．８以上のブラインドビアホール
で表面膜厚に対してブラインドビアホール内の膜厚が８
０％以上が可能になったものである。
【０００７】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の硫酸銅めっき浴は、硫酸銅及び硫酸を主構成成
分とする。ここで、めっき浴中での濃度としては、硫酸
銅は、５水塩として２０〜２５０ｇ／Ｌ、特に４０〜１
００ｇ／Ｌの濃度とすることが好ましく、また硫酸は４
０〜３５０ｇ／Ｌ、特に１５０〜２８０ｇ／Ｌの濃度と
することが好ましい。この場合、硫酸銅の濃度を低く、
硫酸の濃度を高くすることが、特にプリント基板にめっ
きを行う場合、基板が厚く、アルペクト比が高くても十
分にスルホール内に電流が流れるように、めっき浴中の
導電性を向上させる点から好ましく、かかる点から、硫
酸銅濃度を４０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度を１５０〜２
８０ｇ／Ｌとし、硫酸銅濃度よりも硫酸濃度を高くする
ことが推奨される。
本発明の硫酸銅めっき浴は、硫酸銅及び硫酸を主構成成
分とする。ここで、めっき浴中での濃度としては、硫酸
銅は、５水塩として２０〜２５０ｇ／Ｌ、特に４０〜１
００ｇ／Ｌの濃度とすることが好ましく、また硫酸は４
０〜３５０ｇ／Ｌ、特に１５０〜２８０ｇ／Ｌの濃度と
することが好ましい。この場合、硫酸銅の濃度を低く、
硫酸の濃度を高くすることが、特にプリント基板にめっ
きを行う場合、基板が厚く、アルペクト比が高くても十
分にスルホール内に電流が流れるように、めっき浴中の
導電性を向上させる点から好ましく、かかる点から、硫
酸銅濃度を４０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度を１５０〜２
８０ｇ／Ｌとし、硫酸銅濃度よりも硫酸濃度を高くする
ことが推奨される。
【０００８】なお、上記硫酸銅めっき浴には、通常塩素
イオンをめっき浴中で２０〜１５０ｍｇ／Ｌとなるよう
に添加する。
イオンをめっき浴中で２０〜１５０ｍｇ／Ｌとなるよう
に添加する。
【０００９】本発明の硫酸銅めっき浴には、下記の
（Ａ）〜（Ｃ）成分が添加される。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。このイオウ
系化合物は公知のものを採用でき、例えば下記式（１）
〜（３）で示される化合物並びにチオ尿素及びその誘導
体から選ばれるイオウ系化合物の１種又は２種以上が好
適に用いられる。
（Ａ）〜（Ｃ）成分が添加される。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。このイオウ
系化合物は公知のものを採用でき、例えば下記式（１）
〜（３）で示される化合物並びにチオ尿素及びその誘導
体から選ばれるイオウ系化合物の１種又は２種以上が好
適に用いられる。
【化１】
（式中、Ｒ1はＨ又は−Ｓm−（ＣＨ2）n−Ｏk−ＳＯ3Ｍ
を示し、Ｒ2、Ｒ3は炭素数１〜５のアルキル基を示し、
ＭはＨ又はアルカリ金属を示す。ｎは１〜８の整数、ｋ
は０又は１、ｍは０又は１である。）
を示し、Ｒ2、Ｒ3は炭素数１〜５のアルキル基を示し、
ＭはＨ又はアルカリ金属を示す。ｎは１〜８の整数、ｋ
は０又は１、ｍは０又は１である。）
【００１０】上記式（１）〜（３）のイオウ系化合物と
しては、具体的には下記のものが例示される。
しては、具体的には下記のものが例示される。
【化２】
【００１１】また、チオ尿素及びその誘導体としては、
チオ尿素、アセチルチオ尿素等が例示される。
チオ尿素、アセチルチオ尿素等が例示される。
【００１２】上記イオウ系化合物は、その１種を単独で
又は２種以上を組み合わせて添加することができ、その
添加量はめっき浴中で０．１〜５０ｍｇ／Ｌ、特に１〜
５ｍｇ／Ｌとすることが好ましく、少なすぎると、光沢
が無く亀裂を生じやすいめっき皮膜になる。多すぎる
と、めっき析出阻害の悪影響が生じるおそれがある。更
に、スルホール、ブラインドビアホール内のめっき厚も
低下する。
又は２種以上を組み合わせて添加することができ、その
添加量はめっき浴中で０．１〜５０ｍｇ／Ｌ、特に１〜
５ｍｇ／Ｌとすることが好ましく、少なすぎると、光沢
が無く亀裂を生じやすいめっき皮膜になる。多すぎる
と、めっき析出阻害の悪影響が生じるおそれがある。更
に、スルホール、ブラインドビアホール内のめっき厚も
低下する。
【００１３】（Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアル
キレングリコール化合物の１種又は２種以上。この
（Ｂ）成分としては、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、及びこれらのコポリマーが挙げら
れる。この場合、これらポリアルキレングリコール化合
物は、平均分子量（数平均分子量）が５００〜１００，
０００、特に１，０００〜１０，０００のものが好まし
い。
キレングリコール化合物の１種又は２種以上。この
（Ｂ）成分としては、ポリエチレングリコール、ポリプ
ロピレングリコール、及びこれらのコポリマーが挙げら
れる。この場合、これらポリアルキレングリコール化合
物は、平均分子量（数平均分子量）が５００〜１００，
０００、特に１，０００〜１０，０００のものが好まし
い。
【００１４】（Ｂ）成分の添加量はめっき浴中で５０〜
２，０００ｍｇ／Ｌ、特に１００〜１，０００ｍｇ／Ｌ
とすることが好ましい。少なすぎると、光沢が無く亀裂
を生じやすいめっき皮膜になる。多すぎると、スルホー
ル、ブラインドビアホール内のめっき厚が低下する。
２，０００ｍｇ／Ｌ、特に１００〜１，０００ｍｇ／Ｌ
とすることが好ましい。少なすぎると、光沢が無く亀裂
を生じやすいめっき皮膜になる。多すぎると、スルホー
ル、ブラインドビアホール内のめっき厚が低下する。
【００１５】（Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイ
ド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体の１種
又は２種以上。この場合、アルキルアミドとエチレンオ
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体
としては、くし型共重合体が好ましい。ここで、このく
し型共重合体において、アルキルアミドの重合度は２〜
２０であることが好ましく、またこのアルキルアミドの
窒素原子にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオ
キサイドが結合しているものが好ましい。なお、アルキ
ルアミドとしては、下記式で示される構造を有するもの
がよい。
ド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体の１種
又は２種以上。この場合、アルキルアミドとエチレンオ
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体
としては、くし型共重合体が好ましい。ここで、このく
し型共重合体において、アルキルアミドの重合度は２〜
２０であることが好ましく、またこのアルキルアミドの
窒素原子にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオ
キサイドが結合しているものが好ましい。なお、アルキ
ルアミドとしては、下記式で示される構造を有するもの
がよい。
【００１６】
【化３】
（但し、ｐは２〜１０の整数、ｑは２〜２０の整数（重
合度）である。）
合度）である。）
【００１７】特に好ましいアルキルアミドとエチレンオ
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体
は、下記式（４）で示されるものである。
キサイド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体
は、下記式（４）で示されるものである。
【化４】
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基、ｐは２〜１０の整
数、ｑは２〜２０の整数、ｓは１〜５０の整数であり、
好ましくはｐは４〜８、ｑは２〜１０、ｓは３〜１０で
ある。）
数、ｑは２〜２０の整数、ｓは１〜５０の整数であり、
好ましくはｐは４〜８、ｑは２〜１０、ｓは３〜１０で
ある。）
【００１８】この場合、アルキルアミドの窒素原子に
は、エチレンオキサイドが付加したものでも、プロピレ
ンオキサイドが付加したものでも、或いはその両者が付
加したものでもよい。
は、エチレンオキサイドが付加したものでも、プロピレ
ンオキサイドが付加したものでも、或いはその両者が付
加したものでもよい。
【００１９】なお、アルキルアミドとエチレンオキサイ
ド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体として
は、下記式のものを用いることもできる。
ド及び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体として
は、下記式のものを用いることもできる。
【化５】
【００２０】上記（Ｃ）成分の添加量はめっき浴中で１
〜１００ｍｇ／Ｌ、特に５〜４０ｍｇ／Ｌとすることが
好ましい。少なすぎると、スルホール、ブラインドビア
ホール内のめっき厚が低下する。多すぎると、光沢が無
く亀裂を生じやすいめっき皮膜になる。
〜１００ｍｇ／Ｌ、特に５〜４０ｍｇ／Ｌとすることが
好ましい。少なすぎると、スルホール、ブラインドビア
ホール内のめっき厚が低下する。多すぎると、光沢が無
く亀裂を生じやすいめっき皮膜になる。
【００２１】上記（Ｂ）成分のイオウ系化合物と上記
（Ｃ）成分のアルキルアミドとエチレンオキサイド及び
／又はプロピレンオキサイドとの共重合体を前述の範囲
とすることで、後述のように比較的高い陰極電流密度で
めっきを行っても、スルホールやブラインドビアホール
内のめっき厚が低下することなく、光沢を有した亀裂の
生じにくい皮膜を得ることができる。
（Ｃ）成分のアルキルアミドとエチレンオキサイド及び
／又はプロピレンオキサイドとの共重合体を前述の範囲
とすることで、後述のように比較的高い陰極電流密度で
めっきを行っても、スルホールやブラインドビアホール
内のめっき厚が低下することなく、光沢を有した亀裂の
生じにくい皮膜を得ることができる。
【００２２】本発明の硫酸銅めっき浴は、プリント基板
のめっき、特に高アスペクト比のスルホール、ブライン
ドビアホールへのめっきに好適に用いられる。
のめっき、特に高アスペクト比のスルホール、ブライン
ドビアホールへのめっきに好適に用いられる。
【００２３】この場合、めっき条件は適宜選定される
が、陰極電流密度は０．２〜５Ａ／ｄｍ2、特に０．５
〜１．５Ａ／ｄｍ2とすることが好ましい。陰極電流密
度が高すぎると、スルホール内のつきまわりが低下す
る。
が、陰極電流密度は０．２〜５Ａ／ｄｍ2、特に０．５
〜１．５Ａ／ｄｍ2とすることが好ましい。陰極電流密
度が高すぎると、スルホール内のつきまわりが低下す
る。
【００２４】また、撹拌は、一般的に用いられているエ
アーレーションによる撹拌でよい。陽極は銅板等を用い
ることができ、まためっき温度は１５〜４０℃、特に２
２〜２８℃とすることができる。
アーレーションによる撹拌でよい。陽極は銅板等を用い
ることができ、まためっき温度は１５〜４０℃、特に２
２〜２８℃とすることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の硫酸銅めっき浴は、均一電着性
（つきまわり）に優れ、プリント基板のスルホールやブ
ラインドビアホール、特に高アスペクト比のスルホール
やブラインドビアホール（アスペクト比が１０以上のス
ルホールや０．８以上のブラインドビアホール）内に良
好にめっきすることができると共に亀裂が生じにくく、
光沢のあるめっき皮膜が得られる。
（つきまわり）に優れ、プリント基板のスルホールやブ
ラインドビアホール、特に高アスペクト比のスルホール
やブラインドビアホール（アスペクト比が１０以上のス
ルホールや０．８以上のブラインドビアホール）内に良
好にめっきすることができると共に亀裂が生じにくく、
光沢のあるめっき皮膜が得られる。
【００２６】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２７】［実施例１〜７］下記組成の硫酸銅めっき
浴を調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド 表１に示す量 下記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 表１に示す量
浴を調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド 表１に示す量 下記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 表１に示す量
【化６】
（ｑ＝２〜６の整数（平均：４）、ｓ＝１〜８の整数（平均：４））
ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５
００） ５００ｍｇ／Ｌ
【００２８】次に、上記硫酸銅めっき浴を用い、基板厚
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 表１に示す 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 表１に示す 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
【００２９】実施例１〜７で得られた銅めっき膜につ
き、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜厚
の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び亀
裂の有無を評価した。結果を表１に併記する。
き、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜厚
の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び亀
裂の有無を評価した。結果を表１に併記する。
【００３０】
【表１】
【００３１】［比較例１］下記組成の硫酸銅めっき浴を
調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド １ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ３００ｍｇ／Ｌ
調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド １ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ３００ｍｇ／Ｌ
【００３２】次に、上記硫酸銅めっき浴を用い、基板厚
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
【００３３】［比較例２］下記組成の硫酸銅めっき浴を
調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド ３ｍｇ／Ｌ ε−カプロラクタム−ヘキサ−エトキシレート １０ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ５００ｍｇ／Ｌ
調製した。 硫酸銅・５水和物 ５０ｇ／Ｌ 硫酸 ２５０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ ビス−（３−ナトリウムスルホプロピル）ジスルフィド ３ｍｇ／Ｌ ε−カプロラクタム−ヘキサ−エトキシレート １０ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ５００ｍｇ／Ｌ
【００３４】次に、上記硫酸銅めっき浴を用い、基板厚
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
さ３ｍｍ、スルホール直径０．３ｍｍ、アスペクト比１
０の予め無電解銅めっきが施されたプリント基板のめっ
きを下記条件で行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 表面膜厚が３０μｍとなる時間を設定
【００３５】比較例１，２で得られた銅めっき膜につ
き、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜厚
の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び亀
裂の有無を評価した。結果を表２に示す。
き、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜厚
の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び亀
裂の有無を評価した。結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
［実施例８，９］直径１００μｍ、穴の深さ８０μｍの
ブラインドビアホール（アスペクト比０．８）、直径１
００μｍ、穴の深さ９０μｍのブラインドビアホール
（アスペクト比０．９）を有する予め無電解銅めっきが
施されたプリント基板を用いて、実施例３と同じ条件で
めっきを行った。実施例８，９で得られた銅めっき膜に
つき、ブラインドビアホール（ＢＶＨ）内のめっき膜厚
と基板表面のめっき膜厚の比を求めると共に、めっき外
観（光沢の有無）及び亀裂の有無を評価した。結果を表
３に示す。
ブラインドビアホール（アスペクト比０．８）、直径１
００μｍ、穴の深さ９０μｍのブラインドビアホール
（アスペクト比０．９）を有する予め無電解銅めっきが
施されたプリント基板を用いて、実施例３と同じ条件で
めっきを行った。実施例８，９で得られた銅めっき膜に
つき、ブラインドビアホール（ＢＶＨ）内のめっき膜厚
と基板表面のめっき膜厚の比を求めると共に、めっき外
観（光沢の有無）及び亀裂の有無を評価した。結果を表
３に示す。
【００３７】
【表３】
【００３８】［実施例１０］下記組成の硫酸銅めっき浴
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ６５ｇ／Ｌ 硫酸 ２３０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ チオ尿素 １ｍｇ／Ｌ Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオアルバミルプロピルスルホン酸ナトリウム塩 ３ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ４００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 ４ｍｇ／Ｌ
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ６５ｇ／Ｌ 硫酸 ２３０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ チオ尿素 １ｍｇ／Ｌ Ｎ，Ｎ−ジメチル−ジチオアルバミルプロピルスルホン酸ナトリウム塩 ３ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ４００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 ４ｍｇ／Ｌ
【００３９】［実施例１１］下記組成の硫酸銅めっき浴
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ６５ｇ／Ｌ 硫酸 ２３０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ Ｏ−エチルジチオカルバネート−Ｓ−３−スルホプロピルエステルカリウム ４ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ２００ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ３００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 １５ｍｇ／Ｌ
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ６５ｇ／Ｌ 硫酸 ２３０ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ Ｏ−エチルジチオカルバネート−Ｓ−３−スルホプロピルエステルカリウム ４ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール（平均分子量７５００） ２００ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ３００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 １５ｍｇ／Ｌ
【００４０】［実施例１２］下記組成の硫酸銅めっき浴
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ８０ｇ／Ｌ 硫酸 ２００ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ チオ尿素 １ｍｇ／Ｌ Ｏ−エチルジチオカルバネート−Ｓ−３−スルホプロピルエステルカリウム ３ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ５００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 ２．５ｍｇ／Ｌ
を調製した。 硫酸銅・５水和物 ８０ｇ／Ｌ 硫酸 ２００ｇ／Ｌ 塩素イオン ５０ｍｇ／Ｌ チオ尿素 １ｍｇ／Ｌ Ｏ−エチルジチオカルバネート−Ｓ−３−スルホプロピルエステルカリウム ３ｍｇ／Ｌ ポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコール共重合物（平均分子量１５ ００） ５００ｍｇ／Ｌ 上記式（ｉ）で示される窒素含有化合物 ２．５ｍｇ／Ｌ
【００４１】次に、上記硫酸銅めっき浴を用い、実施例
１〜７で用いたものと同じプリント基板に下記条件でめ
っきを行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 １３６分
１〜７で用いたものと同じプリント基板に下記条件でめ
っきを行った。 陰極電流密度 １Ａ／ｄｍ２ 浴温度 ２５℃ 撹拌 エア撹拌 陽極板 リン含有銅ボール めっき時間 １３６分
【００４２】実施例１０〜１２で得られた銅めっき膜に
つき、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜
厚の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び
亀裂の有無を評価した。結果を表４に示す。
つき、スルホール内のめっき膜厚と基板表面のめっき膜
厚の比を求めると共に、めっき外観（光沢の有無）及び
亀裂の有無を評価した。結果を表４に示す。
【００４３】
【表４】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 立花 眞司
大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工
業株式会社中央研究所内
Ｆターム(参考） 4K023 AA01 AA19 BA06 CB05 CB08
CB13
4K024 AA09 AB01 AB02 AB08 AB17
BA09 BB11 GA02 GA16
5E343 BB24 CC78 GG06
Claims (2)
- 【請求項１】 硫酸銅及び硫酸を主構成成分とし、下記
成分（Ａ）〜（Ｃ）を添加してなることを特徴とする硫
酸銅めっき浴。 （Ａ）イオウ系化合物の１種又は２種以上。 （Ｂ）−Ｏ−を４個以上含有するポリアルキレングリコ
ール化合物の１種又は２種以上。 （Ｃ）アルキルアミドとエチレンオキサイド及び／又は
プロピレンオキサイドとの共重合体の１種又は２種以
上。 - 【請求項２】 アルキルアミドとエチレンオキサイド及
び／又はプロピレンオキサイドとの共重合体がくし型の
共重合体であることを特徴とする請求項１に記載の硫酸
銅めっき浴。
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| JP2001200784A JP4793530B2 (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 硫酸銅めっき浴 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011522962A (ja) * | 2008-04-28 | 2011-08-04 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 水性酸浴および銅を電解析出するための方法 |
| JP2012021202A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
| JP2012144791A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無電解ニッケル合金膜のパターニング方法 |
| US8679317B2 (en) | 2007-05-21 | 2014-03-25 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Copper electroplating bath |
| CN113337857A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-03 | 厦门大学 | 一种用于pcb通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464025A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-23 | Schering Ag | Acidic copper plating bath |
| JPH07316876A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
| JP2000080494A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Ebara Corp | 銅ダマシン配線用めっき液 |
| JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| JP2001152387A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-05 | Ishihara Chem Co Ltd | ボイドフリー銅メッキ方法 |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001200784A patent/JP4793530B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5464025A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-23 | Schering Ag | Acidic copper plating bath |
| JPH07316876A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
| JP2000080494A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Ebara Corp | 銅ダマシン配線用めっき液 |
| JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| JP2001152387A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-05 | Ishihara Chem Co Ltd | ボイドフリー銅メッキ方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8679317B2 (en) | 2007-05-21 | 2014-03-25 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Copper electroplating bath |
| KR101417986B1 (ko) | 2007-05-21 | 2014-07-09 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 전기 구리 도금욕 |
| JP2011522962A (ja) * | 2008-04-28 | 2011-08-04 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 水性酸浴および銅を電解析出するための方法 |
| JP2012021202A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
| JP2012144791A (ja) * | 2011-01-13 | 2012-08-02 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 無電解ニッケル合金膜のパターニング方法 |
| CN113337857A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-09-03 | 厦门大学 | 一种用于pcb通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂 |
| CN113337857B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-06-21 | 厦门大学 | 一种用于pcb通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂 |
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