JP4032712B2 - プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化の要求が高まり、プリント配線板の高密度化が進んでいる。従来の、銅をエッチングすることで作製するプリント配線板は、サイドエッチングの影響で配線の微細化には限界があり、基板の高密度化には限界があった。そこで近年は電気めっきを用いたセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が注目されている。このセミアディティブ法は特開平11−186716にあるように回路を形成したい樹脂表面にレーザー等でIVHを形成した後に、化学粗化やプラズマ処理等により3μm程度の凹凸を樹脂上に形成し、Pd触媒を付与し、1μm程度の無電解めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成し、パターン電気めっきにより回路形成を行った後にレジスト及び余分な個所の無電解めっきを除去する手法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記のセミアディティブ法により回路形成を行う場合、内層基板上に粗化性のある樹脂層を形成する必要があるので、両面板に回路形成することが難しい。また樹脂上に直接無電解銅めっき層を形成するためのPd触媒を付与するために、その後の工程でPdを除去することが難しい。樹脂上にPdが残存していると、絶縁信頼性の低下等の不具合や後にNi/Auめっきを行う際に樹脂上にめっきが析出してしまう等の不具合が生じる。また密着性向上のために化学粗化やプラズマ処理等により数μmの凹凸を樹脂上に形成する必要があるが、粗化が不充分で導体回路が剥離するような不具合が発生し易い。
また両面銅箔付樹脂上にセミアディティブ法により回路形成を行う場合は導体回路の溶解が避けられず、導体回路のトップ幅が著しく細くなってしまうという欠点がある。
【0004】
本発明は、上記不具合を発生し難くし、導体回路間のショート不良が少なく、導体回路の溶解を抑制し、回路形成性のよいプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のことを特徴とする。
(1) 両面に5μm以下の銅箔を有する絶縁樹脂にドリルまたはレーザーで貫通穴を形成し、給電層として薄付け無電解銅めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成した後にパターン電気めっきを行い、レジストを除去し、パターン部以外の銅をエッチング除去する工程を少なくとも有することを特徴とする両面プリント配線板の製造方法。
(2) 両面に5μm以下の銅箔を有する絶縁樹脂にドリルまたはレーザーで貫通穴を形成し、前記貫通穴に導電性ペーストを充填後、加熱硬化し、給電層として薄付け無電解銅めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成した後にパターン電気めっきを行い、レジストを除去し、パターン部以外の銅をエッチング除去する工程を少なくとも有することを特徴とする両面プリント配線板の製造方法。
(3) 無電解銅めっきの厚みが0.1〜1.0μmであることを特徴とする(1)〜(2)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(4) パターン部以外の銅をエッチング除去する工程においてパターン電気めっきのエッチング速度が銅箔のエッチング速度の80%以下であることを特徴とする(1)〜(3)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(5) 厚み5μm以下の銅箔作製時の電流密度がパターン電気めっきの電流密度よりも高いことを特徴とする(1)〜(4)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(6) 厚み5μm以下の銅箔が5A/dm2以上の電流密度の電気銅めっきで作製された電解銅箔であることを特徴とする(1)〜(5)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(7) パターン電気めっきの電流密度が0.5A/dm2以上5A/dm2以下であることを特徴とする(1)〜(6)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(8) 銅のエッチング液がハロゲンを除く酸と過酸化水素を主成分とすることを特徴とする(1)〜(7)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(9) ハロゲンを除く酸が硫酸であることを特徴とする(8)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(10) 硫酸の濃度が5〜300g/L、過酸化水素の濃度が5〜200g/Lであることを特徴とする(9)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(11) エッチング液の温度が20度〜50度の範囲であることを特徴とする(1)〜(10)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(12) 厚み5μm以下の銅箔のエッチング速度が1〜15μm/分であることを特徴とする(1)〜(11)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(13) 導体回路の最表面に無電解Ni/Auめっきを施すことを特徴とする(1)〜(12)に記載の両面プリント配線板の製造方法。
(14) 前記(1)〜(13)に記載の方法で作製したプリント配線板を、プリプレグを介して複数積層する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
(15) 前記(1)〜(14)に記載の方法で作製したプリント配線板上に樹脂を塗布またはラミネートした後、回路形成する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
(16) 前記(1)〜(15)に記載の方法で作製したプリント配線板上に樹脂付銅箔をラミネートした後、回路形成する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、図1を用いて説明する。まず(a)に示すように絶縁樹脂の両面に5μm以下の銅箔を貼り合わせた基板材料を用意する。絶縁樹脂としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分として含むものであり、他にもアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、PPE等や、その含有物でもよい。作業性や強度の面からガラスクロスやアラミド繊維のような補強材が入っていてもよい。絶縁層の厚みは任意であるが、0.01mm〜10mm程度である。銅箔の厚みは1〜5μmが好適であり、これ以上の厚みだと回路形成性に支障をきたす。またここで用いる銅箔は電流密度5A/dm2以上の電流密度で作製されていることが好ましい。銅箔作製時の電流密度が低いと後のエッチング工程でエッチング速度が遅いという不具合が発生し、回路形成に支障をきたす。
【0007】
次いで銅箔の上から絶縁樹脂にスルーホールを形成する。スルーホールを形成する方法としてはドリルやレーザーといった手法があるが、直径200μm以下の微細な穴加工にはレーザーを用いるのが好適である。ここで用いることが出来るレーザーとしては、CO2やCO、エキシマ等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーがある。CO2レーザーが容易に大出力を得られる事からφ50μm以上のスルーホールの加工に適している。φ50μm以下の微細なスルーホールを加工する場合は、より短波長で集光性のよいYAGレーザーが適している。
【0008】
次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてスルーホール内部の樹脂残さの除去を行う。
【0009】
次いで銅箔上及びスルーホール内部に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用するのが安価で好ましい。
【0010】
次に図1(b)に示すように、触媒核を付与した銅箔上及びスルーホール内部に薄付けの無電解めっき層を形成する。この無電解めっきには、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名)やCUST201(日立化成工業株式会社製、商品名)等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっきの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、0.1〜1μm程度で十分である。
【0011】
次に図1(c)に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジストを形成する。めっきレジストの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使用できる樹脂には、PMERP−LA900PM(東京応化株式会社製、商品名)のような液状レジストや、HW−425(日立化成工業株式会社、商品名)、RY−3025(日立化成工業株式会社、商品名)等のドライフィルムがある。ビアホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジストを形成しない。
【0012】
次に図1(d)に示すように電気めっきにより回路パターンを形成する。電気めっきには、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、1〜100μmの範囲である事が好ましく、5〜50μmの範囲である事がより好ましい。また回路形成時の電流密度は、銅箔作製時の電流密度よりも低いことが望ましく、0.5A/dm2以上5A/dm2以下であることが望ましい。回路形成時の電流密度が高いと後のエッチング工程で溶解しやすい。
【0013】
次に図1(e)に示すようにアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてレジストの剥離を行う。
【0014】
次に図1(f)に示すようにパターン部以外の銅を10〜300g/Lの硫酸及び10〜200g/Lの過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いて除去することで回路形成が終了する。上記エッチング液は過酸化水素の安定剤が入っていても構わない。硫酸、過酸化水素を主成分とするエッチング液は、拡散律速性が弱いため微細配線形成性が良好である。尚、上記濃度域以下の濃度ではエッチング速度が遅いために作業性が悪く、上記濃度域以上の濃度ではエッチング速度が速いためにエッチング量のコントロールが難しい。エッチング速度は1〜15μm/分がよい。また硫酸、過酸化水素を主成分とするエッチング液は、反応律速であるために銅の結晶構造によってエッチング速度が異なる。低電流密度で作製した電解銅はエッチングされにくく、高電流密度で作製した電解銅はエッチングされやすい。結晶構造の差異によるエッチング速度の差は低温のエッチングの時に顕著であるためにエッチングはなるべく低温で行った方が導体回路の溶解を抑制できるので好ましい。エッチング速度から考えて好ましいエッチング温度は20〜50℃である。中でも20〜40℃であることが好ましい。その結果パターン電気めっきのエッチング速度が銅箔のエッチング速度の80%以下であることが好ましい。尚エッチング液は硫酸の代わりに、硝酸等のハロゲン以外の酸が入っていてもよい。さらに回路上に金めっきを行うことも出来る。金めっきの方法としては、SA―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような活性化処理液で導体界面の活性化処理を行い、NIPS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解ニッケルめっきを1〜10μm程度行い、HGS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような置換金めっきを0.01〜0.1μm程度行った後にHGS―2000(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解金めっきを0.1〜1μm程度行う。
【0015】
さらに図1(f)の基板を、図3に示すようにプリプレグを介して複数積層することや、図4に示すように複数積層した基板をコア基板にして樹脂付銅箔を積層し、回路形成することで多層基板を作製することが出来る。
【0016】
また、以下に示すように層間接続に導電性ペーストを用いることでさらに高密度のプリント配線板を作製することが出来る。
【0017】
まず図2(a)に示すように絶縁樹脂の両面に5μm以下の銅箔を貼り合わせた基板材料を用意する。絶縁樹脂としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分として含むものであり、他にもアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂、シアネート樹脂、PPE等や、その含有物でもよい。作業性や強度の面からガラスクロスやアラミド繊維のような補強材が入っていてもよい。絶縁層の厚みは任意であるが、0.01mm〜10mm程度である。銅箔の厚みは1〜5μmが好適であり、これ以上の厚みだと回路形成性に支障をきたす。またここで用いる銅箔は電流密度5A/dm2以上の電流密度で作製されていることが好ましい。銅箔作製時の電流密度が低いと後のエッチング工程でエッチング速度が遅いという不具合が発生し、回路形成に支障をきたす。
【0018】
次いで銅箔の上から絶縁樹脂にスルーホールを形成する。スルーホールを形成する方法としてはドリルやレーザーといった手法があるが、直径200μm以下の微細な穴加工にはレーザーを用いるのが好適である。ここで用いることが出来るレーザーとしては、CO2やCO、エキシマ等の気体レーザーやYAG等の固体レーザーがある。CO2レーザーが容易に大出力を得られる事からφ50μm以上のスルーホールの加工に適している。φ50μm以下の微細なスルーホールを加工する場合は、より短波長で集光性のよいYAGレーザーが適している。
【0019】
次いで過マンガン酸塩、クロム酸塩、クロム酸のような酸化剤を用いてスルーホール内部の樹脂残さの除去を行う。
【0020】
次いで図2(b)に示すようにスルーホール内部に導電性ペーストを充填する。充填する方法としてはスクリーン印刷等の方法がある。導電性ペーストのフィラーには銅、銀等の金属が、バインダーにはエポキシ、フェノール等の樹脂が好適である。尚、導電性ペーストは充填後に加熱硬化を行う。
次いで銅箔上及びペースト上に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンやパラジウムコロイドを使用する。特にパラジウムコロイドを使用するのが安価で好ましい。
【0021】
次に図2(c)に示すように、触媒核を付与した銅箔上及びペースト上に薄付けの無電解めっき層を形成する。この無電解めっきには、CUST2000(日立化成工業株式会社製、商品名)やCUST201(日立化成工業株式会社製、商品名)等の市販の無電解銅めっきが使用できる。これらの無電解銅めっきは硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムを主成分とする。めっきの厚さは次の電気めっきが行うことができる厚さであればよく、0.1〜1μm程度で十分である。
【0022】
次に図2(d)に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジストを形成する。めっきレジストの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度かより厚い膜厚にするのが好適である。めっきレジストに使用できる樹脂には、PMERP−LA900PM(東京応化株式会社製、商品名)のような液状レジストや、HW−425(日立化成工業株式会社、商品名)、RY−3025(日立化成工業株式会社、商品名)等のドライフィルムがある。ビアホール上と導体回路となるべき個所はめっきレジストを形成しない。
【0023】
次に図2(e)に示すように電気めっきにより回路パターンを形成する。電気めっきには、通常プリント配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸電気めっきが使用できる。めっきの厚さは、回路導体として使用できればよく、1〜100μmの範囲である事が好ましく、5〜50μmの範囲である事がより好ましい。また回路形成時の電流密度は、銅箔作製時の電流密度よりも低いことが望ましく、0.5A/dm2以上5A/dm2以下であることが望ましい。回路形成時の電流密度が高いと後のエッチング工程で溶解しやすい。
【0024】
次にアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてレジストの剥離を行う(図2f)。
【0025】
次にパターン部以外の銅を10〜300g/Lの硫酸及び10〜200g/Lの過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いて除去することで回路形成が終了する。(図2g)上記エッチング液は過酸化水素の安定剤が入っていても構わない。硫酸、過酸化水素を主成分とするエッチング液は、拡散律速性が弱いため微細配線形成性が良好である。尚、上記濃度域以下の濃度ではエッチング速度が遅いために作業性が悪く、上記濃度域以上の濃度ではエッチング速度が速いためにエッチング量のコントロールが難しい。エッチング速度は1〜15μm/分がよい。また硫酸、過酸化水素を主成分とするエッチング液は、反応律速であるために銅の結晶構造によってエッチング速度が異なる。低電流密度で作製した電解銅はエッチングされにくく、高電流密度で作製した電解銅はエッチングされやすい。結晶構造の差異によるエッチング速度の差は低温のエッチングの時に顕著であるためにエッチングはなるべく低温で行った方が導体回路の溶解を抑制できるので好ましい。エッチング速度から考えて好ましいエッチング温度は20〜50℃である。中でも20〜40℃であることが好ましい。その結果パターン電気めっきのエッチング速度が銅箔のエッチング速度の80%以下であることが好ましい。尚エッチング液は硫酸の代わりに、硝酸等のハロゲン以外の酸が入っていてもよい。さらに回路上に金めっきを行うことも出来る。金めっきの方法としては、SA―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような活性化処理液で導体界面の活性化処理を行い、NIPS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解ニッケルめっきを1〜10μm程度行い、HGS―100(日立化成工業株式会社製、商品名)のような置換金めっきを0.01〜0.1μm程度行った後にHGS―2000(日立化成工業株式会社製、商品名)のような無電解金めっきを0.1〜1μm程度行う。
【0026】
さらに図2(g)の基板を、図5に示すように導電性ペーストを充填したプリプレグを介して一括積層し、全層IVHの高密度基板を作製することが出来る。
【0027】
【実施例】
(実施例1)
図1(a)に示すように、絶縁層2に、10A/dm2の電流密度で作製した3μm銅箔1を両面に貼り合わせた厚さ0.2mmのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E−679(日立化成工業株式会社製、商品名)を用意した。
次に銅箔上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機L−500(住友重機械工業株式会社製、商品名)により、直径100μmの貫通穴をあけ、過マンガン酸カリウム65g/リットルと水酸化ナトリウム40g/リットルの混合水溶液に、液温70℃で20分間浸漬し、スミアの除去を行なった。
その後、パラジウム溶液であるHS−202B(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で15分間浸漬し、触媒を付与した後、CUST−201(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用し、液温25℃、30分の条件で無電解銅めっきを行ない、図1(b)に示すように厚さ0.3μmの無電解銅めっき層3を形成した。
【0028】
図1(c)に示すように、ドライフィルムフォトレジストであるRY−3025(日立化成工業株式会社製、商品名)を、無電解めっき層の表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像してめっきレジスト4を形成した。
図1(d)に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温25℃、電流密度1.0A/dm2の条件で、電解銅めっきを20μmほど行ない、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=35/25μmとなるようにパターン電気めっき5を形成した。
【0029】
次に図1(e)に示すように、レジスト剥離液であるHTO(ニチゴー・モートン株式会社製、商品名)でドライフィルムの除去を行った後にH2SO420g/L、H2O210g/Lの組成のエッチング液を用いてパターン部以外の銅をエッチング除去した。エッチング時は基板を片面1dm2の小片に切断した後、1Lビーカーに入れ、マグネティックスターラーを用いて40℃で5分間エッチングを行った。
最後に表1に示す条件で導体回路に金めっきを行った(h図)。
【0030】
【表1】
表 1 金めっき条件
【0031】
(実施例2)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例1と同様に基板を作製した。
(実施例3)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O240g/Lとし、エッチング時間を60秒とした他は実施例1と同様に基板を作製した。
(実施例4)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例3と同様に基板を作製した。
【0032】
(実施例5)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O240g/Lとし、エッチング温度を30℃、エッチング時間を100秒とした他は実施例1と同様に基板を作製した。
(実施例6)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例5と同様に基板を作製した。
【0033】
(実施例7)
図2(a)に示すように、絶縁層9に、10A/dm2の電流密度で作製した3μm銅箔8を両面に貼り合わせた厚さ0.2mmのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるMCL−E−679(日立化成工業株式会社製、商品名)を用意した。
【0034】
次に銅箔上から炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機L−500(住友重機械工業株式会社製、商品名)により、直径200μmのスルーホールをあけ、過マンガン酸カリウム65g/リットルと水酸化ナトリウム40g/リットルの混合水溶液に、液温70℃で20分間浸漬し、スミアの除去を行なった。
次に図2(b)に示すようにスクリーン印刷法にて銅フィラー、フェノール樹脂バインダーの導電性ペーストNF2000(タツタ電線株式会社製、商品名)をスルーホールに充填し、160℃30分の条件で基板全体を加熱し、導電性ペースト10を硬化させた。
【0035】
その後、パラジウム溶液であるHS−202B(日立化成工業株式会社製、商品名)に、25℃で15分間浸漬し、触媒を付与した後、CUST−201(日立化成工業株式会社製、商品名)を使用し、液温25℃、30分の条件で無電解銅めっきを行ない、図2(c)に示すように厚さ0.3μmの無電解銅めっき層11を形成した。
【0036】
図2(d)に示すように、ドライフィルムフォトレジストであるRY−3025(日立化成工業株式会社製、商品名)を、無電解めっき層の表面にラミネートし、電解銅めっきを行なう箇所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像してめっきレジスト12を形成した。
図2(e)に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温25℃、電流密度1.0A/dm2の条件で、電解銅めっきを20μmほど行ない、回路導体幅/回路導体間隔(L/S)=35/25μmとなるようにパターン電気めっき13を形成した。
【0037】
次に図2(f)に示すように、レジスト剥離液であるHTO(ニチゴー・モートン株式会社製、商品名)でドライフィルムの除去を行った後にH2SO420g/L、H2O210g/Lの組成のエッチング液を用いてパターン部以外の銅をエッチング除去した。エッチング時は基板を片面1dm2の小片に切断した後、1Lビーカーに入れ、マグネティックスターラーを用いて40℃で5分間エッチングを行った(図2g)。
最後に表1に示す条件で導体回路に金めっきを行った(図2h)。
【0038】
(実施例8)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例7と同様に基板を作製した。
(実施例9)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O240g/Lとし、エッチング時間を60秒とした他は実施例7と同様に基板を作製した。
(実施例10)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例9と同様に基板を作製した。
【0039】
(実施例11)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O240g/Lとし、エッチング温度を30℃、エッチング時間を100秒とした他は実施例7と同様に基板を作製した。
(実施例12)
パターン電気めっきを3A/dm2の電流密度で行った他は実施例11と同様に基板を作製した。
【0040】
(比較例1)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O220g/Lとし、エッチング温度を60℃、エッチング時間を100秒とした他は実施例1と同様に基板を作製した。
(比較例2)
パターン部以外の銅のエッチングにFeCl330g/L水溶液を用いた他は実施例1と同様に基板を作成した。
(比較例3)
パターン部以外の銅のエッチングにCuCl240g/L、HCl30g/L水溶液を用いた他は実施例1と同様に基板を作成した。
【0041】
(比較例4)
パターン部以外の銅のエッチングに塩化テトラアンミン銅(II)を主成分とするAプロセス液(メルテックス株式会社製、商品名)を用いて30℃で30秒間エッチングを行った他は実施例1と同様に基板を作成した。
(比較例5)
エッチング液の組成をH2SO420g/L、H2O220g/Lとし、エッチング温度を60℃、エッチング時間を100秒とした他は実施例7と同様に基板を作製した。
【0042】
(比較例6)
パターン部以外の銅のエッチングにFeCl330g/L水溶液を用いた他は実施例7と同様に基板を作成した。
(比較例7)
パターン部以外の銅のエッチングにCuCl240g/L、HCl30g/L水溶液を用いた他は実施例7と同様に基板を作成した。
(比較例8)
パターン部以外の銅のエッチングに塩化テトラアンミン銅(II)を主成分とするAプロセス液(メルテックス株式会社製、商品名)を用いて30℃で30秒間エッチングを行った他は実施例7と同様に基板を作成した。
【0043】
実施例1〜12、比較例1〜8で作製した基板の導体トップ幅、導体ボトム幅、回路間エッチング残り、回路間Auめっき析出を評価した結果を表2に示す。エッチング残りやニッケル/金めっき降りは図6のように回路からすそをひくような形状で発生することが多い。そこで、回路間のトップ20(St)とボトム21(Sb)の差を2で割った値をすその長さとし、この値が5μmを越えればニッケル/金めっき降りとした(エッチング残りも同様)。
Ni/Auめっき降り
(St−Sb)/2 >5μm
【0044】
ライン幅(トップ、ボトム)はライン幅(トップ、ボトム)を任意に20点測定し、平均を算出した。トップ幅及びボトム幅は光学顕微鏡で基板上部から撮影し、画像処理を行った。
【0045】
【表2】
【0046】
実施例1〜12で作製した基板は、導体トップ幅がほぼ設計値通りに仕上がっており、トップ幅とボトム幅の差がほとんどなく回路形成性良好であった。一方比較例1、5は銅箔と導体回路のエッチング速度にほとんど差がないために導体回路が過剰に溶解されてしまう不具合が発生した。比較例2〜4、6〜8は拡散律速性エッチング液を使っているので液当たりのよい導体トップの部分が過剰に溶解されてしまい、回路間エッチング残り、回路間Auめっき析出が発生しやすいことが分かった。
【0047】
【発明の効果】
以上に示したように本発明を用いることで導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性のよいプリント配線板を作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を用いた多層プリント配線板の製造工程図。
【図2】本発明を用いた他の実施例における両面プリント配線板の製造工程図。
【図3】本発明を用いた他の実施例における多層プリント配線板の製造工程図(1)。
【図4】本発明を用いた他の実施例における多層プリント配線板の製造工程図(2)。
【図5】本発明を用いた他の実施例における多層プリント配線板の製造工程図(3)。
【図6】ニッケル/金めっき降りの算出基準説明図。
【符号の説明】
1 銅箔
2 絶縁層
3 無電解銅めっき
4 レジスト
5 パターン電気めっき
6 Niめっき
7 Auめっき
8 銅箔
9 絶縁層
10 導電性ペースト
11 無電解銅めっき
12 レジスト
13 パターン電気めっき
14 Niめっき
15 Auめっき
16 プリプレグ
17 銅箔付樹脂
18 導電性ペースト
19 プリプレグ
20 回路間のトップ
21 回路間のボトム
22 回路
Claims (14)
- 両面に5μm以下の電気めっきで作製された銅箔を有する絶縁樹脂にドリルまたはレーザーで貫通穴を形成し、給電層として薄付け無電解銅めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成した後にパターン電気めっきを行い、レジストを除去し、パターン部以外の銅をエッチング除去する工程を少なくとも有する両面プリント配線板の製造方法において、
厚み5μm以下の銅箔作製時の電流密度がパターン電気めっきの電流密度よりも高く、
銅をエッチング除去するエッチング液がハロゲンを除く酸と過酸化水素を主成分とすることを特徴とする両面プリント配線板の製造方法。 - 両面に5μm以下の電気めっきで作製された銅箔を有する絶縁樹脂にドリルまたはレーザーで貫通穴を形成し、前記貫通穴に導電性ペーストを充填後、加熱硬化し、給電層として薄付け無電解銅めっきを行い、パターン電気めっきレジストを形成した後にパターン電気めっきを行い、レジストを除去し、パターン部以外の銅をエッチング除去する工程を少なくとも有する両面プリント配線板の製造方法において、
厚み5μm以下の銅箔作製時の電流密度がパターン電気めっきの電流密度よりも高く、
銅をエッチング除去するエッチング液がハロゲンを除く酸と過酸化水素を主成分とすることを特徴とする両面プリント配線板の製造方法。 - 無電解銅めっきの厚みが0.1〜1.0μmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の両面プリント配線板の製造方法。
- パターン部以外の銅をエッチング除去する工程においてパターン電気めっきのエッチング速度が銅箔のエッチング速度の80%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- 厚み5μm以下の銅箔が5A/dm2以上の電流密度の電気銅めっきで作製された電解銅箔であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- パターン電気めっきの電流密度が0.5A/dm2以上5A/dm2以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- ハロゲンを除く酸が硫酸であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- 硫酸の濃度が5〜300g/L、過酸化水素の濃度が5〜200g/Lであることを特徴とする請求項7に記載の両面プリント配線板の製造方法。
- エッチング液の温度が20度〜50度の範囲であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- 厚み5μm以下の銅箔のエッチング速度が1〜15μm/分であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- 導体回路の最表面に無電解Ni/Auめっきを施すことを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の両面プリント配線板の製造方法。
- 前記請求項1〜11のいずれかに記載の方法で作製したプリント配線板を、プリプレグを介して複数積層する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- 前記請求項1〜12のいずれかに記載の方法で作製したプリント配線板上に樹脂を塗布またはラミネートした後、回路形成する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- 前記請求項1〜13のいずれかに記載の方法で作製したプリント配線板上に樹脂付銅箔をラミネートした後、回路形成する工程を少なくとも有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001358148A JP4032712B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001358148A JP4032712B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003158364A JP2003158364A (ja) | 2003-05-30 |
JP4032712B2 true JP4032712B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=19169373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001358148A Expired - Fee Related JP4032712B2 (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4032712B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4434632B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2010-03-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
TWI262041B (en) | 2003-11-14 | 2006-09-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Formation method of metal layer on resin layer, printed wiring board, and production method thereof |
TWI282259B (en) | 2004-01-30 | 2007-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesion assisting agent-bearing metal foil, printed wiring board, and production method of printed wiring board |
JP4488188B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-06-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | セミアディティブ法プリント配線基板製造用エッチング液 |
US7740936B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-06-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesion assisting agent fitted metal foil, and printed wiring board using thereof |
JP2006287034A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電解めっきを利用した配線基板の製造方法 |
JP2007042993A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Daisho Denshi:Kk | 多層基板の製造方法 |
JP4735274B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-07-27 | 住友金属鉱山株式会社 | フレキシブル配線基板及びその製造方法。 |
JP2007242872A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Sumitomo Electric Printed Circuit Inc | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2008021784A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Cmk Corp | 微細配線回路を備えたプリント配線板及びその製造方法 |
JP2008192878A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
JP5066226B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2012-11-07 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
CN104221135B (zh) * | 2012-03-29 | 2017-10-24 | 绿点高新科技股份有限公司 | 双面电路板及其制备方法 |
JP6178360B2 (ja) * | 2015-05-11 | 2017-08-09 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント回路板の製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
WO2023189744A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板及びプリント配線板 |
CN114916140A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-08-16 | 胜宏科技(惠州)股份有限公司 | 一种激光辅助pcb板蚀刻的方法 |
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001358148A patent/JP4032712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003158364A (ja) | 2003-05-30 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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