TWI405510B - 經粗化處理的銅箔及其製造方法 - Google Patents

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經粗化處理的銅箔及其製造方法
本發明係有關於一種電路板之銅箔及其製造方法，尤指一種經粗化處理的銅箔及其製造方法。
銅箔被大量用在電子、電工材料用的印刷電路板，近年來在印刷電路板的配線高密度化過程中，例如在薄板和組裝技術的印刷電路板應用中，由於電路的微細化，為了避免絕緣性不佳的問題，要求使用粗化面的粗糙度較小之銅箔，但使用粗化面粗糙度小的銅箔與樹脂基材料熱壓合後，有黏合力不佳的問題，如果黏合力不佳，則在製造過程中和做成產品後，銅箔電路會出現爆板、剝離或漂浮等脫層的問題。
為了解決上述的問題，傳統印刷電路板用銅箔之表面會預先進行粗化處理，使其層疊於樹脂基材料後可得到較高的黏合、接著強度，例如日本特公昭54-38053揭露一種銅箔表面粗化處理的方法，在酸性鍍銅浴中加入一定量的選自下列的至少一種金屬：砷、銻、鉍、硒及碲，並在大於極限電流密度下進行電鍍，文中提出於鍍銅浴中加入砷、銻、鉍、硒或碲可以形成細小的凸出物，但在上述的方法中使用砷、銻、鉍、硒或碲等毒性的物質應用在印刷電路板時，其廢棄蝕刻液、鍍液等會引起嚴重的環境問題
本發明之實施例提供一種經粗化處理的銅箔，包含：一銅箔，其具有一被接著面；以及一設於該被接著面上的複合金屬層，其中該複合金屬層係具有以下所示之組份(A)、組份(B)與組份(C)形成之微細粗化粒子，其中，組份(A)：銅；組份(B)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素；以及組份(C)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇及錳所組成之群組中所選出的至少一種金屬元素。
本發明實施例更提供一種經粗化處理的銅箔的製造方法，包含以下步驟：提供一銅箔，其具有一被接著面；將該銅箔浸入一電鍍浴中，該電鍍浴具有以下組成：(Ⅰ)：銅離子，其濃度為10至150克/升；(Ⅱ)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組所選出的至少一種元素離子，其濃度為1至1500 ppm；(Ⅲ)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、錫、鎢、鋇及錳所組成之群組所選出的至少一種金屬元素離子，其濃度為1至2500 ppm；以及進行一電鍍步驟，使該被接著面上成型有一複合金屬層，其中該複合金屬層係具有以下所示之組份(A)、組份(B)與組份(C)形成之微細粗化粒子，其中，組份(A)：銅；組份(B)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素；以及組份(C)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇及錳所組成之群組中所選出的至少一種金屬元素。
本發明具有以下有益的效果：本發明採用較為環保的元素進行銅箔的表面改質，經過實驗後，可獲致一種環保的粗化處理方法及經粗化處理的銅箔，進而得到粗面形狀均勻且粗糙度小的銅箔，應用於印刷電路板(Printed Circuit Board)、薄膜覆晶封裝(Chip On Flex)、軟性電路板(Flex Print Circuit)等領域具有良好之黏合力。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，然而下述之發明說明以及所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
本發明利用組份(A)：銅；組份(B)：第ⅢA族元素、磷的至少其中之一；組份(C)鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇、錳的至少其中之一等無毒性的元素取代具有毒性的砷、銻、鉍、硒或碲等元素進行銅箔之粗化處理，而可得到粗面形狀均勻且粗糙度小的銅箔，所製造的銅箔可應用於印刷電路板，以滿足產品對於黏合力的要求，進而解決傳統利用砷、銻、鉍、硒或碲等具有毒性的元素進行銅箔粗化處理，卻可能造成的環境污染的問題。
本發明所提出的經粗化處理的銅箔的製造方法可包括以下步驟：
首先，提供一銅箔，其具有一被接著面(Matte Side)。本發明係採用銅箔為陰極，以進行後述的電鍍步驟，而銅箔(又稱原料銅箔)可為電解銅箔、壓延銅箔等，本發明係使用電解銅箔進行說明。
接著，將該銅箔浸入一電鍍浴中，以利用電鍍方式在銅箔之被接著面上成型複合金屬層。請參考表一，其為本發明之實驗例；而表二則為各實驗例進行測試之結果：
註：a表示測試5次之數值平均值
以下將詳細說明表一所述之實驗例：
實驗例1
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴A中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例2
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴B中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)　使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸10秒形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定，將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例3
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴C中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示：
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)　使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸10秒形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例4
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴D中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例5
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴E中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例6
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴F中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
實驗例7
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴G中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
比較例1
(1)原料銅箔(厚度18μm)於粗化處理前先酸浸於10%硫酸溶液20秒。
(2)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於粗化處理的電鍍浴H中進行銅箔粗糙面的粗化處理，電鍍浴組成以及電鍍條件如表一所示。
(3)使用去離子水將原料銅箔清洗乾淨後，將原料銅箔浸於由銅以及硫酸組成的輔助電鍍浴中將銅箔上之微細粗化粒子之複合金屬層的表面加以覆蓋，其中銅離子濃度較佳是10至150 g/l(克/升)，而硫酸濃度較佳是30至200g/l。此步驟的目的係在於成型包覆層(又稱保護層、粗化層或膠囊層)於複合金屬層上，使其避免複合金屬層結構斷裂造成粉落現象以及殘銅現象，應用於PCB中可避免短路的發生或蝕刻不全的問題發生，其可為一必要製程。
(4)依順序重複進行步驟2以及步驟3一次、兩次或多次，其目的在於提升包覆層的表面微細粗化粒子的電著量以及均勻性，以及加強微細粗化粒子之複合金屬層被包覆層均勻覆蓋，以有效地抑制剝離現象(落粉)的發生。
(5)使用去離子水將粗化處理後的銅箔清洗乾淨後，將粗化處理後的銅箔在室溫、pH=3.75的1.6 g/l重鉻酸鈉二水合物水溶液中浸泡10秒，以形成防銹層。
(6)進行殘銅和粉末脫落試驗以及黏合強度的測定：將銅箔的黏合表面對著相應於FR-4的玻纖-環氧樹脂浸漬基材進行疊壓，製造覆銅層疊物，將覆銅層疊物裁切出銅箔寬度為1mm的試片。根據JIS 6481，在室溫下測定該試片的銅箔和樹脂基材之間的黏合強度，試驗結果如表二所示。
請配合表一及表二，其中根據十點平均粗度(Rz)分析，由表二中實施例1、2及實施例5、6可知添加磷元素進行粗化處理所得到之銅箔的平均粗度略高，由掃描型電子顯微鏡照像圖發現利用磷(P)元素進行粗化處理所得到之銅箔之被接著面(Matte Side)結構，於波峰有較細長的樹枝狀結構生成；而利用第ⅢA族元素之銦(In)元素進行粗化處理所得到之銅箔之被接著面結構，可有效的抑制波峰的樹枝狀結構生成，且於波谷有較多的微細粗化粒子生成。
實施例4以鐵(Fe)、鉻(Cr)以及鎢(W)三種金屬元素進行粗化處理可得到較低的平均粗度(約5.25μm)，但其黏合強度(約7.6 Ib/in)；實施例1-3及實施例5-6其平均粗度(5.33μm至5.67μm)相較於比較例1之平均粗度(約6.3μm)有明顯較低，而且上述實驗例所製作之銅箔與FR-4熱壓板後也具有良好的黏合強度(約7.7 Ib/in至8.6 Ib/in)。
根據黏合強度之分析，由表二之實施例1-2及實施例5-6發現添加磷(P)元素進行粗化處理所得到之銅箔對於FR-4樹脂有較高的黏合強度，此為添加磷(P)元素進行粗化處理所得到之銅箔之被接著面結構，於波峰有較細長的樹枝狀結構生成，而此樹枝狀結構有增強銅箔與FR-4樹脂黏合強度的效果，藉由磷元素之濃度以及電鍍條件的控制可於銅箔之被接著面結構的波峰得到適當高度的樹枝狀結構，應用於印刷電路板可有效避免殘銅現象的發生。
實施例3利用銦(In)、磷(P)及鎢(W)進行粗化處理，相較於實施例2利用磷(P)及鎢(W)進行粗化處理，實施例3之黏合強度較高，由掃描型電子顯微鏡照像圖發現，添加銦(In)元素進行粗化處理所得到之銅箔之被接著面結構，於波谷有較多的微細粗化粒子生成，可有效提高銅箔與FR-4樹脂的表面接觸面積，相對也提高銅箔與FR-4樹脂黏合強度。
由表二發現未添加銦(In)或磷(P)元素進行微細粗化粒子複合金屬的粗化處理，例如：實施例4及實施例7，所得到的經粗化處理銅箔與FR-4熱壓板後，其黏合強度(7.6 Ib/in、7.2 Ib/in)相較於有添加銦(In)或磷(P)之實施例1-3及實施例5-6(7.7 Ib/in至8.6 Ib/in)為低。
根據上述實驗例的結果，本發明將銅箔浸入電鍍浴中進行電鍍，以生成複合金屬層，而該電鍍浴具有以下組成：(Ⅰ)：銅離子，其濃度為10至150克/升，較佳為20.5克/升；(Ⅱ)：由銦及磷所組成之群組所選出的至少一種元素離子，其濃度為1至1500 ppm，較佳為150至1350 ppm；(Ⅲ)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、錫、鎢、鋇及錳所組成之群組所選出的至少一種金屬元素離子，其濃度為1至2500 ppm；較佳為5至2100 ppm。
再者，進行電鍍的步驟中，電鍍之電鍍浴溫度為10至65℃，例如為40℃；電流密度為1至50安培/平方公寸(A/dm2 )，例如為30安培/平方公寸(A/dm2 )；電鍍時間為1至30秒，例如為3秒。
另外，在複合金屬層之電鍍步驟之後更可包括成型包覆層之步驟，其係將該銅箔與該複合金屬層浸入輔助電鍍浴中，以形成銅質的包覆層，所述的輔助電鍍浴具有濃度為10至150克/升之銅離子及濃度為30至200克/升之硫酸，該輔助電鍍浴溫度為10至65℃，電流密度為1至50安培/平方公寸(A/dm2 )，電鍍時間為1至30秒；且成型複合金屬層的步驟與成型包覆層的步驟係重覆依序進行電鍍一次或者兩次以上，以形成交錯重覆設置的該複合金屬層與該包覆層，進而提高黏合強度，以解決落粉、剝離的現象。
綜上所述，本發明依據上述具體實施例的方法，製作出一種經粗化處理的銅箔，其包含：銅箔及成型於該銅箔之被接著面上的複合金屬層；該複合金屬層係具有以下所示之組份(A)、組份(B)與組份(C)形成之微細粗化粒子，其中，組份(A)：銅；組份(B)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素，其中第ⅢA族元素係包括硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)；以及組份(C)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇及錳所組成之群組中所選出的至少一種金屬元素。而以第ⅢA族元素之銦與及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素的較佳實施例經過分析，該複合金屬層之組份(A)的附著量係介於約1000至150000μg/dm2 ，由銦及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素所組成的該複合金屬層之組份(B)的附著量係介於約10至1500μg/dm2 ，該複合金屬層之組份(C)的附著量係介於約10至1000μg/dm2 ；而該包覆層中之銅的附著量係介於約50000至350000μg/dm2 。另外，請參考圖1，其為未經粗化處理之原料銅箔的掃描型電子顯微鏡(SEM)照片；而圖2則為實驗例3所得的經粗化處理之銅箔的粗化處理面(即被接著面)之掃描型電子顯微鏡照片。
另一方面，本發明之原料銅箔經過上述之複合金屬層以及包覆層的處理後，可根據產品需要，在包覆層上形成防銹層、抗氧化層、偶合劑處理層及/或抗熱層等等，其中防銹層、抗氧化層以及抗熱層可以為銅鋅合金層、鎳鋅銦層、鋅合金層、鉻酸鹽層或者鎳鈷鉬層等等。
以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，非因此侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖示內容所為之等效技術變化，均包含於本發明之範圍內。
圖1為未經粗化處理之原料銅箔的掃描型電子顯微鏡照片。
圖2為實驗例3之經粗化處理之銅箔的粗化處理面之掃描型電子顯微鏡照片。

Claims (9)

  1. 一種經粗化處理的銅箔，包含：一銅箔，其具有一被接著面；以及一設於該被接著面上的複合金屬層，其中該複合金屬層係具有以下所示之組份(A)、組份(B)與組份(C)形成之微細粗化粒子，其中，組份(A)：銅；組份(B)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素；以及組份(C)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇及錳所組成之群組中所選出的至少一種金屬元素；其中該複合金屬層之組份(A)的附著量係介於1000至150000μg/dm2 ，該複合金屬層之組份(B)係由銦及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素，其附著量係介於10至1500μg/dm2 ，該複合金屬層之組份(C)的附著量係介於10至1000μg/dm2 。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之經粗化處理的銅箔，更包括成型於該複合金屬層之上的包覆層，其中該包覆層係為一銅層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之經粗化處理的銅箔，其中該包覆層中之銅的附著量係介於50000至350000μg/dm2 。
  4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之經粗化處理的銅箔，其中該複合金屬層與該包覆層可為交錯地重覆 設置一次或者兩次以上。
  5. 一種經粗化處理的銅箔之製造方法，包含以下步驟：提供一銅箔，其具有一被接著面；將該銅箔浸入一電鍍浴中，該電鍍浴具有以下組成：(I)：銅離子，其濃度為10至150克/升；(Ⅱ)：由第ⅡA族元素及磷所組成之群組所選出的至少一種元素離子，其濃度為1至1500 ppm；(Ⅲ)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、錫、鎢、鋇及錳所組成之群組所選出的至少一種金屬元素離子，其濃度為1至2500 ppm；以及進行一電鍍步驟，使該被接著面上成型有一複合金屬層，其中該複合金屬層係具有以下所示之組份(A)、組份(B)與組份(C)形成之微細粗化粒子，其中，組份(A)：銅；組份(B)：由第ⅢA族元素及磷所組成之群組中所選出的至少一種元素；以及組份(C)：由鐵、鉻、鈷、釩、鎳、鋅、鎢、錫、鋇及錳所組成之群組中所選出的至少一種金屬元素。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之經粗化處理的銅箔之製造方法，其中在進行一電鍍步驟的步驟中，電鍍之電鍍浴溫度為10至65℃，電流密度為1至50安培/平方公寸，電鍍時間為1至30秒。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之經粗化處理的銅箔之製 造方法，更包括一成型於該複合金屬層之上的包覆層之步驟，其係將該銅箔與該複合金屬層浸入輔助電鍍浴中，所述的輔助電鍍浴具有濃度為10至150克/升之銅離子及濃度為30至200克/升之硫酸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之經粗化處理的銅箔之製造方法，其中在成型包覆層的步驟中，該輔助電鍍浴溫度為10至65℃，電流密度為1至50安培/平方公寸，電鍍時間為1至30秒。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之經粗化處理的銅箔之製造方法，其中成型複合金屬層的步驟與成型包覆層的步驟係重覆依序進行電鍍一次或者兩次以上。
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