JP2000190420A - 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板 - Google Patents
新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】銅張り積層板の穴あけレーザー加工時に、該積
層板にバリが生じることなく、弱いレーザー出力であっ
ても加工可能であり、さらにファインピッチの形成が可
能な銅張り積層板を形成しうるようなプリント配線板形
成用複合箔およびその製造方法、銅張り積層板を提供す
る。 【解決手段】導電性支持体と、該支持体表面に設けられ
た有機系剥離層と、該有機系剥離層上に形成された導電
性微粒子群とからなる複合箔。導電性支持体表面に有機
系剥離層を形成したのち、該支持体の有機系剥離層上に
メッキ浴を用いて、１０〜５０Ａ／ｄｍ2の電流密度で
有機系剥離層上に導電性微粒子群を電析させる複合箔の
製造方法。該複合箔が、基材表面に接合されてなる銅張
り積層板。該複合箔を基材表面に接合したのち、導電性
支持体のみを除去してなる銅張り積層板。
層板にバリが生じることなく、弱いレーザー出力であっ
ても加工可能であり、さらにファインピッチの形成が可
能な銅張り積層板を形成しうるようなプリント配線板形
成用複合箔およびその製造方法、銅張り積層板を提供す
る。 【解決手段】導電性支持体と、該支持体表面に設けられ
た有機系剥離層と、該有機系剥離層上に形成された導電
性微粒子群とからなる複合箔。導電性支持体表面に有機
系剥離層を形成したのち、該支持体の有機系剥離層上に
メッキ浴を用いて、１０〜５０Ａ／ｄｍ2の電流密度で
有機系剥離層上に導電性微粒子群を電析させる複合箔の
製造方法。該複合箔が、基材表面に接合されてなる銅張
り積層板。該複合箔を基材表面に接合したのち、導電性
支持体のみを除去してなる銅張り積層板。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、プリント配線板形成用複
合箔およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、本
発明は、プリント配線板形成用複合箔を用いて形成され
た銅張り積層板のレーザー穴開け加工時に、該積層板に
バリが生じることなく、弱いレーザー出力であっても加
工可能であり、さらにファインピッチを有するプリント
配線板を形成可能な複合箔に関する。
合箔およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、本
発明は、プリント配線板形成用複合箔を用いて形成され
た銅張り積層板のレーザー穴開け加工時に、該積層板に
バリが生じることなく、弱いレーザー出力であっても加
工可能であり、さらにファインピッチを有するプリント
配線板を形成可能な複合箔に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年、電子機器の小型化、高密度
化に伴い、使用されるプリント配線板の回路幅、回路間
隔は年々細線化しており、それにともなって使用される
金属箔の厚みも１８μｍ、１２μｍから９μｍへと薄膜
化する傾向にある。
化に伴い、使用されるプリント配線板の回路幅、回路間
隔は年々細線化しており、それにともなって使用される
金属箔の厚みも１８μｍ、１２μｍから９μｍへと薄膜
化する傾向にある。
【０００３】このような薄膜化の要求は、さらに強ま
り、ニーズに対応するため、極薄銅箔の試作が試みられ
ているが、９μｍ以下の薄い銅箔は、取り扱い時にシワ
が生じたり、箔が切れたりして、必ずしも満足しうるも
のは得られていなかった。
り、ニーズに対応するため、極薄銅箔の試作が試みられ
ているが、９μｍ以下の薄い銅箔は、取り扱い時にシワ
が生じたり、箔が切れたりして、必ずしも満足しうるも
のは得られていなかった。
【０００４】また、極薄銅箔を多層プリント配線板の外
層用として用いた場合には積層時に内層回路の凹凸によ
り、銅箔が変形して破損したりシワが生じるなどの問題
があり、このため銅箔の変形を防止しうる支持体が必要
であった。
層用として用いた場合には積層時に内層回路の凹凸によ
り、銅箔が変形して破損したりシワが生じるなどの問題
があり、このため銅箔の変形を防止しうる支持体が必要
であった。
【０００５】このような支持体付き銅箔では、積層板を
形成する際に支持体のみを剥離させるため、通常、銅箔
と支持体との間に剥離層が形成されている。たとえば銅
支持体を使用した場合、剥離層としてクロムを使用した
ものが提案されている（たとえば、特公昭53-18329号公
報参照）。
形成する際に支持体のみを剥離させるため、通常、銅箔
と支持体との間に剥離層が形成されている。たとえば銅
支持体を使用した場合、剥離層としてクロムを使用した
ものが提案されている（たとえば、特公昭53-18329号公
報参照）。
【０００６】また、アルミニウム支持体を使用したもの
では、剥離層として、たとえばＣｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｇ
の硫化物または酸化物を形成したもの亜鉛置換を行った
後、ＮｉまたはＮｉ合金メッキを形成したもの表面の酸
化物を除去した後、再度酸化アルミニウム膜を形成した
ものなどが提案されている（特公昭60-31915号公報参
照）。
では、剥離層として、たとえばＣｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｇ
の硫化物または酸化物を形成したもの亜鉛置換を行った
後、ＮｉまたはＮｉ合金メッキを形成したもの表面の酸
化物を除去した後、再度酸化アルミニウム膜を形成した
ものなどが提案されている（特公昭60-31915号公報参
照）。
【０００７】さらにまた、本発明者らは、金属支持体に
有機系剥離層を介して20μｍ以下の極薄銅箔を設けた複
合銅箔を提案している。
有機系剥離層を介して20μｍ以下の極薄銅箔を設けた複
合銅箔を提案している。
【０００８】しかしながら、このような複合銅箔を用い
て形成された銅張り積層板に、レーザーによるバイアホ
ールなどの穴開け加工すると、穴開け加工された銅箔の
端部にバリが生じることがあり、このバリ部のメッキ成
長が、他のバリ以外の成長よりも早いため、バリ部分が
肥大化し、回路形成用レジストとの密着不良が生じた
り、エッチング不足などの問題を引き起こしてしまうこ
とがあった。このため、予め穴開け部分の銅箔を、エッ
チングなどによって、除去しておく必要があり、穴開け
工程が煩雑化するという問題があった。さらにまたこの
バリをエッチングによって除去しようとしても、銅箔が
極薄であると、銅箔自体が過剰に溶解してしまうことが
あった。
て形成された銅張り積層板に、レーザーによるバイアホ
ールなどの穴開け加工すると、穴開け加工された銅箔の
端部にバリが生じることがあり、このバリ部のメッキ成
長が、他のバリ以外の成長よりも早いため、バリ部分が
肥大化し、回路形成用レジストとの密着不良が生じた
り、エッチング不足などの問題を引き起こしてしまうこ
とがあった。このため、予め穴開け部分の銅箔を、エッ
チングなどによって、除去しておく必要があり、穴開け
工程が煩雑化するという問題があった。さらにまたこの
バリをエッチングによって除去しようとしても、銅箔が
極薄であると、銅箔自体が過剰に溶解してしまうことが
あった。
【０００９】このような事情に鑑み、本発明者らは鋭意
検討した結果、銅箔または銅合金箔などの導電性支持体
上に形成された有機系剥離層上に導電性微粒子群を設け
てなる複合銅箔を用い、この複合銅箔を基板に積層した
後、導電性支持体を剥離して銅張り積層板を形成すれ
ば、外層回路を導電性微粒子群から形成するため、銅張
り積層板の穴開け加工時にバリの発生などの問題が解消
され、しかもこの導電性微粒子群が、絶縁性樹脂基板と
の接着性にも優れていることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
検討した結果、銅箔または銅合金箔などの導電性支持体
上に形成された有機系剥離層上に導電性微粒子群を設け
てなる複合銅箔を用い、この複合銅箔を基板に積層した
後、導電性支持体を剥離して銅張り積層板を形成すれ
ば、外層回路を導電性微粒子群から形成するため、銅張
り積層板の穴開け加工時にバリの発生などの問題が解消
され、しかもこの導電性微粒子群が、絶縁性樹脂基板と
の接着性にも優れていることを見出し、本発明を完成す
るに至った。
【００１０】
【発明の目的】本発明は上記のような従来技術に伴う問
題点を解決するためのものであって、プリント配線板形
成用複合箔を用いて形成された銅張り積層板の穴あけレ
ーザー加工時に、該積層板にバリが生じることなく、弱
いレーザー出力であっても加工可能であり、さらにファ
インピッチの形成が可能な銅張り積層板を形成しうるよ
うなプリント配線板形成用複合箔およびその製造方法を
提供することを目的としている。
題点を解決するためのものであって、プリント配線板形
成用複合箔を用いて形成された銅張り積層板の穴あけレ
ーザー加工時に、該積層板にバリが生じることなく、弱
いレーザー出力であっても加工可能であり、さらにファ
インピッチの形成が可能な銅張り積層板を形成しうるよ
うなプリント配線板形成用複合箔およびその製造方法を
提供することを目的としている。
【００１１】
【発明の概要】本発明に係る複合箔は、導電性支持体
と、該支持体表面に設けられた有機系剥離層と、該有機
系剥離層上に形成された導電性微粒子群とからなること
を特徴としている。
と、該支持体表面に設けられた有機系剥離層と、該有機
系剥離層上に形成された導電性微粒子群とからなること
を特徴としている。
【００１２】前記導電性微粒子群の厚さ方向の寸法は、
０．１〜５．０μｍの範囲にあることが好ましい。
０．１〜５．０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００１３】このような導電性微粒子群は、銅または銅
合金からなることが好ましい。
合金からなることが好ましい。
【００１４】前記導電性支持体は、銅箔または銅合金箔
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００１５】前記有機系剥離層は、チッ素含有化合物、
イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から選択
される少なくとも一種の有機化合物から形成されること
が好ましい。
イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から選択
される少なくとも一種の有機化合物から形成されること
が好ましい。
【００１６】上記導電性微粒子群は、房状、こぶ状、ヒ
ゲ状であることが好ましい。
ゲ状であることが好ましい。
【００１７】本発明に係る複合箔の製造方法は、導電性
支持体表面に有機系剥離層を形成したのち、該支持体の
有機系剥離層上に、メッキ浴を用いて、１０〜５０Ａ／
ｄｍ2の電流密度で導電性微粒子群を電析させることを
特徴としている。
支持体表面に有機系剥離層を形成したのち、該支持体の
有機系剥離層上に、メッキ浴を用いて、１０〜５０Ａ／
ｄｍ2の電流密度で導電性微粒子群を電析させることを
特徴としている。
【００１８】導電性支持体が銅箔または銅合金箔である
ことが好ましく、前記有機系剥離層がチッ素含有化合
物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から
選択される少なくとも一種の有機化合物から形成される
ことが好ましい。
ことが好ましく、前記有機系剥離層がチッ素含有化合
物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から
選択される少なくとも一種の有機化合物から形成される
ことが好ましい。
【００１９】また、前記導電性微粒子群は、房状、こぶ
状、ヒゲ状であることが好ましい。
状、ヒゲ状であることが好ましい。
【００２０】本発明に係る銅張り積層板は、前記複合箔
が、基材表面に接合されてなる。
が、基材表面に接合されてなる。
【００２１】また、本発明に係る銅張り積層板は前記複
合箔を基材表面に接合したのち、導電性支持体のみを除
去してなるものであってもよい。
合箔を基材表面に接合したのち、導電性支持体のみを除
去してなるものであってもよい。
【００２２】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る新規な複合箔
およびその製造方法について具体的に説明する。
およびその製造方法について具体的に説明する。
【００２３】新規な複合箔 図１は、本発明に係る新規な複合箔の一態様を示す概略
断面図である。この態様例において、複合箔２１は、導
電性支持体２２と、該支持体表面上に設けられた有機系
剥離層２３と、該有機系剥離層表面に脱離可能に設けら
れた導電性微粒子群２４とからなる。
断面図である。この態様例において、複合箔２１は、導
電性支持体２２と、該支持体表面上に設けられた有機系
剥離層２３と、該有機系剥離層表面に脱離可能に設けら
れた導電性微粒子群２４とからなる。
【００２４】導電性支持体２２は、導電性で、導電性微
粒子群２４の形成が可能であればその材質および厚さな
どを限定されないが、銅箔、銅合金箔、アルミニウム
箔、アルミニウム箔表面に銅メッキが施された複合金属
箔、アルミニウム箔表面に亜鉛がメッキされた複合金属
箔、ステンレス箔などの金属箔であることが好ましい。
これらの金属箔の内、特に銅箔または銅合金箔が好適に
使用される。
粒子群２４の形成が可能であればその材質および厚さな
どを限定されないが、銅箔、銅合金箔、アルミニウム
箔、アルミニウム箔表面に銅メッキが施された複合金属
箔、アルミニウム箔表面に亜鉛がメッキされた複合金属
箔、ステンレス箔などの金属箔であることが好ましい。
これらの金属箔の内、特に銅箔または銅合金箔が好適に
使用される。
【００２５】このような導電性支持体は亜鉛またはクロ
メートなどによる防錆処理が施されていてもよい。
メートなどによる防錆処理が施されていてもよい。
【００２６】導電性支持体２２の厚さは、５〜２００μ
ｍ、好ましくは１２〜１１０μｍ、さらに好ましくは１
８〜７０μｍのものが望ましい。
ｍ、好ましくは１２〜１１０μｍ、さらに好ましくは１
８〜７０μｍのものが望ましい。
【００２７】有機系剥離層２３としては、剥離性能を有
するものであれば特に制限なく使用することができる
が、特に、有機系剥離層がチッ素含有化合物、イオウ含
有化合物およびカルボン酸からなる群から選択される少
なくとも一種の有機化合物から形成されることが好まし
い。
するものであれば特に制限なく使用することができる
が、特に、有機系剥離層がチッ素含有化合物、イオウ含
有化合物およびカルボン酸からなる群から選択される少
なくとも一種の有機化合物から形成されることが好まし
い。
【００２８】チッ素含有化合物としては、1,2,3-ベンゾ
トリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N,N'-
ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリアおよび3-アミ
ノ-1H-1,2,4-トリアゾールなどの置換基（官能基）を有
するトリアゾール化合物が挙げられる。
トリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N,N'-
ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリアおよび3-アミ
ノ-1H-1,2,4-トリアゾールなどの置換基（官能基）を有
するトリアゾール化合物が挙げられる。
【００２９】イオウ含有化合物としては、メルカプトベ
ンゾチアゾール、チオシアヌル酸および2-ベンズイミダ
ゾールチオールなどが挙げられる。
ンゾチアゾール、チオシアヌル酸および2-ベンズイミダ
ゾールチオールなどが挙げられる。
【００３０】また、カルボン酸としては、オレイン酸、
リノール酸およびリノレイン酸などのモノカルボン酸が
挙げられる。
リノール酸およびリノレイン酸などのモノカルボン酸が
挙げられる。
【００３１】このような有機系剥離層２３の層厚は、通
常１０〜１０００Å、好ましくは２０〜５００Åの範囲
にあることが望ましい。
常１０〜１０００Å、好ましくは２０〜５００Åの範囲
にあることが望ましい。
【００３２】このような有機系剥離層２３の表面に形成
されている導電性微粒子群２４を構成する導電性微粒子
としては、導電性であれば特に制限はなく、具体的に
は、銅、銀、金、白金、亜鉛、ニッケルなどの金属また
はこれらの金属からなる合金、酸化インジウム、酸化錫
などの無機化合物、ポリアニリンなどの有機化合物が挙
げられる。
されている導電性微粒子群２４を構成する導電性微粒子
としては、導電性であれば特に制限はなく、具体的に
は、銅、銀、金、白金、亜鉛、ニッケルなどの金属また
はこれらの金属からなる合金、酸化インジウム、酸化錫
などの無機化合物、ポリアニリンなどの有機化合物が挙
げられる。
【００３３】これらのうち特に銅または銅合金からなる
ものが好ましい。
ものが好ましい。
【００３４】導電性微粒子群２４は、上記のような単一
の導電性微粒子から構成されても、また２種以上の導電
性物質の混合物微粒子から構成されていてもよい。
の導電性微粒子から構成されても、また２種以上の導電
性物質の混合物微粒子から構成されていてもよい。
【００３５】このような導電性微粒子群２４の厚さ方向
の寸法大きさ(d)は、０．１〜５．０ μｍ、好ましくは
０．２〜３．０μｍ、さらに好ましくは０．２〜２．０
μｍ、特に好ましくは０．５〜１．０μｍにあることが
望ましい。この寸法大きさ（ｄ）は、マイクロメータに
よる厚さの計測または複合箔断面の走査型電子顕微鏡観
察により測定できる。
の寸法大きさ(d)は、０．１〜５．０ μｍ、好ましくは
０．２〜３．０μｍ、さらに好ましくは０．２〜２．０
μｍ、特に好ましくは０．５〜１．０μｍにあることが
望ましい。この寸法大きさ（ｄ）は、マイクロメータに
よる厚さの計測または複合箔断面の走査型電子顕微鏡観
察により測定できる。
【００３６】このような導電性微粒子群２４の形状は特
に制限されるものではないが、房状、ヒゲ状あるいはこ
ぶ状をしていることが好ましい。具体的には、０．１〜
３．０μｍ程度の一次粒子が房状に凝集しているものが
好ましい。
に制限されるものではないが、房状、ヒゲ状あるいはこ
ぶ状をしていることが好ましい。具体的には、０．１〜
３．０μｍ程度の一次粒子が房状に凝集しているものが
好ましい。
【００３７】このような導電性微粒子群２４は、有機系
剥離層上に２〜１０g/m2、好ましくは４〜８g/m2の密度
で形成されていることが望ましい。なお、この導電性微
粒子群中の導電性微粒子は、少なくとも一部が互いに接
合していないことが望ましい。このため、導電性微粒子
群は、互いに離間した導電性微粒子または導電性微粒子
の集合体からなるものであってよい。なお、このような
導電性微粒子群は、たとえば、膜や箔のようにそれ自体
の連続した層として取り出すことができるものとは異な
っている。
剥離層上に２〜１０g/m2、好ましくは４〜８g/m2の密度
で形成されていることが望ましい。なお、この導電性微
粒子群中の導電性微粒子は、少なくとも一部が互いに接
合していないことが望ましい。このため、導電性微粒子
群は、互いに離間した導電性微粒子または導電性微粒子
の集合体からなるものであってよい。なお、このような
導電性微粒子群は、たとえば、膜や箔のようにそれ自体
の連続した層として取り出すことができるものとは異な
っている。
【００３８】本発明では、このような導電性微粒子群２
４の表面に、さらにかぶせメッキ層を有していてもよ
い。かぶせメッキ層を設ける場合、その質量厚さは、導
電性微粒子群とかぶせメッキ層とを合計して、５．０μ
ｍ以下、好ましくは０．１〜３．０μｍ、さらに好まし
くは０．２〜３．０μｍ、特に好ましくは０．５〜１．
０μｍであることが望ましい。
４の表面に、さらにかぶせメッキ層を有していてもよ
い。かぶせメッキ層を設ける場合、その質量厚さは、導
電性微粒子群とかぶせメッキ層とを合計して、５．０μ
ｍ以下、好ましくは０．１〜３．０μｍ、さらに好まし
くは０．２〜３．０μｍ、特に好ましくは０．５〜１．
０μｍであることが望ましい。
【００３９】なお、本発明では、導電性微粒子群が電析
されていない有機系剥離層表面にもかぶせメッキ層が形
成されていてもよい。この場合、有機系剥離層上に直接
形成されるメッキ層は、比較例１で示されるように、レ
ーザ穴明けの障害となるため、あまり厚くならないよう
にする必要がある。このようなかぶせメッキ層の質量厚
さは、導電微粒子群とメッキ層を合計して、５．０μｍ
以下、好ましくは０．１〜３．０μｍ、さらに好ましく
は０．２〜３．０μｍ、特に好ましくは０．５〜１．０
μｍとある値であることが望ましい。
されていない有機系剥離層表面にもかぶせメッキ層が形
成されていてもよい。この場合、有機系剥離層上に直接
形成されるメッキ層は、比較例１で示されるように、レ
ーザ穴明けの障害となるため、あまり厚くならないよう
にする必要がある。このようなかぶせメッキ層の質量厚
さは、導電微粒子群とメッキ層を合計して、５．０μｍ
以下、好ましくは０．１〜３．０μｍ、さらに好ましく
は０．２〜３．０μｍ、特に好ましくは０．５〜１．０
μｍとある値であることが望ましい。
【００４０】かぶせメッキ層としては、特に制限される
ものではないが、導電性微粒子群と同様に銅または銅合
金が望ましい。
ものではないが、導電性微粒子群と同様に銅または銅合
金が望ましい。
【００４１】このようなかぶせメッキ層を導電性微粒子
群表面に有していると、導電性微粒子群と有機系剥離層
との密着性を向上させることができる。このため、基材
樹脂と接着させる成形加工時の加熱、加圧によって、導
電性微粒子が支持体から脱離し、基材樹脂中に埋没した
りすることがない。
群表面に有していると、導電性微粒子群と有機系剥離層
との密着性を向上させることができる。このため、基材
樹脂と接着させる成形加工時の加熱、加圧によって、導
電性微粒子が支持体から脱離し、基材樹脂中に埋没した
りすることがない。
【００４２】かぶせメッキ層は、粒子の埋没を有効に防
止するが、実施例２に示すように、導電性粒子の形状お
よびサイズが基材樹脂への埋没を防止するのに十分適切
である場合には、形成する必要はない。
止するが、実施例２に示すように、導電性粒子の形状お
よびサイズが基材樹脂への埋没を防止するのに十分適切
である場合には、形成する必要はない。
【００４３】このような本発明に係る複合箔は、導電性
微粒子群２４が設けられた面の表面粗度（Rz）が、０．
５〜１０．０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍ、さ
らに好ましくは２．０〜４．５μｍの範囲にあることが
好ましい。なお、本発明における表面粗度は、JIS C 6
515またはIPC-TM-650に記載の方法に準拠して測定され
る。
微粒子群２４が設けられた面の表面粗度（Rz）が、０．
５〜１０．０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍ、さ
らに好ましくは２．０〜４．５μｍの範囲にあることが
好ましい。なお、本発明における表面粗度は、JIS C 6
515またはIPC-TM-650に記載の方法に準拠して測定され
る。
【００４４】また本発明の複合箔は、JIS-C-6481に準拠
した支持体との剥離強度が、１〜２００gf／cm、実用的
には５〜１００gf／cmの範囲にあることが望ましい。複
合箔の剥離強度が前記範囲にあると、本発明の複合箔を
用いて銅張り積層板をプリント配線版の製造に供する際
に、容易に複合箔から導電性支持体を剥離させることが
できる。
した支持体との剥離強度が、１〜２００gf／cm、実用的
には５〜１００gf／cmの範囲にあることが望ましい。複
合箔の剥離強度が前記範囲にあると、本発明の複合箔を
用いて銅張り積層板をプリント配線版の製造に供する際
に、容易に複合箔から導電性支持体を剥離させることが
できる。
【００４５】このような本発明の複合箔における導電性
微粒子および導電性支持体としては、具体的には表１に
示す組合せのものが例示される。
微粒子および導電性支持体としては、具体的には表１に
示す組合せのものが例示される。
【００４６】
【表１】
【００４７】このような本発明に係る複合箔を用いて、
銅張り積層板を作製すると、銅張り積層板の穴開け加工
時にバリが生じることなく、弱いレーザー出力であって
も穴開け加工できるようになり、さらにはファインピッ
チを有するプリント配線板および多層プリント配線板を
容易に作製することができる。
銅張り積層板を作製すると、銅張り積層板の穴開け加工
時にバリが生じることなく、弱いレーザー出力であって
も穴開け加工できるようになり、さらにはファインピッ
チを有するプリント配線板および多層プリント配線板を
容易に作製することができる。
【００４８】複合箔の製造方法 次に、本発明に係る複合箔の製造方法について説明す
る。
る。
【００４９】本発明では、まず導電性支持体表面に有機
系剥離層を形成する。
系剥離層を形成する。
【００５０】使用される導電性支持体としては、前記し
たものと同様のものが挙げられ、銅または銅合金が好ま
しく用いられる。
たものと同様のものが挙げられ、銅または銅合金が好ま
しく用いられる。
【００５１】有機系剥離層を形成する際には、あらかじ
め導電性支持体表面の酸化被膜を除去するための酸洗い
および水洗いを行ってもよい。
め導電性支持体表面の酸化被膜を除去するための酸洗い
および水洗いを行ってもよい。
【００５２】有機系剥離層は、前記したように、チッ素
含有化合物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からな
る群から選択される少なくとも一種の有機化合物から形
成されることが好ましい。導電性支持体表面への有機系
剥離層の形成方法は、この支持体表面に均一な有機系剥
離層が形成できれば特に制限されるものではなく、通
常、浸漬法または塗布法によって行われる。たとえば、
浸漬法によって、有機系剥離層を形成する場合には、ト
リアゾール類などの有機剥離層を形成する化合物からな
る水溶液に導電性支持体を浸漬して有機系剥離層を形成
する。水溶液中の有機化合物の濃度は、たとえば０．０
１〜１重量％であればよく、また浸漬時間は５〜６０秒
間であればよい。濃度が高くなったり、浸漬時間が長く
なったりすることによって本発明の効果が薄れることは
ないものの、経済性、生産性の観点から、前記範囲内に
することが望ましい。
含有化合物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からな
る群から選択される少なくとも一種の有機化合物から形
成されることが好ましい。導電性支持体表面への有機系
剥離層の形成方法は、この支持体表面に均一な有機系剥
離層が形成できれば特に制限されるものではなく、通
常、浸漬法または塗布法によって行われる。たとえば、
浸漬法によって、有機系剥離層を形成する場合には、ト
リアゾール類などの有機剥離層を形成する化合物からな
る水溶液に導電性支持体を浸漬して有機系剥離層を形成
する。水溶液中の有機化合物の濃度は、たとえば０．０
１〜１重量％であればよく、また浸漬時間は５〜６０秒
間であればよい。濃度が高くなったり、浸漬時間が長く
なったりすることによって本発明の効果が薄れることは
ないものの、経済性、生産性の観点から、前記範囲内に
することが望ましい。
【００５３】メッキ浴を用いて、陰極電気分解を行い、
導電性支持体の有機系剥離層上に導電性微粒子を電析さ
せる。陰極電気分解時の電流密度は、浴組成によって適
宜選択され、たとえば１〜５０Ａ／ｄｍ2の電流密度で
陰極電気分解が行われる。メッキ浴としては、ピロリン
酸銅メッキ浴、シアン化銅メッキ浴、酸性硫酸銅メッキ
浴などが使用され、好適には、酸性硫酸銅メッキ浴また
はピロリン酸銅メッキ浴が使用される。
導電性支持体の有機系剥離層上に導電性微粒子を電析さ
せる。陰極電気分解時の電流密度は、浴組成によって適
宜選択され、たとえば１〜５０Ａ／ｄｍ2の電流密度で
陰極電気分解が行われる。メッキ浴としては、ピロリン
酸銅メッキ浴、シアン化銅メッキ浴、酸性硫酸銅メッキ
浴などが使用され、好適には、酸性硫酸銅メッキ浴また
はピロリン酸銅メッキ浴が使用される。
【００５４】酸性硫酸銅メッキ浴によって導電性微粒子
群の電析を行う場合には、銅濃度が５〜６０ｇ／ｌ、硫
酸濃度が５０〜２００ｇ／ｌの硫酸銅メッキ浴を使用す
ることが望ましい。また、メッキ時間は５〜２０秒の範
囲にあることが望ましい。なお、銅濃度が前記範囲を外
れていても、導電性微粒子群を得ることは可能である
が、銅濃度が５ｇ／ｌ未満では、電解メッキが不均一に
なることがあり、６０ｇ／ｌを越えると電流密度を高く
する必要があり、経済上好ましくないことがある。メッ
キ浴の温度は、通常１５〜４０℃の範囲にあることが望
ましい。
群の電析を行う場合には、銅濃度が５〜６０ｇ／ｌ、硫
酸濃度が５０〜２００ｇ／ｌの硫酸銅メッキ浴を使用す
ることが望ましい。また、メッキ時間は５〜２０秒の範
囲にあることが望ましい。なお、銅濃度が前記範囲を外
れていても、導電性微粒子群を得ることは可能である
が、銅濃度が５ｇ／ｌ未満では、電解メッキが不均一に
なることがあり、６０ｇ／ｌを越えると電流密度を高く
する必要があり、経済上好ましくないことがある。メッ
キ浴の温度は、通常１５〜４０℃の範囲にあることが望
ましい。
【００５５】このような硫酸銅メッキ浴中に、必要に応
じて、α-ナフトキノリン、デキストリン、ニカワ、Ｐ
ＶＡ、トリエタノールアミン、チオ尿素などの添加剤
が、０．５〜２０ppmの量で添加されていてもよい。こ
のような添加剤が添加されていると、導電性微粒子群を
構成する一次粒子の形状を制御することができる。
じて、α-ナフトキノリン、デキストリン、ニカワ、Ｐ
ＶＡ、トリエタノールアミン、チオ尿素などの添加剤
が、０．５〜２０ppmの量で添加されていてもよい。こ
のような添加剤が添加されていると、導電性微粒子群を
構成する一次粒子の形状を制御することができる。
【００５６】本発明では、導電性支持体上の有機系剥離
層上に、電着物を電析させたのち、さらに電着物表面に
電解メッキを行い、導電性微粒子群表面にかぶせメッキ
層を形成してもよい。
層上に、電着物を電析させたのち、さらに電着物表面に
電解メッキを行い、導電性微粒子群表面にかぶせメッキ
層を形成してもよい。
【００５７】この電解メッキの条件としては、特に制限
されるものではないが、通常、銅濃度が５０〜８０ｇ／
ｌ、硫酸濃度が５０〜１５０ｇ／ｌ、液温が４０〜５０
℃の硫酸銅メッキ浴を使用することが望ましい。また、
電流密度は１０〜５０A／ｄｍ2の範囲にあることが望ま
しく、メッキ時間は５〜６０秒の範囲にあることが望ま
しい。
されるものではないが、通常、銅濃度が５０〜８０ｇ／
ｌ、硫酸濃度が５０〜１５０ｇ／ｌ、液温が４０〜５０
℃の硫酸銅メッキ浴を使用することが望ましい。また、
電流密度は１０〜５０A／ｄｍ2の範囲にあることが望ま
しく、メッキ時間は５〜６０秒の範囲にあることが望ま
しい。
【００５８】また、ピロリン酸銅メッキ浴を使用するこ
とによっても、かぶせメッキ層を形成することもでき
る。このときのメッキ条件は特に制限されるものではな
いが、銅濃度が１０〜５０ｇ／ｌ、ピロリン酸カリウム
濃度が１００〜７００ｇ／ｌの範囲にあることが望まし
い。またメッキ浴のpHは、８〜１２が望ましく、電流密
度は３〜１５A／ｄｍ2の範囲にあることが望ましい。ま
た、メッキ時間は３〜８０秒の範囲にあることが望まし
い。なお、かぶせメッキ層を形成する際に、導電性微粒
子群が電析していない有機系剥離層表面にかぶせメッキ
層が形成されることもある。
とによっても、かぶせメッキ層を形成することもでき
る。このときのメッキ条件は特に制限されるものではな
いが、銅濃度が１０〜５０ｇ／ｌ、ピロリン酸カリウム
濃度が１００〜７００ｇ／ｌの範囲にあることが望まし
い。またメッキ浴のpHは、８〜１２が望ましく、電流密
度は３〜１５A／ｄｍ2の範囲にあることが望ましい。ま
た、メッキ時間は３〜８０秒の範囲にあることが望まし
い。なお、かぶせメッキ層を形成する際に、導電性微粒
子群が電析していない有機系剥離層表面にかぶせメッキ
層が形成されることもある。
【００５９】このようにかぶせメッキ層が形成されてい
ると、基材樹脂と接着させる成形加工時の加熱、加圧に
よって、導電性微粒子が基材樹脂中に埋没したりするこ
とがない。
ると、基材樹脂と接着させる成形加工時の加熱、加圧に
よって、導電性微粒子が基材樹脂中に埋没したりするこ
とがない。
【００６０】このようして製造された複合箔にはさらに
防錆処理が施されていてもよい。防錆処理としては、た
とえば亜鉛およびクロメートなどの従来公知の防錆処理
が挙げられる。 ［積層板およびプリント配線板］本発明に係る銅張り積
層板は、以上のような本発明に係る複合箔を用いて形成
される。
防錆処理が施されていてもよい。防錆処理としては、た
とえば亜鉛およびクロメートなどの従来公知の防錆処理
が挙げられる。 ［積層板およびプリント配線板］本発明に係る銅張り積
層板は、以上のような本発明に係る複合箔を用いて形成
される。
【００６１】具体的には、上記複合箔を導電性微粒子群
と絶縁性樹脂基材とが対峙するようにして接着させるこ
とによって得ることができる。
と絶縁性樹脂基材とが対峙するようにして接着させるこ
とによって得ることができる。
【００６２】絶縁性樹脂基材としては、特に限定される
ものではなく、ガラスエポキシ基材、ガラスポリイミド
基材、ガラスポリエステル基材、アラミドエポキシ基
材、紙−フェノール基材、紙−エポキシ基材などが挙げ
られる。
ものではなく、ガラスエポキシ基材、ガラスポリイミド
基材、ガラスポリエステル基材、アラミドエポキシ基
材、紙−フェノール基材、紙−エポキシ基材などが挙げ
られる。
【００６３】複合箔と絶縁性樹脂基材との接着は、通常
１５５〜２３０℃の温度で、１５〜１５０kgf/cm2の圧
力をかけて行うことが望ましい。
１５５〜２３０℃の温度で、１５〜１５０kgf/cm2の圧
力をかけて行うことが望ましい。
【００６４】また、本発明に係る積層板では、上記複合
箔の導電性微粒子群と絶縁性樹脂基材とを接着させたの
ち、導電性支持体のみを脱離させてもよい。
箔の導電性微粒子群と絶縁性樹脂基材とを接着させたの
ち、導電性支持体のみを脱離させてもよい。
【００６５】なお、本発明では、複合箔を絶縁性樹脂基
材と接着させたものを、支持体付積層板と呼ぶこともあ
り、また支持体付積層板から導電性支持体を脱離させた
ものを支持体なし積層板と呼ぶこともある。
材と接着させたものを、支持体付積層板と呼ぶこともあ
り、また支持体付積層板から導電性支持体を脱離させた
ものを支持体なし積層板と呼ぶこともある。
【００６６】この銅張り積層板から導電性支持体を引き
剥がすと、導電性微粒子群と絶縁性樹脂基材とから形成
された支持体なし銅張り積層板（本発明では、この支持
体なし銅張り積層板を、単に銅張り積層板ということも
ある）が得られる。こうして得られた支持体なし銅張り
積層板では、レーザー加工によってバイアホールの穴開
け処理を行う際に、導電性微粒子群に穴開け加工するの
で、従来の銅箔が外層として使用された銅張り積層板と
は異なり、バイアホール端部にバリを発生することがな
い。また、このような導電性微粒子群への穴開けは、従
来の銅箔に穴開けをする場合に比べて、弱い出力のレー
ザーを使用しても行うことができる。
剥がすと、導電性微粒子群と絶縁性樹脂基材とから形成
された支持体なし銅張り積層板（本発明では、この支持
体なし銅張り積層板を、単に銅張り積層板ということも
ある）が得られる。こうして得られた支持体なし銅張り
積層板では、レーザー加工によってバイアホールの穴開
け処理を行う際に、導電性微粒子群に穴開け加工するの
で、従来の銅箔が外層として使用された銅張り積層板と
は異なり、バイアホール端部にバリを発生することがな
い。また、このような導電性微粒子群への穴開けは、従
来の銅箔に穴開けをする場合に比べて、弱い出力のレー
ザーを使用しても行うことができる。
【００６７】本発明に係るプリント配線板の形成方法と
しては、特に限定されるものではなく、たとえば、パネ
ルメッキ法、パターンメッキ法などを採用することがで
きる。
しては、特に限定されるものではなく、たとえば、パネ
ルメッキ法、パターンメッキ法などを採用することがで
きる。
【００６８】パネルメッキ法では、たとえば図２に示す
製造工程を経て、プリント配線板が作製される。具体的
には、まず、図２（ａ）に示されるように上記複合箔と
絶縁性樹脂基材とを接着させたのち、導電性支持体のみ
を除去して、表面に導電性微粒子群２４を有する積層板
３１にレーザーを照射して、図２（ｂ）に示されるよう
に穴あけ加工してバイアホール３２を形成する。こうし
て形成されたバイアホール表面および銅張り積層板表面
に無電解メッキおよび電解メッキを行い、図２（ｃ）に
示されるようにメッキ層３３を形成する。得られたメッ
キ層３３表面に、図２（ｄ）に示されるように回路形成
用のレジスト３４をパターン状に形成し、図２（ｅ）に
示されるように回路以外の部分のメッキ層３３を、エッ
チングによって除去したのち、図２（ｆ）に示されるよ
うにレジストを除去して回路３３を形成する。
製造工程を経て、プリント配線板が作製される。具体的
には、まず、図２（ａ）に示されるように上記複合箔と
絶縁性樹脂基材とを接着させたのち、導電性支持体のみ
を除去して、表面に導電性微粒子群２４を有する積層板
３１にレーザーを照射して、図２（ｂ）に示されるよう
に穴あけ加工してバイアホール３２を形成する。こうし
て形成されたバイアホール表面および銅張り積層板表面
に無電解メッキおよび電解メッキを行い、図２（ｃ）に
示されるようにメッキ層３３を形成する。得られたメッ
キ層３３表面に、図２（ｄ）に示されるように回路形成
用のレジスト３４をパターン状に形成し、図２（ｅ）に
示されるように回路以外の部分のメッキ層３３を、エッ
チングによって除去したのち、図２（ｆ）に示されるよ
うにレジストを除去して回路３３を形成する。
【００６９】本発明に係るプリント配線板では、上記し
たような複合箔の導電性微粒子が銅張り積層板表面に設
けられているため、形成された回路が薄くなり、ファイ
ンピッチを有する回路を容易に形成できる。また、電気
回路形成用複合材料の導電性微粒子群が絶縁性樹脂層表
面に設けられているので、金属箔を使用した場合のよう
に、レーザー加工時、バイアホールの端部にバリが生じ
ることがなく、このためバイアホール端部のバリ部分が
肥大化したり、レジストの密着不良が生じたり、さらに
はエッチング不足などの問題を引き起こすことがない。
このため、予め穴開け部分を、エッチングなどによっ
て、除去しておく必要もない。また、このようなレーザ
ーによる穴開けを従来から提案されているレーザーより
も弱い出力のレーザーを用いて行うことができる。
たような複合箔の導電性微粒子が銅張り積層板表面に設
けられているため、形成された回路が薄くなり、ファイ
ンピッチを有する回路を容易に形成できる。また、電気
回路形成用複合材料の導電性微粒子群が絶縁性樹脂層表
面に設けられているので、金属箔を使用した場合のよう
に、レーザー加工時、バイアホールの端部にバリが生じ
ることがなく、このためバイアホール端部のバリ部分が
肥大化したり、レジストの密着不良が生じたり、さらに
はエッチング不足などの問題を引き起こすことがない。
このため、予め穴開け部分を、エッチングなどによっ
て、除去しておく必要もない。また、このようなレーザ
ーによる穴開けを従来から提案されているレーザーより
も弱い出力のレーザーを用いて行うことができる。
【００７０】また、パターンメッキ法では、たとえば図
３に示す製造工程を経て、プリント配線板が作製され
る。具体的には、図３（ａ）に示されるように、導電性
微粒子２３が絶縁性樹脂層の表面に設けられてなる積層
板４１に、直接レーザーを照射して穴あけ加工し、図３
（ｂ）に示されるようにバイアホール４２を形成する。
次に、図３（ｃ）に示されるように無電解メッキをバイ
アホール内を含む全面に施し、メッキ層４３を形成した
後、図３（ｄ）に示されるように回路形成用のレジスト
４４をパターン状に形成したのち、図３（ｅ）に示され
るように電解メッキにより所定厚みの回路４５を形成す
る。その後、表面のレジスト４４を除去し、さらに全面
をエッチングし、特に回路以外の部分の無電解メッキ層
４３および導電性微粒子群をエッチングにより除去（こ
れをフラッシュエッチングということもある）して、図
３（ｆ）に示されるように回路４５を形成する。このプ
ロセスにおいて、レジスト除去前の回路表面に、スズ、
鉛などのはんだメッキを施し、エッチングレジストとし
てもよい。
３に示す製造工程を経て、プリント配線板が作製され
る。具体的には、図３（ａ）に示されるように、導電性
微粒子２３が絶縁性樹脂層の表面に設けられてなる積層
板４１に、直接レーザーを照射して穴あけ加工し、図３
（ｂ）に示されるようにバイアホール４２を形成する。
次に、図３（ｃ）に示されるように無電解メッキをバイ
アホール内を含む全面に施し、メッキ層４３を形成した
後、図３（ｄ）に示されるように回路形成用のレジスト
４４をパターン状に形成したのち、図３（ｅ）に示され
るように電解メッキにより所定厚みの回路４５を形成す
る。その後、表面のレジスト４４を除去し、さらに全面
をエッチングし、特に回路以外の部分の無電解メッキ層
４３および導電性微粒子群をエッチングにより除去（こ
れをフラッシュエッチングということもある）して、図
３（ｆ）に示されるように回路４５を形成する。このプ
ロセスにおいて、レジスト除去前の回路表面に、スズ、
鉛などのはんだメッキを施し、エッチングレジストとし
てもよい。
【００７１】このようなパネルメッキ法、パターンメッ
キ法のいずれを用いても、形成された配線層と絶縁性樹
脂との密着性が優れ、かつ耐熱性にも優れたプリント配
線板を作製することができる。
キ法のいずれを用いても、形成された配線層と絶縁性樹
脂との密着性が優れ、かつ耐熱性にも優れたプリント配
線板を作製することができる。
【００７２】また、本発明では、以上のようなプリント
配線板を内層回路付基板として使用し、さらに、絶縁性
樹脂層を介して、本発明に係る複合箔とを接着し、電気
回路形成用複合複合材料から導電性支持体を除去して、
銅張り積層板の表面に導電性微粒子群を設け、次いでバ
イアホールおよび回路を形成し、メッキを行って、多層
プリント配線板を得ることができる。
配線板を内層回路付基板として使用し、さらに、絶縁性
樹脂層を介して、本発明に係る複合箔とを接着し、電気
回路形成用複合複合材料から導電性支持体を除去して、
銅張り積層板の表面に導電性微粒子群を設け、次いでバ
イアホールおよび回路を形成し、メッキを行って、多層
プリント配線板を得ることができる。
【００７３】このような操作をさらに繰り返すことによ
って、多層プリント配線板の層数をさらに増やすことが
できる。
って、多層プリント配線板の層数をさらに増やすことが
できる。
【００７４】
【発明の効果】本発明の複合箔を用いて銅張り積層板を
形成すれば、絶縁性樹脂層の表面に極めて薄い導電性微
粒子群を設けることができ、ドリル加工、レーザー加工
またはこれらに類似した方法によって銅張り積層板の穴
開け加工する際のバリの発生などの問題が解消される。
しかも穴開け加工を、従来提案されている出力のものよ
りも弱いレーザー出力のものであっても行うことができ
る。さらにこのような本発明の複合箔を使用すると、回
路の厚さを薄くすることできるので、ファインピッチを
有するプリント配線板を効率よく作成することができ
る。その上本発明の複合箔を用いると、絶縁性樹脂層と
回路との間に充分な接着力を付与することができる。
形成すれば、絶縁性樹脂層の表面に極めて薄い導電性微
粒子群を設けることができ、ドリル加工、レーザー加工
またはこれらに類似した方法によって銅張り積層板の穴
開け加工する際のバリの発生などの問題が解消される。
しかも穴開け加工を、従来提案されている出力のものよ
りも弱いレーザー出力のものであっても行うことができ
る。さらにこのような本発明の複合箔を使用すると、回
路の厚さを薄くすることできるので、ファインピッチを
有するプリント配線板を効率よく作成することができ
る。その上本発明の複合箔を用いると、絶縁性樹脂層と
回路との間に充分な接着力を付与することができる。
【００７５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明するが、
本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではな
い。
本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではな
い。
【００７６】
【実施例１】導電性支持体として、厚さ３５μｍの電解
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
【００７７】次いで、形成された有機系剥離層の表面を
水洗したのち、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１７０ｇ／
ｌ、浴温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５Ａ／
ｄｍ 2で７秒間陰極電解し、導電性微粒子群を有機系剥
離層上に形成させた。
水洗したのち、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１７０ｇ／
ｌ、浴温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５Ａ／
ｄｍ 2で７秒間陰極電解し、導電性微粒子群を有機系剥
離層上に形成させた。
【００７８】このようにして導電性微粒子群が生成した
複合箔を、銅濃度が７５ｇ／ｌであり、硫酸濃度が８０
ｇ／ｌであり、かつ浴温５０℃のメッキ浴を用いて、電
流密度３０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、電着物上
にかぶせメッキ層を形成し、こぶ状の導電性微粒子群と
した。得られたかぶせメッキ層形成後の導電性微粒子群
の大きさは１．５μｍ程度であった。
複合箔を、銅濃度が７５ｇ／ｌであり、硫酸濃度が８０
ｇ／ｌであり、かつ浴温５０℃のメッキ浴を用いて、電
流密度３０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、電着物上
にかぶせメッキ層を形成し、こぶ状の導電性微粒子群と
した。得られたかぶせメッキ層形成後の導電性微粒子群
の大きさは１．５μｍ程度であった。
【００７９】こうして得られた複合箔にさらに亜鉛、ク
ロメートの防錆処理を行った。
ロメートの防錆処理を行った。
【００８０】
【実施例２】導電性支持体として、厚さ３５μｍの電解
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
【００８１】次いで、形成された有機系剥離層の表面を
水洗したのち、銅濃度が１７ｇ／ｌであり、硫酸濃度が
１２０ｇ／ｌであり、かつα-ナフトキノリンを４ppmの
量で含む浴温２０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５
Ａ／ｄｍ2で７秒間陰極電解し、ヒゲ状の導電性微粒子
群（大きさ０．６μｍ）を形成させた。
水洗したのち、銅濃度が１７ｇ／ｌであり、硫酸濃度が
１２０ｇ／ｌであり、かつα-ナフトキノリンを４ppmの
量で含む浴温２０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５
Ａ／ｄｍ2で７秒間陰極電解し、ヒゲ状の導電性微粒子
群（大きさ０．６μｍ）を形成させた。
【００８２】導電性微粒子群電析後、さらに、実施例１
と同様の条件で、防錆処理を行い、複合箔を作製した。
と同様の条件で、防錆処理を行い、複合箔を作製した。
【００８３】
【実施例３】導電性支持体として、厚さ３５μｍの電解
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
【００８４】次いで、形成された有機系剥離層の表面を
水洗したのち、銅濃度が２０ｇ／ｌであり、硫酸濃度７
０ｇ／ｌであり、かつ浴温４０℃のメッキ浴を用いて、
電流密度２０Ａ／ｄｍ2で５秒間陰極電解し、導電性微
粒子群を形成させた。
水洗したのち、銅濃度が２０ｇ／ｌであり、硫酸濃度７
０ｇ／ｌであり、かつ浴温４０℃のメッキ浴を用いて、
電流密度２０Ａ／ｄｍ2で５秒間陰極電解し、導電性微
粒子群を形成させた。
【００８５】さらに電着物が生成した複合箔を、銅７５
ｇ／ｌ、硫酸８０ｇ／ｌ、浴温５０℃のメッキ浴を用い
て、電流密度３０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、導
電性微粒子群上にかぶせメッキ層を形成し、房状の導電
性微粒子群を得た。得られたかぶせメッキ層形成後の導
電性微粒子群の大きさは２．３μｍ程度であった。
ｇ／ｌ、硫酸８０ｇ／ｌ、浴温５０℃のメッキ浴を用い
て、電流密度３０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、導
電性微粒子群上にかぶせメッキ層を形成し、房状の導電
性微粒子群を得た。得られたかぶせメッキ層形成後の導
電性微粒子群の大きさは２．３μｍ程度であった。
【００８６】その後、実施例１と同様に防錆処理を行っ
た。
た。
【００８７】
【実施例４〜６】前記実施例１〜３で得られた複合箔を
厚さ０．１ｍｍのＢＴ樹脂基材（三菱瓦斯化学（株）社
製）に、複合箔の導電性微粒子群電析面がＢＴ樹脂基材
とが対峙するようにして積層し、２００℃、２５kgf/cm
2の条件で３５分間加熱 圧着させて成形した。この成形
体から導電性支持体として使用された銅箔を引き剥がす
ときの引き剥がし強度（JIS-C-6481に準拠）を測定した
ところ、いずれも９〜１２gf/cmであった。
厚さ０．１ｍｍのＢＴ樹脂基材（三菱瓦斯化学（株）社
製）に、複合箔の導電性微粒子群電析面がＢＴ樹脂基材
とが対峙するようにして積層し、２００℃、２５kgf/cm
2の条件で３５分間加熱 圧着させて成形した。この成形
体から導電性支持体として使用された銅箔を引き剥がす
ときの引き剥がし強度（JIS-C-6481に準拠）を測定した
ところ、いずれも９〜１２gf/cmであった。
【００８８】このため、実施例１〜３で得られた複合箔
は、銅箔を容易に引き剥がすことが可能で、かつ適度な
接着力を有していることが判明した。
は、銅箔を容易に引き剥がすことが可能で、かつ適度な
接着力を有していることが判明した。
【００８９】次に積層板全面に銅の無電解メッキを施
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ１
８μｍの銅層を形成した。こうして得られた積層板にエ
ッチングを行い、線幅／線間＝３０μｍ／３０μｍの回
路を形成した。このときのエッチング性は良好であり、
作製した複合箔は微細な回路形成に非常に優れているこ
とが判明した。
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ１
８μｍの銅層を形成した。こうして得られた積層板にエ
ッチングを行い、線幅／線間＝３０μｍ／３０μｍの回
路を形成した。このときのエッチング性は良好であり、
作製した複合箔は微細な回路形成に非常に優れているこ
とが判明した。
【００９０】
【実施例７〜９】厚さ０．５mmのFR-４基材（松下電工
（株）製、R-1766）の両面に１８μ厚の内層回路を形成
し、黒化処理を施したのち、内層回路の両面に、実施例
１〜３で作製した複合箔を、それぞれ導電性微粒子群電
析面が対峙するように、FR-4基材をはさんで、積み重
ね、１８０℃で６０分間、圧力２０kgf/cm2の真空プレ
スを用いて成型し、支持体銅箔を剥離して、内層回路入
り４層板を作製した。
（株）製、R-1766）の両面に１８μ厚の内層回路を形成
し、黒化処理を施したのち、内層回路の両面に、実施例
１〜３で作製した複合箔を、それぞれ導電性微粒子群電
析面が対峙するように、FR-4基材をはさんで、積み重
ね、１８０℃で６０分間、圧力２０kgf/cm2の真空プレ
スを用いて成型し、支持体銅箔を剥離して、内層回路入
り４層板を作製した。
【００９１】こうして作製された内層回路入り４層板外
層における導電性微粒子群接着面の所定の位置に、炭酸
ガスレーザー（三菱電機（株）社製、ML505DT）を用い
て、ビーム径２２０μｍ、電流１２Ａ、パルス幅５０μ
secの条件で４ショット照射してバイアホールを形成し
た。
層における導電性微粒子群接着面の所定の位置に、炭酸
ガスレーザー（三菱電機（株）社製、ML505DT）を用い
て、ビーム径２２０μｍ、電流１２Ａ、パルス幅５０μ
secの条件で４ショット照射してバイアホールを形成し
た。
【００９２】いずれの内層回路入り４層板においてもバ
イアホール端部にバリは生じていなかった。
イアホール端部にバリは生じていなかった。
【００９３】
【比較例１】導電性支持体として、厚さ３５μｍの電解
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
銅箔を用意し、その光沢面を４０℃のカルボキシベンゾ
トリアゾール１０ｇ／ｌ水溶液に３０秒間浸漬し、支持
体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
【００９４】次いで、形成された有機系剥離層の表面を
水洗したのち、銅濃度８０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、浴
温５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で５０秒間陰極電解し、約６μｍ厚の極薄銅箔を形成し
た。
水洗したのち、銅濃度８０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、浴
温５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2
で５０秒間陰極電解し、約６μｍ厚の極薄銅箔を形成し
た。
【００９５】このようにして形成された極薄銅箔表面を
水洗し粗面化のために、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１
７０ｇ／ｌ、浴温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度
１５Ａ／ｄｍ2で７秒間陰極電解し、極薄銅箔上に導電
性微粒子群を生成させたのち、さらに銅７５ｇ／ｌ、硫
酸８０ｇ／ｌ、５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度３
０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、導電性微粒子群上
にかぶせメッキ層を形成した。
水洗し粗面化のために、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１
７０ｇ／ｌ、浴温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度
１５Ａ／ｄｍ2で７秒間陰極電解し、極薄銅箔上に導電
性微粒子群を生成させたのち、さらに銅７５ｇ／ｌ、硫
酸８０ｇ／ｌ、５０℃のメッキ浴を用いて、電流密度３
０Ａ／ｄｍ2で１０秒間陰極電解し、導電性微粒子群上
にかぶせメッキ層を形成した。
【００９６】得られた複合箔にさらに亜鉛、クロメート
の防錆処理を行ったのち、複合箔を厚さ０．１ｍｍのＢ
Ｔ樹脂基材（三菱瓦斯化学（株）社製）に、導電性微粒
子群が形成された極薄銅箔とＢＴ樹脂基材とが対峙する
ように積層し、２００℃、２５kgf/cm2の条件で３５分
間加熱圧着させて成形した。この成形体から導電性支持
体として使用された銅箔を引き剥がすときの引き剥がし
強度（JIS-C-6481に準拠）を測定したところ、１０gf/c
mであった。このため、得られた複合箔は、成形体から
導電性支持体の銅箔を容易に引き剥がすことが可能であ
り、かつ適度な接着力を有していることが判明した。
の防錆処理を行ったのち、複合箔を厚さ０．１ｍｍのＢ
Ｔ樹脂基材（三菱瓦斯化学（株）社製）に、導電性微粒
子群が形成された極薄銅箔とＢＴ樹脂基材とが対峙する
ように積層し、２００℃、２５kgf/cm2の条件で３５分
間加熱圧着させて成形した。この成形体から導電性支持
体として使用された銅箔を引き剥がすときの引き剥がし
強度（JIS-C-6481に準拠）を測定したところ、１０gf/c
mであった。このため、得られた複合箔は、成形体から
導電性支持体の銅箔を容易に引き剥がすことが可能であ
り、かつ適度な接着力を有していることが判明した。
【００９７】この複合箔を用いて、実施例７〜９と同様
にして、内層回路入り４層板を作製したのち、作製した
内層回路入り４層板外層における極薄銅箔面の所定の位
置に、炭酸ガスレーザー（三菱電機（株）社製、ML505D
T）を用いて、ビーム径２２０μｍ、電流１２Ａ、パル
ス幅５０μsecの条件で４ショット照射してバイアホー
ルを形成したところ、バイアホール端部に銅のバリが観
察された。
にして、内層回路入り４層板を作製したのち、作製した
内層回路入り４層板外層における極薄銅箔面の所定の位
置に、炭酸ガスレーザー（三菱電機（株）社製、ML505D
T）を用いて、ビーム径２２０μｍ、電流１２Ａ、パル
ス幅５０μsecの条件で４ショット照射してバイアホー
ルを形成したところ、バイアホール端部に銅のバリが観
察された。
【００９８】
【実施例１０】導電性支持体として、厚さ３５μｍの電
解銅箔を用意し、その光沢面を硫酸１００g/lの濃度で
含む洗浄液中で、３０秒間洗浄した。硫酸洗浄後、銅箔
を精製水で水洗した。洗浄した銅箔の光沢面を液温４０
℃、濃度５ｇ／ｌのトリアジンチオール水溶液に３０秒
間浸漬し、支持体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
解銅箔を用意し、その光沢面を硫酸１００g/lの濃度で
含む洗浄液中で、３０秒間洗浄した。硫酸洗浄後、銅箔
を精製水で水洗した。洗浄した銅箔の光沢面を液温４０
℃、濃度５ｇ／ｌのトリアジンチオール水溶液に３０秒
間浸漬し、支持体銅箔表面に有機系剥離層を形成した。
【００９９】次いで、形成された有機系剥離層の表面を
水洗したのち、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１７０ｇ／
ｌ、液温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５Ａ／
ｄｍ 2で８秒間電解し、銅の導電性微粒子群を有機系剥
離層表面に電着させた。さらに、銅濃度が７５ｇ／ｌで
あり、硫酸濃度が８０ｇ／ｌであり、かつ液温５０℃の
メッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３０秒間
電解し、導電性微粒子群の上に銅のかぶせメッキ層を形
成した。
水洗したのち、銅濃度１０ｇ／ｌ、硫酸濃度１７０ｇ／
ｌ、液温３０℃のメッキ浴を用いて、電流密度１５Ａ／
ｄｍ 2で８秒間電解し、銅の導電性微粒子群を有機系剥
離層表面に電着させた。さらに、銅濃度が７５ｇ／ｌで
あり、硫酸濃度が８０ｇ／ｌであり、かつ液温５０℃の
メッキ浴を用いて、電流密度３０Ａ／ｄｍ2で３０秒間
電解し、導電性微粒子群の上に銅のかぶせメッキ層を形
成した。
【０１００】こうして得られた電気回路形成用複合材料
は、水洗処理を行った後、防錆処理を施し、乾燥した。
は、水洗処理を行った後、防錆処理を施し、乾燥した。
【０１０１】なお、得られたかぶせメッキ層を有する導
電性微粒子群の大きさは、電気回路形成用複合材料の厚
さ方向で１．０μｍであった。
電性微粒子群の大きさは、電気回路形成用複合材料の厚
さ方向で１．０μｍであった。
【０１０２】また、かぶせメッキ層を有する導電性微粒
子群が形成された面の表面粗度（Rz）は、２．２μｍで
あった。 ［積層板］上記得られた電気回路形成用複合材料を、
０．１mm厚のFR-4基材４枚に、かぶせメッキ層を有する
導電性微粒子群と基材とが対峙するように積層し、１７
５℃、２５kg/cm2の条件下で６０分間加圧・加熱して、
積層板を作製した。
子群が形成された面の表面粗度（Rz）は、２．２μｍで
あった。 ［積層板］上記得られた電気回路形成用複合材料を、
０．１mm厚のFR-4基材４枚に、かぶせメッキ層を有する
導電性微粒子群と基材とが対峙するように積層し、１７
５℃、２５kg/cm2の条件下で６０分間加圧・加熱して、
積層板を作製した。
【０１０３】得られた積層板から、支持体銅箔を引き剥
がして除去した後、積層板全面に銅の無電解メッキを施
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ３
５μｍの銅層を形成したのち、パターン状レジストを形
成し、次いでエッチングを行い１０μｍ幅の回路を有す
る評価試料を作製し、JIS C 6481に準拠して引き剥がし
強度の評価を行った。密着性 得られた評価試料の回路と基材(FR-4)との引き剥がし強
度を測定したところ、引き剥がし強度は１．３５kg/cm
であり、形成された回路は基材と十分な接着強度を有し
ていた。耐熱性 得られた評価試料を１６０℃のはんだ浴に２０秒間フロ
ートさせ、基材と回路との引き剥がし強度を測定した。
がして除去した後、積層板全面に銅の無電解メッキを施
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ３
５μｍの銅層を形成したのち、パターン状レジストを形
成し、次いでエッチングを行い１０μｍ幅の回路を有す
る評価試料を作製し、JIS C 6481に準拠して引き剥がし
強度の評価を行った。密着性 得られた評価試料の回路と基材(FR-4)との引き剥がし強
度を測定したところ、引き剥がし強度は１．３５kg/cm
であり、形成された回路は基材と十分な接着強度を有し
ていた。耐熱性 得られた評価試料を１６０℃のはんだ浴に２０秒間フロ
ートさせ、基材と回路との引き剥がし強度を測定した。
【０１０４】その結果、引き剥がし強度は１．３５kg/c
mであり、はんだフロート以前のと引き剥がし強度はほ
とんど変化がなく、得られた評価試料は耐熱性に優れて
いることが判明した。 ［プリント配線板］上記得られた電気回路形成用複合材
料を、０．１mm厚のFR-4基材４枚に、導電性微粒子群と
基材とが対峙するように積層し、１７５℃、２５kg/cm2
の条件下で６０分間加圧・加熱して、積層板を作製し
た。
mであり、はんだフロート以前のと引き剥がし強度はほ
とんど変化がなく、得られた評価試料は耐熱性に優れて
いることが判明した。 ［プリント配線板］上記得られた電気回路形成用複合材
料を、０．１mm厚のFR-4基材４枚に、導電性微粒子群と
基材とが対峙するように積層し、１７５℃、２５kg/cm2
の条件下で６０分間加圧・加熱して、積層板を作製し
た。
【０１０５】この積層板より導電性支持体を除去して、
炭酸ガスレーザーを用いて穴開け加工したところ、穴開
け部にはバリの発生は観察されなかった。
炭酸ガスレーザーを用いて穴開け加工したところ、穴開
け部にはバリの発生は観察されなかった。
【０１０６】次に積層板全面に銅の無電解メッキを施
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ１
８μｍの銅層を形成した。こうして得られた積層板にエ
ッチングを行い、線幅／線間＝３０μｍ／３０μｍの回
路を形成した。このときのエッチング性は良好であり、
作製した電気回路形成用複合材料は微細な回路形成に非
常に優れていることが判明した。
し、さらに電解メッキを行い、積層板表面に合計厚さ１
８μｍの銅層を形成した。こうして得られた積層板にエ
ッチングを行い、線幅／線間＝３０μｍ／３０μｍの回
路を形成した。このときのエッチング性は良好であり、
作製した電気回路形成用複合材料は微細な回路形成に非
常に優れていることが判明した。
【図１】図１は、本発明に係る複合箔の一態様を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る複合箔の一態様を用いた
プリント配線板の製造工程を示す図である。
プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図３】図３は、本発明に係る複合箔の一態様を用いた
他のプリント配線板の製造工程を示す図である。
他のプリント配線板の製造工程を示す図である。
２１…複合箔 ２２…支持体 ２３…有機系剥離層 ２４…導電性微粒子群
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山 本 拓 也 埼玉県上尾市鎌倉橋656−２ 三井金属鉱 業株式会社銅箔事業部内 (72)発明者 岩 切 健一郎 埼玉県上尾市鎌倉橋656−２ 三井金属鉱 業株式会社銅箔事業部内 (72)発明者 樋 口 勉 埼玉県上尾市鎌倉橋656−２ 三井金属鉱 業株式会社銅箔事業部内
Claims (15)
- 【請求項１】導電性支持体と、 該支持体表面に設けられた有機系剥離層と、 該有機系剥離層上に形成された導電性微粒子群とからな
ることを特徴とする複合箔。 - 【請求項２】導電性微粒子群が、その表面にかぶせメッ
キ層を有する請求項１に記載の複合箔。 - 【請求項３】導電性微粒子群が、銅または銅合金からな
ることを特徴とする請求項１に記載の複合箔。 - 【請求項４】導電性微粒子群の厚さ方向の寸法が０．１
〜５．０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１に
記載の複合箔。 - 【請求項５】前記支持体が銅箔または銅合金箔であるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の複合
箔。 - 【請求項６】導電性微粒子群が設けられた面の表面粗度
（Rz）が、０．５〜１０．０μｍの範囲にあることを特
徴とする請求項１に記載の複合箔。 - 【請求項７】前記有機系剥離層がチッ素含有化合物、イ
オウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から選択さ
れる少なくとも一種の有機化合物からなることを特徴と
する請求項１〜６のいずれかに記載の複合箔。 - 【請求項８】導電性微粒子群が、房状、こぶ状、ヒゲ状
の導電性微粒子からなることを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載の複合箔。 - 【請求項９】導電性支持体表面に有機系剥離層を形成し
たのち、 該支持体の有機系剥離層上に、メッキ浴を用いて、１０
〜５０Ａ／ｄｍ2の電流密度で導電性微粒子群を電析さ
せることを特徴とする複合箔の製造方法。 - 【請求項１０】前記支持体が銅箔または銅合金箔である
ことを特徴とする請求項９に記載の複合箔の製造方法。 - 【請求項１１】前記有機系剥離層が、チッ素含有化合
物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群から
選択される少なくとも一種の有機化合物からなることを
特徴とする請求項９に記載の複合箔の製造方法。 - 【請求項１２】導電性微粒子群が、房状、こぶ状、ヒゲ
状であることを特徴とする請求項９に記載の複合箔の製
造方法。 - 【請求項１３】請求項１〜７のいずれかに記載の複合箔
を基材表面に接合してなる銅張り積層板。 - 【請求項１４】請求項１〜７のいずれかに記載の複合箔
を基材表面に接合したのち、導電性支持体のみを除去し
てなる銅張り積層板。 - 【請求項１５】請求項１３または１４に記載の銅張り積
層板を用いて形成されたプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29848299A JP3615973B2 (ja) | 1998-10-21 | 1999-10-20 | 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31841998 | 1998-10-21 | ||
| JP10-318419 | 1998-10-21 | ||
| JP29848299A JP3615973B2 (ja) | 1998-10-21 | 1999-10-20 | 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000190420A true JP2000190420A (ja) | 2000-07-11 |
| JP3615973B2 JP3615973B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=26561537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29848299A Expired - Fee Related JP3615973B2 (ja) | 1998-10-21 | 1999-10-20 | 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3615973B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002240194A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | ウエットエッチング可能な積層体、絶縁フィルム、及びそれを用いた電子回路部品 |
| JP2008226800A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | リチウム二次電池負極集電体用銅箔およびその製造方法 |
| CN114672855A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-28 | 电子科技大学 | 一种超薄铜箔的制备方法 |
-
1999
- 1999-10-20 JP JP29848299A patent/JP3615973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002240194A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Dainippon Printing Co Ltd | ウエットエッチング可能な積層体、絶縁フィルム、及びそれを用いた電子回路部品 |
| JP4562110B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-10-13 | 大日本印刷株式会社 | ウエットエッチングが適用される用途に限定される積層体、それを用いた電子回路部品、及びその製造方法 |
| US8066891B2 (en) | 2001-02-16 | 2011-11-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wet etchable laminated body, insulation film, and electronic circuit part using the laminated body and the film |
| JP2008226800A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | リチウム二次電池負極集電体用銅箔およびその製造方法 |
| CN114672855A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-28 | 电子科技大学 | 一种超薄铜箔的制备方法 |
| CN114672855B (zh) * | 2022-03-29 | 2023-09-26 | 电子科技大学 | 一种超薄铜箔的制备方法 |
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|---|---|
| JP3615973B2 (ja) | 2005-02-02 |
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