WO2001058225A1 - Feuillard de cuivre presentant des capacites excellentes de perçage au faisceau laser et son procede de production - Google Patents

Feuillard de cuivre presentant des capacites excellentes de perçage au faisceau laser et son procede de production Download PDF

Info

Publication number
WO2001058225A1
WO2001058225A1 PCT/JP2000/008578 JP0008578W WO0158225A1 WO 2001058225 A1 WO2001058225 A1 WO 2001058225A1 JP 0008578 W JP0008578 W JP 0008578W WO 0158225 A1 WO0158225 A1 WO 0158225A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper foil
laser
cobalt
plating
zinc
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/008578
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kouji Kitano
Mikio Hanafusa
Original Assignee
Nikko Materials Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18551938&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2001058225(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nikko Materials Company, Limited filed Critical Nikko Materials Company, Limited
Priority to DE60039257T priority Critical patent/DE60039257D1/de
Priority to US10/169,965 priority patent/US6638642B2/en
Priority to EP00979078A priority patent/EP1276358B1/en
Publication of WO2001058225A1 publication Critical patent/WO2001058225A1/ja

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0038—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material combined with laser drilling through a metal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/34—Coated articles, e.g. plated or painted; Surface treated articles
    • B23K2101/35—Surface treated articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12361—All metal or with adjacent metals having aperture or cut
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12639—Adjacent, identical composition, components
    • Y10T428/12646—Group VIII or IB metal-base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component

Definitions

  • the present invention relates to a copper foil excellent in laser drilling property and a method for producing the same.
  • the present invention relates to a copper foil excellent in laser drillability, which can efficiently form interlayer connection holes (through holes) of a printed circuit board, and a method of manufacturing the same.
  • the copper foil of the present invention includes not only the copper foil itself but also a copper-clad laminate or a product in which copper is directly formed on a laminate (including a plated product).
  • An object of the present invention is to improve the surface of a copper foil in manufacturing a printed circuit board so that a hole can be formed by a laser.
  • An object of the present invention is to provide a copper foil which is easy and suitable for forming a small-diameter interlayer connection hole, and a method for producing the same. From the above, the present invention
  • a copper foil excellent in laser-drillability characterized in that a laser light irradiation surface is provided with a layer containing at least one of indium, tin, cobalt, zinc, a cobalt alloy and a nickel alloy.
  • the content of cobalt, nickel, tin, zinc or indium is 0.1 to l O Omg / dm 2 (however, the zinc content is 0.5 to: O OmgZdm 2 ).
  • the present invention further provides:
  • At least one of indium, tin, cobalt, zinc, a cobalt alloy, and a nickel alloy is formed at least in a position where a copper foil is irradiated with a laser beam to form a layer connection hole of a printed circuit board. This is to form a layer containing, thereby significantly improving the laser drilling property as compared with the conventional copper foil.
  • the copper foil used in the present invention can be applied to either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil.
  • the thickness of the copper foil is desirably 18 m or less for use as high-density wiring.
  • the copper foil with improved laser drillability according to the present invention is not limited to this thickness, and can naturally be applied to a thickness larger than that.
  • a layer containing at least one of indium, tin, cobalt, zinc, a cobalt alloy, and a nickel alloy is formed on the laser irradiation surface of the copper foil.
  • These layers can be manufactured by plating.
  • the present invention is not limited to plating, and vapor deposition, sputtering, and other coating methods can be used. Also, even when plating is used, there is no limitation to a particular plating method.
  • the layer formed by plating or the like can be applied partially to the laser beam irradiation surface of the copper foil or over the entire copper foil. It is natural that these plating treatments are required not to impair the properties of the copper foil applied to the circuit board, and the treatment of the present invention sufficiently satisfies these conditions.
  • a cobalt alloy layer containing at least one or more of nickel, phosphorus, zinc, and copper is more excellent in laser drilling property.
  • the nickel layer alone has a lower laser aperture ratio than that of the present invention, and the aperture ratio is not improved even if the amount of nickel is increased, and is not suitable as a layer (coating layer) for improving the laser drilling property.
  • the amount of nickel deposited at 32 mJ / pulse was 3,400 / x gZdm 2 , 6, 100 20, 333 gZdm 2 , 53, 600 / g / dm ⁇ 81, 33 33 / z
  • the aperture ratios are 0%, 2%, 67%, 73%, 68%, respectively. And 71%, and it was difficult to increase the aperture ratio even if the nickel deposition amount was further increased.
  • the present invention includes the above nickel alloy layer.
  • the above-described nickel-only layer having a low aperture ratio is not suitable as a layer (coating layer) for improving the drilling property.
  • a chromium and / or zinc-containing anti-corrosion treatment can be performed.
  • This protection treatment can be performed on the surface of the plating treatment, that is, partially on the laser irradiation surface of the copper foil or on the entire copper foil.
  • the protection treatment does not impair the properties of the copper foil applied to the circuit board, and the protection treatment of the present invention sufficiently satisfies these conditions. Meet. In addition, this prevention process has almost no effect on the laser drilling performance.
  • the following tanning treatment can be applied. The following is a typical example. It should be noted that this plating process is only a preferred example, and the present invention is not limited to these examples.
  • Electrolyte temperature 25-60 ° C, pH: 1.0-4.0
  • Electrolyte temperature 25-40 ° C, pH: 1.0-4.0
  • Zinc concentration 1 to: L 0 gZL, NN ii Concentration :: 1100 to 3300 g g / L
  • Electrolyte temperature 40 to 50 ° C, pH: 3.0 to 4.0
  • Current density 0.5 to 5
  • a / dm 2 Plating time 1 to 3 seconds
  • Electrolyte temperature 20 to 50 ° (:, pH: 1.0 to 4.0
  • Electrolyte temperature 20-50 ° C, pH: 1.0-4.0
  • Electrolyte temperature 20-50 ° C, pH: 1.0-4.0
  • plating time 0. 5 ⁇ 1 5AZdm 2
  • plating time ::! 1180 seconds
  • the following plating process can be applied to the prevention process of the present invention.
  • the following are typical examples. It should be noted that this protection process is only a preferred example, and the present invention is not limited to these examples.
  • the shiny side (S side) of the 12 ⁇ m thick electrolytic copper foil was subjected to cobalt plating under the above plating conditions to form a plating layer having the following amount of cobalt deposited.
  • a tin plating treatment was performed on the glossy surface of the 12 ⁇ m-thick electrolytic copper foil under the above-mentioned plating conditions to form a plating layer having a tin deposition amount as follows.
  • the shiny surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil was subjected to an indium plating treatment under the above-mentioned plating conditions to form a plating layer having the following indium adhesion amount.
  • the bright surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil was treated with zinc-cobalt plating (alloy plating: the same applies hereinafter) under the above plating conditions to form a plating layer having the following cobalt and zinc adhesion amounts.
  • a copper-nickel plating treatment was performed on the glossy surface of the 12 ⁇ m-thick electrolytic copper foil under the above plating conditions to form a plating layer having the following nickel and copper adhesion amounts.
  • Nickel weight S d OO gZdm 2
  • a copper-cobalt plating treatment was performed on the glossy surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil under the above-mentioned plating conditions to form a plating layer having the following amounts of cobalt and copper deposited.
  • Copper coating weight 448 00 / g / dm 2
  • Phosphorus deposition amount 200 gZdm 2
  • a nickel-phosphorous plating process was performed on the glossy surface of the 12 ⁇ m-thick electrolytic copper foil under the above plating conditions to form a plating layer having the following nickel and phosphorus adhesion amounts.
  • Nickel coating weight 1 9 2 0 / gZdm 2
  • Phosphorus adhesion amount 100 gZdm 2
  • Copper-cobalt-nickel plating is applied to the glossy surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil under the above-mentioned plating conditions, and then copper-nickel-nickel plating is applied to the copper-copper-nickel plating.
  • a plating layer having a nickel adhesion amount (total amount) as follows was formed, and then subjected to a protection treatment under the above conditions.
  • Nickel adhesion amount 6 5 0 yu g7dm 2
  • Chromium coating weight 4 3 gZdm 2
  • dumbbell coating weight 6 gZdm 2 (Example 10)
  • a zinc-nickel plating treatment was performed on the glossy surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil under the above plating conditions to form a plating layer having the following nickel and zinc adhesion amounts.
  • Nickel adhesion amount 1 2 3 0 ug / dm 2
  • a 12-m-thick electroplated copper foil was subjected to a cobalt-nickel plating treatment under the above plating conditions to form a plating layer having the following amounts of cobalt and nickel attached.
  • Nickel adhesion amount 4 90 ⁇ ⁇ ⁇ 111 2
  • the glossy surface of the 12-m-thick electrolytic copper foil was subjected to only the protection treatment under the above protection conditions.
  • the chromium deposition amount and zinc deposition amount in this case are as follows.
  • Chromium deposition amount 3 2; gZdm 2
  • Zinc coverage 2 70 gZdm 2
  • Example 1 the aperture ratio was 2% and 74% with the laser irradiation energy of 12.5 mJ / pulse and 20.9 mjZ pulse, but reached 100% with the 32 mJZ pulse, and Shows no problem and shows a good aperture ratio. Therefore, cobalt plating is effective for improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio further increases.
  • the aperture ratio becomes 100% with 20.9 mJ no pulse. If the laser irradiation energy is further increased, the aperture ratio of 100% is naturally maintained, but as described above, there is an effect on other components such as the laminate (resin), so the output is increased. It is not preferable.
  • the aperture ratio becomes slightly inferior, but when the copper foil becomes thinner, the aperture ratio further increases.
  • the level of the laser single light irradiation energy and the thickness of the copper foil can be said to apply to all of the present embodiments.
  • Example 2 the aperture ratio was 67% and 93% at the laser single light irradiation energy of 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJ no pulse, but reached 100% with the 32 mJZ pulse. However, it shows a good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, tin plating is effective in improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio was further improved as the amount of tin deposited was increased, and when it exceeded 400 g g dm 2 , the aperture ratio was 12.5 mJ / pulse, even at 12.5 mJ / pulse. %become.
  • Example 3 the aperture ratio was 31% and 85% with the laser beam irradiation energy of 12.5 Hi JZ pulse and 20.9 m JZ pulse, but reached 100% with 32 mJ / pulse. However, it shows a good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, indium plating is effective for improving the aperture ratio. Further, as in Example 1, the aperture ratio is further improved as the amount of deposited tin is increased.
  • Example 4 the laser irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJ / pulse.
  • the aperture ratios are 52% and 94% for the mJZ pulse, but reach 100% for the 32mJ / pulse, indicating a good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, zinc-cobalt alloy plating is effective for improving the aperture ratio. Further, as in Example 1, the aperture ratio is further improved as the amount of zinc-cobalt deposited is increased.
  • Example 5 the laser beam irradiation energy was 12 .S mj Z pulse and the aperture ratio was 99%, but reached 20.9 mJ / pulse and 32 mJ no pulse and reached 100%. It shows an excellent aperture ratio. Therefore, nickel-copper alloy plating is effective in improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio is further improved, and reaches 100% at a laser irradiation energy of 12.5 mJ / pulse.
  • the copper-nickel alloy plating has an excellent aperture ratio compared to the plating shown in other examples, but this is largely affected by the surface roughening caused by the copper-nickel alloy plating. it seems to do. From this, it is effective to improve the aperture ratio by forming the surface to be bumpy by roughening.
  • Example 6 the aperture ratio was 98% at a laser beam irradiation energy of 12.5 mJ / pulse, and reached 100% at 20.9 mJ / pulse and 32 mJZ pulse.
  • the aperture ratio is extremely excellent. Therefore, cobalt-copper alloy plating is effective in improving the aperture ratio. Also, as in Example 1, even if the amount of copper-cobalt deposited was slightly increased, the aperture ratio was further improved, and the laser beam irradiation energy was easily increased to 100% with a 12.5 mJZ pulse. Reach.
  • the copper-cobalt alloy plating has an excellent aperture ratio as compared with the plating shown in other examples, but as in Example 5, this is due to the copper-cobalt alloy plating. It is considered that surface roughening has a large effect. For this reason, it is effective to improve the aperture ratio by forming the surface to be bumpy by roughening plating.
  • the laser beam irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJZ pulse, and the aperture ratio was 75% and 99%. %, Showing good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, the cobalt-phosphorus plating is effective for improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio was further improved. For example, by increasing the amount of cobalt to more than 600 ⁇ g Z dm 2 , An aperture ratio of 100% can be easily obtained with a light irradiation energy of 0.9 mjZ pulse.
  • Example 8 the laser beam irradiation energy was 12.5 mj Z pulse and 20.9 mj Z pulse, and the aperture ratio was 0% and 82%. It shows good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, nickel-phosphorus plating is effective for improving the aperture ratio.
  • Example 1 As the amount of nickel-phosphorus deposited was increased, the aperture ratio was further improved, and the laser beam irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJZ pulse. An aperture ratio of 100% can be obtained.
  • the laser beam irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and the aperture ratio was 99%, but it reached 100% with 20.9 mJZ pulse and 32 mJ / pulse. Shows excellent aperture ratio.
  • the chromium protection treatment is performed after the copper-cobalt-nickel alloy plating (first layer), and further the cono-court nickel alloy plating (second layer). ⁇ Does not significantly affect processing (although the aperture ratio tends to increase slightly), and is effective in improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio is further improved as the amount of copper-cobalt-nickel alloy and / or cobalt-nickel alloy is increased.
  • Example 10 the laser beam irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJZ pulse, and the aperture ratio was 14% and 99%. It reaches 0% and shows a good aperture ratio without any problem in actual production. Therefore, nickel-zinc alloy plating is effective in improving the aperture ratio.
  • the aperture ratio was further improved as the amount of nickel-zinc deposited was increased in the same manner as in Example 1, and an aperture ratio of 100% was obtained even with a laser beam irradiation energy of 20.9 mJ / pulse. Can be.
  • the laser beam irradiation energy was 12.5 mJ / pulse and 20.9 mJZ pulse, and the aperture ratio was 1% and 80%.
  • the aperture ratio was further improved.
  • the amount of nickel deposited 7 OOO gZdm 2 The amount of cobalt deposited 300 ⁇ g / dm If it exceeds 2 , an aperture ratio of 100% can be obtained even with a laser single light irradiation energy of 12.5 mJZ pulse.
  • Each of the above embodiments has a good aperture ratio with respect to low laser beam irradiation energy.
  • Comparative Example 1 is not sufficient as an opening in the copper foil by the laser beam.
  • a layer containing at least one of indium, tin, cobalt, zinc, a cobalt alloy, and a nickel alloy is formed on the laser beam irradiation surface of the copper foil and on the laser beam irradiation surface.
  • Laser processing is easy, a copper foil suitable for forming small-diameter interlayer connection holes can be obtained, and the aperture ratio can be greatly improved with relatively low laser irradiation energy. Has features.
  • this has a remarkable effect of directly opening a copper foil by a laser and easily forming an interlayer connection hole when manufacturing a printed circuit board.

Description

明 細 書
レーザ一穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法 技術分野
本発明は、 プリント回路基板の層間接続孔 （スルーホール） を効率良く形成で きるレーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法に関する。
なお、 本発明の銅箔は、 銅箔それ自体のみならず、 銅張り積層板あるいは積層 板に直接銅を形成したもの （めっきしたものを含む） の全てを含むものとする。 背景技術
従来、 プリント回路基板の層間に接続用の小径孔 （スルーホール） を形成する のにドリルが使用されてきたが、 ドリルによる加工 （穴開け） ではバリが発生し 易く、 また微小径の開口には限界があるため、 近年レ一ザ一による開口法が使用 されるようになつてきた。
しかしながら、 従来のプリント回路基板に使用される銅箔表面は反射率が大き いため、 レーザ一光に対する加工性が悪いという欠点があり、 このため所定の銅 箔部をエッチング除去し、 そこにレーザ一光を照射して穴開けする方法を用いた り、 銅箔を化学研磨等により薄層化した後にレーザ一加工する方法が採用されて いる。
しかし、 この場合、 銅箔のエッチング除去又は化学研磨という工程が入るため 能率が悪く、 またこのような処理操作の厳密な管理が必要なため、 生産性が悪く なりコスト高になるという欠点があった。 発明の開示
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、 その目的とすると ころは、 プリント回路基板の製造に際し、 銅箔の表面を改善することにより、 レ 一ザ一による穴開けが容易であり、 小径層間接続孔の形成に適した銅箔及びその 製造方法を提供することにある。 以上から、 本発明は
1 レーザー光照射面に、 インジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合金及び ニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を備えていることを特徴とするレ 一ザ一穴開け性に優れた銅箔
2 ニッケル、 燐、 亜鉛、 銅の少なく とも一種以上を含有するコバルト合金層を 備えていることを特徴とする上記 1記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔
3 銅、 亜鉛、 燐のいずれか一種以上を含有するニッケル合金層を備えているこ とを特徴とする上記 1記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔
4 コバルト、 ニッケル、 錫、 亜鉛又はインジウムの含有量がそれぞれ 0. 1〜 l O Omg/dm2 (但し、 亜鉛含有量については 0. 5〜：！ O OmgZdm2) であることを特徴とする上記 1〜 3のそれぞれに記載のレーザー穴開け性に優れ た銅箔
5 銅箔の厚さが 1 8 m以下であることを特徴とする上記 1〜4のそれぞれに 記載のレーザ一穴開け性に優れた銅箔
、 を提供する。
また、 さらに本発明は、
6 銅箔のレーザ一光照射面に、 インジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合 金及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成することを特徴とす るレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法
7 ニッケル、 燐、 亜鉛、 銅の少なく とも一種以上を含有するコバルト合金層を 形成することを特徴とする上記 6記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方 法
8 銅、 亜鉛、 燐のいずれか一種以上を含有するニッケル合金層を形成すること を特徴とする上記 6記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法
9 めっきにより上記層を形成することを特徴とする上記 6〜 8のそれぞれに記 载のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法 10 コバルト、 ニッケル、 錫、 亜鉛又はインジウムの含有量がそれぞれ 0. 1 〜1 0 OmgZdm2 (但し、 亜鉛含有量については 0. 5〜 1 00m g/dm 2) であることを特徴とする上記 6〜 9のそれぞれに記載のレーザー穴開け性に 優れた銅箔の製造方法。
1 1 銅箔の厚さが 1 8 μ m以下であることを特徴とする上記 6〜 1 0のそれぞ れに記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法
1 2 上記層の形成後、 防錡処理を施すことを特徴とする上記 6〜 1 1のそれぞ れに記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法
1 3 防鲭処理面にクロム及び又は亜鉛を含有することを特徴とする上記 1 2に 記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法
、 を提供する。 発明の実施の形態
本発明は、 銅箔の少なくともレーザー光を照射してプリ ン ト回路基板の層間接 続孔を形成する位置に、 インジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合金及び二 ッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成するものであり、 これによつ て従来の銅箔に比べてレーザー穴開け性を著しく向上させるものである。
本発明に使用する銅箔は、 電解銅箔又は圧延銅箔のいずれにも適用できる。 ま た、 銅箔の厚みは高密度配線として使用するために、 1 8 m以下であることが 望ましい。
しかし、 本発明のレーザー穴開け性を向上させた銅箔は、 この厚さに制限され るわけではなく、 これ以上の厚さにも当然適用できるものである。
銅箔のレーザ一光照射面へのインジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合金 及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成する。
これらの層はめつき処理することにより製造することができる。 しかし、 めつ きに限定されるものではなく、 蒸着やスパッタリング、 その他の被覆方法を用い ることもできる。 また、 めっきを用いた場合でも、特定のめっき方法に制限されるものではない。 これらのめっき等により形成される層は、 銅箔のレーザー光照射面へ部分的に又 は銅箔全面に施すことができる。 これらのめっき処理等は、 回路基板に適用され る銅箔としての特性を損なわないことが要求されるのは当然であり、 本発明の処 理はこれらの条件を十分に満たしている。
銅箔に形成する上記合金層の中で、 ニッケル、 燐、 亜鉛、 銅の少なく とも一種 以上を含有するコバルト合金層は、 レーザ一穴開け性により優れている。
なお、 ニッケル層単独では本発明に比べてレーザー開口率が低く、 ニッケルの 量を増やしても開口率が改善されず、 レーザ一穴開け性を向上させる層（被覆層） としては不適である。
因みに、 3 2 m J /パルスでのニッケル付着量が 3， 400 /x gZdm2、 6， 100
Figure imgf000005_0001
20， 333 gZdm2、 5 3， 600 / g/d m\ 8 1， 3 3 3 /z gZdm2のときに、 開口率はそれぞ れ 0%、 2%、 6 7%、 73%、 68%、 7 1 %であり、 さらにニッケル付着量 を増やしても、 開口率を上げることが困難であった。
しかし、 ニッケルに銅、 亜鉛、 燐のいずれか一種以上を含有するもの、 すなわ ちこれらのニッケル合金層を形成した場合には、 上記ィンジゥム、 錫、 コバルト、 亜鉛あるいはコバルト合金層と同程度の、 すなわち開口率を改善することが可能 であり、 ニッケル層単独よりも高いレーザー穴開け性を達成することができる。 したがって、 本発明は上記ニッケルの合金層を含む。
なお、 上記低い開口率の場合に、 穴開けの際のレーザー出力 （エネルギー） を 高くすることにより開口率を上げることは一応可能である。
しかし、 このレーザーエネルギーを必要以上に上げると、 基板 （積層板） の樹 脂部分へのダメージが大きくなり、 銅箔 （層） の穴の径よりも樹脂の穴の径が大 きくなるといった現象が起きる。 このように樹脂の穴が大きくなると、 穴の底部で樹脂と銅箔 （層） の剥離が発 生するなど、 レーザー穴開けの品質が低下、 またこのような品質低下を防止する ために処理条件の厳密な管理が必要となり、 工程や処理操作が複雑化するなどの 大きな問題となる。
したがって、 通常レーザーエネルギーは可能な限り低いエネルギーで効率よく 行うのが良い。
このような意味からも、 通常のレーザーエネルギーを使用した場合に、 開口率 が低い上記のようなニッケル単独層は穴開け性を向上させる層 （被覆層） として は適当でない。
めっき処理後、 クロム及び又は亜鉛を含有する防鲭処理を施すことができる。 この防鐯処理の手法または処理液は特に制限されるものではない。 この防鲭処理 は、 前記めつき処理の面上に、 すなわち銅箔のレーザ一光照射面へ部分的に又は 銅箔全面に施すことができる。
上記と同様に、 この防鲭処理は回路基板に適用される銅箔としての特性を損な わないことが要求されるのは当然であり、 本発明の防銪処理はこれらの条件を十 分に満たしている。 なお、 この防鲭処理はレーザ一穴開け性には殆ど影響しない。 本発明のレーザー光照射面に、 インジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合 金及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成するには、 次のよう なめつき処理が適用できる。 以下はその代表例である。 なお、 このめつき処理は 好適な一例を示すのみであり、 本発明はこれらの例に制限されない。
(コバルトめっき処理）
C o濃度： 1〜 30 g/L
電解液温度： 25〜 60° C、 p H： 1. 0〜 4. 0
電流密度： 0. 5〜5A/dm めっき時間 ： 0. 5〜4秒
(錫めつき処理）
S n濃度： 5〜： L O O gZL 硫酸： 40〜1 50 g/L
電解液温度： 25〜40° C、 p H ： 1. 0〜 4. 0
電流密度： 1. 0〜5A/dm めっき時間 ： 0. 5〜4秒 (ィンジゥムめっき処理）
I n濃度： 1 0〜 5 0 g/L 硫酸： 1 0〜 5 0 gZL 電解液温度： 20〜40° C、 ρΗ : 1 · 0〜4. 0 電流密度： 1. 0〜 20A/dm2、 めっき時間 ： 0. 5 4秒 (亜鉛—コバルトめっき処理）
Z n濃度： ：！〜 20 gZL、 C O濃度： 1 3 0 g L 電解液温度： 2 5〜 5 0° C、 p H ： 1. 5 4. 0 電流密度： 0. 5〜 5 AZdm2 めっき時間 ： ：！〜 3秒
(銅—ニッケルめっき処理）
C u濃度 ： 5〜 20 gZL、 NN ii濃濃度度：： 55〜 - 22 00 g gZL 電解液温度： 2 5〜 5 0。 C、 p H ： 1. 0 4. 0 電流密度： 1 0〜4 5 AZdm2 めっき時間 ：!〜 3秒
(銅ーコバルトめっき処理）
C u濃度 ： 5〜 20 gZL、 C o濃度： 5 20 g L 電解液温度： 2 5〜 5 0° C、 p H ： 1. 0 4. 0 電流密度： 1 0〜 4 5 A/ d m 2 めっき時間 ：！〜 3秒
(亜鉛一二ッケルめっき処理）
亜鉛濃度： 1〜： L 0 gZL、 NN ii濃濃度度：： 11 00〜〜 33 00 g gZ/ L 電解液温度： 40〜 5 0° C、 p H ： 3. 0〜 4. 0 電流密度： 0. 5〜 5 A/dm2 めっき時間： 1〜 3秒
(コバノレ トーニッケノレめつき処理）
C o濃度： 5〜20 gZL、 N i濃度 5 20 g L 電解液温度： 20〜5 0° C、 p H ： 1 0 4. 0 電流密度： 0. 5〜： L OA/dm めっき時間 ： 1 80秒 (銅一コバルトーニッケルめっき処理）
C 0濃度： ！〜 1 5 g/L、 N i濃度 ：！〜 1 5 g/L
C XI濃度： 5〜 25 gZL
電解液温度： 20〜 50° (：、 p H ： 1. 0〜 4. 0
電流密度： 1. 0〜30A/ dm2 めっき時間： 1 80秒
(コバルト—燐めつき処理）
C。濃度： 5〜 20 gZL、 P濃度： ：！〜 30 gZL
電解液温度： 20〜 50° C、 p H ： 1. 0〜 4. 0
電流密度： 0. 5〜 1 5 A/ dm2 、 めっき時間： 1〜： 1 80秒
(二ッケル—燐めつき処理）
N i濃度： 5〜20 g/L、 P濃度： ：！〜 30 g/L
電解液温度： 20〜 50° C、 p H ： 1. 0〜 4. 0
電流密度： 0. 5〜1 5AZdm2 、 めっき時間： ：！〜 1 80秒 本発明の防鲭処理は、 次のようなめつき処理が適用できる, 以下はその代表例 である。 なお、 この防鲭処理は好適な一例を示すのみであり 本発明はこれらの 例に制限されない。
(クロム防鲭処理）
K2C r 2O7 (N a 2C r 207又は C r 03) 2 10 gXL
N a OH又は KOH ： 10〜 50 g/L
Z n O又は Z n S 04 · 7 H20 ： 0. 05〜： 0 g , L
p H ： 3. 0〜 4. 0、 電解液温度： 20〜 80° C
電流密度： 0. 05〜5AZdm2、 めっき時間： 5〜30秒、 実施例
次に、 実施例に基づいて説明する。 なお、 本実施例は好適な一例を示すもので、 本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 したがって、 本発明の技術 思想に含まれる変形、 他の実施例又は態様は、 全て本発明に含まれる。
なお、 本発明との対比のために、 後段に比較例を掲載した。
(実施例 1 )
厚さ 1 2 μ mの電解銅箔の光沢面 （S面） に、 上記めつき条件でコバル トめつ き処理し、 コバルト付着量が下記となるめっき層を形成した。
コバノレ ト付着量： 5060 /i g/dm2
(実施例 2)
厚さ 1 2 μ mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で錫めつき処理し、 錫付 着量が下記となるめっき層を形成した。
錫付着量： 93 70/z gZdm2
(実施例 3)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件でィンジゥムめっき処理 し、 インジウム付着量が下記となるめっき層を形成した。
ィンジゥム付着量： 2530 / 1ΠΙ 2
(実施例 4)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で亜鉛ー コバルトめっき (合金めつき ： 以下同様） 処理し、 コバルト及び亜鉛付着量が下記となるめっき 層を形成した。
コパルト付着量 ： 3400 /i g/dm2
亜鉛付着量： 880/z gZdm2
(実施例 5)
厚さ 1 2 μ mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で銅一ニッケルめっき処 理し、 ニッケル及び銅付着量が下記となるめっき層を形成した。
二ッケル付着量： S d O O gZdm2
銅付着量： 5 1 000 /z g/dm2 (実施例 6)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で銅ー コバル トめっき処 理し、 コバルト及び銅付着量が下記となるめっき層を形成した。
コバルト付着量： 2400 /z gZdm2
銅付着量： 448 00 / g/dm2
(実施例 7)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件でコバルトー燐めつき処 理し、 コバルト及び燐付着量が下記となるめっき層を形成した。
コバルト付着量： 3 780 /i g/dm2
燐付着量： 200 gZdm2
(実施例 8)
厚さ 1 2 μ mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件でニッケル一燐めつき処 理し、 ニッケル及び燐付着量が下記となるめっき層を形成した。
二ッケル付着量： 1 9 2 0 / gZdm2
燐付着量： 1 00 gZdm2
(実施例 9)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で銅ー コバルトーニッケ ルめっき処理し、 さらにその上にコ ノくノレ トーニッケルめっき処理して、 銅一コ ノ ルト及びニッケル付着量 （総量） が下記となるめっき層を形成し、 その後上記の 条件で防鐯処理を施した。
銅付着量： 1 9000 /z gZdm2
コノ ノレト付着量： 3400 /i g/dm2
二ッケル付着量： 6 5 0 yu g7dm2
クロム付着量： 4 3 gZdm2、 亜鈴付着量： 6 gZdm2 (実施例 1 0)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件で亜鉛—ニッケルめっき 処理し、 ニッケル及び亜鉛付着量が下記となるめっき層を形成した。
二ッケル付着量： 1 2 3 0 u g/dm2
亜鉛付着量： 44 00 gZdm2
(実施例 1 1)
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記めつき条件でコバルトーニッケルめ つき処理し、 コバルト及びニッケル付着量が下記となるめっき層を形成した。 コバルト付着量： S A Y O i gZdm2
二ッケル付着量： 4 90 §ノ<^ 1112
(比較例 1 )
厚さ 1 2 mの電解銅箔の光沢面に、 上記防鲭条件で防鲭処理のみを施した。 この場合のクロム付着量と亜鉛付着量は次の通りである。
クロム付着量： 3 2 ; gZdm2
亜鉛付着量： 2 70 gZdm2
以上の実施例 1〜 1 1及び比較例 1の試料について、 1 2 /z m箔の光沢面 （S 面） に上記の各種表面処理したものをプリプレダ （FR— 4) を用いて片面基板 とし、 各 1 00箇所に、 次の条件でレ一ザ一光を照射し、 その開口率を比較した。 その結果を表 1に示す。
(レーザー照射条件）
使用装置：炭酸ガスレーザ一加工装置
スポッ トサイズ： 1 4 /z m
パルス幅 ： 3 2 s e c
周波数： 400H z、 ショ ッ ト数： 1ショ ッ ト
エネルギー ： 7. 5m J /パルス、 1 2. 5 m J /パルス、
20. 9mjZパルス、 3 2m J /パルス、 4 3 m J/パルス、
4 7. 7m J Zパルス、 の各々 (なお、 表には 7. SmjZパルス、 43m 、 47. 7 m で実施したものは、 表示していない。 )
Figure imgf000012_0001
実施例 1では、 レーザ一光照射エネルギー 1 2. 5m J /パルス及び 20. 9 mjZパルスで、 開口率 2%及び 74%であるが、 3 2 m J Zパルスで 1 00 % に達し、 実生産では問題なく、 良好な開口率を示す。 したがって、 コバルトめつ きは開口率向上に有効である。
また、 コバルトの付着量を増加させるにしたがって、 開口率はさらに向上し、 50000 g/ d m2を超えると 2 0. 9 m Jノパルスで、 開口率 1 00%に なる。 レーザ一光照射エネルギーをさらに上げると、 開口率 1 0 0%の状態は当 然維持されるが、 上記に述べたように積層体 （樹脂） 等の他への影響があるので、 出力を上げることは好ましくない。
したがって、 本実施例のような低レーザー光照射エネルギーで開口率 1 0 0% が得られることは、 品質の向上に極めて良好な結果をもたらす。
また、 銅箔の厚さが増大すると、 開口率はやや劣るが、 逆により薄くなると、 開口率はさらに向上することになる。 上記レーザ一光照射エネルギーの高低と銅 箔の厚さについては、 本実施例の全てに通じて言えることである。
実施例 2では、 レーザ一光照射エネルギー 1 2. 5m J /パルス及び 20. 9 m Jノパルスで、開口率 6 7 %及び 9 3 %であるが、 3 2 m J Zパルスで 1 00 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 錫めつきは開口 率向上に有効である。
また、 実施例 1 と同様に、 錫の付着量を増加させるにしたがって、 開口率はさ らに向上し、 4 0 0 00 gZ d m2を超えると 1 2. 5m J /パルスでも開口 率 1 00 %になる。
実施例 3では、 レーザー光照射エネルギー 1 2. 5 Hi J Zパルス及び 20. 9 m J Zパルスで、開口率 3 1 %及び 8 5 %であるが、 3 2 m J /パルスで 1 00 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 インジウムめつ きは開口率向上に有効である。 また、 実施例 1 と同様に錫の付着量を増加させる にしたがって、 開口率はさらに向上する。
実施例 4では、 レーザ一光照射エネルギー 1 2. 5m J/パルス及び 20. 9 m J Zパルスで、開口率 5 2 %及び 9 4 %であるが、 3 2 m J /パルスで 1 0 0 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 亜鉛一コバルト 合金めつきは開口率向上に有効である。 また、 実施例 1 と同様に亜鉛一コバルト の付着量を增加させるにしたがって、 開口率はさらに向上する。
実施例 5では、 レーザー光照射エネルギー 1 2 . S m j Zパルスで、 開口率 9 9 %であるが、 2 0 . 9 m J /パルス及び 3 2 m Jノパルスで 1 0 0 %に達し、 極めて優れた開口率を示す。 したがって、 ニッケル一銅合金めつきは開口率向上 に有効である。
また、 銅一ニッケルの付着量をやや増加させるだけでも、 開口率がさらに向上 し、 レーザ一光照射エネルギー 1 2 . 5 m J /パルスで開口率 1 0 0 %に達する。 上記に示すように、 銅—ニッケル合金めつきは、 他の実施例に示すめっきに比 ベても優れた開口率を有すが、 これは銅一ニッケル合金めつきによる表面粗化が 大きく影響していると考えられる。 このことから、 粗化めつきによりめつき表面 をコブ （瘤） 状に形成するのは、 開口率向上に有効である。
実施例 6では、 レーザー光照射エネルギー 1 2 . 5 m J /パルスで、 開口率 9 8 %であるが、 及び 2 0 . 9 m J /パルス及び 3 2 m J Zパルスで 1 0 0 %に達 し、 実施例 5と同様に極めて優れた開口率を示す。 したがって、 コバルト一銅合 金めつきは開口率向上に有効である。 また、 実施例 1と同様に銅一コバルトの付 着量をやや増加させるだけでも、 開口率がさらに向上し、 レーザー光照射ェネル ギー 1 2 . 5 m J Zパルスで開口率 1 0 0 %に容易達する。
上記に示すように、 銅—コバルト合金めつきは、 他の実施例に示すめっきに比 ベても優れた開口率を有すが、 実施例 5と同様、 これは銅一コバルト合金めつき による表面粗化が大きく影響していると考えられる。 このことから、 粗化めつき によりめつき表面をコブ （瘤） 状に形成するのは、 開口率向上に有効である。 実施例 7では、 レーザー光照射エネルギー 1 2 . 5 m J /パルス及び 2 0 . 9 m J Zパルスで、開口率 7 5 %及び 9 9 %であるが、 3 2 m J /パルスで 1 0 0 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 コバルト一燐合 金めつきは開口率向上に有効である。 また、 実施例 1 と同様にコバルト一燐の付着量を増加させるにしたがって、 開 口率はさらに向上し、 例えばコバルトの量 6 0 0 0 μ g Z d m2を超す量とする ことにより、 レーザー光照射エネルギー 0. 9 m j Zパルスで、 開口率 1 0 0 % を容易に得ることができる。
実施例 8では、 レーザー光照射エネルギー 1 2. 5 m j Zパルス及び 2 0. 9 m j Zパルスで、 開口率 0 %及び 8 2 %であるが、 3 2 m J /パルスで 1 0 0 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 ニッケル一燐合 金めつきは開口率向上に有効である。
また、 実施例 1と同様にニッケル一燐の付着量を増加させるにしたがって、 開 口率はさらに向上し、 レーザー光照射エネルギー 1 2. 5 m J /パルス及び 2 0. 9 m J Zパルスで、 開口率 1 0 0 %を得ることができる。
実施例 9では、 レーザ一光照射エネルギー 1 2 · 5 m J /パルスで、 開口率 9 9 %であるが、 2 0. 9 m J Zパルス及び 3 2 m J /パルスで 1 0 0 %に達し、 優れた開口率を示す。
本実施例は、 銅一コバルト一ニッケル合金めつき （一層目） し、 さらにコノくル トーニッケル合金めつき （二層目） した後に、 クロム防鐯処理を実施したもので あるが、 クロム防鲭処理には大きく影響することがなく （やや開口率が増加する 傾向があるが） 、 開口率向上に有効である。
また、 実施例 1 と同様に銅一コバルト一ニッケル合金及び又はコバルトーニッ ケル合金の付着量を増加させるにしたがって、 開口率はさらに向上する。
実施例 1 0では、 レーザ一光照射エネルギー 1 2. 5 m J /パルス及び 2 0. 9 m J Zパルスで、 開口率 1 4 %及び 9 9 %であるが、 3 2 m J /パルスで 1 0 0 %に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 ニッケル一 亜鉛合金めっきは開口率向上に有効である。
また、 実施例 1 と同様にニッケル一亜鉛の付着量を増加させるにしたがって、 開口率はさらに向上し、 レーザー光照射エネルギー 2 0. 9 m J /パルスでも、 開口率 1 0 0%を得ることができる。 実施例 1 1では、 レーザー光照射エネルギー 1 2. 5 m J /パルス及び 2 0. 9 m J Zパルスで、開口率 1 %及び 8 0 %であるが、 3 2 m JZパルスで 1 0 0 % に達し、 実生産では問題なく良好な開口率を示す。 したがって、 ニッケルーコバ ルト合金めつきは開口率向上に有効である。
また、 実施例 1と同様にニッケル一コバルトの付着量を増加させるにしたがつ て、 開口率はさらに向上し、 例えばニッケル付着量 7 O O O gZdm2 コバ ルト付着量 3 0 0 0 μ g / d m 2を超えると、 レーザ一光照射エネルギー 1 2. 5 m J Zパルスでも、 開口率 1 0 0 %を得ることができる。
以上の実施例については、 いずれも低レーザー光照射エネルギーに対して良好 な開口率を有する。 しかし、 これらの処理をしていないもの、 及び比較例 1に示 すように、 防鲭処理を施してクロムと亜鉛を含有させたものは、 開孔率は低く、 レ一ザ一光照射エネルギー 12. 5mjZパルス、 2 0. 9mjZパルス、 3 2 m J Zパルスでそれぞれ、 0 %、 0 %及び 9 %に過ぎない。 そして高レーザ一光 照射エネルギー 4 3 m J Zパルスに至って、 漸く 1 0 0 %に達する。
このような高レーザー光照射エネルギーは、上記に述べたように積層体（樹脂） 等の他への影響があるので、 出力を上げることは好ましくない。
このように、 比較例 1はレーザー光による銅箔の開口としては十分でない。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 銅箔のレーザー光照射面に、 レーザ一光照射面に、 インジゥ ム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合金及びニッケル合金のいずれか一種以上を 含有する層を形成することにより、 レーザー加工が容易であり、 小径層間接続孔 の形成に適した銅箔を得ることができ、 さらに比較的低レーザ一光照射エネルギ 一で開孔率を大幅に向上させることができるという優れた特徴を有する。
したがって、 これによりプリント回路基板の製造に際して、 レーザーによる銅 箔の直接開孔及び簡便な層間接続孔の形成ができる著しい効果を有する。

Claims

請 求 の 範 囲
1. レ一ザ一光照射面に、 インジウム、 錫、 コバルト、 亜鉛、 コバルト合金及び ニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を備えていることを特徴とするレ 一ザ一穴開け性に優れた銅箔。
2. ニッケル、 燐、 亜鉛、 銅の少なく とも一種以上を含有するコバルト合金層を 備えていることを特徴とする請求の範囲 1項に記載のレーザ一穴開け性に優れた 銅箔。
3. 銅、 亜鉛、 燐のいずれか一種以上を含有するニッケル合金層を備えているこ とを特徴とする請求の範囲 1項に記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔。
4. コバルト、 ニッケル、 錫、 亜鉛又はインジウムの含有量がそれぞれ 0. 1〜 l O Om gZdm2 (但し、 亜鉛含有量については 0. 5〜： 1 0 0m g/dm2) であることを特徴とする請求の範囲 1〜 3項のそれぞれに記載のレーザ一穴開け 性に優れた銅箔。
5. 銅箔の厚さが 1 8 // m以下であることを特徴とする請求の範囲 1〜4項のそ れぞれに記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔。
6. 銅箔のレーザー光照射面に、 インジウム、 錫、 コバル ト、 亜鉛、 コバルト合 金及びニッケル合金のいずれか一種以上を含有する層を形成することを特徴とす るレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
7. ニッケル、 燐、 亜鉛、 銅の少なく とも一種以上を含有するコバルト合金層を 形成することを特徴とする請求の範囲 6項に記載のレーザ一穴開け性に優れた銅 箔の製造方法。
8. 銅、 亜鉛、 燐のいずれか一種以上を含有するニッケル合金層を形成すること を特徴とする請求の範囲 6項に記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
9. めっきにより上記層を形成することを特徴とする請求の範囲 6〜 8項のそれ ぞれに記載のレーザー穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
1 0. コバルト、 ニッケル、 錫、 亜鉛又はインジウムの含有量がそれぞれ 0. 1 〜 1 00 mgZdm2 (但し、 亜鉛含有量については 0. 5〜 1 O OmgZdm 2) であることを特徴とする請求の範囲 6〜 9項のそれぞれに記載のレーザー穴 開け性に優れた銅箔の製造方法。
1 1. 銅箔の厚さが 18 μ m以下であることを特徴とする請求の範囲 6〜 10項 のそれぞれに記載のレーザ一穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
12. 上記層の形成後、 防鲭処理を施すことを特徴とする請求の範囲 6〜1 1項 のそれぞれに記載のレーザ一穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
13. 防鲭処理面にクロム及び又は亜鉛を含有することを特徴とする請求の範囲 1 2項に記載のレーザ一穴開け性に優れた銅箔の製造方法。
PCT/JP2000/008578 2000-02-03 2000-12-04 Feuillard de cuivre presentant des capacites excellentes de perçage au faisceau laser et son procede de production WO2001058225A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE60039257T DE60039257D1 (de) 2000-02-03 2000-12-04 Verfahren zur herstellung einer kupferfolie mit au
US10/169,965 US6638642B2 (en) 2000-02-03 2000-12-04 Copper foil excellent in laser beam drilling performance and production method therefor
EP00979078A EP1276358B1 (en) 2000-02-03 2000-12-04 Production method of a copper foil excellent in laser beam drilling performance

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000026174A JP3258308B2 (ja) 2000-02-03 2000-02-03 レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法
JP2000-26174 2000-02-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001058225A1 true WO2001058225A1 (fr) 2001-08-09

Family

ID=18551938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2000/008578 WO2001058225A1 (fr) 2000-02-03 2000-12-04 Feuillard de cuivre presentant des capacites excellentes de perçage au faisceau laser et son procede de production

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6638642B2 (ja)
EP (2) EP1276358B1 (ja)
JP (1) JP3258308B2 (ja)
KR (1) KR100483517B1 (ja)
CN (1) CN1204791C (ja)
DE (1) DE60039257D1 (ja)
MY (1) MY126842A (ja)
TW (1) TW578451B (ja)
WO (1) WO2001058225A1 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3628585B2 (ja) 2000-04-05 2005-03-16 株式会社日鉱マテリアルズ 銅張り積層板及び銅張り積層板のレーザーによる穴開け方法
JP3690962B2 (ja) * 2000-04-26 2005-08-31 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付電解銅箔及びそのキャリア箔付電解銅箔の製造方法並びに銅張積層板
US6893742B2 (en) * 2001-02-15 2005-05-17 Olin Corporation Copper foil with low profile bond enhancement
KR100618511B1 (ko) * 2002-03-05 2006-08-31 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 수지 부착 금속박, 금속 피복 적층판, 그를 이용한 프린트배선판 및 그의 제조 방법
JP2004006612A (ja) * 2002-04-12 2004-01-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア箔付銅箔及びそのキャリア箔付銅箔の製造方法並びにそのキャリア箔付銅箔を用いた銅張積層板
JP4115293B2 (ja) * 2003-02-17 2008-07-09 古河サーキットフォイル株式会社 チップオンフィルム用銅箔
JP2004307884A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd プリント配線板用銅箔
JP2004314568A (ja) * 2003-04-21 2004-11-11 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd プリント配線板用銅箔
JP4065215B2 (ja) * 2003-05-13 2008-03-19 福田金属箔粉工業株式会社 プリント配線板用銅箔
CN100515167C (zh) * 2004-02-17 2009-07-15 日矿金属株式会社 具有黑化处理表面或层的铜箔
US20070209547A1 (en) * 2004-08-10 2007-09-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Barrier Film For Flexible Copper Substrate And Sputtering Target For Forming Barrier Film
CN100418695C (zh) * 2004-09-20 2008-09-17 长春石油化学股份有限公司 铜箔的制法
JP2006312265A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Furukawa Circuit Foil Kk キャリア付き極薄銅箔および該極薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板
WO2006137240A1 (ja) * 2005-06-23 2006-12-28 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. プリント配線板用銅箔
WO2007145164A1 (ja) * 2006-06-12 2007-12-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔及び圧延銅又は銅合金箔の粗化方法
KR20090080978A (ko) * 2006-11-29 2009-07-27 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 2 층 구리 피복 적층판
KR20120034750A (ko) * 2007-03-20 2012-04-12 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 무접착제 플렉시블 라미네이트 및 그 제조 방법
CN101669237A (zh) * 2007-04-20 2010-03-10 日矿金属株式会社 锂二次电池用电解铜箔及该铜箔的制造方法
US8642893B2 (en) * 2007-09-28 2014-02-04 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil for printed circuit and copper-clad laminate
WO2009050970A1 (ja) 2007-10-18 2009-04-23 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 金属被覆ポリイミド複合体、同複合体の製造方法及び同複合体の製造装置
US8568899B2 (en) * 2007-10-18 2013-10-29 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Metal covered polyimide composite, process for producing the composite, and process for producing electronic circuit board
KR101199816B1 (ko) * 2007-12-27 2012-11-12 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 2 층 동장 적층판의 제조 방법 및 2 층 동장 적층판
KR20130012592A (ko) * 2008-02-04 2013-02-04 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 무접착제 플렉시블 라미네이트
KR101289803B1 (ko) * 2008-05-16 2013-07-26 삼성테크윈 주식회사 회로 기판 및 그 제조 방법
US8142905B2 (en) * 2008-06-17 2012-03-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil for printed circuit board and copper clad laminate for printed circuit board
EP2366469A1 (en) * 2008-11-25 2011-09-21 JX Nippon Mining & Metals Corporation Method of winding up copper foil or copper-clad laminate
KR101288641B1 (ko) 2008-11-25 2013-07-22 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 인쇄 회로용 동박
JP2009143234A (ja) 2008-12-24 2009-07-02 Nippon Mining & Metals Co Ltd キャリア付金属箔
EP2371535A4 (en) 2008-12-26 2012-05-09 Jx Nippon Mining & Metals Corp FLEXIBLE COATING AND A FLEXIBLE SUBSTRATE FOR ELECTRONIC CIRCUITS SHAPED WITH THEIR HELP
KR101224034B1 (ko) * 2010-05-03 2013-01-18 엘에스엠트론 주식회사 인쇄회로용 동박 및 그 제조방법
WO2012043182A1 (ja) 2010-09-27 2012-04-05 Jx日鉱日石金属株式会社 プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板
CN103459679B (zh) 2011-03-25 2016-06-15 吉坤日矿日石金属株式会社 具备粗化处理面的压延铜或铜合金箔
US9338898B2 (en) * 2012-03-09 2016-05-10 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Method of producing a printed wiring board
CN103972513B (zh) * 2013-02-06 2016-08-17 永箔科技股份有限公司 多孔性集流体金属材料连续加工法
WO2014136763A1 (ja) * 2013-03-05 2014-09-12 三井金属鉱業株式会社 レーザー加工用銅箔、キャリア箔付レーザー加工用銅箔、銅張積層体及びプリント配線板の製造方法
TWI483657B (zh) * 2013-11-15 2015-05-01 Unimicron Technology Corp 線路板的鑽孔方法
WO2018193935A1 (ja) * 2017-04-17 2018-10-25 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
CN108156759B (zh) * 2017-12-28 2019-12-24 广州兴森快捷电路科技有限公司 印制电路板激光孔径偏小的返工方法
KR102520812B1 (ko) 2018-04-27 2023-04-12 제이엑스금속주식회사 표면 처리 동박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
CN111560611A (zh) * 2020-05-07 2020-08-21 上海交通大学 一种钛合金表面激光熔覆制备镍基涂层的过渡层方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140255A (ja) * 1985-12-13 1987-06-23 Daicel Chem Ind Ltd 高密度記録媒体
JPH02292894A (ja) * 1989-05-02 1990-12-04 Nikko Guurudo Fuoiru Kk 印刷回路用銅箔の処理方法
JPH07278883A (ja) * 1994-04-15 1995-10-24 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 印刷回路用銅箔およびその表面処理方法
JPH08269738A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Nkk Corp レーザ溶接性に優れたＺｎ−Ｎｉ系合金めっき鋼板
JPH0987888A (ja) * 1995-09-28 1997-03-31 Nikko Gould Foil Kk 印刷回路用銅箔の処理方法
JPH1018075A (ja) * 1996-06-28 1998-01-20 Nikko Gould Foil Kk 電解銅箔
JPH11266068A (ja) * 1998-01-14 1999-09-28 Canon Inc 配線基板及び配線基板の製造方法
JPH11354901A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 印刷回路用銅箔
JP2000252609A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Omron Corp プリント基板およびその加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU579517B2 (en) * 1986-06-20 1988-11-24 Gould Inc. Double matte finish copper foil
US5019222A (en) 1989-05-02 1991-05-28 Nikko Gould Foil Co., Ltd. Treatment of copper foil for printed circuits
US6132887A (en) * 1995-06-16 2000-10-17 Gould Electronics Inc. High fatigue ductility electrodeposited copper foil
DE60023202T2 (de) * 1999-02-15 2006-07-20 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Leiterplatte für Plastikhalbleitergehäuse

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140255A (ja) * 1985-12-13 1987-06-23 Daicel Chem Ind Ltd 高密度記録媒体
JPH02292894A (ja) * 1989-05-02 1990-12-04 Nikko Guurudo Fuoiru Kk 印刷回路用銅箔の処理方法
JPH07278883A (ja) * 1994-04-15 1995-10-24 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 印刷回路用銅箔およびその表面処理方法
JPH08269738A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Nkk Corp レーザ溶接性に優れたＺｎ−Ｎｉ系合金めっき鋼板
JPH0987888A (ja) * 1995-09-28 1997-03-31 Nikko Gould Foil Kk 印刷回路用銅箔の処理方法
JPH1018075A (ja) * 1996-06-28 1998-01-20 Nikko Gould Foil Kk 電解銅箔
JPH11266068A (ja) * 1998-01-14 1999-09-28 Canon Inc 配線基板及び配線基板の製造方法
JPH11354901A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 印刷回路用銅箔
JP2000252609A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Omron Corp プリント基板およびその加工方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1276358A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1204791C (zh) 2005-06-01
US20030031888A1 (en) 2003-02-13
CN1387745A (zh) 2002-12-25
DE60039257D1 (de) 2008-07-31
EP1276358A4 (en) 2005-06-22
KR20020074223A (ko) 2002-09-28
EP1276358B1 (en) 2008-06-18
US6638642B2 (en) 2003-10-28
EP1781073A3 (en) 2007-05-30
EP1276358A1 (en) 2003-01-15
MY126842A (en) 2006-10-31
KR100483517B1 (ko) 2005-04-15
JP2001217516A (ja) 2001-08-10
JP3258308B2 (ja) 2002-02-18
EP1781073A2 (en) 2007-05-02
TW578451B (en) 2004-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001058225A1 (fr) Feuillard de cuivre presentant des capacites excellentes de perçage au faisceau laser et son procede de production
JP3628585B2 (ja) 銅張り積層板及び銅張り積層板のレーザーによる穴開け方法
KR101672176B1 (ko) 캐리어 부착 동박, 캐리어 부착 동박의 제조 방법, 프린트 배선판용 캐리어 부착 동박 및 프린트 배선판
US5019222A (en) Treatment of copper foil for printed circuits
US20020182432A1 (en) Laser hole drilling copper foil
US6548153B2 (en) Composite material used in making printed wiring boards
KR100495481B1 (ko) 레이저 개공용 동박
KR101623667B1 (ko) 인쇄 회로용 동박
JP2006312265A (ja) キャリア付き極薄銅箔および該極薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板
KR101623713B1 (ko) 인쇄 회로용 동박
JP2004172343A (ja) レーザー穴開け用銅箔及びその製造方法
JP3785022B2 (ja) レーザー穴開け性に優れた樹脂積層板
EP0996318B1 (en) Novel composite foil, process for producing the same and copper-clad laminate
WO2001077420A1 (fr) Forage de trou par laser dans une tôle de cuivre
JPH0654829B2 (ja) 印刷回路用銅箔の処理方法
JP3615973B2 (ja) 新規な複合箔およびその製造方法、銅張り積層板
JP2017133105A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JPH0654830B2 (ja) 印刷回路用銅箔の処理方法
JP2014213574A (ja) キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及びプリント配線板の製造方法
JP2004307884A (ja) プリント配線板用銅箔

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000979078

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 008152152

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10169965

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020027009841

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020027009841

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000979078

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020027009841

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2000979078

Country of ref document: EP