TWI723126B - 水性銦或銦合金電鍍浴及沉積銦或銦合金之方法 - Google Patents

Abstract

一種水性銦或銦合金電鍍浴，其包含 -  銦離子源， -  酸， -  鹵素離子源， -  根據式(I)之界面活性劑

其中A選自分支鏈或未分支鏈C₁₀ -C₁₅ 烷基； B選自由氫及烷基組成之群； m為5至25範圍內之整數； 各R彼此獨立地選自氫及甲基；以及 -  根據式(II)之二羥基苯衍生物

Description

水性銦或銦合金電鍍浴及沉積銦或銦合金之方法

本發明係關於水性銦或銦合金電鍍浴及用於沉積銦或銦合金之方法。藉由該浴及方法可獲得極光滑銦層或銦合金層。

銦由於其獨特物理性質為眾多工業中之高度理想金屬。舉例而言，其足夠軟，使得其易於變形且填充於兩個嚙合組件之間的微觀結構中，具有低熔點溫度(156℃)及高熱導率。該等特性使銦能夠用於電子及相關工業中之各種用途。 舉例而言，銦可用作熱介面材料(TIM)。TIM對於防止電子裝置(諸如積體電路(IC))及主動半導體裝置（例如微處理器)超出其操作溫度極限為至關重要的。TIM使產熱裝置(例如矽半導體)能夠接合至散熱片或熱散播器(例如銅及鋁組件)而不產生過熱障壁。TIM亦可用於散熱片或熱散播器堆疊之其他組件的總成中，該散熱片或熱散播器堆疊構成總熱阻抗路徑。 形成高效熱路徑為TIM之重要特性。熱路徑可關於穿過TIM之有效熱導率描述。TIM之有效熱導率主要歸因於TIM之間的介面的整合性及熱散播器熱導率以及TIM之(固有)主體熱導率。視特定應用而定，TIM之各種其他特性亦為重要的，例如：當接合兩種材料時鬆弛熱膨脹應力之能力(亦稱作「遵從性」)、形成熱循環期間穩定之完好機械接合的能力、對濕氣及溫度變化缺乏敏感性、製造可行性及成本。 銦之電解沉積很久以前已在此項技術中建立。已知銦之電解沉積存在各種技術缺陷。銦跨越廣泛pH範圍易於作為氫氧化物或氧化物自水溶液沈澱，其通常需要採用強螯合劑及/或強鹼性或酸性電鍍浴。US 2,497,988揭示使用氰化物作為添加劑之電解銦沉積方法。氰化物之使用歸因於其毒性為高度不恰當的。採用各種螯合劑(諸如草酸鹽)之鹼性方法尤其報導於US 2,287,948及US 2,426,624中。然而，鹼性介質無法用於印刷電路製造及半導體之後續步驟中，因為焊料遮罩及光阻對該等處理不穩定。酸性銦電鍍浴例示性教示於US 2,458,839中。仍然，以此形成之沉積物為不均一的且通常具有島狀結構，其使得該等沉積物不能用於亞微米級體系中。然而，歸因於現今電子工業中增加的小型化需求，此等方法不適用，因為需要亞微米級銦層或銦合金層。 為防止上文所提及之島狀結構，US 8,092,667教示多步驟方法。首先，形成由銦及/或鎵以及硫、硒或另一種金屬(諸如銅)組成之中間層，且隨後將鎵、銦或其合金電解沉積於該中間層上。儘管該方法可提供薄至500 nm之銦層，但此方法極費力。其中教示之方法需要多於一個電鍍浴，其為不恰當的，因為其增加方法時間且延長所需生產線及因此製造組件之成本。另外，無法提供極光滑及純銦層，因為所需中間層由與其他元素之合金製成。 用於在銅上電解銦沉積之方法報導於Journal of the Electrochemical Society 2011,第158 (2)卷,第D57-D61頁中。報導之銦的沉積儘管呈稍微改良之方式，但遵從Stranski-Krastanov生長行為。其中揭示之方法導致快速形成多達50 nm之金屬間層，隨後在其上形成由銦組成之島狀結構。然而，其中所描述之方法未使得可形成光滑亞微米級銦層。50 nm或100 nm至低於1 µm或低於500 nm範圍內之厚度的銦層或銦合金層不可由所揭示之方法提供。此外，該揭示內容僅闡述銅作為基板，但銅作為基板很少使用。電子工業通常在銅線或接觸件之頂部施加障壁層以防止銅的電遷移。銅之此電子遷移傾向對電子組件之壽命造成嚴重風險。 在銦之電解沉積期間的析氫為與其相關的另一個問題。析氫應減至最少，因為氫氣為可燃氣體且氫氣之形成為與銦之沉積的競爭反應，且因此降低銦沉積方法之效能。US 8,460,533 B2教示使用聚合氫清除劑之銦電鍍浴。聚合氫清除劑為表氯醇之加成聚合物，歸因於其高毒性其使用為不恰當的。另外，為各技術問題提供單獨浴配方為非所需的。

本發明之一目標為提供用於尤其在金屬或金屬合金(諸如鎳及鎳合金)上沉積光滑銦層或銦合金層之電鍍浴及方法。 本發明根據獨立申請專利範圍提供電鍍浴及電鍍方法。有益實施例位於附屬申請專利範圍及本說明書中。 總體上或在特定實施例中，藉由本發明之銦或銦合金電鍍浴及沉積銦或銦合金之方法，可實現以下益處中之一或多者： -  可生產光滑銦層或銦合金層。 -  可控制銦層或銦合金層、或層之組合的厚度，尤其如下文所描述當使用恆定電位方法時。 -  提供由銦或銦合金製成之對覆晶及焊料凸塊之完好接合位點。 -  本發明提供高效銦或銦合金沉積方法。

本發明提供水性銦或銦合金電鍍浴，其包含 -  銦離子源， -  酸， -  鹵素離子源， -  根據式(I)之界面活性劑

其中A選自分支鏈或未分支鏈C₁₀ -C₁₅ 烷基， 較佳分支鏈或未分支鏈C₁₂ -C₁₄ 烷基，更佳分支鏈或未分支鏈C₁₂ -C₁₃ 烷基； B選自由氫及烷基、較佳氫組成之群； m為5至25、更佳10至25範圍內之整數； 各R彼此獨立地選自氫及甲基，較佳僅氫；以及 -  根據式(II)之二羥基苯衍生物

其中各X獨立地選自氟、氯、溴、碘，較佳氯及溴，更佳氯；烷氧基，較佳甲氧基；及硝基； n為1至4範圍內之整數，較佳1至2，更佳1。 本發明之特定實施例在下文中給出。實施例可單獨或以任何組合進行。本文揭示之比率及範圍的界限可呈任何組合合併。 在一個實施例中，各X獨立地選自氟、氯、溴、碘，較佳氯及溴，更佳氯；及烷氧基，較佳甲氧基。 已發現藉由根據式(II)之二羥基苯衍生物，電鍍浴之特性可保留歷經更長時間段。特定言之，歷經較長時間老化之電鍍浴仍能夠生產光滑銦層或銦合金層。 不希望受理論所束縛，此外認為二羥基苯衍生物充當降低電流之控制劑。受控電流導致銦層或銦合金層之受控沉積，其提高光滑度。 應理解在電鍍浴中可存在多於一種如上下文所定義之組分，例如多於一種銦離子源，多於一種酸，多於一種界面活性劑，多於一種二羥基苯衍生物。 銦或銦合金電鍍浴為水溶液。術語「水溶液」意謂主要液體介質(其為溶液中之溶劑)為水。可添加可與水互溶的其他液體，如例如醇及可與水互溶的其他極性有機液體。 銦或銦合金電鍍浴可藉由將所有組分溶解於水性液體介質、較佳水中來製備。 較佳地，界面活性劑可為一或多種界面活性劑之混合物。 界面活性劑為非離子界面活性劑。在界面活性劑中，聚氧伸烷基鏈之長度可以統計方式分佈。因此m值可為平均值，較佳地數目平均聚合度，較佳藉由高效液相層析量測。換言之，在界面活性劑中，可存在具有不同聚氧伸烷基鏈長度之分子的混合物。 界面活性劑中之各R可彼此獨立地選自氫及甲基，且氫/甲基之比率為10/1至100/1。換言之，各R可選自氫及甲基，且氫/甲基之比率為10/1至100/1。 較佳地，在界面活性劑中，氫/甲基之比率可以統計方式分佈。因此，在界面活性劑中，可存在具有不同氫/甲基比率之分子的混合物。氫/甲基之比率的值可為存在於界面活性劑中所有分子之平均值。或混合物內之各界面活性劑分子可具有10/1至100/1範圍內之氫/甲基的比率。 較佳地，此可與如上文所陳述之不同長度的聚氧伸烷基鏈組合。因此，界面活性劑可在聚氧伸烷基鏈之長度及氫/甲基之比率兩個方面變化。 在另一實施例中R為氫。在此情形下聚氧伸烷基為聚氧伸乙基。 分支鏈烷基亦稱作異烷基。在一極特定實施例中，異烷基可意謂烷基在主鏈之位置2 (碳原子2)處展示甲基、乙基或丙基。 界面活性劑可以習知量包括於銦或銦合金電鍍浴中。特定言之，界面活性劑係以0.1 g/L至20 g/L、較佳0.5 g/L至15 g/L、甚至更佳1 g/L至15 g/L的量包括於銦或銦合金電鍍浴中。 在一特定實施例中，親水-親脂平衡值(HLB值，根據Griffin之方法量測)為13.0-18.0，較佳15.0-18.0，更佳15.5-17.5。換言之，在特定實施例中，界面活性劑之親水-親脂平衡值(HLB值，根據Griffin之方法量測)在13.0-18.0、較佳15.0-18.0、更佳15.5-17.5之範圍內。 二羥基苯衍生物較佳為間苯二酚衍生物、對苯二酚(hydrochinon)衍生物或鄰苯二酚衍生物；更佳間苯二酚衍生物或對苯二酚衍生物。在一特定實施例中，二羥基苯衍生物係選自來自以下組成之群的一或多種二羥基苯衍生物：4-氯間苯二酚、5-甲氧基間苯二酚、氯對苯二酚、4-溴間苯二酚、2-硝基間苯二酚及4-氯鄰苯二酚；較佳4-氯間苯二酚、5-甲氧基間苯二酚、氯對苯二酚及4-溴間苯二酚。 電鍍浴中二羥基苯衍生物之濃度較佳在10-1000 mg/L、較佳50-500 mg/L、更佳100-400 mg/L之範圍內。 銦或銦合金電鍍浴包含至少一種銦離子源。適合之銦離子源為水可溶銦鹽及水可溶銦錯合物。該等銦離子源包括(但不限於)烷磺酸之銦鹽，烷磺酸為諸如甲磺酸、乙磺酸、丁磺酸；芳族磺酸之銦鹽，芳族磺酸為諸如苯磺酸及甲苯磺酸；胺基磺酸鹽；硫酸鹽；銦之氯化物及溴化物鹽；硝酸鹽；氫氧化物鹽；氧化銦；氟硼酸鹽；羧酸之銦鹽，羧酸為諸如檸檬酸、乙醯乙酸、乙醛酸、丙酮酸、乙醇酸、丙二酸、氧肟酸、亞胺基二乙酸、柳酸、甘油酸、丁二酸、蘋果酸、酒石酸、羥基丁酸；胺基酸之銦鹽，胺基酸為諸如精胺酸、天冬胺酸、天冬醯胺、麩胺酸、甘胺酸、麩醯胺、白胺酸、離胺酸、蘇胺酸、異白胺酸及纈胺酸。較佳地，銦離子源為硫酸、胺基磺酸、烷磺酸、芳族磺酸及羧酸之一種或多於一種銦鹽。更佳地，銦離子源為硫酸及烷磺酸之一種或多於一種銦鹽。銦或銦合金電鍍浴中銦離子之濃度較佳在2.5 g/L至200 g/L、較佳5 g/L至50 g/L、更佳10 g/L至30 g/L之範圍內。 電鍍浴包含至少一種酸及/或其鹽以提供所需酸性pH。較佳pH範圍在下文中給出。該等酸包括(但不限於)烷磺酸，諸如甲磺酸、乙磺酸；芳基磺酸，諸如苯磺酸、甲苯磺酸；胺基磺酸；硫酸；氫氯酸；氫溴酸；氟硼酸；硼酸；羧酸，諸如檸檬酸、乙醯乙酸、乙醛酸、丙酮酸、乙醇酸、丙二酸、氧肟酸、亞胺基二乙酸、柳酸、甘油酸、丁二酸、蘋果酸、酒石酸及羥基丁酸；胺基酸，諸如精胺酸、天冬胺酸、天冬醯胺、麩胺酸、甘胺酸、麩醯胺、白胺酸、離胺酸、蘇胺酸、異白胺酸及纈胺酸。亦可使用一種或多於一種上文所提及之酸的相對應鹽。酸可選自由以下中之一或多者組成之群：烷磺酸、芳基磺酸、胺基磺酸、羧酸(或先前提及之鹽)及硫酸。酸可較佳選自由以下中之一或多者組成之群：烷磺酸、胺基磺酸或其鹽、及硫酸。更佳地，酸可選自由以下中之一或多者組成之群：烷磺酸或其鹽、及硫酸。甚至更佳地，酸可選自由以下中之一或多者組成之群：甲磺酸或其鹽、及硫酸。 一種或多於一種酸或其鹽之濃度在0.1 mol/L至3 mol/L、較佳0.2 mol/L至2.5 mol/L、更佳0.3 mol/L至2.0 mol/L之範圍內。 電鍍浴之pH較佳為7或低於7。 第一有益pH範圍如下：pH為-1至4或0至4，更佳0至3.5。 第二有益pH範圍如下：-1至1.4，更佳0至1.4，甚至更佳0至1，且最佳pH 0至＜ 1或pH＜ 1。已發現藉由該範圍之pH，當銦或銦合金沉積於作為基板之金屬或金屬合金上時，可獲得極光滑銦或銦合金表面。 第三有益pH範圍如下：pH 1至4，較佳pH 1.5至4，更佳pH 1.5至3，甚至更佳pH 3-4、又甚至更佳pH 3-3.5。已發現藉由該範圍之pH，當銦或銦合金沉積於氧化基板上時，可獲得極光滑銦或銦合金表面。 可添加氫氧根離子源例如以調整所需pH。適合之氫氧根離子源為氫氧根化合物，諸如氫氧化鈉或氫氧化鉀。 在一個實施例中電鍍浴包含鹼金屬陽離子源及/或鹼土金屬陽離子源。較佳鹼金屬陽離子為Na、K及/或Li之陽離子。適合之鹼金屬陽離子源為例如NaCl、KCl或LiCl。較佳鹼土金屬陽離子為Ca及/或Mg之陽離子。已展示當鹼金屬陽離子源及/或鹼土金屬陽離子源添加至電鍍浴時，銦或銦合金表面之光滑度可改良。 一般而言，在本發明中添加至浴之一種化合物可為所提及組分中之一或多者的源。舉例而言，例如在氫氧化鈉之情形下，鹼金屬陽離子源或鹼土金屬陽離子源亦可為氫氧根離子源。 銦或銦合金電鍍浴包含至少一種鹵素離子源。該等鹵素離子源可為在水性介質中釋放鹵素離子之水可溶鹵素鹽或鹵素錯合物。尤其適合的為鹼鹵素鹽及鹵化氫。鹵化氫亦可充當酸，且若使用於銦或銦合金電鍍浴中，則響應其雙功能性。氯離子較佳。鹵素離子之濃度依賴銦或銦合金電鍍浴中銦離子之濃度而選擇。鹵素離子之濃度較佳在1莫耳當量之鹵素離子比銦離子至10莫耳當量之鹵素離子比銦離子的範圍內。鹵素離子使銦離子穩定於溶液中。 酸及鹵素離子源可作為一種化合物添加至浴，例如當氫氯酸或氫溴酸添加至浴中時。另一方面，鹵素離子源及酸可為不同化合物，例如當所用之上文所提及之酸選自由以下中之一或多者組成之群時：烷磺酸、芳基磺酸、胺基磺酸、羧酸及硫酸。 電鍍浴可包含另外視情況存在之組分，諸如銦離子之螯合劑、調平劑、載劑、光亮劑及/或下文描述之可還原金屬離子的第二源。 銦或銦合金電鍍浴視情況包含銦離子之至少一種螯合劑。銦離子之該等螯合劑包括(但不限於)羧酸，諸如丙二酸及酒石酸；羥基羧酸，諸如檸檬酸及蘋果酸及其鹽。亦可使用銦離子之更強螯合劑，諸如乙二胺四乙酸(EDTA)。銦離子之螯合劑可單獨使用或可使用其組合。舉例而言，變化量之相對強螯合劑(諸如EDTA)可與變化量之一或多種較弱螯合劑(諸如丙二酸、檸檬酸、蘋果酸及酒石酸)組合使用，以控制可供用於電鍍之銦的量。銦離子之螯合劑可呈習知量使用。通常，銦離子之螯合劑呈0.001 mol/L至3 mol/L之濃度使用。 根據US 2,458,839之教示內容可添加葡萄糖以改良銦或銦合金電鍍浴之均鍍能力及/或所形成銦層或銦合金層的精細度。 銦或銦合金電鍍浴視情況包含至少一種調平劑。調平劑包括(但不限於)聚伸烷二醇醚。該等醚包括(但不限於)二甲基聚乙二醇醚、二第三丁基聚乙二醇醚、聚乙烯/聚丙烯二甲醚(混合或嵌段共聚物)及辛基單甲基聚伸烷基醚(混合或嵌段共聚物)。該等調平劑呈習知量包括。通常，該等調平劑可呈100 µg/L至500 µg/L的量包括。 銦或銦合金電鍍浴視情況包含至少一種載劑。載劑包括(但不限於)啡啉及其衍生物，諸如1,10-啡啉；三乙醇胺及其衍生物，諸如三乙醇胺十二基硫酸鹽；十二基硫酸鈉及乙氧基化十二基硫酸銨；聚乙烯亞胺及其衍生物，諸如羥丙基聚烯亞胺(hydroxypropylpolyeneimine；HPPEI-200)；及烷氧基化聚合物。該等載劑呈習知量包括於銦或銦合金電鍍浴中。通常，載劑可呈200 mg/L至5000 mg/L的量包括。 銦或銦合金電鍍浴視情況包含至少一種光亮劑。光亮劑包括(但不限於)3-(苯并噻唑基-2-硫基)-丙基磺酸、3-巰基-丙-1-磺酸、伸乙基二硫基二丙磺酸、雙-(對磺苯基)-二硫化物、雙-(ω-磺基-丁基)-二硫化物、雙-(ω-磺基羥丙基)-二硫化物、雙-(ω-磺基-丙基)-二硫化物、雙-(ω-磺基-丙基)-硫化物、甲基-(ω-磺基-丙基)-二硫化物、甲基-(ω-磺基-丙基)-三硫化物、O-乙基-二硫碳酸-S-(ω-磺丙基)-酯、硫代乙二醇-酸、硫代磷酸-O-乙基-雙-(ω-磺丙基)-酯、3-N,N-二甲基胺基二硫代胺甲醯基-1-丙烷-磺酸、3,3'-硫基雙(1-丙烷-磺酸)、硫代磷酸-參-(ω-磺丙基)-酯及其相對應鹽。通常，光亮劑可呈0.01 mg/l至100 mg/l、較佳0.05 mg/l至10 mg/l的量包括。 銦或銦合金電鍍浴視情況包含可還原金屬離子之至少一種第二源。可還原金屬離子為可在所提供之條件下還原之金屬離子，且因此其與銦一起沉積形成銦合金。可還原金屬離子之該第二源較佳選自由以下組成之群：鋁、鉍、銅、鎵、金、鉛、鎳、銀、錫、鎢及鋅。更佳地，其係選自金、鉍、銀及錫。可還原金屬離子之第二源可呈水可溶金屬鹽或水可溶金屬錯合物之形式添加至銦或銦合金電鍍浴。該等水可溶金屬鹽及錯合物為吾人所熟知。多種水可溶金屬鹽及錯合物為市售的或可由文獻中之描述製備。水可溶金屬鹽及/或錯合物係以足以形成具有1重量%至5重量%、或諸如2重量%至4重量%之合金化金屬之銦合金的量添加至銦或銦合金電鍍浴。水可溶金屬鹽可以使得銦合金具有1重量%至3重量%之合金化金屬的量添加至銦組合物。 呈3重量%或低於3重量%之量的合金化金屬的量可改良TIM高溫耐腐蝕性及潤濕，及對基板(諸如矽晶片且尤其是覆晶)之黏結。另外，合金化金屬(諸如銀、鉍及錫)可與銦形成低熔點共晶，使得其甚至更適用於焊料應用。可還原金屬離子金屬之至少一種第二源視情況以0.01 g/L至15 g/L、或諸如0.1 g/L至10 g/L、或諸如1 g/L至5 g/L的量包括於銦組合物中。 銦或銦合金電鍍浴僅包含銦離子且無其他有意添加的可還原金屬離子為較佳的，因為此有助於沉積方法(不考慮通常存在於技術原料中之痕量雜質)。此在本發明之此較佳實施例之情形下應意謂99重量%或大於99重量%之可還原金屬離子為銦離子。 在另一態樣中，本發明係關於一種用於沉積銦或銦合金之方法，其包含以下步驟： i. 提供具有至少一個表面之基板； ii 使該基板之至少一個表面與如上文所述之銦或銦合金電鍍浴接觸，且因此在至少一個表面之至少一部分上沉積銦層或銦合金層。 在一個實施例中，表面為金屬表面或金屬合金表面。因此，本發明中使用之基板可包含至少一個金屬或金屬合金表面。至少一個金屬或金屬合金表面通常為外層或者沉積方法可以其他方式接近的部位。 基板之至少一個金屬或金屬合金表面較佳包含或由以下組成之群中的一者或多於一者組成：鎳、鋁、鉍、鈷、銅、鎵、金、鉛、釕、銀、錫、鈦、鉭、鎢、鋅及前述之合金。合金意欲包括(除其他以外)至少由該等金屬中之兩者或多於兩者形成之合金、該等金屬中之一者或多於一者與磷、硼或磷及硼的合金，以及該等金屬之各別氮化物及矽化物。由於銅及銅合金之電子遷移傾向，更佳地至少一個金屬或金屬合金表面不由銅或其合金組成。 至少一個金屬或金屬合金表面更佳包含或由鎳、鈷、釕、鈦、鉭、鎢或前述之合金組成。此等金屬或金屬合金通常在半導體及電子工業中用作銅線或接觸件上之障壁層，以防止銅自銅線及接觸件熱遷移或電遷移。 本發明中使用之至少一個金屬或金屬合金表面最佳包含或由鎳或鎳合金組成，其中鎳合金可選自由以下各者組成之群：鎳磷合金、鎳硼合金、鎳鎢磷合金、鎳鎢硼合金、鎳鎢磷硼合金、鎳鉬磷合金、鎳鉬硼合金、鎳鉬磷硼合金、鎳錳磷合金、鎳錳硼合金及鎳錳磷硼合金。 在此情形下金屬表面(諸如鎳表面)意謂純金屬表面(不考慮通常存在於技術原料中之任何痕量雜質)。純金屬表面通常包含至少99重量%之各別金屬。上文所提及之合金通常包含形成合金之大於95重量%之該等元素，較佳大於99重量%。 在一個實施例中，表面為氧化表面，如金屬氧化物表面或混合金屬氧化物表面，例如氧化銦錫(ITO)表面。因此，本發明中使用之基板可包含至少一個氧化表面。至少一個氧化表面通常為外層表面或者可達成沉積方法。 本說明書中提及之所有電位參考具有3 mol/L KCl作為電解質之銀/氯化銀電極(Ag⁺ │AgCl)給定。除非另外說明，否則貫穿本說明書之百分比為重量百分比(重量%)。除非另外說明，否則本說明書中給定之濃度參考整個溶液之體積。本文中術語「沉積」應包括術語「電鍍」，其定義為自電鍍浴之沉積方法。術語「電解」在此項技術中有時與「電化」同義地使用，或該等方法有時稱作「電沉積」。術語「電位」及「電壓」在本文中可互換地使用。 根據本發明之方法視情況包含另外步驟 i.a.預處理至少一個金屬或金屬合金表面。 金屬或金屬合金表面之預處理為此項技術中已知。該預處理涵蓋但不限於清潔及蝕刻。 清潔步驟使用水溶液，其可為酸性或鹼性，其視情況包含界面活性劑及/或共溶劑(諸如二醇)。蝕刻步驟通常使用輕度氧化酸性溶液(諸如1 mol/L硫酸)以及氧化劑(如過氧化氫)。該等蝕刻步驟尤其用於移除金屬或金屬合金表面上之氧化層或有機殘餘物。 視情況存在之步驟i.a.可在根據本發明之方法中包括於步驟i.與步驟ii之間。 步驟ii.中沉積銦層或銦合金層可尤其在金屬或金屬合金表面上藉由電解沉積進行。 當在金屬或金屬合金表面上藉由電解沉積方法進行步驟ii.中沉積銦或銦合金時，根據本發明之方法的步驟ii.可包含步驟ii.a.至步驟ii.c。 ii.a.   提供銦或銦合金電鍍浴； ii.b.  使銦或銦合金電鍍浴與金屬或金屬合金表面接觸；以及 ii.c.   在基板與至少一個陽極之間施加電流，且因此在基板之金屬或金屬合金表面之至少一部分上沉積銦或銦合金。 步驟ii.a.可在根據本發明之方法中的任何階段包括於步驟ii.b之前。步驟ii.c.在步驟ii.b之前通常不開始。銦或銦合金之電解沉積隨後在步驟ii.c期間進行。 在一特定實施例中，步驟ii.中之電解沉積為恆定電位沉積方法，較佳使用比開路電位更陰極的電位，如下文解釋及定義。 電解沉積銦或銦合金之較佳電位在-0.8 V至-1.4 V、又甚至更佳-0.85 V至-1.3 V、再甚至更佳-0.9 V至-1.2 V之範圍內。 電解沉積銦或銦合金之時間視各種因素而定，諸如用於沉積之銦或銦合金電鍍浴、溫度及電位。電解沉積銦或銦合金之時間較佳在0.1秒至60秒、更佳1秒至45秒、甚至更佳5秒至30秒之範圍內。此持續時間足以在金屬或金屬合金表面上提供第一銦層或銦合金層。可形成沉積之銦或銦合金與金屬或金屬合金表面之組合相。組合相在本說明書中亦稱作組合層。較長電鍍時間(儘管可能)產生較厚第一銦層或銦合金層，其不產生任何有益效果，但必須在在後續步驟iii中移除。過長電鍍時間亦產生具有高粗糙度值之島狀銦或銦合金結構(除非其在後續步驟中移除)。 較佳地，在根據本發明之方法中使用可溶銦陽極，因為其用於補充銦離子且因此將該等離子之濃度保持在高效銦沉積之可接受含量。 開路電位為當無電位或電流施加於電池時工作電極相對於參考電極的電位。 測定開路電位(OCP)為有用的，因為其視各種因素而定，諸如銦或銦合金電鍍浴之準確組成、金屬或金屬合金表面、銦或銦合金電鍍浴之pH及銦或銦合金電鍍浴之溫度。 開路電位可藉由熟習此項技術者已知之標準分析方法測定。適用分析方法為循環伏安(cyclovoltammetric)及線性伏安(linear voltammetric)方法。開路電位為電流-電壓曲線與電位曲線之交叉點。開路電位尤其定義於C. G. Zoski, 「Handbook of Electrochemistry」, Elsevier, Oxford,第1版, 2007,第4頁中。可替代地，開路電位可如K. B. Oldham, J. C. Myland, 「Fundamentals of Electrochemical Science」, Academic Press, San Diego,第1版, 1994,第68-69頁中所描述定義且獲得。 測定開路電位為有利的，因為隨後可選擇沉積及移除銦或銦合金之理想電位值，使得總體方法更高效。若對於給定製程已知開路電位，則不必要再測定開路電位。此意謂若方法已進行過一次，則不需要再次測定開路電位(其限制條件為施加類似或一致條件)。 根據本發明之方法視情況包含步驟：測定開路電位。在測定開路電位期間可獲得電流-電壓曲線(亦稱作電流對比電壓曲線)。 開路電位之測定在根據本發明之方法中可用於步驟i.與步驟ii.之間及/或步驟ii.與步驟iii.之間，其中iii.在下文描述，及/或步驟iii.與步驟iv之間，其中iv.在下文描述，及/或步驟iv.與步驟v.之間及/或步驟v.與步驟vi之間，該等步驟在下文描述。通常充分及因此較佳在i.與ii.之間及/或步驟ii.與步驟iii之間使用測定開路電位之步驟。 在本方法之一特定實施例中，基板表面為金屬或金屬合金表面，且 -  在步驟ii.中，銦層或銦合金層為第一銦層或銦合金層， -  在步驟ii.中形成組合相，其由該表面之金屬或金屬合金及第一銦層或銦合金層之至少一部分製成， 且本方法進一步包含以下步驟： iii.    部分或完全移除尚未轉換成組合相之第一銦層或銦合金層之部分； iv.     在步驟iii中獲得之表面之至少一部分上沉積第二銦層或銦合金層。 步驟iv.藉由使步驟iii中獲得之表面之至少一部分與根據本發明之銦或銦合金電鍍浴接觸且在至少一個表面之至少一部分上沉積銦層或銦合金層來進行。銦或銦合金電鍍浴較佳與本方法中先前使用相同，尤其步驟ii中。 藉由在金屬或金屬合金表面之至少一部分上沉積第一銦層或銦合金層，形成組合相。此組合相由表面之金屬或金屬合金及沉積於其上之第一銦層或銦合金層的至少一部分製成。組合相可為金屬間相、該等組分之物理混合物或其組合。較佳地，組合相為或至少包含經沉積銦或銦合金與表面之金屬或金屬合金的金屬間相，銦或銦合金沉積在該表面上。組合相(諸如金屬間相)通常藉由該等材料中之一或多者擴散至其他材料來形成於經沉積第一銦層或銦合金層與該表面之金屬或金屬合金的相邊界。組合相包含銦及表面之金屬或金屬合金。若沉積銦合金則組合相視情況包含可還原金屬離子之第二源(呈其各別金屬形式)。 由銦或銦合金及金屬或金屬合金表面製成之組合相在金屬或金屬合金表面之至少一部分上沉積第一銦層或銦合金層期間及其後立即形成。 組合相之形成速率尤其視用於根據本發明之方法中之金屬或金屬合金表面而定。在障壁層(諸如由鎳或鎳合金製成之彼等)之情形下，電化學實驗強有力地表明形成金屬間相。此為完全出人意料的，因為已知鎳及鎳合金為具有極低電子遷移傾向之障壁層，且例如當經歷如存在於根據本發明之方法中的條件(尤其溫度)時，鎳及銦不形成金屬間相。 較佳地，由銦或銦合金及金屬或金屬合金製成之組合相的層厚度在0.1 nm至100 nm、較佳1 nm至50 nm之範圍內。 組合層與步驟ii.中獲得之第一銦層或銦合金層的組合厚度較佳在0.1 nm至500 nm、更佳1 nm至400 nm且甚至更佳5 nm至350 nm之範圍內。 在進行根據本發明之方法的步驟iii.之前有可能等待某一時間段直至金屬間相之形成減緩或完全停止。 諸位發明人發現組合相在其物理性質方面顯著不同於尚未轉換成組合相之第一銦層或銦合金層及金屬或金屬合金表面。組合相有時具有顏色。組合相通常可比前述兩者中之任一者更具光澤及/或更光滑。此等發現表明組合相通常為金屬間相。 在步驟iii.中移除尚未轉換成組合相之第一銦層或銦合金層之至少一部分較佳為電解剝離方法。在本發明之上下文中剝離意謂電化學溶解銦層或銦合金層之金屬銦或銦合金，將其轉變成溶解銦離子(及若剝離銦合金，則可能其他離子)。剝離尚未轉換成組合相之第一銦層或銦合金層(的至少一部分)為恆定電流剝離方法或恆定電位剝離方法。較佳地，使用恆定電位剝離方法，因為此消除非有意剝離步驟ii.中形成之組合相的風險，尤其若形成金屬間相。 恆定電位剝離方法較佳使用比開路電位更陽極的電位。有利地若步驟ii.中形成之組合相為金屬間相，則非有意剝離組合相的風險降低，因為剝離金屬間相所需之電位通常比剝離銦或銦合金所需之電位更陽極。此使得有助於方法控制。 有利地使用恆定電位剝離方法有助於根據本發明之方法且使得此步驟之嚴格方法控制(諸如時間控制)的需要變得不必要。 如上文所概述，移除組合相、尤其金屬間相所需之電位可比剝離銦所需之電位具有更陽極電位。 通常，恆定電位剝離方法使用0 V至-0.6 V、較佳-0.2 V至-0.4 V範圍內之電位。 剝離方法所需時間視各種參數而定，諸如欲移除之銦或銦合金的量(亦即銦層或銦合金層厚度)及所施加電位。電解剝離方法之時間較佳在0.1秒直至大體上移除所有尚未轉換成組合相之銦的範圍內。大體上所有銦在此情形下意謂90重量%或大於90重量%、較佳95重量%或大於95重量%、更佳99重量%或大於99重量%之尚未轉換成組合相的銦。較佳地在步驟iii.中，移除至少90重量%之尚未轉換成組合相之銦或銦合金銦；更佳在步驟iii中移除95重量%或大於95重量%之該銦或銦合金，甚至更佳99重量%或大於99重量%之該銦或銦合金。一旦陽極電流下降(藉由電位計量測)可實現後者(尤其在形成金屬間相之情形下)。通常，0.1秒至60秒為足夠的，較佳使用1秒至45秒。更佳地，電解剝離方法之時間在5秒至30秒之範圍內。 步驟iv.中銦或銦合金之沉積可能藉由此項技術中任何已知方法進行。步驟iv.中銦或銦合金之沉積可藉由電解沉積、無電極沉積、化學氣相沉積或物理氣相沉積進行。適用無電極銦或銦合金電鍍浴例如揭示於US 5,554,211 (A)中。 較佳地，步驟iv.中第二銦層或銦合金層之沉積藉由電解沉積進行。此允許整個方法之所有銦或銦合金沉積及移除步驟在單個銦或銦合金電鍍浴中進行。較佳地在單個銦或銦合金電鍍浴中進行根據本發明之整個方法的所有銦或銦合金沉積及移除步驟，因為此使得總體方法更高效，如例如其縮短生產線。 與步驟ii.類似，步驟iv.可包含類似步驟iv.a至步驟iv.c，其對應於或一致於步驟ii.a.至步驟ii.c。如上文所陳述，步驟ii.a及步驟iv.a之銦或銦合金電鍍浴較佳相同。另外，對於所有銦或銦合金沉積及移除步驟(包括步驟ii.及步驟iv.)基板可保持於銦或銦合金電鍍浴中。 較佳地，第二銦層或銦合金層之電解沉積為恆定電位沉積方法，其使用比開路電位更陰極的電位。 步驟iv.中第二銦層或銦合金層之電解沉積的較佳電位在-0.8 V至-1.4 V、又甚至更佳-0.85 V至-1.3 V、再甚至更佳-0.9 V至-1.2 V之範圍內。 步驟iv.中第二銦層或銦合金層之電解沉積的時間較佳在0.1秒直至已獲得銦層之所需厚度的範圍內。其較佳在1秒至60秒、更佳5秒至30秒之範圍內。 如已在上文陳述，在一較佳實施例中，步驟ii.及步驟iv.中之銦或銦合金之電解沉積為恆定電位銦沉積製程，其使用比開路電位更陰極的電位。更佳地，用於步驟ii.中銦或銦合金之電解沉積的電位及用於步驟iv.中銦或銦合金之電解沉積的電位相同，因為此有助於製程控制。 根據本發明之方法視情況包括步驟v.及步驟vi. v. 部分或完全移除第二銦層或銦合金層； vi.     在步驟v中獲得之表面之至少一部分上沉積第三銦層或銦合金層。 在已完成步驟iv.之後，將步驟v.及步驟vi.包括於方法中。 步驟vi.可藉由使步驟v.中獲得之表面之至少一部分與根據本發明之銦或銦合金電鍍浴接觸來進行。銦或銦合金電鍍浴較佳與本方法中先前所用的相同，尤其是在步驟ii及/或步驟iv中所用的。 在本發明之方法內亦可重複步驟v.及步驟vi.多於一次，且因此形成第四、第五或任何更高次序之銦層或銦合金層，直至已獲得金屬間相及銦層或銦合金層之所需厚度。僅部分移除第二銦層或銦合金層(或任何更高次序銦層或銦合金層)以堆積銦或銦合金沉積物為較佳的。部分意謂至少20重量%或40重量%或60重量%或80重量%之步驟iv.中沉積之銦或銦合金保留於改良表面上。 針對步驟iii.所給出之參數適用於步驟v. (或其任何重複)。另外，步驟iv.之參數可用於步驟vi. (或其任何重複)。 組合層及其上之所有銦層或銦合金層的組合厚度較佳在1 nm至1000 nm、更佳50 nm至800 nm、甚至更佳100 nm至500 nm之範圍內。 鑒於上文給定之揭示內容，本發明之方法可包含以下步驟，其以給定次序進行 i. 提供具有至少一個金屬或金屬合金表面之基板； i.a.    視情況，預處理至少一個金屬或金屬合金表面； ii.     在該表面之至少一部分上電解沉積第一銦層或銦合金層，從而形成由該表面之金屬或金屬合金及第一銦層或銦合金層之至少一部分製成的組合相； iii.    部分或完全電解剝離尚未轉換成組合相之第一銦層或銦合金層； iv.     在步驟iii.中獲得之表面之至少一部分上沉積第二銦層或銦合金層； v. 視情況，部分或完全電解剝離第二銦層或銦合金層；以及 vi.     視情況，在步驟v中獲得之表面之至少一部分上沉積第三銦層或銦合金層。 較佳地，第二銦層或銦合金層之沉積為步驟iv中銦或銦合金之電解沉積。此亦適用於形成任何其他銦或銦合金沉積物(諸如步驟vi.等)。 步驟ii.及/或步驟iv.、及/或另外沉積步驟中之一或多者中的銦或銦合金的較佳電解沉積為恆定電位銦沉積方法，其使用比開路電位更陰極的電位。較佳地，對於銦或銦合金之電解沉積採用之電位在電流-電壓曲線之最小值至電流-電壓曲線之更陰極拐折點或更陰極局部最大值之範圍內。曲線之最小值比開路電位更陰極。藉由選擇上文所界定範圍中之電位使氫氣形成減至最少，使得總體方法更高效。 移除組合相、尤其金屬間相所需之電位比剝離銦之電位具有更陽極電位。為移除銦或銦合金，且較佳不移除組合相，可使用比開路電位具有更陽極電位之恆定電位剝離方法。恆定電位剝離方法之電位更佳在開路電位至電流-電壓曲線與電壓軸線之交叉點(其比開路電位更陽極)或下一局部最小值的範圍內。此較佳範圍允許選擇性剝離銦層或銦合金層而不移除沉積光滑銦層所需之組合相(或金屬間相)。 出乎意料地發現銦或銦合金在組合相且尤其金屬間相上之沉積產生光滑銦或銦合金沉積物。島狀結構之形成可顯著減少或完全防止(比較實例中之樣品1及樣品11)。該等光滑銦或銦合金沉積物適用於各種應用，尤其在電子工業(諸如覆晶器具)及焊料連接件之形成中。 可使用僅單個銦或銦合金電鍍浴以進行根據本發明之整個方法。亦即，對於沉積及移除銦或銦合金之所有步驟或在該等步驟期間可使用僅一個浴。本發明之一優勢為僅需要單個銦或銦合金電鍍浴以進行根據本發明之整個方法。藉由改變電位(及因此沉積/剝離之模式)，根據本發明之整個方法可在單個銦或銦合金電鍍浴中進行。 根據本發明之方法視情況包含另外沖洗及乾燥步驟。沖洗通常藉由溶劑進行，諸如水。乾燥可藉由此項技術中已知之任何方法實現，諸如使基板經歷熱空氣流或將其置放於熱鍋爐中。 根據本發明之方法可獲得之產物亦為本發明之主題。可藉由在本發明之方法中使用本發明之電鍍浴獲得之產物為本發明之另一主題。 根據本發明之方法適用於提供具有至少一個金屬或金屬合金表面之基板，層陣列存在於該表面上，該等基板包含或由以下各項組成(以此次序) a)該至少一個金屬或金屬合金表面； b)由銦或銦合金及來自該表面之金屬或金屬合金製成之組合相。該組合相可根據本發明之方法獲得；以及 c)一個或多於一個銦層或銦合金層。該等層可根據本發明之方法獲得。 包含該層陣列之基板在本文稱作「成品基板」。該基板為本發明之一目標，獨立於製備其之方法。 較佳地，成品基板包含金屬間相，其由銦或銦合金及來自基板之金屬或金屬合金表面的金屬或金屬合金製成。 成品基板中一個或多於一個銦層或銦合金層以及組合相的厚度較佳為1 nm至1000 nm、更佳50 nm至800 nm、甚至更佳100 nm至500 nm。成品或成品基板藉由根據本發明之方法製造。 在根據本發明之方法期間銦或銦合金電鍍浴之溫度在銦或銦合金電鍍浴之熔點至沸點的範圍內。通常，-20℃至80℃，較佳5℃至50℃，更佳10℃至40℃，甚至更佳15℃至35℃。 銦或銦合金電鍍浴較佳在根據本發明之方法期間攪動。攪動可藉由氣體饋料(諸如空氣或惰性氣體)、液體饋料(諸如補充銦或銦合金電鍍浴之組分的彼等饋料)、攪拌、至少一個基板或銦或銦合金電鍍浴中至少一個電極的移動或藉由此項技術中已知之任何其他方法提供。 基板之表面，尤其金屬或金屬合金表面，及或第一(第二、第三等)銦層或銦合金層可藉由此項技術中已知之任何方法與銦或銦合金電鍍浴接觸。較佳地，藉由將基板浸漬於銦或銦合金電鍍浴中使其接觸以有助於本方法。 以下非限制性實例進一步說明本發明。實例 1. 一般程序 1 . 1 電化學分析 ( 係關於測定開路電位之步驟 ) 使用經由Nova軟體控制之Autolab恆定電位器(Metrohm)作為電源用於電化學研究。電流對比電壓曲線使用三電極設置以10 mV/s之掃描速率對比Ag⁺ │AgCl參考來記錄。1 . 2 表面粗糙度 銦層或銦合金層之形貌藉助於白光干涉計(Atos GmbH)特徵化。用於測定表面粗糙度之影像尺寸之面積為60 × 60 µm。藉由NanoScope分析軟體計算表面粗糙度。給出由形貌資料推斷之值，對應於平均粗糙度S_a 。表面粗糙度在樣品中心量測，此處粗糙度通常最獨特。2 . 實例及比較實例 - 實驗 2 . 1 實例 所有水性電解質由在給定濃度下之以下化學品組成，除實例12以外，在該實例中省略NaOH之添加。因為此比較實例不含有酸，pH在所需範圍內，甚至無需添加NaOH。 A)     界面活性劑：10 g/l 使用以下界面活性劑： Brij® 35 (Brij為Croda International PLC之註冊商標； CAS號9002-92-0)， 結構式C₁₂ H₂₅ (OCH₂ CH₂ )_n OH，n約23； 分子量1199.54； HLB 16.9 Lutensol® TO 8 (Lutensol為BASF SE之註冊商標)； 結構式RO(CH₂ CH₂ O)_x H，其中R = 異C₁₃ H₁₇ ，x約8； 分子量約600； HLB約13 Lutensol® TO 15 (Lutensol為BASF SE之註冊商標)； 結構式RO(CH₂ CH₂ O)_x H，其中R = 異C₁₃ H₁₇ ，x約15； 分子量約850； HLB約15.5 Tergitol® L64 (Tergitol為Dow公司之註冊商標)；化學結構：聚醚多元醇；HLB 15 (用於比較實例) 聚乙二醇，分子量800 (PEG 800)，HLB 20 (用於比較實例) B)     芳族化合物(本發明之實例中之二羥基苯衍生物)：2.075 × 10^{- 3} mol/l (在4-氯間苯二酚之情況下：300 mg/l) C)     銦離子源：InCl₃ ，38.525 g/l D)     酸：1.563 mol/l E)     鹵素離子源：HCl (37 w%)，19.797 ml/l F)     NaOH：30.465 g/l 芳族化合物之所有變體及酸之彼等變體以相同莫耳濃度出現，所有界面活性劑變體每體積具有相同質量。 基板為鍍鎳晶圓試片，具有2 × 2 cm² 之活性電極面積。 電化學預處理：電解質中之每一者的三個連續循環伏安圖在對比Ag/AgCl -0.3 V至-1.2 V之電位範圍內以10 mV/s之掃描速率藉助於具有完全相同工作電極之三電極設置來獲取。對立電極由純銦組成，而工作電極最初由鎳組成。各掃描自較高電位向較低電位進行，且隨後向上，藉此首先在陰極體系中沉積純銦，接著，在陽極體系中發生純銦之移除。 純銦層之沉積在該預循環程序期間測定之相對應電位下以恆定電位進行。其中，將預處理程序之三個循環伏安圖之最後一者視為參考。圖3展示示意性電流-電壓曲線。電化學沉積之持續時間藉由處於(2.2 C)/(4 cm² ) = 0.55 C/cm² 之最大整合電荷界定。預處理及後續沉積在完全相同浴內發生。 根據上文所述之方法進行表面粗糙度之量測。 用於電化學沉積之儀器為來自Metrohm-Autolab之PGSTAT 204。2 . 2 比較實例 在比較實例中，相對於本發明之實例使用如上文2.1中所述之相同組合物及方法，除下表中展示之變化以外： 下表為實例及比較實例中使用之界面活性劑及芳族化合物的概述(改變處以斜體、帶下劃線文字呈現)：

3 . 實例及比較實例 - 實驗結果 下表展示粗糙度量測之結果。「樣品」行中之編號係指根據本發明之實例或比較實例的編號。 各表面粗糙度值為來自5個量測點之平均值。

4 . 另外實例及比較實例 銦層之另外沉積自含有另外本發明及比較芳族化合物(參看表3)之銦沉積浴進行。基板、水性銦電解質之組成及沉積條件如上文章節1及章節2中描述。沉積之銦層的表面粗糙度S_a 根據上文之章節1.2及章節3量測且結果概述於表3中。 表3：自含有另外本發明及比較芳族化合物之銦電解質沉積之銦層的表面粗糙度S_a

5 . 沉積及剝離步驟之方法 圖1及圖2以示意性方式闡釋本發明之沉積及剝離步驟的方法。 如圖1A中所示，提供具有至少一個金屬或金屬合金表面(100a)之基板(100)。本發明中通常使用之基板為印刷電路板、晶圓基板、IC (積體電路)基板、晶片載體、電路載體、互連裝置及顯示裝置。 圖1B展示步驟ii.，其中第一銦層或銦合金層沉積於步驟i中提供之金屬或金屬合金表面的至少一部分上。具有至少一個金屬或金屬合金表面(100a)之基板(100)經描繪在該表面上具有第一銦層或銦合金層(101)。 圖1C.展示由銦或銦合金及金屬或金屬合金表面製成之組合相，其在金屬或金屬合金表面之至少一部分上沉積第一銦層或銦合金層期間及其後立即形成。具有至少一個金屬或金屬合金表面(100a)之基板(100)經描述在尚未轉換成組合層之第一銦層或銦合金層之部分(103)與金屬或金屬合金之間具有組合相(102)。 圖1D展示在步驟iii.中如何部分或完全移除尚未轉換成組合層之第一銦層或銦合金層之部分。在圖1D中，展示完全移除尚未轉換成組合層之第一銦層或銦合金層。具有至少一個金屬或金屬合金表面(此圖中未突出顯示)之基板(100)由組合相(102)覆蓋。 步驟iii.中獲得之表面(102a)特徵在於其比第一銦層或銦合金層(例如圖1C中之103)較不粗糙。 圖1E說明步驟iv.，其中第二銦層或銦合金層沉積於步驟iii中獲得之表面的至少一部分上。具有至少一個金屬或金屬合金表面之基板首先由組合相(102)覆蓋且隨後由已形成於步驟iii.中獲得之表面(其在此圖中對應於組合相之表面)上的第二銦層或銦合金層(104)覆蓋。 圖2展示示意性電流-電壓曲線。在此曲線中，描繪用於電解銦或銦合金沉積及其剝離之較佳電位範圍。

100‧‧‧基板100a‧‧‧金屬或金屬合金表面101‧‧‧第一銦層或銦合金層102‧‧‧組合相102a‧‧‧表面103‧‧‧第一銦層或銦合金層之部分104‧‧‧第二銦層或銦合金層

圖1展示根據本發明之方法的示意性、非限制性圖示。 圖2展示銦或銦合金電鍍浴之示意性電流-電壓曲線。 圖3展示銦電鍍浴之典型電流-電壓曲線。

100‧‧‧基板

100a‧‧‧金屬或金屬合金表面

101‧‧‧第一銦層或銦合金層

102‧‧‧組合相

102a‧‧‧表面

103‧‧‧第一銦層或銦合金層之部分

104‧‧‧第二銦層或銦合金層

Claims (12)

1. 一種水性銦或銦合金電鍍浴，其包含：銦離子源，酸，鹵素離子源，其特徵在於，該水性銦或銦合金電鍍浴包含：根據式(I)之界面活性劑

   

   其中A係選自分支鏈或未分支鏈C₁₀-C₁₅烷基；B係選自由氫及烷基組成之群；m為5至25範圍內之整數；各R彼此獨立地選自氫及甲基，其中界面活性劑係以0.1g/L至20g/L的量包括於該水性銦或銦合金電鍍浴中；以及根據式(II)之二羥基苯衍生物

   

   其中各X獨立地選自氟、氯、溴、碘、烷氧基及硝基；及n為1至4範圍內之整數，其中該水性銦或銦合金電鍍浴中二羥基苯衍生物之濃度在10-1000mg/L之範圍內， 其中，當該水性銦或銦合金電鍍浴為銦合金電鍍浴時，合金化可還原金屬係選自由以下組成之群：鋁、鉍、銅、金、鉛、鎳、銀、錫、鎢及鋅。
2. 如請求項1之水性銦或銦合金電鍍浴，其中各R係選自氫及甲基，且氫/甲基之比率為10/1至100/1。
3. 如請求項1之水性銦或銦合金電鍍浴，其中R為氫。
4. 如請求項1至3中任一項之水性銦或銦合金電鍍浴，其中該酸係選自烷磺酸及硫酸中之一或多者。
5. 如請求項1至3中任一項之水性銦或銦合金電鍍浴，其中該界面活性劑具有13.0-18.0範圍內之親水-親脂平衡值(HLB值，根據Griffin之方法測定)。
6. 如請求項1至3中任一項之水性銦或銦合金電鍍浴，其中該二羥基苯衍生物為4-氯間苯二酚、5-甲氧基間苯二酚、氯對苯二酚或4-溴間苯二酚。
7. 如請求項1至3中任一項之水性銦或銦合金電鍍浴，其具有-1至4之pH。
8. 如請求項1至3中任一項之水性銦或銦合金電鍍浴，其包含鹼金屬陽離子源及/或鹼土金屬陽離子源。
9. 一種沉積銦或銦合金之方法，其包含以下步驟：i.提供具有至少一個金屬或金屬合金表面(100a)之基板(100)；ii 使該基板(100)之該至少一個表面與如請求項1至8中任一項之銦或銦合金電鍍浴接觸，且因此在該至少一個表面之至少一部分上沉積銦層或銦合金層，其中步驟ii中之沉積該銦層或銦合金層係藉由電解沉積進行；其中在步驟ii.中，該銦層或銦合金層為第一銦層或銦合金層(101)，在步驟ii.中，形成組合相(102)，其由該表面(100a)之該金屬或金屬合金及該第一銦層或銦合金層(101)之至少一部分製成，且其中該方法進一步包含以下步驟：iii.部分或完全移除該第一銦層或銦合金層之尚未轉換成該組合相之部分(103)；iv.在步驟iii中獲得之表面(102a)之至少一部分上沉積第二銦層或銦合金層(104)。
10. 如請求項9之方法，其中該電解沉積為恆定電位沉積方法。
11. 如請求項9之方法，其中在步驟iv.中沉積該第二銦層或銦合金層(104)係藉由電解沉積進行，且該電解沉積為恆定電位沉積方法。
12. 如請求項9或11之方法，其中步驟iii.係藉由電解剝離方法進行，且該電解剝離方法為恆定電位剝離方法。

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