CN100571483C - 带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板 - Google Patents

带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板 Download PDF

Info

Publication number
CN100571483C
CN100571483C CNB2004101039005A CN200410103900A CN100571483C CN 100571483 C CN100571483 C CN 100571483C CN B2004101039005 A CNB2004101039005 A CN B2004101039005A CN 200410103900 A CN200410103900 A CN 200410103900A CN 100571483 C CN100571483 C CN 100571483C
Authority
CN
China
Prior art keywords
copper foil
ultrathin copper
band carrier
ultrathin
asperities
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2004101039005A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1620221A (zh
Inventor
铃木昭利
福田伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004070806A external-priority patent/JP4217786B2/ja
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of CN1620221A publication Critical patent/CN1620221A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100571483C publication Critical patent/CN100571483C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C25D7/0614—Strips or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/125—Deflectable by temperature change [e.g., thermostat element]
    • Y10T428/12514—One component Cu-based
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12556—Organic component
    • Y10T428/12569—Synthetic resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Abstract

提供一种不受载体箔表面粗度的影响而能够露出微细晶粒，可刻蚀至线/间距在15μm以下的极细幅，并且刻蚀15μm的线后该微细线和电路基板也具有高粘接强度的带载体的极薄铜箔。带载体的极薄铜箔为依次层积载体箔、剥离层、极薄铜箔来构成，实施粗面化处理之前的所述极薄铜箔为表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的电解铜箔。还有，所述极薄铜箔表面进行了粗面化处理。

Description

带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板
技术领域
本发明涉及制造印刷电路板时使用的带载体的极薄铜箔，尤其涉及适用于制造高密度超微细电路的印刷电路板或多层印刷电路板的带载体的极薄铜箔。
背景技术
印刷电路板是如下制造。
首先，在由玻璃·环氧树脂或聚酰亚胺树脂等构成的电绝缘性基材表面放置表面电路形成用薄铜箔，然后加热加压制造贴铜层积板。
接着，在该贴铜层积板上依次进行穿设穿孔，穿孔电镀后，对该贴铜层积板表面即铜箔进行刻蚀处理，形成具备所需线幅和所需线间距的电路图案，最后形成焊接保护层或进行其他加工处理。
这时使用的铜箔，在基材上热压一侧的表面形成粗化面，该粗化面发挥对该基材的固定作用，因此，提高了该基材和铜箔的粘结强度，确保作为印刷电路板的可靠性。
进一步，最近使用的方法是，预先用环氧树脂等粘合用树脂覆盖铜箔的粗化面，把将该粘合用树脂制成半固化状态(B阶段)绝缘树脂层的带树脂的铜箔用作表面电路形成用铜箔，把该绝缘树脂层侧热压粘接到基材上，以制造印刷电路板，尤其是组装式电路板。
还有，对应于各种电子部件的高集成化，对这种组装式电路板要求其电路图案也高密度化，因此要求由微细线幅或线间距的电路构成的电路图案，即所谓精细图案的印刷电路板。例如，用于半导体组件的印刷电路板的情况为，要求具有线幅或线间距各自为15μm左右的高密度极细电路的印刷电路板。
若使用厚铜箔作为这种印刷电路板的高密度极细电路用铜箔，则刻蚀至基材表面所需时间长，其结果，所形成电路图案的侧壁垂直性损害，下式所示刻蚀因子Ef变小。
Ef＝2H/(B-T)
这里，H为铜箔厚度；B为所形成电路图案的底宽；T为所形成电路图案的顶宽。
这种问题虽然在所形成电路图案的电路线幅宽时不成为严重问题，但线幅窄的电路图案时有可能引起导体间的短路。
另一方面，薄铜箔时，能够确实增大刻蚀因子Ef值。
但是，以往的铜箔与基材的粘接强度是靠在铜箔的基材粘接侧表面上附着铜粒制成粗化面，把该粗化面的铜粒突起部喂入基材来确保粘接强度。因此，如果不把喂入的铜粒突起部完全地从基材去除，它就变成残铜(该现象通常被称作“残根”)，电路图案的线间距窄时成为引起绝缘不良的原因。完全刻蚀去除该喂入的铜粒突起部的时间，虽然在铜箔厚时对电路图案没有太多影响，但铜箔厚度薄时该刻蚀时间的影响很大。即，去除喂入铜粒突起部的刻蚀时间比铜箔的刻蚀时间长，因此，在刻蚀去除该喂入突起部的过程中，已形成的电路图案侧壁的刻蚀也在进行，结果Ef值变小。
事实上，使用薄铜箔时，如果减小其表面粗度就可以解决这种问题，但此时铜箔与基材的粘接强度变小，因此难以制造可靠性高的精细电路图案的印刷电路板。
还有，薄铜箔时，其机械强度低，因此在制造印刷电路板时容易产生皱纹或折痕，进一步，还会引起铜箔断裂，存在使用时必须充分小心的问题。
这样，制造Ef值大且与基材的粘接强度高的精细电路图案的印刷电路板实际上是非常困难的。尤其，使用市售铜箔，形成线距或线幅在15μm左右的高密度极细电路的电路图案事实上是不可能的，因此，目前状况为强烈需求开发能够将其变为可能的铜箔。
用于这种线距或线幅在15μm左右的高密度极细电路(精细图案)的铜箔适用的是厚度在9μm以下，尤其是5μm以下的铜箔。
作为用于这种电路图案的极薄铜箔本申请人公开了如下技术。
在特开2000-269637号公报中公开了一种铜箔，其特征在于：是带载体的极薄铜箔，载体为表面粗度Rz在1.5μm以下的铜箔，其表面依次层积剥离层和电解镀铜层，该电解镀铜层的最外层表面成为粗化面。
特开2000-331537号公报中公开了一种带载体的铜箔，其特征在于：是一种铜箔为载体箔且其表面上依次层积剥离层和电解镀铜层的带载体的极薄铜箔，该载体铜箔与该电解镀铜层的左右边缘附近部分比其中央部更结合得强，以及该电解镀铜层的最外层表面成为粗化面。
特表2003-524078号公报中公开了铜箔，其特征在于使用将粗化面的粗度Rz平滑化至3.5μm以下的载体箔，在其粗化面上按顺序层压剥离层和电解铜镀层，该电解铜镀层的最外层表面形成粗化面。
在图1表示了这些带载体的极薄铜箔。带载体的极薄铜箔为在作为载体的铜箔1(以下叫做“载体箔”)的单面上依次形成剥离层2和电解镀铜层(铜箔)4，在该电解镀铜层4的露出面(表面)由电析铜的粗化粒子5形成粗化面4a构成。
然后，把该粗化面4a重叠在玻璃·环氧树脂基材(未图示)上，对整体热压粘接，接着剥离去除载体箔1，露出该电解镀铜层与该载体箔的粘接侧，在此处形成给定的电路图案，用作使用带载体的极薄铜箔的电路板。
载体箔1起到支撑所述薄电解镀铜层4至粘接到基材的增强材料(载体)的功能。进一步，剥离层2为分离所述电解镀铜层(铜箔)4和该载体箔1时起到良好剥离作用的层，能够整齐且容易地剥离该载体箔1。该剥离层2在剥离去除该载体箔1时与该载体箔1一同被去除。
另一方面，与玻璃·环氧树脂基材粘合的电解镀铜层(铜箔)4为，依次进行穿设穿孔，穿孔电镀后，对该贴铜层积板表面的铜箔进行刻蚀处理，形成具备所需线幅和所需线间距的电路图案，最后形成焊接保护层或进行其他加工处理。
这种带载体的铜箔，尤其铜箔厚度极其薄的极薄铜箔为，能够切割电路图案，并且使用时的操作性也优异，因此获得尤其适用于制造组装式电路板的铜箔的评价。但是，从另一方面来讲，存在如下显著问题。
目前如图1所示电解镀铜层4的表面存在山与谷的部分(以下把它叫做底材山(日文：素材山))。
在这种表面电析粗化粒子5时，底材山的顶点部分会集中沉积粗化粒子，谷的部分不大电析。
这种形状的铜箔是造成在提高与树脂基材的粘接性的同时，刻蚀时不易溶解成为“残根”的原因。
目前这种附着有粗化粒子的粗化面为，Rz在3.5μm左右，切成线/间隔＝30μm/30μm～25μm/25μm左右的细线时受到限制，如果粗化处理后的表面不平滑，则无法切成以后成为半导体组件基板的主流的线/间隔＝15μm/15μm的细线。
这里所说的表面粗度Rz是日本工业标准(JIS)B06012-1994中规定的10点平均粗度。
发明内容
本发明的目的在于提供能够在电路基材形成线/间隔＝15μm/15μm左右的电路，具有与电路基材层积时所需粘接强度的极薄铜箔。
本发明第1个观点的带载体的极薄铜箔在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔而形成，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的电解铜箔。
本发明第2个观点的带载体的极薄铜箔在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔而形成，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下，底材山的最小峰间距在5μm以上，并且表面露出了平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔。
本发明第3个观点的带载体的极薄铜箔是在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔形成的带载体的极薄铜箔中，对所述极薄铜箔的露出面实施不改变该露出面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
在本发明第4个观点的带载体的极薄铜箔中，对所述极薄铜箔的露出面通过化学刻蚀和/或电化学刻蚀施加了凹凸处理，进一步，在其凹凸处理面上实施不改变该凹凸处理面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
在本发明第5个观点的带载体的极薄铜箔中，较好的是对所述极薄铜箔的露出面进行粗面化处理，该粗面化处理优选通过电析形成铜微粒。
进一步，其粗面化处理面上在不改变该粗面化处理面外形的范围内实施了化学处理和/或电化学处理。
本发明的极薄铜箔是厚度为0.1μm以上9μm以下的铜箔。这是因为不足0.1μm的铜箔因通孔多而不实用，超过9μm时无须负载体。
所述剥离层优选由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P和/或它们的合金层或它们的水合氧化物层形成。还有，所述剥离层由有机覆盖膜形成也有效。
本发明的第1个观点是一种带载体的极薄铜箔，在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔而形成，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的电解铜箔。
还有，本发明的第2个观点是一种带载体的极薄铜箔，在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔而形成，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下，底材山的最小峰间距在5μm以上，并且表面露出了平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔。
本发明的第3个观点是不对该极薄铜箔表面进行粗面化处理，在该极薄铜箔表面实施不改变露出面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
极薄铜箔表面的Rz必须在2.5μm以下且底材山的最小峰间距必须在5μm以上是因为，在表面没有进行粗面化处理的情况下，底材山高且峰间距密的箔无法切成线/间隔＝15μm/15μm以下的细线。
根据本发明，如在图4所示，是把成为如图1所示“残根”原因的粗化粒子(图1的粗化粒子5)不附着到极薄铜箔4表面，在其表面进行化学处理和/或电化学处理的铜箔。
如上所述，以往的印刷电路板用带载体的极薄铜箔的表面为了提高与基材的粘接性而附着有铜的粗化粒子。该附着粒子是使用不同于制作极薄铜箔的电镀液的其他电镀液，通常用含有硒、碲、砷、锑、铋等的镀铜液(如参照特公昭53-39327号)，电流密度也是铜界限电流密度附近的高电流密度进行处理。从而，镀铜液中含有的所述元素进入到附着在铜箔表面的粗化粒子中，结果，极薄铜箔表面与粗化粒子层由结晶组织、组成不同的层构成。含有所述添加元素的组成的粒子为其刻蚀时间长于构成铜箔的铜的刻蚀时间，因此，用刻蚀液刻蚀图案时，粗化粒子层不易被刻蚀而成为“残根”原因。
本发明的铜箔因不存在形成成为“残根”原因的“根”的粗化粒子，因此可通过采用刻蚀的电路形成来制成(切成)微细的电路。
另一方面，未附着粗化粒子的铜箔的固定效果小，且与树脂基材粘贴时的粘接强度不好。本发明为了克服该缺点提供一种带载体的极薄铜箔，即通过对表面处理前的铜箔在不改变表面外形的程度内进行化学处理和/或电化学处理，提高与树脂基材的化学结合(粘接强度)，从而能够在不降低与树脂基材的粘接强度的条件下切成微细电路。
本发明中的化学处理是指氧化物处理、水合氧化物处理、硅烷偶联剂处理等。这些处理具有可使处理表面的刻蚀速度与铜箔自身的刻蚀速度相等或者更快，从而在不减小刻蚀因子的情况下提高与树脂基材的粘接性的效果。
提高粘接强度的化学处理因树脂基材的种类而不同，但对于聚酰亚胺树脂、玻璃·环氧树脂优选实施铜的氧化物处理、铬盐处理等水合氧化物处理等。
硅烷偶联剂处理因树脂而其粘接性多少有差异，但适用乙烯系硅烷、环氧系硅烷、苯乙烯基硅烷、甲基丙烯氧基系硅烷、丙烯氧基系硅烷、氨基系硅烷、脲基系硅烷、氯化丙基系硅烷、巯基系硅烷、硫基系硅烷、异氰酸酯系硅烷等处理。
还有，本发明中的电化学处理是指单一金属的电镀、合金电镀、分散电镀(在金属矩阵中分散氧化物的电镀)等电镀处理，或者阳极氧化处理等。提高粘接强度的电镀处理因树脂基材的种类而不同，但对于聚酰亚胺树脂有效的是镍、镍合金电镀、铬、铬合金电镀等。还有，对于玻璃·环氧树脂有效的是锌电镀、锌-铬氧化物分散电镀等。进一步，由阳极氧化处理形成的铜的氧化物处理对玻璃·环氧树脂有效。
用电化学处理的处理表面的刻蚀速度可选择不慢于铜箔自身刻蚀速度的组成。如果选择慢的组成，需要选择刻蚀速度不变慢的厚度。
例如，镀锌时刻蚀速度快于铜。但是镀镍、镀铬时刻蚀速度慢于铜。
选择镍、铬时粘接性高，但需要附着不产生刻蚀差程度的量。具体来说，镍、铬时有效的是附着0.01mg/dm2～0.5mg/dm2。这是因为如果低于0.01mg/dm2则对粘接性的效果下降，而如果超过0.5mg/dm2则刻蚀速度变慢。
还有，采用合金电镀、分散电镀的处理时也相同，需要选择刻蚀速度不慢于铜箔自身刻蚀速度的合金组成，或者选择慢的组成时需要具有刻蚀速度不变慢的厚度。
采用铜的阳极氧化的处理时的刻蚀速度快于铜。
本发明中，表面外形不发生变化程度的厚度的化学处理和/或电化学处理是指，铜箔表面的附着元素的量优选0.01mg/dm2～30mg/dm2左右。这是因为如果附着量少于0.01mg/dm2则提高粘接强度的效果低，而即使超过30mg/dm2提高粘接强度的效果也饱和，表面外形也变化而发生异常电析。
本发明的带载体的极薄铜箔的特征为如图5所示，在所述极薄铜箔表面通过化学刻蚀施加了凹凸处理和/或通过电化学刻蚀施加了凹凸处理，进一步其特征为在该极薄铜箔表面上在不改变外形的程度下施以化学处理和/或电化学处理。
这里所说的采用化学刻蚀的凹凸处理是指使用硫酸-过氧化氢等刻蚀液或市售的表面粗化液使铜箔表面粗化的处理。从而，极薄铜箔表面自身的表面变得粗糙，与树脂基材的粘接性提高，由于不应该附着结晶组织、组成不同的粗化粒子，因此，刻蚀时与以往带载体的极薄铜箔相比不易发生“残根”，可切出更精细的图案。
还有，电化学刻蚀是指电解液使用硫酸单浴、或硫酸·硫酸铜浴、盐酸浴、硝酸浴来通入电流的刻蚀处理、刻蚀及铜瘤附着处理。
此时的电流波形使用直流(极薄铜箔带+电)、交流、PR电流(+-反转直流)、脉冲电流(极薄铜箔带+电)等。
此时，如果电解液使用硫酸单浴、或硫酸·硫酸铜浴，则与使用盐酸或硝酸时的表面形状不同。
在电解液使用硫酸单浴、或硫酸·硫酸铜浴时，如果使用交流、PR电流(+-反转直流)进行处理，则交互受到刻蚀作用(阳极溶解)与铜瘤的附着作用(阴极电沉积)，表面形成由刻蚀作用形成的洼以及附着小铜瘤的凹凸。
相对于此，在电解液使用盐酸浴、硝酸浴时，只有刻蚀作用(阳极溶解)，不产生铜瘤的附着作用(阴极电沉积)，因此表面只产生由刻蚀作用形成的洼。
上述情况时，使用硫酸·硫酸铜浴时，除了使用交流、PR电流(+-反转直流)的情况，在极薄铜箔表面产生小洼，提高与树脂基材的粘接性。进一步，此时也没有成为“残根”原因的粗化粒子，因此刻蚀电路时可切出微细电路。
使用硫酸·硫酸铜浴情况中使用交流、PR电流(+-反转直流)时，与洼一起附着有小铜瘤，但此时小铜瘤也是极薄铜箔的一部分溶解并再附着来产生，组成与极薄铜箔自身相同，因此，与以往粗化处理粒子相比，进行图案刻蚀时小铜瘤容易被刻蚀，与以往带载体的极薄铜箔相比不易产生“残根”。从而，可切出更精细的图案。
本发明的铜箔与铜箔自身相比，刻蚀速度慢的粗化粒子没有附着在铜箔表面，因此，刻蚀电路时没有“残根”，可切出15μm以下的微细电路。并且刻蚀15μm以下的线后，也可以进行提高与树脂的粘接性的化学处理和/或电化学处理，因此，微细电路与电路基板(树脂基材)具有高粘接强度。
从而，可提供通过本发明带载体的极薄铜箔施加高密度微细电路的印刷电路板，并且可提供通过本发明带载体的极薄铜箔施加高密度微细电路的多层印刷电路板。
本发明如图1所示，在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的对电解铜箔进行粗化处理的带载体的极薄铜箔。
本发明如图1所示，在载体箔上依次层积剥离层、极薄铜箔，所述极薄铜箔是表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下，底材山的最小峰间距在5μm以上，并且表面露出平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔进行粗化处理的带载体的极薄铜箔。
所述带载体的极薄铜箔的该粗面化处理优选通过电析形成铜的微粒子。进一步，对其粗面化处理表面在不改变该粗面化处理面的外形的范围内实施化学处理和/或电化学处理。
需要极薄铜箔表面的Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上是因为，在电析粗化粒子5时，在底材山顶点部分不集中粗化粒子，整体上均匀地电析粗化粒子。
还有，如果表面露出了平均粒径2μm以下的晶粒，则在其上电析粗化粒子5时，受到底材(极薄铜箔)的晶粒的影响，可电析出微细粒子。
本发明的铜箔为，在附着粗化粒子后Rz也在2μm左右，并且刻蚀15μm线后，粗化粒子也多数附着在15μm线上，因此，尽管粗度细了，但微细线和电路基板(树脂基板)保持高的粘接强度。从而，可提供通过本发明带载体的极薄铜箔施加高密度极薄微细电路的印刷电路板，并且可提供通过本发明带载体的极薄铜箔施加高密度极薄微细电路的多层印刷电路板。
进一步，根据本发明可提供根据通过上述本发明带载体的极薄铜箔施加高密度极薄微细电路的印刷电路板。
还有，根据本发明可提供通过上述本发明带载体的极薄铜箔施加了高密度极薄微细电路的多层印刷电路板。
附图说明
本发明的上述目的和特征、以及其他目的和效果将从参照附图叙述的下述描述中更加明了。
图1为现有带载体的极薄铜箔的扩大断面图；
图2为本发明第1实施方案的带载体的极薄铜箔的扩大断面图；
图3和图4为本发明第2实施方案的带载体的极薄铜箔的扩大断面图；
图5为本发明第3实施方案的带载体的极薄铜箔的扩大断面图。
具体实施方式
第1实施方案
图2表示本发明第1实施方案的带载体的极薄铜箔，在载体箔1的表面上形成剥离层2，在剥离层2上形成极薄铜箔4。这样，本发明第1实施方案的带载体的极薄铜箔由载体箔1、剥离层2、极薄铜箔4层积构成。
极薄铜箔4的表面的表面粗度Rz为2.5μm以下，且底材三的最小峰间距为5μm以上，在其表面形成由粗化粒子4a构成的粗化粒子层5。
为制作极薄铜箔4表面的表面粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的极薄铜箔层4，在设置在载体箔1上的剥离层2上用能够生成平滑而具有镜面光泽的铜电镀的镀铜液进行电镀。
作为能够生成平滑而具有镜面光泽的镀铜液，适合使用日本特许第3,313,277号中公开的镀铜液，或者含有市售的装饰用光泽电镀添加剂的电镀液。
由这些电镀液获得的极薄铜层4为表面粗度小且平坦的表面状态，进一步表面露出平均粒径2μm以下的晶粒，因此，即使在其上附着铜的粗化粒子时，也能够均匀地形成如图2所示小球状平均粒径2μm以下的微细粒子。
上述箔本身的晶粒的平均粒径是指首先用透射电子显微镜(TEM)拍摄形成有晶粒的表面的照片，实测10点以上该照片中的晶粒面积，计算把该晶粒作为正圆时的直径，把该计算值作为平均粒径。
还有，微细粒子的平均粒径是指用TEM实测并测定10点以上的值的平均值。
设置在载体箔1上的剥离层2优选为由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P和/或它们的合金层或它们的水合物层构成的层，或为有机覆膜。
形成这些剥离层2的金属(包括合金)及它们的水合氧化物优选由阴极电解处理形成。形成使用带载体的极薄铜箔的电路板的阶段中，除了达到提高把带载体的极薄铜箔热压到在绝缘基材上后的剥离稳定性的目的之外，还可以同时在剥离层2下面设置镍、铁或它们的合金层。
作为剥离层2合适的铬合金的二元合金为镍-铬、钴-铬、铬-钨、铬-铜、铬-铁、铬-钛等，三元系合金可列举镍-铁-铬、镍-铬-钼、镍-铬-钨、镍-铬-铜、镍-铬-磷、钴-铁-铬、钴-铬-钼、钴-铬-钨、钴-铬-铜、钴-铬-磷等。
还有，剥离层2使用有机覆盖膜时优选使用选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上物质。
把载体箔1从剥离层2剥离时的剥离(扒开)强度受这些金属附着量的影响。即如果剥离层2厚(电镀附着量多)，则成为构成剥离层2的金属(以下简称为剥离层金属)完全覆盖载体箔1表面的状态，剥离强度被认为是剥离层2的金属表面和其后层积的极薄铜箔4的结合面被剥离时的力。
相对于此，当剥离层2的厚度薄时(电镀附着量少时)剥离层2金属没有完全覆盖载体箔1的表面，剥离强度被认为是稍微露出的载体箔1和剥离层2的金属与附着在其上的极薄铜箔4的结合力被剥离时的力。
从而，根据形成剥离层2的金属电镀的附着量载体箔1与极薄铜箔4的剥离强度发生变化，但以某种厚度形成(附着)剥离层2时，剥离强度不会再变化，因此，即使形成剥离层2的金属的附着量在100mg/dm2以上这样增加电镀附着量，剥离强度也不会变化。
下面说明本发明第1实施方案的带载体的极薄铜箔的实施例及其比较例。
实施例1
(1)极薄铜层的制作
把表面(S面)粗度1.2μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，把如下述组成1所示硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度30A/dm2、液温50℃条件进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(组成1)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)            250～350g/l
硫酸(H2SO4)                    80～120g/l
3-巯基-1-丙烷磺酸钠            0.5～5ppm
羟基乙基纤维素                 1～10ppm
低分子量胶(分子量3,000)        1～10ppm
Cl-                            10～50ppm
(2)微细粗化粒子的电析
在以下条件下在极薄铜箔上根据直流施加阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。
(2-1)微细粒子核的形成
(a)电解液的组成
硫酸铜(CuSO4·5H2O)            80～140g/l
硫酸(H2SO4)                    110～160g/l
钼酸钠(Na2Mo4·2H2O)           0.05～3g/l
硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)          1～15g/l
(b)电解液的温度：35℃
(c)电流密度：10～50A/dm2
(d)处理时间：2～15秒
(2-2)包膜电镀
(a)电解液的组成
硫酸铜(CuSO4·5H2O)            200～300g/l
硫酸(H2SO4)                    90～130g/l
(b)电解液的温度：60℃
(c)电流密度：10～30A/dm2
(d)处理时间：2～15秒
(3)表面处理
在所得附着有铜粒子的极薄铜箔表面施加镍-磷电镀(Ni＝0.1mg/dm2)和锌电镀(Zn＝0.1mg/dm2)，进一步在其上施加铬盐处(Cr＝0.6mg/dm2)，然后施加环氧系硅烷偶联剂处理(Si＝0.004mg/dm2)。
实施例2
(1)极薄铜层的制作
把表面(S面)粗度1.2μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，把如下述组成2所示硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度10A/dm2、液温35℃条件进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层。
(组成2)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)                240g/l
硫酸(H2SO4)                        60g/l
日本シェ-リング(株)カバラシド210
メィキャップ剂                     100cc/l
光泽剂(A)                          0.5cc/l
光泽剂(B)                          只用于补充
Cl-                                30ppm
光泽剂的补充为对于电流量1,000AH各自添加300cc的光泽剂(A)和光泽剂(B)。
(2)微细粗化粒子的电析
在与实施例1相同的条件下在极薄铜箔上施加采用直流电的阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。
(3)表面处理
在所得附着有铜粒子的极薄铜箔表面施加与实施例1相同的表面处理。
实施例3
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与实施例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
实施例4
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与实施例2相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
实施例5
把表面(S面)粗度2.4μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与实施例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
实施例6
把表面(S面)粗度2.4μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与实施例2相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
比较例1
(1)极薄铜箔的形成方法
把表面(S面)粗度1.2μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，把如下述组成3所示硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度30A/dm2、液温50℃条件进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(组成3)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)    250～350g/l
硫酸(H2SO4)            80～120g/l
胶                     1～10ppm
Cl-                    10～50ppm
(2)微细粒子的电析
(2-1)微细粒子核的形成
用与实施例1所示相同的方法电析铜粒子。
(2-2)包膜电镀
用与实施例1所示相同的方法电析包膜电镀。
(3)表面处理
用与实施例1所示相同的方法进行表面处理。
比较例2
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与比较例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
比较例3
把表面(S面)粗度2.4μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面与比较例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
比较例4
表面粗度0.6μm、厚度35μm的压延铜箔作为载体箔，在该表面上与比较例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
比较例5
使用特表2003-524078号公报中公开的组成的电解液，制备厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔。在其M面(粗度2.0μm)上与比较例1相同来形成剥离层、极薄铜箔、粗化粒子层，接着施加表面处理来制作带载体的极薄铜箔。
对上述实施例和上述比较例进行评价。
对实施例1～6、比较例1～5制作的带载体的极薄铜箔，分别测定该极薄铜箔的表面粗度(10点平均粗度)Rz、底材山的最小峰间距、表面晶粒的平均粒径，将其结果示于表1。
Figure C20041010390000191
1.物性的测定
本发明带载体的极薄铜箔为镀铜的均匀电沉积性优异，如表1所示，通过进行5μm厚度的镀铜，即使原箔表面粗度粗为2.4微米，也能使极薄铜箔表面的表面粗度变小，进行粗化处理后的表面粗度也抑制得小。
2.印刷电路板的制作
接着，由实施例1～6的极薄铜箔制作印刷电路板、多层印刷电路板的结果，能够以线/间隔＝10μm/10μm的极细宽度实现刻蚀。
3.剥离强度的测定
测定在实施例1～6、比较例1～5制作的带载体的极薄铜箔的剥离强度。测定时把10mm幅带载体的极薄铜箔贴到FR-4基材上，接着剥离载体箔，在极薄铜箔上进行电镀，使厚度为35μm后，剥离来测定剥离强度。将其结果一并示于表1。如在表1所示，用通常的测定方法(10mm幅)时实施例与比较例中反而比较例的剥离强度大。
比较例的剥离强度大是因为，粗化前的铜箔表面存在山谷(凹凸)，因此山的部分粗化粒子集中电析，谷的部分粗化粒子几乎不电解，但因测定时为10mm幅的宽幅，所以根据粗化粒子的固定效果剥离强度增大。但是，当成为50μm幅以下的极细幅时则如下所示剥离强度减少。
4.剥离强度
所述比较例中制作的极薄铜箔的剥离强度为，当幅宽成为50μm以下的极细幅时，剥离强度减少，这是因为随着线幅变细，线幅内的粗化粒子的附着量变得稀疏。为了确认这种现象用线/间隔＝50μm/50μm的本发明极薄铜箔及比较例的极薄铜箔制作的印刷电路板进行带剥离试验，将其结果示于表1。
带剥离试验是在上述L/S＝50/50的试验图案上粘贴粘接带并剥离时，评价图案是否从树脂基材剥离。
如表1所示，如果形成线/间隔＝50μm/50μm的极细幅时，与本发明极薄铜箔相比，比较例的铜箔电路容易剥离。
5.刻蚀性的评价
在FR-4基材压制加工实施例1～6及比较例1～5的带载体的5μm箔，剥离载体。
然后，在铜箔表面上印刷线/间隔＝10/10μm、15/15μm、20/20μm、25/25μm、30/30μm、35/35μm、40/40μm、45/45μm、50/50μm的试验图案(线长30mm、线数10根)，用氯化铜刻蚀液进行刻蚀。
在表1中用数值表示10根线没有桥联被刻蚀时的线幅。在实施例中制作的极薄铜箔为可以刻蚀至15μm以下，但在比较例中制作的极薄铜箔为最低是20μm。
如上所述，本发明第1实施方案的带载体的极薄铜箔为不受载体箔表面粗度影响，可制作露出微细晶粒的极薄电解铜箔，在其箔上附着粗化粒子后Rz也收在2μm左右，可刻蚀成线/间距在15μm以下的极细幅，并且刻蚀15μm以下的线后在15μm以下的线shang也附着有大量粗化粒子，因此即使粗度降低微细线与电路基板(树脂基板)也具有高粘接强度，具有优异的效果，粘接强度高。从而，通过本发明的带载体的极薄铜箔，可提供高密度极薄微细电路(超精细图案)的印刷电路板，及超精细图案的多层印刷电路板。
本发明的极薄铜箔可刻蚀至线幅在15μm以下的极细幅，剥离强度也强，不会从电路基板剥离。
这样，本发明的铜箔可作为各种电路机器的电路导体，并且印刷电路板可适用应用于各种电子机器等。
第2实施方案
图3和图4表示本发明第2实施方案的带载体的极薄铜箔，在载体箔1表面上层积形成剥离层2、极薄铜箔4。
极薄铜箔4的表面上没有形成粗化粒子，但实施了不改变表面外形程度的厚度的化学处理和/或电化学处理(未图示)。通过该处理提高与树脂基材的化学粘接，提高粘接性。
形成极薄铜箔4层时可使用不含添加剂的镀铜液，或者含有添加剂的镀铜液进行电镀。
这里添加剂是指砷化物、钼化物、钒化物、镍化物、钴化物、铁化物、钨化物、锗化物等无机化合物添加剂，胶、明胶、含有机活性硫的化合物、有机染料、高分子多糖类、纤维素等有机化合物添加剂。
使用这些添加剂时可根据添加剂种类改变表面形状。
例如如果使用含有作为上述代表性有机添加剂的胶和氯化物离子的硫酸-硫酸铜液进行电镀时，极薄铜箔4的表面形状为如图3所示正好是山相连的形状(以下叫做“底材山”)。
使用胶和氯化物离子作为添加剂时，厚度为9μ的铜箔时形成底材山的表面Rz为4μm左右，底材山的最小峰间距为4～5μm左右。图3表示了该断面的一个实施方案。
这里Rz是指日本工业标准(JIS)B0601-1994中记载的10点平均粗度。
通过选择添加剂的种类，与上述胶和氯化物离子相比，极薄铜箔4的底材山的高度低于4μm，以及底材山的最小峰间距不足5μm，因此可以形成底材山的高度低于4μm，以及底材山的最小峰间距在5μ以上的近似镜面的平坦的材料。图4表示了该断面的一个实施方案。
随着底材山的山高度降低，进一步底材山的峰间距变长，成为适合形成电路图案的铜箔。
还有，由不含除了主成分铜以外成分的即不含无机物、有机物添加剂的镀铜液形成的极薄铜箔4的表面为，底材山高度为，通过选择制箔时的电流密度或电解液的流速(搅拌状态)，可使Rz在1～2μm左右，最小峰间距在5μm以上，极薄铜箔4的表面存在大量高度低的小凹凸的表面形状，因此，制作使用带载体的极薄铜箔的电路板时，与树脂基材的粘接性优异，可切出微细电路。还有，除了没有粗化粒子外，极薄铜箔4的层自身中所含的无机、有机的杂质非常少，因此刻蚀电路时可切出微细电路。
第3实施方案
图5表示本发明第2实施方案的带载体的极薄铜箔，表示由化学刻蚀对极薄铜箔4表面进行凹凸处理，和/或由电化学刻蚀进行凹凸处理的例子。
载体箔1的表面层积形成剥离层2、极薄铜箔4。极薄铜箔4的表面形成有小洼6。进一步，在极薄铜箔4表面实施了不改变表面外形程度的厚度的化学处理和/或电化学处理(未图示)。
设置在载体箔1上的剥离层2优选为由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P和/或它们的合金层或它们的水合物层构成的层，或为有机覆膜。
形成这些剥离层的金属(包括合金)及它们的水合氧化物优选由阴极电解处理形成。使用带载体的极薄铜箔制造电路板时，除了达到在把带载体的极薄铜箔热压在绝缘基材上之后的剥离稳定性的目的之外，还可以同时在剥离层下面设置镍、铁或它们的合金层。
作为剥离层2优选的铬合金的二元合金为镍-铬、钴-铬、铬-钨、铬-铜、铬-铁、铬-钛等，三元系合金可列举镍-铁-铬、镍-铬-钼、镍-铬-钨、镍-铬-铜、镍-铬-磷、钴-铁-铬、钴-铬-钼、钴-铬-钨、钴-铬-铜、钴-铬-磷等。
还有，剥离层2使用有机覆膜时优选使用选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上物质。
把载体箔1从剥离层2剥离时的剥离强度受这些金属附着量的影响。即如果剥离层厚(电镀附着量多)，则形成构成剥离层的金属(以下简称为剥离层金属)完全覆盖载体箔表面的状态，剥离强度被认为变成了剥离层金属表面和其后层积的极薄铜箔的结合面剥离时的力。
相对于此，当剥离层2的厚度薄时(电镀附着量少时)，剥离层金属没有完全覆盖载体箔的表面，剥离强度被认为变成了稍微露出的载体箔和剥离层金属与附着在其上的极薄铜箔的结合面剥离时的力。从而，根据形成剥离层的金属电镀的附着量来变化载体箔与极薄铜箔的剥离强度发生变化，但以某种厚度形成(附着)剥离层时，剥离强度不会再变化，因此，即使形成剥离层的金属的附着量在100mg/dm2以上这样增加电镀附着量，剥离强度也不会变化。
实施例7
(1)极薄铜层的制作
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，在用焦磷酸铜电解液进行触击电镀之后，把如下述组成4所示的硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度10～30A/dm2、液温40～60℃的条件进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
焦磷酸触击电镀条件
Cu2P2O7·3H2O            5～50g/l
K4P2O7                   50～300g/l
PH                       8～10
电流密度                 1～3A/dm2
处理时间                 30秒
(组成4)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)     250～350g/l
硫酸(H2SO4)             80～120g/l
(2)表面处理
对所得极薄铜箔表面施加镍-磷电镀(Ni＝0.1mg/dm2)和锌电镀(Zn＝0.1mg/dm2)，进一步在其上施加铬盐处(Cr＝0.6mg/dm2)，然后施加环氧系硅烷偶联剂处理(Si＝0.004mg/dm2)。
实施例8
(1)极薄铜层的制作
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，用与实施例7相同的焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，把如下述组成5所示的硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度10～30A/dm2、液温50℃的条件进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(组成5)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)        250～350g/l
硫酸(H2SO4)                80～120g/l
胶                         1～10ppm
Cl-                        10～50ppm
(2)表面处理
在所得极薄铜箔表面上施加与实施例7相同的表面处理。
实施例9
(1)极薄铜层的制作
把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，形成厚度0.005μm的镀铬层(剥离层)。接着，用与实施例7相同的焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，把如下述组成6所示的硫酸铜溶液作为电解液，在电流密度10～30A/dm2、液温50℃的条件下进行电解，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(组成6)
硫酸铜(CuSO4·5H2O)            250～350g/l
硫酸(H2SO4)                    80～120g/l
3-巯基-1-丙烷磺酸钠            0.5～5ppm
羟基乙基纤维素                 1～10ppm
低分子量胶(分子量3,000)        1～10ppm
Cl-                            10～50ppm
(2)表面处理
在所得极薄铜箔表面施加与实施例7相同的表面处理。
实施例10
(1)极薄铜层的制作
与实施例7相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀6μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)表面凹凸的形成
通过メック(株)的ェチボンド处理，刻蚀表面1μm。刻蚀条件如下。
处理药品    CZ-8100
喷压        2.0kg/cm2
处理温度    35℃
(3)表面处理
对所得极薄铜箔的表面上施加与实施例7相同的表面处理。
实施例11
(1)极薄铜层的制作
与实施例7相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀7μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)表面凹凸的形成
用以下条件对极薄铜层表面进行凹凸处理。理论溶解量为2μm。
这里，理论溶解量是指使电流功率为100％溶解时，从通电的电量算出的溶解量。
(a)电解液的组成：硫酸(H2SO4)  80～100g/l
(b)电解液的温度：40℃
(c)电流密度：25～40A/dm2
(d)处理时间：12.5～20秒
(3)表面处理
在所得极薄铜箔表面施加与实施例7相同的表面处理。
实施例12
(1)极薄铜层的制作
与实施例7相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀7μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)表面凹凸的形成
用以下条件对极薄铜层表面进行凹凸处理。理论溶解量为2μm。
这里，理论溶解量是指使电流功率为100％溶解时，从通电的电量算出的溶解量。
(a)电解液的组成：盐酸(HCl)80～100g/l
(b)电解液的温度：40℃
(c)电流密度：25～40A/dm2
(d)处理时间：12.5～20秒
(3)表面处理
在所得极薄铜箔表面施加与实施例7相同的表面处理。
比较例6
(1)极薄铜层的制作
与实施例7相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)微细粗化粒子的电析
在以下条件下在极薄铜箔上施加采用直流的阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。
(i)微细粒子核的形成
(a)电解液的组成
硫酸铜(CuSO4·5H2O)      90～130g/l
硫酸(H2SO4)              110～140g/l
亚砷酸(As2O3)(作为As)    100～200ppm
(b)电解液的温度：30℃
(c)电流密度：10～50A/dm2
(d)处理时间：2～15秒
(ii)包膜电镀
(a)电解液的组成
硫酸铜(CuSO4·5H2O)      200～300g/l
硫酸(H2SO4)              90～130g/l
(b)电解液的温度：50℃
(c)电流密度：10～30A/dm2
(d)处理时间：2～15秒
(3)表面处理
对所得的极薄铜箔表面施加锌电镀(Zn＝0.1mg/dm2)，进一步在其上施加铬盐处理(Cr＝0.06mg/dm2)后，然后施加环氧系硅烷偶联剂处理(Si＝0.004mg/dm2)。
比较例7
(1)极薄铜层的制作
与实施例8相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)微细粗化粒子的电析
用与比较例6相同的条件在极薄铜箔上施加采用直流的阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。
(3)表面处理
在所得的极薄铜箔表面上施加与比较例6相同的表面处理。
比较例8
(1)极薄铜层的制作
与实施例9相同，把表面(S面)粗度1.8μm、厚度35μm的未处理电解铜箔作为载体箔，在该S面上连续进行铬的电镀，用焦磷酸铜电镀液进行触击电镀后，电镀5μm厚的极薄铜层(铜箔)。
(2)微细粗化粒子的电析
用与比较例6相同的条件在极薄铜箔上施加采用直流的阴极电解处理，电析出铜微细粗化粒子。
(3)表面处理
在所得的极薄铜箔表面上施加与比较例6相同的表面处理。
评价
对实施例7～12、比较例6～8制作的带载体的极薄铜箔，测定该极薄铜箔的表面粗度(10点平均粗度)Rz，将其结果示于表2。
Figure C20041010390000291
1.物性的测定
本发明带载体的极薄铜箔为如表2所示，未附着粗化处理粒子，因此表面粗度被抑制得很小。
2.剥离强度的测定
测定在实施例7～12、比较例6～8制作的带载体的极薄铜箔的剥离强度。测定时把带载体的极薄铜箔切断成纵250mm、横250mm后，在极薄铜箔表面放置聚酰亚胺薄板(宇部兴产制造的UPIREX-VT)，用两片光滑的不锈钢板夹住整体，用20torr的真空压力在330℃温度、2kg/cm2压力下热压粘接10分钟，然后在330℃温度、50kg/cm2压力下热压粘接5分钟，制成附有载体箔的测定剥离用单面贴铜层积板。剥离载体箔，在极薄铜箔上进行电镀，使厚度为35μm后，以10mm幅测定剥离强度。将其结果一并示于表2。
如表2所示，实施例具有充分的剥离强度。
3.刻蚀性的评价
在聚酰亚胺薄板上压制实施例7～12及比较例6～8的带载体的5μm箔，剥离载体后，在极薄铜箔上镀铜至12μm厚度。
然后，在铜箔表面印刷线/间隔＝10/10μm、15/15μm、20/20μm、25/25μm、30/30μm、35/35μm、40/40μm、45/45μm、50/50μm的试验图案(线长30mm、线数10根)，用氯化铜刻蚀液进行刻蚀。
在表1用数值表示10根线没有桥联被刻蚀时的线幅。在实施例中制作的极薄铜箔为可以刻蚀至10μm以下，但在比较例中制作的极薄铜箔为最低是30μm。
如上所述，在本发明第2实施方案及第3实施方案的带载体的极薄铜箔的极薄铜箔上未附着刻蚀速度慢的粗化粒子，实施为提高与树脂基材的粘接性的化学处理和/或电化学处理，或者在极薄铜箔上未附着刻蚀速度慢的粗化粒子，实施采用化学处理和/或电化学处理的凹凸处理后，进一步进行为提高与树脂基材的粘接性的化学处理和/或电化学处理。其结果，这些铜箔可刻蚀成线/间距在15μm以下的极细幅，并且即使粗度降低，与树脂基材的粘接强度(剥离强度)也高，从而，使用本发明的带载体的极薄铜箔，可提供超精细图案的印刷电路板，及超精细图案的多层印刷电路板。

Claims (18)

1.一种带载体的极薄铜箔，其特征在于：依次层积载体箔、剥离层、极薄铜箔，所述极薄铜箔为表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下且底材山的最小峰间距在5μm以上的电解铜箔。
2.如权利要求1记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔的表面被实施了不改变该表面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
3.如权利要求1记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：在所述极薄铜箔表面实施粗面化处理，在其粗面化处理面上实施不改变该粗面化处理面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
4.如权利要求3记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理结果是通过电析铜微细粒子的粗面化处理进行了粗化电镀。
5.如权利要求4记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理是化学刻蚀处理和/或电化学刻蚀处理。
6.如权利要求1记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述剥离层是Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它们的合金层或它们的水合氧化物层，或者是有机覆盖膜。
7.一种带载体的极薄铜箔，其特征在于：依次层积载体箔、剥离层、极薄铜箔，所述极薄铜箔为表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下，底材山的最小峰间距在5μm以上，并且表面露出了平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔。
8.如权利要求7记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔的表面被实施了不改变该表面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
9.如权利要求7记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：在所述极薄铜箔表面实施粗面化处理，在其粗面化处理面上实施不改变该粗面化处理面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
10.如权利要求9记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理结果是通过电析铜微细粒子的粗面化处理进行了粗化电镀。
11.如权利要求9记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理是化学刻蚀处理和/或电化学刻蚀处理。
12.如权利要求7记载的带载体的极薄铜箔，其特征在于：所述剥离层为Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它们的合金层或它们的水合氧化物层，或者为有机覆盖膜。
13.一种印刷电路板，其特征在于：采用权利要求1记载的带载体的极薄铜箔实施高密度极细布线。
14.一种印刷电路板，其特征在于：采用权利要求7记载的带载体的极薄铜箔实施高密度极细布线。
15.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，其特征在于：具有依次层积载体箔，剥离层，和由表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下、底材山的最小峰间距在5μm以上、并且表面露出平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔形成的极薄铜箔的工序；以及在所述极薄铜箔的表面上实施不改变该表面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理的工序。
16.一种带载体的极薄铜箔的制造方法，其特征在于：具有依次层积载体箔，剥离层，和由表面粗度为10点平均粗度Rz在2.5μm以下、底材山的最小峰间距在5μm以上、并且表面露出了平均粒径2μm以下的晶粒的电解铜箔形成的极薄铜箔的工序；以及在所述极薄铜箔表面上实施粗面化处理的工序，在其粗面化处理面上实施不改变该粗面化处理面外形的范围内的化学处理和/或电化学处理。
17.如权利要求16记载的带载体的极薄铜箔的制造方法，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理是采用电析铜微细粒子的粗面化处理的粗化电镀。
18.如权利要求16记载的带载体的极薄铜箔的制造方法，其特征在于：所述极薄铜箔表面的粗面化处理是化学刻蚀处理和/或电化学刻蚀处理。
CNB2004101039005A 2003-11-11 2004-11-11 带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板 Active CN100571483C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003381399 2003-11-11
JP2003381399 2003-11-11
JP2004070806 2004-03-12
JP2004070806A JP4217786B2 (ja) 2004-03-12 2004-03-12 キャリア付き極薄銅箔、およびキャリア付き極薄銅箔を用いた配線板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1620221A CN1620221A (zh) 2005-05-25
CN100571483C true CN100571483C (zh) 2009-12-16

Family

ID=34436975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004101039005A Active CN100571483C (zh) 2003-11-11 2004-11-11 带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20050158574A1 (zh)
EP (1) EP1531656A3 (zh)
KR (1) KR101108991B1 (zh)
CN (1) CN100571483C (zh)
TW (1) TW200533261A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109642338A (zh) * 2016-09-12 2019-04-16 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092900B2 (en) * 2004-08-05 2012-01-10 Kaneka Corporation Solution, component for plating, insulating sheet, laminate, and printed circuit board
KR101195730B1 (ko) * 2004-10-14 2012-10-29 가부시키가이샤 가네카 도금용 재료, 상기 도금용 재료에 사용되는 폴리아미드산 용액, 폴리이미드 수지 용액 및 이들을 사용하여 제조되는 인쇄 배선판
JP4934409B2 (ja) 2005-12-15 2012-05-16 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板
JP4927503B2 (ja) 2005-12-15 2012-05-09 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔及びプリント配線基板
CN1984527B (zh) * 2005-12-15 2010-12-01 古河电气工业株式会社 带载体的极薄铜箔及印刷电路基板
US20080142249A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 International Business Machines Corporation Selective surface roughness for high speed signaling
KR101368554B1 (ko) * 2008-04-14 2014-02-27 세른 - 유러피언 오거니제이션 포 뉴클리어 리서치 가스 전자 증폭기를 제조하는 방법
DE102008022722B4 (de) * 2008-05-06 2010-02-11 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum elektrochemischen Erzeugen eines Metallbandes
CN102223960B (zh) * 2008-11-25 2013-09-04 吉坤日矿日石金属株式会社 铜箔或覆铜层压板的卷绕方法
US8524378B2 (en) 2008-11-25 2013-09-03 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil for printed circuit
JP2009143234A (ja) 2008-12-24 2009-07-02 Nippon Mining & Metals Co Ltd キャリア付金属箔
JP5346040B2 (ja) 2008-12-26 2013-11-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 フレキシブルラミネート及び該ラミネートを用いて形成したフレキシブル電子回路基板
JP5505828B2 (ja) * 2009-03-04 2014-05-28 福田金属箔粉工業株式会社 複合金属箔及びその製造方法
KR101298999B1 (ko) * 2009-09-01 2013-08-23 일진머티리얼즈 주식회사 미세회로 형성을 위한 임베디드용 동박
JP5885054B2 (ja) * 2010-04-06 2016-03-15 福田金属箔粉工業株式会社 銅張積層板用処理銅箔及び該処理銅箔を絶縁性樹脂基材に接着してなる銅張積層板並びに該銅張積層板を用いたプリント配線板。
TWI411707B (zh) * 2010-04-22 2013-10-11 Nanya Plastics Corp Ultra - low copper foil as the carrier of ultra - thin copper foil and its use
WO2012046804A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 古河電気工業株式会社 銅箔及びその製造方法、キャリア付き銅箔及びその製造方法、プリント配線板、多層プリント配線板
CN102452197B (zh) 2010-10-21 2014-08-20 财团法人工业技术研究院 附载箔铜箔及其制造方法
TWI405510B (zh) * 2010-11-24 2013-08-11 Co Tech Copper Foil Coporation 經粗化處理的銅箔及其製造方法
JP5651564B2 (ja) * 2011-09-30 2015-01-14 富士フイルム株式会社 貼り付け用銅箔
JP5875350B2 (ja) * 2011-11-30 2016-03-02 三井金属鉱業株式会社 電解銅合金箔及びキャリア箔付電解銅合金箔
JP5204908B1 (ja) * 2012-03-26 2013-06-05 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板
JP5887420B2 (ja) * 2012-09-28 2016-03-16 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付金属箔
CN103060882B (zh) * 2013-01-21 2015-11-04 福建清景铜箔有限公司 一种硫酸铜溶液逆向流动生产电解铜箔的方法及系统
KR101540151B1 (ko) * 2013-06-18 2015-07-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
TWI533496B (zh) * 2013-07-23 2016-05-11 Chang Chun Petrochemical Co Electrolytic copper foil
JP2015028197A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 粗化銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
KR20160089364A (ko) * 2013-11-22 2016-07-27 미쓰이금속광업주식회사 매설 회로를 구비하는 프린트 배선판의 제조 방법 및 그 제조 방법으로 얻어지는 프린트 배선판
JP5870148B2 (ja) * 2013-11-27 2016-02-24 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント回路板の製造方法、銅張積層板、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP2015134953A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI639515B (zh) * 2014-03-21 2018-11-01 Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 附載子金屬箔
JP6640567B2 (ja) 2015-01-16 2020-02-05 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法
WO2016117587A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 三井金属鉱業株式会社 キャリア付極薄銅箔及びその製造方法
CN105843438A (zh) * 2015-01-30 2016-08-10 启耀光电股份有限公司 电子装置及电子装置的制造方法
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6058182B1 (ja) 2015-07-27 2017-01-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6006445B1 (ja) 2015-07-27 2016-10-12 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6339636B2 (ja) 2015-08-06 2018-06-06 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6200042B2 (ja) 2015-08-06 2017-09-20 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP7044997B2 (ja) * 2016-07-01 2022-03-31 三菱瓦斯化学株式会社 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及び半導体素子実装基板の製造方法
KR101809985B1 (ko) * 2017-03-30 2017-12-18 와이엠티 주식회사 다공성 구리박의 제조방법 및 이를 이용한 다공성 구리박
WO2018181726A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板およびプリント配線板
KR101992841B1 (ko) 2017-07-13 2019-06-27 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 울음, 주름 및 찢김이 최소화된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조 방법
WO2019021895A1 (ja) * 2017-07-24 2019-01-31 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板およびプリント配線板
WO2019024974A1 (en) * 2017-07-31 2019-02-07 Circuit Foil Luxembourg, Sàrl COPPER LAMINATE AND PRINTED CIRCUIT BOARD COMPRISING THE SAME
JP6623320B2 (ja) * 2017-12-05 2019-12-18 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板及びプリント配線板
JP7014695B2 (ja) * 2018-10-18 2022-02-01 Ｊｘ金属株式会社 導電性材料、成型品及び電子部品
CN109234797B (zh) * 2018-11-02 2020-04-07 山东天岳先进材料科技有限公司 一种碳化硅单晶生长装置
KR102124324B1 (ko) 2018-11-14 2020-06-18 와이엠티 주식회사 도금 적층체 및 인쇄회로기판
CN111640915A (zh) 2019-03-01 2020-09-08 麻省固能控股有限公司 负极、包括其的二次电池以及制造负极的方法
US11444277B2 (en) 2019-03-01 2022-09-13 Ses Holdings Pte. Ltd. Anodes, secondary batteries including the same, and methods of making anodes
CN113795615A (zh) * 2019-06-07 2021-12-14 古河电气工业株式会社 表面处理铜箔、覆铜层叠板以及印刷电路板
TWM593711U (zh) 2019-06-12 2020-04-11 金居開發股份有限公司 進階反轉電解銅箔及其銅箔基板
CN110996536B (zh) * 2019-12-25 2023-06-02 广东生益科技股份有限公司 一种载体铜箔及其制备方法和应用
CN112469194B (zh) * 2020-11-27 2022-08-05 广东嘉元科技股份有限公司 一种高密互联电路板用低轮廓电解铜箔
EP4258828A1 (en) * 2020-12-10 2023-10-11 YMT Co., Ltd. Release layer for metal foil with carrier, and metal foil comprising same
JP7083198B1 (ja) * 2021-06-18 2022-06-10 ドングァン ディーエスピー テクノロジー カンパニー リミテッド ポリマーと銅の接合体のための銅表面処理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818401B2 (ja) * 1989-05-17 1996-02-28 福田金属箔粉工業株式会社 複合箔とその製法
JP3313277B2 (ja) * 1995-09-22 2002-08-12 古河サーキットフォイル株式会社 ファインパターン用電解銅箔とその製造方法
US6111870A (en) * 1996-11-07 2000-08-29 Interdigital Technology Corporation Method and apparatus for compressing and transmitting high speed data
US5863410A (en) * 1997-06-23 1999-01-26 Circuit Foil Usa, Inc. Process for the manufacture of high quality very low profile copper foil and copper foil produced thereby
US6270889B1 (en) * 1998-01-19 2001-08-07 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Making and using an ultra-thin copper foil
JP2000269637A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Furukawa Circuit Foil Kk 高密度超微細配線板用銅箔
JP4329953B2 (ja) 1999-05-19 2009-09-09 古河電気工業株式会社 高密度超微細配線板用銅箔
LU90532B1 (en) * 2000-02-24 2001-08-27 Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl Comosite copper foil and manufacturing method thereof
MY120403A (en) * 2000-03-10 2005-10-31 Gbc Metals Llc Copper foil composite including a release layer
JP3690962B2 (ja) * 2000-04-26 2005-08-31 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付電解銅箔及びそのキャリア箔付電解銅箔の製造方法並びに銅張積層板
JP2002060981A (ja) * 2000-08-23 2002-02-28 Nippon Peroxide Co Ltd 銅及び銅合金表面の粗面化処理液
US7026059B2 (en) * 2000-09-22 2006-04-11 Circuit Foil Japan Co., Ltd. Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad
JP4304324B2 (ja) 2001-12-28 2009-07-29 古河電気工業株式会社 抵抗層付き銅箔とその製造方法
TW200403358A (en) * 2002-08-01 2004-03-01 Furukawa Circuit Foil Electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil for secondary battery collector
JP4413552B2 (ja) * 2002-08-01 2010-02-10 古河電気工業株式会社 電解銅箔および二次電池集電体用電解銅箔
TW200420208A (en) * 2002-10-31 2004-10-01 Furukawa Circuit Foil Ultra-thin copper foil with carrier, method of production of the same, and printed circuit board using ultra-thin copper foil with carrier
JP3977790B2 (ja) * 2003-09-01 2007-09-19 古河サーキットフォイル株式会社 キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109642338A (zh) * 2016-09-12 2019-04-16 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
CN109642338B (zh) * 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板

Also Published As

Publication number Publication date
TW200533261A (en) 2005-10-01
US20050158574A1 (en) 2005-07-21
US20090011271A1 (en) 2009-01-08
EP1531656A2 (en) 2005-05-18
US7790269B2 (en) 2010-09-07
KR20050045903A (ko) 2005-05-17
KR101108991B1 (ko) 2012-01-31
EP1531656A3 (en) 2007-10-03
TWI340613B (zh) 2011-04-11
CN1620221A (zh) 2005-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100571483C (zh) 带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板
CN1984527B (zh) 带载体的极薄铜箔及印刷电路基板
CN1551710B (zh) 精密图形印刷布线用铜箔及其制造方法
TWI525221B (zh) Copper foil and its manufacturing method, carrier copper foil and its manufacturing method, printed circuit board and multilayer printed circuit board
JP4087369B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔、およびプリント配線板
JP4728723B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔
CN103857833B (zh) 与树脂粘着性优良的铜箔、其制造方法以及使用该电解铜箔的印刷布线板或电池用负极材料
US7892655B2 (en) Ultrathin copper foil with carrier and printed circuit board using same
EP1420621A1 (en) Ultra-thin copper foil with carrier, method of production of same, and printed circuit board using ultra-thin copper foil with carrier
CN102203326A (zh) 带有载体的极薄铜箔以及贴铜层压板或印刷线路基板
US6548153B2 (en) Composite material used in making printed wiring boards
JP2004169181A (ja) キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
JP2005260058A (ja) キャリア付き極薄銅箔、キャリア付き極薄銅箔の製造方法および配線板
JP4217786B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔、およびキャリア付き極薄銅箔を用いた配線板
CN108124391A (zh) 复合金属箔、覆铜层叠板及该覆铜层叠板的制造方法
JP2920083B2 (ja) 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP2004263300A (ja) ファインパターンプリント配線用銅箔とその製造方法
US6447929B1 (en) Thin copper on usable carrier and method of forming same
JP2004263296A (ja) ファインパターンプリント配線用銅箔とその製造方法
JP2003094553A (ja) 複合銅箔及びその製造方法
JP4748519B2 (ja) キャリア付き極薄銅箔、及びその製造方法、キャリア付き極薄銅箔を用いたプリント配線基板
CN104024488A (zh) 印刷电路用铜箔
KR100684812B1 (ko) 신규한 복합박, 그 제조방법, 및 동접합 적층판
EP0996318B1 (en) Novel composite foil, process for producing the same and copper-clad laminate
CA2227179A1 (en) Copper foil for the manufacture of printed circuits and method of producing same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090327

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Furukawa Electric Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: Furukawa Circuit Foil

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FURUKAWA CIRCUIT FOIL CO., LTD.

Effective date: 20090327

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant