CN108349153B - 双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器 - Google Patents

双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器 Download PDF

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Abstract

本发明提供元件加工性和高温耐电压特性优异的双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器。本发明是一种以聚丙烯树脂作为主成分的双轴取向聚丙烯膜，其至少一面的算术平均粗糙度SRa为0.03～0.10μm，至少一面的最大谷深度SRv为0.10～0.50μm，并且在至少一面中通过非接触表面形状测定得到的、1,252×939μm的范围的视场面积中存在的、深度0.05μm以上的谷侧空隙体积为100～10,000μm3。

Description

双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器
技术领域
本发明涉及在作为膜电容器用电介质使用的情况加工时的移送性优异、且高温下耐电压特性也优异的双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器。具体地说，涉及元件加工性和高温耐电压特性优异、能够很好地用作膜电容器用电介质的双轴取向聚丙烯膜。
背景技术
双轴取向聚丙烯膜由于透明性、机械特性、电气特性等优异，因而，被用于包装用途、带用途、以电缆包皮、电容器为代表的电气用途等各种用途。
其中，对于电容器用途而言，由于其优异的耐电压特性、低损失特性，特别优选用于高电压电容器，不受直流用途、交流用途的限制。最近，各种电气设备被变流器(inverter)化，随之而来的是，电容器的小型化、大容量化的要求进一步增强。在要求电容器的小型化、大容量化的市场中，尤其是要满足汽车用途(包含混合动力汽车用途)、太阳能发电、风力发电用途的要求，为此，目前的情况是必须要提高双轴取向聚丙烯膜的耐电压性，同时使膜耐热化。
作为提高高温下的耐电压特性的手段，可以想到控制双轴取向聚丙烯膜的表面形状变得均匀是有效的。已经提出了参照例如，通过改变使用的聚丙烯树脂的分子结构的特性，能够控制β晶的生成比例、β晶的熔解，通过这样，能够控制在膜的表面形成的突起部总体积等的表面形状，提高耐电压特性(参照例如专利文献1)。专利文献1中在膜表面不仅生成了突起，而且还生成了谷部。本发明人发现，当膜表面形成的谷部的深度和体积变大时，容易发生绝缘击穿，但在专利文献1中对膜表面的谷部没有记载也没有暗示。此外，专利文献1的膜不能满足现在的电容器所要求的高温耐电压特性。
此外还提出了以下方法：通过添加支链状聚丙烯、控制聚丙烯的球晶尺寸，来控制膜的表面凹凸、光泽度等的表面形状，提高耐电压特性(参照例如专利文献2、3)。但是专利文献2和3中关于在膜表面形成的谷部和绝缘击穿之间的相关性没有任何记载。专利文献2和3的膜不能满足现在的电容器所要求的高温耐电压特性。
进而还提出了以下方法(参照例如专利文献4)：在将熔融聚合物片化的工序中，通过控制气刀的条件来控制表面形状、提高加工适应性和耐电压特性的方法。但是专利文献4中关于在膜表面形成的谷部和绝缘击穿之间的相关性没有任何记载。专利文献4的膜不能满足现在的电容器所要求的高温耐电压特性。
已经提出了，通过控制膜的表面粗糙度、突起部的个数来兼顾元件加工性和绝缘电阻的电容器用聚酯膜(参照例如专利文献5)。专利文献5具有能够控制谷部等的表面形状的可能性。但是聚酯膜的表面形成状况根据粒子含有情况而异,即使在聚丙烯膜中含有粒子的情况下进行膜的表面形成，也不能得到高温耐电压特性优异的膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-231584号公报
专利文献2:日本特开2007-246898号公报
专利文献3:日本特开2011-122142号公报
专利文献4:日本特开2011-122143号公报
专利文献5:日本特许第3829424号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的课题在于解决上述问题。即、提供以聚丙烯树脂作为主成分、元件加工性优异、且高温耐电压特性也优异的双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器。
解决课题的手段
上述课题可以通过以下双轴取向聚丙烯膜来实现：一种以聚丙烯树脂作为主成分的双轴取向聚丙烯膜，其至少一面的算术平均粗糙度SRa为0.03～0.10μm，至少一面的最大谷深度SRv为0.10～0.50μm，并且在至少一面中通过非接触表面形状测定得到的、1,252×939μm的范围的视场面积中存在的、深度0.05μm以上的谷侧空隙体积为100～10,000μm3。
发明效果
本发明的双轴取向聚丙烯膜，在作为电容器用电介质使用时，元件加工性和高温耐电压特性优异，能够很好地作为电容器用电介质使用。
具体实施方式
下面更具体地对本发明的双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器予以说明。
本发明的双轴取向聚丙烯膜由以聚丙烯树脂作为主成分的聚丙烯树脂组合物形成。再者，“主成分”表示聚丙烯树脂在聚丙烯树脂组合物中占据的比例为80质量％以上，更优选为85质量％以上、进而优选为90质量％以上、特别优选为95质量％以上。
作为聚丙烯树脂，主要可以使用丙烯的均聚物，但在不破坏本发明的目的限度内，也可以使用丙烯和其它不饱和烃形成的共聚成分等，也可以在丙烯均聚物中掺混由丙烯和其它不饱和烃形成的共聚物。作为构成这种共聚成分的单体成分，可以列举出例如乙烯、丙烯(共聚了掺混物的情况)、1-丁烯、1-戊烯、3-甲基戊烯-1、3-甲基丁烯-1、1-己烯、4-甲基戊烯-1、5-乙基己烯-1、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十七碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯、乙烯基环己烯、苯乙烯、烯丙基苯、环戊烯、降冰片烯、5-甲基-2-降冰片烯等。其它不饱和烃的共聚量或共聚物的掺混量，从高温耐电压特性、尺寸稳定性的观点出发，优选在丙烯树脂中上述其它不饱和烃的比例小于1mol％。
构成本发明的双轴取向聚丙烯膜的上述聚丙烯树脂的冷二甲苯可溶部(下面记作CXS)优选为4质量％以下。这里的CXS是指，在使膜在135℃的二甲苯中完全溶解后，在20℃下使其析出时，在二甲苯中溶解的聚丙烯成分，可以认为其相当于由于立体规整性低、分子量低等的原因而难以结晶化的成分。更优选聚丙烯树脂的CXS为3质量％以下，进而优选为2质量％以下，特别优选是1质量％以下。CXS大于4质量％时，有时双轴取向聚丙烯膜的高温耐电压特性、尺寸稳定性差。为了使聚丙烯树脂的CXS在上述范围内，有提高得到聚丙烯树脂时的催化剂活性的方法、将得到的聚丙烯树脂用溶剂或丙烯单体本身洗涤的方法等。
构成本发明的双轴取向聚丙烯膜的上述聚丙烯树脂的全同立构五单元组分率(mmmm)优选为0.950～0.990的范围内，更优选为0.960～0.990，进而优选为0.970～0.990，特别优选是0.970～0.985。全同立构五单元组分率是由核磁共振法(所谓NMR法)测定的、显示聚丙烯的结晶相的立体规整性的指标，该数值越高，则结晶化度、熔点越高，不仅在室温而且在高温下耐电压特性优异，所以优选。聚丙烯树脂的全同立构五单元组分率小于0.950时，有时高温耐电压特性、尺寸稳定性差，另一方面在聚丙烯树脂的全同立构五单元组分率大于0.990时，制膜性差，不能稳定地得到双轴取向聚丙烯膜，结晶性变得过高，高温耐电压特性有时降低。为了使聚丙烯树脂的全同立构五单元组分率在上述范围内，优选采用以下方法：将在正庚烷等溶剂中得到的聚丙烯树脂粉末洗涤的方法、以及适当地对催化剂和/或助催化剂进行选择、对聚丙烯树脂组合物的成分进行选择的方法等。
构成本发明的双轴取向聚丙烯膜的上述聚丙烯树脂的熔体流动速率(以下记作MFR)，在依照JIS K 7210(1995)的条件M(230℃、2.16kg)进行测定的情况中,优选为0.5～10g/10分、更优选1～8g/10分，进而优选为1.5～5g/10分，特别优选是2～5g/10分。聚丙烯树脂的MFR小于0.5g/10分时，制膜性差，有时难以稳定地得到双轴取向聚丙烯膜，另一方面在聚丙烯树脂的MFR大于10g/10分时，有时高温耐电压特性差。为了使聚丙烯树脂的MFR在上述范围内，优选采用控制聚丙烯树脂的平均分子量、分子量分布的方法等。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，从元件加工性的观点，至少一面的算术平均粗糙度SRa为0.03～0.10μm。更优选算术平均粗糙度SRa为0.03～0.08μm，进而优选为0.04～0.07μm，特别优选是0.04～0.06μm。算术平均粗糙度SRa小于0.03μm时，滑动性变差，在制膜和加工时的膜移送工序中容易发生移送褶皱，膜卷的卷样子恶化，有时会造成膜破裂。另一方面在算术平均粗糙度SRa大于0.10μm时，在制膜和加工时的膜移送工序中容易发生膜的蜿蜒移动，有时膜卷的卷样子恶化。如果至少一面的算术平均粗糙度SRa满足上述范围，则与该面接触的移送辊和该面的滑动性变得良好，加工性提高。特别在算术平均粗糙度SRa在两面都满足上述范围时，膜两面都与移送辊的滑动性良好，所以不论膜移送工序中装置的辊配置如何，都能够得到加工性优异的结果，所以更优选。为了将算术平均粗糙度SRa控制在上述范围内，只要是使用上述聚丙烯树脂、如后面那样在特定条件下进行制膜时的流延工序即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，从高温耐电压特性的观点至少一面的最大谷深度SRv为0.10～0.50μm。更优选最大谷深度SRv是0.10～0.40μm，进而优选是0.10～0.30μm，特别优选是0.10～0.20μm。最大谷深度SRv大于0.50μm时，容易发生绝缘击穿，高温耐电压特性有时会降低。本发明的双轴取向聚丙烯膜，从通过后续的拉伸工序使流延片中形成的结晶变形的观点使膜表面的凹凸完全变没，这通常是困难的,最大谷深度SRv实质上0.10μm为下限。在至少一面的最大谷深度SRv满足上述范围的情况，耐电压特性变得良好，但特别在最大谷深度SRv在两面都满足上述范围的情况，膜全体容易发生绝缘击穿的谷部分变小，所以这从耐电压特性的观点更优选。为了将最大谷深度SRv控制在上述范围内，只要是使用上述聚丙烯树脂、如后面所讲那样使膜制膜时的流延工序在特定的条件下进行即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，基于高温耐电压特性的观点，在至少一面中由非接触表面形状测定得到的1,252×939μm的范围的视场面积中存在的、深度0.05μm以上的谷侧空隙体积为100～10,000μm3。更优选谷侧空隙体积为100～8,000μm3，进而优选为100～6,000μm3，特别优选是100～5,000μm3。谷侧空隙体积大于10,000μm3时，容易发生绝缘击穿，有时高温耐电压特性降低。本发明的双轴取向聚丙烯膜，从通过后续的拉伸工序使流延片中形成的结晶变形的观点，使膜表面的凹凸完全变没，这通常是困难的,谷侧空隙体积实质上100μm3为下限。在至少一面的谷侧空隙体积满足上述范围的情况，耐电压特性变得良好，特别在谷侧空隙体积在两面都满足上述范围的情况，膜全体容易发生绝缘击穿的谷部分变小，所以在耐电压特性方面更优选。为了将谷侧空隙体积控制在上述范围内，只要是使用上述聚丙烯树脂、如后面所讲那样使膜制膜时的流延工序在特定的条件下进行即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，从元件加工性的观点优选至少一面的最大山高SRp为0.30～1.0μm。更优选最大山高SRp为0.50～0.95μm，进而优选为0.55～0.90μm，特别优选是0.60～0.85μm。最大山高SRp小于0.30μm时，滑动性变差，在制膜和加工时的膜移送工序中容易发生移送褶皱，或膜卷的卷样子恶化，有时会发生膜破裂。另一方面在最大山高SRp大于1.0μm时，在将膜卷成筒状时，有时膜卷塌陷、卷的样子恶化。此外，高温耐电压特性有时还降低。如果至少一面的最大山高SRp满足上述范围，则与该面接触的移送辊和该面之间的滑动性变得良好、加工性提高。特别是在最大山高SRp在两面都满足上述范围时，膜两面都与移送辊的滑动性良好，所以无论膜移送工序中装置的辊配置如何，都得到了加工性优异的结果，所以更优选。为了将最大山高SRp控制在上述范围内，只要是使用上述聚丙烯树脂，如后面所讲那样使膜制膜时的流延工序在特定的条件下进行即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，从元件加工性和高温耐电压特性的兼顾的观点，优选至少一面的最大谷深度SRv和最大山高SRp之比SRp/SRv为2.0以上。更优选SRp/SRv为2.5以上，进而优选为3.5以上，特别优选为4.0以上。SRp/SRv小于2.0时，表示山部低、或谷部深，有时难以兼顾元件加工性和高温耐电压特性。在至少一面的SRp/SRv满足上述范围的情况，有耐电压特性变得良好的倾向，特别是在SRp/SRv两面都满足上述范围的情况，容易兼顾元件加工性和高温耐电压特性，尤其是无论膜移送工序中装置的辊配置如何，都得到了加工性优异的结果，所以更优选。为了将SRp/SRv控制上述范围内，只要是使用上述聚丙烯树脂，如后面所讲那样使制膜时的流延工序在特定的条件下进行即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，膜厚t优选为1.0～10μm。膜厚t更优选为1.2～7μm，进而优选为1.5～5μm，特别优选为1.5～3μm。膜厚t小于1.0μm时，机械强度、高温耐电压特性变差，有时在制膜和加工时发生膜破裂。另一方面在膜厚t大于10μm时，在作为电容器用电介质使用时单位体积的容量有时会变小。为了将膜厚t控制在上述范围内，可以在形成片时调整树脂的吐出量，调整拉伸比(draft ratio)进行适当地设定。膜厚t越薄，则越容易在制膜时发生膜破裂，所以使用上述聚丙烯树脂、如后面所讲那样使膜制膜时的纵拉伸工序、横拉伸工序在特定的条件下进行，能够稳定地制膜。
本发明的双轴取向聚丙烯膜的膜厚t与至少一面的最大谷深度SRv之比SRv/t优选为0.30以下。更优选SRv/t为0.15以下，进而优选为0.10以下，特别优选是0.080以下。SRv/t大于0.30时，单位膜厚的谷部的比例变大、高温耐电压特性有时降低。在至少一面的SRv/t满足上述范围的情况，耐电压特性有变得良好的倾向，但特别是在SRv/t在两面都满足上述范围的情况，膜两面上容易发生绝缘击穿的谷部分都变浅，所以在耐电压特性方面更优选。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，光泽度在两面都优选为120～150％。光泽度在两面都更优选为123～145％，进而优选为125～140％，特别优选为128～138％。在至少一面的光泽度小于120％的情况，膜表面的光散射的密度增加。这表示在膜表面存在大量凹凸，由于该凹凸，有时高温耐电压特性降低。另一方面在至少一面的光泽度大于150％时，在膜表面上凹凸少，所以滑动性变差，在制膜和加工时的膜移送工序中容易发生移送褶皱，膜卷的卷样子恶化，有时会发生膜破裂。为了使该膜的光泽度在两面都在上述范围内，可以使用上述聚丙烯树脂，如后面所讲那样使制膜时的流延工序在特定的条件下进行而实现。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，出于提高制膜性、控制膜表面形状的目的，也可以含有支链状聚丙烯。在这种情况，支链状聚丙烯优选是在230℃下测定时得到的熔融张力(MS)和熔体流动速率(MFR)满足log(MS)＞-0.56log(MFR)+0.74的关系式的支链状聚丙烯。为了得到在230℃测定时得到的熔融张力(MS)和熔体流动速率(MFR)满足log(MS)＞-0.56log(MFR)+0.74的关系式的支链状聚丙烯，优选使用掺混含有大量高分子量成分的聚丙烯的方法、掺混具有支链结构的低聚物或聚合物的方法、日本特开昭62-121704号公报中记载的在聚丙烯分子中导入长支链结构的方法、或日本特许第2869606号公报中记载的方法等。具体地可以例示出LyondellBasell公司制“Profax(商标)PF-814”、Borealis公司制“DaployHMS-PP”(WB130HMS、WB135HMS等)，其中，通过电子束交联法得到的树脂，该树脂中的凝胶成分少，所以优选使用。再者，这里的支链状聚丙烯是指相对于碳原子10,000个，具有5个位置以下的内部3取代烯烃的聚丙烯，该内部3取代烯烃的存在可以通过1H-NMR谱图的质子比来确认。支链状聚丙烯具有α晶核剂的作用，同时如果是一定范围的添加量，还能够根据结晶形态而形成粗面。具体地说，能够将在熔融挤出的树脂片的冷却工序中生成的聚丙烯的球晶尺寸控制得较小，抑制在拉伸工序生成的绝缘缺陷的发生，得到高温耐电压特性优异的双轴取向聚丙烯膜。
在本发明的双轴取向聚丙烯膜中含有支链状聚丙烯的情况，含量优选为0.05～3质量％、更优选为0.1～2质量％、进而优选为0.3～1.5质量％、特别优选为0.5～1质量％。支链状聚丙烯的含量小于0.05质量％时，有时得不到上述效果。另一方面在支链状聚丙烯的含量大于3质量％时，作为双轴取向聚丙烯膜的立体规整性降低，有时高温耐电压特性降低。
在构成本发明的双轴取向聚丙烯膜的聚丙烯树脂中，在不破坏本发明的目的范围，可以含有各种添加剂，优选含有例如结晶核剂、抗氧化剂、热稳定剂、抗静电剂、防粘连剂、填充剂、粘度调整剂、防着色剂等。
上述添加剂中，从长期耐热性的观点，抗氧化剂的种类、和含量的选择是重要的。即、作为抗氧化剂，优选是具有立体阻碍性的酚系，并且该酚系中的至少1种是分子量500以上的高分子量型。具体地，优选单独使用例如2,6-二叔丁基对甲酚(BHT：分子量220.4)、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)苯(例如BASF社制Irganox(注册商标)1330：分子量775.2)、四[亚甲基-3(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]甲烷(例如BASF社制Irganox1010：分子量1177.7)等，或将它们中的多种并用。这些抗氧化剂的总含量相对于聚丙烯树脂组合物的总量优选为0.03～1.0质量％、更优选为0.1～0.9质量％、进而优选为0.15～0.8质量％、特别优选为0.15～0.6质量％。聚丙烯树脂组合物中的抗氧化剂含量小于0.03质量％时，难以得到抗氧化效果，有时长期耐热性差。另一方面在聚丙烯树脂组合物中的抗氧化剂含量大于1.0质量％时，高温耐电压特性有时降低。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，灰分优选为50ppm(质量标准、以下也一样)以下、更优选为40ppm以下、进而优选为30ppm以下、特别优选为20ppm以下。灰分大于50ppm时，双轴取向聚丙烯膜的高温耐电压特性有时会降低。为了使灰分在上述范围，使用催化剂残渣少的原料是重要的，可以优选采用尽量减少来自制膜时的挤出体系的污染的方法，例如在制膜开始前用未劣化的聚丙烯树脂充分洗涤聚合物流通的路径的方法。此外，后述那样不含易滑剂是重要的。在含有无机粒子的情况，无机粒子作为双轴取向聚丙烯膜的灰分被测出，有时如前面所讲那样、高温耐电压特性降低。此外，在含有有机粒子的情况，通常不能充分抑制灰分，即使是作为双轴取向聚丙烯膜也难以将灰分控制在上述范围。
本发明的双轴取向聚丙烯膜优选无机和/或有机粒子的总含量为1质量％以下。无机和/或有机粒子的总含量更优选为0.8质量％以下，进而优选为0.5质量％以下，特别优选不含有。有时候会通过在平滑、滑动性低的膜中添加由无机和/或有机粒子构成的易滑剂，使膜的表面形成突起，由此来赋予易滑性，但在作为电容器用电介质使用的情况，该易滑剂会成为异物，有时使高温耐电压特性降低。为了抑制无机和/或有机粒子的总含量，或在不含它们的情况下赋予易滑性，如后面所讲那样使聚丙烯的流延片中形成的结晶通过后续的拉伸工序变形、使膜表面形成凹凸即可。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，至少一面的表面润湿张力优选为37～50mN/m、更优选为38～49mN/m、进而优选为39～48mN/m、特别优选为40～47mN/m。表面润湿张力小于37mN/m时，在进行金属蒸镀时，有时与金属之间的密合不充分。另一方面在表面润湿张力大于50mN/m时，高温耐电压特性有时降低。再者，聚丙烯膜通常表面能量低、表面润湿张力为30mN/m左右。为了使表面润湿张力在上述范围内，在制膜时中，优选采用在双轴拉伸后实施表面处理的方法。具体地可以采用电晕放电处理、等离子体处理、辉光处理、火炎处理等。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，优选以上述聚丙烯树脂作为主成分制作片，并双轴拉伸而得到。作为双轴拉伸的方法，可以通过吹胀同时双轴拉伸法、扩幅同时双轴拉伸法、扩幅逐次双轴拉伸法中的任一种方法得到，但从制膜稳定性、厚度均匀性的观点，优选采用扩幅逐次双轴拉伸法。特别优选在沿着长度方向(制膜时膜的流动方向)拉伸后、再沿着宽度方向(与长度方向在膜平面上正交的方向)拉伸。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，出于赋予各种效果的目的，也可以在至少一面上层叠功能层。作为层叠结构，可以是2层层叠，也可以是3层层叠，此外，也可以是任一种更多的层叠数。作为层叠的方法，例如可以是通过共挤出进行的进料模块方式、多歧管方式，也可以是通过层压而将聚丙烯膜彼此贴合的方法，任一种方法都可以。
接下来对本发明的双轴取向聚丙烯膜的制造方法予以说明，但并不局限于此。
首先，将含有上述优选的聚丙烯树脂的丙烯树脂组合物供给单轴的熔融挤出机中，在200～260℃下进行熔融挤出。接下来，通过在聚合物管的中途设置的过滤器除去异物、改性聚合物等，然后通过T型模排到流延鼓上，得到流延片。再者，在挤出时，使T型模处的剪切速度为100～1,000sec-1，这从抑制聚合物劣化的观点是优选的。更优选为150～800sec-1,进而优选为200～700sec-1、特别优选为300～600sec-1。T型模处的剪切速度以式(1)表示。在T型模处的剪切速度小于100sec-1时，剪切不能充分作用，流延片中的结晶排列变得不充分，所以在之后的拉伸工序中均匀拉伸变得困难，有时得不到结晶性均匀的双轴取向聚丙烯膜。另一方面在T型模处的剪切速度大于1,000sec-1时，受到过剩剪切，有时发生聚合物劣化。剪切速度(sec-1)＝6Q/ρWt2···(1)
Q：流量(kg/sec)
ρ：比重(kg/cm3)
W：T型模的沟宽(cm)
t：T型模的沟间隙(cm)
适当地调整聚丙烯树脂组合物的流量、T型模的沟宽、沟间隙，使得T型模的剪切速度为上述范围。聚丙烯树脂组合物的流量，从挤出稳定性的观点优选为150～500kg/hr的范围。T型模的沟宽，从生产性的观点优选500～1,000mm的范围。T型模的沟间隙，从挤出系内的内压、流延精度的观点优选为0.8～2mm的范围。
此外，流延鼓，从将算术平均粗糙度SRa、最大谷深度SRv、谷侧空隙体积、最大山高SRp、光泽度控制在合适范围的观点出发，优选连续配置4个以上。在将上述流延鼓从膜制造装置的上游开始配置CD1、CD2、CD3、CD4的情况，CD1和CD2的表面温度优选为25～50℃、更优选为25～45℃、进而优选为30～45℃、特别优选为30～40℃。当提高CD1和CD2的温度时，SRa、SRv、谷侧空隙体积、SRp的值向高的方向变化、光泽度向低的方向变化。在CD1和CD2的表面温度小于25℃的情况，在流延片中几乎不形成β晶，所以即使经过后续的拉伸工序，有时在膜表面也不会发生凹凸，从元件加工性的观点有时会成为问题。另一方面在CD1和CD2的表面温度大于50℃时，在流延片中形成多个β晶，在后续的拉伸工序中膜表面产生大的凹凸，所以高温耐电压特性有时会降低。CD3和CD4的表面温度优选为50～100℃、更优选为60～98℃、进而优选为70～96℃、特别优选为80～95℃。提高CD3和CD4的温度时，SRa、SRv、谷侧空隙体积、SRp的值向高的方向变化、光泽度向低的方向变化。在CD3和CD4的表面温度小于50℃的情况，流延片中几乎不生成β晶，所以即使经过后续的拉伸工序，也不会在膜表面产生凹凸，从元件加工性的观点有时会成为问题。另一方面在CD3和CD4的表面温度大于100℃时，在流延片中形成多个β晶，在后续的拉伸工序中膜表面产生大的凹凸，所以高温耐电压特性有时降低。在流延鼓有5个以上时，优选将第5个和以后的流延鼓的表面温度设为与CD4相同的温度，但即使改变它们的温度，也不会想到各种物性会发生改变，所以不局限于该方法。
作为从T型模排出的熔融片落到流延鼓上、与鼓密合的时间，从限制β晶生成的观点出发，CD1和CD2上都优选为0.3～0.8秒、更优选为0.3～0.7秒，进而优选为0.4～0.7秒以上，特别优选为0.4～0.6秒。在各流延鼓和熔融片的密合时间小于0.3秒时，在流延片上形成多个β晶，在后续的拉伸工序中产生大的凹凸，所以高温耐电压特性有时降低。另一方面在各流延鼓和熔融片的密合时间大于0.8秒时，流延片中几乎不产生β晶，所以即使经过后续的拉伸工序，也不会在膜表面产生凹凸，从元件加工性的观点有时会成为问题。CD3和CD4与熔融片的密合时间都优选为0.3秒以上。在各流延鼓和熔融片的密合时间小于0.3秒的情况，熔融片不能充分固化，在流延片中形成多个β晶，在后续的拉伸工序中生成大的凹凸，所以高温耐电压特性有时降低。
如上面所讲，使流延鼓为4个以上，是出于以下理由：抑制在设定在低温的CD1上片的一面的β晶生成，抑制在紧接后面的、设定在相同低温的CD2上另一面的β晶生成，促进后面的控制在上述范围的CD3上一面的α晶生成，然后促进在控制在上述范围的CD4上另一面的α晶生成。也就是说，使用多个CD，使膜正反面的热赋予条件为同等，这样能够使片两面的结晶形态相似。在流延鼓少于4个时，流延片的一面的结晶形态和另一面的结晶形态不同，这样的情况很多，这会难以控制成本发明的优选形态。此外，为了实现本发明的膜的特征，优选4个以上的流延鼓连续存在，作为流延片通过的膜通道，优选流延片的表面与各流延鼓交替接触。例如，在将与CD1接触的流延片的面设为A面，将另一面设为B面时，使A面接触CD1、B面接触CD2、A面接触CD3、B面接触CD4那样地、使流延片与流延鼓接触。
作为使熔融片在流延鼓上密合的方法，可以采用静电施加法、气刀法、夹持辊(niproll)法、水中流延法等方法，但从能够抑制厚度不均匀、实现高速制膜化、控制膜的表面形状的观点优选为气刀法。气刀的空气温度，从将算术平均粗糙度SRa、最大谷深度SRv、谷侧空隙体积、最大山高SRp、光泽度控制在合适范围的观点出发，优选为25～50℃、更优选为25～45℃、进而优选为30～45℃、特别优选为30～40℃。在气刀温度变高时，SRa、SRv、谷侧空隙体积、SRp的值向高的方向变化、光泽度向低的方向变化。在气刀温度小于25℃时，在流延片中几乎不会形成β晶，所以即使经过后续的拉伸工序，在膜表面也不发生凹凸，这从元件加工性的观点有时会成为问题。另一方面在气刀温度大于50℃时，在流延片中形成多个β晶，在后续的拉伸工序中会产生大的凹凸，所以有时高温耐电压特性降低。
形成流延片的环境温度，从将算术平均粗糙度SRa、最大谷深度SRv、谷侧空隙体积、最大山高SRp、光泽度控制在合适范围，且获得均匀的表面形状的观点，优选调整温度。形成流延片的环境温度优选为25～50℃、更优选为25～45℃、进而优选为30～45℃、特别优选为30～40℃。在形成流延片的环境温度变高时，SRa、SRv、谷侧空隙体积、SRp的值向高的方向变化、光泽度向低的方向变化。在形成流延片的环境温度小于25℃时，流延片中几乎不形成β晶，所以即使是经过后续的拉伸工序，在膜表面也不产生凹凸，这从元件加工性的观点有时成为问题。另一方面在形成流延片的环境温度大于50℃时，在流延片中形成多个β晶，在后续的拉伸工序中产生大凹凸，所以有时高温耐电压特性降低。
得到的流延片经双轴拉伸被双轴取向。作为具体的拉伸条件，首先，将流延片控制在沿着长度方向拉伸的温度。控制温度的方法，可以采用使用温度被控制的旋转辊的方法、使用热风烘箱的方法等。作为沿着长度方向拉伸时的膜温度，从均匀拉伸、稳定制膜的观点，优选为100～150℃，更优选为110～145℃、进而优选为120～145℃、特别优选为130～145℃。作为拉伸倍率，从均匀拉伸、稳定制膜的观点优选为4～6.5倍、更优选为4.5～6倍、进而优选为5～6倍、特别优选为5.5～6倍。拉伸倍率变得越高，则膜表面形状变得越均匀，高温耐电压特性也变得优异，但如果大于6.5倍进行拉伸，则有时容易在纵拉伸工序中发生膜破裂、或在接下来的横拉伸工序中发生膜破裂。
长度方向的拉伸速度，从均匀拉伸、稳定制膜的观点优选为1,000,000～3,500,000％/分钟、更优选为1,000,000～3,000,000％/分钟、进而优选为1,500,000～3,000,000％/分钟、特别优选为2,000,000～3,000,000％/分钟。长度方向的拉伸速度小于1,000,000％/分钟时，得不到均匀的膜表面形状，有时高温耐电压特性降低。另一方面在长度方向的拉伸速度大于3,500,000％/分钟时，有时在制膜时发生膜破裂。长度方向的拉伸速度的计算方法以式(2)表示。再者，将旋转辊方式进行拉伸时的拉伸区间设为具有圆周速度差的辊间的切线距离，假设拉伸速度在拉伸区间内均匀。
拉伸速度(％/分钟)＝(MDX-1)×100/(L/V) (2)
MDX：长度方向的拉伸倍率(倍)
L：拉伸区间(m)
V：拉伸后的制膜速度(m/分)
在沿着膜的长度方向拉伸时，发现了膜宽度减少的所谓颈缩(neck down)现象，从抑制厚度不均的观点，优选颈缩率(拉伸后的膜宽/拉伸前的膜宽×100)为90～99％。
接下来，把持膜端部将膜导入扩幅机式拉伸机。而且，从均匀拉伸、稳定制膜的观点优选加热到140～165℃、更优选142～163℃、进而优选144～160℃、特别优选145～155℃，沿着宽度方向拉伸至8～15倍、更优选9～14倍、进而优选10～13倍、特别优选10～12倍。再者,作为此时的横拉伸速度，从均匀拉伸、稳定制膜的观点优选以15,000～45,000％/分钟进行，更优选为18,000～40,000％/分钟，进而优选为20,000～35,000％/分钟，特别优选为25,000～30,000％/分钟。
接下来，进行膜的热处理。热处理，可以在扩幅机内不改变热处理温度来进行，从高温耐电压特性的观点、热处理温度优选为147～167℃、更优选为150～165℃、进而优选为152～163℃、特别优选为155～160℃。进而，在热处理时可以一边使膜的长度方向和/或宽度方向松弛一边进行，特别是使宽度方向的松弛率为5～15％、更优选为8～13％、进而优选为9～12％、特别优选为10～12％，这从宽度方向的热尺寸稳定性的观点是优选的。
最后，在通过蒸镀在膜上形成金属膜时，从使蒸镀金属的密合性变好的观点，可以在空气、氮气、二氧化碳气体、或这些气体的混合气体中，在双轴拉伸了的聚丙烯膜的要蒸镀金属膜的面上进行电晕放电处理，得到金属膜层叠膜。
本发明的双轴取向聚丙烯膜，可以作为电容器用电介质很好地使用，但不限于电容器类型。具体地从电极构成的观点可以是箔卷电容器、金属蒸镀膜电容器中的任意一种，也可以很好地用于含有绝缘油的油浸类型的电容器、完全不使用绝缘油的干式电容器。此外，从形状的观点，可以是卷绕式，也可以是层叠式。根据本发明的双轴取向聚丙烯膜的特性，特别优选作为金属蒸镀膜电容器使用。
在本发明中，优选在上述双轴拉伸聚丙烯膜的至少一面上设置金属膜而制成金属膜层叠膜。对该方法没有特别限定，但优选使用例如，在该膜的至少一面上蒸镀铝而设置成为膜电容器的内部电极的铝蒸镀膜等金属膜的方法。此时，也可以与铝同时或依次地蒸镀例如镍、铜、金、银、铬和锌等其它金属成分。此外，也可以在蒸镀膜上通过油等设置保护层。
关于金属膜层叠膜的厚度，从膜电容器的电气特性与自愈性方面考虑，优选为20～100nm的范围。此外，基于同样的理由，金属膜的表面电阻值优选为1～20Ω/□的范围。表面电阻值能够通过使用的金属种类和膜厚来控制。
本发明中，可以在根据需要形成金属膜后，将得到的金属膜层叠膜在特定的温度进行陈化处理，或进行热处理。此外，出于绝缘或其它目的，也可以在金属膜层叠膜的至少一面上涂布聚苯醚等。
这样获得的金属膜层叠膜可以以各种方法叠层或卷绕而制成膜电容器。下面对卷绕型电容器的优选制造方法予以说明，但不受此限定。
首先，在本发明的双轴取向聚丙烯膜的一面上真空蒸镀铝。此时，以沿着膜的长度方向延伸的条状蒸镀铝。在条状的铝蒸镀部之间具有没有蒸镀铝的空白部。接下来，在表面的各蒸镀部的中央与各空白部的中央入刀而切条，制作在表面一侧具有空白的带状的卷筒。对于在左或右具有空白的带状卷筒，将具有左空白或右空白的卷筒各1条，以在宽度方向上蒸镀部分超出空白部的方式将2片重叠、卷绕，从而获得卷绕体。从该卷绕体拔出芯材而进行压制，在两端面熔射金属形成金属喷膜而制成外部电极，接下来在金属喷膜上焊接引线而获得卷绕型膜电容器。膜电容器的用途涉及车辆用、家电用(电视、电冰箱等)、一般噪音防止用、汽车用(混合动力车、电窗、刮水器等)和电源用等多种用途，本发明的膜电容器能够很好地用于这些用途。
实施例
下面通过实施例来对本发明予以具体说明。再者,特性是通过以下方法测定、评价的。
(1)全同立构五单元组分率(mmmm)
将聚丙烯树脂试样溶解于溶剂中，使用13C-NMR，在以下的条件下求出全同立构五单元组分率(mmmm)(参考文献：新版高分子分析手册社团法人日本分析化学会·高分子分析研究恳谈会编1995年P609～611)。
A.测定条件
装置：Bruker公司制，DRX-500
测定核：13C核(共振频率：125.8MHz)
测定浓度：10wt％
溶剂：苯/氘代邻二氯苯＝质量比1：3混合溶液
测定温度：130℃
旋转转速：12Hz
NMR试样管：5mm管
脉冲宽度：45°(4.5μs)
脉冲重复时间：10秒
数据点：64K
换算次数：10,000次
测定模式：完全去耦(complete decoupling)
B.解析条件
将LB(谱线增宽因子(line broadening factor))设为1.0，进行傅里叶变换，将mmmm峰设为21.86ppm。使用WINFIT软件(Bruker公司制)，进行峰分割。此时，从高磁场侧的峰按照以下方式进行峰分割，进而进行附带软件的自动拟合(fitting)，进行峰分割的最佳化，然后，将mmmm的峰分率的总和作为全同立构五单元组分率(mmmm)。需要说明的是，测定进行5次，将其平均值作为本样品的全同立构五单元组分率。
峰
(a)mrrm
(b)(c)rrrm(分割成2个峰)
(d)rrrr
(e)mrmr
(f)mrmm+rmrr
(g)mmrr
(h)rmmr
(i)mmmr
(j)mmmm
(2)熔体流动速率(MFR)
依照JIS K7210(1995)的条件M(230℃、2.16kg)进行测定。
(3)算术平均粗糙度SRa、最大谷深度SRv、最大山高SRp
按照JIS B-0601(1982)，使用株式会社小坂研究所制“非接触三维微细形状测定器(ET-30HK)”及“三维粗糙度分析装置(MODEL SPA-11)”进行测定。在膜测定中沿着长度方向反复测定10次，求出它们的平均值作为算术平均粗糙度SRa、最大谷深度SRv、最大山高SRp。关于1次测定的具体条件如下。
A.测定条件
测定面处理：在测定面上真空蒸镀铝，进行非接触法。
测定方向：膜的宽度方向
宽度方向送进速度：0.1mm/秒
测定范围(宽度方向×长度方向)：1.0mm×0.249mm
高度方向尺寸的基准面：LOWER(下侧)
宽度方向取样间隔：2μm
长度方向取样间隔：10μm
长度方向取样个数：25个
截止(cutoff)：0.25mm/秒
宽度方向放大倍率：200倍
长度方向放大倍率：20,000倍
起伏、粗糙度去除：无
B.测定方法
膜测定中使用专用的样品架。样品架是中心开设有圆孔的可装卸的2片金属板，在其间夹持样品，通过将膜伸展至样品架的四角而装载从而将膜固定，测定中央圆形部的膜。
(4)谷侧空隙体积
使用株式会社菱化システム社制非接触表面·层截面形状测定系统VertScan2.0(型号：R3300GL-Lite-AC)进行测定。对任意的位置反复10次测定，求出其平均值作为谷侧空隙体积。1次测定的具体条件如下。再者在1次测定中观察1个视场(视场面积为1,252×939μm)。此外，每一个视场的视场面积，有时会根据物镜的精度而不同，有时会发生5％以内的误差。
A.测定条件
CCD相机：SONY HR-57 1/2
物镜：10X
镜筒：0.5X BODY
波长过滤器：530White
测定模式：Wave
视场尺寸：640×480
扫描范围：开始5μm、结束-0.5μm
B.测定方法
膜测定中使用专用的样品架。样品架是中心开设有圆孔的可装卸的2片金属板，在其间夹持样品，通过将膜伸展至样品架的四角而装载从而将膜固定，测定中央圆形部的膜。接下来，将得到的数据通过4次多项式近似进行面修正，去掉起伏成分后，实施作为补间(Interpolation)处理的完全补间。
C.分析方法
针对由上述那样得到的图像数据，使用Vert Scan 2.0的图像分析软件VS-Viewer的分析工具中的轴承(ベアリング)功能进行分析。在高度区域指定中，将谷侧高度阈值设定在-50nm(也就是说，指定深度0.05μm以上的谷侧空隙)，然后读取被记成谷侧空隙体积的值。此外，将读取的值四舍五入成有效数字为2位数。
(5)光泽度
依照JIS K7105(1981)，使用スガ试验机株式会社制数字变角光泽计UGV-5D在入射角60°、受光角60°的条件进行测定。再者，该测定进行5次，将其平均值作为本发明的双轴取向聚丙烯膜的光泽度。
(6)膜厚t
依照JIS C2330(2001)的7.4.1.1测定千分尺法(micrometer)厚度。
(7)灰分
依照JIS C2330(1995)，将初始质量W0的双轴取向聚丙烯膜放入铂坩埚中，先用气炉(gas burner)使其充分燃烧，然后在750～800℃的电炉中处理1小时，使其完全灰化，测定得到的灰的质量W1，带入下述式进行计算。
灰分＝(W1/W0)×1,000,000(ppm)
(8)无机和/或有机粒子的总含量
将聚丙烯膜试样5g溶解在135℃的二甲苯1,000ml中，在保持高温的情况下实施过滤。取出不溶部，用135℃的二甲苯充分洗涤。在升温到100℃的减压干燥机内静置12小时，然后测定重量(Y(g))。使用试样5g的精确值(Y0(g))，通过下述式计算。
粒子含量(质量％)＝(Y/Y0)×100
(9)电容器制造中的元件加工性
在后述的各实施例和比较例中得到的双轴取向聚丙烯膜的单面上，用株式会社ULVAC制真空蒸镀机，以成为8Ω/□的方式真空蒸镀铝。此时，蒸镀铝成具有沿长度方向走向的空白部的条纹状(蒸镀部的宽度为39.0mm、空白部的宽度为1.0mm)。接下来，在各蒸镀部的中央和各空白部的中央入刀而进行切条，以在左或右的端部具有0.5mm的空白的、总宽度20mm的带状制成卷筒。将得到的卷筒的左空白卷筒和右空白卷筒各一个，以在宽度方向上蒸镀部分超出空白部0.5mm的方式将2片重叠并进行卷绕，得到静电电容约10μF的卷绕体。元件卷绕时使用株式会社皆藤制作所社制KAW-4NHB。
在制造上述电容器时，从卷绕开始一直到卷绕结束都目视观察，将发生褶皱、错位的记作不合格，根据不合格的数量来评价元件加工性。再者,制作50个电容器元件，按照下述判断标准进行评价。
○(优良)：没有不良品
Δ(良好)：不良品为1～2个
×(不可)：不良品为3个以上
(10)高温耐电压特性
按照JIS C2330(2001)，在已将温度调节为125℃的热风烘箱中设置电极，测定双轴取向聚丙烯膜的绝缘击穿电压。需要说明的是，进行5次该测定，求出其平均值，除以上述求出的膜厚，从而求出每1μm的高温绝缘击穿电压(V/μm)。对于高温耐电压特性而言，通过下述基准来评价上述高温绝缘击穿电压。
○(优良)：450V/μm以上
Δ(良好)：400V/μm以上、且小于450V/μm
×(不可)：小于400V/μm
(实施例1)
A.聚丙烯树脂组合物的制造
将无水氯化镁、癸烷、2-乙基己醇混合在一起，向加热的溶液中添加邻苯二甲酸酐进而搅拌。将所述溶液冷却，然后滴加到冷却到-20℃的四氯化钛中。接下来，将所述混合物升温，加入邻苯二甲酸二异丁酯，搅拌后过滤，从而得到固体。将得到的固体用癸烷和己烷洗涤，得到了用于丙烯聚合的钛催化剂。
使用上述钛催化剂、和作为助催化剂的三乙基铝、作为链转移剂的氢气进行丙烯聚合。在得到的产物失活后，使用丙烯单体充分洗涤，从而得到聚丙烯树脂。该聚丙烯树脂的MFR为2.5g/10分、全同立构五单元组分率(mmmm)为0.980。
在得到的聚丙烯树脂99.7质量％中添加抗氧化剂BHT 0.1质量％、同样作为抗氧化剂的Irganox-1010 0.2质量％，然后在260℃的温度下混炼、颗粒化，从而得到聚丙烯树脂组合物。
B.膜的制造
将所述聚丙烯树脂组合物100质量％供给单轴的熔融挤出机，在250℃下进行熔融挤出，使用25μm阈值(cut)的烧结过滤器除去异物。再者,挤出时的T型模施加的剪切速度为300sec-1。使从T型模吐出的熔融聚丙烯树脂组合物在4个连续的流延鼓上密合，得到熔融片。此时，连续的流延鼓的直径相同，从装置上游将流延鼓设为CD1、CD2、CD3、CD4，以能够使流延片的各面与各流延鼓交替接触的方式制造膜通道。CD1和CD2的表面温度设为30℃、CD3和CD4的表面温度设为90℃。此外，CD1、CD2、CD3、CD4的各流延鼓与熔融片密合的时间都为0.4秒。在使片在最开始的流延鼓CD1上密合时使用气刀和端部点空气。此时进行温度调整使气刀的空气温度为30℃。进而，将流延工序的气氛温度调整到30℃。接下来，使用加热辊将流延片预热，加热至膜温度为145℃，然后沿着长度方向拉伸至5.5倍。此时的长度方向的拉伸速度为2,000,000％/分钟，颈缩率为98％。接着用夹子把持端部，在155℃下沿着宽度方向以拉伸速度30,000％/分钟拉伸至10倍。进而，在158℃进行7秒钟的热处理，沿着宽度方向进行12％的松弛。然后，慢慢冷却到室温，然后沿着膜的一面以25W·min/m2的处理强度实施电晕放电处理，将用夹子把持的膜的耳部剪切除去。再者，将与CD1接触的、实施过电晕放电处理的面设为A面、将另一侧的、与CD2接触的、未进行电晕放电处理的面设为B面。将除去端部的膜用卷取机卷取，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。所得到的膜的物性如表1所示。
(实施例2)
将CD1和CD2的表面温度设为45℃，除此以外与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例3)
除了使CD1和CD2的表面温度为50℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例4)
除了使CD1和CD2的表面温度为25℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例5)
除了使CD3和CD4的表面温度为70℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例6)
除了使CD3和CD4的表面温度为50℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例7)
除了使CD3和CD4的表面温度为100℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例8)
除了使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓与熔融片的密合时间都为0.3秒以外，其它与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例9)
除了使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓和熔融片的密合时间都为0.7秒以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例10)
除了使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓和熔融片的密合时间都为0.8秒以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例11)
除了使气刀的空气温度为50℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例12)
除了使流延工序的环境温度为50℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例13)
除了使CD1和CD2的表面温度为40℃以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(实施例14)
除了使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓和熔融片的密合时间都为0.6秒以外，其它与实施例1同样地制作，得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表1所示。
(比较例1)
使流延鼓的个数为1个，仅使流延片的一面与表面温度为30℃的流延鼓接触，使流延鼓和熔融片的密合时间为1.6秒，除了这些以外与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。再者，将与流延鼓接触的、实施过电晕放电处理的面设为A面、将另一侧的、不与流延鼓接触、未实施电晕放电的面设为B面。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例2)
将实施例1所述的聚丙烯树脂组合物99.5质量％和株式会社トクヤマ社制溶胶凝胶法二氧化硅粒子(平均粒径0.3μm)0.5质量％供给单轴的熔融挤出机，除了这些以外，与比较例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例3)
使流延鼓的个数为2个，使流延片的一面和另一面与2个流延鼓交替接触，使第一个流延鼓的表面温度为30℃、使第二个流延鼓的表面温度为95℃，此时各流延鼓和熔融片的密合时间都为0.8秒，除了这些以外，与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。再者，将与第一个流延鼓接触的、实施了电晕放电处理的面设为A面，将另一侧的、与第二个流延鼓接触的、未实施电晕放电的面设为B面。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例4)
除了使CD1和CD2的表面温度为55℃以外，其它与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例5)
除了使CD3和CD4的表面温度为45℃以外，其它与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例6)
除了使CD3和CD4的表面温度为105℃以外，其它与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例7)
使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓和熔融片的密合时间都为0.2秒，除此以外，与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例8)
使CD1、CD2、CD3、CD4各流延鼓和熔融片的密合时间都为1.0秒，除此以外与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例9)
去掉对气刀的空气温度的调节、成为自然变化的温度(55℃)，除此以外，与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
(比较例10)
去掉对流延工序环境温度的调节，成为自然变化的温度(55℃)，除此以外，与实施例1同样地制作得到厚度2.5μm的双轴取向聚丙烯膜。得到的膜的物性如表2所示。
表1
Figure BDA0001636895110000271
表2
Figure BDA0001636895110000281
产业可利用性
本发明的双轴取向聚丙烯膜，在作为电容器用电介质使用时，由于表面形状被控制，所以能够提供不仅元件加工性优异，而且高温耐电压特性也优异的双轴取向聚丙烯膜。

Claims (9)

1.一种双轴取向聚丙烯膜，是以聚丙烯树脂作为主成分的双轴取向聚丙烯膜，其至少一面的算术平均粗糙度SRa为0.03～0.10μm，至少一面的最大谷深度SRv为0.10～0.50μm，并且在至少一面中通过非接触表面形状测定得到的、1,252×939μm的范围的视场面积中存在的、深度0.05μm以上的谷侧空隙体积为100～10,000μm3。
2.如权利要求1所述的双轴取向聚丙烯膜，至少一面的最大山高度SRp为0.30～1.0μm。
3.如权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜，至少一面的最大谷深度SRv与最大山高度SRp之比SRp/SRv为2.0以上。
4.如权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜，膜厚t与至少一面的最大谷深度SRv之比SRv/t为0.30以下。
5.如权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜，灰分为50ppm以下。
6.如权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜，无机粒子和/或有机粒子的总含量为1质量％以下。
7.如权利要求1或2所述的双轴取向聚丙烯膜，作为电容器用电介质使用。
8.一种金属膜层叠膜，在权利要求1～7中任一项所述的双轴取向聚丙烯膜的至少一面上形成有金属膜。
9.一种膜电容器，是将权利要求8所述的金属膜层叠膜卷绕而成的。
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