CN106982507B - 铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法 - Google Patents

铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线的制造方法。具体提供一种即便用于弯折后使用或弯曲后使用的高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。本发明的铜箔是在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。

Description

铜箔、覆铜层压板、及印刷配线板和电子机器和传输线和天线 的制造方法
技术领域
本发明涉及一种铜箔、覆铜层压板、印刷配线板的制造方法、电子机器的制造方法、传输线的制造方法及天线的制造方法。
背景技术
印刷配线板在这半个世纪中取得了重大进展，如今几乎用于所有电子机器中。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，且对印刷配线板要求优异的高频应对。
为了确保输出信号的品质，要求高频用基板降低传输损耗。传输损耗主要包括因树脂(基板侧)产生的介质损耗、及因导体(铜箔侧)产生的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗正切越小，则介质损耗越少。在高频信号中，导体损耗的主要原因在于：因电流随频率的提高而越仅流经导体表面的趋肤效应，导致电流流经的截面积减少，从而电阻增高。因此，在形成高频电路的情况下，必须比通常更加高精度地形成电路，且必需优异的电路加工性。
作为使高频用铜箔的传输损耗降低的技术，例如在专利文献1中公开了一种高频电路用金属箔，其是在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金属，且在该银或银合金被覆层上施加有比所述银或银合金被覆层的厚度薄的银或银合金以外的被覆层。并且，记载了由此能够提供一种即便于在卫星通信中使用之类的超高频区域中也减小因趋肤效应导致的损耗的金属箔。
另外，在专利文献2中公开了一种高频电路用粗化处理压延铜箔，其特征在于：其为印刷电路基板用素材，并且压延铜箔的再结晶退火后的压延面中的通过X射线衍射求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于微粉末铜的通过X射线衍射求出的(200)面的积分强度(I0(200))为I(200)/I0(200)＞40，通过电镀对该压延面进行粗化处理后的粗化处理面的算术平均粗糙度Ra为0.02μm～0.2μm，十点平均粗糙度Rz为0.1μm～1.5μm。并且，记载了由此能够提供一种可以在超过1GHz的高频下使用的印刷电路板。
进而，在专利文献3中公开了如下电解铜箔，其特征在于：铜箔表面的一部分包含凸状突起且表面粗糙度为2～4μm的凹凸面。并且，记载了由此能够提供一种高频传输特性优异的电解铜箔。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利第4161304号公报
[专利文献2]日本专利第4704025号公报
[专利文献3]日本特开2004-244656号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
如上所述，在高频信号中，导体损耗的主要原因在于：因电流随频率的提高而越仅流经导体表面的趋肤效应导致电流流经的截面积减少，从而电阻增高。此处，关于为了提高设计自由度而能够弯折后使用的高频基板，电路中容易产生龟裂，且该导体损耗会因该龟裂的影响而增大。本发明者发现，在弯折后使用时或弯曲后使用时，通过抑制铜箔中产生龟裂，即便用于高频电路基板也良好地抑制传输损耗。
本发明是鉴于所述情况进行创作而成的，其目的在于提供一种即便用于弯折后使用或弯曲后使用的高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。
[解决问题的手段]
本发明是将所述知识见解作为基础而完成的，在一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并在特定条件下对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。
本发明在另一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。
本发明在另一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
本发明的铜箔在一实施方式中，所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一项，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟。
本发明的铜箔在一实施方式中，所述绝缘基材为聚四氟乙烯树脂、或介电损耗正切值为0.006以下的聚酰亚胺树脂、或者作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的液晶聚合物树脂。
本发明的铜箔在一实施方式中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。
本发明的铜箔在一实施方式中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
本发明的铜箔在一实施方式中，所述铜箔为压延铜箔。
本发明的铜箔在另一实施方式中，是用于与介电常数为3.5以下的树脂的接合。
本发明的铜箔在又一实施方式中，是用于与液晶聚合物或氟树脂或低介电聚酰亚胺的接合。
本发明的铜箔在又一实施方式中，是用于在超过1GHz的高频下使用的覆铜层压板或印刷配线板。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有选自由粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有耐热处理层或防锈处理层，在所述耐热处理层或防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有耐热处理层，在所述耐热处理层上具有防锈处理层，在所述防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有铬酸盐处理层，在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有选自由防锈处理层及耐热处理层所组成的群中的1种以上的层，在所述选自由防锈处理层及耐热处理层所组成的群中的1种以上的层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有防锈处理层，在所述防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有粗化处理层，在粗化处理层上具有硅烷偶联处理层。
本发明的铜箔在又一实施方式中，在铜箔表面具有硅烷偶联处理层。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将本发明的铜箔与绝缘基材贴合而成。
本发明的覆铜层压板在一实施方式中，是在超过1GHz的高频下使用。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且在以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且在以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且
在以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
本发明的覆铜层压板在一实施方式中，所述绝缘基材为以下(H)～(J)中的任一绝缘基材。
(H)氟树脂、
(I)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(J)液晶聚合物树脂
本发明在又一方面是一种印刷配线板的制造方法，其使用本发明的覆铜层压板来制造印刷配线板。
本发明在又一方面中一种电子机器的制造方法，其使用本发明的印刷配线板制造电子机器。
本发明在又一方面是一种传输线的制造方法，其使用本发明的覆铜层压板制造在超过1GHz的高频下使用的传输线。
本发明在又一方面是一种天线的制造方法，其使用本发明的覆铜层压板制造在超过1GHz的高频下使用的天线。
[发明的效果]
根据本发明，能够提供一种即便用于弯折后使用或弯曲后使用的高频电路基板也良好地抑制传输损耗的铜箔及覆铜层压板。
附图说明
图1是用来说明实施例的弯折次数的评价试验的示意图。
图2是用来说明实施例的传输损耗的评价试验的示意图。
图3是用来说明实施例的传输损耗的评价试验的示意图。
图4是实施例的IPC弯曲试验装置的示意图。
[符号的说明]
1 FPC
2 螺丝
3 振动传输部件
4 振荡驱动体
r 曲率半径
具体实施方式
本发明在一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。
根据这种构成，即便在将覆铜层压板弯折后使用时，也良好地抑制铜箔的龟裂的产生，因此在用于高频基板时能够良好地抑制传输损耗。
所述弯折次数优选1.2次以上，优选1.5次以上，优选2次以上，优选2.2次以上，优选2.5次以上，优选3次以上，优选3.2次以上，优选3.5次以上，优选4次以上。
该弯折次数的控制能够通过铜箔的TD的表面粗糙度算术平均粗糙度Ra、十点平均粗糙度Rz及铜箔表面的表面积比进行控制。具体来说，将Ra控制为0.05～0.4μm，将Rz控制为0.25～2.0μm，将表面积比控制为1.5～3.0。在Ra小于0.05μm的情况下、或Rz小于0.25μm、或表面积比小于1.5的情况下，树脂与铜箔的密接性低，因此存在弯折加工时铜箔与树脂剥离，弯曲应力集中在铜箔而使铜箔容易产生龟裂的顾虑。在Ra超过0.4μm的情况下、或Rz超过2.0μm的情况下、或表面积比超过3.0的情况下，可能会存在深凹部，因此存在产生应力的集中而容易产生龟裂的情况。
关于所述铜箔的TD的表面粗糙度算术平均粗糙度Ra及十点平均粗糙度Rz的控制，例如在对铜箔的TD的表面进行粗化处理的情况下，通过提高粗化处理的电流密度并延长粗化处理时间，能够使Ra及Rz增大。另外，通过降低粗化处理的电流密度并缩短粗化处理时间，能够使Ra及Rz减小。所述Ra的下限优选0.05μm以上，优选0.06μm以上，优选0.07μm以上，优选0.08μm以上。Ra的上限优选0.35μm以下，优选0.32μm以下，优选0.30μm以下，优选0.28μm以下，优选0.25μm以下，优选0.20μm以下。所述Rz的下限优选0.25μm以上，优选0.30μm以上，优选0.30μm以上，优选0.35μm以上，优选0.40μm以上，优选0.45μm以上，优选0.50μm以上。所述Rz的上限优选1.8μm以下，优选1.7μm以下，优选1.6μm以下，优选1.5μm以下，优选1.3μm以下，优选1.2μm以下，优选1.1μm以下，优选1.0μm以下。
关于所述铜箔的TD的表面粗糙度算术平均粗糙度Ra及十点平均粗糙度Rz的控制，在压延铜箔的情况下，如果增大最终冷轧时所使用的压延辊其表面的Ra，则能够使铜箔的TD的Ra增大。另外，如果减小压延辊的表面的Ra，则能够使铜箔的TD的Ra减小。如果增大最终冷轧时所使用的压延辊的Rz，则能够使铜箔的TD的Rz增大。另外，如果减小压延辊的表面的Rz，则能够使铜箔的TD的Rz减小。压延辊的表面的Ra及/或Rz的控制能够通过变更对压延辊表面进行研磨时的研磨材料的研磨粒大小或进行喷砂处理等来控制。另外，如果提高最终冷轧的加工度，则能够使铜箔的TD的Ra及/或铜箔的TD的Rz的值减小。另外，如果降低最终冷轧的加工度，则能够使铜箔的TD的Ra及/或铜箔的TD的Rz的值增大。也可以将压延辊的Ra设为0.05～0.5μm及/或将Rz设为0.20～2.0μm。
关于所述铜箔的表面积比的控制，例如在对铜箔的TD的表面进行粗化处理的情况下，通过减小粗化粒子的大小，能够使表面积比变小。其原因在于粗化处理后的铜箔表面的凹凸频率增加。另外，通过增大粗化粒子的大小，能够使表面积比增大。其原因在于粗化处理后的铜箔表面的凹凸频率降低。粗化粒子大小的控制能够使用周知的方法。另外，通过提高粗化处理的电流密度来缩短粗化处理时间，能够使粗化粒子的大小减小。另外，通过降低粗化处理的电流密度来延长粗化处理时间，能够使粗化粒子的大小增大。表面积比的下限优选1.6以上，优选1.7以上，优选1.8以上，优选1.9以上，优选2.0以上。表面积比的上限优选2.9以下，优选2.8以下，优选2.7以下，优选2.6以下，优选2.5以下，优选2.45以下，优选2.4以下，优选2.4以下。
关于所述铜箔的表面积比的控制，在压延铜箔的情况下，如果增大最终冷轧时的油膜当量的值，则能够使最终冷轧后的铜箔的表面积比增大。另外，如果减小最终冷轧时的油膜当量的值，则能够使最终冷轧后的铜箔的表面积比减小。此外，油膜当量是由下式表示。
油膜当量＝{(压延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+辊周速度[mpm])}/{(辊的咬入角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
压延油黏度[cSt]为在40℃的动态黏度。油膜当量的值也可以设为10000～50000。另外，如果提高最终冷轧的加工度，则能够使铜箔的表面积比的值减小。另外，如果降低最终冷轧的加工度，则能够使铜箔的表面积比的值增大。
本发明在另一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。优选龟裂为2.8条以下，优选龟裂为2.5条以下，优选龟裂为2条以下，优选龟裂为1.8条以下，优选龟裂为1.5条以下，优选1条以下，优选0.8条以下，优选0.5条以下，优选0.1条以下，优选0条。
根据这种构成，即便在使覆铜层压板弯曲后使用时也良好地抑制铜箔龟裂的产生，因此在用于高频基板时能够良好地抑制传输损耗。
本发明在另一方面是一种铜箔，其中在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。优选龟裂为1.8条以下，优选1.5条以下，优选1条以下，优选0.8条以下，优选0.5条以下，优选0.1条以下，优选0条。
根据这种构成，即便在使覆铜层压板弯曲后使用时也良好地抑制铜箔龟裂的产生，因此在用于高频基板时能够良好地抑制传输损耗。
该龟裂能够通过将铜箔的与MD(Machine Direction，铜箔制造装置中的铜箔的前进方向，在压延铜箔的情况下为压延平行方向)平行且与板厚方向平行的截面中的平均结晶粒径设为20μm以上而减少。在平均结晶粒径小于20μm的情况下，存在因结晶粒界的数量多，而以结晶粒界为起点产生龟裂的可能性变大的情况。铜箔的与MD平行且与板厚方向平行的截面中的平均结晶粒径优选25μm以上，优选30μm以上，优选35μm以上，优选40μm以上，优选45μm以上，优选50μm以上，优选55μm以上，优选60μm以上，优选65μm以上，优选70μm以上，优选75μm以上，优选80μm以上，优选85μm以上，优选90μm以上，优选95μm以上，优选100μm以上，优选105μm以上，优选110μm以上，优选115μm以上，优选120μm以上，优选125μm以上，优选130μm以上，优选135μm以上，优选140μm以上，优选145μm以上，优选150μm以上，优选155μm以上，优选160μm以上。铜箔的与MD平行且与板厚方向平行的截面中的平均结晶粒径的上限无需特别设置，典型来说为例如1000μm以下、例如900μm以下、例如800μm以下、例如700μm以下、例如600μm以下、例如500μm以下、例如450μm以下、例如400μm以下。
如上所述，为了将平均结晶粒径控制在20μm以上，能够通过添加晶粒容易增大的添加元素来进行。作为该添加元素，例如可以列举Ag、Sn等，该添加元素的浓度可以设为10～500质量ppm。另外，能够通过提高铜箔制造时的最终冷轧的加工度(例如95％以上)进行控制。另外，能够通过减小铜箔制造时的最终冷轧前的平均结晶粒径的大小(例如10μm以下)来进行控制。此外，压延加工度是由下式提供。
压延加工度(％)＝(t0－t)/t0×100(％)
(t0：压延前的厚度，t：压延后的厚度)
能够用于本发明的铜箔(原箔)的种类没有特别限制，可以使用精铜(JIS H3100合金编号C1100，以下也表示为“TPC”)、无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011，以下也表示为“OFC”)、磷脱氧铜(JIS H3100合金编号C1201、C1220或C1221)、或电解铜等高纯度的铜，此外也可以使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的科森系铜合金之类的铜合金。此外，在本说明书中，在单独使用用语“铜箔”时，可以列举铜合金箔。另外，能够用于本发明的铜箔可以使用如下铜箔，其合计含有30～500质量ppm的选自Sn、Mn、Cr、Zn、Zr、Mg、Ni、Si、P、B、Co、Fe、Ti、V、Al、Mo、Pd、Au、Ru、Rh、Os、Ir、Pt、In及Ag的群中的至少1种以上或2种以上，且剩余部分包含Cu及不可避免的杂质。能够更优选地使用如下铜箔，其合计含有30～500质量ppm的选自Sn、Mn、Cr、Zn、Zr、Mg、Ni、Si、P、B、Co及Ag的群中的至少1种以上或2种以上，且剩余部分包含Cu及不可避免的杂质。另外，能够优选使用压延铜箔及电解铜箔。铜箔中包含纯铜箔及铜合金箔，作为电路形成用途，可以设为周知的任意组成。
本发明的铜箔在一实施方式中，在铜箔表面可以具有选自由粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。另外，本发明的铜箔在一实施方式中，在铜箔表面可以具有选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
所述粗化处理层没有特别限定，能够应用所有粗化处理层或周知的粗化处理层。所述耐热处理层没有特别限定，能够应用所有耐热处理层或周知的耐热处理层。所述防锈处理层没有特别限定，能够应用所有防锈处理层或周知的防锈处理层。所述铬酸盐处理层没有特别限定，能够应用所有铬酸盐处理层或周知的铬酸盐处理层。所述硅烷偶联处理层没有特别限定，能够应用所有硅烷偶联处理层或周知的硅烷偶联处理层。
在本发明的铜箔的一实施方式中，可以通过对铜箔表面实施例如用来使与绝缘基板的密接性良好等的粗化处理来设置粗化处理层。粗化处理例如能够通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理也可以为微细的处理。粗化处理层可以为由包含选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上的合金所构成的层等。另外，在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，也可以进一步进行利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。尤其优选如下粗化处理层，其形成有铜的一次粒子层、及在该一次粒子层上包含含有铜、钴及镍的三元系合金的二次粒子层。
在本发明的铜箔的一实施方式中，可以在粗化处理后利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热处理层或防锈处理层，也可以进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或者也可以不进行粗化处理，而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热处理层或防锈处理层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。
即，可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，也可以在铜箔表面形成选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，所述耐热层、防锈处理层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层分别可以由多个层形成(例如2层以上、3层以上等)。此外，在本发明中，“防锈处理层”包含“铬酸盐处理层”。如果考虑到与树脂的密接性，则优选在铜箔的最外层设置硅烷偶联处理层。此外，所述粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层可以使用周知的粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层。
作为防锈处理或铬酸盐处理，可以使用以下处理。
＜镀Ni＞
(液体组成)Ni离子：10～40g/L
(pH值)1.0～5.0
(液温)30～70℃
(电流密度)1～9A/dm2
(通电时间)0.1～3秒
＜Ni-Co镀敷＞：Ni-Co合金镀敷
(液体组成)Co：1～20g/L，Ni：1～20g/L
(pH值)1.5～3.5
(液温)30～80℃
(电流密度)1～20A/dm2
(通电时间)0.5～4秒
＜Zn-Ni镀敷＞：Zn-Ni合金镀敷
(液体组成)Zn：10～30g/L，Ni：1～10g/L
(pH值)3～4
(液温)40～50℃
(电流密度)0.5～5A/dm2
(通电时间)1～3秒
＜Ni-Mo镀敷＞：Ni-Mo合金镀敷
(液体组成)硫酸镍：270～280g/L，氯化镍：35～45g/L，乙酸镍：10～20g/L，钼(以钼酸钠的形式添加)：0.1～10g/L，柠檬酸三钠：15～25g/L，光泽剂：糖精、丁炔二醇等，十二烷基硫酸钠：55～75ppm
(pH值)4～6
(液温)55～65℃
(电流密度)1～11A/dm2
(通电时间)1～20秒
＜Cu-Zn镀敷＞：Cu-Zn合金镀敷
(液体组成)NaCN：10～30g/L，NaOH：40～100g/L，Cu：60～120g/L，Zn：1～10g/L
(液温)60～80℃
(电流密度)1～10A/dm2
(通电时间)1～10秒
＜电解铬酸盐＞
(液体组成)铬酸酐、铬酸、或重铬酸钾：1～10g/L，锌(在添加的情况下以硫酸锌的形式添加)：0～5g/L
(pH值)0.5～10
(液温)40～60℃
(电流密度)0.1～2.6A/dm2
(库仑量)0.5～90As/dm2
(通电时间)1～30秒
＜浸渍铬酸盐＞
(液体组成)铬酸酐、铬酸、或重铬酸钾：1～10g/L，锌(在添加的情况下以硫酸锌的形式添加)：0～5g/L
(pH值)2～10
(液温)20～60℃
(处理时间)1～30秒
用来形成硅烷偶联处理层的硅烷偶联处理所使用的硅烷偶联剂可以使用周知的硅烷偶联剂，例如可以使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂。另外，硅烷偶联剂也可以使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
所述硅烷偶联处理层也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等形成。此外，这种硅烷偶联剂也可以将2种以上混合使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成的硅烷偶联处理层。
此处所说的氨基系硅烷偶联剂也可以选自由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中。
硅烷偶联处理层理想为在以硅原子换算计为0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内设置。在所述范围的情况下，能够提高绝缘基材与铜箔的密接性。
通过将本发明的铜箔与绝缘基材贴合，能够形成覆铜层压板。可以制成绝缘基材为单层的单层覆铜层压板，也可以制成绝缘基材为两层以上的多层覆铜层压板。覆铜层压板也可以制成软性及刚性的任一种。作为绝缘基材没有特别限制，可以列举：环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、氟树脂、液晶聚合物(LCP)、及使这些混合而成的树脂。此外，可以列举使环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、或聚酰亚胺树脂等含浸于玻璃布中而成的绝缘基材。另外，作为绝缘基材，可以使用周知的绝缘基材。特别是液晶聚合物、氟树脂或低介电聚酰亚胺树脂具有低介电常数、低介电损耗正切、低吸水性、电特性的变化少、进而尺寸变化少的巨大优势而适合高频用途。另外，本发明的铜箔有效用作在液晶聚合物积层铜箔而成的软性印刷基板(FPC)用铜箔。本发明的覆铜层压板具有电路加工性良好且即便用于高频电路基板也良好抑制传输损耗的铜箔，作为超过1GHz的高频下的用途尤其有效。此外，在本说明书中，将介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂设为低介电聚酰亚胺树脂。聚酰亚胺树脂的介电损耗正切优选0.008以下，优选0.006以下，优选0.005以下，优选0.004以下，优选0.003以下。介电损耗正切的下限无需特别限定，典型来说为例如0以上、例如0.000001以上、例如0.000005以上、例如0.00001以上、例如0.00005以上、例如0.0001以上。介电损耗正切能够通过一般社团法人日本电子电路工业协会的“印刷配线板用覆铜层压板试验方法相对介电常数及介电损耗正切”JPCA-TM001-2007所记载的三板式谐振器法进行测定。另外，也可以经由接着剂将铜箔与绝缘基材贴合来形成覆铜层压板。所述接着剂可以使用周知的接着剂。另外，所述接着剂优选使用低介电常数接着剂。在本说明书中，将介电常数为3.5以下的接着剂设为低介电常数接着剂。接着剂的介电常数优选3.4以下，优选3.3以下，优选3.2以下，优选3.1以下，优选3.0以下，优选2.9以下，优选2.5以下。此外，在本说明书中，介电常数(基材介电常数、基板介电常数、树脂的介电常数)及介电损耗正切(基材介电损耗正切、基板介电损耗正切、树脂的介电损耗正切)的值是指信号频率为1GHz的情况下的介电常数及介电损耗正切值。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且在以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上。
根据这种构成，即便在使覆铜层压板弯曲后使用时也良好地抑制铜箔龟裂的产生，因此在用于高频基板时能够良好地抑制传输损耗。
本发明在又一方面是一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且在以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下。
根据这种构成，即便在使覆铜层压板弯曲后使用时也良好地抑制铜箔龟裂的产生，因此在用于高频基板时能够良好地抑制传输损耗。
可以使用覆铜层压板制作印刷配线板。由覆铜层压板加工成印刷配线板的加工方法没有特别限定，只要使用周知的蚀刻加工工艺即可。也可以通过在印刷配线板安装各种电子零件而制作印刷电路板。在本说明书中，该印刷电路板也包含在印刷配线板中。印刷配线板能够搭载于各种电子机器。
另外，本发明的覆铜层压板尤其适合用于在超过1GHz的高频下使用的传输线或天线等。
[实施例]
以下，通过实施例对本发明进行说明。此外，本实施例表示适当的一例，因此本发明并不限定于这些实施例。因此，本发明的技术思想所包含的变化、其他实施例或方式全部包含在本发明中。此外，为了与本发明进行对比，一并记载比较例。另外，本申请的实验例所记载的粗化处理、镀敷、硅烷偶联处理、耐热处理、防锈处理等所使用的液体的剩余部分也是只要没有特别记载便设为水。
关于实施例1～14及比较例1～13的压延铜箔，将具有表1的“铜箔的组成”栏所记载的组成的铸锭进行熔化，将该铸锭从900℃开始进行热轧后，反复进行冷轧与退火，最终对铜箔进行最终冷轧，获得表1所记载的厚度的压延铜箔。将此时的最终冷轧的加工度示于表1。此外，最终冷轧时的油膜当量的值设为12000～36000。另外，压延辊的表面的算术平均粗糙度Ra设为0.1～0.2μm。此外，表1、表2的“铜箔成分”栏的TPC是指精铜，OFC指无氧铜。即，实施例10的“100ppmAg-OFC”是指向无氧铜中添加了100质量ppm的Ag。另外，实施例7的“200ppmAg-TPC”是指向精铜中添加了200质量ppm的Ag。另外，比较例的电解铜箔是以如下方式制作的。
另外，作为比较例的铜箔，根据以下的条件制作表1所记载的厚度的电解铜箔。
(电解液组成)Cu(以Cu2+的形式)：100g/L，H2SO4：100g/L，Cl-：100mg/L，硫脲：10mg/L，SPS(3,3'-二硫代双(1-丙烷磺酸)二钠)：50～100mg/L
(电解液温度)50℃
(电流密度)30A/dm2
之后，在表1及2所示的条件下进行铜箔的表面处理，并从该铜箔的表面处理面(“表面处理面”是指经表面处理的面，在对铜箔实施过多次表面处理的情况下，“表面处理面”是指经过最后的表面处理后的面(最表层的面))侧与表1所记载的树脂贴合而积层，由此制成覆铜层压板。将与该树脂积层的温度及条件示于表1。
此处，表1的“树脂的种类”栏所记载的树脂如下所述。
PTFE：氟树脂、聚四氟乙烯树脂
低介电PI：介电损耗正切值为0.002的聚酰亚胺树脂，经由低介电常数接着剂与铜箔积层。
LCP：作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的液晶聚合物树脂，Kuraray公司制造的vecstor CT-Z
COP：环烯烃聚合物树脂，经由低介电常数接着剂与铜箔积层。
PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂，经由低介电常数接着剂与铜箔积层。
此外，关于表2所记载的表面处理条件1～6，首先在形成一次粒子后，使用二次粒子镀敷液(A)形成二次粒子。该一次粒子的形成是在利用表2所记载的一次粒子镀敷液(I)进行镀敷处理后，接下来利用一次粒子镀敷液(II)进行镀敷处理。表面处理条件1～6的表面处理相当于粗化处理。
另外，关于表2所记载的表面处理条件7，在表2所记载的条件下利用Ni-Co镀敷液进行覆盖镀敷处理，关于表面处理条件8，在表2所记载的条件下利用Ni镀敷液进行覆盖镀敷处理。
于在表1的“表面处理条件No.”的栏中记载为“5+8”的情况下，是指进行表面处理条件5的处理，之后进行了表面处理条件8的处理。
此外，关于实施例2、3，在进行“表面处理条件No.”的栏所记载的表面处理后，依序进行以下的铬酸盐处理与硅烷偶联处理。
·铬酸盐处理
(液体组成)重铬酸钾：1～10g/L，锌(以硫酸锌的形式添加)：0.01～5g/L
(pH值)0.5～10
(液温)40～60℃
(电流密度)0.1～2.6A/dm2
(库仑量)0.5～90As/dm2
(通电时间)1～30秒
·硅烷偶联处理
通过将含有0.2～2重量％的烷氧基硅烷且pH值7～8的溶液雾状喷出而涂布硅烷偶联剂以实施处理。
＜算术平均粗糙度Ra及十点平均粗糙度Rz的测定＞
分别依据JIS B0601-1982并使用小阪研究所股份有限公司制造的接触粗糙度仪Surfcorder SE-3C触针式粗糙度仪，测定铜箔的与树脂积层一侧的TD(TraverseDirection，宽度方向，与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向(Machine Direction，MD)呈直角的方向)的经表面处理后的表面(表面处理面)的算术平均粗糙度(Ra)及十点平均粗糙度(Rz)。所述算术平均粗糙度Ra及十点平均粗糙度Rz的测定是针对任意10个部位进行，将所获得的通过10个部位所测得的Ra、Rz的平均值分别设为Ra及Rz的值。
＜表面积比的测定＞
针对实施例及比较例的铜箔的与树脂积层一侧且经表面处理后的表面(表面处理面)，使用激光显微镜(基恩士股份有限公司制造的激光显微镜VK8500)以倍率2000倍对测定视野相当于100μm×100μm的面积(实际数据为9982.52μm2)中的三维表面积A进行了测定。并且，根据三维表面积A÷二维表面积B(＝9924.4μm2)＝表面积比(A/B)的计算式算出表面积比。此处，二维表面积B是指从将铜箔与树脂积层的表面侧俯视测定视野时的面积。所述表面积比的测定是针对任意10个部位进行，将所获得的通过10个部位所测得的表面积比的平均值设为表面积比。
＜树脂的介电常数及介电损耗正切的测定＞
制成所述覆铜层压板后，依据一般社团法人日本电子电路工业协会的“印刷配线板用覆铜层压板试验方法相对介电常数及介电损耗正切”JPCA-TM001-2007，并通过三板式谐振器法测定了信号频率为1GHz的情况下的树脂的介电常数及介电损耗正切。此外，覆铜层压板的制作所使用的树脂的厚度设为50μm。
对以特定的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时的弯折次数进行了测定。
＜弯折次数的评价＞
将实施例及比较例的铜箔在表1的“将铜箔与树脂积层时的温度×时间”栏所记载的温度及时间的条件下从表面处理面侧积层于厚度50μm的表1的“树脂种类”栏所记载的树脂，从而制作了覆铜层压板。此外，关于通过压制将铜箔与树脂积层时的压力，在树脂为LCP的情况下设为3.5MPa，在低介电PI的情况下设为4MPa，在PTFE的情况下设为5MPa，在PET的情况下设为1MPa，在COP的情况下设为1.5MPa。在铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与树脂积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm。此外，镀铜的条件如下所述。
·镀铜条件
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L
镀敷液温度：50℃
电流密度：0.8A/dm2
另外，在铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与树脂积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm。
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的。铜箔样品的大小设为5cm×5cm。在所制作的铜箔小的情况下，也可以利用比所述样品小的样品算出。
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积25(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)
另外，将铜箔与树脂积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出。铜箔与树脂的积层体的样品的大小设为5cm×5cm。在所制作的所述积层体小的情况下，也可以利用比所述样品小的样品算出铜箔的厚度。另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，并通过以下式算出。
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与树脂的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的树脂的重量(g)}÷{铜箔与树脂的积层体的样品的面积25(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)
另外，在所制作的所述积层体小的情况下，也可以利用FIB(聚焦离子束加工观察装置)等，针对铜箔的与板厚方向平行的截面，在树脂与铜箔相接的铜箔的表面到与树脂为相反侧的铜箔的表面的范围内，在任意10个部位划出与铜箔的厚度方向平行的直线，测定该直线的从树脂与铜箔相接的表面到与树脂为相反侧的铜箔的表面为止的长度，将该10个部位的直线的长度的平均值设为该视野内的铜箔厚度。并且，也可以在3个视野中进行所述测定，并将3个视野的铜箔厚度的平均值设为铜箔厚度。
之后，以宽度方向与TD平行并且长度方向与MD平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为100mm的试片。之后，使铜箔成为外侧，并将弯曲轴的方向设为与试片的宽度方向平行、且与长度方向呈直角的方向，以1000N的负载施压，由此将覆铜层压板弯折(180度密接弯曲)，然后，确认是否于铜箔存在龟裂。在存在龟裂的情况下，对与弯曲轴垂直且与铜箔的厚度平行的方向的截面进行观察，测定该龟裂的长度。在龟裂长度为3μm以上的情况下，判定为观察到龟裂(有害龟裂)。在龟裂长度小于3μm的情况下，判定为未观察到龟裂。并且，将在铜箔中观察到龟裂的次数设为该铜箔或覆铜层压板的弯折次数。在未观察到龟裂的情况下，如图1所示，将通过以1000N的负载进行压制而弯折的覆铜层压板再次展平。并且，之后，通过与所述方法相同的方法将覆铜层压板弯折。此外，对所述截面进行观察，在因龟裂的长度小于3μm而判定为未观察到龟裂的情况下，使用其他试片以比判定为未观察到龟裂的弯折次数多一次的弯折次数进行相同的评价。将所述评价进行3次，将3次的弯折次数的平均值设为弯折次数。此外，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂长度。描画出的线的长度可以使用市售的图像分析软件等进行测定。
＜与树脂积层后的铜箔的平均结晶粒径＞
将实施例、比较例的铜箔在表1的“将铜箔与树脂积层时的温度×时间”栏所记载的温度及时间的条件下从表面处理面侧积层于表1的“树脂种类”栏所记载的树脂而制作覆铜层压板。此外，关于通过压制将铜箔与树脂积层时的压力，在树脂为LCP的情况下设为3.5MPa，在低介电PI的情况下设为4MPa，在PTFE的情况下设为5MPa，在PET的情况下设为1MPa，在COP的情况下设为1.5MPa。之后，针对所获得的覆铜层压板，通过切断法(JISH0501)测定出实施例、比较例的铜箔的与MD(铜箔制造设备中的铜箔的前进方向)平行且与板厚方向平行的截面的平均结晶粒径。此外，利用切断法进行测定时，将测定平均结晶粒径的线段设为与MD方向平行的方向。在3个视野中进行测定，将3个视野的平均值设为与树脂积层后的铜箔的平均结晶粒径。
＜龟裂数的评价＞
另外，将所述实施例1～14及比较例1～13的铜箔在表1的“将铜箔与树脂积层时的温度×时间”栏所记载的温度及时间的条件下从表面处理面侧积层于厚度25μm的表1的“树脂种类”栏所记载的树脂的树脂的单面而制作覆铜层压板。此外，关于通过压制将铜箔与树脂积层时的压力，在树脂为LCP的情况下设为3.5MPa，在低介电PI的情况下设为4MPa，在PTFE的情况下设为5MPa，在PET的情况下设为1MPa，在COP的情况下设为1.5MPa。在铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与树脂积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm。此外，镀铜的条件如下所述。
·镀铜条件
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L
镀敷液温度：50℃
电流密度：0.2A/dm2
另外，在铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与树脂积层后对铜箔进行蚀刻而将铜箔的厚度设成12μm。在铜箔的厚度为12μm的情况下不对所述铜箔的厚度进行调整。此外，铜箔的厚度或铜箔与镀铜层的合计厚度的测定方法设为与所述方法相同。并且，使试片的宽度方向与铜箔的TD平行、使试片的长度方向与MD平行，而从所获得的覆铜层压板切出制作宽度12.7mm且长度200mm的试片。之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm(线与间隙L/S＝300μm/300μm)的电路，而制作软性印刷配线板(FPC)。之后，在以特定的条件对所制作的软性印刷配线板进行了特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数。滑动方向设为与试片的长度方向(铜箔的MD)平行的方向。对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数。另外，测定出距铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂的条数。对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂的条数。此外，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂长度。描画出的线的长度可以使用市售的图像分析软件等进行测定。滑动弯曲试验的条件如下所述。
·滑动弯曲试验条件
弯曲半径：1.5mm
冲程：25mm
弯曲速度：1500次/分钟
滑动弯曲次数：10000次
L/S＝300μm/300μm
此外，滑动弯曲试验是利用图4所示的IPC(美国印刷电路工业协会)弯曲试验装置进行。该装置成为将振动传输部件3结合于振荡驱动体4而成的构造，FPC1是以箭头所示的螺丝2的部分与振动传输部件3的前端部的共计4点固定在装置。当振动传输部件3上下驱动时，FPC1的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状。滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为图4的曲率半径r的弯曲内表面来进行。
＜制作电路后弯折时的传输损耗＞
另外，于在使用实施例1～14及比较例1～13的铜箔制作的覆铜层压板的铜箔制作电路后，将其弯折并测定传输损耗。测定所使用的具有铜箔的电路的覆铜层压板是以如下方式制作的。
如图2所示，将各实施例或各比较例的铜箔在表1的“将铜箔与树脂积层时的温度×时间”栏所记载的温度及时间的条件下进行加热压接而从表面处理面侧积层于厚度25μm的表1的“树脂种类”栏所记载的树脂(此处，以树脂为液晶聚合物的情况为例进行记载)的两侧，从而制造出覆铜层压板。此外，关于通过压制将铜箔与树脂积层时的压力，在树脂为LCP的情况下设为3.5MPa，在低介电PI的情况下设为4MPa，在PTFE的情况下设为5MPa，在PET的情况下设为1MPa，在COP的情况下设为1.5MPa。之后，在一铜箔或两铜箔的厚度比18μm薄的情况下，对所述覆铜层压板的一铜箔或两铜箔的表面进行镀铜，并将一铜箔或两铜箔与一镀铜层或两镀铜层的合计厚度设成18μm。此外，镀铜的条件如下所述。
·镀铜条件
镀敷液体组成：铜浓度100g/L、硫酸浓度100g/L
镀敷液温度：50℃
电流密度：0.2A/dm2
另外，在一铜箔或两铜箔的厚度比18μm厚的情况下，对所述覆铜层压板的一铜箔或两铜箔的表面进行蚀刻，而将铜箔的厚度设成18μm。在铜箔的厚度为18μm的情况下不对所述铜箔的厚度进行调整。铜箔的厚度或铜箔与镀铜层的合计厚度的测定方法设为与所述方法相同。此外，在测定所述覆铜层压板的一铜箔的厚度的情况下，利用对蚀刻液具有耐受性的遮蔽胶带(耐酸保护胶带等)遮蔽另一铜箔后测定一铜箔的厚度。之后，在所述覆铜层压板的一侧的铜箔(在铜箔表面设置了镀铜层的情况下为铜箔与镀铜层)形成以阻抗成为50Ω的方式设计的微带线。电路长度设为5cm。另外，所述覆铜层压板的宽度设为1cm(样品的宽度方向设为与TD平行)，长度设为13cm(样品的长度方向设为与铜箔制造装置中的铜箔的前进方向(MD)平行)。并且，进而依序将厚度25μm的所述表1的“树脂种类”栏所记载的树脂(例如液晶聚合物)与各实施例或各比较例的铜箔在表1的“将铜箔与树脂积层时的温度×时间”栏所记载的温度及时间的条件下进行加热压接而积层于所述覆铜层压板的形成有该微带线的侧。此外，关于通过压制将铜箔与树脂积层时的压力，在树脂为LCP的情况下设为3.5MPa，在低介电PI的情况下设为4MPa，在PTFE的情况下设为5MPa，在PET的情况下设为1MPa，在COP的情况下设为1.5MPa。之后，在新积层的铜箔的厚度不为18μm的情况下，通过所述方法将铜箔的厚度设成18μm。此外，铜箔的厚度或铜箔与镀铜层的合计厚度的测定方法设为与所述方法相同。不进行厚度测定的铜箔(及镀铜层)由遮蔽胶带保护。
接下来，如图3所示般以负载1000N对所获得的样品施压，由此，在弯曲轴的方向与样品的宽度方向平行的方向且与长度方向呈直角的方向上弯折(180度密接弯曲)1次。之后，将信号频率设为20GHz，测定信号的传输损耗。
将试验条件及试验结果示于表1、2。
Figure GDA0002856892190000181
Figure GDA0002856892190000191
关于实施例1～14，在以特定的条件对覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上，另外，在以特定的条件对覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察时，距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下，从而良好地抑制了传输损耗。
关于比较例1～13，在以特定的条件对覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数均成为0次，另外，在以特定的条件对覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察时，距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂超过3条，从而传输损耗不良。

Claims (42)

1.一种铜箔，其中，在将铜箔与厚度50μm的绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以下述条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上，
弯折试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.8A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为100mm的试片，之后，使铜箔成为外侧，并将弯曲轴的方向设为与试片的宽度方向平行、且与长度方向呈直角的方向，以1000N的负载施压，由此将覆铜层压板180度密接弯曲，然后，确认是否于铜箔存在龟裂，
·在存在龟裂的情况下，对与弯曲轴垂直且与铜箔的厚度平行的方向的截面进行观察，测定该龟裂的长度，龟裂长度设为从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度，在龟裂长度为3μm以上的情况下，判定为观察到龟裂，
·在龟裂长度小于3μm的情况下，判定为未观察到龟裂，
·在未观察到龟裂的情况下，将通过以1000N的负载进行压制而弯折的覆铜层压板再次展平，并且，通过与所述将覆铜层压板180度密接弯曲的方法相同的方法将覆铜层压板弯折，此外，对所述截面进行观察，在因龟裂的长度小于3μm而判定为未观察到龟裂的情况下，使用其他试片以比判定为未观察到龟裂的弯折次数多一次的弯折次数进行相同的评价，
·在铜箔中观察到龟裂时将弯折覆铜层压板的次数设为铜箔或覆铜层压板的弯折次数，
(I)将所述评价进行3次，将3次的弯折次数的平均值设为弯折次数。
2.根据权利要求1所述的铜箔，其中，在将铜箔与厚度25μm的绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下，
滑动弯曲试验的条件:
其中，(A)～(F)的条件与所述弯折试验的条件中(A)～(F)的条件相同，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
3.根据权利要求1所述的铜箔，其中，在将铜箔与厚度25μm的绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下，
滑动弯曲试验的条件:
其中，(A)～(F)的条件与所述弯折试验的条件中(A)～(F)的条件相同，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
4.根据权利要求2所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
5.一种铜箔，其中，在将铜箔与厚度25μm的绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下，
滑动弯曲试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
6.根据权利要求5所述的铜箔，其中，在将铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
7.一种铜箔，其中，在将铜箔与厚度25μm的绝缘基材贴合而制成覆铜层压板，并以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下，
滑动弯曲试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，所述绝缘基材为聚四氟乙烯树脂、或介电损耗正切值为0.006以下的聚酰亚胺树脂、或者作为羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物的液晶聚合物树脂。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。
10.根据权利要求8所述的铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
12.根据权利要求8所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
13.根据权利要求9所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
14.根据权利要求10所述的铜箔，其中，在将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成所述覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
15.根据权利要求1至7中任一项所述的铜箔，其用于与液晶聚合物或氟树脂或低介电聚酰亚胺的接合。
16.一种铜箔，其中，所述铜箔在一面或两面具有表面处理面，且表面处理面的算术平均粗糙度Ra为0.05μm～0.40μm，十点平均粗糙度Rz为0.25μm～2.0μm，在将使用激光显微镜所测得的三维表面积设为A、将俯视测出所述三维表面积A的视野时的二维表面积设为B的情况下，表面积比A/B为1.5～3.0，并且，在将所述铜箔与绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的情况下，所述铜箔的与板厚方向平行且与MD平行的截面的平均结晶粒径成为20μm以上。
17.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，所述铜箔为压延铜箔。
18.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其用于与介电常数为3.5以下的树脂的接合。
19.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其用于在超过1GHz的高频下使用的覆铜层压板或印刷配线板。
20.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有选自由粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
21.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有选自由耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
22.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有耐热处理层或防锈处理层，在所述耐热处理层或防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
23.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有耐热处理层，在所述耐热处理层上具有防锈处理层，在所述防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
24.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有铬酸盐处理层，在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
25.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
26.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有选自由防锈处理层及耐热处理层所组成的群中的1种以上的层，在所述选自由防锈处理层及耐热处理层所组成的群中的1种以上的层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
27.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有粗化处理层，在所述粗化处理层上具有防锈处理层，在所述防锈处理层上具有铬酸盐处理层，且在所述铬酸盐处理层上具有硅烷偶联处理层。
28.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有粗化处理层，在粗化处理层上具有硅烷偶联处理层。
29.根据权利要求1至7、16中任一项所述的铜箔，其中，在铜箔表面具有硅烷偶联处理层。
30.一种覆铜层压板，其是将根据权利要求1至29中任一项所述的铜箔与绝缘基材贴合而成。
31.根据权利要求30所述的覆铜层压板，其在超过1GHz的高频下使用。
32.一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且
在以下述的条件对所述覆铜层压板进行弯折试验时，弯折次数成为1次以上，
弯折试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.8A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为100mm的试片，之后，使铜箔成为外侧，并将弯曲轴的方向设为与试片的宽度方向平行、且与长度方向呈直角的方向，以1000N的负载施压，由此将覆铜层压板180度密接弯曲，然后，确认是否于铜箔存在龟裂，
·在存在龟裂的情况下，对与弯曲轴垂直且与铜箔的厚度平行的方向的截面进行观察，测定该龟裂的长度，龟裂长度设为从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度，在龟裂长度为3μm以上的情况下，判定为观察到龟裂，
·在龟裂长度小于3μm的情况下，判定为未观察到龟裂，
·在未观察到龟裂的情况下，将通过以1000N的负载进行压制而弯折的覆铜层压板再次展平，并且，通过与所述将覆铜层压板180度密接弯曲的方法相同的方法将覆铜层压板弯折，此外，对所述截面进行观察，在因龟裂的长度小于3μm而判定为未观察到龟裂的情况下，使用其他试片以比判定为未观察到龟裂的弯折次数多一次的弯折次数进行相同的评价，
·在铜箔中观察到龟裂时将弯折覆铜层压板的次数设为铜箔或覆铜层压板的弯折次数，
(I)将所述评价进行3次，将3次的弯折次数的平均值设为弯折次数。
33.根据权利要求32所述的覆铜层压板，其中，在以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下，
滑动弯曲试验的条件:
其中，(A)～(F)的条件与所述弯折试验的条件中(A)～(F)的条件相同，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
34.根据权利要求32所述的覆铜层压板，其中，在以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下，
滑动弯曲试验的条件:
其中，(A)～(F)的条件与所述弯折试验的条件中(A)～(F)的条件相同，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
35.根据权利要求33所述的覆铜层压板，其中，在以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
36.一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且
在以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂为3条以下，
滑动弯曲试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
37.根据权利要求36所述的覆铜层压板，其中，在以特定的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下。
38.一种覆铜层压板，其是将铜箔与绝缘基材贴合而成，且
在以下述的条件对所述覆铜层压板进行特定次数的滑动弯曲试验后，针对与滑动方向平行的所述铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，距所述铜箔表面的深度为2μm以上的龟裂为2条以下，
滑动弯曲试验的条件:
所述绝缘基材为以下(A)～(C)中的任一绝缘基材，
(A)氟树脂、
(B)介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂、
(C)液晶聚合物树脂，
将所述铜箔与所述绝缘基材贴合而制成覆铜层压板的条件为以下(D)～(F)中的任一条件，
(D)在所述绝缘基材为所述氟树脂的情况下，压力为5MPa，加热温度与加热时间为350℃、30分钟，
(E)在所述绝缘基材是所述介电损耗正切值为0.01以下的聚酰亚胺树脂的情况下，压力为4MPa，加热温度与加热时间为以下(E-1)～(E-4)中的任一个，
(E-1)370℃、0.8秒、
(E-2)370℃、2秒、
(E-3)350℃、4秒、
(E-4)300℃、10分钟，
(F)在所述绝缘基材为液晶聚合物树脂的情况下，压力为3.5MPa，加热温度与加热时间为300℃、10分钟，
(G)在所述铜箔的厚度比12μm薄的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后进行镀铜并将铜箔与镀铜层的合计厚度设成12μm，镀铜的条件如下，
镀敷液组成：铜浓度100g/L，硫酸浓度100g/L、
镀敷液温度：50℃、
电流密度：0.2A/dm2，
此外，铜箔的厚度是基于以下式算出的，
铜箔厚度(μm)＝{铜箔样品的重量(g)}÷{铜箔样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
在所述铜箔的厚度比12μm厚的情况下，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后对铜箔进行蚀刻并将铜箔的厚度设成12μm，
此外，将所述铜箔与所述绝缘基材积层后的铜箔厚度是基于以下式而算出，另外，在算出铜箔与镀铜层的合计厚度的情况下，将以下式的“铜箔厚度(μm)”替换成“铜箔与镀铜层的合计厚度(μm)”，将“铜箔”替换成“铜箔与镀铜层”，
铜箔厚度(μm)＝{蚀刻前的铜箔与绝缘基材的积层体的样品的重量(g)－进行蚀刻而将所有铜箔去除后的绝缘基材的重量(g)}÷{铜箔与绝缘基材的积层体的样品的面积(cm2)×铜的密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)，
(H)之后，以宽度方向平行于与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向呈直角的方向、并且长度方向与制造铜箔的装置中的铜箔的前进方向平行的方式切出多片宽度为12.7mm、长度为200mm的试片，之后，通过蚀刻，在所获得的试片的铜箔形成将电路宽度设为300μm、将电路间的间隙宽度设为300μm的电路，而制作软性印刷配线板FPC，之后，在以下述的条件对所制作的软性印刷配线板进行了滑动弯曲试验，滑动方向设为与试片的长度方向即铜箔的MD方向平行的方向，
弯曲半径：1.5mm、
冲程：25mm、
弯曲速度：1500次/分钟、
滑动弯曲次数：10000次、
线与间隙L/S＝300μm/300μm，
·针对与滑动方向平行的铜箔截面，对板厚×100μm长度的范围进行观察，测定距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，滑动方向设为与试片的长度方向平行的方向，关于龟裂的长度，将从铜箔表面对所拍摄的截面照片的龟裂描画出的线的长度设为龟裂的长度，对大小为板厚×100μm长度的3个视野进行测定，将3个视野的平均龟裂条数设为距铜箔表面的深度为1μm以上的龟裂的条数，
·此外，滑动弯曲试验是利用IPC:美国印刷电路工业协会弯曲试验装置进行，该装置成为将振动传输部件结合于振荡驱动体而成的构造，FPC是以螺丝的部分与振动传输部件的前端部的共计4点固定在装置，当振动传输部件上下驱动时，FPC的中间部以特定的曲率半径r被弯曲成发夹状，滑动弯曲试验是将FPC的存在电路的一侧的面作为曲率半径r的弯曲内表面来进行。
39.一种印刷配线板的制造方法，其使用根据权利要求30至38中任一项所述的覆铜层压板来制造印刷配线板。
40.一种电子机器的制造方法，其使用根据权利要求39所述的印刷配线板制造电子机器。
41.一种传输线的制造方法，其使用根据权利要求30至38中任一项所述的覆铜层压板制造在超过1GHz的高频下使用的传输线。
42.一种天线的制造方法，其使用根据权利要求30至38中任一项所述的覆铜层压板制造在超过1GHz的高频下使用的天线。
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