JP5771261B2 - 医療用連発磁気パルス発生装置 - Google Patents
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Description
対象部位3に渦電流を生じさせる磁気治療用のパルスコイル6と、充放電用コンデンサ4と、充放電用コンデンサ4からの放電電流をパルスコイル6に供給するスイッチング半導体素子7とを環状に直列接続した放電回路部Kと、
1次側コイル1aが交流電源2に接続され、2次側コイル1bが全波整流回路5の入力端子5aに接続された昇圧トランス1と、
スイッチング半導体素子7に接続され、スイッチング半導体素子7の導通タイミングを制御する制御部8と、
充放電用コンデンサ4の両端子P1,P2にその出力端子5b、5bがそれぞれ接続された全波整流回路5とで構成され、
全波整流回路5のいずれかの出力端子5b、5bと充放電用コンデンサ4のいずれかの端子P1,P2、或いは前記全波整流回路5の両端子5b、5bと充放電用コンデンサ4の両端子P1,P2との間に、充放電用コンデンサ4の順又は反転放電時に放電回路部Kから全波整流回路5に流入する分流電流11b抑制用のインダクタ9又は抵抗10の少なくともいずれか一方が接続されている医療用磁気パルス発生装置において、
分流電流11b抑制用のインダクタ9又は分流電流11b抑制用の抵抗10の少なくともいずれか一方と、昇圧トランス1の2次側コイル1bとで構成される充電回路部J1のインダクタンスの総和である全インダクタンス(L)、充電回路部の直流抵抗の総和である全直流抵抗(R)、充放電用コンデンサのキャパシタンス(C)、との関係が「数1」を充たすことにより共振型充電回路とし、加えて前記全インダクタンス(L)、キャパシタンス(C)、該全直流抵抗(R)との関係が「数2」を充たすことを特徴とする医療用連発磁気パルス発生装置である。
対象部位3に渦電流を生じさせる磁気治療用のパルスコイル6と、充放電用コンデンサ4と、充放電用コンデンサ4からの放電電流をパルスコイル6に供給するスイッチング半導体素子7とを環状に直列接続した放電回路部Kと、
1次側コイル1aが交流電源2に接続され、2次側コイル1bが全波整流回路5の入力端子5aに接続された昇圧トランス1と、
スイッチング半導体素子7に接続され、スイッチング半導体素子7の導通タイミングを制御する制御部8と、
スイッチング半導体素子7の両端子P1,P2にその出力端子5b,5bがそれぞれ接続された全波整流回路5とで構成され、
全波整流回路5のいずれかの出力端子5b,5bとスイッチング半導体素子7のいずれかの端子P1,P2、或いは前記全波整流回路5の両端子5b,5bとスイッチング半導体素子7の両端子P1,P2との間に、充放電用コンデンサ4の順又は反転放電時に放電回路部Kから全波整流回路5に流入する分流電流12b抑制用のインダクタ9又は抵抗10の少なくともいずれか一方が接続されている医療用磁気パルス発生装置において、
分流電流12b抑制用のインダクタ9又は分流電流12b抑制用の抵抗10の少なくともいずれか一方と、昇圧トランス1の2次側コイル1bと、パルスコイル6とで構成される充電回路部J2のインダクタンスの総和である全インダクタンス(L)、充電回路部J2の直流抵抗の総和である全直流抵抗(R)、充放電用コンデンサ4のキャパシタンス(C)、との関係が「数1」を充たすことにより共振型充電回路とし、加えて前記全インダクタンス(L)、キャパシタンス(C)、該全直流抵抗(R)との関係が「数2」を充たすことを特徴とする医療用連発磁気パルス発生装置である。
即ち、図1の本充電回路部J1では、昇圧トランス1の2次側コイル1bと、抵抗10に代えて又は抵抗10と共にインダクタ9が使用された場合には該インダクタ9を含めたインダクタンスの総和である全インダクタンスL、
昇圧トランス1の2次側コイル1bと前述のようにインダクタ9が使用された場合には該インダクタ9の直流抵抗分、或いはインダクタ9に代えて使用された又はインダクタ9と併用された場合には該抵抗10を含めた直流抵抗の総和である全直流抵抗R、充放電用コンデンサ4のキャパシタンスC、との関係が「数式1」を充たすことにより本回路を共振型充電回路とした。
即ち、本充電回路部J1の全インダクタンスLは、(i)2次側コイル1bのインダクタンスだけの場合と、(ii)2次側コイル1bのインダクタンス+インダクタ9のインダクタンスの場合があり、本充電回路部J1の全直流抵抗Rは、(a)2次側コイル1bの直流抵抗分だけの場合、(b)2次側コイル1bの直流抵抗分+インダクタ9の直流抵抗分の場合、(c)2次側コイル1bの直流抵抗分+抵抗10の場合、(d)2次側コイル1bの直流抵抗分+インダクタ9の直流抵抗分+抵抗10の場合がある。
また、図5の本充電回路部J2では、図1の場合にパルスコイル6が更に加わることになり、昇圧トランス1の2次側コイル1bと、パルスコイル6、抵抗10に代えて又は抵抗10と共にインダクタ9が使用された場合には該インダクタ9のインダクタンスを含めた総和である全インダクタンスL、昇圧トランス1の2次側コイル1bとパルスコイル6、前述のようにインダクタ9が使用された場合にはインダクタ9の直流抵抗分、或いはインダクタ9に代えて使用された又はインダクタ9と併用された場合には該抵抗10を含めた抵抗10の直流抵抗の総和である全直流抵抗Rとの関係が「数式1」を充たすことにより、本回路を共振型充電回路とした。これにより従来装置のような徐々に電流が減衰していく減衰型の電流波形ではなく、図8,9のような幅の短いパルス状の充電電流波形で充電されることになり、上記のように充放電用コンデンサ4への充電を短時間で完了させることが出来る。
Claims (4)
- 対象部位に渦電流を生じさせる磁気治療用のパルスコイルと、充放電用コンデンサと、充放電用コンデンサからの放電電流をパルスコイルに供給するスイッチング半導体素子とを環状に直列接続した放電回路部と、
1次側コイルが交流電源に接続され、2次側コイルが全波整流回路の入力端子に接続された昇圧トランスと、
スイッチング半導体素子に接続され、スイッチング半導体素子の導通タイミングを制御する制御部と、
充放電用コンデンサの両端子にその出力端子がそれぞれ接続された全波整流回路とで構成され、
全波整流回路のいずれかの出力端子と充放電用コンデンサのいずれかの端子、或いは前記全波整流回路の両端子と充放電用コンデンサの両端子との間に、充放電用コンデンサの順又は反転放電時に放電回路部から全波整流回路に流入する分流電流抑制用のインダクタ又は抵抗の少なくともいずれか一方が接続されている医療用磁気パルス発生装置において、
分流電流抑制用のインダクタ又は分流電流抑制用の抵抗の少なくともいずれか一方と、昇圧トランスの2次側コイルとで構成される充電回路部のインダクタンスの総和である全インダクタンス(L)、充電回路部の直流抵抗の総和である全直流抵抗(R)、充放電用コンデンサのキャパシタンス(C)、との関係が「数1」を充たすことにより共振型充電回路とし、加えて前記全インダクタンス(L)、キャパシタンス(C)、該全直流抵抗(R)との関係が「数2」を充たすことを特徴とする医療用連発磁気パルス発生装置。
- 対象部位に渦電流を生じさせる磁気治療用のパルスコイルと、充放電用コンデンサと、充放電用コンデンサからの放電電流をパルスコイルに供給するスイッチング半導体素子とを環状に直列接続した放電回路部と、
1次側コイルが交流電源に接続され、2次側コイルが全波整流回路の入力端子に接続された昇圧トランスと、
スイッチング半導体素子に接続され、スイッチング半導体素子の導通タイミングを制御する制御部と、
スイッチング半導体素子の両端子にその出力端子がそれぞれ接続された全波整流回路とで構成され、
全波整流回路のいずれかの出力端子とスイッチング半導体素子のいずれかの端子、或いは前記全波整流回路の両端子とスイッチング半導体素子の両端子との間に、充放電用コンデンサの順又は反転放電時に放電回路部から全波整流回路に流入する分流電流抑制用のインダクタ又は抵抗の少なくともいずれか一方が接続されている医療用磁気パルス発生装置において、
分流電流抑制用のインダクタ又は分流電流抑制用の抵抗の少なくともいずれか一方と、昇圧トランスの2次側コイルと、パルスコイルで構成される充電回路部のインダクタンスとの総和である全インダクタンス(L)、充電回路部の直流抵抗の総和である全直流抵抗(R)、充放電用コンデンサのキャパシタンス(C)、との関係が「数1」を充たすことにより共振型充電回路とし、加えて前記全インダクタンス(L)、キャパシタンス(C)、該全直流抵抗(R)との関係が「数2」を充たすことを特徴とする医療用連発磁気パルス発生装置。
- スイッチング半導体素子は、サイリスタ単体、又は該サイリスタと該サイリスタに逆並列接続された反転電流用ダイオード、或いは双方向導通素子であることを特徴とする請求項1〜2に記載の医療用磁気パルス発生装置。
- パルスコイルの対象部位側の面又はその反対側の面に振動部材が更に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の医療用磁気パルス発生装置。
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