JPH06310835A - 銅表面への無電解金めっき方法 - Google Patents
銅表面への無電解金めっき方法Info
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- JPH06310835A JPH06310835A JP9772493A JP9772493A JPH06310835A JP H06310835 A JPH06310835 A JP H06310835A JP 9772493 A JP9772493 A JP 9772493A JP 9772493 A JP9772493 A JP 9772493A JP H06310835 A JPH06310835 A JP H06310835A
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- electroless
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Abstract
(57)【要約】
【目的】銅回路間１００μｍ未満に対し、触媒溶液中の
銅濃度が異常に高くなった時でも（銅濃度が１０００pp
m)、置換金めっき処理、還元金めっき処理の際、回路間
に金めっきブリッジを生じさせないための独立した回路
上にのみ選択的に無電解金めっきを析出させること。 【構成】銅表面に無電解金めっきを施す方法において、
銅表面を有する液めっき材を水溶性パラジウム塩と無機
酸とを基本組成とする水溶液で処理した後、無電解ニッ
ケルめっきを施し、その後、界面活性剤を含み緩衝剤に
よって特定のｐＨに調整された水溶液で処理し、然る
後、置換型無電解金めっき及び、または還元型無電解金
めっきを行うこと。
銅濃度が異常に高くなった時でも（銅濃度が１０００pp
m)、置換金めっき処理、還元金めっき処理の際、回路間
に金めっきブリッジを生じさせないための独立した回路
上にのみ選択的に無電解金めっきを析出させること。 【構成】銅表面に無電解金めっきを施す方法において、
銅表面を有する液めっき材を水溶性パラジウム塩と無機
酸とを基本組成とする水溶液で処理した後、無電解ニッ
ケルめっきを施し、その後、界面活性剤を含み緩衝剤に
よって特定のｐＨに調整された水溶液で処理し、然る
後、置換型無電解金めっき及び、または還元型無電解金
めっきを行うこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基材上の独立した回路
上にのみ金を被覆させるための無電解金めっき方法に関
する。
上にのみ金を被覆させるための無電解金めっき方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、その銅回路導体の一
部の表面にコネクタに挿入される箇所や、電子部品等を
ボンディング接続するために、ニッケルめっき−金めっ
きを行うことが多い。これは銅に延性があるためニッケ
ルによって硬度を高め、金の表面処理により接触抵抗を
低減するためである。この場合、ニッケル金めっきを行
うには、電気めっきと無電解めっきの２つの方法が多く
用いられるが、電気めっきを行うためには、必要な回路
以外に電気めっきのためのリードパターンが必要であ
り、近年では、配線の高密度化の邪魔となるのでリード
の必要としない無電解めっきを行うことが多くなってき
ている。独立した銅回路上への無電解金めっき方法は、
通常、水溶性パラジウム塩と無機酸とからなるパラジウ
ム触媒液に浸漬し、その後、無電解ニッケルめっき処
理、置換金めっき処理、還元金めっき処理の順に行う。
部の表面にコネクタに挿入される箇所や、電子部品等を
ボンディング接続するために、ニッケルめっき−金めっ
きを行うことが多い。これは銅に延性があるためニッケ
ルによって硬度を高め、金の表面処理により接触抵抗を
低減するためである。この場合、ニッケル金めっきを行
うには、電気めっきと無電解めっきの２つの方法が多く
用いられるが、電気めっきを行うためには、必要な回路
以外に電気めっきのためのリードパターンが必要であ
り、近年では、配線の高密度化の邪魔となるのでリード
の必要としない無電解めっきを行うことが多くなってき
ている。独立した銅回路上への無電解金めっき方法は、
通常、水溶性パラジウム塩と無機酸とからなるパラジウ
ム触媒液に浸漬し、その後、無電解ニッケルめっき処
理、置換金めっき処理、還元金めっき処理の順に行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
機器の発達に伴い、ますます配線密度が高くなってきて
おり、銅回路間が５０〜８０μｍというものまで使用さ
れ始め、今後、更に銅回路間が狭まることが予想され
る。このように、微細な間隔で並べられた銅回路に無電
解金めっきを行う時に、従来の水溶性パラジウムと無機
酸とからなる触媒溶液での処理の際、触媒溶液の処理が
進みに従い、銅回路上の銅と触媒溶液中のパラジウムと
の置換反応により、触媒溶液中の銅濃度が上昇する。そ
して、銅濃度上昇に比例して銅回路上からの銅溶解量が
上昇し、そのため、銅回路間への銅のしみ出し量も増加
していく。このような状態で無電解ニッケルめっき処理
を行った場合、銅回路間にＮｉめっきブリッジの発生は
生じなく、つまり銅回路間にしみ出した銅上にはニッケ
ルの析出は見られなかった。しかし、その後の置換金め
っき処理、還元金めっき処理では、銅回路間に残留する
銅の影響により金が還元され、銅回路間に金めっきのブ
リッジ現象が生じる問題があった。このような問題に対
し、水溶性パラジウム塩と無機酸からなるパラジウム触
媒溶液処理後、酸洗浄処理を行うことにより銅回路間を
洗浄する方法が提案されている。しかし多少の改善は見
られるものの、銅回路間１００μｍ未満に対してはほと
んど効果がなく、また、酸洗浄処理を行うことにより銅
回路の銅が溶解し、それと同時に、銅回路上に置換した
パラジウムの脱落よりパラジウム触媒活性が低下し、無
電解ニッケルめっき処理の際、一部ニッケルの未析出
（スキップ現象）が発生する課題がある。本発明は、銅
回路間１００μｍ未満に対し、触媒溶液中の銅濃度が異
常に高くなった時でも（銅濃度が１０００ppm)、置換金
めっき処理、還元金めっき処理の際、回路間に金めっき
ブリッジを生じさせないための独立した回路上にのみ選
択的に無電解金めっきを析出させることを目的とする。
機器の発達に伴い、ますます配線密度が高くなってきて
おり、銅回路間が５０〜８０μｍというものまで使用さ
れ始め、今後、更に銅回路間が狭まることが予想され
る。このように、微細な間隔で並べられた銅回路に無電
解金めっきを行う時に、従来の水溶性パラジウムと無機
酸とからなる触媒溶液での処理の際、触媒溶液の処理が
進みに従い、銅回路上の銅と触媒溶液中のパラジウムと
の置換反応により、触媒溶液中の銅濃度が上昇する。そ
して、銅濃度上昇に比例して銅回路上からの銅溶解量が
上昇し、そのため、銅回路間への銅のしみ出し量も増加
していく。このような状態で無電解ニッケルめっき処理
を行った場合、銅回路間にＮｉめっきブリッジの発生は
生じなく、つまり銅回路間にしみ出した銅上にはニッケ
ルの析出は見られなかった。しかし、その後の置換金め
っき処理、還元金めっき処理では、銅回路間に残留する
銅の影響により金が還元され、銅回路間に金めっきのブ
リッジ現象が生じる問題があった。このような問題に対
し、水溶性パラジウム塩と無機酸からなるパラジウム触
媒溶液処理後、酸洗浄処理を行うことにより銅回路間を
洗浄する方法が提案されている。しかし多少の改善は見
られるものの、銅回路間１００μｍ未満に対してはほと
んど効果がなく、また、酸洗浄処理を行うことにより銅
回路の銅が溶解し、それと同時に、銅回路上に置換した
パラジウムの脱落よりパラジウム触媒活性が低下し、無
電解ニッケルめっき処理の際、一部ニッケルの未析出
（スキップ現象）が発生する課題がある。本発明は、銅
回路間１００μｍ未満に対し、触媒溶液中の銅濃度が異
常に高くなった時でも（銅濃度が１０００ppm)、置換金
めっき処理、還元金めっき処理の際、回路間に金めっき
ブリッジを生じさせないための独立した回路上にのみ選
択的に無電解金めっきを析出させることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、銅表面に無電
解金めっきを施す方法において、銅表面を有する液めっ
き材を水溶性パラジウム塩と無機酸とを基本組成とする
水溶液で処理した後、無電解ニッケルめっきを施し、そ
の後、界面活性剤を含み緩衝剤によってｐＨ８〜９に調
整された水溶液で処理し、然る後、置換型無電解金めっ
き及び、または還元型無電解金めっきを行うことを特徴
とする。
解金めっきを施す方法において、銅表面を有する液めっ
き材を水溶性パラジウム塩と無機酸とを基本組成とする
水溶液で処理した後、無電解ニッケルめっきを施し、そ
の後、界面活性剤を含み緩衝剤によってｐＨ８〜９に調
整された水溶液で処理し、然る後、置換型無電解金めっ
き及び、または還元型無電解金めっきを行うことを特徴
とする。
【０００５】本発明は無電解ニッケルめっき処理後、界
面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整された水溶
液で処理し、置換金めっき処理、還元金めっき処理する
ことを特徴とする。この方法によりパラジウム触媒活性
低下による無電解ニッケルめっき処理時でのスキップ現
象を防止することができ、更に、置換金めっき処理、還
元金めっき処理時での金めっきブリッジ現象を防止でき
ることを見出した。
面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整された水溶
液で処理し、置換金めっき処理、還元金めっき処理する
ことを特徴とする。この方法によりパラジウム触媒活性
低下による無電解ニッケルめっき処理時でのスキップ現
象を防止することができ、更に、置換金めっき処理、還
元金めっき処理時での金めっきブリッジ現象を防止でき
ることを見出した。
【０００６】無電解ニッケルめっき処理後に使用する水
溶液中の緩衝剤としては、（C2H5O2N ＋NaCl)-NaOH,Na2
B4O7・10H2O-NaOH,Na2B4O7・10H2O-Na2CO3,HCl-Na2CO3,
Na2HPO4 ・2H2O-NaOH,NH4Cl-アンモニア水,(H3BO3 ＋KC
l)-Na2CO3,Na2CO3-NaHCO3 など例示できる。緩衝剤の添
加量はｐＨ８〜９程度に調整される量とすればよい。ｐ
Ｈが９を上回ると、アルカリ濃度上昇による液の表面張
力の上昇により回路間が狭くなるに従い液が残留し、そ
れが原因で置換金めっき処理、還元金めっき処理の際、
回路間に金めっきのブリッジを生じる。またアルカリレ
ジストへの汚染となるため好ましくない。ｐＨが８を下
回ると回路間の洗浄効果が不十分となり、置換金めっ
き、あるいは還元金めっき処理時での金めっきブリッジ
の発生を生じる。
溶液中の緩衝剤としては、（C2H5O2N ＋NaCl)-NaOH,Na2
B4O7・10H2O-NaOH,Na2B4O7・10H2O-Na2CO3,HCl-Na2CO3,
Na2HPO4 ・2H2O-NaOH,NH4Cl-アンモニア水,(H3BO3 ＋KC
l)-Na2CO3,Na2CO3-NaHCO3 など例示できる。緩衝剤の添
加量はｐＨ８〜９程度に調整される量とすればよい。ｐ
Ｈが９を上回ると、アルカリ濃度上昇による液の表面張
力の上昇により回路間が狭くなるに従い液が残留し、そ
れが原因で置換金めっき処理、還元金めっき処理の際、
回路間に金めっきのブリッジを生じる。またアルカリレ
ジストへの汚染となるため好ましくない。ｐＨが８を下
回ると回路間の洗浄効果が不十分となり、置換金めっ
き、あるいは還元金めっき処理時での金めっきブリッジ
の発生を生じる。
【０００７】界面活性剤としては、アニオン系界面活性
剤、ノニオン系界面活性剤が効果があり、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル
塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタ
レンスルフォン酸塩、アルキルホコハク酸塩、アルキル
ジフェニルエーテルジスルフォン酸塩、ポリオキシエチ
レンアルキル、アルキルアリル硫酸エステル塩など例示
できる。ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
アリルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、オキシエ
チレン、オキシプロピレンブロックコポリマー、リルビ
タン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンリルビタン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンリルビトール脂肪酸
エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチ
レン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミ
ンなど例示できる。
剤、ノニオン系界面活性剤が効果があり、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル
塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタ
レンスルフォン酸塩、アルキルホコハク酸塩、アルキル
ジフェニルエーテルジスルフォン酸塩、ポリオキシエチ
レンアルキル、アルキルアリル硫酸エステル塩など例示
できる。ノニオン系界面活性剤としては、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
アリルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、オキシエ
チレン、オキシプロピレンブロックコポリマー、リルビ
タン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンリルビタン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンリルビトール脂肪酸
エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチ
レン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミ
ンなど例示できる。
【０００８】
【作用】本発明は鋭意検討の結果、従来の水溶性パラジ
ウム塩と無機酸とからなるパラジウム触媒液での処理の
際、触媒溶液の処理が進むに従い、銅回路上の銅と触媒
溶液中のパラジウムとの置換反応により、触媒溶液中の
銅濃度が上昇する。そして、銅濃度上昇に比例して、銅
回路上からの銅溶解量が上昇する知見を得た。さらに、
銅回路上から溶解した銅が銅回路間にしみ出し、この原
因により無電解金めっき処理時に回路間での金めっきブ
リッジの発生を生じるという知見を得た。回路間にしみ
出した銅を除去するため、無電解ニッケルめっき処理
後、界面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整され
た水溶液により、回路間上にしみ出した銅を除去する方
法を見出した。これより無電解金めっき処理時での回路
間に生じる金めっきブリッジを防止できるという知見を
得た。本発明はこの知見に基づいてなされたものであ
る。
ウム塩と無機酸とからなるパラジウム触媒液での処理の
際、触媒溶液の処理が進むに従い、銅回路上の銅と触媒
溶液中のパラジウムとの置換反応により、触媒溶液中の
銅濃度が上昇する。そして、銅濃度上昇に比例して、銅
回路上からの銅溶解量が上昇する知見を得た。さらに、
銅回路上から溶解した銅が銅回路間にしみ出し、この原
因により無電解金めっき処理時に回路間での金めっきブ
リッジの発生を生じるという知見を得た。回路間にしみ
出した銅を除去するため、無電解ニッケルめっき処理
後、界面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整され
た水溶液により、回路間上にしみ出した銅を除去する方
法を見出した。これより無電解金めっき処理時での回路
間に生じる金めっきブリッジを防止できるという知見を
得た。本発明はこの知見に基づいてなされたものであ
る。
【０００９】
【実施例】銅回路をガラス布−エポキシ樹脂銅張り積層
板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製，
商品名）の銅箔をエッチング加工し、導体幅及び導体間
隔共に５０μｍのパターンと８０μｍのパターンを形成
した。このような基板を脱脂処理し、次に、水洗し、過
硫酸アンモニウム（１００g/l ）によって銅表面を粗化
し、水洗し、酸洗し、水洗し、銅イオン濃度１０００pp
m のＳＡ−１００（選択めっき用置換パラジウム触媒
液：日立化成工業株式会社製，商品名）によって銅表面
を活性化させ、水洗し、ＮＩＰＳ−１００（無電解ニッ
ケルめっき液：日立化成工業株式会社製，商品名）で処
理した後、表１に示す組成の水溶液により処理し、置換
金めっき処理、還元金めっき処理を行った。このようし
て作成した試料を金属顕微鏡で観察し、金めっきによる
ブリッジの有無を調べた、この結果を表１に併記する。
板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製，
商品名）の銅箔をエッチング加工し、導体幅及び導体間
隔共に５０μｍのパターンと８０μｍのパターンを形成
した。このような基板を脱脂処理し、次に、水洗し、過
硫酸アンモニウム（１００g/l ）によって銅表面を粗化
し、水洗し、酸洗し、水洗し、銅イオン濃度１０００pp
m のＳＡ−１００（選択めっき用置換パラジウム触媒
液：日立化成工業株式会社製，商品名）によって銅表面
を活性化させ、水洗し、ＮＩＰＳ−１００（無電解ニッ
ケルめっき液：日立化成工業株式会社製，商品名）で処
理した後、表１に示す組成の水溶液により処理し、置換
金めっき処理、還元金めっき処理を行った。このようし
て作成した試料を金属顕微鏡で観察し、金めっきによる
ブリッジの有無を調べた、この結果を表１に併記する。
【００１０】
【表１】
【００１１】比較例 実施例１〜２６と同様にＳＡ−１００の前処理まで行っ
た後、表２に示す銅イオン濃度のＳＡ−１００で処理
し、水洗し、ＮＩＰＳ−１００で処理し、水洗し、その
後置換金めっき処理、還元金めっき処理を行った。この
ように作成した試料を金属顕微鏡で観察し、金めっきに
よるブリッジの有無を調べた。この結果を表２に併記す
る。
た後、表２に示す銅イオン濃度のＳＡ−１００で処理
し、水洗し、ＮＩＰＳ−１００で処理し、水洗し、その
後置換金めっき処理、還元金めっき処理を行った。この
ように作成した試料を金属顕微鏡で観察し、金めっきに
よるブリッジの有無を調べた。この結果を表２に併記す
る。
【００１２】
【表２】
【００１３】
【発明の効果】本発明により、水溶性パラジウム塩と無
機酸からなるパラジウム触媒溶液の銅濃度が高くなった
場合（１０００ppm)でも、無電解ニッケルめっき処理後
に、界面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整され
た水溶液により処理し、置換金めっき処理、還元金めっ
き処理する無電解金めっき方法により、回路間での金ブ
リッジを防止することができた。
機酸からなるパラジウム触媒溶液の銅濃度が高くなった
場合（１０００ppm)でも、無電解ニッケルめっき処理後
に、界面活性剤及び緩衝剤によりｐＨ８〜９に調整され
た水溶液により処理し、置換金めっき処理、還元金めっ
き処理する無電解金めっき方法により、回路間での金ブ
リッジを防止することができた。
Claims (1)
- 【請求項１】銅表面に無電解金めっきを施す方法におい
て、銅表面を有する液めっき材を水溶性パラジウム塩と
無機酸とを基本組成とする水溶液で処理した後、無電解
ニッケルめっきを施し、その後、界面活性剤を含み緩衝
剤によってｐＨ８〜９に調整された水溶液で処理し、然
る後、置換型無電解金めっき及び、または還元型無電解
金めっきを行うことを特徴とする銅表面への無電解金め
っき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772493A JPH06310835A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 銅表面への無電解金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9772493A JPH06310835A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 銅表面への無電解金めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310835A true JPH06310835A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14199842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9772493A Pending JPH06310835A (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 銅表面への無電解金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310835A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005264261A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Oriental Mekki Kk | 電子部品材料 |
| JP2006316350A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケルめっき用前処理液および無電解ニッケルめっきの前処理方法 |
| US9028972B2 (en) | 2010-09-27 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board and printed wiring board |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP9772493A patent/JPH06310835A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005264261A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Oriental Mekki Kk | 電子部品材料 |
| JP2006316350A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケルめっき用前処理液および無電解ニッケルめっきの前処理方法 |
| US9028972B2 (en) | 2010-09-27 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed wiring board, method for producing said copper foil, resin substrate for printed wiring board and printed wiring board |
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