JP7449433B2 - 無線周波数及び磁気エネルギーによる生物学的構造の美的処置の方法及びデバイス - Google Patents
無線周波数及び磁気エネルギーによる生物学的構造の美的処置の方法及びデバイス Download PDFInfo
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Description
処置若しくはレーザー処置を含む光処置等の電磁波の印加に基づく。組織に対する機械波の効果は、キャビテーション、振動、及び/又は熱誘起効果に基づく。電磁波を使用するアプリケーションの効果は、生物学的構造における熱生成に基づく。
ンの産生を増加させること、皮膚を平滑化すること、セルライトを減少させること、及び/又は脂肪細胞を除去することによって、皮膚及び身体の視覚的外観を向上させるために患者に適用される。しかしながら、熱処置は、患者を過熱するリスク、又はさらに望ましくない生物学的構造の熱損傷を引き起こすこと等の幾つかの欠点を有する。脂肪組織炎のリスク及び/又は不均一な結果は、既存の熱処置の非常に一般的な副作用であり得る。さらに、処置中の及び/又は処置後の不十分な血流及び/又はリンパ流は、処置後に、脂肪組織炎及び他の健康合併症につながる場合がある。さらに、処置は、不快である場合があり、また、苦痛である場合がある。
を送出する必要がある。脂肪組織は、筋肉組織よりも高い抵抗率を有し、電極から絶縁性の脂肪組織を通した筋肉組織までの電流の送出は効率的でない場合がある。標的対象に完全に一致する筋肉に対する電流のターゲット設定は、正確でない場合があり、筋肉を刺激することは、非常に難しく、ほぼ不可能である場合がある。さらに、脂肪組織が厚くなると、電気治療によって送出される電流は、より高くならなければならず、そのような大量の電流が伝播し長い距離の間に消散することは、患者にとって非常に不快である場合がある。一方、時変性磁場は、筋肉、神経筋プレート、及び/又は神経内で電流を誘起するため、時変性磁場によるターゲット設定及び筋肉刺激は、より容易で、より正確で、より快適で、より効果的である。時変性磁場は、多数の筋肉及び/又は筋肉群の快適な刺激も可能にし、アプリケーターは患者の身体と直接接触していなくてもよく、このことは、処置の衛生状態及び他のパラメーターを改善することもできる。
激を提供する磁気処置の組み合わせは、顕著な相乗効果を有することができる。組み合わせ式処置は、改善された処置を提供することができ、改善された処置は、短い処置期間、処置中の患者の快適さの増加をもたらし、相乗結果を伴って異なる処置効果を組み合わせることを可能にし、患者安全性及び本文書で後に詳細に述べる他のものを改善することができる。
、及び/又は他の物理的効果等の望ましくない物理的効果を誘起する場合があるからである。望ましくない物理的効果は、著しいエネルギー損失、そのようなデバイス配置の非効率性、また同様に、RF電極を加熱すること、デバイスの正しくないチューニング、生成されるエネルギーの不正確なターゲット設定、生成される磁場、電磁場、及び/又はその他のものの劣化等のデバイス機能について影響を与えることを引き起こす場合がある。RF電極は磁場発生デバイスによって影響を受ける場合があり、またその逆も同様である。
の数及び体積をどのように減少させるか、セルライト及び/又は他のものをどのように除去するか、のユニークな機会を提供する。処置デバイス及び方法は、無線周波数(RF)処置及び磁気処置の適用を使用して、身体エリア内の少なくとも1つのターゲット生物学的構造の加熱を引き起こし、近接する又は同じ身体エリア内での筋肉収縮を含む筋肉刺激を引き起こすことができる。処置デバイスは、RF処置を提供するRFエネルギー(RF場と呼ぶことができる)を生成するために、RF電極を処置エネルギー源として使用し、磁気処置を提供する時変性磁場を発生させるために、磁場発生デバイスを処置エネルギー源として使用することができる。
は、RF電極の境界に沿うRF電極の本体内の開口とすることができる。RF電極の本体内の開口は、上からのRF電極のビューを示す、床面投影からのビューによって規定することができる(正:may be defined)。アパーチャ、切り欠き部、及び/又は突出部の外側のエリアは、空気、誘電体、及び/又は他の電気絶縁性材料で充填する(正:filled)ことができる。RF電極のアパーチャ、切り欠き部、及び/又は突出部は、RF電極内の渦電流の誘起を最小にし、エネルギー損失を最小にし、処置デバイスの過熱を阻止することができる。さらに、アパーチャ、切り欠き部、及び/又は突出部は、生成されるRF処置に対する磁気処置の影響を最小にすることができる。提案されるRF電極の設計は、アプリケーターの床面投影による少なくとも部分的な重なりがある状態で、同じアプリケーターが磁場発生デバイス及びRF電極を含むことを可能にし、一方、本明細書で述べるパラメーターを用いて患者の身体の同じエリアに対するRF処置及び磁気処置のターゲット設定を可能にする。RF電極及び磁場発生デバイスの1つのアプリケーター内への組み込みは、処置ターゲット設定の向上及び上記で述べたマイナスの影響が最小の状態でのプラスの処置結果を可能にする。
者が考える場合があるときに閾値をシフトすることができる。
がる細胞外マトリックスの酸過多(hyperacidity)をもたらすことができる。RF処置は、脂肪細胞のアポトーシス、壊死、その体積の減少、及びセルライト除去のうちの少なくとも1つにつながる、脂肪組織の選択的加熱を提供することができる。
た、RF処置及び筋肉刺激を提供する処置の組み合わせによって新しい理学療法(physiotherapy)及び/又は美的処置を提供する。
)、及び/又は、関節又は関節の一部のようなものである。本出願に関して、生物学的構造をターゲット生物学的構造と呼ぶことができる。
ができる。また、処置効果は、例えば、生物学的構造のリモデリング、アポトーシス及び/又は壊死による脂肪細胞の数及び/又は体積の減少、筋肉増強、筋肉体積増加、筋肉線維肥大、筋肉線維過形成を引き起こすこと、筋肉機能の回復、筋衛星細胞(myosatellite
cells)の増殖及び/又は筋肉細胞への分化、筋肉形状の改善、筋持久力の改善、筋肉ディフィニション(muscle definition)、筋肉弛緩、筋肉体積減少、コラーゲン線維の再
構築、ネオコラーゲネシス(neocollagenesis)、弾性線維形成、コラーゲン処置、血流
及びリンパ流の改善、少なくとも1つのターゲット生物学的構造の少なくとも一部の加速、及び/又は他の機能又は利益を含むことができる。処置デバイスによる身体エリアの処置中に、2つ以上の処置効果を提供することができ、可変の処置効果を組み合わせることができる。
効果を提供することは、しわ取り(wrinkle reduction)、皮膚若返り、皮膚タイトニン
グ(skin tightening)、皮膚色の単一化(unification of skin colour)、たるんだ肌
(sagging flesh)の減少、口唇増大(lip enhancement)、セルライト除去、皮膚線条(stretch mark)の除去、及び/又は傷跡の除去等の身体若返り(rejuvenation)をもたらすことができる。処置効果は、治癒プロセス、抗浮腫(anti-edematic)効果、及び/又
は、他の理学療法及び処置結果の加速につながることもできる。
織等の身体部分とすることができる。説明のために、用語「身体エリア(body area)」
は、用語「身体領域(body region)」と交換可能とすることができる。
皮下組織(hypodermis)いわゆる皮下組織(subcutis)から構成される。皮膚の外側の層であり、また最も薄い層は表皮である。真皮は、コラーゲン、弾性組織、及び細網線維からなる。皮下組織は、皮膚の最も下の層であり、毛包根、リンパ管、コラーゲン組織、神経、及び、皮下白色脂肪組織(SWAT:subcutaneous white adipose tissue)を形成
する脂肪も含む。脂肪組織は、少なくとも1つの脂質に富む細胞、例えば、含脂肪細胞(adipocyte)のような脂肪細胞を指すことができる。脂肪細胞は、結合組織、線維中隔(
皮膚支帯)によって境界付けられる小葉を形作る。
部を含むことができる。
筋、母趾内転筋、母趾外転筋(正:abductor hallucis)、小指外/内転筋(ab/adductor
digiti minimi)、小指外転筋及び/又は底側骨間筋)を含む下肢の筋肉であり得る。靭帯は、胸部のクーパー靭帯であり得る。
ゲネシス及び弾性線維形成の加速、筋肉増強、筋肉引き締め(muscle toning)、及び筋
肉整形等の処置効果を提供することができる(又は、処置が、最終的にそれをもたらすことができる)臀部を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用とすることができる。これらの処置効果は、ウエスト又は臀部外周減少、臀部リフト、臀部を丸めること、臀部の引き締め及び/又はセルライト減少を引き起こすことができる。
structure)に対する処置効果を提供することができる。ターゲット生物学的構造に対する処置効果は、少なくとも1つのターゲット生物学的構造を加熱し、磁気処置によって筋肉の少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮を誘発することによって提供することができる。
することもできる。したがって、RF場によって引き起こされる加熱は、大量の磁気エネルギーが、より多くの筋肉仕事を行うために、患者の生物学的構造内に送出されることを可能にすることができる。筋肉及び/又は隣接する生物学的構造の加熱は、筋肉収縮の質及び/又はレベルを改善することもできる。RF場によって提供される加熱のために、より多くの筋肉線維及び/又は筋肉線維のより長い部分は、磁気処置中に収縮することができる。加熱は、磁気処置によって生成される筋肉刺激の貫入(penetration)を改善する
こともできる。さらに、少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮が反復して誘発されると、不快な加熱の患者の閾値が、より高くシフトする場合もある。閾値のそのようなシフトは、より多くのRFエネルギーが患者の身体に送出されることを可能にすることができる。
ことができる。集中した高負荷の筋肉仕事は、述べた磁場発生デバイス及び処置デバイス
によって生成される時変性磁場の印加によって引き起こされる(正:caused)多数回の反復的筋肉収縮によって提供することができる。
ることができる。また、図1a~図1eの図の1つ以上の示す部分は、複数の個々の電気素子を含むことができる。電気素子は、個々の電気素子間で電磁(例えば電気)信号を、生成、伝達、修正、受信又は送信することができる。電磁信号は、電流、電圧、位相、周波数、包絡線、電流の値、信号の振幅、及び/又はそれらの組み合わせによって特徴付けることができる。電磁信号が処置エネルギー源に達すると、それぞれの処置エネルギー源は、処置エネルギー及び/又は場を生成することができる。
れる電気エネルギーを提供することができる。図1a~図1eの例示的な図上に示すように、電力ネットワークは、電気エネルギーを、入力インターフェース103、制御システム104、及び電力源105に提供する。
源105、処置クラスターB 107b、及び/又は処置エネルギー源B 108bを含
むことができる。処置クラスター107a及び107bは互いに通信することができる。
107a及び処置クラスターB 107bを含む2つの処置クラスター、処置エネルギー源A 108a及び処置エネルギー源B 108bを含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは2つの処置回路を含むことができる。1つの処置回路は、電力源105a、処置クラスターA 107a、及び/又は処置エネルギー源A
108aを含むことができる。別の処置回路は、電力源B 105b、処置クラスターB 107b、及び/又は処置エネルギー源B 108bを含むことができる。処置クラ
スター107a及び107bは互いに通信することができる。
ー源108を含むことができる。別の処置回路は、電力源105、処置クラスターB 107b、及び/又は処置エネルギー源108を含むことができる。処置クラスター107
a及び107bは互いに通信することができる。示す図は、RF処置及び磁気処置の両方を提供する磁場発生デバイスを含むことができる。
置回路は、電力源105、処置クラスターA2 107aa、及び/又は処置エネルギー
源A2 108aaを含むことができる。第3の処置回路は、電力源105、処置クラスターB1 107b、及び/又は処置エネルギー源B1 108bを含むことができる。
第4の処置回路は、電力源105、処置クラスターB2 107bb、及び/又は処置エ
ネルギー源B2 108bbを含むことができる。第1の処置回路及び第2の処置回路の処置エネルギー源は、1つのアプリケーター内に位置決めすることができ、一方、第3の処置回路及び第4の処置回路の処置エネルギー源は、別のアプリケーター内に位置決めすることができる。
処置エネルギー源108aを含むことができる。第2の処置回路は、電力源A 105a、処置クラスターA2 107aa、及び/又は処置エネルギー源A2 108aaを含
むことができる。第3の処置回路は、電力源B 105b、処置クラスターB1 107b、及び/又は処置エネルギー源B1 108bを含むことができる。第4の処置回路は
、電力源B 105b、処置クラスターB2 107bb、及び/又は処置エネルギー源
B2 108bbを含むことができる。第1の処置回路及び第2の処置回路の処置エネルギー源は、1つのアプリケーター内に位置決めすることができ、一方、第3の処置回路及び第4の処置回路の処置エネルギー源は、別のアプリケーター内に位置決めすることができる。
て規定されたパラメーターによって処置エネルギーを提供することができる。
信からのデータ、及び/又はリモートコントロール13と主ユニット11との間の通信からのデータを含むことができる。送信情報及び/又は受信情報は、ブラックボックス、クラウド記憶空間、及び/又は他の記憶デバイスに記憶することができる。ブラックボックスは、主ユニット11の一部又は処置デバイスの任意の他の部分とすることができる。他の記憶デバイスは、USB、他のメモリデバイス、及び/又は内部メモリを有する通信デバイスともすることができる。送信情報及び/又は受信情報の少なくとも一部は、HMIによって表示することもできる。送信情報及び/又は受信情報を、HMIを通してユーザーによって及び/又は制御システムによって自動的に、表示、評価、及び/又は変更することができる。1つのタイプの送信情報及び/又は受信情報は、所定の値若しくは現在の値、又は1つ以上の処置パラメーターの選択物、又は患者情報とすることができる。患者情報は、例えば、患者の性別、年齢、及び/又は患者の身体タイプを含むことができる。
デバイスのコネクタ側に含まれる情報を読み取る及び/又は認識することができるユニットを含むことができる。読み取った情報及び/又は認識した情報に基づいて、アプリケーター及び/又は更なる処置デバイスを、主ユニット11が認識することができる(正:may be recognized by main unit 11)。主ユニット11内のコネクタ側は接続の第1の側
のコネクタとして役立つことができ、アプリケーター又は更なる処置デバイスの接続は接続の第2の側のコネクタとして役立つことができる。情報の送信、情報の受信、及び/又は第1の側のコネクタによる第2の側のコネクタの認識は、これらの2つのコネクタ側の間の導電性接触によって、光学的読み取りによって、及び/又は第1の側のコネクタによって提供される認識によって受信されるバイナリ情報に基づくものとすることができる。光学的認識は、例えば、特定のアプリケーター12についての特定のQRコード(登録商標)、バーコード等の読み取りに基づくことができる。
ユーザーが制御することができる。
リセット(factory reset)に頼ることもできる(正:may be dependent)。例えば、リ
モートコントロール13は、患者が不快を感じると処置を停止する、最高優先度を有するコマンドを提供することができ、処置は、処置デバイスのどの個々の部分がマスターユニットとして設定されたか、及び、設定された処置パラメーターによらずに停止されることになる。
wave)比、組織の温度、RF電極の温度、アプリケーターの内部の温度、アプリケータ
ーの表面の温度、処置デバイスの個々の素子の電流及び電圧、及び/又は他のもの等のフィードバック情報に基づいて修正することができる。
ース204との間に位置することができる。セキュリティ203は、素子ユーザー208、サービス207、及び/又は販売206の一部とすることもできる。セキュリティ203は、通信インターフェース204と通信媒体205、治療発生器201との間に位置することもできる、及び/又は、それらの一部とすることができる。
/又は、別の更なる処置デバイス及び/又は他のものの接続のためのアプリケーションを提供するデバイスの具体化を含むことができる。処置デバイスの最適化及び/又は具体化は、例えば、処置デバイスソフトウェアに対するリモートアクセス及び/又はエラーの修復を含むことができる。
データを、管理者アクセスを有するサービス技術者、会計係、及び/又は他の人等の、検証された権限のある人員がダウンロードすることができる。権限のある人の検証は、特定の鍵、パスワード、数ビットのソフトウェアコードによって、及び/又は、特定の相互接続ケーブルによって提供することができる。
スマートフォン、タブレット、コンピューター、及び/又は他の電子デバイス等の任意の通信デバイスにダウンロードすることができる。ソフトウェア拡張機能は、処置デバイスの主ユニット及び/又は他の部分と通信することができる。インストールされたソフトウェア拡張機能を有する通信デバイスは、1つ以上の処置パラメーター又は処置に関連する情報を表示又は調整するために使用することができる。そのような表示可能な処置パラメーター又は処置に関連する情報は、例えば、処置の時間経過、個々の処置前の及び/又は処置後の処置された身体エリアの測定されたサイズ、印加されたバースト又は列の概略図、処置の残りの時間、患者の心拍数、患者の身体の温度、例えば身体表面の温度、提供される処置のタイプ、処置プロトコルのタイプ、以前の処置に対する患者の身体パラメーターの比較(例えば、体脂肪率(body fat percentage))、及び/又は処置の実際の処置
効果(例えば、筋肉収縮又は筋肉弛緩)を含むことができる。ソフトウェア拡張機能は、処置のスケジュール、個々の処置間のマッピング経過、他の人々と比較した処置結果のパーセンタイル値、及び/又は、処置前の及び/又は処置後の行動の推奨を患者に通知するために患者に提供することもできる。行動の推奨は、例えば、1日の間に患者がどれだけの体積の水を飲むべきか、患者の規定食はどのようなものにするべきか、処置前に及び/又は処置後にどのタイプでかつどれだけの量の運動を患者が行うべきかについての推奨(正:recommendation of)、及び/又は、処置の結果を改善することができる他の情報を
含むことができる。
チレーターグリッド62、少なくとも1つのアプリケーターホルダー63a及び63b、少なくとも1つのデバイスコントロール64、アプリケーターコネクタ65a及び65b、少なくとも1つの主電源入力66、主ユニット11の湾曲カバー67、ホイール68、主ユニットカバー開口69、主ユニットハンドル70、及び/又はロゴエリア71を含むことができる。主電源入力66は、パワーグリッド又は電力ネットワークに対する結合又は接続を提供することができる。
最小にされる。主ユニット11の向かい合う側は、主ユニットカバー開口69を含むこともできる。主ユニットカバー開口69は、患者又は処置される身体エリアの温度をモニターするサーマルカメラ、1つ以上のアプリケーターの場所、患者及び/又は他のものの移動をモニターするカメラを含むことができる。主ユニットカバー開口69は、主ユニットの湾曲カバー67内の開口によって示すことができる。主ユニットカバー開口69は、更なる処置デバイスに接続する1つ以上のコネクタを含むことができる。さらに、主ユニットカバー開口69は、患者の移動、処置される身体及び/又は生物学的構造の加熱をスキャンする、カメラ、赤外センサー等の1つ以上のセンサーを含むことができる。そのようなセンサーからの情報に基づいて、1つ以上の処置パラメーターの実際の値及び/又は所定の値は、患者が移動するとき、皮膚表面が温度閾値限界に達するとき、又は処置される身体エリア及び/又は他のものが決定されるとき、最適化することができる。主ユニット11の前側は、1つ以上のアプリケーターコネクタ65a及び/又は65bを含むこともできる。
接続されるアプリケーターを用いた操作よりも容易とすることができる。主ユニット11の前側は、角部及び/又は角度を全く持たない場合があり、少なくとも部分的に楕円の及び/又は円形の湾曲を含むことができる。湾曲は、20cm~150cm、30cm~100cm、30cm~70cm、又は40cm~60cmの範囲内の曲率半径を有することができる。主ユニット11前側湾曲の角度は、30度~200度、又は50度~180度、又は90度~180度の範囲内にあるものとすることができる。湾曲の角度は、以下で更に詳細に論じる図23のセクション26の角度30が規定されるのと同じ原理に従って規定することができる。
temperature)を示すことができる。その指示は、色点滅又は振動で提供することができる。アプリケーターホルダー63a及び/又は63bは、1つ以上の処置パラメーター及び/又は患者に接触するアプリケーターの部分の温度等のアプリケーターパラメーターの実際の値及び/又は所定の値を設定するために使用することができる。
最後の3分の1でかつZ座標の最初の3分の1のところに位置することができる。エネルギー貯蔵デバイス76を、1つ以上のRF回路から少なくとも部分的に絶縁することができる。複数の磁気回路が使用されるとき、複数の磁気回路を、互いから少なくとも部分的に絶縁することができる。上記で述べたように、エネルギー貯蔵デバイス76からアプリケーターコネクタ65につながる同軸ケーブルの短い長さを確実にするために、両方の要素(エネルギー貯蔵デバイス76及びアプリケーターコネクタ65、例えば65a)は、X座標及びZ座標の最初の半分のところ等、X座標及びZ座標の同じ半分のところに位置することができる。磁気回路のボックス77によって示される他の電気素子は、X座標の最初の半分でかつZ座標の3分の2のところに位置することができる。
ナビゲーターとして使用することができる。また、スライダー703は、処置の終了までにどれだけの時間が残っているかを示すために使用することができる。
)」708によって表されるアイコンは、例えば、デバイスによって生成される音のメロディー及び/又は強度、及び/又は、ディスプレイの輝度の設定を含む処置デバイスの設定にユーザーをリダイレクトさせることができる。処置デバイスによって生成される音及び/又はディスプレイの輝度は、処置の前において及び/又は処置中に異なるものとする
ことができる。「設定」708インターフェースは、日付け、時間、言語、主ユニットと、アプリケーター、更なる処置デバイス、及び/又は通信デバイスとの間の接続のタイプ及び/又はパラメーターを変更することが可能であるとすることもできる。「設定」708インターフェースは、処置デバイス及びその接続された部分の較正及び機能スキャンを開始するためのアイコンを含むことができる。「設定」708インターフェースは、ソフトウェア情報、ソフトウェア履歴、及び/又はソフトウェア具体化、サービスに連絡する及び/又はエラープロトコルを送信するためのボタン、動作モードのタイプ(例えば「基本(basic)」又は処置デバイスの許可された更なる設定を有する「エキスパート(expert)」)、処置のためにクレジットを再チャージする可能性、工場設定への回復及び/又
は他の設定を提供することができる。
って制御することができる。処置は、ボタンスタート713によって開始することができ、ボタンスタート713は、(例えば、処置を開始した後)ボタンポーズになるように自動的に変更することができる。処置は、処置中に、ボタンストップ716によって再開及び/又は停止することができる。インターフェースは、処置が不快であるときにリモートコントロールを通して患者が作動することができる不快ボタン717のインジケーターを示すこともできる。不快ボタン717が作動されると、処置を、自動的にかつ即座に中断(例えば、一時停止又は停止)することができる。不快ボタン717が作動されると、処置デバイスは、音信号を含む可聴警報を含む人間が知覚可能な信号を提供することができる。さらに、人間が知覚可能な信号は、例えば、点滅する色を含む視覚的警報を含むことができる。患者の不快に基づいて、ユーザーは、例えば、処置パラメーター又は処理プロトコル、アプリケーターの取り付け又は結合を調整することができる。インターフェースは、処置デバイスをスイッチオン又はオフするソフトウェアパワースイッチ715を含むこともできる。
の衣類、ゲル、液体吸収材料、又は金属とすることができる。
1つ以上の要素とすることができる。
作ることができる。磁場発生デバイスは、第1の側面部801の湾曲、第2の側面部802の湾曲、及び/又は、患者の身体エリアの湾曲に少なくとも部分的に適合することができる。RF電極及び/又は磁場発生デバイスは、RF処置及び/又は磁気処置のより良好なターゲット設定に集中する及び/又はそれを提供するために湾曲することができる。第1の側面部801は、処置中に第1の側面部801内に四肢の位置を維持するように構成することができる。第1の側面部801は、処置される身体エリアについて安定位置及び/又は平衡を提供することができる。患者の四肢の位置は、四肢が筋肉収縮によって移動しても第1の側面部801内に維持することができる。四肢の側方移動及び/又は回転は、四肢が安定位置にあり得るように第1の側面部801及び/又はベルト817によって制限することができる。アプリケーター800に対する回転運動は、アプリケーター800を身体エリア、処置される身体四肢の少なくとも一部(正:at least part of)にベルトによって結合することによって制限することができる。さらに、腕の一部が磁気処置及び/又はRF処置によって処置されるとき、四肢の少なくとも一部は、四肢の移動を最小にするために患者の胴体に取り付けることもできる。
グの特定の湾曲、製造又は流通会社のロゴ、及び/又はその他のもの等の、アプリケーターのカバーの一部の異なる表面修正とすることができる。アプリケーターのケーシングは少なくとも2つの色を有することができる。第1の色は、アプリケーターの正しい位置決めを可能にするために磁場発生デバイスの上でアプリケーターのケーシング上にあるものとすることができ、アプリケーターの残りの部分は、第1の色と異なる第2の色を有することができる。色は、光の特定の波長を反射及び/又は吸収する塗料と解釈することができる。マーカー813と同様に、アプリケーターは、少なくとも1つのRF電極の場所を示すために第2のマーカーを含むことができる。
悪い影響を及ぼし、アプリケーター及び患者の皮膚に接触し、及び/又は患者の皮膚に対するアプリケーターの付着の低下につながる場合がある。患者の皮膚の発汗を防止するために、アプリケーターの接触エリア(例えば、第1の側面部801及び/又は第2の側面部802)の冷却を使用することができる。第2の側面部802及び/又は第1の側面部801は、図8dに示すように液体及び/又はガス(例えば、空気、油、又は水)が流れることができるアプリケーターのアパーチャ820を通して冷却流体を供給することができる溝819を有することができる。アプリケーターの第1の側面部又は第2の側面部は、アプリケーターの穴又はアプリケーターのアパーチャ820を有することができ、アプリケーター800からの空気を、患者の皮膚から熱、水分、及び/又は汗を除去するために誘導することができる。穴又はアパーチャは、溝819内に存在することができる。穴は、患者に対して作用物質(active substance)を提供するために使用することができる。身体エリアに接触しているアプリケーターの接触部分は、少なくとも部分的に、患者の皮膚から汗を除去する及び/又は患者とアプリケーター800との間の導電率を改善することができる、スポンジ、親水性材料、不織布、有機及び/又はポリマーテキスタイル等の流体吸収材料を含むことができる。処置される身体エリアの少なくとも一部における患者の発汗の低減は、汗腺(sweat gland)活動の低減によって行うことができる。汗腺の
活動の低減は、パルス状磁場、強い光、グリコピロニウムトシル酸塩(glycopyrronium tosylate)等の患者上への及び/又は患者に対する適用された作用物質による患者の皮膚
の周期的低体温症(hypothermia)によって及び/又は他の機構によって提供されるヒー
トショックの適用によって提供することができる。
180度、若しくは60度~135度の範囲内にあるものとすることができる。さらに、第2の側面部802に対する当てはめられる円の少なくとも一部の曲率半径は、50mm~1250mmの範囲内、10mm~750mm、50mm~500mm、又は60mm~250mmの範囲内にあるものとすることができる。
の皮膚との間の層としてのボーラス32の厚さは異なる厚さを有することができる。ボーラス32の厚さは、RF処置(RF場を含む)のエネルギー束密度が、不快なホットスポット及び/又は不均一な温度分布を生じるのに十分に高いことになる場所においてより厚いとすることができる。ボーラス32は、より均一な生物学的構造加熱を可能にし、エッジ効果を最小にする。エッジ効果は、ボーラス体積及び/又はボーラス面積にわたるボーラスの異なる誘電体特性によって最小にすることもできる。ボーラス32は、RF電極の縁の少なくとも一部の下でより大きい厚さを有することができる。RF電極の縁の少なくとも一部の下でのボーラスの厚さは、RF電極の中央の少なくとも一部の下でのボーラス32の厚さより少なくとも5%、10%、15%、又は20%大きいとすることができ、そこでは、アパーチャ、切り欠き部、及び/又は突出部は考慮されない。ボーラス32は、バイポーラRF電極の少なくとも一部の下で及び/又は少なくとも2つのバイポーラRF電極間の距離の少なくとも一部の下で大きい厚さを有することができる。ボーラス32は、2つの異なるバイポーラRF電極の最も近い2つのポイント間の距離が少なくとも5%、10%、15%、又は20%以上である場所において、ボーラス32の厚さより、ほぼ少なくとも5%、10%、15%、又は20%だけ厚いとすることができる。ボーラス32は、少なくとも1つの生物学的構造に対する処置エネルギー(例えば、磁場及び/又はRF場)の伝達を改善し、アプリケーター及び生物学的構造の異なる2つの界面の間で誘電体特性の段階的移行を提供することによってエネルギー反射を最小にすることもできる。ボーラス32は、処置効果を高める及び/又は処置のより深い組織貫入を提供するRF場及び/又は磁場のプロフィールを明らかにする又はそれに焦点を合わせることができる。
の身体の容量性加熱等の加熱を提供する。ボーラス32として役立つ流体吸収材料は、生物学的構造の良好な熱伝導率、したがって良好な温度を提供することもできる、及び/又は、アプリケーターを、より早く、より容易に、またより正確に調節することができる。ボーラス32は、RF処置を提供する更なるRF電極を含むこともできる。
、バイポーラ電極、及び/又はマルチポーラ電極として動作することができる。1つ以上のRF電極は、生物学的構造又は身体エリアの容量性及び/又は誘導性加熱のために使用することができる。
能である。同様に、バイポーラ電極間の距離は、RF波貫入の深さに影響を及ぼし、RF処置のターゲット設定の向上を可能にする。
ーターの一部とすることができ、より大きい表面積を有する不活性電極はアプリケーターから少なくとも5cm、10cm、又は20cmのところに位置することができる。接地された電極は、不活性電極として使用することができる。接地された電極は、患者の身体の、アプリケーターが取り付けられている側と反対側にあるものとすることができる。
属ストリップ、及び/又は巻線)の断面積は、提供される磁気処置の集中化(focusation)を改善する、磁場発生デバイスの耐久性を上げる、磁場発生デバイスの加熱を最小にする、及び/又は他の理由のために、ワイヤリングの個々のループの間で、2%~50%、又は5%~30%、又は10%~20%の範囲内で変動する場合がある。
電性部分と最近傍RF電極との間の距離は、0.1mm~100mm、又は0.5mm~50mm、又は1mm~50mm、又は2mm~30mm、又は0.5mm~15mm、又は0.5mm~5mmの範囲内にあるものとすることができる。磁場発生デバイスとRF電極との間の間隔は、磁気回路からRF回路を分離し、1つの処置回路又は処置エネルギー源に他の処置回路又は他の処置エネルギー源が影響を及ぼすことを防止する絶縁バリアの形態で設けることもできる。患者の身体の近くに位置決めされた磁場発生デバイスは、患者の身体からより遠い距離にある磁場発生デバイスより効果的にかつ深く、少なくとも1つのターゲット生物学的構造の少なくとも一部に対して、刺激し、処置効果を提供することができる場合がある。
る。時変性磁場によって誘起される望ましくない物理的効果は、例えば、渦電流の誘起、RF電極の過熱、表皮効果、及び/又は、RF電極における位相シフトのような他の電気及び/又は電磁効果の引き起こしを含むことができる。そのような望ましくない物理的効果は、処置デバイス機能不全、エネルギー損失、処置効果の低下、エネルギー消費の増加、少なくともアプリケーターの一部、例えば、RF電極の過熱、誤ったフィードバック情報の収集、RF電極に提供される信号調整の機能不全、及び/又は他の望ましくない効果をもたらす場合がある。
織の体積は、最高温度を有することができ、実際の温度、又は所定の温度に対する温度参照として測定されるべきである。しかしながら、温度センサーを、アプリケーターの内部に又はアプリケーターの表面上に設置することができる。
くす別のオプションは、RF電極の特別な設計を含むことができる。
、導電性ワイヤの格子又は導電性ワイヤのメッシュとすることができる。突出部114は、電極の周縁において1つ以上の切り欠き部115を画定することができる。
20個~400個、又は50個~400個、又は100個~400個、又は15個~200個、又は30個~100個、又は40個~150個、又は25個~75個の範囲内にあるものとすることができる。
ことができる。
の近くに位置することができる図14a~図14e及び図15a~図15cに示す同じタイプのRF電極101は、第1の側面部の近くに位置するRF電極102として及び/又は任意の他の1つ以上のRF電極のために使用することができる。
び/又は、ミラー対称を有する直線の対称軸等、少なくとも1つの対称軸に従って設計することができる。こうして、電極101a及び101bを半円とすることができる場合、ギャップ113は円形とすることができる。そのような対称電極の使用は、身体エリア(例えば、臀部又はヒップ)の対称性を強調するために、そのような対称性を必要とする場合がある身体エリアを処置するために有益とすることができる。
少なくとも1つのRF電極101aは別のRF電極101bを少なくとも部分的に囲むことができる。RF電極101a及び101bは、例えば、図14a~図14eに関して上述したのと同じ絶縁特性を有する基材113aを含むギャップ113で離間することができる。RF電極101bは、磁場のシールド、及び、RF電極101bにおいて誘起される望ましくない物理的効果の誘起を最小にするために穴116を含むことができる。穴116は、磁場発生デバイスによって生成される磁場の磁束密度が処置中に最大値に達するRF電極平面内に位置することができる。穴116は、円とすることができ、又は、とりわけ、長円形、正方形、三角形、又は矩形等の他の形状とすることができる。穴116は、0.05cm2~1000cm2、又は0.05cm2~100cm2、又は3cm2~71cm2、又は3cm2~40cm2、又は3cm2~20cm2、又は3cm2~15cm2、又は0.5cm2~2.5cm2の面積を有することができる。RF電極は、完全に又は部分的に同心とすることができる。
呼ぶ磁気処置のための処置クラスターを含むことができる。HIFEMクラスターは、例えば、ESD、SW、及び/又はCUMを含むことができる。磁気回路の制御ユニットCUMは制御システムの一部とすることができる。磁気クラスターの制御ユニットCUM及び/又は磁気回路の他の電気素子はマスターユニットのスレーブとすることができる。HIFEMクラスター、制御システム、及び/又はCUMは、貯蔵される電気エネルギーの量を制御することによってESDにおける電気エネルギーの貯蔵を提供又は制御することができる。HIFEMクラスター、制御システム、及び/又はCUMは、電気信号の修正、HIFEMクラスターを通して伝達される電気信号のパラメーターの調整、回路の安全
な動作、及び/又はESDの充電又は再充電を提供することができる。例えば、HIFEMクラスター又は制御システムは、MFGDに伝達される電気パルスの電圧及び/又は電流の調整によってMFGDによって提供される磁場の磁束密度の調整を提供することができる。電気信号の修正は、磁気回路において送信される信号の歪み、形状、振幅、及び/又は周波数領域における包絡線歪み、伝達される電気信号に対するノイズの付加、及び/又は磁気回路に入る、送信されたオリジナル信号の他の劣化を含むことができる。
。
合わせた定在波比計(SWR+電力計:standing wave ratio combined with power meter)、チューニング素子(チューニング)、スプリッター、絶縁体、対称化素子(SYM
)、プレマッチ(pre-match)、及びRF電極(RFE)を含むことができる。RF処置
のための処置クラスターは、例えば、RFクラスターの制御ユニット(CURF)、電力増幅器(PA)、フィルター、電力と組み合わせた定在波比計(SWR+電力計)、及び/又はチューニング素子(チューニング)を含むことができる。RF回路の制御ユニットCURFは制御システムの一部とすることができる。RF回路の制御ユニットCURF及び/又はRF回路の他の電気素子は、マスターユニットのスレーブとすることができる。RF回路の一部として述べる1つ以上の電気素子をなくすことができ、電気素子の一部を、同様の機能を有する素子に統合することができ、及び/又は、電気素子の一部を、回路の機能を改善するために付加することができる。
信号のパラメーター、例えば、電圧、位相、周波数、包絡線、電流値、信号の振幅、及び/又は他のものは、CURFが制御することができるRF回路の個々の電気素子、制御システム、及び/又はRF回路の個々の電気素子の電気特性によって影響を受ける場合がある。RF回路内の信号に影響を及ぼす電気素子は、例えば、電力源(PS)、電力増幅器(PA)、フィルター、SWR+電力計、チューニング、スプリッター、絶縁体、不平衡信号を平衡信号に変更する対称化素子(SYM)、プレマッチ、及び/又はRF波を生成するRF電極とすることができる。電気信号の修正は、RF回路において送信される信号の歪み、形状、振幅、及び/又は周波数領域における包絡線歪み、伝達される電気信号に対するノイズの付加、及び/又はRF回路に入る、送信されたオリジナル信号の他の劣化を含むことができる。
とができる。SWR+電力計は、そのような定在波の振幅を測定することができる電力計を含むことができる。SWR+電力計は、CURF及び/又はチューニング素子と通信することができる。SWR+電力計は、フィードバック情報を提供して、患者の身体内での定在波の作成を防止し、チューニング素子によるより良好な信号調整を提供し、生物学的構造に対してより良くターゲット設定された方法でより効率的により安全な処置及びエネルギー伝達を提供することができる。
バラン及び/又はバラン変圧器とすることができる。SYM素子は、例えば、同軸ケーブルを通して第1のバイポーラRF電極及び第2のバイポーラRF電極に誘導されるRF信号のλ/2位相シフトを作成することによって、第1のバイポーラRF電極と第2のバイ
ポーラRF電極との間の信号対称化を提供することができる。
できる。
でき、RF電極101bは第2のアプリケーターの一部とすることができる。コネクタ134は、1つ以上のアプリケーターを主ユニットに接続するために使用することができる。部分l2は、アプリケーターの接続管を示すことができる。この接続管内の同軸ケーブル135a及び135bの長さは、1m~6m若しくは1.1m~4m、又は、λ/4±10%若しくは±5%の範囲内にあるものとすることができる。対形成素子136は、同軸ケーブル135a及び135bの導電性シールド部分の導電性接続とすることができる。対形成素子136は、0.5cm2~100cm2、1cm2~80cm2、又は1.5cm2~50cm2の範囲内の表面積を有することができる。対形成素子136は、銅、銀、金、ニッケル、又はアルミニウム等の高(正:high)電気伝導率材料を含むことができ、対形成素子136のインピーダンスはほぼゼロとすることができる。対形成素子と電極との間に、キャパシタ、抵抗器、及び/又はインダクタを設置することができる。
の電力源(PSRF:power source for RF treatment)及び磁気処置のための電力源(
PSM:power source for magnetic treatment)を含む2つの独立した電力源を含む。
PSRFは、RF処置のための2つの独立した処置クラスターRF A及び/又はRF Bに電磁信号を提供することができる。PSMは、磁気処置の1つ以上のクラスターHIFEM A及び/又はHIFEM Bに電磁信号を提供することができる。1つ以上の電力源は、とりわけ、ヒューマンマシンインターフェース(HMI)又はマスターユニット等の処置デバイスの他の部分に電力供給することもできる(正:may also power)。各磁気回路及び/又はRF回路はそれ自身の制御ユニット(CUM A、CUM B並びにCURF A及びCURF B)を有することができ、CURF A及びCURF Bは、RF処置のためのRF処置クラスターA(RF A)及びRF処置のための処置クラスターB(RF B)の制御ユニットとすることができる。
互いから絶縁されるものとすることができる。処置デバイスは、電圧バリア、距離バリア、及び/又は放射バリアをシールドするように、処置デバイス及び個々の回路の、互いから絶縁された1つ以上の電気素子及び/又は部分を含むことができる。絶縁された部分の例は、図18aにおいて破線で示すことができる。処置デバイスの個々の電気素子を処置デバイスの少なくとも1つの部分から絶縁することができることも可能である。そのような部分及び/又は電気素子の絶縁は、高誘電率材料によって、個々の部分及び/又は電気素子の距離によって、キャパシタ又は抵抗器のシステムによって提供することができる。また、アルミニウムボックスによる及び/又は他の方法による、電子工学、物理学から知られている任意のシールドを使用することができる。
source of RF circuit)、RF回路の補助電力源(APS RF:auxiliary power source of RF circuit)、電力ネットワークフィルター(PNFLT:power network filter)、及び/又は電力ユニット(PU:power unit)を含むことができる。個々の電気素
子は、PSRF内に他の電気素子とともに含まれないとすることができる。磁気処置のための電力源(PSM:power source for magnetic treatment)は、補助電力源A(AP
S A)、補助電力源B(APS B)、磁気回路の定常電力源(SPSM:steady power source of magnetic circuit)、電力ポンプ(PP:power pump)、ボード電力源(board power source)A(BPS A)、及び/又はボード電力源B(BPS B)を含
むことができる。個々の電気素子は、PSM内に他の電気素子とともに含まれないものとすることができる。磁気回路の磁気処置のための処置クラスターHIFEM Aは、制御ユニットA(CUM A)、エネルギー貯蔵デバイスA(ESD A)、スイッチA(S
W A)、安全素子(SE:safety element)、及び/又はパルスフィルター(PF:pulse filter)を含むことができる。磁気回路の磁気処置のための処置クラスターHIFEM Bは、制御ユニットB(CUM B)、エネルギー貯蔵デバイスB(ESD A)、及び/又はスイッチB(SW A)を含むことができる。図18aに示さないが、磁気処置のための処置クラスターHIFEM Bも、パルスフィルター(PF)及び/又は安全素子(SE)を含むことができる。個々の電気素子は、互いから絶縁されるものとすることができる。しかしながら、個々の電気素子及び/又は回路部分を、他の回路部分と統合及び/又は共有することができる。1つの例として、1つの制御ユニットを、2つ以上のRF回路及び/又は磁気回路と少なくとも部分的に共有することができ、1つの制御ユニットは、RF回路のために、また磁気回路のためにも、電力を、又は、電力を提供する電力ネットワーク若しくは電力源を調節することができる。別の例は、少なくとも2つのRF及び/又は磁気回路とともに共有される少なくとも1つの補助電力源及び/又は定常電力源とすることができる。
18aに示すように、電圧センサー、高電圧インジケーター、及び/又は放電抵抗器等の安全素子SE等の1つ以上の他の電気素子を含むことができる。電圧センサー及び高電圧インジケーターは、スイッチSW及び/又は制御ユニット、例えば、CUM Aにフィードバック情報を提供することができる。SEの一部としての放電抵抗器は、危険な状況の場合、少なくとも1つのキャパシタの放電を提供することができる。1つ以上のESDの放電は、制御ユニット、例えば、CUM A又はCUM Bによって制御することができる。エネルギー貯蔵デバイスESDからスイッチSWを通して磁場発生デバイスに提供される信号は、パルスフィルター(PF)によって修正することができる。PFは、スイッチSWの一部とすることができ、及び/又は、スイッチSWと、磁場発生デバイス、例えば、MFGD Aとの間に位置決めすることができる。PFは、ESDの放電中にスイッチによって生成されるスイッチング電圧リップルを抑制することができる。提案される回路は、時変性磁場を生成するために、スイッチSWを反復的にスイッチオン/オフし、磁場発生デバイス、例えば、MGFD Aに対してエネルギー貯蔵デバイスESDを放電させることができる。図18aに示すように、磁気回路及び/又はRF回路の1つ以上の電気素子を、省略する及び/又は別の電気素子と組み合わせることができる。例えば、PSRF及び/又はPSMの1つ以上の個々の電気素子を、1つになるように組み合わせることができるが、個々の回路と独立に、減らすことができる。また、電気素子、PF、SE、及び/又は他のものは独立の電気素子とすることができる。また、個々の処置回路、例えば、RF回路は、図18a及び図18bに見られるように、互いと異なるものとすることができ、フィルター、SWR+電力計、チューニング、スプリッター、絶縁体、SYM、及び/又はプレマッチ等の電気素子は、なくすことができ、及び/又は、1つになるように組み合わせることができる。個々の電気素子をなくすこと及び/又は組み合わせることは、チューニングがない状態での患者身体に対するエネルギー伝達の効率の低下、SYM、プレマッチ、及び/又はチューニングの非存在(正:absence of)によるより大きいエネルギー損失、回路における信号調整の機能不全、及び、SWR+電力計、スプリッター、及び絶縁体がない状態での不正確なフィードバック情報をもたらす場合があり、及び/又は、処置デバイスは、フィルター、SWR+電力計、SYM、及び/又はチューニング素子がない状態では患者にとって危険になり得る。
A及びCUM Bに指令することができるマスターユニットのスレーブとして役立つことができる。したがって、各制御ユニットCUM A及びCUM Bの制御は独立である。代替的に、CUM BはCUM Aのスレーブとすることができ、一方、CUM A自身はマスターユニットのスレーブとすることができる。したがって、磁場発生デバイス(例えば、MFGD A)内に電流を放出するようにマスターユニットがCUM Aに指令すると、CUM Aは、異なるアプリケーター内に位置決めされた別の磁場発生デバイス(例えば、MFGD B)に対して電流を放出するようにCUM Bに指令することができる。別の代替法において、更なる制御ユニットを、マスターユニットと制御ユニットCUM A及びCUM Bとの間に位置決めすることができ、そのような更なる制御ユニットは、例えば、放電のタイミングを提供することができる。これらの手法の両方によって、磁場のパルスを、同期して又は同時に印加することができる。
の又は少なくとも1つの個々の電気素子に、及び/又は、処置デバイスの他の部分に、例えば、マスターユニット、HMI、エネルギー貯蔵デバイス(例えば、ESD A及び/又はESD B)に、制御ユニット(例えば、CUM A及び/又はCUM B)に、及び/又はスイッチ(例えば、SW A及び/又はSW B)に電気エネルギーを提供することができる。電力源は、図18aに示すように、電力ネットワークPN接続からの電気エネルギーを変換する1つ以上の素子を含むことができる。RF回路及び/又は磁気回路の電力源の幾つかの個々の電気素子は、1つの共通電気素子として構築することができ、図18aに示すように個々の電気素子として構築される必要はない。各RF及び/又は磁気回路は、それ自身の電力源、及び/又は、RF及び/又は磁気回路の一方のみに電力供給する電力源の少なくとも1つの電気素子を有することができる。同様に、1つの電力源の少なくとも一部は、処置の少なくとも一部の前に及び/又はその間に少なくとも2つの異なる回路に電力供給することができる(正:may power)。電力源は、少なくとも部分
的に互いから電気絶縁することができる個々の電気回路と共有される1つ以上の部分を含むことができる。
できる(正:may power)。APSは、1つ以上のボード電力源BPS、例えば、BPS
A及び/又はBPS Bに電力供給することもできる。APSは、マスターユニットHMI及び/又は処置デバイスの他の素子に電力供給することもできる。APSがあるため、少なくとも1つの制御ユニット及び/又はマスターユニットは、RF及び/又は磁気回路内の電気信号の処理/調整を正確に独立に提供することができ、及び/又は、処置デバイスの個々の電気素子を、過負荷から保護することもできる。ボード電力源(例えば、素子BPS A及び/又はBPS B)は、磁気回路の少なくとも1つの素子のための電気エネルギー源(例えば、エネルギー貯蔵デバイスESD A及び/又はESD B)として使用することができる。代替的に、電力源PSMの1つ以上の素子を、組み合わせる及び/又はなくすことができる。
できる。別の代替法において、更なる制御ユニットを、マスターユニットと複数の制御ユニットCURFとの間に位置決めすることができ、そのような更なる制御ユニットは、例えば、放電のタイミングを提供することができる。これらの両方の原理によって、RF場のパルスを、連続して又はパルス方式で(正:in pulsed manner)印加することができる。
A及びRF処置のための処置クラスターRF Bは、図7上に示すRF A及びRF B 712としてマーク付けされるHMI部分に関連するスライダー、バー、又は強度スクローラーを通して制御することができる。ヒューマンマシンインターフェースHMI上に示す、関連する強度スクローラー、強度バー、及び/又は強度スライダーを通して、ユーザーは、RF処置のための処置クラスターRF A及び/又はRF Bの1つ以上の電気素子の動作速度を制御又は調整することができる。同様に、関連する強度スクローラー、強度バー、及び/又は強度スライダーを使用することによって、ユーザーは、RF処置のための処置クラスターRF A又はRF Bの1つ以上の電気素子を通した又は電気素子の間の電気信号送信速度を制御又は調整することができる。
に提供される同一のRF場を提供することができ、同一のRF場は、RF場の同じ処置パラメーター、例えば、波長、位相、継続時間、及び強度を有することができる。
「パルス(pulse)」は、「磁気パルス(magnetic pulse)」又は「RFパルス(RF pulse)」を指すことができる。同様に、用語「列」は「磁気列(magnetic train)」を指す
ことができる。用語「磁気列」は、磁気パルスの列を含むことができ、磁気パルスの列は、1つのパルスが別のパルスに追従する複数の磁気後続パルス(magnetic subsequent pulses)として理解することができる。磁気パルスが1つの磁気インパルスを含むことができるため、用語「磁気列」は、磁気インパルスの列を含むこともできる。用語「バースト(burst)」は「磁気バースト(magnetic burst)」を指すことができる。
る。図19に示す期間T3は、バーストの継続時間を示すことができる。
、調整する、又は制御することができる。
インパルス271bは、第1の磁場のパルスのインパルス継続時間272の間に生成することができる。第2の磁場の磁気インパルス271bの始まりは、第1の磁場のインパルス271aの始まりからインパルスシフト274と呼ぶ期間だけ離れているものとすることができる。インパルスシフトは51~10ms、又は5μs~1000μs、又は1μs~800μsの範囲内にあるものとすることができる。
磁気インパルス又はRFインパルスは、種々の包絡線の構築を可能にするために、各インパルス又は複数のインパルスの振幅を変調することができる。同様に、RFエネルギーの振幅は、種々の包絡線を構築するために振幅を変調することができる。マスターユニット及び/又は1つ以上の制御ユニットは、本明細書で述べる1つ以上の包絡線の構築を提供するように構成することができる。異なるように整形された磁気包絡線及び/又はRF包絡線(本明細書で包絡線とも呼ぶ)を、患者が異なるように知覚することができる。本出願の図に示す包絡線(又は全ての包絡線)は、インパルス、パルス、又は列の磁束密度の振幅、及び/又は、RF波のRFインパルスの電力出力の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。
ができる。そのような包絡線の場合、包絡線継続時間は、複数のインパルスのうちの第1のインパルスで始まり、最後のインパルスで終わることができる。包絡線は、磁気インパルスの1つの列を含むことができる。包絡線は、インパルスの磁束密度の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。したがって、磁気インパルスによって形成される磁気包絡線は、磁気インパルスの磁束密度の変調、反復レート、及び/又はインパルス継続時間に従って列形状を規定することができる。したがって、包絡線は、RFインパルス及びそれらの包絡線の変調、RF波のRFインパルスの反復レート又はインパルス継続時間によって形成されるRF包絡線とすることができる。
パルスがない状態で互いに追従する。そのような場合、包絡線継続時間は、複数のパルスの(正:of the plurality of pulses)第1のパルスのインパルスで始まり、最後のインパルスのパッシブ継続時間で終わることができる。したがって、磁気パルスによって形成される包絡線は、磁束密度の変調、反復レート、及び/又はインパルス継続時間に従って列形状を規定することができる。包絡線は磁気パルスの1つの列を含むことができる。列は、プロトコル中に少なくとも2回反復するパターンの磁気パルスからなる。磁気包絡線は、パルスの磁束密度の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。
る組み合わせ式包絡線321の例示的な図である。組み合わせ式包絡線321は磁気インパルス322を含む。組み合わせ式包絡線におけるインパルスの磁束密度の振幅は、組み合わせ式包絡線全体の継続時間の1%~95%、又は5%~90%、又は10%~80%の範囲内について、減少することができる。組み合わせ式包絡線の矩形部分における後続のインパルスの磁束密度の振幅は、0.01%~5%の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。組み合わせ式包絡線321の包絡線継続時間323は、第1のパルスの第1のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。図32に示す組み合わせ式包絡線は、筋肉収縮又は筋単収縮の誘起及びその後の筋肉刺激の終了のために使用することができる。同様に、RF波の振幅は、包絡線321を構築するために振幅変調することができる。
の列は、増加する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。1つのインパルスの磁束密度は、第1のインパルスに後続する第2のインパルスの磁束密度よりも大きいものとすることができる。第2の列は、一定の磁束密度を有するインパルスを含むことができる。しかしながら、処置デバイスの動作は、各インパルスについて厳密に一定の磁束密度を提供することができず、したがって、磁束密度は0.1%~5%の範囲内で振動する場合がある。第3の列は、減少する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。1つのインパルスの磁束密度は、第1のインパルスに後続する第2のインパルスの磁束密度よりも小さいものとすることができる。
間及び第2の増加期間は、磁束密度の増加する振幅を有するインパルスを含む。示す例に関して、第2の増加期間は、第1の増加期間に追従し、減少期間に先行する。後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第1の増加期間中により急峻に増加することが示される。代替的に、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第2の増加期間中により急峻に増加することができる。台形包絡線361の包絡線継続時間363は、第1のパルスの第1のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、RF波の振幅は、台形包絡線361を構築するために振幅変調することができる。
時間403は、第1のパルスの第1のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。したがって、包絡線は、RFインパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。それらの振幅は、RF包絡線と呼ぶ振幅を形成することもできる。同様に、RF波の振幅及び/又は反復レートは、包絡線401を構築するために振幅変調することができる。
筋肉刺激を提供する磁気インパルスは、残存容量(resting capacity)を放出するために、磁場発生コイルに対するエネルギー貯蔵デバイスの放電によって生成することができる。エネルギー貯蔵デバイスは、その後、大電力電流インパルスを磁場発生デバイスに提供するために、電力源によってより大量の電流及び/又は電圧まで充電することができる。継続時間T1を有する矩形包絡線442は磁気インパルス441を含むことができる。継続時間T2を有する台形包絡線444は磁気インパルス441を含むことができる。継続時間TEPを有する包絡線間期間は、包絡線間期間内で磁気インパルス441の磁束密度によって与えられる包絡線443(例えば、縮小する形状を有する)を含むことができる。代替的に、包絡線間期間は、筋単収縮を提供する単一インパルスを含むことができる。したがって、包絡線は、RFインパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。それらの振幅は、RF包絡線と呼ぶ振幅を形成することもできる。RF包絡線間の期間は加熱なし時間を含むことができる。
数のサイクルを含む動作で、処置エネルギー源(例えば、RF電極)によって生成することができる。継続的動作は、継続的RF処置中に提供される。パルス状動作は、パルス状RF処置中に提供される。
にあるものとすることができる。
ができる。
よって特徴付けることができる。
るエリアの近傍での血液循環の増大に基づく。また、誘起される筋肉仕事は、RF場によって誘起され提供される加熱の均一性及び熱の消散を改善することができる。
始又は1つ以上の処置パラメーターに依存するものとすることができる。依存適用は、1つ以上のセンサーからのフィードバックに応じて開始又は調節することができる。例えば、RF処置の適用の開始は、磁気処置の開始、又は、列、バースト、及び/又は包絡線の開始に依存するものとすることができる。筋肉仕事(筋肉収縮及び/又は筋肉弛緩を含む)によって提供される熱消散が提供されないとき、過熱によって引き起こされる望ましくない組織損傷の健康リスクが起こる場合がある。別の例において、磁気処置の適用の開始は、RF処置の開始、継続時間、又は強度に依存するものとすることができる。磁気処置は、好ましくは、生物学的構造が十分に加熱された後に開始することができる。少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮を提供する磁気処置は、血流及びリンパ流を改善するとともに、隣接組織のマッサージを提供することができ、また、RF処置によって患者の身体内に誘起される熱のより良好な再分配を提供する。
RF処置の電力出力が処置プロトコル中に変動する、RFエネルギーの変動性電力出力とすることができる。RF処置の電力出力の変動を、1つ以上の電力出力変動ステップで提供することができ、1つの電力出力変動ステップは、1つ以上のRF電極によって適用されるRF処置の電力出力の値の1つの変化を含むことができる。電力出力変動ステップ中の1つの値から別の値へのRF処置の電力出力の変化は、0.1W~50W、又は0.1W~30W、又は0.1W~20Wの範囲内にあるものとすることができる。電力出力変動ステップは、0.1s~10min又は0.1s~5minの範囲内の継続時間を有することができる。
る。
ESD(A/B) エネルギー貯蔵デバイス
SW(A/B) スイッチ
HIFEM(A/B) 磁気処置のための処置クラスター
MFGD(A/B) 磁場発生デバイス
CUM(A/B) 磁気回路の制御ユニット
APS RF RF回路の補助電力源
PU 電力ユニット
SPSRF RF回路の定常電力源
PNFLT 電力ネットワークフィルター
PSRF RF処置のための電力源
RF(A/B) RF処置のための処置クラスター
SYM(A/B) 対称化素子
AP(A/B) アプリケーター
RFE(A/B) RF電極
APS(A/B) 補助電力源
PSM 磁気処置のための電力源
BPS(A/B) ボード電力源
SPSM 磁気回路の定常電力源
PN 電力ネットワーク
PF パルスフィルター
SE 安全素子
PA 電力増幅器
CURF RF回路の制御ユニット
Claims (7)
- 患者の身体エリアに対して磁気処置及び無線周波数処置を提供する美的医療用の処置デバイスであって、該処置デバイスは、
電気エネルギーを貯蔵するように構成されたエネルギー貯蔵デバイスと、
磁場発生デバイスと、
磁場発生デバイスにより時変性磁場が生成され、前記身体エリアの外部から前記身体エリア内の筋肉の筋収縮をもたらすように、前記エネルギー貯蔵デバイスから前記磁場発生デバイスに前記電気エネルギーを放電するように構成されたスイッチングデバイスであって、
前記時変性磁場は、0.5テスラ~7テスラの範囲内の磁束密度及び0.1Hz~700Hzの範囲内の反復レートを有する、スイッチングデバイスと、
前記患者の前記身体エリア内の脂肪組織を加熱するように無線周波数場を生成するように構成されたバイポーラ対の第1の無線周波数電極及び第2の無線周波数電極と、を備え、
前記第1の無線周波数電極及び第2の無線周波数電極は、アプリケーターの床面投影において前記磁場発生デバイスとの少なくとも部分的な重なりがある状態で位置決めされ、
前記第1の無線周波数電極及び第2の無線周波数電極は前記身体エリアの外部であって、前記磁場発生デバイスと前記患者の前記身体エリアとの間に位置決めされる、処置デバイス。 - 前記磁場発生デバイスと、前記第1の無線周波数電極及び第2の無線周波数電極とは、空気ギャップによって分離される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記磁場発生デバイスを冷却する流体を提供するファンを更に備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の無線周波数電極は、100kHz~3GHzの範囲の周波数を有する無線周波数信号を生成するように構成された電力増幅器に接続される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記無線周波数電極は、導電性ワイヤを含む、請求項4に記載のデバイス。
- 前記第1の無線周波数電極は、基材に堆積される導電性層を備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の無線周波数電極は、接着剤層によって前記身体エリアに取り付けられるように構成される、請求項1に記載のデバイス。
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