CN100427647C - 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液 - Google Patents

稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液 Download PDF

Info

Publication number
CN100427647C
CN100427647C CNB2005100474047A CN200510047404A CN100427647C CN 100427647 C CN100427647 C CN 100427647C CN B2005100474047 A CNB2005100474047 A CN B2005100474047A CN 200510047404 A CN200510047404 A CN 200510047404A CN 100427647 C CN100427647 C CN 100427647C
Authority
CN
China
Prior art keywords
grams
indium
methyl
plating solution
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100474047A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1766172A (zh
Inventor
田鹏
黄涛
张囝囡
刘奂昕
段纪东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CNB2005100474047A priority Critical patent/CN100427647C/zh
Publication of CN1766172A publication Critical patent/CN1766172A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100427647C publication Critical patent/CN100427647C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液(g·kg-1),由以下组成:金属铟(In):60~120,无水氯化铟InCl3:340~540,氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):150~350,糊精:60~80,氰化钾(KCN):40~60,氯化钠(NaCl):30~50。利用稀散金属室温离子液体研制的镀铟溶液,具有一些独特的性能,如较低的熔点、可调节的Lewis酸度、良好的导电性、可以忽略的蒸汽压、较宽的使用温度及特殊的溶解性等。此镀铟溶液不存在水化、水解、析氢等问题,具有不腐蚀、污染小等绿色溶剂应具备的性质。用此电镀液电镀铟,精铟质量大幅度提高,铟的纯度达到99.999%。

Description

稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液
技术领域:
本发明涉及一种电镀液,尤其是一种稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
背景技术:
铟是一种稀散金属,在地壳中的丰度很低,大约为0.1μg·g-1。从铟的用途看,主要集中在半导体、透明导电涂层(ITO)、电子器件、有机金属化合物等方面,而这些材料的生产和加工均离不开高纯金属铟;如电子器件、有机金属化合物中要求产品杂质含量不超过10μg·g-1,铟作为IIIA族化合物半导体材料,在成品元件中大约1019个IIIA族化合物原子中出现一个异质原子,这就要求纯铟材料中的杂质含量要小于0.01μg·g-1。这些材料需要高纯度的铟作为原料,一般要求铟的纯度达99.999%,甚至要求达99.9999%以上。而我国目前生产的精铟还只是99.99%。因此,高纯金属铟的研制和开发是一个急需解决的问题。高纯铟的生产,在国内主要是用电解精炼法进行生产。镀铟溶液有氰化物型、硫酸盐型、氟硼酸型、氨磺酸型等,在电解中可能出现析氢效应、水解效应和乳化现象等,因此,须严格控制电解液的成分及电解条件。
发明内容:
针对上述现有技术的不足,本发明提供了一种稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液,铟纯度可达到99.999%。以下将氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑简写为InCl3/EMIC。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):60~120
无水氯化铟InCl3:340~540
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):150~350
糊精:60~80
氰化钾(KCN):40~60
氯化钠(NaCl):30~50
利用稀散金属室温离子液体研制的镀铟溶液,具有一些独特的性能,如较低的熔点、可调节的Lewis酸度、良好的导电性、可以忽略的蒸汽压、较宽的使用温度及特殊的溶解性等。此镀铟溶液不存在水化、水解、析氢等问题,具有不腐蚀、污染小等绿色溶剂应具备的性质。
用此电镀液电镀铟,精铟质量大幅度提高,铟的纯度达到99-999%。
具体实施方式:
使用原料:高纯无水氯化铟(InCl3)(柳州铟泰科技公司,纯度99.99%),保存在有P2O5的干燥器中,使用前未进一步提纯。氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC)(Aldrich公司,纯度98%),使用前未进一步提纯。铟(In)(纯度99.99%)。糊精,氰化钾(KCN),氯化钠(NaCl)。
实施例1:
金属铟(In):90克
无水氯化铟InCl3:500克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):280克
糊精:60克
氰化钾(KCN):40克
氯化钠(NaCl):30克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例2:
金属铟(In):60克
无水氯化铟InCl3:530克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):260克
糊精:70克
氰化钾(KCN):50克
氯化钠(NaCl):30克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例3:
金属铟(In):100克
无水氯化铟InCl3:400克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):330克
糊精:80克
氰化钾(KCN):50克
氯化钠(NaCl):40克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例4:
金属铟(In):115克
无水氯化铟InCl3:385克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):340克
糊精:70克
氰化钾(KCN):55克
氯化钠(NaCl):35克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例5:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:380克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):345克
糊精:65克
氰化钾(KCN):45克
氯化钠(NaCl):45克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例6:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:340克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):350克
糊精:80克
氰化钾(KCN):60克
氯化钠(NaCl):50克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例7:
金属铟(In):70克
无水氯化铟InCl3:540克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):240克
糊精:75克
氰化钾(KCN):40克
氯化钠(NaCl):35克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例8:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:540克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):150克
糊精:80克
氰化钾(KCN):60克
氯化钠(NaCl):50克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例9:
金属铟(In):80克
无水氯化铟InCl3:520克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):250克
糊精:70克
氰化钾(KCN):45克
氯化钠(NaCl):35克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例10:
金属铟(In):115克
无水氯化铟InCl3:525克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):180克
糊精:80克
氰化钾(KCN):55克
氯化钠(NaCl):45克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
实施例11:
金属铟(In):110克
无水氯化铟InCl3:510克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):200克
糊精:75克
氰化钾(KCN):60克
氯化钠(NaCl):45克
取上述组分,混合成1000克的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液。
用本发明电镀时,要求溶液pH:2.0~2.5,溶液温度(℃):40~60,电流密度(A/dm2):2.0~8.0。

Claims (10)

1、稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):60~120
无水氯化铟InCl3:340~540
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):150~350
糊精:60~80
氰化钾(KCN):40~60
氯化钠(NaCl):30~50。
2、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):90克
无水氯化铟InCl3:500克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):280克
糊精:60克
氰化钾(KCN):40克
氯化钠(NaCl):30克。
3、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):100克
无水氯化铟InCl3:400克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):330克
糊精:80克
氰化钾(KCN):50克
氯化钠(NaCl):40克。
4、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):115克
无水氯化铟InCl3:385克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):340克
糊精:70克
氰化钾(KCN):55克
氯化钠(NaCl):35克。
5、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:380克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):345克
糊精:65克
氰化钾(KCN):45克
氯化钠(NaCl):45克。
6、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:340克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):350克
糊精:80克
氰化钾(KCN):60克
氯化钠(NaCl):50克。
7、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):70克
无水氯化铟InCl3:540克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):240克
糊精:75克
氰化钾(KCN):40克
氯化钠(NaCl):35克。
8、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):120克
无水氯化铟InCl3:540克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):150克
糊精:80克
氰化钾(KCN):60克
氯化钠(NaCl):50克。
9、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:
金属铟(In):80克
无水氯化铟InCl3:520克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):250克
糊精:70克
氰化钾(KCN):45克
氯化钠(NaCl):35克。
10、如权利要求1所述的稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液,其特征在于:每1Kg稀散金属InCl3/EMIC体系电镀液由以下以g计物质组成:金属铟(In):115克
无水氯化铟InCl3:525克
氯化1-甲基-3-乙基咪唑(EMIC):180克
糊精:80克
氰化钾(KCN):55克
氯化钠(NaCl):45克。
CNB2005100474047A 2005-10-14 2005-10-14 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液 Expired - Fee Related CN100427647C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100474047A CN100427647C (zh) 2005-10-14 2005-10-14 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005100474047A CN100427647C (zh) 2005-10-14 2005-10-14 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1766172A CN1766172A (zh) 2006-05-03
CN100427647C true CN100427647C (zh) 2008-10-22

Family

ID=36742281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100474047A Expired - Fee Related CN100427647C (zh) 2005-10-14 2005-10-14 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100427647C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101876082B (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 沈阳师范大学 离子液体氯化镓/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101270490B (zh) * 2008-04-11 2010-04-14 沈阳师范大学 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-丁基咪唑体系电镀液
EP2848714B1 (en) * 2008-04-22 2016-11-23 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions
CN102719863A (zh) * 2011-01-18 2012-10-10 上海交通大学 从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法
CN102127782A (zh) * 2011-01-18 2011-07-20 上海交通大学 从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法
EP3199666B1 (en) * 2016-01-29 2018-09-26 ATOTECH Deutschland GmbH Aqueous indium or indium alloy plating bath and process for deposition of indium or an indium alloy

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB564053A (en) * 1942-06-22 1944-09-11 Gen Motors Corp Improvements in the electrodeposition of indium
GB1176787A (en) * 1968-04-08 1970-01-07 Vandervell Products Ltd Improvements in or relating to Methods of Electrolytically Plating a Substrate With Indium.
JPS54109036A (en) * 1978-02-14 1979-08-27 Nobuyasu Doi Electroplating of indium
JPH0913190A (ja) * 1995-06-26 1997-01-14 Yazaki Corp インジウムのメッキ方法
CN1348224A (zh) * 2001-11-09 2002-05-08 华南师范大学 无汞碱性锌锰电池负极集流体铜钉镀铟方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB564053A (en) * 1942-06-22 1944-09-11 Gen Motors Corp Improvements in the electrodeposition of indium
GB1176787A (en) * 1968-04-08 1970-01-07 Vandervell Products Ltd Improvements in or relating to Methods of Electrolytically Plating a Substrate With Indium.
JPS54109036A (en) * 1978-02-14 1979-08-27 Nobuyasu Doi Electroplating of indium
JPH0913190A (ja) * 1995-06-26 1997-01-14 Yazaki Corp インジウムのメッキ方法
CN1348224A (zh) * 2001-11-09 2002-05-08 华南师范大学 无汞碱性锌锰电池负极集流体铜钉镀铟方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101876082B (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 沈阳师范大学 离子液体氯化镓/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液

Also Published As

Publication number Publication date
CN1766172A (zh) 2006-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101270490B (zh) 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-丁基咪唑体系电镀液
CN100427647C (zh) 稀散金属氯化铟/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液
CN101988210B (zh) 离子液体氯化铟/氯化正丁基吡啶体系电镀液
CN101876082B (zh) 离子液体氯化镓/氯化1-甲基-3-乙基咪唑体系电镀液
CN101994128A (zh) 采用离子液体低温电沉积制备Al-Ti合金或电镀Al-Ti合金的方法
CN110029374B (zh) 一种无氰碱性镀铜电镀液及电镀工艺
CN102061492B (zh) 室温离子液体氯化铟/四氟硼酸1-甲基-3-丁基咪唑体系电镀液
CN101994139B (zh) 稀散金属氯化镓/氯化1-甲基-3-丁基咪唑体系电镀液
JP2015001000A (ja) 錫めっき剥離廃液からの錫の回収方法
CN109072465B (zh) 铝的制造方法
CN101343750B (zh) 硫酸氢咪唑离子液体在电解精炼铜中的应用
CN1772963A (zh) 镁-镧镨铈中间合金的共电沉积制备方法
JP5170681B2 (ja) 電気アルミニウムめっき液およびアルミニウムめっき膜
CN1670258A (zh) 一种电积生产铜粉的方法
CN108505043B (zh) 一种pcb酸性蚀刻废液再生回用的方法
CN102943284A (zh) 一种铟电解液的配制方法
CN110205651B (zh) 一种低温电化学还原钒氧化物制备金属钒的方法
JPS6250560B2 (zh)
CN109989080B (zh) 一种多羟基离子液体电沉积制备钢铁表面高锡青铜耐蚀膜的方法
CN110184631B (zh) 一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺
CN101092725A (zh) 一种镀金液及其镀金方法
CN105603433A (zh) 一种酸性蚀刻液提铜系统添加剂配方
CN113957482B (zh) 一种阳极液制备高纯锰的方法
WO2018062952A1 (ko) 이산화탄소 환원과 포름산 및 황산칼륨 제조의 복합 공정, 및 상기 복합 공정을 위한 장치
CN111472021A (zh) 电解液

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081022

Termination date: 20091116