JP2000315848A - 銅張り積層板の製造方法およびプリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メッキによって形成する配線パターンが密着
不良を生じることがなく、しかも廃液処理が容易で環境
上の問題が生ずることもない銅張り積層板の製造方法を
提供する。 【解決手段】 支持体金属層と極薄銅箔との間に有機系
剥離層を有するプリント配線基板形成用複合銅箔を絶縁
基材に、極薄銅箔と絶縁基材とが接触するように積層
し、前記プリント配線基板形成用複合銅箔から前記支持
体金属層を剥離して、極薄銅箔を露出させ、かつ前記極
薄銅箔表面に残存する有機系剥離層をアルカリ水溶液ま
たは塩酸水溶液で洗浄除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプリント配線（回
路）基板を提供するための銅張り積層板の製造方法に関
する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年になって、電子機器の小型
化、高密度化に伴い、使用されるプリント配線板の回路
幅、回路間隔は年々細線化しており、それに伴って使用
される銅箔の厚みも３５ミクロン、１８ミクロンから１
２ミクロンへと薄くなる傾向にある。最近になってその
要請はさらに強まり、このような要請を満足させる極薄
銅箔の試作がなされているが１２ミクロン以下の薄い銅
箔は、シワが生じたり、箔が切れたりし易いため、製造
および取り扱いが極めて困難である。また、極薄銅箔を
多層プリント配線板の外層用として用いた場合には、積
層時に内層回路の凹凸により銅箔が変形し、これによっ
て破損あるいはシワが発生するという問題があり、極薄
銅箔の取り扱いに伴うこれら問題点を解決する方法の開
発が強く望まれている。

【０００３】このような要請に応えるものとして、従来
より支持体金属層に極薄銅箔が分離可能に支持された複
合銅箔が提案されており、幾つかの支持体金属材料およ
び剥離層材料が例示されている。また、このような複合
銅箔を用いたプリント配線基板の製造方法では、１８〜
７０ミクロンの金属の支持体に１〜１２ミクロン程度の
銅を電着させて複合銅箔を製造し、この複合銅箔の銅箔
面にガラス繊維含浸エポキシ樹脂等のプリプレグを当接
し、次いで加熱圧着して密着させた後、支持体を剥離し
てプリント配線基板を製造している。

【０００４】ところで、従来より、銅を電着させるとき
に銅支持体を用いた場合には、剥離層としてクロムを使
用することが提案されている（例えば、特公昭５３−１
８３２９号公報）。

【０００５】またアルミニウム支持体を使用した場合に
は、例えば： Ｃｒ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ａｇの硫化物または酸化物から形
成された剥離層（例えば、米国特許第３，９９８，６０
１号公報）； 亜鉛置換を行った後ＮｉまたはＮｉ合金メッキして形
成された剥離層（例えば、米国特許第３，９３６，５４
８号公報）； 表面の酸化物を除去した後、再度酸化アルミニウム膜
を形成した剥離層（例えば、特公昭６０−３１９１５号
公報および英国特許第１，４５８，２６０号公報）；お
よび ケイ素から形成した剥離層（例えば、米国特許第４，
３５７，３９５号公報）等が提案されている。

【０００６】しかし、これらの従来から提案されている
支持体付き銅箔（複合銅箔）では、以下のような問題が
あった。 １）剥離層を支持体表面の全面に均一に形成することが
できないため、支持体と極薄銅箔との間の剥離強度が不
均一である。したがって、得られた複合銅箔を基材に積
層した後に支持体を剥離する際に、極薄銅箔が支持体
に、または支持体が極薄銅箔に残留し、所望の導体回路
が得られない。また、剥離強度が弱いと製造時および使
用時に極薄銅箔が部分的にあるいは全面が支持体から浮
き上がる。 ２）剥離層として酸化物や硫化物、クロム等の無機物を
使用すると、支持体剥離後に極薄銅箔表面に無機物が残
留する。そのため、回路形成等に使用する際に、残留し
た無機物を除去する必要があり、追加の工程、例えばソ
フトエッチングなどが必要で手間がかかる。 ３）剥離層としてクロム等の有害物を使用すると、支持
体を剥離した後にその表面にクロムが付着しているた
め、支持体を再利用できず、スクラップ処分にも難点が
ある。また、廃液処理にも問題があり、製造上および環
境上に問題がある。 ４）剥離層として上記金属または金属酸化物層を有する
複合銅箔を基材、例えばエポキシプリプレグに高温で積
層した場合、剥離層の金属が支持体および極薄銅箔の両
方に拡散されるため、基材から支持体を剥離させること
が困難である。

【０００７】以上説明したように、従来の複合銅箔は、
解決すべき数多くの問題を有しており、工業的に一般化
されていないのが現状である。

【０００８】このため、本発明者らは、プリント配線基
板の製造に用いる複合銅箔の剥離層として好適な有機化
合物を種々検討したところ、たとえば特定の有機化合物
を介在させることによって前述した問題点を解決するこ
とができることを見出している。しかしながら、このよ
うな有機化合物を用いた剥離層であっても、支持体剥離
後に、極薄銅箔表面に有機化合物からなる剥離層が残存
していると、プリント配線パターンをメッキにより形成
する際に、配線パターンが密着不良を起こして、剥がれ
たりするという、新たな問題があった。

【０００９】このような問題点を解決すべく本発明者ら
は鋭意検討した結果、支持体金属層と極薄銅箔との間に
有機系剥離層を有し、かつ該有機系剥離層がチッ素含有
化合物、イオウ含有化合物およびカルボン酸からなる群
から選択される化合物からなる複合銅箔を使用して、支
持体金属層剥離後、極薄銅箔表面に残存する有機系剥離
層を、アルカリ水溶液または塩酸水溶液で洗浄除去して
銅張り積層板を作製することによって、メッキによって
形成する配線パターンが密着不良を生じることがないこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１０】

【発明の目的】本発明は、上述した従来技術の問題点が
解決された銅張り積層板の製造方法を提供することにあ
る。また、本発明の他の目的は、このような方法により
得られた銅張り積層板を用いたプリント配線板を提供す
ることにある。

【００１１】

【発明の概要】以上説明したように、本発明は、ある種
の有機化合物が、プリント配線基板の製造時に高温に晒
された場合でも、複合銅箔の剥離層として好適な上記特
性を維持可能であり、しかもこの化合物がアルカリ水溶
液および塩酸水溶液で除去可能であるという本発明者等
の発見に基づいてなされたものである。

【００１２】すなわち、本発明に係る銅張り積層板の製
造方法は、支持体金属層と極薄銅箔との間に有機系剥離
層を有するプリント配線基板形成用複合銅箔を絶縁基材
に、極薄銅箔と絶縁基材とが接触するように積層し、前
記プリント配線基板形成用複合銅箔から前記支持体金属
層を剥離して、極薄銅箔を露出させ、かつ前記極薄銅箔
表面に残存する有機系剥離層をアルカリ水溶液または塩
酸水溶液で洗浄除去することを特徴としている。本発明
に係るプリント配線板は、上記方法で得られた銅張り積
層板の露出した極薄銅箔上に配線パターンが形成されて
いることを特徴としている。

【００１３】

【発明の具体的な説明】以下、本発明に係る銅張り積層
板の製造方法について詳細に説明する。本発明では、ま
ず支持体金属層と極薄銅箔との間に有機系剥離層を有
し、かつ該有機系剥離層がチッ素含有化合物、イオウ含
有化合物およびカルボン酸からなる群から選択される化
合物からなるプリント配線基板形成用複合銅箔を絶縁基
材に、極薄銅箔と絶縁基材とが接触するように積層す
る。

【００１４】図１は、本発明で使用される複合銅箔の一
態様を示す模式的断面図である。図示されるように、本
態様の複合銅箔１は、支持体金属層２上に、有機系剥離
層３および極薄銅箔４をこの順序で形成して得られる。

【００１５】有機系剥離層３は、以下の特徴を有するこ
とが望ましい。 １．有機系化合物は、銅と化学結合を形成し得る。 ２．銅箔を絶縁基材に積層する際に用いられる温度、好
ましくは１５０℃以上、特に１７５〜２００℃に晒され
た場合でも、極薄銅箔から支持体金属層を分離させる能
力を維持している。 ３．極薄銅箔および支持体金属層と化学結合を形成し、
かつ極薄銅箔からの支持体銅箔の剥離強度（Ａ）が、極
薄銅箔の絶縁基材からの剥離強度（Ｂ）と比較して低い
値である。このような剥離強度（Ａ）により、複合銅箔
の取り扱い時および積層時に極薄銅箔が支持体から分離
することを防止でき、かつ複合銅箔を積層した後には支
持体金属層を取り除くことが可能となる。 ４．支持体金属層上に銅箔を均一に電着することができ
る。

【００１６】このような剥離層は、有機化合物、特にチ
ッ素含有化合物、イオウ含有化合物およびカルボン酸か
ら形成される。

【００１７】チッ素含有化合物としては、置換基（官能
基）を有するチッ素含有化合物が好ましい。このうち、
置換基（官能基）を有するトリアゾール化合物、例えば
カルボキシベンゾトリアゾール(ＣBTＡ)、N’,N’-ビス
（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア（ＢＴＤ−Ｕ）お
よび3-アミノ-1Ｈ-1,2,4-トリアゾール（ＡＴＡ）など
が特に好ましい。

【００１８】また、イオウ含有化合物としては、メルカ
プトベンゾチアゾール（ＭＢＴ）、チオシアヌル酸（Ｔ
ＣＡ）および2-ベンズイミダゾールチオール（ＢＩＴ）
等を例示でき、このうち特にＭＢＴおよびＴＣＡが望ま
しい。

【００１９】カルボン酸としては、脂肪酸（高分子量モ
ノカルボン酸）、とくにオレイン酸、リノール酸および
リノレイン酸などの不飽和脂肪酸が好ましい。

【００２０】支持体金属層としては、上記有機系剥離層
が銅と化学結合を形成することから、銅または銅合金が
好ましく用いられる。本発明で用いられる有機化合物
は、銅および銅合金以外の支持体材料、例えば銅メッキ
を施したアルミニウムに塗布されていてもよい。また、
支持体としては、剥離層が、極薄銅箔に対するのと同様
に均一な化学結合を形成するかぎり、他の材料を用いる
こともできる。支持体金属層の厚さは限定されず、厚さ
１０〜１８μｍの箔であってもよい。典型的な支持体金
属層が比較的薄いため、これを箔と記すこともあるが、
支持体金属層は通常の箔より厚くてもよく、例えば約５
ｍｍ以下のより厚い支持体シートを用いることもでき
る。

【００２１】支持体金属層は電着銅箔であってもよく、
このような電着銅箔は、典型的には、粗面（またはマッ
ト面）および平滑面（またはシャイニー面）を有する。
極薄銅箔が電着される剥離層は、マット面および光沢面
の何れに形成してもよい。光沢面に剥離層を形成し、こ
れに銅を電着して形成した極薄銅箔は、表面粗さが小さ
くなるため、ファインピッチの配線パターンを形成する
のに適している。一方、マット面に剥離層を形成し電着
を行うと、形成される極薄銅箔は、その表面粗さが大き
くなり、絶縁基材からの接合強度（Ｂ）を向上させるこ
とができる。

【００２２】このような有機系剥離層上に形成される極
薄銅箔層の厚さは、通常１２μｍ以下であるが、より薄
くてもよく、例えば５〜７μｍ、またはそれ以下であっ
てもよい。１２μｍを超える厚さを有する銅箔は、従来
の製造方法でも製造でき、かつ支持体金属層なしで取り
扱い得る。また極薄銅箔は電着によって支持体金属層上
に形成され、回路パターンを形成するのに好適であり、
かつ支持体金属層と有機系剥離層と極薄銅箔とを有する
複合銅箔では、上述のような適度な剥離強度（Ａ）およ
び（Ｂ）を得られる。

【００２３】上記複合銅箔では、絶縁基材に積層した後
に極薄銅箔から支持体金属層を剥離できるように、極薄
銅箔からの支持体金属層の剥離強度（Ａ）が、ＪＩＳ−
Ｃ−６４８１に準拠して測定した場合、０．００５〜
０．３kgf／cmであることが望ましく、実用上特に０．
００５〜０．１kgf／cmであることが好ましい。０．０
０５kgf／cm未満では、剥離強度が弱すぎて製造時や積
層時、穴明け加工時に極薄銅箔のふくれや浮き上がり等
が生じて好ましくない。また、０．３kgf／cmを超える
と支持体剥離の際に米国特許第３，８８６，０２２号公
報に記載のような特殊な処理が必要となる。

【００２４】このような複合銅箔では、極薄銅箔からの
支持体金属層の剥離強度（Ａ）は、ばらつきが少ないか
またはほとんどない。したがって、剥離強度（Ａ）は、
個々の実施例の複合銅箔でその全面に亘って、および全
実施例の複合銅箔全体を通じて均一である。なお極薄銅
箔上に付着した有機系被膜は、防錆効果も有している。
さらに、支持体金属層は剥離後に容易に再利用できるこ
とから、製造上及び環境上の問題が生ずることがない。

【００２５】このような複合銅箔は、支持体金属層に有
機系剥離層を形成し、この有機系剥離層の上に極薄銅箔
層を形成することによって製造される。この際、有機系
剥離層の形成に先立ち、支持体金属層の表面の酸化被膜
を除去し、均一な剥離強度（Ａ）を得られるようにする
ことが好ましい。酸化皮膜の除去は、例えば、支持体を
希釈酸溶液、例えば希硫酸中で洗浄して行うことができ
る。有機系剥離層は、浸漬法または塗布法、あるいは支
持体上に均一な層を形成するいかなる方法で形成しても
よい。例えば、浸漬法では、トリアゾール類などの有機
化合物からなる水溶液に支持体金属層を浸漬して有機系
剥離層を形成する。水溶液の濃度は０．０１〜１０ｇ／
Ｌ、特に０．１〜１０ｇ／Ｌが好ましく、浸漬時間は５
〜６０秒間が好ましい。濃度が高いことや浸漬時間が長
いことで形成される剥離層の効果が薄れることはない
が、経済性や生産性の観点からは好ましくない。溶液か
ら支持体を取り出した後、過剰な付着物は水で洗浄し
て、非常に薄い有機系剥離層のみが支持体表面に残るよ
うにすることが好ましい。洗浄後の剥離層の厚さは、通
常３０〜１００Å、特に好ましくは３０〜６０Åである
と考えられる。この有機系剥離層の厚さは、例えばSIM
(走査型イオン顕微鏡)によって観察することができる。
なお、本発明では、剥離層の厚さはこのような値に限定
されないが、これが薄すぎた場合には極薄銅箔が支持体
に接着されてしまうであろうし、厚すぎる場合には銅を
均一に電着することができなくなる。

【００２６】極薄銅箔は、支持体金属上に設けられた有
機系剥離層上に電着される。銅を電着する方法として
は、例えばピロリン酸銅電着浴、酸性硫酸銅電着浴等を
用いる方法などを挙げることができる。どのようなタイ
プの電着浴を用いた方法でも適用可能であるが、目的に
応じて好ましいタイプの電着浴を選択できる。

【００２７】例えば、望ましくないピンホール及び／ま
たは多孔化を避け、かつより均一な銅の電着をするに
は、実質的に酸を含まない電解質浴、例えばシアン化銅
浴やピロリン酸銅浴を用いて最初の電着を行うことが好
ましい。なお、環境、安全面からピロリン酸銅電着が推
奨される。また、二段銅電着工程を用いる場合には、ピ
ロリン酸銅浴で０．５〜１．０μｍまで１次銅電着を行
い、その後、２次銅電着として硫酸銅電着浴で所望の極
薄銅箔厚さ、例えば１２μｍまで電着することが好まし
い。ピロリン酸銅電着の条件は、特に限定されない。し
かしながら、ピロリン酸銅電着浴中の銅の濃度範囲は１
０〜５０ｇ／Ｌ、ピロリン酸カリウムの濃度範囲は１０
０〜７００ｇ／Ｌが好ましい。また、電解液のｐＨは８
〜１２が好ましく、浴温は３０〜６０℃が好ましく、電
流密度は１〜１０Ａ／ｄｍ^２が好ましい。

【００２８】一方、生産性、経済性の面からは、硫酸銅
浴を用いた電着が好ましく、硫酸胴浴は、最初にピロリ
ン酸銅浴から銅箔層を電着しなくても有効に用いること
ができる。酸性硫酸銅メッキの条件は、特に限定されな
い。しかしながら、硫酸銅メッキ浴中の銅の濃度範囲は
３０〜１００ｇ／Ｌが好ましく、硫酸の濃度範囲は５０
〜２００ｇ／Ｌが好ましい。また、電解液の浴温は３０
〜８０℃が好ましく、電流密度は１０〜１００Ａ／ｄｍ
^２が好ましい。

【００２９】複合銅箔の極薄銅箔と、複合銅箔が積層さ
れる絶縁基材との接着を良くするために、従来公知の方
法により極薄銅箔表面に結合促進処理、例えば電着条件
を調節して箔の表面に導電性微粒子群を電着させる粗化
処理（コブ付処理）を施してもよい。粗化処理の例は、
例えば米国特許第３，６７４，６５６号公報に開示され
ている。加えて、極薄銅箔の表面には、極薄銅箔の酸化
を防止するために、防錆処理を施し得もよい。防錆処理
は、単独で行っても、粗化処理後に行ってもよい。防錆
処理は、一般的には、極薄銅箔の表面に亜鉛、クロム酸
亜鉛、ニッケル、スズ、コバルトおよびクロムから選択
される一種を電着することで行われる。このような方法
の例は、米国特許第３，６２５，８４４号公報に開示さ
れている。

【００３０】上記のような極薄銅箔、すなわち支持体金
属上に有機系剥離層を介して支持された極薄銅箔を絶縁
基材に、極薄銅箔と絶縁基材とが接触するように加熱加
圧下で積層する。図２および図３は、本発明に係る銅張
り積層板の製造方法の一工程を示す模式的断面図であ
る。図１に示されるような複合銅箔１を、複合銅箔１の
極薄銅箔４が絶縁基板６に接触するように、この基板６
上に積層する。典型的には、積層温度は１５０℃以上、
好ましくは１７５〜２００℃である。絶縁基材として
は、一般に電子機器用途として使用されている樹脂基材
であれば特に限定されずに使用できる。例示すると、Ｆ
Ｒ−４基材（ガラス繊維強化エポキシ）、紙−フェノー
ル基材、紙−エポキシ基材などである。この銅張り積層
板から支持体金属層を引き剥がすと、極薄銅箔と絶縁基
材とで形成された銅張り積層板が得られる。

【００３１】ここで、図２を参照して説明すると、複合
銅箔１を絶縁基板６に積層した後に支持体金属層２を極
薄銅箔４から分離できるように、極薄銅箔４からの支持
体金属２の剥離強度（Ａ）（図２中、Ａで示す）は、Ｊ
ＩＳ−Ｃ−６４８１に従って測定した場合、基材６から
の極薄銅箔４の剥離強度（Ｂ）（図２中、Ｂで示す）よ
りも小さい。この際、極薄銅箔は剥離強度（Ｂ）をＪＩ
Ｓ−Ｃ−６４８１に準じて直接測定するには薄くかつ弱
すぎるため、極薄銅箔に例えば合計厚さ１８μｍまで銅
を電着して、剥離強度（Ｂ）が測定される。

【００３２】次に、支持体金属層を剥離して極薄銅箔を
露出させ、極薄銅箔表面に残存する有機系剥離層をアル
カリ水溶液または塩酸水溶液で洗浄除去する。なお、通
常、有機系剥離層は、剥離した支持体金属層および露出
された極薄銅箔の表面に残存している。すなわち、図３
に示されるように、支持体金属層２を剥離し、極薄銅箔
４を露出させ、極薄銅箔４表面に残存する有機系剥離層
３をアルカリ水溶液または塩酸水溶液で洗浄除去する。

【００３３】アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウ
ム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ストロンチウ
ム水溶液などが使用される。このうち、特に水酸化ナト
リウム水溶液が好適に使用される。水酸化ナトリウム水
溶液の濃度は、０．０５〜３モル／リットルの範囲、好
ましくは０．１〜１モル／リットルの範囲にあることが
望ましい。また、塩酸水溶液の濃度は、０．０１〜１０
モル／リットルの範囲、好ましくは０．１〜３モル／リ
ットルの範囲にあることが望ましい。このようなアルカ
リ水溶液および塩酸水溶液の液温は、２０〜１００℃程
度の液温であればよい。

【００３４】このようなアルカリ水溶液または塩酸水溶
液による有機系剥離層の洗浄除去は、たとえば、アルカ
リ水溶液または塩酸水溶液を、極薄銅箔表面に残存する
有機系剥離層に直接噴霧したり、さらには、支持体金属
層を剥離して極薄銅箔を露出させたのち、絶縁基材ごと
アルカリ水溶液または塩酸水溶液に浸漬したりしてもよ
い。なお、絶縁基材ごと、アルカリ水溶液または塩酸水
溶液に浸漬して、有機系剥離層を除去する場合は、浸漬
時間は、５秒〜１２０分程度であればよい。このような
アルカリ水溶液または塩酸水溶液による洗浄によって、
極薄銅箔表面に残存している有機系剥離層の９０重量％
以上が除去される。

【００３５】またアルカリ水溶液または塩酸水溶液によ
って極薄銅箔表面に残存した有機系剥離層を洗浄除去し
たのち、通常、水洗して、極薄銅箔表面に付着したアル
カリ水溶液または塩酸水溶液を除去してもよい。また、
必要に応じて、剥離後の支持体金属層表面に残存してい
る有機系剥離層もアルカリ水溶液または塩酸水溶液で洗
浄除去してもよい。このように支持体金属層表面の有機
系剥離層を除去しておくと、剥離後の支持体金属層を新
たなプリント配線板用の銅箔として再利用することがで
きる。

【００３６】本発明のように、極薄銅箔表面に残存した
アルカリ水溶液または塩酸水溶液で洗浄することによっ
て、銅張り積層板の表面にプリント配線パターンをメッ
キにより形成してプリント配線基板を作製する際に、配
線パターンが密着不良を起こして、剥がれたりすること
を抑制することができる。また剥離後の支持体を再利用
することが可能であり、クロムなどの金属成分を含んで
いないため廃液処理も容易で環境上の問題が生ずること
はない。

【００３７】図４は、本発明に係るプリント配線基板の
好ましい一態様を示す図である。図示されるように、本
態様のプリント配線基板７は、基板６と、基板６上に形
成されるプリント配線パターン８とからなる。本態様の
プリント配線基板７は、図２および３に示されるよう
に、絶縁基材表面に複合銅箔１の極薄銅箔４を積層した
後に、支持体金属層２を極薄銅箔４から剥離により露出
させ、残存する有機系剥離層３を洗浄除去し、次いで公
知の方法により露出した極薄銅箔４上に配線パターン８
を形成して製造される。

【００３８】また、このようなプリント配線基板を用い
て、容易に多層プリント配線基板を製造することが可能
である。例えば、本発明に係る多層プリント配線基板
は、予め配線パターンが形成された内層板の少なくとも
片面に、上記複合銅箔を積層し、支持体金属層を剥離さ
せて、前記極薄銅箔を露出させ、概極薄銅箔表面に残存
する有機系剥離層を除去したのち、該極薄銅箔上に公知
の方法により配線パターンを形成し、多層化して製造す
ることができる。また、多層プリント配線基板は、複数
の本発明に係るプリント配線基板を積層することでも製
造することが可能である。すなわち、多層プリント配線
基板は、上記方法で得られたプリント配線基板の少なく
とも片面に、上述の複合銅箔を積層して、該銅張り積層
板から前記支持体金属層の剥離により前記極薄銅箔を露
出させ、次いで残存する有機系剥離層をアルカリ水溶液
または塩酸水溶液によって洗浄除去して銅張り積層板を
製造し、公知の方法により露出した極薄銅箔４上に配線
パターン８を形成して製造される。

【００３９】図５および６は、本発明に係る多層プリン
ト配線基板の製造工程を示す模式的断面図である。ま
ず、図５に示すように、予め配線パターンが形成された
内層板１２の少なくとも片面に、複合銅箔１を積層す
る。複合銅箔１は、支持体金属２と、該支持体金属２上
に形成された剥離層３および極薄銅箔４を有している。
内層板１２は、基板６'と、この基板６'に形成される配
線パターン８'とを備えている。この銅張り積層板にお
いて、複合銅箔１の極薄銅箔４は、基板６を介して内層
板１２の配線パターン８'と対面している。

【００４０】次に、図６に示されるように、支持体金属
１を剥離し、残存する剥離層３を除去し、次いで公知の
方法により露出された極薄銅箔４上に配線パターン８を
形成して、多層プリント配線基板が製造される。図５
中、内層板１２は図４に示されるようなプリント配線基
板７であってもよい。このような場合には、図６に示さ
れる多層積層板１３は、２つの本発明に係るプリント配
線基板を積層して形成したことになる。

【００４１】

【発明の効果】本発明に係る銅張り積層板の製造方法に
よれば、支持体剥離後に、極薄銅箔表面に残存した有機
化合物からなる剥離層を、アルカリ水溶液または塩酸水
溶液によって、洗浄除去しているので、プリント配線パ
ターンをメッキにより形成する際に、配線パターンが密
着不良を起こして、剥がれたりすることがない。また剥
離後の支持体を再利用することが可能であり、廃液処理
も容易で環境上の問題が生ずることはない。

【００４２】

【実施例】以下に、実施例に基づき本発明をさらに詳細
に説明する。

【００４３】

【実施例１】複合銅箔として、厚さ３５μｍの電解銅箔
（支持体金属層）の平滑（光沢）面側に、カルボキシベ
ンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）有機系剥離層を形成し、
次いで１次銅電着、２次銅電着して極薄銅箔層を形成し
たものを使用した。なお、有機系剥離層の厚さは２０Å
であり、極薄銅箔の厚さは５μｍであった。このように
して得られた複合銅箔を市販の０．１mmのＦＲ−４プリ
プレグ４枚に積層し、１７５℃、２５kg／cm^２の条件で
６０分加熱加圧により成型したのち、支持体金属層とし
て用いられた銅箔を極薄銅箔から引き剥がして、銅張り
積層板を作製した。このとき、支持体金属層の剥離強度
（Ａ）をＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準拠して測定したとこ
ろ、０．００２kgf／cmであった。

【００４４】次に、得られた銅張り積層板を、液温４０
℃の１モル／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液に、３０秒間浸
漬し、極薄銅箔表面に残存しているＣＢＴＡ有機系剥離
層を洗浄除去した。

【００４５】このようにして作製した銅張り積層板を用
いて０．３mm径のドリル加工を行った後に、過マンガン
酸カリウム溶液を用いた従来公知のデスミア処理を行っ
てエポキシを除去し、次いでパネルメッキ（メッキ厚１
５μｍ）を行った。さらに、線幅／線間＝５０ミクロン
／５０ミクロンの回路形成を行い、プリント配線板を得
た。このときの回路形成性は良好であった。このプリン
ト配線板２枚を０．１８mmのＦＲ−４プリプレグを介し
加熱圧縮して積層し、４層の導体層を有する多層プリン
ト配線板を得たところ、導体層がはがれてしまうなどの
問題はなく、微少な５０μｍ回路配線および間隔を有す
る良好な多層プリント配線板が得られた。

【００４６】

【実施例２】実施例１において、１モル／Ｌ水酸化ナト
リウム水溶液の代わりに、１モル／Ｌ塩酸水溶液を使用
した以外は、実施例１と同様にして、極薄銅箔表面に残
存しているＣＢＴＡ有機系剥離層を洗浄除去した。この
ようにして作製した銅張り積層板を用いて０．３mm径の
ドリル加工を行った後に、過マンガン酸カリウム溶液を
用いた従来公知のデスミア処理を行ってエポキシを除去
し、次いでパネルメッキ（メッキ厚１５μｍ）を行っ
た。さらに、線幅／線間＝５０ミクロン／５０ミクロン
の回路形成を行い、プリント配線板を得た。このときの
回路形成性は良好であった。このプリント配線板２枚を
０．１８mmのＦＲ−４プリプレグを介し加熱圧縮して積
層し、４層の導体層を有する多層プリント配線板を得た
ところ、導体層がはがれてしまうなどの問題はなく、微
少な５０μｍ回路配線および間隔を有する良好な多層プ
リント配線板が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明で使用する複合銅箔の一態様を
示す模式的断面図である。

【図２】図２は、本発明に係る銅張り積層板の製造工程
を示す模式的断面図である。

【図３】図３は、本発明に係る銅張り積層板の製造工程
を示す模式的断面図である。

【図４】図４は、本発明に係るプリント配線基板の一態
様を示す模式的断面図である。

【図５】図５は、本発明に係るプリント配線基板の一態
様を示す模式的断面図である。

【図６】図６は、本発明に係るプリント配線基板の一態
様を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１・・複合銅箔 ２・・支持体金属 ３・・有機系剥離層 ４・・極薄銅箔 ５・・銅張り積層板 ６，６'・・基板 ７・・プリント配線基板 ８，８'・・配線パターン １３・・多層プリント配線基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 修 埼玉県上尾市大字上尾村字鎌倉橋656−２ 三井金属鉱業株式会社銅箔事業部内 (72)発明者 栗原 美穂 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 (72)発明者 久保田 明紀子 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 (72)発明者 北崎 裕一 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 (72)発明者 小林 正典 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 (72)発明者 渡辺 義治 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5E343 BB24 BB67 CC33 CC43 CC48 CC78 DD43 DD56 EE02 ER53 GG01

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体金属層と極薄銅箔との間に有機系
   剥離層を有するプリント配線基板形成用複合銅箔を絶縁
   基材に、極薄銅箔と絶縁基材とが接触するように積層
   し、 前記プリント配線基板形成用複合銅箔から前記支持体金
   属層を剥離して、極薄銅箔を露出させ、かつ前記極薄銅
   箔表面に残存する有機系剥離層をアルカリ水溶液または
   塩酸水溶液で洗浄除去することを特徴とする銅張り積層
   板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記有機系剥離層が、チッ素含有化合物
   であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線
   基板形成用複合銅箔。
3. 【請求項３】 前記チッ素含有化合物が、置換基を有す
   るチッ素含有化合物であることを特徴とする請求項２に
   記載の銅張り積層板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記チッ素含有化合物が置換基を有する
   トリアゾール化合物であることを特徴とする請求項３に
   記載の銅張り積層板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記置換基を有するトリアゾール化合物
   が、カルボキシベンゾトリアゾール、N',N'-ビス（ベン
   ゾトリアゾリルメチル）ユリアおよび3-アミノ-1Ｈ-1,
   2,4-トリアゾールからなる群から選択されることを特徴
   とする請求項４に記載の銅張り積層板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記有機系剥離層が、イオウ含有化合物
   であることを特徴とする請求項１に記載の銅張り積層板
   の製造方法。
7. 【請求項７】 前記イオウ含有化合物が、メルカプトベ
   ンゾチアゾール、チオシアヌル酸および2-ベンズイミダ
   ゾールチオールからなる群から選択されることを特徴と
   する請求項６に記載の銅張り積層板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記有機系剥離層が、カルボン酸である
   ことを特徴とする請求項１に記載の銅張り積層板の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記カルボン酸が、モノカルボン酸であ
   ることを特徴とする請求項８に記載の銅張り積層板の製
   造方法。
10. 【請求項１０】 前記モノカルボン酸が、オレイン酸、
    リノール酸およびリノレイン酸からなる群から選択され
    ることを特徴とする請求項９に記載の銅張り積層板の製
    造方法。
11. 【請求項１１】 前記アルカリ水溶液が水酸化ナトリウ
    ム水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の銅張
    り積層板の製造方法。
12. 【請求項１２】 水酸化ナトリウム水溶液の濃度が０．
    ０５〜３モル／リットルの範囲にある請求項１１に記載
    の銅張り積層板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記塩酸水溶液の濃度が０．０１〜１
    ０モル／リットルの範囲にある請求項１に記載の銅張り
    積層板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記極薄銅箔が、１２μｍ以下の厚さ
    であることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に
    記載の銅張り積層板の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１〜１４に記載の方法で製造さ
    れた銅張り積層板の極薄銅箔上に配線パターンが形成さ
    れたことを特徴とするプリント配線板。