JP2016208041A - プリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法 - Google Patents
プリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016208041A JP2016208041A JP2016133772A JP2016133772A JP2016208041A JP 2016208041 A JP2016208041 A JP 2016208041A JP 2016133772 A JP2016133772 A JP 2016133772A JP 2016133772 A JP2016133772 A JP 2016133772A JP 2016208041 A JP2016208041 A JP 2016208041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- printed wiring
- roughened
- copper foil
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 326
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 326
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 322
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 270
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 186
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 64
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 50
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 22
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- -1 alkyl sulfate salt Chemical class 0.000 claims description 20
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 claims description 10
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 68
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 10
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 8
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 7
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical group [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/04—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/38—Chromatising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/383—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by microetching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0358—Resin coated copper [RCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0307—Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9335—Product by special process
- Y10S428/934—Electrical process
- Y10S428/935—Electroplating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/12028—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, etc.]
- Y10T428/12063—Nonparticulate metal component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
- Y10T428/12438—Composite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12542—More than one such component
- Y10T428/12549—Adjacent to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12903—Cu-base component
- Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
【課題】銅箔と樹脂との接着強度を高めることができるプリント配線板用樹脂基板の製造方法を提供する。【解決手段】プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。【選択図】図２
Description
本発明は、耐薬品性及び接着性に優れたプリント配線板用銅箔及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用樹脂基板及びその製造方法に関する。特に、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材を代表とするパッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対し、強い引き剥がし強さを得ることができ、ファインエッチングを可能としたプリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、銅箔及びその製造方法並びにプリント配線板を提供する。また、銅箔を全面エッチング後、無電解めっきで銅パターンを形成する方法において、ピール強度を大きく向上させることができるプリント配線板用樹脂基板、プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板を提供する。
半導体パッケージ基板用銅箔は、一般にプリント配線板用銅箔とも言われているが、通常、次のような工程により作製される。まず、合成樹脂等の基材に銅箔を高温高圧下で積層接着する。次に、基板上に目的とする導電性の回路を形成するために、銅箔上に耐エッチング性樹脂等の材料により回路と同等の回路を印刷する。
そして、露出している銅箔の不要部をエッチング処理により除去する。エッチング後、樹脂等の材料からなる印刷部を除去して、基板上に導電性の回路を形成する。形成された導電性の回路には、最終的に所定の素子を半田付けして、エレクトロニクスデバイス用の種々の印刷回路板を形成する。
最終的には、レジスト又はビルドアップ樹脂基板と接合する。一般に、印刷配線板用銅箔に対する品質要求は、樹脂基材と接着される接着面（所謂、粗化面）と、非接着面（所謂光沢面）とで異なり、両者を同時に満足させることが必要である。
そして、露出している銅箔の不要部をエッチング処理により除去する。エッチング後、樹脂等の材料からなる印刷部を除去して、基板上に導電性の回路を形成する。形成された導電性の回路には、最終的に所定の素子を半田付けして、エレクトロニクスデバイス用の種々の印刷回路板を形成する。
最終的には、レジスト又はビルドアップ樹脂基板と接合する。一般に、印刷配線板用銅箔に対する品質要求は、樹脂基材と接着される接着面（所謂、粗化面）と、非接着面（所謂光沢面）とで異なり、両者を同時に満足させることが必要である。
光沢面対する要求としては、(1)外観が良好なこと及び保存時における酸化変色のないこと、(2)半田濡れ性が良好なこと、(3)高温加熱時に酸化変色がないこと、(4)レジストとの密着性が良好なこと等が要求される。
他方、粗化面に対しては、主として、(1)保存時における酸化変色のないこと、(2)基材との剥離強度が、高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分なこと、(3)基材との積層、エッチング後に生じる、所謂積層汚点のないこと等が挙げられる。
また、近年パターンのファイン化に伴い、銅箔のロープロファイル化が要求されてきている。その分、銅箔粗化面の剥離強度の増加が必要となっている。
他方、粗化面に対しては、主として、(1)保存時における酸化変色のないこと、(2)基材との剥離強度が、高温加熱、湿式処理、半田付け、薬品処理等の後でも十分なこと、(3)基材との積層、エッチング後に生じる、所謂積層汚点のないこと等が挙げられる。
また、近年パターンのファイン化に伴い、銅箔のロープロファイル化が要求されてきている。その分、銅箔粗化面の剥離強度の増加が必要となっている。
更に、パソコンや移動体通信等の電子機器では、通信の高速化、大容量化に伴い、電気信号の高周波化が進んでおり、これに対応可能なプリント配線板及び銅箔が求められている。電気信号の周波数が1 GHz以上になると、電流が導体の表面にだけ流れる表皮効果の影響が顕著になり、表面の凹凸で電流伝送経路が変化してインピーダンスが増大する影響が無視できなくなる。この点からも銅箔の表面粗さが小さいことが望まれる。
こうした要求に答えるべく、印刷配線板用銅箔に対して多くの処理方法が提唱されてきた。
こうした要求に答えるべく、印刷配線板用銅箔に対して多くの処理方法が提唱されてきた。
一般に、印刷配線板用銅箔の処理方法は、圧延銅箔又は電解銅箔を用い、まず銅箔と樹脂との接着力（ピール強度）を高めるため、一般には銅及び酸化銅からなる微粒子を銅箔表面に付与する粗化処理を行う。次に、耐熱・防錆の特性を持たせるため黄銅又は亜鉛等の耐熱処理層（障壁層）を形成する。
そして、この上に運搬中又は保管中の表面酸化等を防止するため、浸漬又は電解クロメート処理あるいは電解クロム・亜鉛処理等の防錆処理を施すことにより製品とする。
そして、この上に運搬中又は保管中の表面酸化等を防止するため、浸漬又は電解クロメート処理あるいは電解クロム・亜鉛処理等の防錆処理を施すことにより製品とする。
この中で、特に粗化処理層は、銅箔と樹脂との接着力（ピール強度）を高める大きな役割を担っている。従来、この粗化処理は、丸みのある（球状）突起物が良いとされてきた。この丸みのある突起物は、デンドライトの発達を抑制することにより達成されるものである。しかし、この丸みのある突起物は、エッチング時に剥離し、「粉落ち」という現象が生じた。この現象は当然と言える。それは、球状突起物と銅箔との接触面積が、丸みのある（球状）突起物の径に比べて非常に小さいからである。
この「粉落ち」現象を避けるために、上記粗化処理後に、突起物の上に薄い銅めっき層を形成して、突起物の剥離を防止することが行われた（特許文献１参照）。これは「粉落ち」を防止する効果を有するが、工程が増えるということ、その薄い銅めっきにより「粉落ち」防止効果が異なるという問題があった。
この「粉落ち」現象を避けるために、上記粗化処理後に、突起物の上に薄い銅めっき層を形成して、突起物の剥離を防止することが行われた（特許文献１参照）。これは「粉落ち」を防止する効果を有するが、工程が増えるということ、その薄い銅めっきにより「粉落ち」防止効果が異なるという問題があった。
また、銅箔の上に、銅とニッケルの合金からなる針状のノジュラー被覆層を形成するという技術が知られている（特許文献２）。このノジュラー被覆層は、針状となっているので、前記特許文献１開示された丸みのある（球状）突起物に比べ樹脂との接着強度は増すと考えられるが、下地となる銅箔とは成分の異なる銅−ニッケル合金であり、銅の回路を形成するエッチングに際しては、異なるエッチング速度を有する。したがって、安定した回路設計には不向きであるという問題がある。
プリント配線板用銅箔を形成する際には、一般に耐熱・防錆処理層を形成することが行われる。耐熱処理層を形成する金属又は合金の例として、Zn、Cu−Ni、Cu−Co及びCu−Zn等の被覆層を形成した多数の銅箔が実用化されている（例えば、特許文献３参照）。
これらの中で、Cu−Zn（黄銅）から成る耐熱処理層を形成した銅箔は、エポキシ樹脂等から成る印刷回路板に積層した場合に樹脂層のしみがないこと、また高温加熱後の剥離強度の劣化が少ない等の優れた特性を有しているため、工業的に広く使用されている。
この黄銅から成る耐熱処理層を形成する方法については、特許文献４及び特許文献５に詳述されている。
これらの中で、Cu−Zn（黄銅）から成る耐熱処理層を形成した銅箔は、エポキシ樹脂等から成る印刷回路板に積層した場合に樹脂層のしみがないこと、また高温加熱後の剥離強度の劣化が少ない等の優れた特性を有しているため、工業的に広く使用されている。
この黄銅から成る耐熱処理層を形成する方法については、特許文献４及び特許文献５に詳述されている。
こうした黄銅から成る耐熱処理層を形成した銅箔は、次いで印刷回路を形成するためエッチング処理される。近時、印刷回路の形成に塩酸系のエッチング液が多く用いられるようになりつつある。
ところが、黄銅から成る耐熱処理層を形成した銅箔を用いた印刷回路板を、塩酸系のエッチング液（例えばCuCl2、FeCl3等）でエッチング処理し、印刷回路部分を除く銅箔の不要部分を除去して導電性の回路を形成すると、回路パターンの両側にいわゆる回路端部（エッジ部）の浸食（回路浸食）現象が起り、樹脂基材との剥離強度が劣化するという問題点が生じた。
ところが、黄銅から成る耐熱処理層を形成した銅箔を用いた印刷回路板を、塩酸系のエッチング液（例えばCuCl2、FeCl3等）でエッチング処理し、印刷回路部分を除く銅箔の不要部分を除去して導電性の回路を形成すると、回路パターンの両側にいわゆる回路端部（エッジ部）の浸食（回路浸食）現象が起り、樹脂基材との剥離強度が劣化するという問題点が生じた。
この回路浸食現象とは、上記のエッチング処理によって形成された回路の銅箔と樹脂基材との接着境界層、即ち黄銅からなる耐熱・防錆処理層が露出したエッチング側面から、前記エッチング液により浸食され、またその後の水洗不足のため、通常黄色（黄銅よりなるため）を呈している両サイドが浸食されて赤色を呈し、その部分の剥離強度が著しく劣化する現象をいう。そして、この現象が回路パターン全面に発生すれば、回路パターンが基材から剥離することになり、問題となる。
このようなことから、銅箔の表面に粗化処理、亜鉛又は亜鉛合金の防錆処理及びクロメート処理を行った後、クロメート処理後の表面に、少量のクロムイオンを含有させたシランカップリング剤を吸着させて耐塩酸性を向上させようとする提案がなされている（特許文献７参照）。
本発明の課題は、銅箔の他の諸特性を劣化することなく、上記の回路浸食現象を回避する半導体パッケージ基板用銅箔を開発することである。特に、銅箔の粗化処理工程を改善し、銅箔と樹脂との接着強度を高めることができるプリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明者が鋭意検討した結果、以下のプリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法を提供する。
（１）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（２）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（３）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（４）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（５）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（６）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いてプリント配線板を製造する方法。
（７）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いて半導体パッケージ基板を製造する方法。
（８）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（９）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１０）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１１）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする（８）〜（１０）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１２）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を有するプリント配線板。
（１３）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、前記樹脂粗化面側から無電解銅めっき・電解めっきをこの順で有する銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
（１４）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を有するプリント配線板。
（１５）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
（１６）回路を形成する銅層が針状粒子を含み、針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする（１３）又は（１５）に記載のプリント配線板。
（１７）（１２）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板を有する半導体パッケージ基板。
（１８）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（１９）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２０）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２１）硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法であって、前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成されるプリント配線板用銅箔の製造方法。
（２２）硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に以下の特性を備えた粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法。
プリント配線板用樹脂を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmである。
（２３）前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成される（２２）に記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
（１）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（２）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（３）プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（４）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（５）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
（６）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いてプリント配線板を製造する方法。
（７）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いて半導体パッケージ基板を製造する方法。
（８）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（９）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１０）プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１１）前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする（８）〜（１０）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１２）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を有するプリント配線板。
（１３）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、前記樹脂粗化面側から無電解銅めっき・電解めっきをこの順で有する銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
（１４）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を有するプリント配線板。
（１５）（８）〜（１１）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
（１６）回路を形成する銅層が針状粒子を含み、針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする（１３）又は（１５）に記載のプリント配線板。
（１７）（１２）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板を有する半導体パッケージ基板。
（１８）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（１９）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２０）（１）〜（５）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２１）硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法であって、前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成されるプリント配線板用銅箔の製造方法。
（２２）硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に以下の特性を備えた粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法。
プリント配線板用樹脂を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmである。
（２３）前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成される（２２）に記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
以上に示したように、本発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある（球状）突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な粗化粒子を形成するものである。
この銅箔は、樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能としたプリント配線板を提供することができるという、優れた効果を有する。またこの銅箔は、銅箔を一旦エッチングにより全面除去し、粗化面が樹脂層に転写されることにより、その後に樹脂面に形成される回路用の銅めっき層（無電解めっき層）との密着力を高める工法にも有用である。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔（半導体パッケージ基板用銅箔）及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
この銅箔は、樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能としたプリント配線板を提供することができるという、優れた効果を有する。またこの銅箔は、銅箔を一旦エッチングにより全面除去し、粗化面が樹脂層に転写されることにより、その後に樹脂面に形成される回路用の銅めっき層（無電解めっき層）との密着力を高める工法にも有用である。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔（半導体パッケージ基板用銅箔）及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
次に、本発明の理解を容易にするため、本発明を具体的かつ詳細に説明する。本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでもよい。
上記の通り、本発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある（球状）突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子を形成するものである。
上記の通り、本発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある（球状）突起物ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子を形成するものである。
その形状は、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することである。より望ましい形状としては、銅箔の少なくとも一方の面に、各粒子長さの50%の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2/D1が1〜4であることである。さらに、前記粒子中央の平均直径D2と各粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D３/D2が0.8〜1.0とすることができる。この場合、前記粒子中央D2の平均直径が0.7〜1.5μmであること、前記粒子先端の平均直径D3が0.7〜1.5μmであることが望ましい。
図１に、粒子寸法の概略説明図を示す。図１には、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1、各粒子長さの50%の位置の粒子中央の平均直径D2、各粒子長さの90%の位置の粒子先端D3を示す。これによって、粒子の形状を特定することができる。
また、前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を形成することができる。
これらの銅箔の粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて形成することができるが、上記の形状になるように、電解処理条件を任意に設定することにより達成できる。さらに、前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を形成し、次に当該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することができる。
上記の粗化処理層を形成した銅箔と樹脂は、プレス法若しくはラミネート法という手段により積層体とすることができる。
上記の粗化処理層を形成した銅箔と樹脂は、プレス法若しくはラミネート法という手段により積層体とすることができる。
さらに、このように粗化処理層を有する銅箔に樹脂を積層して、エッチングにより銅箔を除去すると、銅箔が除去された樹脂に、銅箔の粗化面の凹凸を転写される。この転写された樹脂の凹凸は銅箔表面の粗化粒子の形状と個数分布を示したものであり、重要である。銅箔の粗面の粒子の根元が細い場合には、穴の径が小さく、樹脂面の穴の占める投影面積の総和が小さくなる。
銅箔の粗面の粒子の根元が細い、いわゆる逆涙滴状の粒子は、一見銅箔と樹脂との接着強度が増加するように見えるが、銅箔と粗化粒子の密着幅が狭いために、銅箔と樹脂層を剥離する際、粗化粒子はその根元から切れ易く、銅箔と粗化粒子の界面或いは粗化粒子の根元から切れた部分で剥離し、密着力が低下する。樹脂面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることが必要である。
また、銅箔の粗面の粒子の根元が細い場合には、エッチングにより銅箔を除去した樹脂の穴が蛸壺状となり、表面の穴が小さいために、樹脂表面に無電解めっきを形成する場合でも、無電解めっき液が入り込めず、無電解めっきが不完全となる。当然ながら、めっきの剥離強度が低下するという問題を生ずる。
このように、銅箔の粗化面は、ある程度の直径と長さが必要であり、この銅箔の粗面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が重要となる。これを20％以上とすることにより、回路のピーリング強度を向上させることができる。
このように、銅箔の粗化面は、ある程度の直径と長さが必要であり、この銅箔の粗面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が重要となる。これを20％以上とすることにより、回路のピーリング強度を向上させることができる。
前記の通り、粗化処理層を有する銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき・電解銅めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板を得ることができるが、無電解めっき・電解めっき層（銅層）は、樹脂基板の粗面の凹凸上に形成され、その樹脂面の凹凸を反映して針状粒子又は棒状の粒子が形成される。
この、針状粒子又は棒状の粒子は、回路幅10μm中に5個以上存在することが望ましく、これによって、樹脂と無電解めっきによるか回路層との接着強度を大きく向上させることができる。本発明は、このようにして形成されたプリント配線板を提供する。
この、針状粒子又は棒状の粒子は、回路幅10μm中に5個以上存在することが望ましく、これによって、樹脂と無電解めっきによるか回路層との接着強度を大きく向上させることができる。本発明は、このようにして形成されたプリント配線板を提供する。
上記の通り、針状又は棒状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて製造することができる。
針状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。
針状の微細な銅の粗化粒子からなる粗化処理層は、粉落ち防止、ピール強度向上のため硫酸・硫酸銅からなる電解浴でかぶせメッキを行う事が望ましい。
具体的な処理条件は、次の通りである。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：39.3〜118g/L
Cu：10〜30g/L
H2SO4: 10〜150g/L
Na2WO4・2H2O：0〜90mg/L
W： 0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム： 0〜50mg
H3AsO3(60%水溶液)： 0〜6315mg/L
As： 0 〜2000 mg/L
（液組成１）
CuSO4・5H2O：39.3〜118g/L
Cu：10〜30g/L
H2SO4: 10〜150g/L
Na2WO4・2H2O：0〜90mg/L
W： 0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム： 0〜50mg
H3AsO3(60%水溶液)： 0〜6315mg/L
As： 0 〜2000 mg/L
（電気めっき条件１）
温度： 30〜70℃
（電流条件１）
電流密度： 25〜110A/dm2
粗化クーロン量： 50〜500As/dm2
めっき時間： 0.5〜20秒
（液組成２）
CuSO4・5H2O：78〜314g/L
Cu：20〜80g/L
H2SO4: 50〜200g/L
温度： 30〜70℃
（電流条件１）
電流密度： 25〜110A/dm2
粗化クーロン量： 50〜500As/dm2
めっき時間： 0.5〜20秒
（液組成２）
CuSO4・5H2O：78〜314g/L
Cu：20〜80g/L
H2SO4: 50〜200g/L
（電気めっき条件２）
温度： 30〜70 ℃
（電流条件２）
電流密度： 5〜50 A/dm2
粗化クーロン量： 50〜300 As/dm2
めっき時間： 1〜60 秒
温度： 30〜70 ℃
（電流条件２）
電流密度： 5〜50 A/dm2
粗化クーロン量： 50〜300 As/dm2
めっき時間： 1〜60 秒
さらに、上記粗化処理層上に、さらに亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を形成してプリント配線板用銅箔とすることができる。
耐熱・防錆層としては、特に制限されるものではなく、従来の耐熱・防錆層を使用することが可能である。例えば、半導体パッケージ基板用銅箔に対して、従来使用されてきた黄銅被覆層を使用することができる。
耐熱・防錆層としては、特に制限されるものではなく、従来の耐熱・防錆層を使用することが可能である。例えば、半導体パッケージ基板用銅箔に対して、従来使用されてきた黄銅被覆層を使用することができる。
さらに、この耐熱・防錆層に、クロメート皮膜層及びシランカップリング剤層を形成して銅箔の少なくとも樹脂との接着面とする。これらのクロメート皮膜層とシランカップリング剤層からなる被覆層を持つ銅箔を樹脂に積層接着し、さらに当該銅箔上に、耐エッチング性の印刷回路を形成した後、印刷回路部分を除く銅箔の不要部分をエッチングにより除去して、導電性の回路を形成する。
耐熱・防錆層としては、既存の処理を使用できるが、具体的には例えば、次のものを使用することができる。
（液組成）
NaOH：40〜200g/L
NaCN：70〜250g/L
CuCN：50〜200g/L
Zn（CN）2：2〜100g/L
As2O3：0.01〜1g/L
（液温）
40〜90℃
（電流条件）
電流密度：１〜５０A/dm2
めっき時間：１〜２０秒
（液組成）
NaOH：40〜200g/L
NaCN：70〜250g/L
CuCN：50〜200g/L
Zn（CN）2：2〜100g/L
As2O3：0.01〜1g/L
（液温）
40〜90℃
（電流条件）
電流密度：１〜５０A/dm2
めっき時間：１〜２０秒
前記クロメート皮膜層は、電解クロメート皮膜層又は浸漬クロメート皮膜層を用いることができる。このクロメート皮膜層は、Cr量が25-150μg/ dm2であることが望ましい。
Cr量が25μg/ dm2未満では、防錆層効果がない。また、Cr量が150μg/ dm2を超えると効果が飽和するので、無駄となる。したがって、Cr量は25-150μg/ dm2とするのが良い。
前記クロメート皮膜層を形成するための条件の例を、以下に記載する。しかし、上記の通り、この条件に限定される必要はなく、すでに公知のクロメート処理はいずれも使用できる。この防錆処理は、耐酸性に影響を与える因子の一つであり、クロメート処理により、耐酸性はより向上する。
Cr量が25μg/ dm2未満では、防錆層効果がない。また、Cr量が150μg/ dm2を超えると効果が飽和するので、無駄となる。したがって、Cr量は25-150μg/ dm2とするのが良い。
前記クロメート皮膜層を形成するための条件の例を、以下に記載する。しかし、上記の通り、この条件に限定される必要はなく、すでに公知のクロメート処理はいずれも使用できる。この防錆処理は、耐酸性に影響を与える因子の一つであり、クロメート処理により、耐酸性はより向上する。
(a) 浸漬クロメート処理
K2Cr2O7 :1〜5g/L、pH :2.5〜4.5、温 度:40〜60℃、時間:0.5〜８秒
(b) 電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（アルカリ性浴））
K2Cr2O7 :0.2〜20g/L、酸：燐酸、硫酸、有機酸、pH :1.0〜3.5、温 度:20〜40℃、電流密度:0.1〜5A/dm2、時 間:0.5〜８秒
K2Cr2O7 :1〜5g/L、pH :2.5〜4.5、温 度:40〜60℃、時間:0.5〜８秒
(b) 電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（アルカリ性浴））
K2Cr2O7 :0.2〜20g/L、酸：燐酸、硫酸、有機酸、pH :1.0〜3.5、温 度:20〜40℃、電流密度:0.1〜5A/dm2、時 間:0.5〜８秒
(c) 電解クロム・亜鉛処理（アルカリ性浴）
K2Cr2O7（Na2Cr2O7或いはCrO3）:2〜10g/L、NaOH又はKOH :10〜50g/L、ZnOH又はZnSO4・7H2O :0.05〜10g/L、pH :7〜13、浴温:20〜80℃、電流密度:0.05〜5A/dm2、時間:5〜30秒
(d) 電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（酸性浴））
K2Cr2O7 :2〜10g/L、Zn :0〜0.5g/L、Na2SO4 :5〜20g/L、pH :3.5〜5.0、浴温:20〜40℃、電流密度:0.1〜3.0A/dm2、時 間:1〜30秒
K2Cr2O7（Na2Cr2O7或いはCrO3）:2〜10g/L、NaOH又はKOH :10〜50g/L、ZnOH又はZnSO4・7H2O :0.05〜10g/L、pH :7〜13、浴温:20〜80℃、電流密度:0.05〜5A/dm2、時間:5〜30秒
(d) 電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（酸性浴））
K2Cr2O7 :2〜10g/L、Zn :0〜0.5g/L、Na2SO4 :5〜20g/L、pH :3.5〜5.0、浴温:20〜40℃、電流密度:0.1〜3.0A/dm2、時 間:1〜30秒
本発明の半導体パッケージ基板用銅箔に使用するシランカップリング剤層としては、通常銅箔に使用されているシランカップリング剤を使用することができ、特に制限はない。例えば、シラン処理の具体的な条件を示すと、次の通りである。
0.2%エポキシシラン/0.4%TEOS、PH5
テトラアルコキシシランと、樹脂との反応性を有する官能基を備えたアルコキシシランを１種以上含んでいるものを使用することもできる。このシランカップリング剤層の選択も任意ではあるが、樹脂との接着性を考慮した選択が望ましいと言える。
0.2%エポキシシラン/0.4%TEOS、PH5
テトラアルコキシシランと、樹脂との反応性を有する官能基を備えたアルコキシシランを１種以上含んでいるものを使用することもできる。このシランカップリング剤層の選択も任意ではあるが、樹脂との接着性を考慮した選択が望ましいと言える。
次に、実施例及び比較例について説明する。なお、本実施例は好適な一例を示すもので、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。したがって、本発明の技術思想に含まれる変形、他の実施例又は態様は、全て本発明に含まれる。
なお、本発明との対比のために、比較例を掲載した。
なお、本発明との対比のために、比較例を掲載した。
（実施例１）
厚さ12μmの電解銅箔（銅箔粗化形成面粗さ：Rz0.6μm）を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきを行った。以下に、処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は2.50とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
厚さ12μmの電解銅箔（銅箔粗化形成面粗さ：Rz0.6μm）を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきを行った。以下に、処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は2.50とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
本粗化処理の後、下記に示す正常めっきを行った。以下に、処理条件を示す。
（液組成２）
CuSO4・5H2O：156g/L
Cu：40g/L
H2SO4:100 g/L
（電気めっき温度１） 40℃
（電流条件１）
電流密度：30 A/dm2
粗化クーロン量：150As/dm2
次に、耐熱・防錆層の上に電解クロメート処理を行った。
電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（酸性浴））
CrO3：1.5g/L
Zn SO4・7H2O:2.0g/L
Na2SO4 :18g/L
pH :4.6、浴温:37℃
電流密度:2.0A/dm2
時 間:1〜30秒
（PH調整は硫酸又は水酸化カリウムで実施）
次に、このクロメート皮膜層の上に、シラン処理（塗布による）を施した。
シラン処理の条件は、次の通りである。
0.2%エポキシシラン
（液組成２）
CuSO4・5H2O：156g/L
Cu：40g/L
H2SO4:100 g/L
（電気めっき温度１） 40℃
（電流条件１）
電流密度：30 A/dm2
粗化クーロン量：150As/dm2
次に、耐熱・防錆層の上に電解クロメート処理を行った。
電解クロメート処理（クロム・亜鉛処理（酸性浴））
CrO3：1.5g/L
Zn SO4・7H2O:2.0g/L
Na2SO4 :18g/L
pH :4.6、浴温:37℃
電流密度:2.0A/dm2
時 間:1〜30秒
（PH調整は硫酸又は水酸化カリウムで実施）
次に、このクロメート皮膜層の上に、シラン処理（塗布による）を施した。
シラン処理の条件は、次の通りである。
0.2%エポキシシラン
実施例１の粗化処理層のFIB-SIM写真を図２の左側に示す。この粗化処理層の表面粗さRzが1.17μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.57μm、平均粒子長さL1が2.68であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が4.74となり、前記図２から、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.57のほか、中央の平均直径D2:0.83、先端の平均直径D3:0.68、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=1.47、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=1.21、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.83を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した。樹脂を積層した銅箔をエッチングにより除去した樹脂（レプリカ）表面のSEM写真を図２の右側に示す。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が51％、穴の密度は2.10個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしていることが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が51％、穴の密度は2.10個/μm2であり、本願発明の穴の占める面積の総和が20%以上の条件を満たしていることが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10ｍｍである。常態ピール強度は1.01kg/cm、加熱後のピール強度は0.94kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（実施例２）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.10とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.10とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
この粗化処理層の表面粗さRzが1.51μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.51μm、平均粒子長さL1が2.68μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が5.21となり、前記図２から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.51μmのほか、中央の平均直径D2:0.78μm、先端の平均直径D3:0.68μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=1.51、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=1.32、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.87を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅箔を除去した。銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が29％、穴の密度は1.93個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.81kg/cm、加熱後のピール強度は0.78kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（実施例３）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.30とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.30とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
この粗化処理層の表面粗さRzが1.56μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.59μm、平均粒子長さL1が2.68μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が4.52となり、前記図２から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.51μmのほか、中央の平均直径D2:0.73μm、先端の平均直径D3:0.65μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=1.23、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=1.10、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.89を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が43％、穴の密度は1.77個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が43％、穴の密度は1.77個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.84kg/cm、加熱後のピール強度は0.77kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（実施例４）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.50とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.50とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
この粗化処理層の表面粗さRzが1.62μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.89μm、平均粒子長さL1が2.98μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が3.33となり、前記図２から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.89μmのほか、中央の平均直径D2:1.65μm、先端の平均直径D3:0.98μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=1.18、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=1.10、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.93を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が78％、穴の密度は2.02個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が78％、穴の密度は2.02個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.90kg/cm、加熱後のピール強度は0.86kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（実施例５）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.80とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は4.80とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
この粗化処理層の表面粗さRzが1.01μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.26μm、平均粒子長さL1が2.68μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が10.34となり、前記図２から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.26μmのほか、中央の平均直径D2:0.84μm、先端の平均直径D3:0.79μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=3.23、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=3.06、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.95を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が40％、穴の密度は2.65個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が40％、穴の密度は2.65個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.91kg/cm、加熱後のピール強度は0.84kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（実施例６）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.20とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。これらはいずれも、本願発明の銅箔への粗化処理層を形成するための工程である。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は3.20とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
この粗化処理層の表面粗さRzが1.48μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.60μm、平均粒子長さL1が2.68μmであり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が4.44となり、前記図２から推定して、針状又は棒状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という本願発明の条件を満たしていた。この条件は、本願発明を達成する上で、必須の要件である。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.60μmのほか、中央の平均直径D2:0.84μm、先端の平均直径D3:0.78μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=1.39、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=1.30、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=0.94を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合するものであった。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
しかし、これらは、本願発明の第一義的要件、すなわち必須の要件とするものでないことは、容易に理解されるべきものである。あくまでも、さらに好ましい条件を示すものである。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔と樹脂の積層体を形成した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が93％、穴の密度は2.22個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が93％、穴の密度は2.22個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしているのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.91kg/cm、加熱後のピール強度は0.91kg/cmであり、いずれも後述する比較例に比べて、ピール強度が向上していた。
（比較例１）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は10.50とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は10.50とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
比較例１の粗化処理層のSEM写真を図３の左側に示す。この粗化処理層の表面粗さRzが1.13μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.12μmで根元幅が小さく、平均粒子長さL1が3.87であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が30.97となり、前記図３から、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
上記の通り、本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.12μmのほか、中央の平均直径D2:0.74μm、先端の平均直径D3:0.74μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=5.93、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=5.93、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=1.00を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が2％、穴の密度は1.06個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が2％、穴の密度は1.06個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.54kg/cm、加熱後のピール強度は0.53kg/cmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅箔と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。
（比較例２）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.50とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.50とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
比較例２の粗化処理層の表面粗さRzが1.02μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.15μmで根元幅が小さく、平均粒子長さL1が2.83であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が18.54となり、前記図３から推定して、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
上記の通り、本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.15μmのほか、中央の平均直径D2:0.65μm、先端の平均直径D3:0.65μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=4.25、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=4.25、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=1.00を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔に樹脂を積層成した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が4％、穴の密度は2.11個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が4％、穴の密度は2.11個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.54kg/cm、加熱後のピール強度は0.53kg/cmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。
上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅箔と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。
上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅箔と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。
（比較例３）
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.80とした。
厚さ12μmの電解銅箔を用い、この銅箔の粗面（マット面：M面）に、下記に示す粗化めっきと実施例１と同様の正常めっきを行った。以下に、粗化めっき処理条件を示す。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は9.80とした。
（液組成１）
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
CuSO4・5H2O：58.9g/L
Cu：15g/L
H2SO4:100 g/L
Na2WO4・2H2O：5.4mg/L
W：3mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量：10ppm
（電気めっき温度１）50℃
比較例３の粗化処理層の表面粗さRzが0.88μmで、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.14μmで根元幅が小さく、平均粒子長さL1が2.98であり、前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が20.64となり、前記図３から推定して、本願発明に適合しない針状又はデンドライト状の粒子形状に形成されているのが分かる。なお、粗化粒子の直径の測定は、JIS H 0501 項目7 切断法に基づく。
上記の通り、本願発明の各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層という、本願発明の条件を満たしていなかった。この結果を、表１に示す。
なお、表１には、粗化粒子の根元の平粒直径（幅）D1:0.14μmのほか、中央の平均直径D2:0.65μm、先端の平均直径D3:0.65μm、さらに中央の平均直径と根元の平均直径との比：D2/D1=4.50、先端の平均直径と根元の平均直径との比：D3/D1=4.50、先端の平均直径と中央の平均直径との比：D3/D2=1.00を示すが、いずれも本願発明の好ましい要件に適合していなかった。
次に、この銅箔を用い、樹脂にMBT-830を用いて、銅箔と樹脂の積層体を形成した後、エッチングにより銅箔を除去した。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が14％、穴の密度は3.12個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が14％、穴の密度は3.12個/μm2であり、本願発明の穴の占める投影面積の総和が20%以上の条件を満たしていないのが分かる。
上記のように銅箔に樹脂（MBT-830）を積層したものを、積層体の常態ピール強度と加熱後のピール強度として測定し、その結果を同様に表１に示す。ピール強度の回路幅は、10mmである。常態ピール強度は0.54kg/cm、加熱後のピール強度は0.53kg/cmであり、いずれも前述の実施例に比べて、ピール強度が大きく劣っていた。上記のように根元が細い粗化粒子を持つ銅箔を用いた場合は、銅箔と樹脂を剥離する際、銅箔と粗化粒子界面で剥離が起こるため、ピール強度の向上は期待できないものであった。
以上から、本願発明のプリント配線板用銅箔は、従来良いとされてきた粗化処理の丸みのある（球状）突起物又はデンドライト状の結晶粒径ではなく、銅箔の少なくとも一方の面に、針状の微細な粗化粒子を形成することによって、銅箔自体の樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能とした銅箔及びその製造方法を提供することができるという大きな効果を有することが分かる。
以上に示したように、本発明は、銅箔の少なくとも一方の面に、針状の微細な粗化粒子を形成することによって、銅箔自体の樹脂との接着強度を高め、パッケージ用基板に対して、ファインパターン形成時の薬品処理に対しても、引き剥がし強度を大きくすることが可能となり、ファインエッチングを可能とした銅箔及びその製造方法を提供することができるという大きな効果を有する。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔（半導体パッケージ基板用銅箔）及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
近年印刷回路のファインパターン化及び高周波化が進む中で印刷回路用銅箔（半導体パッケージ基板用銅箔）及び半導体パッケージ基板用銅箔と半導体パッケージ用樹脂を張り合わせて作製した半導体パッケージ用基板として極めて有効である。
なお、本発明は以下の発明も包含する。
１）銅箔の少なくとも一方の面に、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することを特徴とするプリント配線板用銅箔。
２）銅箔の少なくとも一方の面に、各粒子長さの50%の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2/D1が1〜4であることを特徴とする前記１）記載のプリント配線板用銅箔。
３）前記粒子中央の平均直径D2と各粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D3/D2が0.8〜1.0であることを特徴とする前記２）記載のプリント配線板用銅箔。
４）前記粒子中央D2の平均直径が0.7〜1.5μmであることを特徴とする前記２）又は３）記載のプリント配線板用銅箔。
５）前記粒子先端の平均直径D3が0.7〜1.5μmであることを特徴とする前記３）又は４）記載のプリント配線板用銅箔。
６）前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする前記１）〜５）のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。
７）硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、前記１）〜６）のいずれか一項に記載の粗化処理層を形成することを特徴とするプリント配線板用銅箔の製造方法。
８）前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を形成し、次に当該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする前記７）記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
９）粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
１０）前記１）〜８）のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂において、銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
１１）粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。
１２）前記１）〜８）のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。
１３）針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする前記１１）または１２）記載のプリント配線板。
１）銅箔の少なくとも一方の面に、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、平均粒子長さL1と前記粒子根元の平均直径D1との比L1/D1が15以下の銅箔の粗化処理層を有することを特徴とするプリント配線板用銅箔。
２）銅箔の少なくとも一方の面に、各粒子長さの50%の位置の粒子中央の平均直径D2と前記粒子根元の平均直径D1の比D2/D1が1〜4であることを特徴とする前記１）記載のプリント配線板用銅箔。
３）前記粒子中央の平均直径D2と各粒子長さの90%の位置の粒子先端D3の比D3/D2が0.8〜1.0であることを特徴とする前記２）記載のプリント配線板用銅箔。
４）前記粒子中央D2の平均直径が0.7〜1.5μmであることを特徴とする前記２）又は３）記載のプリント配線板用銅箔。
５）前記粒子先端の平均直径D3が0.7〜1.5μmであることを特徴とする前記３）又は４）記載のプリント配線板用銅箔。
６）前記粗化処理層上に、亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層、当該耐熱・防錆層上に、クロメート皮膜層及び当該クロメート皮膜層上に、シランカップリング剤層を備えることを特徴とする前記１）〜５）のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。
７）硫酸アルキルエステル塩、タングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、前記１）〜６）のいずれか一項に記載の粗化処理層を形成することを特徴とするプリント配線板用銅箔の製造方法。
８）前記粗化処理層上に亜鉛、ニッケル、銅、リンから選択した少なくとも一種類以上の元素を含有する耐熱・防錆層を形成し、次に当該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を形成し、さらに当該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を形成することを特徴とする前記７）記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
９）粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
１０）前記１）〜８）のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂において、銅箔の粗化面が転写された凹凸を有する樹脂面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
１１）粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。
１２）前記１）〜８）のいずれかの粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔に樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成したプリント配線板。
１３）針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする前記１１）または１２）記載のプリント配線板。
更に、本発明は以下の発明をも包含する。
（１） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（２） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（３） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（４） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行うことによって銅層を形成し、さらに銅層をエッチングすることにより回路を形成したプリント配線板。
（５） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成したプリント配線板。
（６） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成することを含むプリント配線板の製造方法。
（７） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、銅層を形成し、回路を形成したプリント配線板。
（８） 回路を形成する銅層が針状粒子を含み、針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする前記（４）又は前記（７）記載のプリント配線板。
（９） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行うことによって銅層を形成し、さらに銅層をエッチングすることにより回路を形成したプリント配線板。
（１０） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成したプリント配線板。
（１１） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成することを含むプリント配線板の製造方法。
（１２） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、銅層を形成し、回路を形成したプリント配線板。
（１３） 前記（４）、（５）、（７）〜（１０）、（１２）のいずれか一項に記載のプリント配線板を用いた半導体パッケージ基板。
（１４） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１５） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１６） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１７） 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂であることを特徴とする前記（１４）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１８） 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする前記（１４）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１９） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を用いて製造したプリント配線板。
（２０） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を用いて製造した半導体パッケージ基板。
（２１） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２２） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２３） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２４） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２５） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２６） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（１） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（２） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（３） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔であって、樹脂層を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
（４） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行うことによって銅層を形成し、さらに銅層をエッチングすることにより回路を形成したプリント配線板。
（５） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成したプリント配線板。
（６） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成することを含むプリント配線板の製造方法。
（７） 粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、銅層を形成し、回路を形成したプリント配線板。
（８） 回路を形成する銅層が針状粒子を含み、針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする前記（４）又は前記（７）記載のプリント配線板。
（９） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行うことによって銅層を形成し、さらに銅層をエッチングすることにより回路を形成したプリント配線板。
（１０） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成したプリント配線板。
（１１） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、回路を形成することを含むプリント配線板の製造方法。
（１２） 前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の粗化処理層を有するプリント配線板用銅箔と樹脂層を積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面に、銅層を形成し、回路を形成したプリント配線板。
（１３） 前記（４）、（５）、（７）〜（１０）、（１２）のいずれか一項に記載のプリント配線板を用いた半導体パッケージ基板。
（１４） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１５） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１６） プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層された後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を有し、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。
（１７） 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂であることを特徴とする前記（１４）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１８） 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする前記（１４）〜（１６）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
（１９） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を用いて製造したプリント配線板。
（２０） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を用いて製造した半導体パッケージ基板。
（２１） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２２） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２３） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成することで得られたプリント配線板。
（２４） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２５） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
（２６） 前記（１４）〜（１８）のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
Claims (23)
- プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。 - プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。 - プリント配線板用樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基板を、粗化処理層を有する銅箔の粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去することで粗化処理層の凹凸が反映された樹脂粗化面を前記樹脂基板に形成することを含み、
樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmであり、
樹脂粗化面は、樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板の製造方法。 - 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
- 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いてプリント配線板を製造する方法。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板を用いて半導体パッケージ基板を製造する方法。
- プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。 - プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が43％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。 - プリント配線板用樹脂基板であって、
前記樹脂基板は、樹脂粗化面を有し、
前記樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が51％以上であり、
前記樹脂粗化面の穴の平均直径が0.2μm〜1.0μmであり、
前記樹脂粗化面は、前記樹脂粗化面上に回路を形成することによってプリント配線板を形成するための粗化面であることを特徴とするプリント配線板用樹脂基板。 - 前記樹脂がＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂含浸基材であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板。
- 請求項８〜１１のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板を有するプリント配線板。
- 請求項８〜１１のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、前記樹脂粗化面側から無電解銅めっき・電解めっきをこの順で有する銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
- 請求項８〜１１のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を有するプリント配線板。
- 請求項８〜１１のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を材料とした回路を有するプリント配線板。
- 回路を形成する銅層が針状粒子を含み、針状粒子が、回路幅10μm中に5個以上存在することを特徴とする請求項１３又は１５に記載のプリント配線板。
- 請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のプリント配線板を有する半導体パッケージ基板。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、無電解銅めっき・電解めっきの順でめっきを行い、銅層を形成し、さらにエッチングにより回路を形成するプリント配線板の製造方法。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
- 請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板用樹脂基板の製造方法により製造されたプリント配線板用樹脂基板の樹脂粗化面に、銅層を形成し、回路を形成するプリント配線板の製造方法。
- 硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法であって、前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成されるプリント配線板用銅箔の製造方法。
- 硫酸アルキルエステル塩を含み、かつタングステンイオン、砒素イオンから選択した物質の少なくとも一種類以上を含む硫酸・硫酸銅からなる電解浴を用いて、銅箔の少なくとも一方の面に以下の特性を備えた粗化処理層を形成することを含むプリント配線板用銅箔の製造方法。
プリント配線板用樹脂を前記粗化処理層上に積層した後、銅箔をエッチングにより除去した樹脂の表面において、粗化処理層の凹凸が反映された凹凸を有する樹脂粗化面の穴の占める投影面積の総和が20％以上であり、
前記銅箔の前記粗化処理層において、各粒子長さの10%の位置の粒子根元の平均直径D1が0.2μm〜1.0μmである。 - 前記粗化処理層は対限界電流密度比を２．５０〜４．８０として形成される請求項２２に記載のプリント配線板用銅箔の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010214724 | 2010-09-27 | ||
| JP2010214724 | 2010-09-27 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014188321A Division JP6029629B2 (ja) | 2010-09-27 | 2014-09-16 | プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016208041A true JP2016208041A (ja) | 2016-12-08 |
| JP6243483B2 JP6243483B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=45892655
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012536311A Active JP5781525B2 (ja) | 2010-09-27 | 2011-09-08 | プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板 |
| JP2014188321A Active JP6029629B2 (ja) | 2010-09-27 | 2014-09-16 | プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板 |
| JP2016133772A Active JP6243483B2 (ja) | 2010-09-27 | 2016-07-05 | プリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012536311A Active JP5781525B2 (ja) | 2010-09-27 | 2011-09-08 | プリント配線板用銅箔、その製造方法、プリント配線板用樹脂基板及びプリント配線板 |
| JP2014188321A Active JP6029629B2 (ja) | 2010-09-27 | 2014-09-16 | プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9028972B2 (ja) |
| EP (1) | EP2624671A4 (ja) |
| JP (3) | JP5781525B2 (ja) |
| KR (2) | KR101740092B1 (ja) |
| CN (2) | CN103125149B (ja) |
| MY (1) | MY161680A (ja) |
| TW (1) | TWI525222B (ja) |
| WO (1) | WO2012043182A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102884228B (zh) | 2010-05-07 | 2015-11-25 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路用铜箔 |
| KR101740092B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2017-05-25 | 제이엑스금속주식회사 | 프린트 배선판용 구리박, 그 제조 방법, 프린트 배선판용 수지 기판 및 프린트 배선판 |
| WO2012132576A1 (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔 |
| JP5204908B1 (ja) * | 2012-03-26 | 2013-06-05 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 |
| JP6166614B2 (ja) * | 2013-07-23 | 2017-07-19 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
| US9955583B2 (en) | 2013-07-23 | 2018-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board |
| JP6593979B2 (ja) * | 2013-07-24 | 2019-10-23 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、銅張積層板の製造方法、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法 |
| WO2015012376A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
| KR102504286B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2023-02-24 | 에스케이넥실리스 주식회사 | 표면 처리 동박 및 그 제조방법 |
| JP6782561B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2020-11-11 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP6200042B2 (ja) | 2015-08-06 | 2017-09-20 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| KR101954556B1 (ko) * | 2015-08-12 | 2019-03-05 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 고주파 회로용 동박, 동박 적층판, 프린트 배선 기판 |
| JP6182584B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2017-08-16 | 古河電気工業株式会社 | プリント配線板用表面処理銅箔、プリント配線板用銅張積層板及びプリント配線板 |
| WO2017149810A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、並びに配線層付コアレス支持体及びプリント配線板の製造方法 |
| JP6945523B2 (ja) * | 2016-04-14 | 2021-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI619851B (zh) * | 2017-02-24 | 2018-04-01 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 具近似絨毛狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法 |
| TWI619852B (zh) * | 2017-02-24 | 2018-04-01 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 具近似橄欖球狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法 |
| CN110537393B (zh) * | 2017-04-17 | 2022-09-20 | 住友金属矿山株式会社 | 导电性基板、导电性基板的制造方法 |
| WO2019021895A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板およびプリント配線板 |
| JP6623320B2 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-12-18 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板及びプリント配線板 |
| TWI646227B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-01-01 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 應用於信號傳輸的銅箔以及線路板組件的製造方法 |
| WO2019208368A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板 |
| JP6816193B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2021-01-20 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板及びプリント配線板 |
| US10697082B1 (en) * | 2019-08-12 | 2020-06-30 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Surface-treated copper foil |
| CN111188070A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-05-22 | 惠州中京电子科技有限公司 | 一种ic封装板电镀镍银金的制作方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226575A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造法 |
| JPH07231152A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
| JP2006103189A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Furukawa Circuit Foil Kk | 表面処理銅箔並びに回路基板 |
| JP2007288152A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層板 |
| WO2010093009A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 金属箔およびその製造方法，絶縁基板，配線基板 |
| JP6029629B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-11-24 | Ｊｘ金属株式会社 | プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板 |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3585010A (en) | 1968-10-03 | 1971-06-15 | Clevite Corp | Printed circuit board and method of making same |
| JPS546701B1 (ja) | 1972-03-21 | 1979-03-30 | ||
| JPS62198192A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 住友ベークライト株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| JP2739507B2 (ja) | 1989-10-06 | 1998-04-15 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 銅箔の電解処理方法 |
| JPH0654830B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1994-07-20 | 株式会社ジャパンエナジー | 印刷回路用銅箔の処理方法 |
| JP2826206B2 (ja) * | 1991-06-20 | 1998-11-18 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP2717911B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1998-02-25 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| JPH06310835A (ja) | 1993-04-23 | 1994-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 銅表面への無電解金めっき方法 |
| TW317575B (ja) | 1994-01-21 | 1997-10-11 | Olin Corp | |
| JP2513158B2 (ja) * | 1994-05-25 | 1996-07-03 | 日本電気株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| JP2920083B2 (ja) | 1995-02-23 | 1999-07-19 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| JP2000294922A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 多層プリント配線板用の絶縁樹脂組成物 |
| JP4394234B2 (ja) | 2000-01-20 | 2010-01-06 | 日鉱金属株式会社 | 銅電気めっき液及び銅電気めっき方法 |
| JP3306404B2 (ja) | 2000-01-28 | 2002-07-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
| JP3258308B2 (ja) | 2000-02-03 | 2002-02-18 | 株式会社日鉱マテリアルズ | レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法 |
| US6346335B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-02-12 | Olin Corporation | Copper foil composite including a release layer |
| US20020182432A1 (en) | 2000-04-05 | 2002-12-05 | Masaru Sakamoto | Laser hole drilling copper foil |
| JP2002069691A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Nippon Denkai Kk | 印刷回路基板用銅箔の製造方法 |
| JP4475836B2 (ja) | 2000-09-25 | 2010-06-09 | イビデン株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| US6893742B2 (en) * | 2001-02-15 | 2005-05-17 | Olin Corporation | Copper foil with low profile bond enhancement |
| JP2003051673A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント配線板用銅箔及びそのプリント配線板用銅箔を用いた銅張積層板 |
| JP4298943B2 (ja) | 2001-10-18 | 2009-07-22 | 日鉱金属株式会社 | 銅箔表面処理剤 |
| JP2003133719A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線板の製造方法 |
| JP4379854B2 (ja) | 2001-10-30 | 2009-12-09 | 日鉱金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
| JP4025177B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2007-12-19 | 三井金属鉱業株式会社 | 絶縁層付銅箔の製造方法 |
| JP2003273484A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Alps Electric Co Ltd | 接続構造 |
| US7749611B2 (en) * | 2002-12-05 | 2010-07-06 | Gbc Metals, L.L.C. | Peel strength enhancement of copper laminates |
| JP2005008955A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Hitachi Cable Ltd | 銅箔の表面処理方法 |
| JP2005217052A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 配線基板及びその製造方法 |
| TW200535259A (en) * | 2004-02-06 | 2005-11-01 | Furukawa Circuit Foil | Treated copper foil and circuit board |
| JP4833556B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2011-12-07 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔 |
| KR100852863B1 (ko) | 2004-02-17 | 2008-08-18 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 흑화 처리 면 또는 층을 가지는 동박 |
| JP4986060B2 (ja) | 2005-06-23 | 2012-07-25 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | プリント配線板用銅箔 |
| JP2007046095A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 銅箔およびその表面処理方法 |
| CN101466875B (zh) | 2006-06-12 | 2011-01-05 | 日矿金属株式会社 | 具有粗化处理面的轧制铜或铜合金箔以及该轧制铜或铜合金箔的粗化方法 |
| JP4918342B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2012-04-18 | 福田金属箔粉工業株式会社 | 銅箔の粗面化処理方法 |
| JP4758945B2 (ja) | 2007-05-17 | 2011-08-31 | 株式会社リコー | スイッチバック機構および画像形成装置 |
| JP2009215604A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Hitachi Cable Ltd | 銅箔とその製造方法 |
| TWI434965B (zh) | 2008-05-28 | 2014-04-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method |
| KR101188147B1 (ko) | 2008-06-17 | 2012-10-05 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인쇄 회로 기판용 구리박 및 인쇄 회로 기판용 동장 적층판 |
| JP5351461B2 (ja) | 2008-08-01 | 2013-11-27 | 日立電線株式会社 | 銅箔及び銅箔製造方法 |
| KR101426038B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2014-08-01 | 주식회사 엠디에스 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| JP5318886B2 (ja) | 2008-11-25 | 2013-10-16 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
| WO2010110092A1 (ja) | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 |
| US20120107637A1 (en) | 2009-06-05 | 2012-05-03 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper Foil for Semiconductor Package Substrate and Substrate for Semiconductor Package |
| CN102803575B (zh) | 2009-06-19 | 2016-02-03 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 铜箔及其制造方法 |
| US20120276412A1 (en) | 2009-12-24 | 2012-11-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-Treated Copper Foil |
| SG182300A1 (en) | 2010-01-25 | 2012-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Copper foil for negative electrode current collector of secondary battery |
| CN102884228B (zh) | 2010-05-07 | 2015-11-25 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路用铜箔 |
| WO2012132576A1 (ja) | 2011-03-25 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔 |
| KR101999422B1 (ko) | 2011-03-30 | 2019-07-11 | 제이엑스금속주식회사 | 인쇄 회로용 동박 |
| JP5654416B2 (ja) | 2011-06-07 | 2015-01-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 液晶ポリマー銅張積層板及び当該積層板に用いる銅箔 |
-
2011
- 2011-09-08 KR KR1020137008539A patent/KR101740092B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-08 CN CN201180046337.0A patent/CN103125149B/zh active Active
- 2011-09-08 CN CN201610319842.2A patent/CN106028638B/zh active Active
- 2011-09-08 US US13/825,889 patent/US9028972B2/en active Active
- 2011-09-08 EP EP11828743.2A patent/EP2624671A4/en not_active Withdrawn
- 2011-09-08 JP JP2012536311A patent/JP5781525B2/ja active Active
- 2011-09-08 KR KR1020147035862A patent/KR101871029B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-08 MY MYPI2013001053A patent/MY161680A/en unknown
- 2011-09-08 WO PCT/JP2011/070448 patent/WO2012043182A1/ja active Application Filing
- 2011-09-14 TW TW100132982A patent/TWI525222B/zh active
-
2014
- 2014-09-16 JP JP2014188321A patent/JP6029629B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-05 JP JP2016133772A patent/JP6243483B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07231152A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | プリント回路内層用銅箔およびその製造方法 |
| JPH07226575A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造法 |
| JP2006103189A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Furukawa Circuit Foil Kk | 表面処理銅箔並びに回路基板 |
| JP2007288152A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-11-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層板 |
| WO2010093009A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 金属箔およびその製造方法，絶縁基板，配線基板 |
| JP6029629B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-11-24 | Ｊｘ金属株式会社 | プリント配線板用銅箔、プリント配線板、プリント配線板の製造方法、プリント配線板用樹脂基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012043182A1 (ja) | 2012-04-05 |
| TWI525222B (zh) | 2016-03-11 |
| CN103125149A (zh) | 2013-05-29 |
| US9028972B2 (en) | 2015-05-12 |
| JP6243483B2 (ja) | 2017-12-06 |
| JP2014241447A (ja) | 2014-12-25 |
| CN106028638A (zh) | 2016-10-12 |
| KR101740092B1 (ko) | 2017-05-25 |
| KR20150003413A (ko) | 2015-01-08 |
| JPWO2012043182A1 (ja) | 2014-02-06 |
| US20130220685A1 (en) | 2013-08-29 |
| TW201221705A (en) | 2012-06-01 |
| CN103125149B (zh) | 2016-09-14 |
| EP2624671A1 (en) | 2013-08-07 |
| JP6029629B2 (ja) | 2016-11-24 |
| MY161680A (en) | 2017-05-15 |
| EP2624671A4 (en) | 2016-12-21 |
| KR101871029B1 (ko) | 2018-06-25 |
| CN106028638B (zh) | 2019-09-03 |
| KR20130054405A (ko) | 2013-05-24 |
| JP5781525B2 (ja) | 2015-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6243483B2 (ja) | プリント配線板用樹脂基板及びその製造方法、プリント配線板及びその製造方法、半導体パッケージ基板及びその製造方法、並びに、プリント配線板用銅箔の製造方法 | |
| JP5204908B1 (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 | |
| JP5406278B2 (ja) | プリント配線板用銅箔及びその製造方法 | |
| JP6029590B2 (ja) | 樹脂との密着性に優れた銅箔及びその製造方法並びに該電解銅箔を用いたプリント配線板又は電池用負極材 | |
| TWI589434B (zh) | A liquid crystal polymer copper clad laminate and a copper foil for the laminate | |
| JP5457594B2 (ja) | プリント配線板用樹脂、プリント配線板、半導体パッケージ基板及びプリント配線板の製造方法 | |
| JPWO2012039285A1 (ja) | プリント配線板用銅箔の製造方法及びプリント配線板用銅箔 | |
| TWI590719B (zh) | Printed circuit copper foil | |
| KR101623713B1 (ko) | 인쇄 회로용 동박 | |
| JP5399582B2 (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 | |
| JP5285180B1 (ja) | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170529 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20170704 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170829 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171010 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171109 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6243483 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |