TW202407162A - 表面處理銅箔、覆銅積層板、及印刷線路板 - Google Patents

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日商古河電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種表面處理銅箔，其電路加工性優異，不易產生傳輸損失和發生異物的情形。當依據ISO25178規定的方法來測定表面處理銅箔(30)的表面處理層(20)的表面(20a)的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.30μm以下。在表面處理銅箔(30)的表面處理層(20)上貼合樹脂製構件(40)後，藉由蝕刻去除表面處理銅箔(30)，對於剩餘的樹脂製構件(40)的貼合過表面處理銅箔(30)之表面即轉印表面(40a)，依據JIS R3257：1999規定的固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1。對於與表面處理銅箔(30)貼合前的樹脂製構件(40)的之後要與表面處理銅箔(30)貼合之表面即非轉印表面，依據固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0。接觸角θ 0與θ 1的差值θ 0－θ 1為5°以上且35°以下。

Description

表面處理銅箔、覆銅積層板、及印刷線路板
本發明有關一種表面處理銅箔、以及使用了該表面處理銅箔之覆銅積層板及印刷線路板，該表面處理銅箔能夠適合用於印刷線路板等的製造。
近年來訊號的高頻化進展，對於電子機器中搭載的印刷線路板傳輸高頻訊號的情形正在增加。因此，關於作為印刷線路板的材料使用的表面處理銅箔，正在研究將表面製成低粗糙度，以減少高頻訊號的傳輸損失(例如參照專利文獻1)。 又，伴隨印刷線路板的高密度構裝化、多功能化，電路的微細線路化亦正在進展。為了形成微細配線而要求電路加工性良好的表面處理銅箔，正在研究表面製成低粗糙度，以提升電路加工性(例如參照專利文獻2)。又，此外，亦正在研究對銅箔進行表面處理之金屬的設計(例如參照專利文獻3)、及轉印至樹脂的表面之凹凸的形狀的設計(例如參照專利文獻4、5)等要因。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本國專利公開公報2019年第210521號 專利文獻2：日本國專利公開公報2017年第20117號 專利文獻3：日本國專利公開公報2019年第81913號 專利文獻4：日本國專利公報第6945523號 專利文獻5：國際公開第2020/105289號
[發明所欲解決的問題]
然而，即使減少表面處理銅箔的表面粗糙度，有時仍無法獲得目標的微細線路。以往，作為表示電路加工性的指標，廣泛使用了由電路的底部寬度、頂部寬度及高度求得的蝕刻因子，但是已知除此之外，電路的底部端部的切線的角度亦很重要。亦即，即使蝕刻因子以往是被評估為良好之數值，如果電路的底部端部的切線的角度較小(亦即，電路的底部寬度大於頂部寬度，電路的剖面成為下端擴大之形狀)，則有時會發生遷移，而有電路的底部端部的切線的角度越小越容易發生遷移的傾向，該遷移預計是以微觀來看時的電路的端部的界面的蝕刻不良所造成。
進一步，在本發明人的研究中減少了表面處理銅箔的表面粗糙度，結果發現下述新的問題：對覆銅積層板的表面處理銅箔進行蝕刻並加以去除後，在將樹脂製基材加以積層來製造印刷線路板之步驟中，構成覆銅積層板的樹脂製基材與之後積層的樹脂製基材之間變得容易發生異物。 本發明的目的在於提供一種表面處理銅箔、覆銅積層板、及印刷線路板，該等的電路加工性優異，並且不易產生傳輸損失及發生異物的情形。 [解決問題的技術手段]
依據本發明的一態樣的表面處理銅箔的要點在於，具有：銅箔基體；及，表面處理層，其形成於銅箔基體的至少一面；其中，表面處理層由粗糙化處理層和防鏽處理層的一者或兩者所構成，當依據ISO25178規定的方法來測定表面處理層的表面的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.30μm以下，在表面處理銅箔的表面處理層上貼合樹脂製構件後，藉由蝕刻去除表面處理銅箔，對於剩餘的樹脂製構件的與表面處理銅箔貼合過的表面即轉印表面，依據JIS R3257：1999規定的固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1，並且對於與表面處理銅箔貼合前的樹脂製構件的之後要與表面處理銅箔貼合之表面即非轉印表面，依據固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0時，接觸角θ 0與θ 1的差值θ 0－θ 1為5°以上且35°以下。
依據本發明的另一態樣的覆銅積層板的要點在於，具備：依據上述一態樣的表面處理銅箔；及，樹脂製基材，其貼合於表面處理銅箔的表面處理層上。 依據本發明的又一態樣的印刷線路板的要點在於，具備依據上述另一態樣的表面處理銅箔。 [發明的功效]
根據本發明，電路加工性優異，並且不易產生傳輸損失及發生異物的情形。
說明本發明的一實施形態。再者，以下說明的實施形態是示出本發明的一例。又，能夠對本實施形態施加各種變更或改良，施加這樣的變更或改良而得的形態亦能夠包括在本發明內。 為了解決上述問題，本發明人著眼於製造覆銅積層板和印刷線路板時使用的樹脂製基材的表面的溼潤性，並專心實行研究。一面參照圖1、2、3一面於下文進行詳細説明。
印刷線路板60的製造步驟中具有：貼合步驟，將表面處理銅箔30與樹脂製基材40加以貼合來製造覆銅積層板50(參照圖3的(b))；及，蝕刻步驟，藉由使用了蝕刻液之蝕刻來去除覆銅積層板50的表面處理銅箔30之中的作為電路31的部分以外的不需要的部分(參照圖3的(c))。在貼合步驟中，將樹脂製基材40貼合在表面處理銅箔30的表面處理層20上(參照圖3的(a))。
此時，在蝕刻後剩餘的樹脂製基材40的表面之中的與表面處理銅箔30貼合過的表面上轉印有貼合過的表面處理銅箔30的表面處理層20的表面20a的形狀。亦即，樹脂製基材40的與表面處理銅箔30貼合過的表面成為貼合過的表面處理銅箔30的表面的轉印表面(replica)40a。
根據本發明人的研究，發現隨著表面處理銅箔30的表面粗糙度變小，樹脂製基材40的轉印表面40a的表面粗糙度亦變小，轉印表面40a的溼潤性變低。認為如果樹脂製基材40的表面的溼潤性較低，則蝕刻過程中蝕刻液變得不易遍及到樹脂製基材40上的電路31(藉由蝕刻而殘留的表面處理銅箔30)的端部(電路31的線路寬度方向的端部)，因此電路加工性下降。蝕刻液是否遍及到電路31的端部，尤其對於電路31的底部端部31b(電路31的端部之中的與樹脂製基材40鄰接的部分(參照圖2))的加工性而言是重要因素。
又，印刷線路板60的製造步驟中具有清洗步驟，該清洗步驟是在蝕刻步驟後以清洗液對於具有電路31之樹脂製基材40進行清洗，如果樹脂製基材40的表面的溼潤性較低，則清洗液不易遍及樹脂製基材40的整個表面，因而可能無法以清洗液對於存在於樹脂製基材40或電路31上的異物100充分地進行清洗(參照圖3的(c))。然後，清洗步驟後在具有電路31之樹脂製基材40的形成有電路31的面貼合另一樹脂製基材41來製造印刷線路板60，如果清洗步驟中的異物100的清洗不充分，則所貼合的2個樹脂製基材40、41之間會有異物100殘留(參照圖3的(d))。
亦即，本發明人的研究發現，如果樹脂製基材40的表面的溼潤性較低，則印刷線路板60上容易產生異物100。再者，作為異物100，存在有：貼合前已附著於表面處理銅箔30或樹脂製基材40上的附著物、蝕刻液中含有的鹽的凝固物等。
如以上所述，本發明人發現蝕刻步驟後的樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性在印刷線路板60的製造中是非常重要的因素。又，本發明人發現能夠藉由依據日本工業標準(JIS)R3257：1999規定的固著液滴法(sessile drop method)所測得的蒸餾水的接觸角來評估蝕刻步驟後的樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性。
亦即，依據本實施形態的表面處理銅箔30具有：銅箔基體10；及，表面處理層20，其形成於銅箔基體10的至少一面；其中，表面處理層20由粗糙化處理層21和防鏽處理層22的一者或兩者所構成(參照圖1)。再者，圖1中示出表面處理銅箔30的例，其中，僅在銅箔基體10的其中一面形成有表面處理層20，並且表面處理層20由粗糙化處理層21和防鏽處理層22的兩者所構成。 而且，當依據ISO25178規定的方法來測定表面處理銅箔30的表面處理層20的表面20a的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.30μm以下。
又，將製造覆銅積層板50和印刷線路板60時使用的樹脂製基材40(相當於作為本發明的構成要件的「樹脂製構件」)貼合在表面處理銅箔30的表面處理層20上之後，藉由蝕刻去除表面處理銅箔30，對於剩餘的樹脂製基材40的轉印表面40a，測定蒸餾水的接觸角θ 1(以下亦有時記載為「銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1」)。樹脂製基材40的轉印表面40a是樹脂製基材40的表面之中與表面處理銅箔30貼合過的表面。
進一步，對於與表面處理銅箔30貼合前的樹脂製基材40的非轉印表面，測定蒸餾水的接觸角θ 0(以下亦有時記載為「銅箔貼合前的非轉印表面的蒸餾水接觸角θ 0」)。樹脂製基材40的非轉印表面是與表面處理銅箔30貼合前的樹脂製基材40的表面之中的之後要與表面處理銅箔30貼合之表面。
依據JIS R3257：1999規定的固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0和θ 1。此時，在依據本實施形態的表面處理銅箔30中，接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1為5°以上35°以下。亦即，所謂接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1是表示樹脂的表面的溼潤性因與銅箔貼合而改變了多少之尺度。
若使用這樣的表面處理銅箔30來製造覆銅積層板50和印刷線路板60，則覆銅積層板50和印刷線路板60的製造中使用的樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性變高。因此，所獲得的覆銅積層板50和印刷線路板60除了不易發生傳輸損失之外，電路加工性優異，進一步，構成覆銅積層板50的樹脂製基材40與為了製造印刷線路板60而在之後積層的另一樹脂製基材41之間不易產生異物。
亦即，藉由將接觸角的差值θ 0－θ 1設在上述數值範圍內，能夠使樹脂製基材40的表面的溼潤性保持良好，因而蝕刻過程中蝕刻液容易遍及到樹脂製基材40上的電路31的底部端部31b，並且在蝕刻步驟後的清洗步驟中清洗液容易遍及樹脂製基材40的整個表面。其結果，能夠製造一種覆銅積層板50和印刷線路板60，其能夠兼具優異的電路加工性和異物抑制，並且不易產生傳輸損失。
如上所述，依據本實施形態的表面處理銅箔30能夠適合用於覆銅積層板、印刷線路板等的製造。亦即，依據本實施形態的覆銅積層板50具備：依據本實施形態的表面處理銅箔30；及，樹脂製基材40，其貼合於該表面處理銅箔30的表面處理層20上。又，依據本實施形態的印刷線路板60具備依據本實施形態的覆銅積層板50。
以下進一步詳細說明依據本實施形態的表面處理銅箔30、覆銅積層板50、印刷線路板60。 (A)關於表面處理銅箔 作為依據本實施形態的表面處理銅箔30的原料的銅箔基體10較佳是：在對於表面施以粗糙化處理等處理前的時候，兩面的十點平均粗糙度Rzjis皆為2μm以下。能夠依照JIS B0601：2001所規定的方法，使用接觸式表面粗糙度測定機來測定此十點平均粗糙度Rzjis。若表面的十點平均粗糙度Rzjis為2μm以下，則與樹脂製基材40的密接力容易變得良好。 又，施以粗糙化處理等處理前的時候的銅箔基體10的厚度取決於粗糙化處理後的銅箔基體10的厚度的目標值，較佳是5μm以上且40μm以下。
對於作為原料的銅箔基體10的至少一面施以表面處理來形成表面處理層20，而製造依據本實施形態的表面處理銅箔30。作為表面處理，實施將表面加以粗糙化之粗糙化處理和防鏽處理的一者或兩者。亦即，表面處理層20由藉由粗糙化處理所形成的粗糙化處理層21和藉由防鏽處理所形成的防鏽處理層22的一者或兩者所構成。當表面處理層20由粗糙化處理層21和防鏽處理層22的兩者所構成時，在銅箔基體10的面上形成粗糙化處理層21，並在其上形成防鏽處理層22。進一步，可在防鏽處理後施以使用了矽烷偶合劑等化學密接劑之化學密接劑處理，來在防鏽處理層22上形成矽烷偶合劑層等化學密接劑層。關於這些表面處理，將於下文詳述。
製造依據本實施形態的表面處理銅箔30時，為了提升前述溼潤性的目的，在一般的粗糙化處理前或後對於銅箔基體10的至少一面施以凹凸形成處理。然後，藉由這些一般的粗糙化處理和凹凸形成處理來形成粗糙化處理層21。此凹凸形成處理是以下處理：在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀。作為此凹凸形成處理的例子，可列舉：膠囊鍍覆處理及蝕刻凹凸處理。
首先，說明膠囊鍍覆處理的一例。在一般的粗糙化處理前施以膠囊鍍覆處理。藉由使用網格狀的陰極遮蔽板來在銅箔基體10的表面施以平滑的鍍銅(膠囊鍍覆)，從而在銅箔基體10的表面形成微細的凹凸形狀。藉由使用網格狀的陰極遮蔽板，能夠在銅箔基體10的表面形成具有均勻的偏差之凹凸形狀。
此時，藉由控制網格狀的陰極遮蔽板的開口率和電流密度、通電時間等鍍覆條件，能夠在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀。其結果，能夠良好地控制樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性。
作為鍍覆液，能夠使用一般使用的硫酸銅的鍍覆液。作為用於形成陰極遮蔽板的原材料，較理想是具有耐化學藥品性和絕緣性之材料，例如，較佳是氯乙烯、聚乙烯、聚對苯二甲酸丁二酯等樹脂。網格部分的開口面積較佳是1μm 2以上且100μm 2以下，更佳是10μm 2以上且100μm 2以下。又，網格部分的開口率較佳是5%以上且15%以下。若開口面積和開口率在上述數值範圍內，則能夠在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀，樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性變得良好。
繼而，說明蝕刻凹凸處理的一例。在一般的粗糙化處理後且防鏽處理前施以蝕刻凹凸處理。粗糙化處理後，在高電流密度且極短時間這樣的條件下，電沉積鎳(Ni)、鈷(Co)等具有耐化學藥品性之防鏽金屬，然後短時間浸漬於蝕刻液中來進行蝕刻，藉此在銅箔基體10的表面形成微細的凹凸形狀。 鎳的電沉積中能夠使用含有硫酸鎳、胺磺酸鎳等之一般的電解浴。又，電流密度例如能夠設為1.0A/dm 2以上，通電時間例如能夠設為0.5秒以上且2.0秒以下。
藉由以高電流密度且短時間電沉積防鏽金屬，能夠將防鏽金屬僅電沉積在藉由一般的粗糙化處理所形成的粗糙化粒子的頂部。因此，銅箔基體10的表面之中的粗糙化粒子的頂部以外的區域被蝕刻，而在銅箔基體10的表面之中的粗糙化粒子的頂部以外的區域形成微細的凹凸形狀。 又，藉由控制在蝕刻液中的浸漬時間等條件，能夠在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀。其結果，能夠良好地控制樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性。
作為蝕刻液，例如能夠使用硫酸-過氧化氫水的混合液和鹽酸等一般的銅蝕刻液。在蝕刻液中的浸漬時間例如能夠設為2秒以上且10秒以下。若在蝕刻液中的浸漬時間在上述數值範圍內，則能夠在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀，樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性變得良好，並且在之後的防鏽處理和化學密接劑處理的步驟中能夠對銅箔基體10的表面施以均勻的處理，能夠賦予良好的密接性和耐腐蝕性。
藉由如上所述的凹凸形成處理，能夠獲得一種銅箔基體10，該銅箔基體10具有使所貼合的樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性變得良好之表面。如前所述，能夠藉由依據固著液滴法所測得的蒸餾水的接觸角來評估樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性，銅箔貼合前的非轉印表面的蒸餾水接觸角θ 0與銅箔蝕刻後的轉印表面40a的蒸餾水接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1必須為5°以上且35°以下。
其中，較佳是：當依據ISO25178規定的方法來測定轉印表面40a的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.020μm以上且0.070μm以下，芯部的空間的容積Vvc為0.030mL/m 2以上且0.110mL/m 2以下。若轉印表面40a的算術平均粗糙度Sa和芯部的空間的容積Vvc在上述數值範圍內，則即使表面處理銅箔30的表面處理層20的表面粗糙度較小，轉印表面40a的溼潤性亦變得更良好，並且能夠進一步良好地保持電路的加工形狀。雖然不清楚其理由，但是被認為原因在於能夠良好地控制樹脂-銅箔界面部分的蝕刻量。
進一步，更佳是：當依據ISO25178規定的方法來測定轉印表面40a的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.020μm以上且0.051μm以下，芯部的空間的容積Vvc為0.030mL/m 2以上且0.071mL/m 2以下。若轉印表面40a的算術平均粗糙度Sa和芯部的空間的容積Vvc在上述數值範圍內，則能夠進一步抑制異物的發生。雖然不清楚其理由，但是被認為原因在於能夠限制異物進入的間隙。
如以上所述，藉由對於銅箔基體10的至少一面，施以為了提升溼潤性的目的而進行的凹凸形成處理和一般的粗糙化處理，能夠獲得依據本實施形態的表面處理銅箔30。所獲得的表面處理銅箔30的表面處理層20的表面粗糙度必須如以下所述。亦即，當依據ISO25178規定的方法來測定表面處理層20的表面20a的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa必須為0.04μm以上且0.30μm以下。為了更減少傳輸損失，表面處理層20的表面20a的算術平均粗糙度Sa較佳是0.04μm以上且0.20μm以下，更佳是0.04μm以上且0.150μm以下。
繼而，說明依據本實施形態的表面處理銅箔30的製造方法。能夠藉由依所記載的順序實行下述(1)～(5)的步驟來製造依據本實施形態的表面處理銅箔30。製造表面處理銅箔30時，為了提升溼潤性而實施凹凸形成處理，作為凹凸形成處理，列舉以下2個具體例來進行說明：使用膠囊鍍覆處理之例子、及使用蝕刻凹凸處理之例子。
[使用膠囊鍍覆處理之例子] (1)銅箔基體的製造 在依據本實施形態的表面處理銅箔30的製造中，較佳是使用具有不存在有粗大的凹凸的平滑且有光澤的表面之電解銅箔或軋製銅箔來作為銅箔基體10。其中，從生產性和成本的觀點來看，較佳是使用電解銅箔，尤其，更佳是使用一般稱為「雙面光澤箔」之雙面平滑的電解銅箔。
在通常的電解銅箔中，平滑且有光澤的表面是光面(S面)。在雙面光澤箔中，平滑且有光澤的表面是光面和毛面(M面)的雙面，但是更平滑且有光澤的面是毛面。在本實施形態中，更佳是：當使用任一電解銅箔時，皆對更平滑且有光澤的面施以下述粗糙化處理。
(2)膠囊鍍覆處理 為了提升溼潤性的目的而實行膠囊鍍覆處理，在銅箔基體10的至少一表面形成微細的凹凸形狀。膠囊鍍覆處理的內容如前所述，能夠藉由使用網格狀的陰極遮蔽板來對銅箔基體10的表面部分地施以鍍銅(膠囊鍍覆)。 將鍍覆液的組成和鍍覆條件的具體例示於下文。藉由適當地設定電流密度來僅對網格部分的開口部施以平滑的鍍銅(膠囊鍍覆)。其結果，能夠在不改變銅箔的表面整體的表面粗糙度的情形下形成微細的凹凸。
＜鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為50～65g/L 硫酸的濃度･･･80～170g/L ＜鍍覆處理的條件＞ 處理速度･･･5～18m/分鐘 電流密度･･･1～5A/dm 2
(3)粗糙化處理層的形成 較佳是實行例如如下述所示的二階段的鍍覆處理作為粗糙化處理。再者，可根據需要而不實行第二階段的固定鍍覆處理。 第一階段的粗糙化鍍覆處理在銅箔基體10的施以膠囊鍍覆處理後的表面上形成粗糙化粒子之處理。例如能夠藉由使用硫酸銅浴的鍍覆處理來實行第一階段的粗糙化鍍覆處理。將鍍覆液的組成和鍍覆條件的具體例示於下文。
硫酸銅浴中可為了防止粗糙化粒子的脫落、亦即「粉末掉落」的目的而添加含有鉬(Mo)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、鎢(W)等之添加劑，特佳是添加含有鉬之添加劑。
＜鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為5～15g/L 硫酸的濃度･･･120～250g/L 鉬酸銨的濃度･･･以鉬(原子)換算為500～1000mg/L
＜鍍覆處理的條件＞ 處理速度･･･8～22m/分鐘 電流密度･･･15～55A/dm 2處理時間･･･0.5～5.0秒 浴溫･･･8～20℃
第二階段的固定鍍覆處理是對施以第一階段的粗糙化鍍覆處理後的銅箔基體10實施平滑的覆蓋鍍覆之處理。藉此，在銅箔基體10的表面形成粗糙化處理層21。例如能夠藉由使用硫酸銅浴之鍍覆處理來實行第二階段的固定鍍覆處理。將鍍覆液的組成和鍍覆條件的具體例示於下文。
通常，此固定鍍覆處理是為了防止粗糙化粒子的脫落、亦即為了將粗糙化粒子固定化而實行。例如在覆銅積層板的製造中，當將使用了聚醯亞胺樹脂等較硬的樹脂之可撓基板與依據本實施形態的表面處理銅箔30加以組合時等，藉由對粗糙化面施以固定鍍覆處理，能夠防止粗糙化粒子的脫落。
＜鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為50～65g/L 硫酸的濃度･･･90～160g/L ＜鍍覆處理的條件＞ 處理速度･･･5～20m/分鐘 電流密度･･･1～7A/dm 2
(4)防鏽處理層的形成 可在粗糙化處理層21上直接或隔著中間層進一步形成矽烷偶合劑層。作為中間層，可列舉：含有鎳之基底層、含有鋅(Zn)之耐熱處理層、及鉻(Cr)之防鏽處理層22等。再者，中間層和矽烷偶合劑層由於其厚度非常薄，因此不會對表面處理銅箔30的粗糙化面中的粗糙化粒子的粒子形狀造成影響。表面處理銅箔30的粗糙化面中的粗糙化粒子的粒子形狀實質上是由與粗糙化面相對應的粗糙化處理層21的表面中的粗糙化粒子的粒子形狀所決定。
例如在有時銅箔基體10或粗糙化處理層21中的銅(Cu)擴散至樹脂製基材40側並發生銅害而密接性下降的情況下，基底層較佳是形成於粗糙化處理層21與矽烷偶合劑層之間。基底層較佳是以選自鎳、鎳-磷(P)、鎳-鋅、鎳-鉬之中的至少1種形成。
耐熱處理層較佳是在需要提升表面處理銅箔30的耐熱性的情況下形成。例如，耐熱處理層較佳是以鋅或含有鋅之合金形成。作為含有鋅之合金，可列舉：鋅-錫(Sn)合金、鋅-鎳合金、鋅-鈷合金、鋅-銅合金、鋅-鉬合金、鋅-鉻合金、鋅-釩(V)合金。
防鏽處理層22較佳是在需要進一步提升耐腐蝕性的情況下形成。作為防鏽處理層22，可列舉例如：藉由鍍鉻所形成的鉻層、藉由鉻酸鹽處理所形成的鉻酸鹽層。 當形成基底層、耐熱處理層、及防鏽處理層22的全部三層時，較佳依該順序形成於粗糙化處理層21上。又，亦可根據用途或目標的特性而僅形成基底層、耐熱處理層、及防鏽處理層22之中的任一層或二層。
(5)矽烷偶合劑層的形成 作為矽烷偶合劑層的形成方法，可列舉例如以下方法：在表面處理銅箔30的粗糙化處理層21的凹凸表面上直接或隔著中間層塗佈矽烷偶合劑溶液後，加以風乾(自然乾燥)或加熱乾燥來形成。只要所塗佈的偶合劑溶液中的水蒸發，則會形成矽烷偶合劑層。如果以50～180℃的溫度進行加熱乾燥，則會促進矽烷偶合劑與銅箔的反應，因此較佳。
矽烷偶合劑層較佳是含有環氧系矽烷偶合劑、胺基系矽烷偶合劑、乙烯基系矽烷偶合劑、甲基丙烯酸系矽烷偶合劑、丙烯酸系矽烷偶合劑、唑系矽烷偶合劑、苯乙烯基系矽烷偶合劑、脲基系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑、硫醚系矽烷偶合劑、異氰酸酯系矽烷偶合劑中的任1種以上。
[使用蝕刻凹凸處理之例子] (1)銅箔基體的製造 與使用膠囊鍍覆處理之例子的情況相同。 (2)粗糙化處理層的形成 與使用膠囊鍍覆處理之例子的情況相同。
(3)蝕刻凹凸處理 為了提升溼潤性的目的而實行蝕刻凹凸處理，在銅箔基體10的表面形成微細的凹凸形狀。蝕刻凹凸處理的內容如前所述，進一步詳細說明處理條件等。使用含有硫酸鎳且鎳濃度為30～150g/L之電解浴，將電流密度設為1.0～4.0A/dm 2並將通電時間設為0.5～2.0秒來實行電沉積，然後短時間浸漬於蝕刻液中來進行蝕刻，藉此能夠在銅箔基體10的表面形成不會對傳輸損失造成影響之程度的微細的凹凸形狀。
藉由此蝕刻凹凸處理來在藉由粗糙化處理所形成的粗糙化粒子的表面形成凹凸，作為其他的蝕刻方法，可列舉在含有鹽酸、硫酸、磷酸等無機酸之溶液中的浸漬處理。藉由將銅箔基體10浸漬於規定濃度的無機酸水溶液中數秒至數十秒左右，來在粗糙化粒子的表面形成微細的凹凸。例如若是在使用了鹽酸的情況下，則藉由在濃度5～20體積%的鹽酸中浸漬2秒以上，來在粗糙化粒子的表面形成微細的凹凸。
又，作為其他的蝕刻方法，除了在含有上述無機酸之溶液中的浸漬處理之外，亦能夠使用：在含有乙酸、甲酸等有機酸之溶液中的浸漬處理、在含有氯化鐵、氯化銅之溶液中的浸漬處理、藉由陽極氧化進行的電解蝕刻處理。這些方法可將2種以上加以組合來實行。
(4)防鏽處理層的形成 與使用膠囊鍍覆處理之例子的情況相同。 (5)矽烷偶合劑層的形成 與使用膠囊鍍覆處理之例子的情況相同。
(B)關於轉印表面的溼潤性 繼而，說明轉印表面40a的溼潤性的評估方法。製造覆銅積層板50和印刷線路板60時貼合在表面處理銅箔30上的樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性，能夠藉由依據JIS R3257：1999規定的固著液滴法所測得的蒸餾水的接觸角來進行評估。
對於與表面處理銅箔30貼合前的樹脂製基材40的表面之中的之後要與表面處理銅箔30貼合的表面，依據上述固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0。測定了銅箔貼合前的非轉印表面的蒸餾水接觸角θ 0之表面是未轉印有表面處理銅箔30的表面的形狀之非轉印表面。
又，在表面處理銅箔30的表面處理層20上貼合樹脂製基材40後，藉由蝕刻去除表面處理銅箔30，對於剩餘的樹脂製基材40的表面之中的作為與表面處理銅箔30貼合過的表面之表面，依據上述固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1。測定了銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1之表面是轉印有貼合過的表面處理銅箔30的表面的形狀之轉印表面40a。 然後，藉由接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1來評估樹脂製基材40的轉印表面40a的溼潤性。若接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1為5°以上且35°以下，則轉印表面40a的溼潤性良好。
如上所述，測定接觸角θ 0、接觸角θ 1時使用的樹脂製構件可以是與製造覆銅積層板50和印刷線路板60時使用的樹脂製基材40相同種類，亦可使用不同種類來測定接觸角θ 0、接觸角θ 1。亦即，所謂製造覆銅積層板50和印刷線路板60時使用的樹脂製基材40，可使用樹脂的種類和形狀、尺寸等不同的構件作為樹脂製構件。
用於形成測定接觸角θ 0、接觸角θ 1時使用的樹脂製構件之樹脂的種類可以是熱硬化性樹脂等硬化性樹脂，亦可以是熱塑性樹脂。在硬化性樹脂的情況下，是使樹脂製構件硬化後測定接觸角θ 0和接觸角θ 1。亦即，在接觸角θ 1的情況下，將硬化前的樹脂製構件貼合在表面處理銅箔30的表面處理層20上，使樹脂製構件硬化後，藉由蝕刻去除表面處理銅箔30。然後，對於樹脂製構件的表面之中的轉印表面，依據上述固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1。
(C)關於覆銅積層板 依據本實施形態的覆銅積層板50的構成並無特別限定，其具備表面處理銅箔30及樹脂製基材40。而且，樹脂製基材40被貼合於表面處理銅箔30的表面處理層20上。此覆銅積層板50例如能夠用於印刷線路板60的製造。 再者，作為用於形成樹脂製基材40的樹脂，可列舉例如：環氧樹脂、聚苯醚、酚樹脂、雙(苯氧基苯氧基)苯、聚醯亞胺、液晶聚合物、氟樹脂(例如聚四氟乙烯)。
(D)關於印刷線路板 依據本實施形態的印刷線路板60的構成並無特別限定，其具備依據本實施形態的覆銅積層板50。例如，只要對覆銅積層板50的表面處理銅箔30進行蝕刻來形成電路31後，以覆蓋電路31的方式貼合另一樹脂製基材41，就能夠獲得印刷線路板60(參照圖3的(d))。以覆蓋電路31的方式貼合的樹脂製基材41可以是與覆銅積層板50的樹脂製基材40相同種類，亦可以是不同種類。
[實施例] 以下示出實施例及比較例來進一步具體說明本發明。首先，比較例7的表面處理銅箔是根據專利文獻1所記載之製造方法來製得。以下同樣，比較例8的表面處理銅箔是根據專利文獻2所記載之製造方法來製得，比較例9的表面處理銅箔是根據專利文獻3所記載之製造方法來製得，比較例10的表面處理銅箔是根據專利文獻4所記載之製造方法來製得，比較例11的表面處理銅箔根據專利文獻5所記載之製造方法來製得。
繼而，實施例1～23及比較例1～6、12～14的表面處理銅箔是根據以下說明的順序來製得。 (i)銅箔基體 製作厚度18μm的卷狀的電解銅箔(雙面光澤箔)，來作為用以製造實施例1～23及比較例1～6、12～14的表面處理銅箔的原料即銅箔基體。用於電解銅箔的製作之陰極是藉由＃1000～＃2000的拋光研磨來調整表面粗糙度後的鈦製的旋轉筒，陽極是尺寸穩定性陽極DSA(註冊商標)。將電解液的組成、電解條件示於下文。
＜電解液的組成＞ 銅：75g/L 硫酸：65g/L 氯：20mg/L 3-巰基-1-丙磺酸鈉：2mg/L 羥乙基纖維素：10mg/L 低分子量膠(分子量3000)：50mg/L ＜電解條件＞ 浴溫：50℃ 電流密度：45A/dm 2
繼而，對於以上述方式製作的銅箔基體，施以前述一般的粗糙化處理和為了提升溼潤性的目的之凹凸形成處理。關於實施例1～8、17～23及比較例2、3、6，對於銅箔基體施以為了提升溼潤性的目的之凹凸形成處理即膠囊鍍覆處理後，施以一般的粗糙化處理。關於實施例9～16及比較例4、5，對於銅箔基體施以一般的粗糙化處理後，施以為了提升溼潤性的目的之凹凸形成處理即蝕刻凹凸處理。以下說明一般的粗糙化處理、膠囊鍍覆處理、蝕刻凹凸處理。
(ii)一般的粗糙化處理 對於銅箔基體的毛面以卷對卷方式施以粗糙化處理。此粗糙化處理是二階段的電鍍處理。將第一階段的電鍍處理的鍍覆液的組成和鍍覆條件示於下文。又，將第二階段的電鍍處理(固定鍍覆處理)的鍍覆液的組成和鍍覆條件示於下文。藉由變更第一階段的電鍍處理的電流密度和通電時間如表1、2所示，來在銅箔的表面上形成具有不同的高度、形狀之粗糙化粒子。
＜第一階段的電鍍處理的鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為10g/L 硫酸的濃度･･･150g/L 鉬酸銨的濃度･･･以鉬(原子)換算為600mg/L ＜第一階段的電鍍處理的條件＞ 處理速度･･･15m/分鐘 電流密度･･･15～55A/dm 2浴溫･･･15℃ 通電時間･･･4～6秒
＜第二階段的電鍍處理的鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為55g/L 硫酸的濃度･･･120g/L ＜第二階段的電鍍處理的條件＞ 處理速度･･･15m/分鐘 電流密度･･･2A/dm 2通電時間･･･3秒
(iii)膠囊鍍覆處理 對於銅箔基體以卷對卷方式施以作為凹凸形成處理的膠囊鍍覆處理。將開口面積為50μm 2且開口率為5～15%的網格狀陰極遮蔽板設置於電解浴內的銅箔基體的附近，使用下述組成的鍍覆液來在下述鍍覆條件下實行電鍍處理。藉由變更陰極遮蔽板的開口率、電鍍的電流密度和通電時間如表1、2所示，來製成具有不同表面凹凸之銅箔基體。
＜鍍覆液的組成＞ 硫酸銅五水合物的濃度･･･以銅(原子)換算為60g/L 硫酸的濃度･･･150g/L ＜鍍覆處理的條件＞ 處理速度･･･18m/分鐘
(iv)蝕刻凹凸處理 對於經施以粗糙化處理的銅箔基體的經施以粗糙化處理的面，施以作為凹凸形成處理的蝕刻凹凸處理。蝕刻凹凸處理是電沉積鎳後浸漬於蝕刻液中加以蝕刻之處理，將用於電沉積的電解液的組成、電沉積的條件、蝕刻的條件示於下文。藉由變更電沉積的電流密度和通電時間、及蝕刻的處理時間如表1、2所示，來製成具有不同表面凹凸之銅箔基體。
＜電解液的組成＞ 鎳的濃度･･･60g/L 硼酸(H 3BO 3)的濃度･･･15g/L 浴溫･･･20℃ pH･･･3.5
＜電沉積的條件＞ 電流密度･･･1～2.5A/dm 2通電時間･･･1～3秒 ＜蝕刻的條件＞ 蝕刻液･･･濃度10體積%的鹽酸 浴溫･･･30℃ 處理時間･･･0.5～2秒
(v)防鏽處理 繼而，對經以上述方式施以粗糙化處理和凹凸形成處理的銅箔基體的經施以該處理的表面施以防鏽處理，來形成防鏽處理層。防鏽處理是依序施以鍍鎳、鍍鋅、鍍鉻之處理。示出鍍鎳、鍍鋅、鍍鉻的條件。
＜鎳鍍覆液的組成＞ 鎳的濃度･･･45g/L 硼酸的濃度･･･20g/L 浴溫･･･20℃ pH･･･3.5 ＜鍍鎳的條件＞ 電流密度：0.4A/dm 2處理時間：8秒
＜鋅鍍覆液的組成＞ 鋅的濃度･･･2.5g/L 氫氧化鈉(NaOH)的濃度･･･25g/L 浴溫･･･20℃ ＜鍍鋅的條件＞ 電流密度：0.7A/dm 2處理時間：4秒
＜鉻鍍覆液的組成＞ 鉻的濃度･･･8g/L 浴溫･･･30℃ pH･･･2.4 ＜鍍鉻的條件＞ 電流密度：5A/dm 2處理時間：4秒
(vi)矽烷偶合劑處理 最後，施以矽烷偶合劑處理，在防鏽處理層的最外表面的鍍鉻層上形成矽烷偶合劑層。藉由塗佈濃度0.2質量%的3-胺基丙基三甲氧基矽烷水溶液並以100℃加以乾燥來實行矽烷偶合劑層的形成。
[表1]
[表2]
對於以上述方式獲得的實施例1～23及比較例1～14的表面處理銅箔實行各種評估。以下說明評估項目和評估方法。又，評估結果示於表1、2。 ＜蒸餾水的接觸角＞ 在表面處理銅箔的表面處理層(亦即矽烷偶合劑層)上貼合樹脂製構件來製成覆銅積層板。作為樹脂製構件，使用下述之物。亦即，關於實施例1～20及比較例1～11，使用將2片低介電聚苯醚系樹脂基材膜(Panasonic股份有限公司製造的超低傳輸損失/高耐熱多層基板材料MEGTRON7N(商品名)，厚度60μm)重疊並加以貼合而得者來作為樹脂製構件。
又，關於實施例21及比較例12，是使用台燿科技股份有限公司製造的ThunderClad3＋(商品名)，關於實施例22及比較例13，是使用NIPPON STEEL Chemical & Material股份有限公司製造的ESPANEX(註冊商標)，關於實施例23及比較例14，是使用可樂麗股份有限公司製造的液晶聚合物膜Vecstar(註冊商標)。 再者，表面處理銅箔與樹脂製構件的貼合是在遵照各樹脂的製程指南之條件下實行。
使用作為蝕刻液的氯化銅與鹽酸之混合液來對此覆銅積層板進行蝕刻，將表面處理銅箔全部去除。對剩餘的樹脂製構件充分進行水洗後，對於樹脂製構件的貼合過表面處理銅箔之表面(轉印表面)，根據JIS R3257：1999規定的固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1。
另一方面，另外準備與接合於表面處理銅箔的表面處理層上的樹脂製構件相同種類的樹脂製構件，對於此另一樹脂製構件，在不貼合表面處理銅箔的情形下，實行與製作覆銅積層板時的上述順序相同的操作，對於其表面(非轉印表面)依據上述固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0。然而，計算接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1。
＜表面處理銅箔的算術平均粗糙度Sa及樹脂製構件的算術平均粗糙度Sa、芯部的空間的容積Vvc＞ 使用基恩斯股份有限公司製造的雷射共軛焦顯微鏡VK-X1050和VK-X1000，依照ISO25178來測定表面處理銅箔的表面處理層(亦即矽烷偶合劑層)的表面的算術平均粗糙度Sa、及測定銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1後的樹脂製構件的轉印表面的算術平均粗糙度Sa、芯部的空間的容積Vvc。
再者，雷射共軛焦顯微鏡的物鏡倍率為100倍，掃描模式是雷射共軛焦，測定尺寸為2048×1536，測定品質為高精度(High Precision)，間距(pitch)為0.08μm。 又，算術平均粗糙度Sa、芯部的空間的容積Vvc的演算是依以下所示的濾波器處理和演算條件實行。
圖像處理：平滑化處理、3×3、中值(median) S濾波器：無 F-操作(F-operation)：平面傾斜補正 L濾波器：0.025μm 演算對象面積：100μm×100μm 負載曲線的負載面積率：10%和90%
＜電路加工性＞ 在為了測定銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1而製作者相同的覆銅積層板的表面處理銅箔上，藉由減去法形成線距和間距(L&S)為50/50μm的阻劑圖案。然後，實行表面處理銅箔的蝕刻，而形成具有線路圖案之電路。作為阻劑，是使用乾蝕膜，作為蝕刻液，是使用含有氯化銅和鹽酸之混合液。
然後，測定所獲得的電路的蝕刻因子(Ef)。所謂蝕刻因子，是將銅箔的厚度設為H，將所形成的電路的底部寬度設為B，將所形成的電路的頂部寬度設為T時以式Ef＝2H／(B－T)表示的值。 切割形成有電路的覆銅積層板，來露出與樹脂製構件的表面正交之剖面，利用掃描式電子顯微鏡觀察電路的剖面。然後，測定圖2所示的剖面上的角度X和角度Y。角度X是連結電路31的頂部端部31a與底部端部31b之直線與樹脂製構件的表面所成之角度。角度Y是電路31的底部端部31b的切線與樹脂製構件的表面所成之角度。
更詳細定義電路31的底部端部31b的切線。在從樹脂製構件的底部側的表面起算高度為1.5μm的位置畫出與樹脂製構件的表面平行的直線，將連接該直線與電路31的側面的交點31c與底部端部31b之直線定義為「電路31的底部端部31b的切線」，將此切線與樹脂製構件的表面所成之角度定義為角度Y。
對於1個電路觀察任意5個剖面，分別測定角度X和角度Y。然後，對於角度X、角度Y皆計算5個測定值的平均值。將結果示於表1、2。在表1、2中，Ef為2.5以上且角度Y比角度X更大者表示為「A」，Ef為2.0以上但小於2.5且角度Y比角度X更大者表示為「B」，除此以外者表示為「C」。再者，圖2的(a)是示出角度Y比角度X更小之電路31的例子的圖，圖2的(b)是示出角度Y比角度X更大之電路31的例子的圖。
＜傳輸損失＞ 使用與為了測定銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1而製作者相同的覆銅積層板來製作形成有帶狀線路之印刷線路板，評估傳輸特性。形成於此印刷線路板上的帶狀線路的電路寬度設為140μm，電路長度設為76mm。
使用Keysight Technologies公司製造的網路分析儀N5291A(商品名)來對形成於此印刷線路板上的電路傳輸高頻訊號，測定傳輸損失。特性阻抗設為50Ω。傳輸損失的測定值意指絕對值越小，傳輸損失越少(亦即能夠良好地傳輸高頻訊號)。將結果示於表1、2。在表1、2中，當40GHz時的傳輸損失的絕對值小於3.0dB/76mm時表示為「A」，當為3.0dB/76mm以上且小於3.6dB／76mm時表示為「B」，當為3.6dB/76mm以上時表示為「C」。
＜異物的發生＞ 使用作為蝕刻液的氯化銅與鹽酸之混合液來對與為了測定銅箔蝕刻後的轉印表面的蒸餾水接觸角θ 1而製作者相同的覆銅積層板進行蝕刻，將表面處理銅箔全部去除。對剩餘的樹脂製構件充分進行水洗後，對樹脂製構件的貼合過表面處理銅箔之表面(轉印表面)依序重疊用於製作上述覆銅積層板的樹脂製構件相同種類的樹脂製構件及表面處理銅箔來加以貼合，進一步依與上述相同的順序進行蝕刻來將面處理銅箔全部去除。藉此，獲得由2個樹脂製構件貼合而成之樹脂製試料。
繼而，裁切所獲得的樹脂製試料，製程單邊為5cm的正方形。然後，利用顯微鏡以放大35倍的方式觀察所裁切的樹脂製試料，測定直徑為1mm以上的黑點的數量。此黑點是由產生於所貼合的2個樹脂製構件之間的異物所引起。顯微鏡的觀察是用以下方式實行：從後來貼合的樹脂製構件的一側觀察最初構成覆銅積層板的樹脂製構件的轉印表面。將結果示於表1、2。在表1、2中，當每1個所裁切的樹脂製試料的黑點的個數為2個以下時表示為「A」，當為3個以上且5個以下時表示為「B」，當超過5個時表示為「C」。
由表1、2可知，實施例1～23的表面處理銅箔儘管表面處理層的表面的算術平均粗糙度Sa被控制在0.04μm以上且0.30μm以下之間，但用於表示樹脂製基材的轉印表面的溼潤性之接觸角θ 0與接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1得到良好的控制，因此電路加工性優異，並且不易產生傳輸損失及發生異物的情形。
又，其中，實施例1～4、10～14、17、18、21～23的表面處理銅箔由於樹脂製基材的轉印表面的算術平均粗糙度Sa和芯部的空間的容積Vvc得到良好的控制，因此電路加工性進一步優異，並且進一步不易產生發生異物的情形。 相對於此，比較例1～14的表面處理銅箔由於樹脂製基材的轉印表面的溼潤性較低，因此電路加工性、傳輸損失、及異物的發生之中的任一特性皆不充分。
10:銅箔基體 20:表面處理層 20a:表面處理層的表面 21:粗糙化處理層 22:防鏽處理層 30:表面處理銅箔 31:電路 31a:頂部端部 31b:底部端部 40:樹脂製基材(樹脂製構件) 40a:轉印表面 41:樹脂製基材 50:覆銅積層板 60:印刷線路板 100:異物
圖1是說明依據本發明的一實施形態的表面處理銅箔的構成之剖面圖。 圖2是說明樹脂製基材的轉印表面的溼潤性之圖。 圖3是說明依據本發明的一實施形態的覆銅積層板及印刷線路板的製造方法之圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
20a:表面處理層的表面
30:表面處理銅箔
31:電路
40:樹脂製基材(樹脂製構件)
40a:轉印表面
41:樹脂製基材
50:覆銅積層板
60:印刷線路板
100:異物

Claims (5)

  1. 一種表面處理銅箔，其具有：銅箔基體；及，表面處理層，其形成於前述銅箔基體的至少一面；其中， 前述表面處理層由粗糙化處理層和防鏽處理層的一者或兩者所構成， 當依據ISO25178規定的方法來測定前述表面處理層的表面的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.04μm以上且0.30μm以下， 在前述表面處理銅箔的前述表面處理層上貼合樹脂製構件後，藉由蝕刻去除前述表面處理銅箔，對於剩餘的前述樹脂製構件的與前述表面處理銅箔貼合過的表面即轉印表面，依據JIS R3257：1999規定的固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 1，並且對於與前述表面處理銅箔貼合前的前述樹脂製構件的之後要與前述表面處理銅箔貼合之表面即非轉印表面，依據前述固著液滴法來測定蒸餾水的接觸角θ 0時，前述接觸角θ 0與前述接觸角θ 1的差值θ 0－θ 1為5°以上且35°以下。
  2. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，當依據ISO25178規定的方法來測定前述轉印表面的光學式粗糙度時，算術平均粗糙度Sa為0.020μm以上且0.070μm以下，芯部的空間的容積Vvc為0.030mL/m 2以上且0.110mL/m 2以下。
  3. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，當依據ISO25178規定的方法來測定前述轉印表面的光學式粗糙度，算術平均粗糙度Sa為0.020μm以上且0.051μm以下，芯部的空間的容積Vvc為0.030mL/m 2以上且0.071mL/m 2以下。
  4. 一種覆銅積層板，其具備：請求項1～3中任一項所述之表面處理銅箔；及，樹脂製基材，其貼合於前述表面處理銅箔的前述表面處理層上。
  5. 一種印刷線路板，其具備請求項4所述之覆銅積層板。
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