CN107614760B - 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板 - Google Patents

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Abstract

本发明可提供在覆铜层叠板的加工或印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，前述粗糙化处理面的依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601‑2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm。

Description

粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板
技术领域
本发明涉及粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板。
背景技术
一直以来，作为印刷电路板的制造方法，广泛采用了减去法。减去法是使用铜箔形成微细电路的方法。例如，如图1A和图1B所示那样：借助预浸料14将在基底基材12a上具备下层电路12b的绝缘树脂基板12与铜箔10的粗糙化面粘接(工序(a))；根据需要利用半蚀刻将铜箔10极薄化(工序(b))；之后，根据需要利用激光打孔加工或钻孔加工而形成导通孔16(工序(c))；根据需要实施化学镀铜18(工序(d))和电解镀铜20(工序(e))。接着，通过使用了干膜22的曝光和显影用规定的图案进行掩蔽(工序(f))；通过蚀刻溶解去除干膜22的开口部正下方的不需要的铜箔等(工序(g))；之后，对干膜22进行剥离(工序(h))；得到由规定的图案形成的布线24。该布线24具有大致梯形的截面，底部较顶部宽大。以该顶部的端为基准的底部的延伸部分(缓坡部分)的距离(称为顶部-底部间距)的误差大时，电路图案的直线性差。在此情况下，该相邻的布线24之间的间隔局部地变窄，因此变得容易发生短路等不良情况。另外，特性阻抗与规定的电阻不匹配，高频特性差。
近些年，提出为了提高布线图案的直线性而减少了表面粗糙度的表面处理铜箔。例如，专利文献1(日本特开2008-285751号公报)中公开了一种表面处理铜箔，其特征在于，与绝缘树脂基材粘贴的粘接表面的表面粗糙度(Rzjis)为2.5μm以下，且利用激光法测定二维表面积为6550μm2的区域时的作为三维表面积(A)μm2与该二维表面积之比[(A)/(6550)]的值即表面积比(B)为1.2～2.5。该专利文献1中，对未处理的电解铜箔的析出面进行了粗糙化处理和防锈处理。
另外，也提出了应对与绝缘树脂基材的密合性和高频特性的提高的粗糙化处理铜箔。例如，专利文献2(国际公开第2015/033917号)中公开了一种表面处理铜箔，其为对电解铜箔的电极面侧实施了粗糙化处理的表面处理铜箔，其具备表面粗糙度Rz为2.5～4.0μm且[Rmax-Ra]为3.5μm的粗糙化处理表面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-285751号公报
专利文献2：国际公开第2015/033917号
发明内容
然而，最近，伴随着电子电路的小型轻量化和高速传输化，要求电路形成性更优异的(例如线/空间＝30μm/30μm左右)粗糙化处理铜箔。为了满足该要求，可想到：使粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的表面粗糙度降低且进一步提高布线图案的直线性(以下称为电路直线性)。然而，仅减小粗糙化处理面的表面粗糙度时，铜箔与树脂基材的密合性降低而变得容易发生电路剥离。由此，无法容易地兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂基材的密合性。
本发明人等这次得到如下见解：通过对粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面赋予这样特有的表面轮廓：依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm，从而在覆铜层叠板的加工或印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性。
因此，本发明的目的在于提供：在覆铜层叠板的加工或印刷电路板的制造中能够兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性的粗糙化处理铜箔。
根据本发明的一方式，可提供一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm。
根据本发明的另一方式，可提供一种覆铜层叠板，其具备上述方式的粗糙化处理铜箔。
本发明的另一方式根据，可提供一种印刷电路板，其具备上述方式的粗糙化处理铜箔。
附图说明
图1A是用于说明减去法的工序流程图，为示出前半部分工序(工序(a)～(d))的图。
图1B是用于说明减去法的工序流程图，为示出后半部分工序(工序(e)～(h))的图。
图2是用于说明粗糙度曲线和波纹度曲线的图。
图3是用于说明粗糙度曲线和波纹度曲线的关系的图。
图4A是例1中得到的布线图案的截面SEM图像。
图4B是从上方观察例1中得到的布线图案的SEM图像。
图5A是例4中得到的布线图案的截面SEM图像。
图5B是从上方观察例4中得到的布线图案的SEM图像。
图6A是例5中得到的布线图案的截面SEM图像。
图6B是从上方观察例5中得到的布线图案的SEM图像。
图7是用于说明电路直线性的评价方法的图。
具体实施方式
定义
以下示出为了限定本发明而使用的术语或参数的定义。
在本说明书中“算术平均高度Sa”是表示依据ISO25178所测定的、相对于表面的平均面，各点的高度之差的绝对值的平均的参数。即，相当于将粗糙度曲线的算术平均高度Ra扩展至面而得到的参数。算术平均高度Sa可以通过利用市售的激光显微镜对粗糙化处理面的规定的测定面积(例如22500μm2的区域)的表面轮廓进行测定来计算得出。
在本说明书中“峰的顶点密度Spd”是表示依据ISO25178所测定的、每单位面积的峰的顶点的数量的参数。启示出：该值大时与其它物体的接触点的数量多。峰的顶点密度Spd可以通过利用市售的激光显微镜对粗糙化处理面的规定测定面积(例如22500μm2的区域)的表面轮廓进行测定而计算出。
在本说明书中“算术平均波纹度Wa”是依据JIS B0601-2001所测定的、作为轮廓曲线的波纹度曲线的基准长度的算术平均高度。如图2和图3所示，波纹度曲线是对截面曲线依次施加截止值λf和λc的轮廓曲线滤波器而得到的轮廓曲线，并非是由粗糙度曲线表示的微细的凹凸，而是表示更大比例尺(scale)的凹凸(即波纹度)。
在本说明书中，电解铜箔的“电极面”是指在制作电解铜箔时与阴极接触侧的面。
在本说明书中，电解铜箔的“析出面”是指在制作电解铜箔时电解铜析出侧的面，即不与阴极接触侧的面。
粗糙化处理铜箔
本发明的铜箔为粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm。由此，通过对粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面赋予这样特有的表面轮廓：Sa×Spd为250000μm/mm2以上、且算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm，从而能够在覆铜层叠板的加工或印刷电路板的制造中兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性。如上所述，电路直线性和与树脂的密合性对于铜箔的表面轮廓处于折衷关系，因此存在本质上难以兼顾两者的问题，但根据本发明的粗糙化处理铜箔，能够出乎意料地兼顾良好的电路直线性和与树脂的高密合性。
能够兼顾微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性机理尚不明确，但可考虑如下机理。首先，通过将粗糙化处理面的算术平均波纹度Wa降低至0.030～0.060μm，可认为从波纹度这样的观点进行评价则实现了高的平滑性，该高的平滑性有助于电路图案的直线性。在此基础上，可认为：通过使Sa×Spd为250000μm/mm2以上，通过算术平均高度Sa与峰的顶点密度Spd的协同效果，从上述那样波纹度的观点考虑具有高平滑性，同时使与树脂的密合性显著地提高。即，算术平均高度Sa有助于粗糙化处理面中的粗糙化颗粒与树脂的咬合，另一方面，峰的顶点密度Spd有助于确保粗糙化处理面中的粗糙化颗粒与树脂的接点。因此，可以说：通过将Sa×Spd设为上述规定值以上，从而能够以较多的接点数量确保粗糙化颗粒与树脂的期望的咬合，可认为：从波纹度的观点考虑具有高的平滑性，同时能够实现与树脂的高的密合性。
然而，专利文献1之类的现有技术中，通常对电解铜箔的析出面侧进行粗糙化处理，但可认为对于本发明中兼顾上述那样低的算术平均波纹度Wa和高的Sa×Spd的情况，难以通过电解铜箔的析出面侧得以实现。其原因在于，电解铜箔的析出面侧随着铜析出而产生凹凸，由此使波纹度不得不变大。关于这点，本发明中通过进行：(i)预先用规定的粒度号的抛光轮对旋转阴极的表面进行研磨并平滑化，通过使用了这样研磨的旋转阴极的电解来制造电解铜箔，进而，(ii)通过在期望的低粗糙化条件下对得到的未处理的电解铜箔的(并非析出面侧)电极面侧进行粗糙化处理，从而能够理想地实现具备上述低的Wa和高的Sa×Spd的特有的粗糙化处理面。因此，根据本发明的优选的方式，粗糙化处理铜箔为电解铜箔，粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。
粗糙化处理面的Sa×Spd为250000μm/mm2以上、优选为280000～500000μm/mm2。为上述范围内的Sa×Spd时，能够确保期望的微细电路形成性(尤其电路直线性)，同时更进一步地提高与树脂的密合性。
粗糙化处理面的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm、优选为0.030～0.050μm、更优选为0.030～0.045μm。为上述范围内的Wa时，能够确保与树脂的高的密合性，同时更进一步地提高微细电路形成性(尤其电路直线性)。
本发明的粗糙化处理铜箔的厚度没有特别限定，优选0.1～35μm、更优选为0.5～18μm。需要说明的是，本发明的粗糙化处理铜箔不限于对通常的铜箔的表面进行了粗糙化处理的粗糙化处理铜箔，也可以是对带有载体的铜箔表面进行了粗糙化处理或微细粗糙化处理的粗糙化处理铜箔。
制造方法
对通过本发明的粗糙化处理铜箔的优选的制造方法的一个例子进行说明。该优选的制造方法包括如下工序：准备具有算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm的表面的铜箔的工序；在规定的条件下对上述表面进行电解沉积的第一粗糙化工序；在规定的条件下对上述表面进行电解沉积的第二粗糙化工序；以及、在规定的条件下对上述表面进行电解沉积而形成粗糙化处理面的第三粗糙化工序。原本本发明的粗糙化处理铜箔不限定于以下说明的方法，也可以利用任意的方法来制造。特别是，如上所述，对于本发明的粗糙化处理铜箔，可以通过如下操作：(i)预先用规定的粒度号的抛光轮对旋转阴极的表面进行研磨并平滑化，通过使用了这样研磨的阴极的电解来制造电解铜箔；进而，(ii)在期望的低粗糙化条件下对得到的未处理的电解铜箔的(并非析出面侧)电极面侧进行粗糙化处理，从而能够理想地实现具备上述低的Wa和高的Sa×Spd的特有的粗糙化处理面。具体如下所述。
(1)铜箔的准备
作为粗糙化处理铜箔的制造中使用的铜箔，优选电解铜箔。另外，铜箔可以是未粗糙化的铜箔，也可以是实施了预粗糙化的铜箔。对于铜箔的厚度没有特别限定，优选为0.1～35μm、更优选为0.5～18μm。在以带有载体的铜箔的形态准备铜箔时，铜箔也可以是利用化学镀铜法或电解镀铜法等湿式成膜法、溅射和化学蒸镀等干式成膜法、或它们的组合所形成的铜箔。
进行了粗糙化处理的铜箔的表面优选具有：依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm的表面、更优选为0.030～0.045μm。在上述范围内时，变得容易对粗糙化处理面赋予本发明的粗糙化处理铜箔所需的表面轮廓，特别是赋予0.030～0.060μm的算术平均波纹度Wa。
电解铜箔的电极面优选具有上述算术平均波纹度Wa。为此，优选预先用抛光轮对用于制造电解铜箔的旋转阴极的表面进行研磨并平滑化，这样的抛光轮的粒度号优选大于#1000，更优选为#1200～#2500、进一步优选为#1500～#2500。通过使用这样的抛光轮，从而能够对电解铜箔的电极面赋予上述那样低的Wa。
(2)粗糙化处理
优选：对由此赋予了上述低的Wa的电解铜箔的表面(即电极面)实施第一粗糙化工序、第二粗糙化工序、第三粗糙化工序这3个阶段的粗糙化工序。第一粗糙化工序中，优选：在包含铜浓度8～12g/L和硫酸浓度200～280g/L的硫酸铜溶液中，在20～40℃的温度下以20～30A/dm2进行电解沉积，该电解沉积优选进行2～5秒。第二粗糙化工序中，优选：在包含铜浓度8～12g/L和硫酸浓度200～280g/L的硫酸铜溶液中，在20～40℃的温度下以15～30A/dm2进行电解沉积，该电解沉积优选进行2～5秒。即，第一粗糙化工序和第二粗糙化工序可以是相同的条件。第三粗糙化工序中，优选：在包含铜浓度65～80g/L和硫酸浓度200～280g/L的硫酸铜溶液中，在45～55℃的温度下以10～30A/dm2进行电解沉积而形成粗糙化处理面，该电解沉积优选进行5～25秒。
(3)微细粗糙化处理
根据期望，也可以进一步对在第三粗糙化工序中形成的粗糙化处理面进行微细粗糙化处理。微细粗糙化处理优选通过如下方法进行：在铜浓度10～20g/L、硫酸浓度30～130g/L、9-苯基吖啶浓度100～200mg/L、氯浓度20～100mg/L的硫酸铜溶液中，在20～40℃的温度下以电流密度10～40A/dm2使微细铜颗粒电解沉积，该电解沉积优选进行0.3～1.0秒。
(4)防锈处理
根据期望，也可以对粗糙化处理后的铜箔实施防锈处理。防锈处理优选包括使用了锌的镀覆处理。使用了锌的镀覆处理可以为镀锌处理及镀锌合金处理中的任意者；镀锌合金处理中特别优选锌-镍合金处理。锌-镍合金处理只要是至少包含Ni及Zn的镀覆处理即可，还可以进一步包含Sn、Cr、Co等其它元素。锌-镍合金镀覆中的Ni/Zn附着比率以质量比计优选为1.2～10、更优选为2～7、进一步优选为2.7～4。另外，防锈处理优选进一步包含铬酸盐处理，更优选在使用了锌的镀覆处理后对包含锌的镀覆的表面进行该铬酸盐处理。通过这样操作，从而能够进一步提高防锈性。特别优选的防锈处理为锌-镍合金镀处理和其后的铬酸盐处理的组合。
(5)硅烷偶联剂处理
根据期望，也可以对铜箔实施硅烷偶联剂处理而形成硅烷偶联剂层。由此能够提高耐湿性、耐化学药品性和与粘接剂等的密合性等。硅烷偶联剂层可以通过对硅烷偶联剂进行适当稀释并涂布，使其干燥而形成。作为硅烷偶联剂的例子，可列举出：4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等环氧基官能性硅烷偶联剂；或3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2(氨乙基)3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性硅烷偶联剂；或3-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性硅烷偶联剂或乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷等烯烃官能性硅烷偶联剂；或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等丙烯酸类官能性硅烷偶联剂；或咪唑硅烷等咪唑官能性硅烷偶联剂；或三嗪硅烷等三嗪官能性硅烷偶联剂等。
覆铜层叠板
本发明的粗糙化处理铜箔优选用于制作印刷电路板用覆铜层叠板。即，根据本发明的优选的方式，可提供使用上述粗糙化处理铜箔而得到的覆铜层叠板。该覆铜层叠板具备本发明的粗糙化处理铜箔、和密合设置在该粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的树脂层。粗糙化处理铜箔可以设置于树脂层的单面，也可以设置于双面。树脂层包含树脂，优选包含绝缘性树脂。树脂层优选为预浸料和/或树脂片。预浸料是指使合成树脂浸渗于合成树脂板、玻璃板、玻璃织布、玻璃无纺布、纸等基材中而成的复合材料的统称。作为绝缘性树脂的优选的例子，可列举出：环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚苯醚树脂、酚醛树脂等。另外，作为构成树脂片的绝缘性树脂的例子，可列举出：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等绝缘树脂。另外，从提高绝缘性等的观点出发，树脂层也可以含有由二氧化硅、氧化铝等各种无机颗粒构成的填料颗粒等。树脂层的厚度没有特别限定，优选1～1000μm、更优选为2～400μm、进一步优选为3～200μm。树脂层也可由多层构成。预浸料和/或树脂片等树脂层也可以隔着预先涂布于铜箔表面的底漆树脂层而设置于粗糙化处理铜箔上。
印刷电路板
本发明的粗糙化处理铜箔优选用于制作印刷电路板。即，根据本发明的优选的方式，可提供使用上述粗糙化处理铜箔而得到的印刷电路板。本方式的印刷电路板包含依次层叠树脂层和铜层而成的层构成。另外，对于树脂层而言，有关覆铜层叠板如上所述。在任意情况下，印刷电路板均可采用公知的层构成。作为有关印刷电路板的具体例，可列举出：在预浸料的单面或双面粘接本发明的粗糙化处理铜箔进行固化而制成层叠体，在此基础上进行电路形成而得到的单面或双面印刷电路板；对它们进行多层化而成的多层印刷电路板等。另外，作为其它的具体例，还可列举出在树脂薄膜上形成本发明的粗糙化处理铜箔而形成电路的柔性印刷电路板、COF、TAB带等。进而，作为其它的具体例，可列举出：在本发明的粗糙化处理铜箔上涂布上述的树脂层而形成带有树脂的铜箔(RCC)，将树脂层作为绝缘粘接剂层层叠于上述的印刷基板后，将粗糙化处理铜箔作为布线层的全部或一部分通过模拟/半加成(MSAP)法、减去法等方法形成了电路的积层电路板；除去粗糙化处理铜箔并通过半加成(SAP)法形成了电路的积层电路板；在半导体集成电路上交替地重复进行带有树脂的铜箔的层叠和电路形成的直接积层晶圆(direct buildup on wafer)等。
实施例
通过以下的例子对本发明进行进一步具体说明。
例1～3
本发明的粗糙化处理铜箔的制作以如下方式进行。
(1)电解铜箔的制作
作为铜电解液使用以下所示的组成的硫酸酸性硫酸铜溶液，作为阴极使用钛制的旋转电极，作为阳极使用DSA(尺寸稳定性阳极)，以溶液温度45℃、电流密度55A/dm2进行电解，得到厚度12μm的电解铜箔。此时，作为旋转阴极，使用用#1200(例1)、#2000(例2)或#1500(例3)的抛光轮对表面进行研磨而调整了表面粗糙度的电极。利用后述的方法测定了该电解铜箔的电极面的算术平均波纹度Wa，得到了表2所示的值。
＜硫酸酸性硫酸铜溶液的组成＞
‐铜浓度：80g/L
‐硫酸浓度：260g/L
‐双(3-磺丙基)二硫化物浓度：30mg/L
‐二烯丙基二甲基氯化铵聚合物浓度：50mg/L
‐氯浓度：40mg/L
(2)粗糙化处理
利用以下所示的3个阶段的工艺对上述电解铜箔所具备的电极面和析出面中的、电极面侧进行粗糙化处理。即，依次进行了以下所示的第一粗糙化工序、第二粗糙化工序和第三粗糙化工序。
‐第一粗糙化工序通过如下方式进行：在表1A所示的组成的粗糙化处理用铜电解溶液(铜浓度：10.5～10.8g/L、硫酸浓度：230～240g/L)中，在表1A所示的条件下进行电解、水洗。
‐第二粗糙化工序通过如下方式进行：在与第一粗糙化工序相同组成的粗糙化处理用铜电解溶液中，在表1A所示的条件下进行电解、水洗。
‐第三粗糙化工序通过如下方式进行：在粗糙化处理用铜电解溶液(铜浓度：70g/L、硫酸浓度：240g/L)中，在表1B所示的条件下进行电解、水洗。
(3)防锈处理
对粗糙化处理后的电解铜箔的两面进行包含无机防锈处理及铬酸盐处理的防锈处理。首先，作为无机防锈处理，使用焦磷酸浴，在焦磷酸钾浓度80g/L、锌浓度0.2g/L、镍浓度2g/L、液温40℃、电流密度0.5A/dm2下进行锌-镍合金防锈处理。接着，作为铬酸盐处理，在锌-镍合金防锈处理的基础上，进而形成铬酸盐层。该铬酸盐处理在铬酸浓度为1g/L、pH11、溶液温度25℃、电流密度1A/dm2下进行。
(4)硅烷偶联剂处理
对实施了上述防锈处理的铜箔进行水洗，然后立即进行硅烷偶联剂处理，使硅烷偶联剂吸附在粗糙化处理面的防锈处理层上。该硅烷偶联剂处理通过如下方式进行：通过使用纯水作为溶剂、3-氨基丙基三甲氧基硅烷浓度为3g/L的溶液，以喷淋的方式将该溶液吹送到粗糙化处理面来进行吸附处理。进行硅烷偶联剂的吸附后，最终利用电热器使水分蒸发，从而得到厚度18μm的粗糙化处理铜箔。
例4(比较)
如表1A和1B所示，将用于研磨旋转阴极的抛光轮的粒度号设为#600，除此以外与例1同样地进行了粗糙化处理铜箔的制作。
例5(比较)
i)对电解铜箔的析出面侧(即处于与电极面侧的相反侧)进行粗糙化处理等处理；及ii)依据表1A和1B所示的条件进行粗糙化处理，除此以外，与例1同样地进行了粗糙化处理铜箔的制作。需要说明的是，该例中对电解铜箔的析出面侧进行了粗糙化处理等，因此粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面基本不会受到用于研磨旋转阴极的抛光轮的粒度号的影响，因此在表1A和2中，省略了抛光轮的粒度号的记载。
例6(比较)
i)对电解铜箔的析出面侧(即处于与电极面侧的相反侧)进行了粗糙化处理等处理；及ii)代替第一、第二和第三粗糙化工序，进行了以下1个阶段的微细粗糙化处理，除此以外，与例1同样地进行了粗糙化处理铜箔的制作。需要说明的是，在该例中，对电解铜箔的析出面侧进行了粗糙化处理等，因此粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面基本不会受到用于研磨旋转阴极的抛光轮的粒度号的影响，因此在表1A和2中，省略了抛光轮的粒度号的记载。
(微细粗糙化处理)
对于上述电解铜箔所具备的电极面和析出面中的、析出面侧，在粗糙化处理用铜电解溶液(铜浓度：13g/L、硫酸浓度：70g/L、9-苯基吖啶浓度：140mg/L、氯浓度：35mg/L)中，在表1B所示的条件下进行电解、水洗，由此进行了微细粗糙化处理。
例7(比较)
如表1A和1B所示，将用于研磨旋转阴极的抛光轮的粒度号设为#3000，除此以外与例1同样地进行了粗糙化处理铜箔的制作。
例8(比较)
i)将用于研磨旋转阴极的抛光轮的粒度号设为#600；ii)对电解铜箔的电极面侧进行了粗糙化处理等处理；iii)第一粗糙化工序在铜浓度：8g/L、硫酸浓度：230g/L、及胶浓度：2mg/L的粗糙化处理用电解溶液中，依据表1A所示的条件进行；及iv)第三粗糙化工序在铜浓度：70g/L和硫酸浓度：230g/L的粗糙化处理用电解溶液中，依据表1B所示的条件进行，除此以外，与例1同样地进行了粗糙化处理铜箔的制作。
[表1A]
[表1B]
评价
对例1～7中制作的粗糙化处理铜箔进行了以下所示的各种评价。
＜算术平均波纹度Wa＞
通过使用了激光显微镜(Keyence Corporation制、VK-X100)的表面粗糙度解析，依据JIS B0601-2001进行了粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的算术平均波纹度Wa的测定。具体而言，利用上述激光显微镜并在倍率1000倍下测定了粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的面积22500μm2的区域(150μm×150μm)的表面轮廓。对得到的粗糙化处理面的表面轮廓进行面倾斜校正后，通过过滤处理按照尺寸5×5进行平滑化，通过表面粗糙度分析实施波纹度测定。过滤器类型为中值滤波器。另外，各轮廓曲线过滤的截止值为λs＝0.25μm、λc＝0.08mm、λf＝80μm。需要说明的是，前述各例中的粗糙化处理前的电解铜箔的析出面或电极面的算术平均波纹度Wa的测定也利用上述同样的步骤进行。
＜Sa×Spd＞
通过使用了激光显微镜(Keyence Corporation制、VK-X100)的表面性状分析，依据ISO25178测定了粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的算术平均高度Sa(μm)与峰的顶点密度Spd(个/mm2)。具体而言，使用上述激光显微镜并在倍率1000倍下测定了粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的面积22500μm2的区域(150μm×150μm)的表面轮廓。对得到的粗糙化处理面的表面轮廓进行面倾斜校正后，通过表面性状解析实施了Sa和Spd的测定。该测定以利用S过滤器的截止波长为0.8μm、利用L过滤器的截止波长为0.1μm的方式进行。基于由此得到的Sa和Spd的值计算出Sa×Spd的值。
＜剥离强度＞
对2张厚度50μm的预浸料(EM355(D)、ELITE MATERIAL Co.,Ltd.制)进行层叠而得到厚度100μm的树脂基材。以粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面接触树脂基材的方式在该树脂基材上层叠该粗糙化处理铜箔，在压力4.0MPa和温度185℃下进行60分钟的热压成型来制作覆铜层叠板样品。针对该覆铜层叠板样品，依据JIS C 6481-1996，在相对于树脂基材面成90°的方向上进行剥离并测定了常态剥离强度(kgf/cm)。
＜电路直线性＞
按以下方式进行了电路直线性的评价。首先，对上述覆铜层叠板的表面进行电镀直至电路高度成为20μm为止。在由此形成的电气镀覆层的表面粘贴干膜，进行曝光和显影，形成了抗蚀涂层。通过用氯化铜蚀刻液进行处理，而从抗蚀剂中溶解去除铜，形成了电路高度20μm、线/空间(L/S)＝30μm/30μm的直线状布线图案。利用SEM观察由此得到的直线状布线图案。将例1、4和5中得到的布线图案的截面SEM图像分别示于图4A、5A和6A。另外，将从上方观察例1、4和5中得到的布线图案的SEM图像示于图4B、5B和6B。在图4A、5A和6A中，在中央观察到的2个大致梯形的部分为布线图案。另外，在图4B、5B和6B中，在横向上观察到的3条直线部分为布线图案。由这些图可知，布线图案的截面为大致梯形，与顶部的宽度相比，底部的宽度变长。而且，以布线图案的顶部的端为基准的底部的延伸部分(缓坡部分)的距离(以下称为顶部-底部间距)的偏差越小则可以说电路图案的直线性越高。关于这点，由相当于作为比较例的例4和例5的图5A～5B和6A～6B所示的布线图案也可得知，相当于作为实施例的例1的图4A～4B所示的布线图案的直线性高。
为了将这样的布线图案的直线性、即电路直线性作为更客观的指标来进行评价，进行了以下测定。对于得到的直线状布线图案而言，如图7所示，以4μm间隔测定了100点的电路100的顶部(top)102与底部(bottom)104的单侧的增量、即上述的顶部-底部间距D。在得到的100点的测定值中，计算：从由数值大的起数第26位的顶部-底部间距D26(即作为噪声去除了上位25％的测定值的最大值)减去由数值小的起数第26位(从数值大的起数第75位)的顶部-底部间距D75(即作为噪声去除了下位25％的测定值的最小值)而得到的值、即D26-D75作为电路直线性的客观的指标。
结果
例1～7中得到的评价结果如表2所述。如表2所示，满足本发明的条件的例1～3中制作的粗糙化处理铜箔的微细电路形成性(尤其电路直线性)和与树脂的密合性这两者优异。
[表2]

Claims (5)

1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面的依据ISO25178所测定的算术平均高度Sa与峰的顶点密度Spd的乘积即Sa×Spd为250000μm/mm2以上，且依据JIS B0601-2001所测定的算术平均波纹度Wa为0.030～0.060μm，
其中，算术平均高度Sa的单位是μm；峰的顶点密度Spd的单位是个/mm2，
所述粗糙化处理铜箔为电解铜箔，所述粗糙化处理面存在于电解铜箔的电极面侧。
2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述Sa×Spd为280000～500000μm/mm2。
3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述算术平均波纹度Wa为0.033～0.050μm。
4.一种覆铜层叠板，其具备权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔。
5.一种印刷电路板，其具备权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔。
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