JP3258308B2 - レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法 - Google Patents
レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント回路基板
の層間接続孔（スルーホール）を効率良く形成できるレ
ーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法に関す
る。なお、本発明の銅箔は、銅箔それ自体のみならず、
銅張り積層板あるいは積層板に直接銅を形成したもの
（めっきしたものを含む）の全てを含むものとする。
の層間接続孔（スルーホール）を効率良く形成できるレ
ーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法に関す
る。なお、本発明の銅箔は、銅箔それ自体のみならず、
銅張り積層板あるいは積層板に直接銅を形成したもの
（めっきしたものを含む）の全てを含むものとする。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント回路基板の層間に接続用
の小径孔（スルーホール）を形成するのにドリルが使用
されてきたが、ドリルによる加工（穴開け）ではバリが
発生し易く、また微小径の開口には限界があるため、近
年レーザーによる開口法が使用されるようになってき
た。しかしながら、従来のプリント回路基板に使用され
る銅箔表面は反射率が大きいため、レーザー光に対する
加工性が悪いという欠点があり、このため所定の銅箔部
をエッチング除去し、そこにレーザー光を照射して穴開
けする方法を用いたり、銅箔を化学研磨等により薄層化
した後にレーザー加工する方法が採用されている。しか
し、この場合、銅箔のエッチング除去又は化学研磨とい
う工程が入るため能率が悪く、またこのような処理操作
の厳密な管理が必要なため、生産性が悪くなりコスト高
になるという欠点があった。
の小径孔（スルーホール）を形成するのにドリルが使用
されてきたが、ドリルによる加工（穴開け）ではバリが
発生し易く、また微小径の開口には限界があるため、近
年レーザーによる開口法が使用されるようになってき
た。しかしながら、従来のプリント回路基板に使用され
る銅箔表面は反射率が大きいため、レーザー光に対する
加工性が悪いという欠点があり、このため所定の銅箔部
をエッチング除去し、そこにレーザー光を照射して穴開
けする方法を用いたり、銅箔を化学研磨等により薄層化
した後にレーザー加工する方法が採用されている。しか
し、この場合、銅箔のエッチング除去又は化学研磨とい
う工程が入るため能率が悪く、またこのような処理操作
の厳密な管理が必要なため、生産性が悪くなりコスト高
になるという欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は上記のような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を
改善することにより、レーザーによる穴開けが容易であ
り、小径層間接続孔の形成に適した銅箔及びその製造方
法を提供することにある。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を
改善することにより、レーザーによる穴開けが容易であ
り、小径層間接続孔の形成に適した銅箔及びその製造方
法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】以上から、本発明は、 １ 接着される樹脂基板の反対側の面であり、レーザー
光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の銅箔のレーザ
ー光照射面に、銅箔とともに穴開けされるインジウム、
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を備えていることを特徴
とするレーザー穴開け性用銅箔 ２ ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含
有するコバルト合金層を備えていることを特徴とする上
記１記載のレーザー穴開け性用銅箔 ３ 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有するニッケ
ル合金層を備えていることを特徴とする上記１記載のレ
ーザー穴開け性用銅箔 ４ コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はインジウムの含
有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２（但し、亜
鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄｍ２）であ
ることを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載のレー
ザー穴開け性用銅箔、を提供する。
光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の銅箔のレーザ
ー光照射面に、銅箔とともに穴開けされるインジウム、
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を備えていることを特徴
とするレーザー穴開け性用銅箔 ２ ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含
有するコバルト合金層を備えていることを特徴とする上
記１記載のレーザー穴開け性用銅箔 ３ 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有するニッケ
ル合金層を備えていることを特徴とする上記１記載のレ
ーザー穴開け性用銅箔 ４ コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はインジウムの含
有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２（但し、亜
鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄｍ２）であ
ることを特徴とする上記１〜３のそれぞれに記載のレー
ザー穴開け性用銅箔、を提供する。
【０００５】また、さらに本発明は、 ５ 接着される樹脂基板の反対側の面であり、レーザー
光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の銅箔のレーザ
ー光照射面に、銅箔とともに穴開けされるインジウム、
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を形成することを特徴と
するレーザー穴開け用銅箔の製造方法 ６ ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含
有するコバルト合金層を形成することを特徴とする上記
５記載のレーザー穴開け用銅箔の製造方法 ７ 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有するニッケ
ル合金層を形成することを特徴とする上記５記載のレー
ザー穴開け用銅箔の製造方法 ８ めっきにより上記層を形成することを特徴とする上
記５〜７のそれぞれに記載のレーザー穴開け用銅箔の製
造方法 ９ コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はインジウムの含
有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２（但し、亜
鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄｍ２）であ
ることを特徴とする上記５〜８のそれぞれに記載のレー
ザー穴開け用銅箔の製造方法 １０ 上記層の形成後、防錆処理を施すことを特徴とす
る上記５〜９のそれぞれに記載のレーザー穴開け用銅箔
の製造方法 １１ 防錆処理面にクロム及び又は亜鉛を含有すること
を特徴とする上記１０に記載のレーザー穴開け用銅箔の
製造方法、を提供する。
光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の銅箔のレーザ
ー光照射面に、銅箔とともに穴開けされるインジウム、
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を形成することを特徴と
するレーザー穴開け用銅箔の製造方法 ６ ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含
有するコバルト合金層を形成することを特徴とする上記
５記載のレーザー穴開け用銅箔の製造方法 ７ 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有するニッケ
ル合金層を形成することを特徴とする上記５記載のレー
ザー穴開け用銅箔の製造方法 ８ めっきにより上記層を形成することを特徴とする上
記５〜７のそれぞれに記載のレーザー穴開け用銅箔の製
造方法 ９ コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はインジウムの含
有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２（但し、亜
鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄｍ２）であ
ることを特徴とする上記５〜８のそれぞれに記載のレー
ザー穴開け用銅箔の製造方法 １０ 上記層の形成後、防錆処理を施すことを特徴とす
る上記５〜９のそれぞれに記載のレーザー穴開け用銅箔
の製造方法 １１ 防錆処理面にクロム及び又は亜鉛を含有すること
を特徴とする上記１０に記載のレーザー穴開け用銅箔の
製造方法、を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、銅箔の少なくともレー
ザー光を照射してプリント回路基板の層間接続孔を形成
する位置に、インジウム、錫、コバルト、亜鉛、コバル
ト合金及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する
層を形成するものであり、これによって従来の銅箔に比
べてレーザー穴開け性を著しく向上させるものである。
本発明に使用する銅箔は、電解銅箔又は圧延銅箔のいず
れにも適用できる。また、銅箔の厚みは高密度配線とし
て使用するために、１８μｍ以下であることが望まし
い。しかし、本発明のレーザー穴開け性を向上させた銅
箔は、この厚さに制限されるわけではなく、これ以上の
厚さにも当然適用できるものである。
ザー光を照射してプリント回路基板の層間接続孔を形成
する位置に、インジウム、錫、コバルト、亜鉛、コバル
ト合金及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する
層を形成するものであり、これによって従来の銅箔に比
べてレーザー穴開け性を著しく向上させるものである。
本発明に使用する銅箔は、電解銅箔又は圧延銅箔のいず
れにも適用できる。また、銅箔の厚みは高密度配線とし
て使用するために、１８μｍ以下であることが望まし
い。しかし、本発明のレーザー穴開け性を向上させた銅
箔は、この厚さに制限されるわけではなく、これ以上の
厚さにも当然適用できるものである。
【０００７】銅箔のレーザー光照射面へのインジウム、
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を形成する。これらの層
はめっき処理することにより製造することができる。し
かし、めっきに限定されるものではなく、蒸着やスパッ
タリング、その他の被覆方法を用いることもできる。ま
た、めっきを用いた場合でも、特定のめっき方法に制限
されるものではない。これらのめっき等により形成され
る層は、銅箔のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全
面に施すことができる。これらのめっき処理等は、回路
基板に適用される銅箔としての特性を損なわないことが
要求されるのは当然であり、本発明の処理はこれらの条
件を十分に満たしている。
錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金の
いずれか一種以上を含有する層を形成する。これらの層
はめっき処理することにより製造することができる。し
かし、めっきに限定されるものではなく、蒸着やスパッ
タリング、その他の被覆方法を用いることもできる。ま
た、めっきを用いた場合でも、特定のめっき方法に制限
されるものではない。これらのめっき等により形成され
る層は、銅箔のレーザー光照射面へ部分的に又は銅箔全
面に施すことができる。これらのめっき処理等は、回路
基板に適用される銅箔としての特性を損なわないことが
要求されるのは当然であり、本発明の処理はこれらの条
件を十分に満たしている。
【０００８】銅箔に形成する上記合金層の中で、ニッケ
ル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含有するコバ
ルト合金層は、レーザー穴開け性により優れている。な
お、ニッケル層単独では本発明に比べてレーザー開口率
が低く、ニッケルの量を増やしても開口率が改善され
ず、レーザー穴開け性を向上させる層（被覆層）として
は不適である。因みに、３２ｍＪ／パルスでのニッケル
付着量が３，４００μｇ／ｄｍ２、６，１００μｇ／ｄ
ｍ２、１３，４００μｇ／ｄｍ２、２０，３３３μｇ／
ｄｍ２、５３，６００μｇ／ｄｍ２、８１，３３３μｇ
／ｄｍ２のときに、開口率はそれぞれ０％、２％、６７
％、７３％、６８％、７１％であり、さらにニッケル付
着量を増やしても、開口率を上げることが困難であっ
た。しかし、ニッケルに銅、亜鉛、燐のいずれか一種以
上を含有するもの、すなわちこれらのニッケル合金層を
形成した場合には、上記インジウム、錫、コバルト、亜
鉛あるいはコバルト合金層と同程度の、すなわち開口率
を改善することが可能であり、ニッケル層単独よりも高
いレーザー穴開け性を達成することができる。したがっ
て、本発明は上記ニッケルの合金層を含む。
ル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一種以上を含有するコバ
ルト合金層は、レーザー穴開け性により優れている。な
お、ニッケル層単独では本発明に比べてレーザー開口率
が低く、ニッケルの量を増やしても開口率が改善され
ず、レーザー穴開け性を向上させる層（被覆層）として
は不適である。因みに、３２ｍＪ／パルスでのニッケル
付着量が３，４００μｇ／ｄｍ２、６，１００μｇ／ｄ
ｍ２、１３，４００μｇ／ｄｍ２、２０，３３３μｇ／
ｄｍ２、５３，６００μｇ／ｄｍ２、８１，３３３μｇ
／ｄｍ２のときに、開口率はそれぞれ０％、２％、６７
％、７３％、６８％、７１％であり、さらにニッケル付
着量を増やしても、開口率を上げることが困難であっ
た。しかし、ニッケルに銅、亜鉛、燐のいずれか一種以
上を含有するもの、すなわちこれらのニッケル合金層を
形成した場合には、上記インジウム、錫、コバルト、亜
鉛あるいはコバルト合金層と同程度の、すなわち開口率
を改善することが可能であり、ニッケル層単独よりも高
いレーザー穴開け性を達成することができる。したがっ
て、本発明は上記ニッケルの合金層を含む。
【０００９】なお、上記低い開口率の場合に、穴開けの
際のレーザー出力（エネルギー）を高くすることにより
開口率を上げることは一応可能である。しかし、このレ
ーザーエネルギーを必要以上に上げると、基板（積層
板）の樹脂部分へのダメージが大きくなり、銅箔（層）
の穴の径よりも樹脂の穴の径が大きくなるといった現象
が起きる。このように樹脂の穴が大きくなると、穴の底
部で樹脂と銅箔（層）の剥離が発生するなど、レーザー
穴開けの品質が低下、またこのような品質低下を防止す
るために処理条件の厳密な管理が必要となり、工程や処
理操作が複雑化するなどの大きな問題となる。したがっ
て、通常レーザーエネルギーは可能な限り低いエネルギ
ーで効率よく行うのが良い。このような意味からも、通
常のレーザーエネルギーを使用した場合に、開口率が低
い上記のようなニッケル単独層は穴開け性を向上させる
層（被覆層）としては適当でない。
際のレーザー出力（エネルギー）を高くすることにより
開口率を上げることは一応可能である。しかし、このレ
ーザーエネルギーを必要以上に上げると、基板（積層
板）の樹脂部分へのダメージが大きくなり、銅箔（層）
の穴の径よりも樹脂の穴の径が大きくなるといった現象
が起きる。このように樹脂の穴が大きくなると、穴の底
部で樹脂と銅箔（層）の剥離が発生するなど、レーザー
穴開けの品質が低下、またこのような品質低下を防止す
るために処理条件の厳密な管理が必要となり、工程や処
理操作が複雑化するなどの大きな問題となる。したがっ
て、通常レーザーエネルギーは可能な限り低いエネルギ
ーで効率よく行うのが良い。このような意味からも、通
常のレーザーエネルギーを使用した場合に、開口率が低
い上記のようなニッケル単独層は穴開け性を向上させる
層（被覆層）としては適当でない。
【００１０】めっき処理後、クロム及び又は亜鉛を含有
する防錆処理を施すことができる。この防錆処理の手法
または処理液は特に制限されるものではない。この防錆
処理は、前記めっき処理の面上に、すなわち銅箔のレー
ザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すことができ
る。上記と同様に、この防錆処理は回路基板に適用され
る銅箔としての特性を損なわないことが要求されるのは
当然であり、本発明の防錆処理はこれらの条件を十分に
満たしている。なお、この防錆処理はレーザー穴開け性
には殆ど影響しない。
する防錆処理を施すことができる。この防錆処理の手法
または処理液は特に制限されるものではない。この防錆
処理は、前記めっき処理の面上に、すなわち銅箔のレー
ザー光照射面へ部分的に又は銅箔全面に施すことができ
る。上記と同様に、この防錆処理は回路基板に適用され
る銅箔としての特性を損なわないことが要求されるのは
当然であり、本発明の防錆処理はこれらの条件を十分に
満たしている。なお、この防錆処理はレーザー穴開け性
には殆ど影響しない。
【００１１】本発明のレーザー光照射面に、インジウ
ム、錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合
金のいずれか一種以上を含有する層を形成するには、次
のようなめっき処理が適用できる。以下はその代表例で
ある。なお、このめっき処理は好適な一例を示すのみで
あり、本発明はこれらの例に制限されない。 （コバルトめっき処理） Ｃｏ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜６０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （錫めっき処理） Ｓｎ濃度：５〜１００ｇ／Ｌ 硫酸：４０〜１５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （インジウムめっき処理） Ｉｎ濃度：１０〜５０ｇ／Ｌ 硫酸：１０〜５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜２０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒
ム、錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合
金のいずれか一種以上を含有する層を形成するには、次
のようなめっき処理が適用できる。以下はその代表例で
ある。なお、このめっき処理は好適な一例を示すのみで
あり、本発明はこれらの例に制限されない。 （コバルトめっき処理） Ｃｏ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜６０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （錫めっき処理） Ｓｎ濃度：５〜１００ｇ／Ｌ 硫酸：４０〜１５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒 （インジウムめっき処理） Ｉｎ濃度：１０〜５０ｇ／Ｌ 硫酸：１０〜５０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜４０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜２０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：０．５〜４秒
【００１２】 （亜鉛−コバルトめっき処理） Ｚｎ濃度：１〜２０ｇ／Ｌ、 Ｃｏ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．５〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （銅−ニッケルめっき処理） Ｃｕ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１０〜４５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （銅−コバルトめっき処理） Ｃｕ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｃｏ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２５〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１０〜４５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒
【００１３】 （亜鉛−ニッケルめっき処理） 亜鉛濃度：１〜１０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：１０〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：４０〜５０°Ｃ、 ｐＨ ：３．０〜４．０ 電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜３秒 （コバルト−ニッケルめっき処理） Ｃｏ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒 （銅−コバルト−ニッケルめっき処理） Ｃｏ濃度：１〜１５ｇ／Ｌ、 Ｎｉ濃度：１〜１５ｇ／Ｌ Ｃｕ濃度：５〜２５ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：１．０〜３０Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒 （コバルト−燐めっき処理） Ｃｏ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｐ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜１５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒 （ニッケル−燐めっき処理） Ｎｉ濃度：５〜２０ｇ／Ｌ、 Ｐ濃度：１〜３０ｇ／Ｌ 電解液温度：２０〜５０°Ｃ、 ｐＨ：１．０〜４．０ 電流密度：０．５〜１５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：１〜１８０秒
【００１４】本発明の防錆処理は、次のようなめっき処
理が適用できる。以下はその代表例である。なお、この
防錆処理は好適な一例を示すのみであり、本発明はこれ
らの例に制限されない。 （クロム防錆処理） Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７又はＣｒＯ３）：２〜１０ｇ／Ｌ ＮａＯＨ又はＫＯＨ ：１０〜５０ｇ／Ｌ ＺｎＯ又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ ｐＨ ：３．０〜４．０、 電解液温度：２０〜８０°Ｃ 電流密度：０．０５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：５〜３０秒
理が適用できる。以下はその代表例である。なお、この
防錆処理は好適な一例を示すのみであり、本発明はこれ
らの例に制限されない。 （クロム防錆処理） Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７又はＣｒＯ３）：２〜１０ｇ／Ｌ ＮａＯＨ又はＫＯＨ ：１０〜５０ｇ／Ｌ ＺｎＯ又はＺｎＳＯ４・７Ｈ２Ｏ ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ ｐＨ ：３．０〜４．０、 電解液温度：２０〜８０°Ｃ 電流密度：０．０５〜５Ａ／ｄｍ２、 めっき時間：５〜３０秒
【００１５】
【実施例】次に、実施例に基づいて説明する。なお、本
実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。したがって、本発明の
技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て
本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、後
段に比較例を掲載した。
実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。したがって、本発明の
技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て
本発明に含まれる。なお、本発明との対比のために、後
段に比較例を掲載した。
【００１６】（実施例１）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面（Ｓ面）に、上記めっき条件でコバルトめっき処理
し、コバルト付着量が下記となるめっき層を形成した。 コバルト付着量：５０６０μｇ／ｄｍ２
沢面（Ｓ面）に、上記めっき条件でコバルトめっき処理
し、コバルト付着量が下記となるめっき層を形成した。 コバルト付着量：５０６０μｇ／ｄｍ２
【００１７】（実施例２）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件で錫めっき処理し、錫付着量が
下記となるめっき層を形成した。 錫付着量：９３７０μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件で錫めっき処理し、錫付着量が
下記となるめっき層を形成した。 錫付着量：９３７０μｇ／ｄｍ２
【００１８】（実施例３）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件でインジウムめっき処理し、イ
ンジウム付着量が下記となるめっき層を形成した。 インジウム付着量：２５３０μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件でインジウムめっき処理し、イ
ンジウム付着量が下記となるめっき層を形成した。 インジウム付着量：２５３０μｇ／ｄｍ２
【００１９】（実施例４）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件で亜鉛−コバルトめっき（合金
めっき：以下同様）処理し、コバルト及び亜鉛付着量が
下記となるめっき層を形成した。 コバルト付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：８８０μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件で亜鉛−コバルトめっき（合金
めっき：以下同様）処理し、コバルト及び亜鉛付着量が
下記となるめっき層を形成した。 コバルト付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：８８０μｇ／ｄｍ２
【００２０】（実施例５）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件で銅−ニッケルめっき処理し、
ニッケル及び銅付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 ニッケル付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ 銅付着量：５１０００μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件で銅−ニッケルめっき処理し、
ニッケル及び銅付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 ニッケル付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ 銅付着量：５１０００μｇ／ｄｍ２
【００２１】（実施例６）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件で銅−コバルトめっき処理し、
コバルト及び銅付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 コバルト付着量：２４００μｇ／ｄｍ２ 銅付着量：４４８００μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件で銅−コバルトめっき処理し、
コバルト及び銅付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 コバルト付着量：２４００μｇ／ｄｍ２ 銅付着量：４４８００μｇ／ｄｍ２
【００２２】（実施例７）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件でコバルト−燐めっき処理し、
コバルト及び燐付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 コバルト付着量：３７８０μｇ／ｄｍ２ 燐付着量：２００μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件でコバルト−燐めっき処理し、
コバルト及び燐付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 コバルト付着量：３７８０μｇ／ｄｍ２ 燐付着量：２００μｇ／ｄｍ２
【００２３】（実施例８）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件でニッケル−燐めっき処理し、
ニッケル及び燐付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 ニッケル付着量：１９２０μｇ／ｄｍ２ 燐付着量：１００μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件でニッケル−燐めっき処理し、
ニッケル及び燐付着量が下記となるめっき層を形成し
た。 ニッケル付着量：１９２０μｇ／ｄｍ２ 燐付着量：１００μｇ／ｄｍ２
【００２４】（実施例９）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記めっき条件で銅−コバルト−ニッケルめっ
き処理し、さらにその上にコバルト−ニッケルめっき処
理して、銅−コバルト及びニッケル付着量（総量）が下
記となるめっき層を形成し、その後上記の条件で防錆処
理を施した。 銅付着量：１９０００μｇ／ｄｍ２ コバルト付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ ニッケル付着量：６５０μｇ／ｄｍ２ クロム付着量：４３μｇ／ｄｍ２、亜鉛付着量：６μｇ
／ｄｍ２
沢面に、上記めっき条件で銅−コバルト−ニッケルめっ
き処理し、さらにその上にコバルト−ニッケルめっき処
理して、銅−コバルト及びニッケル付着量（総量）が下
記となるめっき層を形成し、その後上記の条件で防錆処
理を施した。 銅付着量：１９０００μｇ／ｄｍ２ コバルト付着量：３４００μｇ／ｄｍ２ ニッケル付着量：６５０μｇ／ｄｍ２ クロム付着量：４３μｇ／ｄｍ２、亜鉛付着量：６μｇ
／ｄｍ２
【００２５】（実施例１０）厚さ１２μｍの電解銅箔の
光沢面に、上記めっき条件で亜鉛−ニッケルめっき処理
し、ニッケル及び亜鉛付着量が下記となるめっき層を形
成した。 ニッケル付着量：１２３０μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：４４００μｇ／ｄｍ２
光沢面に、上記めっき条件で亜鉛−ニッケルめっき処理
し、ニッケル及び亜鉛付着量が下記となるめっき層を形
成した。 ニッケル付着量：１２３０μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：４４００μｇ／ｄｍ２
【００２６】（実施例１１）厚さ１２μｍの電解銅箔の
光沢面に、上記めっき条件でコバルト−ニッケルめっき
処理し、コバルト及びニッケル付着量が下記となるめっ
き層を形成した。 コバルト付着量：３４７０μｇ／ｄｍ２ ニッケル付着量：４９０μｇ／ｄｍ２
光沢面に、上記めっき条件でコバルト−ニッケルめっき
処理し、コバルト及びニッケル付着量が下記となるめっ
き層を形成した。 コバルト付着量：３４７０μｇ／ｄｍ２ ニッケル付着量：４９０μｇ／ｄｍ２
【００２７】（比較例１）厚さ１２μｍの電解銅箔の光
沢面に、上記防錆条件で防錆処理のみを施した。この場
合のクロム付着量と亜鉛付着量は次の通りである。 クロム付着量：３２μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：２７０μｇ／ｄｍ２
沢面に、上記防錆条件で防錆処理のみを施した。この場
合のクロム付着量と亜鉛付着量は次の通りである。 クロム付着量：３２μｇ／ｄｍ２ 亜鉛付着量：２７０μｇ／ｄｍ２
【００２８】以上の実施例１〜１１及び比較例１の試料
について、１２μｍ箔の光沢面（Ｓ面）に上記の各種表
面処理したものをプリプレグ（ＦＲ−４）を用いて片面
基板とし、各１００箇所に、次の条件でレーザー光を照
射し、その開口率を比較した。その結果を表１に示す。 （レーザー照射条件） 使用装置：炭酸ガスレーザー加工装置 スポットサイズ：１４４μｍφ パルス幅：３２μｓｅｃ 周波数：４００Ｈｚ、 ショット数：１ショット エネルギー：７．５ｍＪ／パルス、１２．５ｍＪ／パル
ス、２０．９ｍＪ／パルス、３２ｍＪ／パルス、４３ｍ
Ｊ／パルス、４７．７ｍＪ／パルス、の各々 （なお、表には７．５ｍＪ／パルス、４３ｍＪ／パル
ス、４７．７ｍＪ／パルスで実施したものは、表示して
いない。）
について、１２μｍ箔の光沢面（Ｓ面）に上記の各種表
面処理したものをプリプレグ（ＦＲ−４）を用いて片面
基板とし、各１００箇所に、次の条件でレーザー光を照
射し、その開口率を比較した。その結果を表１に示す。 （レーザー照射条件） 使用装置：炭酸ガスレーザー加工装置 スポットサイズ：１４４μｍφ パルス幅：３２μｓｅｃ 周波数：４００Ｈｚ、 ショット数：１ショット エネルギー：７．５ｍＪ／パルス、１２．５ｍＪ／パル
ス、２０．９ｍＪ／パルス、３２ｍＪ／パルス、４３ｍ
Ｊ／パルス、４７．７ｍＪ／パルス、の各々 （なお、表には７．５ｍＪ／パルス、４３ｍＪ／パル
ス、４７．７ｍＪ／パルスで実施したものは、表示して
いない。）
【００２９】
【表１】
【００３０】実施例１では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率２％及び７４％であるが、３２ｍＪ／パルスで１０
０％に達し、実生産では問題なく、良好な開口率を示
す。したがって、コバルトめっきは開口率向上に有効で
ある。また、コバルトの付着量を増加させるにしたがっ
て、開口率はさらに向上し、５００００μｇ／ｄｍ２を
超えると２０．９ｍＪ／パルスで、開口率１００％にな
る。レーザー光照射エネルギーをさらに上げると、開口
率１００％の状態は当然維持されるが、上記に述べたよ
うに積層体（樹脂）等の他への影響があるので、出力を
上げることは好ましくない。したがって、本実施例のよ
うな低レーザー光照射エネルギーで開口率１００％が得
られることは、品質の向上に極めて良好な結果をもたら
す。また、銅箔の厚さが増大すると、開口率はやや劣る
が、逆により薄くなると、開口率はさらに向上すること
になる。上記レーザー光照射エネルギーの高低と銅箔の
厚さについては、本実施例の全てに通じて言えることで
ある。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率２％及び７４％であるが、３２ｍＪ／パルスで１０
０％に達し、実生産では問題なく、良好な開口率を示
す。したがって、コバルトめっきは開口率向上に有効で
ある。また、コバルトの付着量を増加させるにしたがっ
て、開口率はさらに向上し、５００００μｇ／ｄｍ２を
超えると２０．９ｍＪ／パルスで、開口率１００％にな
る。レーザー光照射エネルギーをさらに上げると、開口
率１００％の状態は当然維持されるが、上記に述べたよ
うに積層体（樹脂）等の他への影響があるので、出力を
上げることは好ましくない。したがって、本実施例のよ
うな低レーザー光照射エネルギーで開口率１００％が得
られることは、品質の向上に極めて良好な結果をもたら
す。また、銅箔の厚さが増大すると、開口率はやや劣る
が、逆により薄くなると、開口率はさらに向上すること
になる。上記レーザー光照射エネルギーの高低と銅箔の
厚さについては、本実施例の全てに通じて言えることで
ある。
【００３１】実施例２では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率６７％及び９３％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、錫めっきは開口率向上に有効である。
また、実施例１と同様に、錫の付着量を増加させるにし
たがって、開口率はさらに向上し、４００００μｇ／ｄ
ｍ２を超えると１２．５ｍＪ／パルスでも開口率１００
％になる。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率６７％及び９３％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、錫めっきは開口率向上に有効である。
また、実施例１と同様に、錫の付着量を増加させるにし
たがって、開口率はさらに向上し、４００００μｇ／ｄ
ｍ２を超えると１２．５ｍＪ／パルスでも開口率１００
％になる。
【００３２】実施例３では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率３１％及び８５％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、インジウムめっきは開口率向上に有効
である。また、実施例１と同様に錫の付着量を増加させ
るにしたがって、開口率はさらに向上する。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率３１％及び８５％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、インジウムめっきは開口率向上に有効
である。また、実施例１と同様に錫の付着量を増加させ
るにしたがって、開口率はさらに向上する。
【００３３】実施例４では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率５２％及び９４％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、亜鉛−コバルト合金めっきは開口率向
上に有効である。また、実施例１と同様に亜鉛−コバル
トの付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに
向上する。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率５２％及び９４％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、亜鉛−コバルト合金めっきは開口率向
上に有効である。また、実施例１と同様に亜鉛−コバル
トの付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに
向上する。
【００３４】実施例５では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９９％であるが、２
０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％に
達し、極めて優れた開口率を示す。したがって、ニッケ
ル−銅合金めっきは開口率向上に有効である。また、銅
−ニッケルの付着量をやや増加させるだけでも、開口率
がさらに向上し、レーザー光照射エネルギー１２．５ｍ
Ｊ／パルスで開口率１００％に達する。上記に示すよう
に、銅−ニッケル合金めっきは、他の実施例に示すめっ
きに比べても優れた開口率を有すが、これは銅−ニッケ
ル合金めっきによる表面粗化が大きく影響していると考
えられる。このことから、粗化めっきによりめっき表面
をコブ（瘤）状に形成するのは、開口率向上に有効であ
る。
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９９％であるが、２
０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％に
達し、極めて優れた開口率を示す。したがって、ニッケ
ル−銅合金めっきは開口率向上に有効である。また、銅
−ニッケルの付着量をやや増加させるだけでも、開口率
がさらに向上し、レーザー光照射エネルギー１２．５ｍ
Ｊ／パルスで開口率１００％に達する。上記に示すよう
に、銅−ニッケル合金めっきは、他の実施例に示すめっ
きに比べても優れた開口率を有すが、これは銅−ニッケ
ル合金めっきによる表面粗化が大きく影響していると考
えられる。このことから、粗化めっきによりめっき表面
をコブ（瘤）状に形成するのは、開口率向上に有効であ
る。
【００３５】実施例６では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９８％であるが、及び
２０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％
に達し、実施例５と同様に極めて優れた開口率を示す。
したがって、コバルト−銅合金めっきは開口率向上に有
効である。また、実施例１と同様に銅−コバルトの付着
量をやや増加させるだけでも、開口率がさらに向上し、
レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルスで開口
率１００％に容易達する。上記に示すように、銅−コバ
ルト合金めっきは、他の実施例に示すめっきに比べても
優れた開口率を有すが、実施例５と同様、これは銅−コ
バルト合金めっきによる表面粗化が大きく影響している
と考えられる。このことから、粗化めっきによりめっき
表面をコブ（瘤）状に形成するのは、開口率向上に有効
である。
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９８％であるが、及び
２０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％
に達し、実施例５と同様に極めて優れた開口率を示す。
したがって、コバルト−銅合金めっきは開口率向上に有
効である。また、実施例１と同様に銅−コバルトの付着
量をやや増加させるだけでも、開口率がさらに向上し、
レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルスで開口
率１００％に容易達する。上記に示すように、銅−コバ
ルト合金めっきは、他の実施例に示すめっきに比べても
優れた開口率を有すが、実施例５と同様、これは銅−コ
バルト合金めっきによる表面粗化が大きく影響している
と考えられる。このことから、粗化めっきによりめっき
表面をコブ（瘤）状に形成するのは、開口率向上に有効
である。
【００３６】実施例７では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率７５％及び９９％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、コバルト−燐合金めっきは開口率向上
に有効である。また、実施例１と同様にコバルト−燐の
付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに向上
し、例えばコバルトの量６０００μｇ／ｄｍ２を超す量
とすることにより、レーザー光照射エネルギー０．９ｍ
Ｊ／パルスで、開口率１００％を容易に得ることができ
る。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率７５％及び９９％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、コバルト−燐合金めっきは開口率向上
に有効である。また、実施例１と同様にコバルト−燐の
付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに向上
し、例えばコバルトの量６０００μｇ／ｄｍ２を超す量
とすることにより、レーザー光照射エネルギー０．９ｍ
Ｊ／パルスで、開口率１００％を容易に得ることができ
る。
【００３７】実施例８では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率０％及び８２％であるが、３２ｍＪ／パルスで１０
０％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示す。
したがって、ニッケル−燐合金めっきは開口率向上に有
効である。また、実施例１と同様にニッケル−燐の付着
量を増加させるにしたがって、開口率はさらに向上し、
レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルス及び２
０．９ｍＪ／パルスで、開口率１００％を得ることがで
きる。
１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、開
口率０％及び８２％であるが、３２ｍＪ／パルスで１０
０％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示す。
したがって、ニッケル−燐合金めっきは開口率向上に有
効である。また、実施例１と同様にニッケル−燐の付着
量を増加させるにしたがって、開口率はさらに向上し、
レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルス及び２
０．９ｍＪ／パルスで、開口率１００％を得ることがで
きる。
【００３８】実施例９では、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９９％であるが、２
０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％に
達し、優れた開口率を示す。本実施例は、銅−コバルト
−ニッケル合金めっき（一層目）し、さらにコバルト−
ニッケル合金めっき（二層目）した後に、クロム防錆処
理を実施したものであるが、クロム防錆処理には大きく
影響することがなく（やや開口率が増加する傾向がある
が）、開口率向上に有効である。また、実施例１と同様
に銅−コバルト−ニッケル合金及び又はコバルト−ニッ
ケル合金の付着量を増加させるにしたがって、開口率は
さらに向上する。
１２．５ｍＪ／パルスで、開口率９９％であるが、２
０．９ｍＪ／パルス及び３２ｍＪ／パルスで１００％に
達し、優れた開口率を示す。本実施例は、銅−コバルト
−ニッケル合金めっき（一層目）し、さらにコバルト−
ニッケル合金めっき（二層目）した後に、クロム防錆処
理を実施したものであるが、クロム防錆処理には大きく
影響することがなく（やや開口率が増加する傾向がある
が）、開口率向上に有効である。また、実施例１と同様
に銅−コバルト−ニッケル合金及び又はコバルト−ニッ
ケル合金の付着量を増加させるにしたがって、開口率は
さらに向上する。
【００３９】実施例１０では、レーザー光照射エネルギ
ー１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、
開口率１４％及び９９％であるが、３２ｍＪ／パルスで
１００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、ニッケル−亜鉛合金めっきは開口率向
上に有効である。また、実施例１と同様にニッケル−亜
鉛の付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに
向上し、レーザー光照射エネルギー２０．９ｍＪ／パル
スでも、開口率１００％を得ることができる。
ー１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、
開口率１４％及び９９％であるが、３２ｍＪ／パルスで
１００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、ニッケル−亜鉛合金めっきは開口率向
上に有効である。また、実施例１と同様にニッケル−亜
鉛の付着量を増加させるにしたがって、開口率はさらに
向上し、レーザー光照射エネルギー２０．９ｍＪ／パル
スでも、開口率１００％を得ることができる。
【００４０】実施例１１では、レーザー光照射エネルギ
ー１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、
開口率１％及び８０％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、ニッケル−コバルト合金めっきは開口
率向上に有効である。また、実施例１と同様にニッケル
−コバルトの付着量を増加させるにしたがって、開口率
はさらに向上し、例えばニッケル付着量７０００μｇ／
ｄｍ２、コバルト付着量３０００μｇ／ｄｍ２を超える
と、レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルスで
も、開口率１００％を得ることができる。
ー１２．５ｍＪ／パルス及び２０．９ｍＪ／パルスで、
開口率１％及び８０％であるが、３２ｍＪ／パルスで１
００％に達し、実生産では問題なく良好な開口率を示
す。したがって、ニッケル−コバルト合金めっきは開口
率向上に有効である。また、実施例１と同様にニッケル
−コバルトの付着量を増加させるにしたがって、開口率
はさらに向上し、例えばニッケル付着量７０００μｇ／
ｄｍ２、コバルト付着量３０００μｇ／ｄｍ２を超える
と、レーザー光照射エネルギー１２．５ｍＪ／パルスで
も、開口率１００％を得ることができる。
【００４１】以上の実施例については、いずれも低レー
ザー光照射エネルギーに対して良好な開口率を有する。
しかし、これらの処理をしていないもの、及び比較例１
に示すように、防錆処理を施してクロムと亜鉛を含有さ
せたものは、開孔率は低く、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス、２０．９ｍＪ／パルス、３２ｍ
Ｊ／パルスでそれぞれ、０％、０％及び９％に過ぎな
い。そして高レーザー光照射エネルギー４３ｍＪ／パル
スに至って、漸く１００％に達する。このような高レー
ザー光照射エネルギーは、上記に述べたように積層体
（樹脂）等の他への影響があるので、出力を上げること
は好ましくない。このように、比較例１はレーザー光に
よる銅箔の開口としては十分でない。
ザー光照射エネルギーに対して良好な開口率を有する。
しかし、これらの処理をしていないもの、及び比較例１
に示すように、防錆処理を施してクロムと亜鉛を含有さ
せたものは、開孔率は低く、レーザー光照射エネルギー
１２．５ｍＪ／パルス、２０．９ｍＪ／パルス、３２ｍ
Ｊ／パルスでそれぞれ、０％、０％及び９％に過ぎな
い。そして高レーザー光照射エネルギー４３ｍＪ／パル
スに至って、漸く１００％に達する。このような高レー
ザー光照射エネルギーは、上記に述べたように積層体
（樹脂）等の他への影響があるので、出力を上げること
は好ましくない。このように、比較例１はレーザー光に
よる銅箔の開口としては十分でない。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、銅箔のレーザー光照射
面に、レーザー光照射面に、インジウム、錫、コバル
ト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金のいずれか一
種以上を含有する層を形成することにより、レーザー加
工が容易であり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔を
得ることができ、さらに比較的低レーザー光照射エネル
ギーで開孔率を大幅に向上させることができる優れた特
徴を有する。したがって、これによりプリント回路基板
の製造に際して、レーザーによる銅箔の直接開孔及び簡
便な層間接続孔の形成ができる著しい効果を有する。
面に、レーザー光照射面に、インジウム、錫、コバル
ト、亜鉛、コバルト合金及びニッケル合金のいずれか一
種以上を含有する層を形成することにより、レーザー加
工が容易であり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔を
得ることができ、さらに比較的低レーザー光照射エネル
ギーで開孔率を大幅に向上させることができる優れた特
徴を有する。したがって、これによりプリント回路基板
の製造に際して、レーザーによる銅箔の直接開孔及び簡
便な層間接続孔の形成ができる著しい効果を有する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−354901（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−292894（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−278883（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−18075（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−87888（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−266068（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−140255（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/09 B23K 26/00 330 B23K 26/18 H05K 1/03 630 H05K 3/00
Claims (11)
- 【請求項１】 接着される樹脂基板の反対側の面であ
り、レーザー光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の
銅箔のレーザー光照射面に、銅箔とともに穴開けされる
インジウム、錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニ
ッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を備えてい
ることを特徴とするレーザー穴開け性用銅箔。 - 【請求項２】 ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一
種以上を含有するコバルト合金層を備えていることを特
徴とする請求項１記載のレーザー穴開け用銅箔。 - 【請求項３】 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有
するニッケル合金層を備えていることを特徴とする請求
項１記載のレーザー穴開け用銅箔。 - 【請求項４】 コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はイン
ジウムの含有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２
（但し、亜鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄ
ｍ２）であることを特徴とする請求項１〜３のそれぞれ
に記載のレーザー穴開け用銅箔。 - 【請求項５】 接着される樹脂基板の反対側の面であ
り、レーザー光が直接照射される厚さが１８μｍ以下の
銅箔のレーザー光照射面に、銅箔とともに穴開けされる
インジウム、錫、コバルト、亜鉛、コバルト合金及びニ
ッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成する
ことを特徴とするレーザー穴開け用銅箔の製造方法。 - 【請求項６】 ニッケル、燐、亜鉛、銅の少なくとも一
種以上を含有するコバルト合金層を形成することを特徴
とする請求項５記載のレーザー穴開け用銅箔の製造方
法。 - 【請求項７】 銅、亜鉛、燐のいずれか一種以上を含有
するニッケル合金層を形成することを特徴とする請求項
５記載のレーザー穴開け用銅箔の製造方法。 - 【請求項８】 めっきにより上記層を形成することを特
徴とする請求項５〜７のそれぞれに記載のレーザー穴開
け用銅箔の製造方法。 - 【請求項９】 コバルト、ニッケル、錫、亜鉛又はイン
ジウムの含有量がそれぞれ０．１〜１００ｍｇ／ｄｍ２
（但し、亜鉛含有量については０．５〜１００ｍｇ／ｄ
ｍ２）であることを特徴とする請求項５〜８のそれぞれ
に記載のレーザー穴開け用銅箔の製造方法。 - 【請求項１０】 上記層の形成後、防錆処理を施すこと
を特徴とする請求項５〜９のそれぞれに記載のレーザー
穴開け用銅箔の製造方法。 - 【請求項１１】 防錆処理面にクロム及び又は亜鉛を含
有することを特徴とする請求項１０に記載のレーザー穴
開け用銅箔の製造方法。
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|---|---|
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