JP2000080494A - 銅ダマシン配線用めっき液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特別の機械あるいは電気的設備を必要とせず
に、微細な溝あるいは孔に対し、気泡の発生を防ぎなが
ら効率よく銅めっきを行うことのできる銅ダマシン配線
用めっき液を提供すること。 【解決手段】 硫酸銅濃度が４ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、
硫酸濃度が１０〜２００ｇ／ｌおよび塩素イオン濃度が
０〜１００ｍｇ／ｌであり、必要によりイオウ系化合物
および高分子化合物を含有する銅ダマシン配線用銅めっ
き液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、銅ダマシン配線用
めっき液に関し、更に詳細には、半導体ウエハー面に形
成される幅または径が１.０μｍ以下で、アスペクト比
が０.１から５０程度である配線溝ないし配線孔に、電
気めっきにより銅を埋め込むことのできる銅ダマシン配
線用めっき液に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハー面に形成される配
線パターンの配線材料としては、アルミニウムまたはア
ルミニウム合金が用いられていた。 しかしながら、配
線パターンの集積度が高くなるにつれて電流密度が増加
し、温度上昇やこれに伴う熱応力が生じる。 そして、
これらの現象は配線材料として利用されたアルミニウム
やアルミニウム合金にストレスマイグレーションやエレ
クトロマイグレーションによる断線等の問題が無視でき
なくなっていた。 このような問題を回避する手段とし
ては、配線材料であるアルミニウム等への銅の添加や、
高融点金属との積層化が行われているが、十分なものと
はいえなかった。

【０００３】そこで、通電による発熱を抑制するため、
アルミニウムより導電性の良い配線材料を用いることが
検討されている。 アルミニウムより比抵抗の低い材料
としては、銅や銀が挙げられるが、このうち銀は高価
で、強度や耐食性が低く、しかも構成原子が拡散しやす
いという欠点を有する材料であるため、新しい配線材料
として銅や、銅合金に注目が集まっている。

【０００４】従来、半導体ウエハー面に形成された配線
溝にアルミニウム等を埋め込むために行われる方法（以
下、「ダマシン法」という）としては、スパッタリング
成膜とケミカルドライエッチングを組み合わせて用いる
方法がとられてきた。 しかし、この方法は、スパッタ
リング成膜でアスペクト比（深さと直径または幅の比）
の高い配線用の溝または孔への金属の充填、埋込が困難
であり、また、銅や銅合金に対するケミカルエッチング
も技術的に確立されていないという問題点があり、実用
化は困難であると判断されるものである。

【０００５】一方、ダマシン法における微細な配線溝や
配線孔への金属の埋込手法としては、ＣＶＤ法が知られ
ているが、この方法は析出金属層中に有機原料由来の炭
素の混入が避けられないという欠点のあるものであっ
た。

【０００６】このように、従来のダマシン法は、高集積
度を目的として銅または銅合金を利用する場合には適用
することができず、別の手法の開発が求められていた。

【０００７】最近、銅または銅合金を半導体ウエハー上
の微細な溝に埋め込む方法（以下、「銅ダマシン法」と
いう）として、めっき法が注目されている。 銅の電気
めっき法は、プロセスコストが低く、成膜速度が速いと
いう長所もあるが、その反面、電析中に気泡が発生する
ことがあり、この気泡が電析面に付着したままになった
場合には、この部分がボイド（空孔）になってしまうと
いう問題があった。

【０００８】この銅電気めっき法での気泡の問題に対し
ては、これを電析面から取り除くための種々の機械的あ
るいは電気的方法が検討されているが、気泡が発生する
部分が前記したようなアスペクト比が高く、しかも、そ
の幅または径が０.１〜０.２μｍ程度の溝または孔であ
るため、気泡を完全に取り除くことは困難であるといわ
ざるを得ない。

【０００９】更に、めっき液組成によっても、気泡が特
に発生しやすい場合があり、ある浴ではうまく行く機械
的あるいは電気的方法であっても他の浴では必ずしもう
まく行くとは限らず、信頼性の面で問題が生じるおそれ
もあった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従って、特別の機械あ
るいは電気的設備を必要とせずに、微細な溝あるいは孔
に対し、気泡の発生を防ぎながら効率よく銅めっきを行
うことのできる銅ダマシン配線用めっき液の提供が求め
られていた。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、銅ダマシン
法に適した銅めっき浴について鋭意検討した結果、主要
構成成分である硫酸銅、硫酸および塩素イオン濃度を一
定の範囲とした酸性銅めっき浴は気泡の発生が少なく、
しかもつき回りよくアスペクト比の高い微小溝や微小孔
の中にも銅皮膜を析出することが可能なことを見出し
た。

【００１２】また、添加剤としてイオウ系化合物を添加
し、その濃度を硫酸／硫酸銅五水塩の比に応じて選択す
ることにより、より好ましい銅ダマシン法に適した銅め
っき浴となることを見出した。

【００１３】すなわち本発明は、硫酸銅濃度が４ｇ／ｌ
〜２００ｇ／ｌ、硫酸濃度が１０〜２００ｇ／ｌおよび
塩素イオン濃度が０〜１００ｍｇ／ｌであることを特徴
とする銅ダマシン配線用銅めっき液を提供するものであ
る。

【００１４】また本発明は、更にイオウ系化合物を含有
し、イオウ系化合物の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の
比が１以下の場合は、０.０５〜１０ｍｇ／ｌであり、
硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０.１〜５
０ｍｇ／ｌである上記の銅ダマシン配線用銅めっき液を
提供するものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の銅ダマシン配線用銅めっ
き液は、その基本構成成分として硫酸銅、硫酸および通
常塩素イオンを含むが、これら各成分の濃度は、硫酸銅
濃度が４ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、硫酸濃度が１０〜２０
０ｇ／ｌ、塩素イオン濃度が０〜１００ｍｇ／ｌであ
る。 また、浴中の硫酸／硫酸銅五水塩の比（以下、
「Ｂ／Ａ比」という）は、０.１から２５程度であり、
０.２から５程度が特に好ましい。

【００１６】また、本発明の銅ダマシン配線用銅めっき
液（以下、「銅ダマシンめっき液」という）には、添加
剤としてイオウ系化合物を配合することができる。 こ
のイオウ系化合物の例としては、次の式（I）

【化４】 ［式中、Ｌは低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸
基またはハロゲン原子で置換されていても良い炭素数１
から６のアルキレン基を示し、Ｘは水素原子、−ＳＯ_３
Ｍ基または−ＰＯ_３Ｍ基（ここで、Ｍは水素原子、アル
カリ金属原子またはアミノ基を示す）を示し、Ｙはアル
キルアミノカルボチオ基または、次の基

【化５】 （ここで、Ｌ'は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
水酸基またはハロゲン原子で置換されていても良い炭素
数１から６のアルキレン基を示し、Ｘ'は−ＳＯ _３Ｍ基
または−ＰＯ_３Ｍ基（Ｍは前記した意味を有する）を示
し、ｎは１〜５の整数を示す］で表される多硫化アルキ
レン化合物が挙げられる。

【００１７】このイオウ系化合物は、析出物を緻密化す
る作用を有するものであり、その具体例としては、Ｎ,
Ｎ−ジメチルジチオカルバミルプロピルスルホン酸、Ｏ
−エチル−Ｓ−（３−プロピルスルホン酸）−ジチオカ
ルボネート、ビス−（スルホプロピル）ジスルフィド等
やそれらの塩を挙げることができる。

【００１８】イオウ系化合物の銅ダマシンめっき液への
添加量は、銅ダマシンめっき液の硫酸／硫酸銅の比に対
応して定める必要がある。 具体的には、Ｂ／Ａ比が１
以下の場合は、０.１４〜７０μｍｏｌ／ｌであり、Ｂ
／Ａ比が１以上の場合は、０.１４〜１５０μｍｏｌ／
ｌとすることが必要である。 イオウ系化合物添加量と
Ｂ／Ａ比の特に好ましい範囲を図に示せば図１の通りで
ある。 すなわち、イオウ系化合物添加量（μｍｏｌ）
を縦軸に、Ｂ／Ａ比を横軸に取った場合、次の９個の座
標、（０.０５,０.１４）、（０.０５,１）、（０.１,
１１）、（１,７０）、（３０,１００）、（５０,１５
０）、（３０,１０）、（１０,１.４）および（１,０.
１４）で囲まれる範囲が特に好ましい範囲である。

【００１９】更に、本発明の銅ダマシン配線用銅めっき
液には、添加剤として高分子系有機添加剤を配合するこ
とができる。 高分子系有機添加剤の例としては、次の
式（II）

【化６】 （式中、Ｒ_１は、炭素数８から２５の高級アルコールの
残基、炭素数１から２５のアルキル基を有するアルキル
フェノールの残基、炭素数１から２５のアルキル基を有
するアルキルナフトールの残基、炭素数３から２２の脂
肪酸アミドの残基、炭素数２から４のアルキルアミンの
残基または水酸基を示し、Ｒ_２およびＲ_３は、水素原子
またはメチル基を示し、ｍおよびｎは１から１００の整
数を示す）で表される高分子化合物を挙げることができ
る。

【００２０】この高分子系有機添加剤は、銅の析出電位
を分極し、銅の析出を抑制する作用を有するものであ
り、その具体例としては、ＰＰＧ、ＰＥＧあるいはそれ
らのランダムまたはブロック重合ポリマーあるいはそれ
らの誘導体等のポリエーテル類が挙げられる。

【００２１】この高分子系有機添加剤は、銅ダマシンめ
っき液に対し、１０ｍｇ／ｌから５ｇ／ｌ程度添加され
る。

【００２２】本発明の銅ダマシンめっき液には、更にフ
ェナチジン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリエ
チレンイミン、ポリベンジルエチレンイミンなどのポリ
アルキレンイミンおよびその誘導体、Ｎ−染料置換体化
合物などのチオ尿素誘導体、フェノサフラニン、サフラ
ニンアゾナフトール、ジエチルサフラニンアゾフェノー
ル、ジメチルサフラニンジメチルアニリンなどのサフラ
ニン化合物、ポリエピクロルヒドリンおよびその誘導
体、チオフラビン等のフェニルチアゾニウム化合物、ア
クリルアミド、プロピルアミド、ポリアクリル酸アミド
などのアミド類等の含窒素化合物を添加することができ
る。 この含窒素化合物は、銅の析出を抑え、析出物の
平坦化作用を有するものである。

【００２３】この含窒素化合物は、好ましくは銅ダマシ
ンめっき液に対し、０.０１ｍｇ／ｌから１００ｍｇ／
ｌ程度添加される。

【００２４】以上説明した本発明の銅ダマシンめっき液
を用いて、半導体ウエハー面に形成される幅または径が
１.０μｍ以下、通常は０.１から０.２μｍ程度でアス
ペクト比が０.１から５０程度である配線溝ないし配線
孔内に銅めっきを行い、ここに銅を埋め込むには、特段
の機械的あるいは電気的操作を必要とせず、通常の酸性
銅めっきに準じてめっき操作を行えばよい。

【００２５】具体的には、１５から３５℃程度の浴温
で、一般の直流電源により、０.０２から５Ａ／ｄｍ^２
程度、好ましくは０.１から３Ａ／ｄｍ^２程度の電流密
度でめっき操作を行えばよい。 なお、この場合、機
械、ポンプ等を利用した品物の揺動や液の攪拌を採用す
ることが好ましい。 また、めっき時間としては、幅ま
たは径が０.２〜１μｍ程度、アスペクト比１〜５程度
の溝や孔の場合、０.５〜５分程度で完全に埋めること
が可能となる。

【００２６】以上のように、本発明の銅ダマシンめっき
液を用いることにより、極めて微少で、アスペクト比の
高い微小溝および微小孔の内部まで均一に銅金属を析出
させることが可能になり、めっき後、化学機械研磨（Ｃ
ＭＰ）を施すことにより、半導体ウエハー面上の微細な
配線溝ないし配線孔を形成することが可能となる。

【００２７】

【実施例】次に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれら実施例等に何ら制約されるもの
ではない。

【００２８】実 施 例 １ 下に示す浴組成で硫酸銅めっき浴を建浴した。 この硫
酸銅めっき浴を用い、下記条件で、Ｃｕスパッタにより
導電化した孔径０.２μｍ、深さ０.４μｍの微孔中を有
するＳｉウエハー板（試料）をめっき処理した。

【００２９】この結果、外観が半光沢状の銅皮膜が得ら
れ、微孔部分を切断し、その穴埋め性を評価したとこ
ろ、十分に埋まっており良好であった。 また、析出物
（銅皮膜）の抵抗率（ρ）を測定したところ、１.７５
μΩ.ｃｍであった。 なお、この場合の平面部の銅めっ
き皮膜の膜厚は約１０００ｎｍであった。

【００３０】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２３０ｇ／ｌ 硫 酸 ５０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 ０.２２ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物１^１） ０.５ｍｇ／ｌ 1) 次の式で表されるイオウ系化合物：

【００３１】

【化７】

【００３２】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００３３】実 施 例 ２ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は半光沢状であり、微孔部分の穴埋め性は良好
であった。 また、抵抗率は１.９５μΩ.ｃｍであっ
た。 なお、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は約１０００
ｎｍであった。

【００３４】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２０ｇ／ｌ 硫 酸 ２００ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 １０ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^１） ３０ｍｇ／ｌ 1) 実施例１で用いたものと同じ

【００３５】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００３６】実 施 例 ３ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があり、微孔部分の穴埋め性は良好であ
った。 また、抵抗率は１.８μΩ.ｃｍであった。 な
お、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は約８００ｎｍであっ
た。

【００３７】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 １２０ｇ／ｌ 硫 酸 １２０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 １ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物２^２） ２ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール６０００ ０.１ｇ／ｌ 2) 次の式で表されるイオウ系化合物

【００３８】

【化８】

【００３９】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 ２Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ２分間

【００４０】実 施 例 ４ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があり、微孔部分の穴埋め性は良好であ
った。 また、抵抗率は１.９μΩ.ｃｍであった。 な
お、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は約１０００ｎｍであ
った。

【００４１】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ７５ｇ／ｌ 硫 酸 １８０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 ２.４ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物１^１） ２ｍｇ／ｌ ポリプロピレン４００ ０.２ｇ／ｌ 含窒素化合物^３） ２ｍｇ／ｌ 1) 実施例１で用いたものと同じ 3) サフラニン化合物（ｊａｎｕｓグリーンＢ）

【００４２】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００４３】実 施 例 ５ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があり、微孔部分の穴埋め性は良好であ
った。 また、抵抗率は１.８μΩ.ｃｍであった。 な
お、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は約５００ｎｍであっ
た。

【００４４】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 １２０ｇ／ｌ 硫 酸 １２０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 １ ） 塩素イオン ６０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^１） ２ｍｇ／ｌ 含窒素化合物^４） ８ｍｇ／ｌ 1) 実施例２で用いたものと同じ 4) チオフラビンＴ（和光純薬工業（株）社製）

【００４５】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 ０.５Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００４６】実 施 例 ６ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があり、微孔部分の穴埋め性は良好であ
った。 また、抵抗率は１.８５μΩ.ｃｍであった。 な
お、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は約１０００ｎｍであ
った。

【００４７】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２３０ｇ／ｌ 硫 酸 ５０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 ０.２２ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^１） １ｍｇ／ｌ 含窒素化合物^５） ８ｍｇ／ｌ 1) 実施例２で用いたものと同じ 5) ポリエチレンイミン（ＰＥＩ−６）

【００４８】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００４９】比 較 例 １ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は無光沢で、微孔部分は銅の粒径が大きく、空
隙が多いため穴埋め性は不良であった。 なお、抵抗率
は１.９μΩ.ｃｍであり、平面部の銅めっき皮膜の膜厚
は約１０００ｎｍであった。

【００５０】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２３０ｇ／ｌ 硫 酸 ５０ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 ０.２２ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^１） ３０ｍｇ／ｌ 1) 実施例１で用いたものと同じ

【００５１】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００５２】比 較 例 ２ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があったが、微孔部分にボイド（空孔）
が存在し、穴埋め性は不良であった。 なお、抵抗率は
２.０μΩ.ｃｍであり、平面部の銅めっき皮膜の膜厚は
約１０００ｎｍであった。

【００５３】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２０ｇ／ｌ 硫 酸 ２００ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 １０ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^２） ０.５ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール６０００ ０.１ｇ／ｌ 含窒素化合物^３） ２ｍｇ／ｌ 2) 実施例３で用いたものと同じ 3) 実施例４で用いたものと同じ

【００５４】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 １Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ５分間

【００５５】比 較 例 ３ 下記組成の硫酸銅めっき浴を用い、下記めっき条件で、
実施例１と全く同じ試料に銅めっきを行った。 めっき
後の外観は光沢があったが、微孔部分に表面に至るボイ
ド（空孔）が存在し、穴埋め性は不良であった。 な
お、抵抗率は１.９５μΩ.ｃｍであり、平面部の銅めっ
き皮膜の膜厚は約８００ｎｍであった。

【００５６】（ めっき浴組成 ） 硫酸銅五水塩 ２０ｇ／ｌ 硫 酸 ２００ｇ／ｌ （Ｂ／Ａ比 １０ ） 塩素イオン ４０ｍｇ／ｌ イオウ系化合物^２） １ｍｇ／ｌ ポリプロピレングリコール４００ ２００ｍｇ／ｌ 2) 実施例３で用いたものと同じ

【００５７】（ めっき条件 ） 浴 温 ２５℃ 電流密度 ２Ａ／ｄｍ^２ めっき時間 ２分間

【００５８】

【発明の効果】本発明の銅ダマシンめっき浴を利用すれ
ば、半導体ウエハー上の微細な配線溝や配線孔中に効率
よく金属銅を析出させることができるので、銅または銅
合金を配線材料として使用し、集積度の高い配線パター
ンを半導体ウエハー上に経済性良く形成することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 微小配線溝または微小配線孔に金属銅を析出
させるために特に好ましいイオウ系化合物添加量とＢ／
Ａ比の関係を示す図面。 以 上

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本郷 明久 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 大野 寛二 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内 (72)発明者 石井 和夫 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内 (72)発明者 君塚 亮一 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内 (72)発明者 丸山 恵美 神奈川県藤沢市善行坂１−１−６ 荏原ユ ージライト株式会社内 Ｆターム(参考） 4K023 AA19 BA06 CA01 CA09 CB08 CB13 CB28 CB32 DA06 DA07 DA08 4K024 AA09 AB08 BB12 CA02 CA04 CA06 GA16 4M104 BB04 DD52 GG13 HH14 HH20 5F033 HH11 MM01 PP27 QQ48 WW00 WW03 WW04 WW08 XX04 XX05 XX06 XX33 XX34

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 硫酸銅濃度が４ｇ／ｌ〜２００ｇ／ｌ、
   硫酸濃度が１０〜２００ｇ／ｌおよび塩素イオン濃度が
   ０〜１００ｍｇ／ｌであることを特徴とする銅ダマシン
   配線用銅めっき液。
2. 【請求項２】 更にイオウ系化合物を含有し、イオウ系
   化合物の配合量が、硫酸／硫酸銅五水塩の比が１以下の
   場合は、０.１４〜７０μｍｏｌ／ｌであり、硫酸／硫
   酸銅五水塩の比が１以上の場合は、０.１４〜１５０μ
   ｍｏｌ／ｌである請求項第１項記載の銅ダマシン配線用
   銅めっき液。
3. 【請求項３】 イオウ系化合物が次の式（I） 【化１】 ［式中、Ｌは低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸
   基またはハロゲン原子で置換されていても良い炭素数１
   から６のアルキレン基を示し、Ｘは水素原子、−ＳＯ_３
   Ｍ基または−ＰＯ_３Ｍ基（ここで、Ｍは水素原子、アル
   カリ金属原子またはアミノ基を示す）を示し、Ｙはアル
   キルアミノカルボチオ基または、次の基 【化２】 （ここで、Ｌ'は低級アルキル基、低級アルコキシ基、
   水酸基またはハロゲン原子で置換されていても良い炭素
   数１から６のアルキレン基を示し、Ｘ'は−ＳＯ _３Ｍ基
   または−ＰＯ_３Ｍ基（Ｍは前記した意味を有する）を示
   し、ｎは１〜５の整数を示す］で表される多硫化アルキ
   レン化合物である請求項第２項記載の銅ダマシン配線用
   銅めっき液。
4. 【請求項４】 更に、次の式（II） 【化３】 （式中、Ｒ_１は、炭素数８から２５の高級アルコールの
   残基、炭素数１から２５のアルキル基を有するアルキル
   フェノールの残基、炭素数１から２５のアルキル基を有
   するアルキルナフトールの残基、炭素数３から２２の脂
   肪酸アミドの残基、炭素数２から４のアルキルアミンの
   残基または水酸基を示し、Ｒ_２およびＲ_３は、水素原子
   またはメチル基を示し、ｍおよびｋは１から１００の整
   数を示す）で表される高分子化合物を含有する請求項第
   ２項または第３項記載の銅ダマシン配線用銅めっき液。