JP7125033B2 - 無線周波数及び磁気エネルギーによる生物学的構造の美的処置の方法及びデバイス - Google Patents

Description

本発明に係る先行技術文献として、特表２０１８－５０１９２７号公報、米国特許出願公開第２０１３／３０２３９号明細書、米国特許出願公開第２０１６／１５９９５号明細書、米国特許出願公開第２０１８／２３６２５４号明細書、国際公開第１９９５／２７５３３号公報が挙げられる。
美的医療（aesthetic medicine）は、患者の基準に従って視覚的外観を向上させることをもたらす全ての処置を含む。患者は、例えば、特定の身体エリアにおける望ましくない体脂肪（body fat）を含む全ての不完全さを最小にし、身体形状を改善させ、自然老化の影響を除去することを欲する。患者は、健康リスクが最小の状態で満足のいく結果を提供する迅速で非侵襲的な手順を要求する。

非侵襲的な美的アプリケーションのために使用される最も一般的な方法は、超音波若しくはショック波（shock wave）治療等の機械波（mechanical wave）、又は、無線周波数処置若しくはレーザー処置を含む光処置等の電磁波の印加に基づく。組織に対する機械波の効果は、キャビテーション、振動、及び／又は熱誘起効果に基づく。電磁波を使用するアプリケーションの効果は、生物学的構造における熱生成に基づく。

機械波及び／又は圧力を使用する機械的処置は、セルライト又は脂肪細胞の処置のために使用することができる。しかしながら、そのような機械的処置は、脂肪組織炎（panniculitis）のリスク、ターゲット設定されていない組織の破壊、及び／又は不均一な結果等の幾つかの欠点を有する。

加熱を含む熱処置（thermal treatment）は、例えば、コラーゲン及び／又はエラスチンの産生を増加させること、皮膚を平滑化すること、セルライトを減少させること、及び／又は脂肪細胞を除去することによって、皮膚及び身体の視覚的外観を向上させるために患者に適用される。しかしながら、熱処置は、患者を過熱するリスク、又はさらに望ましくない生物学的構造の熱損傷を引き起こすこと等の幾つかの欠点を有する。脂肪組織炎のリスク及び／又は不均一な結果は、既存の熱処置の非常に一般的な副作用であり得る。さらに、処置中の及び／又は処置後の不十分な血流及び／又はリンパ流は、処置後に、脂肪組織炎及び他の健康合併症につながる場合がある。さらに、処置は、不快である場合があり、また、苦痛である場合がある。

時変性磁場による筋肉刺激は、生物学的構造を処置するための既知の方法に優る幾つかの利益を提供し、他の筋肉の下に位置する筋肉の非侵襲的刺激を可能にする。さらに、時変性磁場は、脂肪組織の厚い層を通した筋肉収縮を引き起こす筋肉刺激を提供するために使用することができる。筋肉収縮を提供するための電気刺激は、電極から脂肪組織を通して、筋肉にリンクした神経及び／又は神経筋プレート（neuromuscular plate）まで電流を送出する必要がある。脂肪組織は、筋肉組織よりも高い抵抗率を有し、電極から絶縁性の脂肪組織を通した筋肉組織までの電流の送出は効率的でない場合がある。標的対象に完全に一致する筋肉に対する電流のターゲット設定は、正確でない場合があり、筋肉を刺激することは、非常に難しく、ほぼ不可能である場合がある。さらに、脂肪組織が厚くなると、電気治療によって送出される電流は、より高くならなければならず、そのような大量の電流が伝播し長い距離の間に消散することは、患者にとって非常に不快である場合がある。一方、時変性磁場は、筋肉、神経筋プレート、及び／又は神経内で電流を誘起するため、時変性磁場によるターゲット設定及び筋肉刺激は、より容易で、より正確で、より快適で、より効果的である。時変性磁場は、多数の筋肉及び／又は筋肉群の快適な刺激も可能にし、アプリケーターは患者の身体と直接接触していなくてもよく、このことは、処置の衛生状態及び他のパラメーターを改善することもできる。

患者の軟部組織の昇温を提供する無線周波数（ＲＦ）処置、及び、患者の筋肉組織の刺激を提供する磁気処置の組み合わせは、顕著な相乗効果を有することができる。組み合わせ式処置は、改善された処置を提供することができ、改善された処置は、短い処置期間、処置中の患者の快適さの増加をもたらし、相乗結果を伴って異なる処置効果を組み合わせることを可能にし、患者安全性及び本文書で後に詳細に述べる他のものを改善することができる。

最良の相乗効果に至るために、筋肉刺激を提供する磁気処置及びＲＦ処置を１つの身体エリア（例えば、同じ身体エリア）にターゲット設定することが好ましく、そこでは、ＲＦ処置を提供する少なくとも１つのＲＦ電極は、患者の軟部組織の均一な加熱を確実にするために、平坦である及び／又は患者の皮膚に対応するべきである。ＲＦ処置及び磁気処置を同じ身体エリアにターゲット設定することは、磁場発生デバイス及びＲＦ電極を互いの近くに、例えば、磁場発生デバイス及びＲＦ電極の少なくとも部分的な重なりがある状態で、位置決めすることを必要とする。しかしながら、ＲＦ電極及び磁場発生デバイスをすぐ近くに配置することは、問題となる場合があり、これはなぜならば、磁場発生デバイスによって生成される時変性磁場が、ＲＦ電極内に、渦電流、表皮効果（skin effect）、及び／又は他の物理的効果等の望ましくない物理的効果を誘起する場合があるからである。望ましくない物理的効果は、著しいエネルギー損失、そのようなデバイス配置の非効率性、また同様に、ＲＦ電極を加熱すること、デバイスの正しくないチューニング、生成されるエネルギーの不正確なターゲット設定、生成される磁場、電磁場、及び／又はその他のものの劣化等のデバイス機能について影響を与えることを引き起こす場合がある。ＲＦ電極は磁場発生デバイスによって影響を受ける場合があり、またその逆も同様である。

本文書で述べるデバイス及び方法は、最大の相乗効果を伴ってＲＦ及び磁気処置を提供し、送出される磁場及びＲＦ（電磁）場の安全性及び効率も保持する解決策を提示する。

本発明は、少なくとも１つの身体エリア内の少なくとも１つの生物学的構造に対して１つ以上の処置効果を提供する処置デバイス及び方法を提供する。処置デバイスは、人間又は動物の身体をどのように形作るか、視覚的外観をどのように改善するか、筋肉機能をどのように回復させるか、筋肉強度をどのように上げるか、筋肉体積をどのように変化させる（例えば、増加させる）か、筋緊張（muscle tonus）をどのように変化させる（例えば、増加させる）か、筋肉線維肥大（muscle fibre hypertrophy）をどのように引き起こすか、筋肉線維過形成（hyperplasia）をどのように引き起こすか、脂肪細胞及び脂肪組織の数及び体積をどのように減少させるか、セルライト及び／又は他のものをどのように除去するか、のユニークな機会を提供する。処置デバイス及び方法は、無線周波数（ＲＦ）処置及び磁気処置の適用を使用して、身体エリア内の少なくとも１つのターゲット生物学的構造の加熱を引き起こし、近接する又は同じ身体エリア内での筋肉収縮を含む筋肉刺激を引き起こすことができる。処置デバイスは、ＲＦ処置を提供するＲＦエネルギー（ＲＦ場と呼ぶことができる）を生成するために、ＲＦ電極を処置エネルギー源として使用し、磁気処置を提供する時変性磁場を発生させるために、磁場発生デバイスを処置エネルギー源として使用することができる。

処置の効率及び安全性を向上させて、エネルギー損失、及び、少なくとも１つのＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイス内で誘起される望ましくない物理的効果を最小にするために、デバイスは、１つ以上のセグメント化ＲＦ電極を使用することができ、セグメント化ＲＦ電極は、磁場発生デバイスによって生成される近傍の時変性磁場の効果を最小にするために、例えば、１つ以上のアパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部を有するＲＦ電極を意味する。アパーチャは、ＲＦ電極の本体内の開口とすることができる。切り欠き部は、ＲＦ電極の境界に沿うＲＦ電極の本体内の開口とすることができる。ＲＦ電極の本体内の開口は、上からのＲＦ電極のビューを示す、床面投影からのビューによって規定することができる（正：may be defined）。アパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部の外側のエリアは、空気、誘電体、及び／又は他の電気絶縁性材料で充填する（正：filled）ことができる。ＲＦ電極のアパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部は、ＲＦ電極内の渦電流の誘起を最小にし、エネルギー損失を最小にし、処置デバイスの過熱を阻止することができる。さらに、アパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部は、生成されるＲＦ処置に対する磁気処置の影響を最小にすることができる。提案されるＲＦ電極の設計は、アプリケーターの床面投影による少なくとも部分的な重なりがある状態で、同じアプリケーターが磁場発生デバイス及びＲＦ電極を含むことを可能にし、一方、本明細書で述べるパラメーターを用いて患者の身体の同じエリアに対するＲＦ処置及び磁気処置のターゲット設定を可能にする。ＲＦ電極及び磁場発生デバイスの１つのアプリケーター内への組み込みは、処置ターゲット設定の向上及び上記で述べたマイナスの影響が最小の状態でのプラスの処置結果を可能にする。

また、少なくとも１つのＲＦ回路及び少なくとも１つの磁気回路の相互絶縁は、電気信号及び／又は電磁信号の間の相互作用を防止する。

磁場発生デバイスは、エネルギー貯蔵デバイスと組み合わせて、筋肉収縮を誘発する強度（磁束密度とすることができる）を有する磁場の生成を可能にする。エネルギー貯蔵デバイスは、電気エネルギーを貯蔵するために使用し、５００Ｖ～１５ｋＶの範囲内の電圧を有する電場の蓄積を可能にすることができる。エネルギー貯蔵デバイスは、磁場発生デバイスに、貯蔵された電気エネルギーを数マイクロ秒～数ミリ秒のインパルスで供給することができる。

処置方法は、少なくとも１つの身体エリアの加熱を可能にし、そこでは、断裂（tearing）又は炎症等の筋肉及び／又は靭帯損傷（ligament injury）を最小にする筋肉収縮も誘発される。皮膚、収縮した筋肉、収縮中の筋肉、弛緩した筋肉、脂肪組織、脂肪組織、及び/又は処置される身体エリアの隣接する生物学的構造の加熱は、処置が不快であると患者が考える場合があるときに閾値をシフトすることができる。

したがって、加熱は、大量の電磁エネルギー（例えば、ＲＦ及び／又は磁場）が、患者の身体に送出されて、筋肉収縮及びその後の弛緩を通してより多くの筋肉仕事を提供することを可能にすることができる。同じ身体エリア内でのＲＦ処置及び磁気処置の適用の別の利点は、筋肉仕事（例えば、反復的な筋肉収縮及び弛緩によって提供される）が、ターゲット設定されたエリア内で血流及びリンパ流を加速するため、ＲＦ処置によって生成される熱エネルギーの消散を改善することである。ＲＦ処置及び磁気処置の適用は、生物学的構造加熱の均一性も改善し、それは、ホットスポット、エッジ効果（edge effects）、及び／又は他の望ましくない効果の生成を防止する。同じ身体エリアに対して筋肉刺激及び加熱を引き起こす処置方法は、脂肪組織のアポトーシス（apoptosis）又は壊死につながる細胞外マトリックスの酸過多（hyperacidity）をもたらすことができる。ＲＦ処置は、脂肪細胞のアポトーシス、壊死、その体積の減少、及びセルライト除去のうちの少なくとも１つにつながる、脂肪組織の選択的加熱を提供することができる。

本明細書に組み込まれて本明細書の一部を形成する添付図面は、本開示を例示し、さらに、本記載とともに、本開示の原理を説明することと、関連技術における当業者が本開示を製造及び使用することを可能にすることとに貢献する。

処置デバイスの例示的な図である。 処置デバイスの例示的な図である。 処置デバイスの例示的な図である。 処置デバイスの例示的な図である。 処置デバイスの例示的な図である。 処置デバイスの例示的な個々の部分を示す図である。 アプリケーター、リモートコントロール、更なる処置デバイス、及び通信デバイス等のデバイスの複数の部分の間の例示的な通信図である。 サーバーと、アプリケーター、リモートコントロール、及び更なる処置デバイス等のデバイスの部分との間の例示的な通信図である。 通信媒体と処置デバイスの治療発生器とマスターユニットとの間の例示的な通信図である。 通信媒体と処置デバイスの治療発生器との間の通信を示す図である。 処置デバイスの例示的な主ユニットの異なる図である。 例示的なヒューマンマシンインターフェース（ＨＭＩ：human machine interface）を示す図である。 例示的なアプリケーターの複数の部分を外側から見た図である。 例示的なアプリケーターの複数の部分を外側から見た図である。 例示的なアプリケーターの複数の部分を外側から見た図である。 例示的なアプリケーターの複数の部分を外側から見た図である。 例示的な磁場発生デバイスをアプリケーターの床面投影から示す図である。 例示的な磁場発生デバイスの厚さを示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の考えられる場所を示す図である。 例示的な磁場発生デバイスに対する例示的なＲＦ電極の場所の床面投影を示す図である。 アプリケーターの床面投影による部分的な重なりを有する、ＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含むアプリケーターの床面投影を示す図である。 アパーチャを有する例示的なＲＦ電極を示す図である。 アパーチャを有する例示的なＲＦ電極を示す図である。 アパーチャ、突出部、及び切り欠き部を有する例示的なＲＦ電極を示す図である。 アパーチャ及び切り欠き部を有する別の例示的なＲＦ電極を示す図である。 突出部を有する例示的なＲＦ電極を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極の平行対を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極の平行対を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極の平行対を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極の平行対を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極の平行対を示す図である。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極対を示す図であり、第１のＲＦ電極は、ＲＦ電極対の第２のＲＦ電極を少なくとも部分的に囲む。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極対を示す図であり、第１のＲＦ電極は、ＲＦ電極対の第２のＲＦ電極を少なくとも部分的に囲む。 突出部を有するバイポーラＲＦ電極対を示す図であり、第１のＲＦ電極は、ＲＦ電極対の第２のＲＦ電極を少なくとも部分的に囲む。 ０．１Ｔよりも大きい差を有する磁力線（magnetic field lines）と交差する１つの例示的な突出部を示す図である。 磁気回路の例示的なスキーマである。 処置デバイスの電気素子の例示的なスキーマである。 ＲＦ回路の例示的なスキーマである。 インパルス又はパルスを含む磁場の例示的な組成を示す図である。 台形包絡線を示す図である。 異なるタイプの筋肉刺激を示す図である。 患者の身体にアプリケーター及び／又は更なる処置デバイスを取り付けるための支持マトリックスを示す図である。 例示的な湾曲アプリケーターの第１の側面部の断面を示す図である。 例示的な対称化（symmetrisation）素子ＳＹＭを示す図である。 アプリケーター要素の分解図である。 処置デバイスの主ユニット内のコンポーネントの例示的な空間配置を示す図である。 磁場の同期式印加の例を示す図である。 磁場の同期式印加の例を示す図である。 磁場の同期式印加の例を示す図である。 磁場の同期式印加の例を示す図である。 磁場の個別式印加の例を示す図である。 磁場の例示的な増加する包絡線を示す図である。 磁場の例示的な減少する包絡線を示す図である。 磁場の例示的な矩形包絡線を示す図である。 磁場の例示的な組み合わせ式包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な組み合わせ式包絡線を示す図である。 磁場の例示的な三角形包絡線を示す図である。 磁場の例示的な台形包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な台形包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な台形包絡線を示す図である。 磁場の例示的な階段状包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な階段状包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な台形包絡線を示す図である。 反復レートの領域における変調を含む磁場の包絡線の例を示す図である。 磁場の列から形成される例示的な台形包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な組み合わせ式包絡線を示す図である。 磁場の別の例示的な組み合わせ式包絡線を示す図である。 包絡線間周期の例を有する磁場の２つの例示的な包絡線を示す図である。

本処置デバイス及び使用方法は、少なくとも１つの身体エリア内の患者の組織の少なくとも１つの生物学的構造の少なくとも一部を若返らせる（rejuvenate）、治癒する(heal)、及び／又はそれのリモデリングを提供する等の、種々の処置効果にターゲット設定された、ＲＦ処置及び筋肉刺激を提供する処置の組み合わせによって新しい理学療法（physiotherapy）及び／又は美的処置を提供する。

生物学的構造は、同一の機能、構造、及び／又は組成を有することができる人間及び／又は動物身体内の任意の組織とすることができる。生物学的構造は、任意のタイプの組織少なくとも一部を含む又は一部であることができる。任意のタイプの組織とは、結合組織（例えば、腱、靭帯、コラーゲン、エラスチン線維）、脂肪組織（例えば、皮下脂肪組織及び／又は内臓脂肪組織の脂肪細胞）、骨、真皮、及び／又は、他の組織、例えば、少なくとも１つの神経細胞、神経筋プレート（神経筋接合部）、筋肉細胞、１つ以上の個々の筋肉、筋肉群、筋肉線維の少なくとも一部、所定の体積の細胞外マトリックス、内分泌腺、神経組織（例えば、末梢神経組織、神経細胞、神経膠（neuroglia）、神経筋プレート）、及び／又は、関節又は関節の一部のようなものである。本出願に関して、生物学的構造をターゲット生物学的構造と呼ぶことができる。

少なくとも１つのターゲット生物学的構造の少なくとも一部に提供される処置効果は、筋肉収縮（過最大収縮（supramaximal contractions）及び／又は強縮（tetanic contraction））、筋単収縮（muscle twitch）、筋肉弛緩、及び生物学的構造の加熱を含むことができる。また、処置効果は、例えば、生物学的構造のリモデリング、アポトーシス及び／又は壊死による脂肪細胞の数及び／又は体積の減少、筋肉増強、筋肉体積増加、筋肉線維肥大、筋肉線維過形成を引き起こすこと、筋肉機能の回復、筋衛星細胞（myosatellite cells）の増殖及び／又は筋肉細胞への分化、筋肉形状の改善、筋持久力の改善、筋肉ディフィニション（muscle definition）、筋肉弛緩、筋肉体積減少、コラーゲン線維の再構築、ネオコラーゲネシス（neocollagenesis）、弾性線維形成、コラーゲン処置、血流及びリンパ流の改善、少なくとも１つのターゲット生物学的構造の少なくとも一部の加速、及び／又は他の機能又は利益を含むことができる。処置デバイスによる身体エリアの処置中に、２つ以上の処置効果を提供することができ、可変の処置効果を組み合わせることができる。

ターゲット生物学的構造に提供される処置効果は、身体整形、身体の輪郭の改善、身体引き締め（body toning）、筋肉トーニング、筋肉整形、身体整形、乳房リフト（breast lifting）、臀部リフト（buttock lifting）、臀部を丸めること（buttock rounding）、及び／又は臀部の引き締め（buttock firming）をもたらすことができる。さらに、処置効果を提供することは、しわ取り（wrinkle reduction）、皮膚若返り、皮膚タイトニング（skin tightening）、皮膚色の単一化（unification of skin colour）、たるんだ肌（sagging flesh）の減少、口唇増大（lip enhancement）、セルライト除去、皮膚線条（stretch mark）の除去、及び／又は傷跡の除去等の身体若返り（rejuvenation）をもたらすことができる。処置効果は、治癒プロセス、抗浮腫（anti-edematic）効果、及び／又は、他の理学療法及び処置結果の加速につながることもできる。

処置デバイスは、１つ以上のタイプの処置エネルギーを提供することができ、処置エネルギーは、磁場（磁気エネルギーとも呼ばれる）及びＲＦ場（ＲＦエネルギーとも呼ばれる）及び／又は磁場（磁気エネルギーとも呼ばれる）を含むことができる。磁場は、磁気処置中に提供される。ＲＦ処置中に提供されるＲＦ場は、ＲＦ場の電気成分及びＲＦ場の磁気成分を含むことができる。ＲＦ場の電気成分は、単数又は複数のＲＦ波と呼ぶことができる。ＲＦ電極は、ＲＦ場、ＲＦ波、及び／又はＲＦ場の他の成分を生成することができる。

磁場及び／又はＲＦ場は、強度によって特徴付けることができる。磁場の場合、強度は磁束密度又は磁束密度の振幅を含むことができる。ＲＦ場の場合、強度はＲＦ場又はＲＦ波のエネルギー束密度（energy flux density）を含むことができる。

身体エリアは、脂肪組織、皮膚、及び／又は他のもののような他の軟部組織構造によって覆われた少なくとも筋肉又は筋肉群を含む患者の身体の少なくとも一部を含むことができる。身体エリアは、処置デバイスによって処置することができる。身体エリアは、臀部、サドルバッグ、脇腹のぜい肉、腹部エリア、ヒップ、脚、ふくらはぎ、大腿部、腕、胴体、肩、膝、首、四肢、ブラファット（bra fat）、顔又は顎、及び／又は任意の他の組織等の身体部分とすることができる。説明のために、用語「身体エリア（body area）」は、用語「身体領域（body region）」と交換可能とすることができる。

皮膚組織は、３つの基本要素、すなわち、表皮（epidermis）、真皮（dermis）、及び皮下組織（hypodermis）いわゆる皮下組織（subcutis）から構成される。皮膚の外側の層であり、また最も薄い層は表皮である。真皮は、コラーゲン、弾性組織、及び細網線維からなる。皮下組織は、皮膚の最も下の層であり、毛包根、リンパ管、コラーゲン組織、神経、及び、皮下白色脂肪組織（ＳＷＡＴ：subcutaneous white adipose tissue）を形成する脂肪も含む。脂肪組織は、少なくとも１つの脂質に富む細胞、例えば、含脂肪細胞（adipocyte）のような脂肪細胞を指すことができる。脂肪細胞は、結合組織、線維中隔（皮膚支帯）によって境界付けられる小葉を形作る。

脂肪組織の別の部分、いわゆる内臓脂肪組織は、腹腔内に位置し、皮下組織層に隣接する筋肉線維の下で接近して、壁側腹膜と臓側腹膜との間に位置する内臓白色脂肪組織（ＶＷＡＴ：visceral white adipose tissue）を形成する。

筋肉は、筋肉線維、全筋（whole muscle）、筋肉群、神経筋プレート、末梢神経、及び／又は少なくとも１つの筋肉を神経支配する神経（nerve innervating）の少なくとも一部を含むことができる。

深部筋肉は、表面筋肉によって少なくとも部分的に覆われる筋肉、及び／又は、脂肪組織等の他の組織の厚い層によって覆われる筋肉を指すことができ、覆う層の厚さは、少なくとも４センチメートル、５ｃｍ、７ｃｍ、１０ｃｍ、又はそれより長いｃｍから１５ｃｍ厚までとすることができる。

個々の筋肉は、腹直筋、外腹斜筋（正：obliquus abdominis）、腹横筋、及び／又は腰方形筋を含む腹筋であり得る。個々の筋肉は、大殿筋、中殿筋及び／又は小殿筋を含む臀部の筋肉であり得る。個々の筋肉は、大腿四頭筋、縫工筋、薄股筋、大腿二頭筋、長／短大内転筋、前脛骨筋、長趾伸筋、長母趾伸筋、下腿三頭筋、外側腓腹筋（正：gastrocnemius lateralis）／内側腓腹筋、ヒラメ筋、長母趾屈筋、長趾屈筋、短趾伸筋、短母趾伸筋、母趾内転筋、母趾外転筋（正：abductor hallucis）、小指外／内転筋（ab/adductor digiti minimi）、小指外転筋及び／又は底側骨間筋）を含む下肢の筋肉であり得る。靭帯は、胸部のクーパー靭帯であり得る。

１つの例は、脂肪細胞の数及び体積の減少、筋肉増強、脂肪除去、コラーゲン線維の再構築、ネオコラーゲネシス及び弾性線維形成の加速、筋肉増強、筋肉機能、筋持久力、及び筋肉形状の改善等の処置効果を提供することができる（又は、処置が、最終的にそれをもたらすことができる）患者の腹部に対する処置デバイス及び方法の適用とすることができる。これらの処置効果は、腹部エリアの外周減少、下垂腹の除去及び／又は腹部エリアの引き締め、セルライト減少、瘢痕減少、並びに、身体の輪郭、身体外観、及び患者の健康を改善することもできる腹部筋肉の増強による身体姿勢の改善も引き起こすことができる。

１つの他の例は、脂肪細胞の数及び体積の減少、コラーゲン線維の再構築、ネオコラーゲネシス及び弾性線維形成の加速、筋肉増強、筋肉引き締め（muscle toning）、及び筋肉整形等の処置効果を提供することができる（又は、処置が、最終的にそれをもたらすことができる）臀部を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用とすることができる。これらの処置効果は、ウエスト又は臀部外周減少、臀部リフト、臀部を丸めること、臀部の引き締め及び／又はセルライト減少を引き起こすことができる。

別の例は、脂肪細胞の数及び体積の減少、筋肉増強、筋肉整形、及び筋肉引き締めを提供することができる（又は、処置が、最終的にそれをもたらすことができる）大腿部を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用とすることができる。大腿部を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用は、大腿部の外周減少、下垂腹の除去、及びセルライト減少を引き起こすことができる。

更に別の例は、脂肪細胞の数及び体積の低減、筋肉増強、筋肉整形、及び筋肉引き締めを提供することができる（又は、処置が、最終的にそれをもたらすことができる）腕を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用とすることができる。腕を含む身体エリアに対する処置デバイス及び方法の適用は、腹部の外周減少、下垂腹の除去、及びセルライト減少を引き起こすことができる。

１つ以上のターゲット生物学的構造に提供される１つ以上の処置効果は、１つ以上の生物学的構造内へのＲＦ場の選択的ターゲット設定及び筋肉刺激（筋肉収縮を含む）を引き起こす磁場の印加とともに加熱を提供することに基づくことができる。ＲＦ処置は、１つ以上の生物学的構造の選択的加熱、細胞外マトリックスの分極、及び／又は、患者の身体内の細胞膜電位の変化を引き起こすことができる。磁場は、時変性磁場又は静磁場とすることができる。時変性磁場が使用される場合、磁気処置は、時変性磁気処置と呼ぶことができる。磁気処置は、筋肉収縮、筋肉弛緩、細胞膜分極、渦電流誘起、及び／又は、１つ以上のターゲット生物学的構造の少なくとも一部において時変性磁場を生成することによって引き起こされる他の処置効果を引き起こすことができる。時変性磁場は、生物学的構造内に電流を誘起することができる。誘起された電流は筋肉収縮をもたらすことができる。筋肉収縮は反復的とすることができる。磁場によって提供される筋肉収縮は、過最大収縮、強縮、及び／又は不完全強縮を含むことができる。さらに、磁場は筋単収縮を提供することができる。

磁気処置及びＲＦ処置の適用による処置デバイスの使用によって提供される処置効果を組み合わせることができる。例えば、脂肪細胞の数及び体積の減少は、実際の処置中に又は処置後の時間（例えば３か月又は６か月）中に、筋肉増強、筋肉整形、及び／又は筋肉引き締めとともに達成することができる。さらに、磁気処置及びＲＦ処置の適用による処置デバイスの使用によって提供される効果は累積的とすることができる。例えば、筋肉引き締めは、筋肉増強とともに達成することができる脂肪細胞の数及び体積の組み合わせ式低減によって達成することができる。

処置方法は、適用される磁気処置と組み合わせてＲＦ場によって提供される熱処置によって、少なくとも１つのターゲット生物学的構造（正：at least one target biological structure）に対する処置効果を提供することができる。ターゲット生物学的構造に対する処置効果は、少なくとも１つのターゲット生物学的構造を加熱し、磁気処置によって筋肉の少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮を誘発することによって提供することができる。

処置方法は、磁場による筋肉収縮が誘発される身体エリアの加熱を可能にすることができる。加熱は、断裂又は炎症を含む筋肉損傷及び／又は靭帯損傷を最小にすることができる。収縮中の筋肉及び／又は隣接する生物学的構造の加熱は、不快な処置の閾値をシフトすることもできる。したがって、ＲＦ場によって引き起こされる加熱は、大量の磁気エネルギーが、より多くの筋肉仕事を行うために、患者の生物学的構造内に送出されることを可能にすることができる。筋肉及び／又は隣接する生物学的構造の加熱は、筋肉収縮の質及び／又はレベルを改善することもできる。ＲＦ場によって提供される加熱のために、より多くの筋肉線維及び／又は筋肉線維のより長い部分は、磁気処置中に収縮することができる。加熱は、磁気処置によって生成される筋肉刺激の貫入（penetration）を改善することもできる。さらに、少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮が反復して誘発されると、不快な加熱の患者の閾値が、より高くシフトする場合もある。閾値のそのようなシフトは、より多くのＲＦエネルギーが患者の身体に送出されることを可能にすることができる。

加熱と組み合わせた、筋肉弛緩が後続する反復的筋肉収縮は、筋肉刺激（例えば、筋肉収縮）によって引き起こされる不快な感じを抑制することができる。加熱と組み合わせた筋肉刺激は、処置後のより良好な再生及び／又は脂肪組織炎及び他の組織損傷のより良好な防止を提供することができる。

ＲＦ加熱と組み合わせた、筋肉弛緩が後続する反復的筋肉収縮は、（予備試験によれば）糖尿病の処置及び／又は症状の抑制においてプラスの結果を有することができる。ＲＦ場による生物学的構造の加熱とともに磁場を提供することによって誘起される反復的筋肉収縮は、糖尿病症状のアウトカムを改善する又は糖尿病症状薬物処置の結果にプラスに影響を及ぼすこともできる。糖尿病症状の処置の成功を、患者の腹部エリアに対する深部への大量の無線周波数エネルギーの貫入によって引き起こすことができる。そのような貫入は、大量のＲＦエネルギー束密度に関連する患者の不快な感じの抑制を引き起こすことができる磁気処置と組織内の上昇した温度とのの同期適用によって引き起こすことができる。また、磁気処置は、患者の身体に対するＲＦエネルギー貫入を増加させることもできる患者の組織の分極及び脱分極を引き起こすことができる。ＲＦ処置及び／又は磁気処置は、糖代謝（glucose metabolism）に影響を及ぼす、又は、糖尿病症状を抑制することができる体重減少を支援することができる。糖尿病症状を有する患者の体重減少及び運動が糖尿病症状を抑制するのを支援することができると考えられている。

磁場による磁気処置と組み合わせたＲＦ場によるＲＦ処置の適用は、筋衛星細胞の増殖及び筋肉細胞への分化にプラスに影響を及ぼすこともできる。異なる継続時間、反復レート、及び磁束密度を有する期間（例えば、以下で規定するパルス又は列）を含む磁気処置が、筋衛星細胞の増殖及び分化を開始するために必要とされる刺激を提供することができることを試験が示唆する。

異なる継続時間、反復レート、及び磁束密度を有する少なくとも２つの又は少なくとも３つの連続する期間（例えば、以下で規定するパルス、バースト、又は列）を含む磁場を提供する処置方法が筋肉にショックを提供することができることも試験が示唆する。結果として、筋衛星細胞の増殖及び分化をもたらす再生プロセスを開始し、送出されるＲＦ場によって更に加速することができる。筋衛星細胞の増殖及び分化は、筋肉増強、筋肉機能の回復、筋肉体積の増加、並びに、筋肉形状、身体引き締め、又は筋肉引き締めの改善をもたらすことができる。

同じ身体エリアに対する加熱とともに、少なくとも部分的な筋肉刺激又は筋肉収縮を適用する方法は、細胞外マトリックスの酸過多をもたらすことができる。酸過多は、脂肪組織のアポトーシス並びに体重減少及び身体体積減少の加速につながる場合がある。酸過多を、細胞外マトリックス内への脂肪酸の放出によって引き起こすことができ、脂肪酸の放出を、集中した高負荷の（concentrated high intensity）筋肉仕事によって引き起こすことができる。集中した高負荷の筋肉仕事は、述べた磁場発生デバイス及び処置デバイスによって生成される時変性磁場の印加によって引き起こされる（正：caused）多数回の反復的筋肉収縮によって提供することができる。

ＲＦ処置の処置効果は、磁気処置、例えば脂肪組織炎又は局所的皮膚炎症のリスクを低減する又はなくすことによって高めることができる。なぜならば、処置される含脂肪細胞のいずれのクラスタリングも、改善された代謝によって防止することができるからである。改善された血流及び／又はリンパ流は含脂肪細胞を除去することに寄与することができる。含脂肪細胞の除去を、多数の細胞が含脂肪細胞を貪食することによっても促進することができる。磁気処置と無線周波数（ＲＦ）処置の相乗効果は代謝を著しく改善する。したがって、有害事象の発生の可能性は制限され、本発明によって誘起される処置結果に、より短い期間で達する。

処置デバイス及び処置方法は、同じ患者の身体エリアの処置を提供することができ、磁気処置及びＲＦ処置を、１つ以上の生物学的構造の少なくとも一部にターゲット設定することができる。ターゲット設定されるＲＦ及び／又は磁気処置によって影響を受ける患者の身体組織の１つ以上の体積は、近接しているものとすることができる。患者の身体組織の少なくとも１つ以上の影響を受ける生物学的構造の少なくとも一部の体積は、上述した処置デバイス及び／又は処置方法によって提供される処置効果が起こる、影響を受ける組織体積として規定することができる。処置効果は、反復的筋肉収縮（例えば、磁気処置によって提供される）によって、組織温度の変更（例えば、ＲＦ処置によって提供される）によって、及び／又は、患者の組織内での分子の少なくとも部分的な分極及び加速（好ましくは、ＲＦ処置及び磁気処置によって提供される）によって引き起こすことができる。組織温度の変更は、例えば、通常の組織温度を基準として、少なくとも３℃又は４℃又は５℃又は６℃又は７℃又は１０℃の組織温度増加を含むことができる。さらに、組織温度の変更は、同じ又は異なる身体エリア内に位置する未処置組織と比較して、１℃～５０℃、２℃～３０℃、又は２℃～２５℃の範囲の組織温度の増加又は減少を含むことができる。変更された組織温度を、生物学的組織の任意の体積又は任意のエリアにおける温度変化として解釈することができる。

少なくとも１回のＲＦ処置による及び／又は少なくとも１回の磁気処置による、影響を受ける組織体積の近接性は、２つの影響を受ける組織体積間の距離を意味する。少なくとも２つの近接する影響を受ける組織体積は、少なくとも部分的な重なりを有する場合があり、影響を受ける小さい方の組織体積の２％～１５％又は５％～３０％又は２％～１００％又は３０％～６０％又は８０％～１００％又は４０％～８５％が、影響を受ける大きい方の組織体積に重なる場合がある。同様に、影響を受ける組織の体積間の距離は、０．０１ｃｍ～１０ｃｍの範囲内、又は、０．０１ｃｍ～５ｃｍ、０．０１ｃｍ～３ｃｍ、若しくは０．０１ｃｍ～１ｃｍの範囲内にあるものとすることができる。代替的に、上記で述べた範囲内の重なりは、小さい方の組織体積と大きい方の組織体積との区別なしで、同一体積を有する、２つ以上の影響を受ける組織体積について当てはまる場合がある。

図１ａ～図１ｅは、処置デバイスの例示的な概略図を示す。これらの図は、主ユニット及びアプリケーターに対してのみ当てはまることができる。処置デバイスは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源１０５、電力ネットワーク１０６、１つ以上の処置クラスター１０７、及び、１つ以上の処置エネルギー源１０８を含むことができる。

複数の処置エネルギー源１０８は、少なくとも１つの処置クラスター１０７に結合する又はそれと通信することができる。制御システム１０４は、各処置クラスターに結合し、それと通信することができる。

図１ａ～図１ｅの処置デバイスの示す部分は、回路要素（circuitry）の電気素子とすることができる。また、図１ａ～図１ｅの図の１つ以上の示す部分は、複数の個々の電気素子を含むことができる。電気素子は、個々の電気素子間で電磁（例えば電気）信号を、生成、伝達、修正、受信又は送信することができる。電磁信号は、電流、電圧、位相、周波数、包絡線、電流の値、信号の振幅、及び／又はそれらの組み合わせによって特徴付けることができる。電磁信号が処置エネルギー源に達すると、それぞれの処置エネルギー源は、処置エネルギー及び／又は場を生成することができる。

入力インターフェース１０３は、ユーザーからの入力を受信することができる。入力インターフェースは、ヒューマンマシンインターフェース（ＨＭＩ）を含むことができる。ＨＭＩは、タッチスクリーンディスプレイを含むこともできる、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等の１つ以上のディスプレイを含むことができる。ＨＭＩは、処置デバイスを調整又は制御する１つ以上の制御素子を含むことができる。制御素子は、少なくとも１つのボタン、レバー、ダイヤル、スイッチ、ノブ、スライドコントロール、ポインター、タッチパッド、及び／又はキーボードとすることができる。入力インターフェースは、制御システム、電力ネットワークと通信する又はそれに結合することができる。

ユーザーは、オペレーター（例えば、医師、技術者、看護師）又は患者自身とすることができる。しかしながら、処置デバイスは患者のみが動作させることができる。ほとんどの場合、処置デバイスを、適切な訓練を受けたユーザーが動作させることができる。ユーザーは、患者を除いて、ほとんどの場合、処置前に又は処置中に処置パラメーターに影響を及ぼす任意の人とすることができる。

制御システム１０４は、マスターユニット又は１つ以上の制御ユニットを含むことができる。制御システムは、入力インターフェース１０３の一体部分とすることができる。制御システム１０４は、入力インターフェース１０３を通して制御することができる。制御システムは、処置デバイスの任意の部分又は電気素子を調整又は制御するための１つ以上の制御要素を含むことができる。マスターユニットは、処置デバイス（例えば、アプリケーター及び／又は主ユニット）の一部、又は、高優先度命令を含むマスタースレーブ通信を処置デバイスの他の部分に提供するために、ユーザー及び／又は処置デバイスが選択することができる回路要素の電気素子である。例えば、マスターユニットは、制御ユニット、又は、高優先度命令を処置デバイスの他の部分に提供する入力インターフェースの部分とすることができる。処置デバイスは、マスタースレーブ通信のチェーンを含むことができる。例えば、処置クラスター１０７は、処置クラスター１０７の電気素子のための命令を提供する１つの制御ユニットを含むことができ、一方、処置クラスター１０７の制御ユニットは、マスターユニットに対するスレーブである。制御システム１０４は、入力インターフェース１０３、１つ又は全ての電力源１０５、電力ネットワーク１０６、及び／又は、処置デバイス内に存在する１つ又は全ての処置クラスターと結合又は通信することができる。制御システム１０４は、１つ以上のプロセッサ（例えば、マイクロプロセッサ）又はプロセス制御ブロック（ＰＣＢ：process control blocks）を含むことができる。

電力源１０５は、電気信号を含む電気エネルギーを１つ以上の処置クラスターに提供することができる。電力源は、ＡＣ電圧をＤＣ電圧に変換するモジュールを含むことができる。

電力ネットワーク１０６はプラグを示すことができる。電力ネットワークはパワーグリッドに対する接続を示すことができる。しかしながら、電力ネットワークは、パワーグリッドの必要性がない状態での処置デバイスの動作のための電池を示すことができる。電力ネットワークは、処置デバイス全体及び／又はその複数の部分に対して、動作に必要とされる電気エネルギーを提供することができる。図１ａ～図１ｅの例示的な図上に示すように、電力ネットワークは、電気エネルギーを、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、及び電力源１０５に提供する。

処置クラスター１０７は、それぞれの処置エネルギーの生成に関連する１つ以上の電気素子を含むことができる。例えば、磁気処置のための処置クラスター（ＨＩＦＥＭと呼ばれる）は、例えば、エネルギー貯蔵素子及びスイッチングデバイスを含むことができる。別の例の場合、ＲＦ処置のための処置クラスター（ＲＦクラスターと呼ばれる）は、例えば、電力増幅器及び／又はフィルターを含むことができる。

処置エネルギー源１０８は、特定の処置エネルギー源を含むことができる。磁気処置の場合、磁場の処置エネルギー源は、磁場発生デバイス、例えば磁気コイルとすることができる。ＲＦ処置の場合、ＲＦエネルギー（ＲＦ波を含む）の処置エネルギー源はＲＦ電極とすることができる。

処置デバイスは１つ以上の処置回路を含むことができる。１つの処置回路は、電力源、１つの処置クラスターの電気素子、及び１つのそれぞれの処置エネルギー源を含むことができる。磁気処置の場合、磁気回路は、電力源、ＨＩＦＥＭクラスター、及び磁場発生デバイスを含むことができる。ＲＦ処置の場合、ＲＦ回路は、電力源、ＲＦクラスター、及び磁場発生デバイスを含むことができる。ＲＦ処置のために処置回路内で生成される及び／又は送信される電磁信号は、ＲＦ信号と呼ぶことができる。１つの処置クラスターのそれぞれの電気素子を接続する配線は、それぞれのクラスターに含めることもできる。以下で詳細に述べる図１ａ～図１ｅの処置クラスターのそれぞれは、ＨＩＦＥＭ、ＲＦ、又はその組み合わせのうちの任意のものとすることができる。

１つ以上の処置回路及び／又はその複数の部分を、制御システム１０４の任意の部分が、独立に制御又は調節することができる。例えば、１つの処置回路のＨＩＦＥＭクラスターの動作の速度を、別の処置回路のＨＩＦＥＭクラスターの動作と独立に調節することができる。別の例において、１つの処置回路のＲＦ電極の動作によって送出されるエネルギー束密度の量を、別の処置回路のＲＦ電極の動作と独立に設定することができる。

図１ａは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源１０５、電力ネットワーク１０６、処置クラスターＡ １０７ａ、処置クラスターＢ １０７ｂを含む２つの処置クラスター、処置エネルギー源Ａ １０８ａ及び処置エネルギー源Ｂ １０８ｂを含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは２つの処置回路を含むことができる。１つの処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＡ １０７ａ、及び/又は処置エネルギー源Ａ １０８ａを含むことができる。別の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＢ １０７ｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ １０８ｂを含むことができる。処置クラスター１０７ａ及び１０７ｂは互いに通信することができる。

図１ｂは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源Ａ １０５ａ及び電力源Ｂ １０５ｂを含む２つの電力源、電力ネットワーク１０６、処置クラスターＡ １０７ａ及び処置クラスターＢ １０７ｂを含む２つの処置クラスター、処置エネルギー源Ａ １０８ａ及び処置エネルギー源Ｂ １０８ｂを含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは２つの処置回路を含むことができる。１つの処置回路は、電力源１０５ａ、処置クラスターＡ １０７ａ、及び/又は処置エネルギー源Ａ １０８ａを含むことができる。別の処置回路は、電力源Ｂ １０５ｂ、処置クラスターＢ １０７ｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ １０８ｂを含むことができる。処置クラスター１０７ａ及び１０７ｂは互いに通信することができる。

図１ｃは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源１０５、電力ネットワーク１０６、処置クラスターＡ １０７ａ及び処置クラスターＢ １０７ｂを含む２つの処置クラスター、並びに１つの処置エネルギー源１０８を含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは２つの処置回路を含むことができる。１つの処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＡ １０７ａ、及び/又は処置エネルギー源１０８を含むことができる。別の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＢ １０７ｂ、及び/又は処置エネルギー源１０８を含むことができる。処置クラスター１０７ａ及び１０７ｂは互いに通信することができる。示す図は、ＲＦ処置及び磁気処置の両方を提供する磁場発生デバイスを含むことができる。

図１ｄは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源１０５、電力ネットワーク１０６、処置クラスターＡ１ １０７ａ、処置クラスターＡ２ １０７ａａ、処置クラスターＢ１ １０７ｂ、処置クラスターＢ２ １０７ｂｂを含む４つの処置クラスター、並びに、処置エネルギー源Ａ１ １０８ａ、処置エネルギー源Ａ２ １０８ａａ、処置エネルギー源Ｂ１ １０８ｂ、処置エネルギー源Ｂ２ １０８ｂｂを含む４つの処置エネルギー源を含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは４つの処置回路を含むことができる。第１の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＡ１ １０７ａ、及び/又は処置エネルギー源１０８ａを含むことができる。第２の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＡ２ １０７ａａ、及び/又は処置エネルギー源Ａ２ １０８ａａを含むことができる。第３の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＢ１ １０７ｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ１ １０８ｂを含むことができる。第４の処置回路は、電力源１０５、処置クラスターＢ２ １０７ｂｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ２ １０８ｂｂを含むことができる。第１の処置回路及び第２の処置回路の処置エネルギー源は、１つのアプリケーター内に位置決めすることができ、一方、第３の処置回路及び第４の処置回路の処置エネルギー源は、別のアプリケーター内に位置決めすることができる。

図１ｅは、入力インターフェース１０３、制御システム１０４、電力源Ａ １０５ａ及び電力源Ｂ １０５ｂを含む２つの電力源、電力ネットワーク１０６、処置クラスターＡ１ １０７ａ、処置クラスターＡ２ １０７ａａ、処置クラスターＢ１ １０７ｂ、処置クラスターＢ２ １０７ｂｂを含む４つの処置クラスター、並びに、処置エネルギー源Ａ１ １０８ａ、処置エネルギー源Ａ２ １０８ａａ、処置エネルギー源Ｂ１ １０８ｂ、処置エネルギー源Ｂ２ １０８ｂｂを含む４つの処置エネルギー源を含む処置デバイスの例示的な図を示す。そのような場合、処置デバイスは４つの処置回路を含むことができる。第１の処置回路は、電力源Ａ １０５ａ、処置クラスターＡ１ １０７ａ、及び/又は処置エネルギー源１０８ａを含むことができる。第２の処置回路は、電力源Ａ １０５ａ、処置クラスターＡ２ １０７ａａ、及び/又は処置エネルギー源Ａ２ １０８ａａを含むことができる。第３の処置回路は、電力源Ｂ １０５ｂ、処置クラスターＢ１ １０７ｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ１ １０８ｂを含むことができる。第４の処置回路は、電力源Ｂ １０５ｂ、処置クラスターＢ２ １０７ｂｂ、及び/又は処置エネルギー源Ｂ２ １０８ｂｂを含むことができる。第１の処置回路及び第２の処置回路の処置エネルギー源は、１つのアプリケーター内に位置決めすることができ、一方、第３の処置回路及び第４の処置回路の処置エネルギー源は、別のアプリケーター内に位置決めすることができる。

図１ｆは、少なくとも１つのアプリケーター１２に接続又は結合される主ユニット１１、リモートコントロール１３、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５を含む処置デバイスの個々の部分を示す。更なる処置デバイスは、処置デバイス全体と同じ独立レベルにあるものとすることができる。

処置デバイスは、リモートコントロール１３を含むことができる。リモートコントロール１３は、安全のために不快ボタンを含むことができるため、患者が処置中に不快を感じると、ユーザーは不快ボタンを押すことができる。不快ボタンが押されると、リモートコントロール１３は、主ユニットに信号を送信し、処置を停止することができる。また、リモートコントロール１３は、ヒューマンマシンインターフェース（ＨＭＩ）を通してユーザーに通知することができる。不快の間、処置を停止するために、不快ボタンの動作は、マスターユニットからの命令に優先する（override）ことができる。代替的に、不快ボタンは、主ユニット１１に結合する又はその一部であるものとすることができる。

主ユニット１１は、主ユニット１１が電力供給することができる１つ以上の更なる処置デバイス１４に結合又は接続することができる。しかしながら、主ユニット１１を含む処置デバイスは、１つ以上の更なる処置デバイス１４と、ソフトウェアによってペアリングすることができる。また、１つ以上の更なる処置デバイス１４を、それら自身の単数又は複数のエネルギー源によって電力供給することもできる。通信デバイス１５、更なる処置デバイス１４、リモートコントロール１３、及び少なくとも１つのアプリケーター１２はそれぞれ、主ユニット１１と通信することができる。通信は、情報を送信すること及び／又は受信することを含むことができる。通信は、インターネットネットワーク、ローカルネットワーク、ＲＦ波、音響波、光波、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、ＧＳＭ、ＨＵＢスイッチ、ＬＴＥネットワーク、ＧＳＭネットワーク、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、及び／又は他の通信方法又はプロトコルによって等で、有線及び／又は無線で行うことができる。

更なる処置デバイス１４は、少なくとも１つのターゲット生物学的構造に対して処置効果を引き起こすように、少なくとも１つのタイプの処置エネルギー（例えば、ＲＦ場、磁場、超音波、光、時変式機械式圧力、ショック波、又は電流）を患者の身体に提供することができる任意のデバイスとすることができる。更なる処置デバイス１４は、少なくとも１つの処置、例えば、磁気、無線周波数、光、超音波、加熱、冷却、マッサージ、プラズマ、及び／又は電気療法（electrotherapy）のために処置エネルギーを生成する少なくとも１つの電気素子を含むことができる。更なる処置デバイス１４は、主ユニット１１からの命令なしで、少なくとも１つの処置を提供することができる場合がある。更なる処置デバイス１４は、主ユニット１１、通信デバイス１５、及び／又は他の更なる処置デバイス１４と通信することができる。更なる処置デバイス１４は、同じ会社又は他の会社の任意の他のデバイスとすることができ、デバイスは、特定の１つ以上のタイプの処置エネルギーを提供することができる。更なる処置デバイス１４は、処置デバイスの拡張部分（extension）とすることができ、更なる処置デバイス１４は、主ユニット１１のＨＭＩによって規定されたパラメーターによって処置エネルギーを提供することができる。

通信デバイス１５は、有線で及び／又は無線で主ユニット１１に接続することができる。通信デバイス１５は、ラップトップ若しくはデスクトップコンピューター等のコンピューター（正：computer）、又は、スマートフォン若しくは電子タブレット等のモバイル電子デバイスとすることができる。通信デバイスは、処置、処置デバイスの機能にリンクした情報、及び／又は他の情報を送信及び／又は受信することができる。更なる処置デバイス１４及び／又は通信デバイス１５は、主ユニット１１と直接的に、又は、１つ以上の更なる通信デバイス（正：one or more additional communication devices）を通して主ユニット１１と間接的に通信することができる。通信を提供するために、通信デバイスは、受信機、送信機、及び、送信情報及び／又は受信情報を処理する制御ユニットを含むことができる。

処置デバイスの個々の部分からの又はそこへの送信情報及び／又は受信情報は、通信デバイス１５と主ユニット１１との間の通信からのデータ、アプリケーター１２と主ユニット１１との間の通信からのデータ、更なる処置デバイス１４と主ユニット１１との間の通信からのデータ、及び／又はリモートコントロール１３と主ユニット１１との間の通信からのデータを含むことができる。送信情報及び／又は受信情報は、ブラックボックス、クラウド記憶空間、及び／又は他の記憶デバイスに記憶することができる。ブラックボックスは、主ユニット１１の一部又は処置デバイスの任意の他の部分とすることができる。他の記憶デバイスは、ＵＳＢ、他のメモリデバイス、及び／又は内部メモリを有する通信デバイスともすることができる。送信情報及び／又は受信情報の少なくとも一部は、ＨＭＩによって表示することもできる。送信情報及び／又は受信情報を、ＨＭＩを通してユーザーによって及び／又は制御システムによって自動的に、表示、評価、及び／又は変更することができる。１つのタイプの送信情報及び／又は受信情報は、所定の値若しくは現在の値、又は１つ以上の処置パラメーターの選択物、又は患者情報とすることができる。患者情報は、例えば、患者の性別、年齢、及び／又は患者の身体タイプを含むことができる。

送信情報及び／又は受信情報は、通信デバイスのサブセットでもある、サポートセンター、例えば、サービス及び／又は販売部門のような外部機関に通知することもできる。外部機関に対する送信情報及び／又は受信情報は、処置デバイスの状態に関する情報、提供された１つ以上の処置の履歴、処置デバイスの動作履歴、ソフトウェア更新情報、摩耗情報、ＲＦ電極の耐久性、磁場発生デバイスの耐久性、処置警告、前払い処置（paid treatment）又はクレジットの番号の情報等の処置クレジット／ビリング情報、及び／又は、他の動作及び使用情報を含むことができる。

考えられる１つのタイプの送信情報及び／又は受信情報は、１つ以上のアプリケーター１２、リモートコントロール１３、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５の接続の認識とすることができる。情報に従って、処置デバイスは、接続された更なる処置デバイス１４及び／又はアプリケーター１２のタイプを手動で又は自動で認識することができる。自動認識を制御システムによって提供することができる。１つ以上のアプリケーター１２、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５の接続に関する情報に基づいて、処置デバイスは、ＨＭＩの具体化を提供し、アプリケーターに対する接続及び／又は新しい処置オプションの考えられる最適化に関する通知を示すことができる。新しい処置オプションの考えられる最適化は、例えば、少なくとも１つの処置パラメーターの調整、更なる処置エネルギー源の実装、新しい処置エネルギー源のパラメーターの変更、及び／又は他のものを含むことができる。処置デバイス（例えば、制御システム）は、新しく接続されたアプリケーター１２及び／又は更なる処置デバイス１４に基づいて処置パラメーターを自動的に調整する又は処置パラメーターの調整をオファーすることができる。接続されたアプリケーター１２、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５の認識は、特定のコネクタ（例えば、特定のピンコネクタ）に基づくことができる。また、接続の認識は、接続された部分のインピーダンスのような特定の物理的特性によって、又は、アプリケーター又はその接続された部分によって主ユニット１１に提供される特定の信号によって提供することができる。主ユニット１１、アプリケーター１２、リモートコントロール１３、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５等の処置デバイスの個々の部分間の接続は、有線で及び／又は無線で（例えば、ＲＦＩＤタグ、ＲＦ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、及び／又は光電磁パルスによって）提供することができる。アプリケーター１２は、十分に電力供給されるためにワイヤによって主ユニット１１に接続することができる（正：may be connected）。代替的に、アプリケーションは、無線接続を通して接続されて、主ユニット１１及び／又は通信デバイス１５と通信することができる。接続されたアプリケーター１２、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５は、ソフトウェア認識、特定のバイナリＩＤ、処置デバイス内に実装されたリストから選択される部分の手作業による認識によって、及び／又は、ペアリングアプリケーションによって認識することができる。

主ユニット１１内のコネクタ側は、アプリケーターのコネクタ側及び／又は更なる処置デバイスのコネクタ側に含まれる情報を読み取る及び／又は認識することができるユニットを含むことができる。読み取った情報及び／又は認識した情報に基づいて、アプリケーター及び／又は更なる処置デバイスを、主ユニット１１が認識することができる（正：may be recognized by main unit 11）。主ユニット１１内のコネクタ側は接続の第１の側のコネクタとして役立つことができ、アプリケーター又は更なる処置デバイスの接続は接続の第２の側のコネクタとして役立つことができる。情報の送信、情報の受信、及び／又は第１の側のコネクタによる第２の側のコネクタの認識は、これらの２つのコネクタ側の間の導電性接触によって、光学的読み取りによって、及び／又は第１の側のコネクタによって提供される認識によって受信されるバイナリ情報に基づくものとすることができる。光学的認識は、例えば、特定のアプリケーター１２についての特定のＱＲコード（登録商標）、バーコード等の読み取りに基づくことができる。

主ユニット１１内に位置する第１の側のコネクタは、アプリケーター１２及び／又は更なる処置デバイス１４からのケーブルの第２の側のコネクタ内に実装されるバイナリ情報を読み取る／認識することができるユニットを含むことができる。第２の側のコネクタ内の実装された情報を、ＳＤカード内に記憶することができる。そのような実装された情報に基づいて、処置デバイスの任意の部分を、主ユニット１１が認識することができる。

処置デバイスの個々の部分（例えば、主ユニット１１、リモートコントロール、１つ以上のアプリケーター、１つ以上の更なる処置デバイス、及び／又は通信デバイスを含む）の間の通信は、ピアツーピア（peer-to-peer）（Ｐ２Ｐと呼ばれる）及び／又はマスタースレーブ通信に基づくことができる。Ｐ２Ｐ通信中に、処置デバイスの個々の部分は、そのコマンドの同じ優先度を有する、及び／又は、互いの間で直接通信することができる。Ｐ２Ｐ通信は、処置デバイスの接続された個々の部分の初期認識中に使用することができる。Ｐ２Ｐ通信は、通信デバイス間等、処置中に処置デバイスの幾つかの部分間で使用することができる。

マスタースレーブ通信は、個々の患者の各処置中に、各処置前に、及び／又は各処置後に、少なくとも短時間、処置デバイスの個々の部分間で使用することができる。マスタースレーブ通信中、処置デバイスの１つの部分は、最高優先度を有するコマンドを提供することができる。処置デバイスの個々の部分、例えば主ユニット１１は、最高優先度を有するコマンドを提供することができ、マスターユニットと呼ばれる。処置デバイスは、電力源及び／又は１つ以上の制御ユニット等の、個々の電気素子間に少なくとも１つのマスタースレーブ通信を含むことができ、１つ以上の制御ユニットはマスターとして働く。

マスターユニットを、処置前に、処置後に、及び／又は処置中にユーザーが選択することができる。ユーザーは、処置デバイスの利用可能な個々の部分又は電気素子からマスターユニットを選択することができる。したがって、ユーザーは、主ユニット１１、アプリケーター１２、リモートコントロール１３、更なる処置デバイス１４、又は通信デバイス１５をマスターユニットとして選択することができる。マスターユニットは、処置デバイスの個々の部分内に存在する制御ユニット、例えば、主ユニット１１内の制御ユニットとすることができる。ユーザーは、処置パラメーターの調整を容易にするために、マスターユニットを選択することができる。ユーザーは、通信デバイス１５をマスターユニットとして選択することもでき、マスターデバイスとして選択された通信デバイスは２つ以上の処置デバイスの制御を提供することができる。主ユニット１１は、マスターユニットとして制御ユニットを含むことができ、マスターユニットは、患者の温度、処置デバイスの個々の要素上の電圧、及び／又は他のもの等の処置の少なくとも１つのパラメーターをモニターし評価し、両者の間に接続があっても安全な処置を提供することを可能にする。また、マスターユニットは、ヒューマンマシンインターフェースの外にある独立した電気素子とすることができる。マスターユニットは、ヒューマンマシンインターフェースを通してユーザーが制御することができる。

代替的に、マスターユニットを、処置デバイスの接続された部分の所定の優先度値に基づいて自動的に選択することができる。選択されたマスターユニットは、不変のままとすることができ、処置デバイスの既に選択された部分は、全体の処置の間、マスターユニットとして働くことができる。しかしながら、マスターユニットの選択は、コマンド優先度及び／又はユーザーの選択に基づいて処置中に変更することができる。マスターユニットを、製造上の構成（manufacturing configuration）に従って決定する又はファクトリーリセット（factory reset）に頼ることもできる（正：may be dependent）。例えば、リモートコントロール１３は、患者が不快を感じると処置を停止する、最高優先度を有するコマンドを提供することができ、処置は、処置デバイスのどの個々の部分がマスターユニットとして設定されたか、及び、設定された処置パラメーターによらずに停止されることになる。

図２～図５は、主ユニット１１と、１つ以上のアプリケーター１２、リモートコントロール１３、更なる処置デバイス１４、及び／又は通信デバイス１５との間の通信において使用することができる幾つかの考えられるマスタースレーブ通信スキームを示す。図２によれば、１つ以上の治療発生器２０１は、ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイス等の処置エネルギー源に信号を提供するために、修正された電気信号を生成する。治療発生器２０１は、処置デバイス及び／又は主ユニットの回路要素内に存在する電気素子の群又は電気素子の群の少なくとも２つの部材を含むことができる。電気素子の群は、制御ユニット、電力源、同軸ケーブルのシステム、１つ以上のスイッチ、１つ以上のエネルギー貯蔵デバイス、１つ以上のピンダイオード、１つ以上のＬＣ回路、１つ以上のＬＲＣ回路、１つ以上の電力増幅器、及び／又は制御された方式で電気信号を積極的に修正する処置デバイスの他の部分を含むことができる。治療発生器は、制御された方式で電気信号の修正を行うことができる。

制御された方式で電気信号を修正することは、例えば、患者の組織及び／又はＲＦ電極にわたって測定されるインピーダンス整合に基づいて、提供されるＲＦ処置のインピーダンス調整を提供すること及び／又は制御することを含むことができる。積極的に修正される電気信号は、電気信号が、周波数、対称化、振幅、電圧、位相、強度等のような異なるパラメーターを有することができるように解釈することができる。電気信号のパラメーターは、患者のタイプ、処置パラメーターを含む処置の要件に基づくものとすることができる。さらに、電気信号のパラメーターは、ＲＦエネルギーの測定された定在波（standing wave）比、組織の温度、ＲＦ電極の温度、アプリケーターの内部の温度、アプリケーターの表面の温度、処置デバイスの個々の素子の電流及び電圧、及び／又は他のもの等のフィードバック情報に基づいて修正することができる。

図２の図は、処置デバイス通信に対する権限のないいずれの侵入も防止し、個人のユーザーデータ及び／又はアカウントを保護するセキュリティ２０３を示す。セキュリティ２０３は、コンピューターウィルス、権限のないアクセスから処置デバイスを保護する、及び／又は、権限のない媒体又は人による読み取り又は変更から、処置デバイスの個々の部分間の通信を保護することができる。セキュリティ２０３は、通信、及び／又は、処置デバイス及び／又は通信内への望ましくないバイナリコードの侵入を防止するアンチウィルスサービスにおいて使用される情報のコーディングを提供することができる。セキュリティ２０３は、通信中に生成される誤りを訂正することができる。セキュリティ２０３は、処置デバイスに対する、権限のない／望ましくない外部デバイスの接続を遮断することができる。

図２のセキュリティ２０３は、通信図内でマスターユニット２０２と通信インターフェース２０４との間に位置することができる。セキュリティ２０３は、素子ユーザー２０８、サービス２０７、及び／又は販売２０６の一部とすることもできる。セキュリティ２０３は、通信インターフェース２０４と通信媒体２０５、治療発生器２０１との間に位置することもできる、及び／又は、それらの一部とすることができる。

通信インターフェース２０４は、処置デバイス及び／又は他の通信側又は媒体の少なくとも２つの部分の間での通信を可能にするために、電気、電磁、赤外、及び／又は他の信号を、読み取り可能な形態に変換することを可能にするハードウェア及び／又はソフトウェアコンポーネントを含むことができる。通信インターフェース２０４は、情報及び／又はデータの通信及び／又はコーディングを提供することができる。通信インターフェース２０４は、例えば、処置デバイスとオンラインネットワーク又はサーバーとの間で通信を提供するモデム又はＧＳＭモジュールとすることができる。通信インターフェース２０４は、マスターユニット２０２、治療発生器２０１の一部、及び／又は処置デバイスの他の部分とすることができる。

通信媒体２０５は通信データを伝達する媒体とすることができる。通信媒体２０５は、処置デバイスと、ユーザー２０８、サーバー２０７、及び／又は販売２０６との間の通信において使用することができる。通信媒体２０５は、ワイヤ、ＳＤカード、フラッシュメモリ、同軸ワイヤ、任意の導電性接続、サーバー、ＲＦ波、音響波、光学波、ＧＳＭ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、ＨＵＢスイッチ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、ＷｉＦｉ等の一定の法則に従う（on principle）或る種のネットワーク、及び／又は１つ以上のサーバーを含むことができる他の媒体とすることができる。

通信データ／情報は、処置デバイスの個々の部分に、及び／又は、ユーザー２０８、サービス２０７、及び／又は販売２０６等の個々のユーザー又はサービスにリダイレクトすることができる。通信データ／情報を、マスターユニット２０２、通信媒体２０５、及び／又は治療発生器２０１がリダイレクトすることができる。例えば、サーバーは、ユーザー２０８のためのデータをフィルタリングし、サービス２０７制御ユニット及び／又は処置デバイスの他の部分にリダイレクトすることになる他の通信情報をフィルタリングすることができる。

図２の「ユーザー２０８」と呼ぶ要素は、ユーザーによって制御されるＨＭＩの表現とすることができる。代替的に、図２の「ユーザー２０８」と呼ぶ要素は、ユーザーによって制御される他の通信デバイス（パーソナルコンピューター、ラップトップ、モバイル、タブレット等）の表現とすることができ、通信デバイスは、処置デバイスの少なくとも１つの部分に情報を送信する、及び／又は、処置デバイスの少なくとも１つの部分から情報を受信することができる。この通信チャネルによって提供される情報は、或るタイプの処置プロトコル、処置効果に関する情報、１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値、フィードバック情報、処置される身体エリアの選択、処置前の及び処置後の行動の推奨、及び／又は他の情報とすることができる。情報の少なくとも一部は、モバイルフォン、タブレット、又はラップトップ用のソフトウェアアプリケーションによって等で、処置デバイスを制御するユーザーに、又同様に患者に送信することができる。

図２のサービス２０７は、処置デバイスに関する情報に対する権限のあるアクセスを有するサービス部門を示すことができる。サービス２０７は、処置デバイスを提供又は製造する会社のサービス部門とすることができ、会社のサービス部門とユーザーとの間の通信は、ＨＭＩ、通信デバイスを通して、及び／又は事前にプログラムされたソフトウェアインターフェースを通して自動的に提供することができる。この通信チャネルによって提供される情報は、処置デバイスの個々の電気素子の摩耗、任意のＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスの耐久性、個々の電気素子の機能不全、考えられるソフトウェア最適化、及び／又は、別の更なる処置デバイス及び／又は他のものの接続のためのアプリケーションを提供するデバイスの具体化を含むことができる。処置デバイスの最適化及び／又は具体化は、例えば、処置デバイスソフトウェアに対するリモートアクセス及び／又はエラーの修復を含むことができる。

図２の販売２０６は、処置デバイスに関する情報に対する権限のあるアクセスを有する販売部門とすることができる。販売２０６は、処置デバイスに付加することができる或るタイプのアクセサリーについてユーザーに通知することができる。さらに、販売２０６は、プラグインモジュールの販売を仲介する及び／又は処置デバイスのアクセサリーの販売を仲介することができる。さらに、販売２０６は、ビリング及びレンティングシステム（billing and renting system）とリンクしたオファーを提供することができる。販売２０６への又は販売２０６からの通信によって交換される情報は、例えば、処置の回数、処置の時間、及び／又は、適用される処置のタイプ、アプリケーターに関する情報、及び／又は、他のものとすることができる。

処置デバイスは、処置履歴に関するデータ、動作履歴、処置デバイスの個々の部分間の通信、ビリング及びレンティングシステムからの又はそこのためのデータ、動作エラー、及び／又は他の情報を記憶するためのブラックボックスを含むことができる。データは、通信媒体（例えば、ストレージクラウド及び／又はサーバー）を介して販売２０６にとって、サービス２０７にとって、及び／又はユーザー２０８にとってアクセス可能とすることができる。処置デバイスは、処置デバイス及び／又はそれぞれの更なる処置デバイスを使用するための料金を管理するビリング及びレンティングシステムを含むことができる。ビリング及びレンティングシステムは、そのような情報をプロバイダーに送信して、ビリングインボイス（billing invoice）を準備することができる。ブラックボックスからのデータを、管理者アクセスを有するサービス技術者、会計係、及び／又は他の人等の、検証された権限のある人員がダウンロードすることができる。権限のある人の検証は、特定の鍵、パスワード、数ビットのソフトウェアコードによって、及び／又は、特定の相互接続ケーブルによって提供することができる。

ビリング及びレンティングシステムは、ユーザーアカウントから差し引かれるクレジットに基づくことができる。クレジットを、処置デバイスのプロバイダー、例えば、処置デバイスの生産者が予め規定することができる。クレジットを、処置デバイスが動作中である時間中に再チャージすることができる、及び／又は、ユーザー及び／又はプロバイダーの１つ以上の処置デバイスにリンクしたオンラインアカウントに再チャージすることができる。クレジットを、選択された処置プロトコル又は身体エリアに従って差し引くことができる。個々の１回以上の処置及び／又は処置の一部についてのクレジット値を、処置が開始する前に、処置中に、及び／又は処置後にユーザーに表示することができる。ユーザーのアカウント内のクレジットが底を突いた場合、処置デバイスは、クレジットが再チャージされるまでいずれの更なる処置も使用可能にすることができない。クレジットは、個々の処置のために交換される通貨として使用することができ、異なる処置は、処置のタイプ、処置の継続時間、使用されるアプリケーターの数、及び／又は他の要因に基づいて異なる量のクレジットを要する場合がある。クレジットは、処置デバイスの個々の部分、処置デバイス全体、処置デバイスのハードウェア又はソフトウェア拡張機能、及び／又は処置デバイスに属する他の消耗品及びスペア部品を賃借又は購入するために使用することもできる。クレジットシステムを再チャージすることができるインターフェースは、処置デバイスの一部、ＨＭＩである及び／又はウェブサイトインターフェースを通してオンラインアクセス可能であるものとすることができる。

１つ以上のソフトウェア拡張機能（例えば、ソフトウェアアプリケーション）は、処置デバイス及び処置方法とリンクすることができる。１つ以上のソフトウェア拡張機能は、スマートフォン、タブレット、コンピューター、及び／又は他の電子デバイス等の任意の通信デバイスにダウンロードすることができる。ソフトウェア拡張機能は、処置デバイスの主ユニット及び／又は他の部分と通信することができる。インストールされたソフトウェア拡張機能を有する通信デバイスは、１つ以上の処置パラメーター又は処置に関連する情報を表示又は調整するために使用することができる。そのような表示可能な処置パラメーター又は処置に関連する情報は、例えば、処置の時間経過、個々の処置前の及び／又は処置後の処置された身体エリアの測定されたサイズ、印加されたバースト又は列の概略図、処置の残りの時間、患者の心拍数、患者の身体の温度、例えば身体表面の温度、提供される処置のタイプ、処置プロトコルのタイプ、以前の処置に対する患者の身体パラメーターの比較（例えば、体脂肪率（body fat percentage））、及び／又は処置の実際の処置効果（例えば、筋肉収縮又は筋肉弛緩）を含むことができる。ソフトウェア拡張機能は、処置のスケジュール、個々の処置間のマッピング経過、他の人々と比較した処置結果のパーセンタイル値、及び／又は、処置前の及び／又は処置後の行動の推奨を患者に通知するために患者に提供することもできる。行動の推奨は、例えば、１日の間に患者がどれだけの体積の水を飲むべきか、患者の規定食はどのようなものにするべきか、処置前に及び／又は処置後にどのタイプでかつどれだけの量の運動を患者が行うべきかについての推奨（正：recommendation of）、及び／又は、処置の結果を改善することができる他の情報を含むことができる。

治療発生器２０１、マスターユニット２０２、セキュリティ２０３、通信インターフェース２０４、通信媒体２０５、ユーザー２０８，サービス２０７、及び／又は販売２０６等の、通信図の個々の要素間の通信は、双方向又は多方向とすることができる。

ユーザー２０８、サービス２０７、販売２０６、通信媒体２０５の間の接続、及び／又は、治療発生器２０１とマスターユニット２０２との間の接続は、安全な通信を提供し、エラーをなくすためにセキュリティ２０３によってセキュア化することができる。セキュリティ２０３は、マスターユニット２０２と通信インターフェース２０４との間に及び／又は通信媒体２０５と通信インターフェース２０４との間に位置することができる。

図３に示すように、ユーザー２０８、サービス２０７、及び／又は販売２０６と処置デバイスとの間のリモートアクセス通信の別のオプションを、サーバー３０１が提供することができる。サーバー３０１はセキュリティ２０３を含むことができる。セキュリティ２０３は、ユーザー２０８、サービス２０７、及び／又は販売２０６の個々のアクセスにおいて実装することができる。

図４に示すように、通信媒体２０５は１つ以上の治療発生器２０１と通信することができる。１つ以上の治療発生器２０１はマスターユニット２０２と通信することができる。通信媒体２０５からの情報は、治療発生器２０１がマスターユニット２０２に情報を送信する前に、セキュリティ２０３によって検証することができる。

図５は、通信媒体２０５と１つ以上の治療発生器２０１Ａ～２０１Ｄとの間の通信の概略図を示す。治療発生器Ａ ２０１Ａは、少なくとも１つ以上の治療発生器２０１Ｂ～２０１Ｄと通信することができる。別の治療発生器Ｂ ２０１Ｂは、１つ以上の治療発生器２０１Ａ、２０１Ｃ、２０１Ｄと通信することもできる。治療発生器Ｃ ２０１Ｃは、治療発生器Ａ ２０１Ａと直接通信することができず、治療発生器Ｂ ２０１Ｂを通して通信することができる。セキュリティ２０３は、各治療発生器２０１Ａ～２０１Ｄの間及び／又は治療発生器２０１Ａと通信媒体２０５との間の通信経路内に存在することができる。

図６は、処置デバイスの主ユニット１１を示す。主ユニット１１は、ＨＭＩ６１、ベンチレーターグリッド６２、少なくとも１つのアプリケーターホルダー６３ａ及び６３ｂ、少なくとも１つのデバイスコントロール６４、アプリケーターコネクタ６５ａ及び６５ｂ、少なくとも１つの主電源入力６６、主ユニット１１の湾曲カバー６７、ホイール６８、主ユニットカバー開口６９、主ユニットハンドル７０、及び／又はロゴエリア７１を含むことができる。主電源入力６６は、パワーグリッド又は電力ネットワークに対する結合又は接続を提供することができる。

処置デバイスのベンチレーターグリッド６２は、ワンピースとして設計することができる、及び／又は、熱消散を提供するために複数のベンチレーターグリッド６２に分割することができる。ベンチレーターグリッド６２は、主ユニット１１を動作させる人の方に向くこともでき、床に向くとともに目に見えないものとすることもでき、及び／又は、ベンチレーターグリッド６２は、主ユニット１１の側面に存在することができる。ベンチレーターグリッドの床に向く位置付けは、患者のために耳ざわりなノイズを最小にするために使用することができ、これはなぜならば、電気エネルギーによって駆動される、主ユニット１１及び／又は電気素子の冷却のようなプロセスがノイズを生成する場合があるからである。主ユニット１１の表面上の全てのベンチレーターグリッド６２の表面積は、１００ｃｍ^２～１５０００ｃｍ^２、又は２００ｃｍ^２～１０００ｃｍ^２、又は３００ｃｍ^２～８００ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。

主ユニット１１による操作は、主ユニット１１の底部上でホイール６８を回転させることによって及び／又は主ユニットハンドル７０によって行うことができる。処置デバイスを提供する会社のロゴエリア７１は、主ユニットハンドル７０の下に及び／又は湾曲カバー６７及びＨＭＩ６１上の任意の場所に位置することができる。

図６に示すように、患者に向く主ユニット１１の前側は主ユニットの湾曲カバー６７として設計することができる。患者に向く主ユニット１１の前側は、主ユニット１１の床面投影に従って直角を持たないとすることができる。患者に向く主ユニット１１の前側は、主ユニット１１の内部をカバーする１つ、２つ、又はそれより多い数のピースとして設計することができる。湾曲して向かい合う側を有する主ユニット１１は、患者の支持体の近くで主ユニット１１自身の操作を改善することができ、主ユニット１１と患者の種々の傷つきやすい身体部分（例えば、指）との間の衝突（正：collision between）のリスクが最小にされる。主ユニット１１の向かい合う側は、主ユニットカバー開口６９を含むこともできる。主ユニットカバー開口６９は、患者又は処置される身体エリアの温度をモニターするサーマルカメラ、１つ以上のアプリケーターの場所、患者及び／又は他のものの移動をモニターするカメラを含むことができる。主ユニットカバー開口６９は、主ユニットの湾曲カバー６７内の開口によって示すことができる。主ユニットカバー開口６９は、更なる処置デバイスに接続する１つ以上のコネクタを含むことができる。さらに、主ユニットカバー開口６９は、患者の移動、処置される身体及び／又は生物学的構造の加熱をスキャンする、カメラ、赤外センサー等の１つ以上のセンサーを含むことができる。そのようなセンサーからの情報に基づいて、１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値は、患者が移動するとき、皮膚表面が温度閾値限界に達するとき、又は処置される身体エリア及び／又は他のものが決定されるとき、最適化することができる。主ユニット１１の前側は、１つ以上のアプリケーターコネクタ６５ａ及び／又は６５ｂを含むこともできる。

患者に向くアプリケーターコネクタ６５ａ及び６５ｂは、オペレーター（例えば、医師又は技術者）に向く側に接続されたアプリケーターよりも患者の身体に近いものとすることができる。したがって、アプリケーターを主ユニット１１に接続する接続管８１４の長さを最小にすることができる。より短い接続管８１４によって接続される１つのアプリケーター及び／又は複数のアプリケーターを用いた操作は、より長い接続管８１４によって接続されるアプリケーターを用いた操作よりも容易とすることができる。主ユニット１１の前側は、角部及び／又は角度を全く持たない場合があり、少なくとも部分的に楕円の及び／又は円形の湾曲を含むことができる。湾曲は、２０ｃｍ～１５０ｃｍ、３０ｃｍ～１００ｃｍ、３０ｃｍ～７０ｃｍ、又は４０ｃｍ～６０ｃｍの範囲内の曲率半径を有することができる。主ユニット１１前側湾曲の角度は、３０度～２００度、又は５０度～１８０度、又は９０度～１８０度の範囲内にあるものとすることができる。湾曲の角度は、以下で更に詳細に論じる図２３のセクション２６の角度３０が規定されるのと同じ原理に従って規定することができる。

主ユニット１１は、１つ以上のアプリケーターホルダー、例えば、６３ａ及び６３ｂを含むことができる。代替的に、１つ以上のアプリケーターホルダーは主ユニット１１に結合することができる。各アプリケーターホルダー６３ａ及び６３ｂは、異なるタイプのアプリケーターについて特定の設計を有することができる。アプリケーターホルダー６３ａ及び６３ｂはそれぞれ、単一のアプリケーター１２ａ又は１２ｂを保持することができる。各アプリケーターホルダー６３ａ、６３ｂは幾つかの機能を有することができる。例えば、アプリケーターホルダー６３ａ及び６３ｂは、アプリケーターの少なくとも一部の予熱又は予冷のために使用することができる。さらに、アプリケーターホルダー６３ａ及び６３ｂは、別のＨＭＩを含み、選択された処置に関する情報、１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値を表示するために使用することができる。また、アプリケーターホルダー６３ａ及び／又は６３ｂは、アプリケーターが使用する準備ができているか否かの指示を提供することができる。さらに、アプリケーターホルダー６３ａ及び／又は６３ｂは、アプリケーターの少なくとも一部の温度の現在値（正：current value of temperature）を示すことができる。その指示は、色点滅又は振動で提供することができる。アプリケーターホルダー６３ａ及び／又は６３ｂは、１つ以上の処置パラメーター及び／又は患者に接触するアプリケーターの部分の温度等のアプリケーターパラメーターの実際の値及び／又は所定の値を設定するために使用することができる。

主ユニット１１は、主ユニット１１をスイッチオン及びオフするための、電力入力パラメーターの手動設定のための、及び／又は他の機能のためのデバイスコントロール６４を含むことができる。アプリケーターコネクタ６５ａ及び６５ｂは、主ユニット１１及びアプリケーターからの電気及び／又は電磁信号の伝達のために使用することができる。アプリケーターコネクタ６５ａ及び６５ｂは、１つ以上のアプリケーター（接続管８１４による）、通信デバイス、更なる処置デバイス及び／又は、ＵＳＢ、ＳＳＤディスク等のメモリ記憶デバイス、診断デバイス、及び／又は現在の技術水準において知られている他のメモリ記憶デバイスの接続のために使用することができる。１つ、２つ、又はそれより多い数のアプリケーターの接続のためのアプリケーターコネクタ６５（例えば、６５ａ及び／又は６５ｂ）は、主ユニット１１内に又は主ユニット１１の側面に位置することができる。同軸ケーブルの長さは、送信される電気信号の周波数にリンクすることができる。１つ以上のアプリケーター１２ａ及び／又は１２ｂを用いたより容易な操作を提供するために、主ユニット１１から、例えばアプリケーター１２ａ（したがって、接続管８１４）までの接続の長さは、できる限り長くあるべきである。しかしながら、主ユニット１１内の電気素子間の少なくとも１つの同軸ケーブルの長さは、少なくとも処置エネルギー源（例えば、ＲＦエネルギーを提供するＲＦ電極）に送信される送信電気信号（例えば、ＲＦ信号）の周波数とリンクすることができる。したがって、主ユニット内の（例えば、電力源とアプリケーターコネクタ６５ａ及び／又は６５ｂとの間の）少なくとも１つの同軸ケーブルの長さは、できる限り短いものとすることができる。主ユニット１１内に位置する同軸ケーブルの長さは、３ｃｍ～４０ｃｍ、又は７ｃｍ～３０ｃｍ、又は１０ｃｍ～２０ｃｍの範囲内にあるものとすることができる。主ユニット１１に接続された１つ以上のアプリケーター１２ａ又は１２ｂを用いた操作を最適化するために、アプリケーターコネクタ６５ａ及び６５ｂは、主ユニット１１の湾曲した前側上に位置することができる。

ＨＭＩ６１は、１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値を示すタッチスクリーンディスプレイを含むことができる。タッチスクリーンは、表示された処置パラメーターを選択する及び／又はそれらを調整するオプションを提供することができる。ＨＭＩ６１は、２つの表示セクション６１ａ及び選択セクション６１ｂに分割することができる。表示セクション６１ａは、１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値並びにユーザーのための他の情報を表示することができる。ＨＭＩ６１の選択セクション６１ｂは、処置パラメーターの選択及び／又は処置の他の調整のために使用することができる。ＨＭＩは、１つ以上のアプリケーター１２、主ユニット１１、更なる処置デバイス１４、及び／又は他の１つ以上の通信デバイス１５に含まれる、それに結合される、又はその一部とすることができる。

ＨＭＩを主ユニット１１内に含めることができる。ＨＭＩは、主ユニット１１上において水平向きで固定することができ、又は、ＨＭＩ６１は、床又は他の水平支持表面に対して０度～９０度だけ方向付け又は傾斜することができる。ＨＭＩ６１平面と床との間の角度は、少なくとも１つの継手によって調整することができる、又は、少なくとも１つのデカルト座標の周りで回転することができる。ＨＭＩ６１は、取り外し可能なＨＭＩ、例えばタブレットの形態であるものとすることができる。ＨＭＩ６１は、主ユニット１１からのＨＭＩ６１の距離、及び／又は、主ユニット１１及びユーザーに対するＨＭＩ６１の向きを調整することができるホルダーによって、１つ、２つ、又は３つのデカルト座標に従って、伸縮式に及び／又は回転式に調整することができる。ホルダーは、少なくとも１つ、２つ、又は３つの実装された継手部材を含むことができる。

１つのＨＭＩ６１は、プロバイダーによって提供される２つ以上のタイプの処置デバイスのために使用することができる。ＨＭＩソフトウェアインターフェースは、主ユニットソフトウェアの一部、又は、１つ以上の更なる処置デバイス及び／又は通信デバイスに含まれるソフトウェアの一部とすることができる。ソフトウェアインターフェースは、通信デバイス、更なる処置デバイス、フラッシュメモリデバイスとの接続、販売、サービス、及び／又はインターネットとのリモート接続によってダウンロード及び／又は具体化することができる。

図２６は、主ユニット１１の内部の例示的なレイアウトを示す。主ユニット１１の内部は、複数の電気素子制御システム、１つ以上の制御ＲＦ回路、磁気回路、及び／又は処置デバイスの訂正機能のために必要とされる他の要素を含むことができる。主ユニット１１内の個々の要素の位置付けは、患者に向く前側の底部縁をゼロ値とするデカルト座標によって記述することができる。主ユニット１１は、１つ以上のストラット７４を含むことができる。少なくとも２つのストラット７４は、他の垂直ストラット７４に対してその端で固定することができるＸ形状を作成して、主ユニット１１のための構成を作成することができる。主ユニット１１は、１つ以上の制御ユニット、ＰＣＢ、電力源、スイッチ、エネルギー貯蔵デバイス等の電気素子、及び／又は処置デバイスの他の電気素子を冷却するように構成される少なくとも１つの冷却システム７８を含むことができる。冷却システム７８は、アプリケーターに提供される冷却流体を提供及び／又は冷却するために使用することができる。ＳＹＭ要素７９は、Ｚ座標の上部３分の１でかつＹ座標によらずＸ座標の最初の３分の１のところに位置することができる。ＳＹＭの機能は以下で説明される。主ユニット１１は、アルミニウム又は他の金属材料から形成される１つ以上のケース７２を含むこともできる。１つ以上のケース７２は、主ユニット１１の１つ以上の内部部分の、主ユニット１１の他の部分からの電気絶縁、電磁絶縁、及び／又は放射絶縁（以降で単に絶縁）を提供することができる。例えば、ＲＦ回路７３の少なくとも一部は、ケースのうちの１つのケース内でＸ座標及びＺ座標の最後の３分の１のところに位置することができる。ＲＦ回路及び／又は磁気回路の少なくとも一部に電力供給する電力源７５は、Ｘ座標の最後の３分の１でかつＺ座標の最初の３分の１のところに位置することができる。エネルギー貯蔵デバイス７６を、１つ以上のＲＦ回路から少なくとも部分的に絶縁することができる。複数の磁気回路が使用されるとき、複数の磁気回路を、互いから少なくとも部分的に絶縁することができる。上記で述べたように、エネルギー貯蔵デバイス７６からアプリケーターコネクタ６５につながる同軸ケーブルの短い長さを確実にするために、両方の要素（エネルギー貯蔵デバイス７６及びアプリケーターコネクタ６５、例えば６５ａ）は、Ｘ座標及びＺ座標の最初の半分のところ等、Ｘ座標及びＺ座標の同じ半分のところに位置することができる。磁気回路のボックス７７によって示される他の電気素子は、Ｘ座標の最初の半分でかつＺ座標の３分の２のところに位置することができる。

図７は、ＨＭＩ６１の例示的なディスプレイインターフェース７００を示す。ＨＭＩ６１は、１つ以上のアプリケーターシンボル７０１を表示することができる。１つ以上のアプリケーターシンボル７０１及びそれらの色は、利用可能な又は接続されたアプリケーター、主ユニット１１に接続された及び／又は処置に関わる更なる処置デバイスの接続品質、数、及び／又はタイプを表すことができる。リスト７０２は、処置プロトコルのリストを記録又は調整することができるページ又は異なるディスプレイレイアウトにリダイレクトすることができる。処置プロトコルのリスト７０２は、１つ以上の処置パラメーター（例えば、磁場の強度、ＲＦ場の強度、磁気インパルスの強度、磁気パルスの強度、パルス継続時間、バースト継続時間、個々のバーストの組成、デューティサイクル、包絡線の形状、処置の時間、処置部分の組成、処置中の生物学的構造の閾値温度、及び／又は他のパラメーター）の１つ以上の所定の値を含むことができる。処置パラメーターのリストは、個々の患者又は身体エリアについて最適化された１つ以上の保存された処置プロトコルを含むことができる。処置プロトコルを選択した後、処置パラメーターを、ユーザーによって更に最適化することができる。また、処置パラメーターを、患者の身体タイプ（例えば、痩せこけた、ほっそりした、平均体重、太りすぎ、又は肥満）、又は、患者のＢＭＩ、性別、年齢層（例えば、３０歳未満、３０歳～３９歳、４０歳～４９歳、５０歳～５９歳、６０歳以上）等の更なる患者のパラメーターを選択することによって調整することができる。また、処置パラメーターを、処置プロトコルの一部のみを選択することによって更に最適化することができる。

ＨＭＩ６１は、幾つかの機能を有することができる１つ以上のスライダーを含むことができる。例えば、スライダー７０３は、リスト７０２、治療アイコン７０４、又はレコード（records）７０７等、インターフェースのどのページを使用するかを選択するためのナビゲーターとして使用することができる。また、スライダー７０３は、処置の終了までにどれだけの時間が残っているかを示すために使用することができる。

治療アイコン７０４は図７に示すインターフェースを示すことができる。タイマー７０５は、処置継続時間、処置の残りの時間、及び／又は処置の経過時間を示すことができる。「プロトコル１」アイコン７０６は、選択された、及び／又は、現在適用されている又は適用されるように準備されているプロトコルのタイプの番号を示すことができる。「レコード」７０７は、記録された処置の履歴、処置される患者に関する情報、ビリング及びレンティングシステムに関する情報、ビリング情報に関する情報、及び／又は処置のクレジットコストを有する別のページのインターフェースにリダイレクトすることができる。「レコード」７０７は、どれほど多くのクレジットがクレジットアカウントに残っているか、どれほど多くのクレジットが費やされたか、処置デバイスがどれほど長く使用されたか、及び／又は、他のビリング情報を表示することができる。シンボル「設定（setting）」７０８によって表されるアイコンは、例えば、デバイスによって生成される音のメロディー及び／又は強度、及び／又は、ディスプレイの輝度の設定を含む処置デバイスの設定にユーザーをリダイレクトさせることができる。処置デバイスによって生成される音及び／又はディスプレイの輝度は、処置の前において及び／又は処置中に異なるものとすることができる。「設定」７０８インターフェースは、日付け、時間、言語、主ユニットと、アプリケーター、更なる処置デバイス、及び／又は通信デバイスとの間の接続のタイプ及び／又はパラメーターを変更することが可能であるとすることもできる。「設定」７０８インターフェースは、処置デバイス及びその接続された部分の較正及び機能スキャンを開始するためのアイコンを含むことができる。「設定」７０８インターフェースは、ソフトウェア情報、ソフトウェア履歴、及び／又はソフトウェア具体化、サービスに連絡する及び／又はエラープロトコルを送信するためのボタン、動作モードのタイプ（例えば「基本（basic）」又は処置デバイスの許可された更なる設定を有する「エキスパート（expert）」）、処置のためにクレジットを再チャージする可能性、工場設定への回復及び／又は他の設定を提供することができる。

強度符号７０９は、パーセンタイル値、数字、パワーの形態で、及び／又は別の形態で示すことができる。強度符号７０９は、処置エネルギー源の強度を調整することができるアイコンに隣接して位置することができる。強度符号７０９は、処置エネルギー源の強度を調整することができるアイコンの下に、その上に、及び／又はその中に（例えば、強度バー７１０内の数字として及び／又は別の可視化として）位置することができる。提供されるエネルギーの１つの処置エネルギー源（例えば、ＲＦ場又は磁場）を示す各強度バー７１０は、それ自身の強度符号７０９を有することができる。処置デバイスは複数のアプリケーター７１４を含むことができ、例えば、第１のアプリケーターＡ及び第２のアプリケーターＢは、処置デバイスの主ユニットに接続することができる。こうして、アプリケーターＡ及びＢは、同じ筋肉群内の異なる筋肉に、又は、対形成した筋肉又は協働する筋肉の中でも、左及び右臀部、腹部の左側及び右側、左及び右大腿部等の対の筋肉に適用することができる。接続されたアプリケーター及び／又は処置エネルギーを提供する更なる処置デバイスの数は、２より少ない又は２より多いものとすることができる。

図７に示すように、各アプリケーターは、磁気処置７１８（図７のためにＨＩＦＥＭ Ａ及びＨＩＦＥＭ Ｂとしてマーク付けされ、例示的なヒューマンマシンインターフェースに示す左ＨＭＩ部分）及び／又はＲＦ処置７１２（図７のためにＲＦ Ａ及びＲＦ Ｂとしてマーク付けされ、例示的なＨＭＩに示す右ＨＭＩ部分）を提供することができる。

各ＲＦ場及び／又は磁場の強度は、例えば、強度バー７１０を通して個々の磁気強度スクローラー７１９及び／又はＲＦ強度スクローラー７１１のスクロールによって独立に調節することができる。１つ以上のスクローラー又は強度バーは、独立に移動することもできるし、複数の磁場、複数のＲＦ場をともに、及び／又は、１つのアプリケーターによって提供される複数のＲＦ場及び磁場をともに調節するために、別のスクローラー又は強度バーとともに移動することもできる。また、１つ以上のスクローラー又は強度バーは、独立に制御することもできるし、複数の磁場、複数のＲＦ場をともに、及び／又は、２つのアプリケーターによって提供される複数のＲＦ場及び磁場をともに調節するために、別のスクローラー又は強度バーとともに移動することもできる。１つ以上の強度バー７１０は、色で区別することができ、強度スクローラー７１９又は７１１によって及び／又は強度ボタン７２０によって調整することができる。強度ボタン７２０は、ＲＦ場及び／又は磁場強度を、１％又は２％又は５％又は１０％等の固定増分だけ、又は、考えられる最大の場の強度の１％～１０％の範囲内又は１％～５％の範囲内で変更する（例えば、増加又は減少させる）ことができる。磁場及び／又はＲＦ場の強度は、各処置エネルギー源について独立に調整することができる。また、磁場及び／又はＲＦ場の強度は、１つ以上のアプリケーター、更なる処置デバイス、及び／又は処置エネルギー源の選択及び／又は接続によって調整することができる。

１つ以上のＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスの動作は、同期することができ、１つ、２つ、又はそれより多い数の強度スクローラー７１９及び／又は強度ボタン７２０によって制御することができる。処置は、ボタンスタート７１３によって開始することができ、ボタンスタート７１３は、（例えば、処置を開始した後）ボタンポーズになるように自動的に変更することができる。処置は、処置中に、ボタンストップ７１６によって再開及び／又は停止することができる。インターフェースは、処置が不快であるときにリモートコントロールを通して患者が作動することができる不快ボタン７１７のインジケーターを示すこともできる。不快ボタン７１７が作動されると、処置を、自動的にかつ即座に中断（例えば、一時停止又は停止）することができる。不快ボタン７１７が作動されると、処置デバイスは、音信号を含む可聴警報を含む人間が知覚可能な信号を提供することができる。さらに、人間が知覚可能な信号は、例えば、点滅する色を含む視覚的警報を含むことができる。患者の不快に基づいて、ユーザーは、例えば、処置パラメーター又は処理プロトコル、アプリケーターの取り付け又は結合を調整することができる。インターフェースは、処置デバイスをスイッチオン又はオフするソフトウェアパワースイッチ７１５を含むこともできる。

図７に示すように、ＨＭＩは、ＲＦ処置用の２つの強度バー（例えば、７１０）及び磁気処置用の２つの強度バーを含むことができる。さらに、ＨＭＩは、ＲＦ処置用の２つの強度スクローラー（例えば、７１１）及び磁気処置用の２つの強度バー（例えば、７１９）を含むことができる。さらに、ＨＭＩは、ＲＦ処置用の４つの強度ボタン及び磁気処置用の４つの強度ボタン（例えば、７２０）を含むことができる。１つの強度スクローラー、１つの強度バー、及び／又は２つの強度ボタンを、１つの処置回路のために設けることができる。さらに、図７は、ＲＦ処置用の２つの処置回路及び磁気処置用の２つの処置回路を含む処置デバイスのＨＭＩを示すことができる。

処置デバイスは１つ以上のアプリケーターを含むことができる。処置デバイスは、２つ、３つ、４つ、５つ、又はそれより多い数のアプリケーターを含むことができる。各アプリケーターは、ＲＦ処置を提供する１つ以上のＲＦ電極及び磁気処置を提供する１つ以上の磁場発生デバイス等の、少なくとも１つ、２つ、又はそれより多い数の異なる処置エネルギー源を含むことができる。例えば、第１のアプリケーターは１つのＲＦ電極及び１つの磁場発生デバイスを含むことができ、一方、第２のアプリケーターは別のＲＦ電極及び別の磁場発生デバイスを含むことができる。１のアプリケーターは、１つの接続管によって主ユニットに結合することができる。異なるアプリケーターの接続管は、各アプリケーターのために相互接続する又は分離することができる。代替的に、複数のアプリケーターは、１つの共通接続管によって主ユニットに結合することができる。少なくとも１つのアプリケーターの少なくとも１つの処置パラメーターを、他の１つ以上のアプリケーター及び／又は更なる処置デバイス上で独立に変更することができる。

１つ以上のアプリケーター、更なる処置デバイス、及び／又は通信デバイスは、１つ以上のワイヤによって及び／又は流体導管によって主ユニットに機械的に接続することができる。１つ以上のワイヤ及び／又は流体導管が、接続管を通して位置し、つながることができる。主ユニットとアプリケーターとの間で結合した１つ以上のワイヤは、ＲＦエネルギーを生成するために、アプリケーター内に位置決めされたＲＦ電極に電気信号（例えば、ＲＦ信号を表す）を伝達するために使用することができる。１つ以上のワイヤは、磁場のインパルスを生成するために、アプリケーター内に位置決めされた磁場発生デバイスに電流を提供するために使用することができる。アプリケーター及び主ユニット１１を結合する同じワイヤ及び／又は異なるワイヤは、主ユニット１１とアプリケーター１２との間の通信のために及び／又はフィードバック情報を収集するために使用することができる。フィードバックアプリケーションは、例えば、処置前の及び／又は処置中の、測定された信号パラメーター及び／又はワイヤのインピーダンス計測特性を含むことができる。主ユニット１１とアプリケーター１２との間の流体導管は、液体、油、水、蒸気、ガス、及び／又は他の温度調節用冷却流体を誘導することができる。

１つ以上のアプリケーターは、１つ以上のストラップ、１つ以上のベルトによって、又は、アプリケーター下で負圧を生じさせることによって、患者の身体及び／又は身体エリアに結合することができる。また、アプリケーターは、支持マトリックスによって、又は、アプリケーターの表面の少なくとも一部上に位置し、患者の身体又は衣類に接触する接着剤層によって身体エリアに結合することができる。アプリケーターは、調整可能な機械式位置決めアームによって患者の身体エリア又は衣類にアプリケーターを押すことによって、身体エリアに結合することができ、アプリケーターは、少なくとも１つ、２つ、又はそれより多い数の継手を含む位置決めアームに取り外し可能に結合することができる。ベルトは、少なくとも部分的に弾性があるとすることができ、フック及びループファスナー（Ｖｅｌｃｒｏによる）、バックル、スタッドによって等で、閉ループを作成することができる、及び／又は、他の締結機構を、長さを調整するために使用することができる。ベルトは、身体エリアに結合することができ、アプリケーターをベルト及び／又は患者の皮膚又は衣類に結合するための締結機構を含むことができる。そのような締結機構は、例えば、アプリケーター用のポケットを有するベルトとすることができる。アプリケーターを身体エリアに結合することは、身体エリアとの近接部又は接触部にアプリケーターを取り付けること又は位置決めすることを含むことができる。１つ以上のアプリケーターは、１つ以上のタイプの処置（例えば、ＲＦ処置又は磁気処置）の適用前に又は適用中に身体エリアに結合することができる。また、アプリケーターは、軟質材料のカバーによって、身体エリア、皮膚、又は衣類に結合することができ、カバーは、アプリケーター及び／又は身体エリアの部分の周りに折り曲げることができる。さらに、アプリケーターは、軟質材料カバーで覆われ、ベルトの取り付けのための、軟質材料を折り曲げるための、又は本明細書で述べる任意の他の結合オプションのための他の結合ポイントを提供することができる。

ベルトは、少なくとも部分的に柔軟性があるものとすることができる長さ調整可能なベルトとすることができる。１つ以上のベルトは、１つ、２つ、又はそれより多い数のアプリケーターを患者の身体又は身体エリアに結合するか、固定するか、及び／又は取り付けることができる。ベルトを１つのアプリケーター８００に結合することができる、又は、１つのベルトは、２つ以上のアプリケーターを患者の身体に結合することができる。複数（例えば、２つ、３つ、又はそれより多い数）のアプリケーターが使用される場合、１つのアプリケーターを１つのベルトによって患者の身体エリアに結合することができ、一方、別のアプリケーターを異なるベルトによって身体エリアに結合することができる。代替的に、複数（例えば、２つ、３つ、又はそれより多い数）のアプリケーターを、１つの同じベルトによって患者の身体エリアに結合することができる。ベルトによって結合される少なくとも１つのアプリケーターは、処置の少なくとも一部について、患者の身体に対して静的に固定することができる。ベルトによって患者の身体に結合される少なくとも１つのアプリケーターを、処置中に１回以上、オペレーターによって手動で又は自動で再位置決めして、患者のための最適処置効果及び処置快適さを確実にすることができる。

アプリケーター及び／又は更なる処置デバイスを患者の身体に結合することは、アプリケーターを、患者の身体及び／又は身体エリアに近接して設置することを含むことができる。近接結合の場合、アプリケーターと患者の皮膚との間の最短距離は、０．０１ｃｍ～１０ｃｍ、又は０．０１ｃｍ～５ｃｍ、又は０．０１ｃｍ～２ｃｍ、又は０．０１ｃｍ～１ｃｍ、又は０．０１ｍｍ～５ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～２ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。しかしながら、アプリケーターは、患者の皮膚と直接接触して設置することもできる。直接接触の場合、アプリケーターと患者の皮膚との間に有意な距離は存在しないものとすることができる。近接又は直接接触の場合、介在する材料は、アプリケーターと患者の皮膚又は衣類又は身体エリアとの間に位置決めすることができる。介在する材料は、空気ギャップ、ボーラス、支持マトリックス、ベルトの一部、テキスタイル、他の衣類、ゲル、液体吸収材料、又は金属とすることができる。

図２２は、支持マトリックス２２の使用による、患者の身体に対するアプリケーター及び／又は更なる（正：additional）処置デバイス２１の例示的な取り付けを示す。支持マトリックス２２は、図２２に示すように、格子及び／又は足場として形作ることができる。格子及び／又は足場は、少なくとも部分的に柔軟性があり、患者の身体に取り付けられる。支持マトリックスは、アプリケーターのスポット２４と呼ばれる規定された場所において患者の身体に近接してアプリケーター及び／又は更なる処置デバイス２１を締結部材２３によって結合するために使用することができる。支持マトリックスは、図２２のポリマー足場様のもの、テキスタイル／ポリマーシート様の基材、及び／又は他のものとすることができる。締結部材は、アプリケーター及び／又は更なる処置デバイス２１を締結するための係止機構、ヒンジ、バヨネット様システム、Ｖｅｌｃｒｏ等（正：such as）の１つ以上の要素とすることができる。

図２５に示すように、アプリケーター８００は、接続管８１４によって主ユニットに接続することができる、アプリケーターのケーシングを画定する１つ以上の部分を含むことができる。また、アプリケーターは、アプリケーターの機能及び機能性を更に規定するアプリケーター内で隠蔽された１つ以上の部分を含むことができる。アプリケーターのケーシングは、異なる部分、例えば、ハンドルカバー５１２、ハンドル５１４、上部カバー５１６、アプリケーターの底部カバーを作成する第２の側面部８０２を含むことができる。ハンドルカバー５１２は、マーカー８１３、及び／又は、例えば１つ以上の処置パラメーターの実際の値及び／又は所定の値を表示及び／又は調整するＨＭＩ５０８を含むことができる。ハンドル５１４は、アプリケーター８００を用いた操作のために及び／又はアプリケーター８００を患者の身体エリアに結合するために使用することができる。上部カバー５１６はアプリケーターの内部を画定することができる。上部カバー５１６は、アプリケーターの内部へ又は内部から流れる空気が、アプリケーターの内部に位置する電気素子を冷却することを可能にする空気開口５０４を有することができる。アプリケーターの内部に位置する電気素子は、例えば、ＲＦ電極、磁場発生デバイス、及び／又は温度センサー５１０を含むことができる。第２の側面部８０２はアプリケーターの底部カバーを作成する。第２の側面部８０２は、１つ以上の突出形状、溝、及び／又は他のものを含むことができる。電力、エネルギー、１つ以上の電磁信号、及び／又は冷却流体は、接続管８１４を介してアプリケーターに送出することができる。さらに、アプリケーター内の１つ以上の電気駆動式素子（例えば、磁場発生デバイス９００及び／又は少なくとも１つのＲＦ電極を有する基材１１３ａ）の冷却は、上部カバー５１６及び／又は第２の側面部８０２に固定されたファン５２４によって提供することができる。ＲＦ電極基材１１３ａは、アプリケーター内の温度、底部カバー５２６の少なくとも一部の温度、身体エリアの温度、及び／又は患者の生物学的構造の温度を決定するように構成される温度センサー５１０を含むことができる。基材上に位置するＲＦ電極は、同軸ケーブルを再接続する対形成素子１３６に接続することができる。対形成素子１３６は、図２４に関して更に述べられる。また、図２５は、磁場発生デバイスを上部カバー５１６及び／又は第２の側面部８０２に固定するために使用することができるフレーム５０６を示す。フレーム５０６は、磁気処置中にノイズ及び振動をなくすように構成することができる。

アプリケーターを、例示的な図８ａ～図８ｄに示すように設計することができる。図８ａ～図８ｄに示すアプリケーター８００は、身体エリアの処置のために使用することができる。

１つ以上のＲＦ電極は、アプリケーター８００内で磁場発生デバイスと患者の身体エリアとの間に位置することができる。ＲＦ電極は、第１の側面部８０１、第２の側面部８０２の湾曲、及び／又は、患者の身体エリアの湾曲に少なくとも部分的に適合するように形作ることができる。磁場発生デバイスは、第１の側面部８０１の湾曲、第２の側面部８０２の湾曲、及び／又は、患者の身体エリアの湾曲に少なくとも部分的に適合することができる。ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスは、ＲＦ処置及び／又は磁気処置のより良好なターゲット設定に集中する及び／又はそれを提供するために湾曲することができる。第１の側面部８０１は、処置中に第１の側面部８０１内に四肢の位置を維持するように構成することができる。第１の側面部８０１は、処置される身体エリアについて安定位置及び／又は平衡を提供することができる。患者の四肢の位置は、四肢が筋肉収縮によって移動しても第１の側面部８０１内に維持することができる。四肢の側方移動及び／又は回転は、四肢が安定位置にあり得るように第１の側面部８０１及び／又はベルト８１７によって制限することができる。アプリケーター８００に対する回転運動は、アプリケーター８００を身体エリア、処置される身体四肢の少なくとも一部（正：at least part of）にベルトによって結合することによって制限することができる。さらに、腕の一部が磁気処置及び／又はＲＦ処置によって処置されるとき、四肢の少なくとも一部は、四肢の移動を最小にするために患者の胴体に取り付けることもできる。

第２の側面部８０２は、第１の側面部８０１に対してアプリケーター８００の反対側に位置することができる。第２の側面部８０２は実質的に平面とすることができる、又は、第２の側面部８０２は少なくとも部分的に凹状及び／又は凸状とすることができる。アプリケーター８００は、ベルト８１７等の位置決め機構によって患者に結合することができ、それは図８ａ及び図８ｂに示される。

図８ａは、第１の側面部８０１の第１の端部８０４にある窪み８０３及び第１の側面部８０１の第２の端部８０５にある窪み８０６内に固定することができる位置決め機構を含むアプリケーターを記載する。ベルト又はストラップ等の位置決め機構を締結することができる、又は、その長さを、クリップ８０７によって調整することができる。クリップ８０７は、時計回り又は反時計回り方向にピン８０８の周りに移動することができる。クリップ８０７を、ばねによって付勢することができる。代替的に、クリップ８０７を、適切な係止機構によって又は任意の他の移動制限方法によって係止することができる。クリップ８０７は、位置決め機構の正しい長さを固定するためにクリップ８０７の下側にファスナー８０９を含むことができる。ファスナー８０９は、他の機械式ファスナーの中でも面ファスナー（hook-and-loop fastener）、Ｖｅｌｃｒｏファスナー、ピンタイプファスナーとすることができる。上述したように患者の身体にアプリケーター８００を結合することは、患者の身体エリアがアプリケーター８００の第１の側面部８０１に取り付けられるときにたいていは使用することができる。ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスは、第１の側面部８０１の湾曲に少なくとも部分的に適合するように形作ることができる。ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスは、ＲＦ処置及び／又は磁気処置のより良好なターゲット設定に集中する及び／又はそれを提供するために湾曲しているものとすることができる。

図８ｂ及び図８ｃは、第１の側面部８０１の湾曲に垂直に及び／又はアプリケーターの軸８１０に垂直に誘導することができる位置決め機構を含むアプリケーターを示す。位置決め機構は、ハンドル８１２の凹部８１５を通して、及び／又は、ハンドル８１２の下に、それを通して、又はその上に位置決め又は誘導することができる。ベルト８１７を、患者の皮膚に対してアプリケーター８００を保持するために、アプリケーター８００を通して及び／又はその上に任意の方向に誘導することもできる。上述したように患者の身体にアプリケーター８００を結合することは、患者の身体エリアがアプリケーター８００の第２の側面部８０２に取り付けられるときにたいていは使用することができる。ＲＦデバイス及び／又は磁場発生デバイスは、第１の側面部８０１に少なくとも部分的に適合するように形作ることができる。ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスは、ＲＦ処置及び／又は磁気処置のより良好なターゲット設定に集中する及び／又はそれを提供するために平坦である又は湾曲しているものとすることができる。

図８ｂは、アプリケーター８００の上面図を示す。アプリケーター８００は、アプリケーター８００内の磁場発生デバイスの場所に対応するマーカー８１３を含むことができる。マーカー８１３は、磁場発生デバイスの中心の上に位置することができる。マーカー８１３は、ユーザーによるアプリケーター８００の容易かつ快適な位置決めを可能にすることができる。アプリケーター８００の表面内の窪みを、マーカー８１３として使用することができる。代替的に、マーカー８１３は、異なる色、異なる粗さ、１つ以上の（正：one or more）光源（例えば、発光ダイオードＬＥＤ）の存在、アプリケーターのケーシングの特定の湾曲、製造又は流通会社のロゴ、及び／又はその他のもの等の、アプリケーターのカバーの一部の異なる表面修正とすることができる。アプリケーターのケーシングは少なくとも２つの色を有することができる。第１の色は、アプリケーターの正しい位置決めを可能にするために磁場発生デバイスの上でアプリケーターのケーシング上にあるものとすることができ、アプリケーターの残りの部分は、第１の色と異なる第２の色を有することができる。色は、光の特定の波長を反射及び／又は吸収する塗料と解釈することができる。マーカー８１３と同様に、アプリケーターは、少なくとも１つのＲＦ電極の場所を示すために第２のマーカーを含むことができる。

図８ｂ及び図８ｃに示すように、アプリケーターは出口８１１を含むことができる。出口８１１は、アプリケーター８００内の空気の循環、並びに、アプリケーター内に位置決めされた１つ以上の磁場発生デバイス及び／又はＲＦ電極が生成し、接続管８１４の内部の１つ以上のワイヤを通るエネルギーが供給する熱の熱消散を可能にすることができる。接続管８１４は、主ユニット１１からアプリケーター８００に冷却流体を提供又は誘導することができる流体導管を含むこともできる。

アプリケーター８００は、例えば図８ｃに示すように、１つ以上の温度センサー８１６を更に含むことができる。温度センサー８１６は、アプリケーター８００のケーシングから、例えば、第２の側面部８０２の表面から及び／又は第１の側面部８０１から突出することができる。温度センサー８１６は、アプリケーター８００のケーシングから突出して、アプリケーター８００によって、処置される身体エリアの部分に対するより高い圧力を生じさせ、生物学的構造内の温度、身体エリアの温度、及び／又は患者の身体上の温度のより良好な測定を提供することができる。

第２の側面部８０２及び／又は第１の側面部８０１を加熱及び／又は冷却することができる。第２の側面部８０２及び／又は第１の側面部８０１の加熱は、例えば、処置温度により早く達するように処置の始めに使用することができる。処置温度は、磁場の印加のために適切とすることができる、ＲＦ波の印加によって上昇した身体エリア及び／又は生物学的構造の温度を含むことができる。アプリケーターの所定の部分による冷却又は加熱は、患者の皮膚上で一定温度を維持するために使用することができる。また、アプリケーターの所定の部分による冷却又は加熱は、患者の皮膚下の０．５ｃｍよりも深いところで患者の生物学的構造内のより高い処置温度を達成するために使用することができる。患者と接触しているアプリケーターの部分（例えば、アプリケーターの第２の側面部８０２及び／又は第１の側面部８０１）を冷却することは、患者の発汗を最小にするために使用することができる。患者の皮膚は、アプリケーター及び／又は処置デバイスの他の部分から流れる及び／又は吹く冷却流体（例えば空気）によって冷却することができる。患者の皮膚の冷却は、患者の皮膚に接触するアプリケーターの冷却される部分と患者の皮膚との間の熱拡散によって提供することができる。アプリケーターの冷却される部分は、アプリケーター内を流れる冷却流体によって及び／又はペルチエ効果を使用するペルチエ素子によって冷却することができる。

患者の発汗は、患者にとって不快である場合があり、また、フィードバック情報収集に悪い影響を及ぼし、アプリケーター及び患者の皮膚に接触し、及び／又は患者の皮膚に対するアプリケーターの付着の低下につながる場合がある。患者の皮膚の発汗を防止するために、アプリケーターの接触エリア（例えば、第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２）の冷却を使用することができる。第２の側面部８０２及び／又は第１の側面部８０１は、図８ｄに示すように液体及び／又はガス（例えば、空気、油、又は水）が流れることができるアプリケーターのアパーチャ８２０を通して冷却流体を供給することができる溝８１９を有することができる。アプリケーターの第１の側面部又は第２の側面部は、アプリケーターの穴又はアプリケーターのアパーチャ８２０を有することができ、アプリケーター８００からの空気を、患者の皮膚から熱、水分、及び／又は汗を除去するために誘導することができる。穴又はアパーチャは、溝８１９内に存在することができる。穴は、患者に対して作用物質（active substance）を提供するために使用することができる。身体エリアに接触しているアプリケーターの接触部分は、少なくとも部分的に、患者の皮膚から汗を除去する及び／又は患者とアプリケーター８００との間の導電率を改善することができる、スポンジ、親水性材料、不織布、有機及び／又はポリマーテキスタイル等の流体吸収材料を含むことができる。処置される身体エリアの少なくとも一部における患者の発汗の低減は、汗腺（sweat gland）活動の低減によって行うことができる。汗腺の活動の低減は、パルス状磁場、強い光、グリコピロニウムトシル酸塩（glycopyrronium tosylate）等の患者上への及び／又は患者に対する適用された作用物質による患者の皮膚の周期的低体温症（hypothermia）によって及び／又は他の機構によって提供されるヒートショックの適用によって提供することができる。

図２３は、凹部を有する例示的なアプリケーターを示す。アプリケーターは、第１の側面部８０１が少なくとも部分的に凸状である状態で設計することができる。第１の側面部８０１は、代替的に、Ｖ字形状又はＵ字形状とすることができる。曲率半径は患者の四肢のサイズに対応することができる。第２の側面部８０２は、代替的に又は付加的に、少なくとも部分的に凸状とすることができる。

患者は、ベッド、カウチ、又はチェアー等の患者支持体上に背臥位で横たわる又は座ることができる。患者の腕を、アプリケーター８００の第１の側面部８０１上にセットすることができる。第１の側面部８０１は、患者と直接接触しているものとすることができ、ＲＦ処置は、磁気処置と組み合わせて適用することができる。また、ストラップ又はベルトは、アプリケーターを患者の身体に取り付けるために凹部８１５を通して誘導することができる。

第１の側面部８０１は、垂直断面に従って、少なくとも部分的に楕円又は円形形状を有することができ、図２３による全体の湾曲２５は、第１の側面部８０１の少なくとも一部の湾曲に当てはめられる楕円又は円の一部として規定することができる。第１の側面部８０１の湾曲が、当てはめられる楕円又は円に適合するセクションは、セクション２６と呼ぶことができる。セクション２６は、２つの線２８と線２９との間の角度３０として規定される。線２８及び線２９は、対称の中心２７、並びにアプリケーター８００の湾曲を複製する楕円又は円の当てはめられる部分に従って最長距離を有する、セクション２６に位置するポイント３１及び３２と交差する。対称の中心２７は、当てはめられる楕円及び／又は当てはめられる円の中心である。第１の側面部８０１のセクション２６を画定する角度３０は、少なくとも５度、又は、１０度～２７０度、３０度～２３５度、４５度～１８０度、若しくは６０度～１３５度の範囲内にあるものとすることができる。第１の側面部８０１に対する当てはめられる円の少なくとも一部の曲率半径は、５０ｍｍ～１２５０ｍｍの範囲内、又は１０ｍｍ～７５０ｍｍの範囲内、又は５０ｍｍ～５００ｍｍの範囲内、又は６０ｍｍ～２５０ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。第２の側面部８０２は、その表面の少なくとも一部上で湾曲状とすることができ、第２の側面部８０２のセクション２６は、少なくとも５度、又は、１０度～２７０度、３０度～２３５度、４５度～１８０度、若しくは６０度～１３５度の範囲内にあるものとすることができる。さらに、第２の側面部８０２に対する当てはめられる円の少なくとも一部の曲率半径は、５０ｍｍ～１２５０ｍｍの範囲内、１０ｍｍ～７５０ｍｍ、５０ｍｍ～５００ｍｍ、又は６０ｍｍ～２５０ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。

１つ以上のアプリケーター及び／又は更なる処置デバイスは、例えば図２３に示すようにボーラス３２を含むことができる。ボーラス３２は、アプリケーター又はアプリケーターの表面上に位置決めされたＲＦ電極と患者の身体エリア又は皮膚（患者の皮膚の表皮又は衣類を含む）との間に位置する材料層を指すことができる。ボーラス３２は、アプリケーターの表面上に位置決めされたＲＦ電極と患者の身体エリア又は皮膚との間に位置する材料層を指すことができる。同様に、ボーラス３２は、アプリケーター８００から独立した部分とすることができる。ボーラス３２は、アプリケーター８００の第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２に取り付けることができる。ボーラス３２は、アプリケーター８００からリムーバブルかつ取り外し可能とすることができる。ボーラス３２は、アプリケーター８００の第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２に機械的に結合することができる。ボーラス３２を、硬質材料、柔軟材料で作ることができる、及び／又は硬質材料及び柔軟材料の混合物をボーラスとして使用することができる。ボーラス３２は、セラミック、金属、ポリマー、及び／又は生体適合性材料で作られた柔軟性サック内に封入される他の粒子を含む、水、ゲル、又は流体溶液等の流体材料を含むことができる。ボーラス３２はプロフールを明らかにする（profile）ことができ、ＲＦ電極と患者の皮膚との間の層としてのボーラス３２の厚さは異なる厚さを有することができる。ボーラス３２の厚さは、ＲＦ処置（ＲＦ場を含む）のエネルギー束密度が、不快なホットスポット及び／又は不均一な温度分布を生じるのに十分に高いことになる場所においてより厚いとすることができる。ボーラス３２は、より均一な生物学的構造加熱を可能にし、エッジ効果を最小にする。エッジ効果は、ボーラス体積及び／又はボーラス面積にわたるボーラスの異なる誘電体特性によって最小にすることもできる。ボーラス３２は、ＲＦ電極の縁の少なくとも一部の下でより大きい厚さを有することができる。ＲＦ電極の縁の少なくとも一部の下でのボーラスの厚さは、ＲＦ電極の中央の少なくとも一部の下でのボーラス３２の厚さより少なくとも５％、１０％、１５％、又は２０％大きいとすることができ、そこでは、アパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部は考慮されない。ボーラス３２は、バイポーラＲＦ電極の少なくとも一部の下で及び／又は少なくとも２つのバイポーラＲＦ電極間の距離の少なくとも一部の下で大きい厚さを有することができる。ボーラス３２は、２つの異なるバイポーラＲＦ電極の最も近い２つのポイント間の距離が少なくとも５％、１０％、１５％、又は２０％以上である場所において、ボーラス３２の厚さより、ほぼ少なくとも５％、１０％、１５％、又は２０％だけ厚いとすることができる。ボーラス３２は、少なくとも１つの生物学的構造に対する処置エネルギー（例えば、磁場及び／又はＲＦ場）の伝達を改善し、アプリケーター及び生物学的構造の異なる２つの界面の間で誘電体特性の段階的移行を提供することによってエネルギー反射を最小にすることもできる。ボーラス３２は、処置効果を高める及び／又は処置のより深い組織貫入を提供するＲＦ場及び／又は磁場のプロフィールを明らかにする又はそれに焦点を合わせることができる。

ボーラス３２は、アプリケーターと患者の身体との間の環境の良好な導電率を提供するために、発泡材料、テキスタイル材料、又はゲル材料等の流体吸収材料とすることもできる。アプリケーターの接触部分の良好な導電率は、患者の身体に適用されるＲＦ処置のＲＦ信号の良好な調整のために及び／又はフィードバック情報の良好な収集のために有用とすることができる。ボーラス３２は、ＲＦ電極と患者の皮膚又は身体エリアとの間の導電性接触を仲介することができる。同様に、ボーラス３２は、非導電性又は誘電体材料として役立つことができ、非導電性又は誘電体材料は、患者の身体に対するエネルギー伝達を修正する、患者の皮膚の冷却を提供する、患者の皮膚から汗を除去する、及び／又は患者の身体の容量性加熱等の加熱を提供する。ボーラス３２として役立つ流体吸収材料は、生物学的構造の良好な熱伝導率、したがって良好な温度を提供することもできる、及び／又は、アプリケーターを、より早く、より容易に、またより正確に調節することができる。ボーラス３２は、ＲＦ処置を提供する更なるＲＦ電極を含むこともできる。

上記で述べたように、処置デバイスは、磁気処置及び／又はＲＦ処置を提供する、１つ、２つ、３つ、４つ、６つ、又はそれより多い数のアプリケーター及び／又は更なる処置デバイスを含むことができる。各アプリケーター、更なる処置デバイス、及び／又は処置エネルギー源（例えば、磁場発生デバイス及び／又はＲＦ電極）は、エネルギー伝達のために独自の処置回路を有することができ、各処理回路を、提供される処置エネルギーの各パラメーターにおいて制御システムが独立に調節することができる。各アプリケーター、処置デバイス、又は処置エネルギー源は、調整され、処置を独立に提供することができる、及び／又は、２つ以上のアプリケーター、処置エネルギー源、及び／又は更なる処置デバイスは、まとめて調整することができ、また、同時に、同期して調整することができる、及び／又は、互いに協働することができる。

処置デバイスが２つ以上のアプリケーターを含むとき、アプリケーターは、身体の異なる部分に対して接触する又は近接するように結合することができる。１つの例において、第１のアプリケーターは、左臀部に対して接触する又は近接するように結合することができ、一方、第２のアプリケーターは、右臀部に対して接触する又は近接するように結合することができる。別の例において、第１のアプリケーターは、腹部エリアの左側に対して接触する又は近接するように結合することができ、一方、第２のアプリケーターは、腹部エリアの右側に対して接触する又は近接するように結合することができる。更に別の例において、第１のアプリケーターは、左大腿部に対して接触する又は近接するように結合することができ、一方、第２のアプリケーターは、右大腿部に対して接触する又は近接するように結合することができる。更に別の例において、第１のアプリケーターは、左ふくらはぎに対して接触する又は近接するように結合することができ、一方、第２のアプリケーターは、右ふくらはぎに対して接触する又は近接するように結合することができる。複数のアプリケーターは、協働する筋肉及び／又は対の筋肉の処置のために有益とすることができる。

１つ以上のアプリケーター及び／又は更なる処置デバイスは、磁気処置のために磁場を生成する磁場発生デバイス（例えば、磁気コイル）を含むことができる。磁場発生デバイスは、ＲＦ処置のためにＲＦ場を生成することができる。本質は、電磁場の生成される周波数が全く異なる値を有するということである。磁場発生デバイスは、低周波数の生成される電磁場の間に磁気処置のための支配的な磁場ベクトルを生成することができる。しかしながら、磁場発生デバイスは、ＲＦ処置のために使用することができる高周波数の電磁場の間に磁気処置のための支配的な磁場ベクトルを生成することができる。磁場発生デバイスは、高周波電磁場領域において、ＲＦ電極によって提供されるＲＦ場と同様のＲＦ場を提供することができる。１つの磁場発生デバイスがＲＦ処置と磁気処置の両方を提供するために使用されるとき、ＲＦ処置生成のための周波数と磁気処置生成のための周波数との差は、５００ｋＨｚ～５ＧＨｚ、又は５００ｋＨｚ～２．５ＧＨｚ、又は４００ｋＨｚ～８００ｋＨｚ、又は２ＧＨｚ～２．５ＧＨｚの範囲内にあるものとすることができる。同様に、１つの磁場発生デバイスがＲＦ処置と磁気処置の両方を提供するために使用されるとき、ＲＦ処置のための周波数は、１００ｋＨｚ～３ＧＨｚ、４００ｋＨｚ～９００ＭＨｚ、又は５００ｋＨｚ～３ＧＨｚの範囲内の周波数に対応することができる。

１つ以上のアプリケーター及び／又は更なる処置デバイスは、１つ以上のＲＦ電極及び１つ以上の磁場発生デバイスを含むことができ、ＲＦ電極は、磁場発生デバイスと異なる特性、構造、及び／又は設計を有する。ＲＦ電極は、ユニポーラ電極、モノポーラ―電極、バイポーラ電極、及び／又はマルチポーラ電極として動作することができる。１つ以上のＲＦ電極は、生物学的構造又は身体エリアの容量性及び／又は誘導性加熱のために使用することができる。

アプリケーターは、２つのバイポーラ電極を含むことができる。バイポーラ電極は、少なくとも１つのアプリケーター内に位置する２つのバイポーラＲＦ電極間でＲＦ場を伝達することができる。バイポーラ電極は、モノポーラタイプの電極と比較して、提供されるＲＦ処置の安全性及びターゲット設定を向上させることができる。バイポーラ電極は、ＲＦ電極の周りにかつその間に位置する患者の組織を通過する電磁場を提供することができ、インピーダンス整合によって、患者の組織内での定在電磁波（standing electromagnetic wave）の生成を防止し、非ターゲット組織の望ましくない熱損傷を防止することが可能である。同様に、バイポーラ電極間の距離は、ＲＦ波貫入の深さに影響を及ぼし、ＲＦ処置のターゲット設定の向上を可能にする。

アプリケーターは、１つのモノポーラＲＦ電極又は２つ以上のモノポーラ電極を含むことができる。モノポーラ電極は、活性電極（active electrode）と不活性電極（passive electrode）との間で無線周波数エネルギーを伝達することができ、活性電極はアプリケーターの一部とすることができ、より大きい表面積を有する不活性電極はアプリケーターから少なくとも５ｃｍ、１０ｃｍ、又は２０ｃｍのところに位置することができる。接地された電極は、不活性電極として使用することができる。接地された電極は、患者の身体の、アプリケーターが取り付けられている側と反対側にあるものとすることができる。

磁気処置は、例えば銅を含む金属等の導電性材料から作ることができる磁場発生デバイスによって提供することができる。磁場発生デバイスは、異なるサイズ及び形状のコイルとして形成することができる。磁場発生デバイスは、複数の巻線のコイルとすることができ、コイルの１つのループは１つ又は複数のワイヤを含むことができる。１つ以上のワイヤの個々のループは、１つ以上のワイヤの他のターン又はループから絶縁されているものとすることができる。磁気コイルに関して、ワイヤリングの各ループは、ターンと呼ぶことができる。さらに、１つのターン又はループ内の個々のワイヤは、互いから絶縁されているものとすることができる。磁場発生デバイスの形状は、アプリケーターサイズ及び設計に関して最適化することができる。コイルは、アプリケーターの床面投影に従ってアプリケーターの形状の少なくとも一部に適合するように巻くことができる。コイル巻線は少なくとも部分的に円形、長円形とすることができる、及び／又は、アプリケーター又はその或る部分の形状に適合する任意の他の形状を有することができる。巻線のループは互いの上部に積み重ねることができる、並べて配置することができる、又は、巻線の積み重ねは、並べてかつ他の巻線の上部に結合することができる。コイルは平坦とすることができる。

図９は、例示的な円形平面磁場発生デバイス９００の床面投影を示す。磁場発生デバイス９００は、外側直径Ｄ、内側直径ｄ、内側半径ｒ、及び外側半径Ｒを含む寸法によって特徴付けることができる。磁場発生デバイス９００は、エリアＡ１及びＡ２によって更に特徴付けることができる。エリアＡ２はコイルの巻線エリアを示すことができ、一方、Ａ１は磁気コアを表すこともできるし、磁気コアも巻線もないエリアを表すこともできる。

エリアＡ１は寸法ｒ及びｄに関連する。エリアＡ１は、コイルの巻線を含まないとすることができ、空気、油、ポリマー材料で充填することができる。エリアＡ１は、磁気コアを表すことができ、磁気コアは空気コアとすることができる。代替的に、磁気コアは、高い場の飽和度を有する透磁性材料、例えば、軟鉄、鉄合金、珪素鋼板、珪素合金、ガラス状金属、パーメンジュール、パーマロイ、粉末金属、又はセラミック、及び／又は他の材料からなる固体コアとすることができる。

エリアＡ２は、外側半径Ｒ及び外側直径Ｄに関連する。

内側半径ｒの寸法は、外側半径Ｒの寸法の１％～９０％の範囲内、又は、外側半径Ｒの寸法の２％～８０％若しくは３％～６０％若しくは４％～５０％若しくは８％～３０％若しくは２０％～４０％若しくは３０％～５０％の範囲内にあるものとすることができる。内側半径ｒ及び外側半径Ｒの寸法を、生成磁場の好都合な形状を達成するために使用することができる。

磁気デバイスの外側直径Ｄは、３０ｍｍ～２５０ｍｍ、又は４０ｍｍ～１５０ｍｍ、又は５０ｍｍ～１３５ｍｍ、又は９０ｍｍ～１２５ｍｍの範囲内にあるとすることができ、内側半径ｒの寸法は、外側半径Ｒの寸法の１％～７０％、又は１％～５０％、又は３０％～５０％、又は５％～２５％、又は８％～１６％の範囲内にあるものとすることができる。例えば、外側半径Ｒの寸法は５０ｍｍとすることができ、寸法ｒは５ｍｍとすることができる。エリアＡ１を省略することができ、磁場発生デバイスは、コイル巻線を有するエリアＡ２のみを含むことができる。

論じたように、エリアＡ２は複数の巻線を含むことができる。１つの巻線は１つ以上のワイヤを含むことができる。巻線は、緊密に配置することができ、１つの巻線は隣接する巻線に接触して、高い磁束密度を有する磁場を提供することができる。巻線エリアＡ２は、４ｃｍ^２～７９０ｃｍ^２、又は１５ｃｍ^２～６００ｃｍ^２、又は４５ｃｍ^２～４５０ｃｍ^２、又は８０ｍ^２～３００ｃｍ^２、又は８０ｍ^２～１５０ｃｍ^２、又は８０ｍ^２～１３０ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。

代替的に、巻線は、各巻線間にギャップを含むことができる。ギャップは、寸法Ｒ～ｒの０．０１％～５０％、又は０．１％～２５％、又は０．１％～１０％、又は０．１％～５％、又は０．００１％～１％とすることができる。そのような構成は、磁場発生デバイスの個々の巻線の冷却及び絶縁を容易にすることができる。さらに、生成磁場の形状は、磁場発生デバイスのそのような構成によって修正することができる。

コイル巻線のワイヤは異なる断面積を有することができる。巻線ワイヤの断面積は、巻線の中央において大きいとすることができ、コイル巻線半径はより小さい。ワイヤのそのような断面積は、磁場発生デバイスの外側巻線ターン上で測定した同じワイヤの断面積より２％～５０％、５％～３０％、又は１０％～２０％大きいとすることができ、コイル巻線半径はより大きい。磁場発生デバイスの巻線ワイヤの断面積は、磁場発生デバイスの外側コイル巻線ターン上でより大きいとすることができ、コイル巻線半径はより大きい。ワイヤのそのような断面積は、磁場発生デバイスの内側ターン上で測定した同じワイヤの断面積より２％～５０％、５％～３０％、又は１０％～２０％大きいとすることができ、コイル巻線半径はより小さい。

上述した原理及びパラメーターが使用されて、患者の身体に対する提供される磁場の形状を修正する、より均一な及び／又はターゲット設定された筋肉刺激（例えば、筋肉収縮）を提供する、処置中に磁場発生デバイスの膨張を低減する、及び／又は、磁場発生デバイスの耐久性を上げることができる。磁場発生デバイスは、時変性磁場の生成中に膨張し収縮する場合があり、これは、磁場発生デバイスの損傷を引き起こす可能性がある。使用される導電性材料（例えば、磁場発生デバイスのワイヤ、金属ストリップ、又は巻線）の異なる断面積は、磁場発生デバイスの膨張及び収縮の破壊的効果を最小にすることができる。

上記で論じたように、使用される導電性材料（例えば、磁場発生デバイスのワイヤ、金属ストリップ、及び／又は巻線）の断面積は、提供される磁気処置の集中化（focusation）を改善する、磁場発生デバイスの耐久性を上げる、磁場発生デバイスの加熱を最小にする、及び／又は他の理由のために、ワイヤリングの個々のループの間で、２％～５０％、又は５％～３０％、又は１０％～２０％の範囲内で変動する場合がある。

さらに、磁場発生デバイスの個々の導電性巻線の間でのワイヤリング及び／又は絶縁及び／又は膨張層の積み重ねは一定でなく、ワイヤ断面積、巻線の半径、提供される磁場の必要とされる形状、及び／又は他のパラメーターに基づいて異なるものとすることができる。

図９ｂに示す磁場発生デバイス９００の厚さ９０１は、アプリケーターの側から見て０．３ｃｍ～６ｃｍ、又は０．５ｃｍ～５ｃｍ、又は１ｃｍ～３ｃｍの範囲内にあるものとすることができる。

アプリケーターの床面投影による磁場発生デバイス表面の全体表面、すなわち、エリアＡ１＋Ａ２は、５ｃｍ^２～８００ｃｍ^２、１０ｃｍ^２～４００ｃｍ^２、２０ｃｍ^２～３００ｃｍ^２、又は５０ｃｍ^２～１５０ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。

エリアＡ１と巻線エリアＡ２の比は、アプリケーターの床面投影によれば、０．０１～０．８、又は０．０２～０．５、又は０．１～０．３の範囲内にあるものとすることができる。アプリケーターの床面投影による、同じアプリケーター内に位置する磁場発生デバイスの巻線エリアＡ２とＲＦ電極のエリアとの間の比は、０．０１～４、又は０．５～３、又は０．５～２、又は０．３～１、又は０．２～０．５、又は０．６～１．７、又は０．８～１．５、又は０．９～１．２の範囲内にあるものとすることができる。

図１０ａ～図１０ｇは、アプリケーター８００内の少なくとも１つの磁場発生デバイス９００に対する１つ以上のＲＦ電極１０１の場所を示す。ＲＦ電極１０１、１０２及び／又は磁場発生デバイス９００の場所は、処置エネルギー源の効果及びターゲット設定に非常に影響を及ぼす場合がある。ＲＦ電極及び磁場発生デバイスはアプリケーター内に位置することができる。

１つ以上のＲＦ電極１０１、１０２は、図１０ａ、図１０ｂ、図１０ｄ、図１０ｅ、図１０ｆ、図１０ｇに示すようにアプリケーター８００の内部に及び／又は図１０ｃに示すようにアプリケーター８００の外側に位置することができる。

図１０ａ～図１０ｅ及び図１０ｇに示すように、少なくとも１つのＲＦ電極は、アプリケーターの床面投影によれば、少なくとも１つの磁場発生デバイスのエリアＡ２又はＡ１との少なくとも部分的な重なり内にあるものとすることができる。そのような配置は、磁気処置とＲＦ処置の最良の相乗効果を可能にし、ＲＦ処置による組織加熱の均一性を改善し、磁気処置及びＲＦ処置のターゲット設定を改善し、また同様に健康リスクを最小にすることができる。

図１０ａは、少なくとも１つのＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含むアプリケーターの側面図を示す。示すアプリケーターは、アプリケーター８００内の磁場発生デバイス９００の下に位置することができる少なくとも１つのＲＦ電極１０１を含むことができる。図１０ｂは、ＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含む同じタイプのアプリケーターの上面図を示す。図１０ａ及び図１０ｂに示すように、少なくとも１つのＲＦ電極１０１は、時変性磁場によって引き起こされる望ましくない物理的効果を低減するために非常に薄いとすることができる。図１０ｂは、少なくとも１つのＲＦ電極１０１が、ほぼ完全に、磁場発生デバイス９００との重なり内にあるとすることを示す。

図１０ｃは、少なくとも１つのＲＦ電極１０１及び磁場発生デバイスを含む別の例示的なアプリケーターを示す。図１０ｃによれば、少なくとも１つのＲＦ電極１０１は、アプリケーター８００の外側に、例えばアプリケーター８００の外部表面上に又はそれに隣接して位置することができる。アプリケーターの外側のＲＦ電極は、磁場発生デバイスからの、及び／又は、アプリケーターから電磁場を放射する他の導電性デバイスからの良好な絶縁を有することができる。良好な絶縁は、電磁場及び／又は時変性磁場を放射することによって少なくとも１つのＲＦ電極１０１内に誘起される望ましくない物理的効果の影響を減少させることができる。図１０ｃに示すアプリケーターの外側に位置する１つ以上のＲＦ電極１０１は患者の身体との良好な接触を有することもできるため、ＲＦ回路の電気素子を調節する動作を改善することができる。さらに、少なくとも１つの患者のターゲット生物学的構造に対するＲＦ処置の伝達を高めることができる。

図１０ｄは、少なくとも１つのＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含む別の例示的なアプリケーターを示す。少なくとも１つのＲＦ電極１０１は、磁場発生デバイス９００の下に位置決めすることができる。アプリケーター８００は、磁場発生デバイス９００の上に位置する別の少なくとも１つのＲＦ電極１０２を含むこともでき、両方のＲＦ電極及び磁場発生デバイスを１つのアプリケーター８００内に位置決めすることができる。その表面に近接して又はその表面上に湾曲した少なくとも１つのＲＦ電極１０２を有する第１の側面部８０１は、湾曲した身体エリア（例えば、少なくとも大腿部、ヒップ、首、及び／又は腕の部分）を処置するために使用することができる。その表面に近接して又はその表面上に平坦な少なくとも１つのＲＦ電極１０１を有する第２の側面部８０２は、アプリケーターの平坦な又はほぼ平坦な側がより適切であることになる、腹部エリア又は臀部等の身体エリアを処置するために使用することができる。

図１０ｅは、図１０ｄの場合と同様のアプリケーター８００の正面図を示す。図１０ｅは、ＲＦ電極１０１が実際には、２つの電極１０１ａ及び１０１ｂであるものとすることができることを示す。電極１０１ａ及び１０１ｂはバイポーラ電極とすることができる。したがって、アプリケーターは、磁場発生デバイス９００の下に２つのバイポーラ電極１０１ａ及び１０１ｂを含むことができる。

図１０ｆは、ＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含む別の例示的なアプリケーター８００を示す。アプリケーターは、アプリケーターの床面投影によれば、少なくとも１つの磁場発生デバイス９００との最小の重なりを持つ又は重なりを全く持たない１つ以上のＲＦ電極１０１を含むことができる。アプリケーターは、磁場発生デバイスとの重なりを全く持たない又は最小の重なりを持つ２つのＲＦ電極１０１を含むことができる。

図１０ｇは、ＲＦ電極及び磁場発生デバイスを含む別の例示的なアプリケーター８００を示す。アプリケーターは、磁場発生デバイス９００の上に位置することができる少なくとも１つのＲＦ電極１０１を含むことができる。磁場発生デバイスの上に位置決めされたＲＦ電極によって提供される加熱は、磁場発生デバイス自身にも提供される場合がある。

１つのアプリケーター及び／又は２つ以上のアプリケーター８００上に位置決めされた１つ以上のＲＦ電極は、患者に接触して設置することができる。同様に、１つ以上のＲＦ電極及び／又はアプリケーターを、空気ギャップ、ボーラス、誘電体材料、絶縁材料、及び／又は他の材料によって患者から分離することができる。

１つのアプリケーター内の１つ以上のＲＦ電極１０１、１０２及び／又は磁場発生デバイス９００は、空気ギャップによって、プリント回路基板の材料、絶縁体、冷却流体、及び／又は他の材料によって互いから分離することができる。磁場発生デバイスの最近傍導電性部分と最近傍ＲＦ電極との間の距離は、０．１ｍｍ～１００ｍｍ、又は０．５ｍｍ～５０ｍｍ、又は１ｍｍ～５０ｍｍ、又は２ｍｍ～３０ｍｍ、又は０．５ｍｍ～１５ｍｍ、又は０．５ｍｍ～５ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。磁場発生デバイスとＲＦ電極との間の間隔は、磁気回路からＲＦ回路を分離し、１つの処置回路又は処置エネルギー源に他の処置回路又は他の処置エネルギー源が影響を及ぼすことを防止する絶縁バリアの形態で設けることもできる。患者の身体の近くに位置決めされた磁場発生デバイスは、患者の身体からより遠い距離にある磁場発生デバイスより効果的にかつ深く、少なくとも１つのターゲット生物学的構造の少なくとも一部に対して、刺激し、処置効果を提供することができる場合がある。

アプリケーター内に又はその上に含まれる磁場発生デバイス及び／又は１つ以上のＲＦ電極を処置中に冷却することができる。磁場発生デバイス及び／又は１つ以上のＲＦ電極の冷却を、ペルチエ効果に基づく素子によって、及び／又は、アプリケーター内での又はアプリケーターに近接した、空気、水、油、及び／又は流体等の冷却流体の流動によって提供することができる。冷却流体を、磁場発生デバイスと少なくとも１つのＲＦ電極の少なくとも一部との間で、１つ以上の磁場発生デバイス、１つ以上のＲＦ電極の周りに流す又は誘導することができる。冷却流体は、磁場発生デバイスの上部及び／又は底部上でのみ流れることができる。冷却流体は、ガス、油、水、及び／又は液体等の流体とすることができる。冷却流体を、冷却流体をタンパー処理することができる主ユニットからアプリケーターに送出することができる。冷却流体を、アプリケーターに、また、磁場発生デバイス及び／又はＲＦ電極の近接部に送出することができる。冷却流体を、主ユニットに結合された接続管によってアプリケーターに送出することができる。接続管は、アプリケーターと主ユニットとの間で冷却流体のための経路として役立つことができる流体導管を含むことができる。

主ユニットは、冷却流体を貯蔵する及び／又は冷却することができる１つ以上の冷却タンクを含むことができる。各冷却タンクは、１つ以上のポンプを含むことができ、１つのポンプは１つのアプリケーターに冷却流体の流れを提供することができる。代替的に、１つのポンプは、複数のアプリケーター（例えば、２つのアプリケーター）に冷却流体の流れを提供することができる。さらに、主ユニットは、１つのそれぞれのアプリケーター又は複数のアプリケーターのために冷却流体を貯蔵する及び／又は冷却する１つの冷却タンクを含むことができる。例えば、処置デバイスが２つのアプリケーターを含むとき、主ユニットは、両方のアプリケーターのために冷却流体を提供する１つの冷却タンクを含むことができる。別の例において、処置デバイスが２つのアプリケーターを含むとき、主ユニットは、冷却流体の冷却を提供する２つの冷却タンクを含むことができる。各冷却タンクは、１つの特定のアプリケーターに同期して又は独立に冷却流体の冷却を提供することができる。冷却タンク又は流体導管は、冷却流体の温度を測定するための温度センサーを含むことができる。

流体導管はプラスチック管とすることができる。プラスチック管は、冷却タンクからアプリケーターにつながり、その後冷却タンクに戻ることができる。処置デバイスが、例えば、２つのアプリケーターを含むとき、流体導管は、冷却タンクから１つのアプリケーターにつながり、その後冷却タンクに戻ることができ、一方、第２の流体導管は、同じ又は異なる冷却タンクから第２のアプリケーターにつながり、その後冷却タンクに戻ることができる。しかしながら、流体導管は、冷却タンクから第１のアプリケーターにつながり、その後、第２のアプリケーターにつながり、最後に、冷却タンクにつながることができる。

ＲＦ電極が磁場発生デバイスに近接して位置決めされると、磁場発生デバイスによって生成される時変性磁場は、ＲＦ電極において望ましくない物理的効果を誘起する場合がある。時変性磁場によって誘起される望ましくない物理的効果は、例えば、渦電流の誘起、ＲＦ電極の過熱、表皮効果、及び／又は、ＲＦ電極における位相シフトのような他の電気及び／又は電磁効果の引き起こしを含むことができる。そのような望ましくない物理的効果は、処置デバイス機能不全、エネルギー損失、処置効果の低下、エネルギー消費の増加、少なくともアプリケーターの一部、例えば、ＲＦ電極の過熱、誤ったフィードバック情報の収集、ＲＦ電極に提供される信号調整の機能不全、及び／又は他の望ましくない効果をもたらす場合がある。

述べる発明は、磁場によってＲＦ電極内で誘起される１つ以上の望ましくない物理的効果をどのように防止するか及び／又は最小にするかについてのオプション、方法、又は設計を提供する。同じオプション、方法、又は設計は、ＲＦ電極によって磁場のシールドを最小にするのを助けることができる。１つのオプションは、アプリケーターの床面投影による、磁場発生デバイスと最小の重なりがある状態での又は重なりが全くない状態でのＲＦ電極の配置を含むことができる。別のオプションは、以下で述べる特別な設計のＲＦ電極を含むことができる。更に別のオプションは、ＲＦ電極の厚さの低減を含むことができる。更に別のオプションは、ＲＦ電極の望ましくない物理的効果及び加熱の誘起を低減する導電性材料からなるＲＦ電極を設けることを含むことができる。述べた処置デバイスによる処置中にＲＦエネルギーを提供する１つ以上のＲＦ電極は、これらのオプションの少なくとも１つのオプション、少なくとも２つのオプション、及び／又はこれらのオプションの組み合わせ、並びに、以下で述べるそれらの特徴付けを使用することができる。

磁場によってＲＦ電極において誘起される望ましくない物理的効果を最小にする又はなくす１つのオプションは、アプリケーターの床面投影による、磁場発生デバイスと最小の重なりがある状態で又は重なりが全くない状態でのＲＦ電極の配置を含むことができる。

図１１は、ＲＦ電極１０１ａが、磁場発生デバイス９００の下に、その隣に、及び／又はその上に位置し、また、アプリケーターの床面投影に従った磁場発生デバイス９００との重なりを全く持たない又は最小の重なりを持つ例を示す。図１１に示すように、電極１０１ａはエリアＡ２の外側に位置することができる。

図１２は、磁場発生デバイス及び１つ以上のＲＦ電極を含む別の例示的なアプリケーターを示す。アプリケーター８００は、ギャップ１１３によって離間した２つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂを含むことができる。２つのＲＦ電極１０１ａ及び／又は１０１ｂは、アプリケーターの床面投影に従って磁場発生デバイス９００の巻線エリアＡ２及び／又はエリアＡ１との少なくとも部分的な重なり１１２がある状態になることができる。部分的な重なり１１２は、図１２において斜線エリアで示される。床面投影は、Ｘ線によってアプリケーターの底部から撮影されたアプリケーター８００の映像によって示すことができる。そのような部分的な重なり１１２は、アプリケーターの床面投影に従って、１つのＲＦ電極エリアの面積の１％～１００％、又は１％～９９％、又は１％～７０％、又は５％～５０％、又は５％～４０％、又は１０％～３０％、又は２５％～１００％、又は１０％～１００％、又は３０％～９５％、又は４０％～１００％、又は７０％～１００か、又は８０％～９５％、又は３０％～７０％の範囲内にあるものとすることができる。２つのエリアの重なりは、これらの２つの異なるエリアの間の比を指すことができる。

１つ以上の温度センサー８１６ａは、図１２に示すバイポーラＲＦ電極１０１ａ、１０１ｂの間に位置することができる。１つ以上の温度センサー８１６ａは、図１２の温度センサー８１６ａによって示すように、アプリケーターの床面投影に従って、少なくとも１つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂによって少なくとも部分的に取り囲むことができる。最大量のＲＦエネルギーが、バイポーラ電極１０１ａと１０１ｂとの間に流れることができる。したがって、バイポーラ電極の間の又はそのすぐ下の身体エリア又は処置される組織の体積は、最高温度を有することができ、実際の温度、又は所定の温度に対する温度参照として測定されるべきである。しかしながら、温度センサーを、アプリケーターの内部に又はアプリケーターの表面上に設置することができる。

ＲＦ電極の特徴的な形状は、処置中に熱の不均一な温度分布を生じる場合がある。温度センサーがバイポーラ電極１０１ａ、１０１ｂによって取り囲まれないように、ＲＦバイポーラ電極１０１ａ、１０１ｂの間に位置しないように、温度センサー８１６ｂを配置することが有用である場合がある。温度センサーを、アプリケーターの内部に又はアプリケーターの表面上に設置することができる。同様に、温度センサー８１６ｃは、ＲＦ電極の下に位置することができる。温度センサー８１６（例えば、８１６ａ、８１６ｂ、又は８１６ｃ）の少なくとも一部を覆い、患者の身体に接触する第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２の材料は、第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２と同じ材料から製造することができる。しかしながら、温度センサー８１６を覆う第１の側面部８０１又は第２の側面部８０２の材料は、高い熱伝導率を有する材料、例えば、セラミック、チタン、アルミニウム、又は他の金属材料若しくは合金等の、第１の側面部８０１又は第２の側面部８０２の残りの部分と異なる材料から製造することができる。温度センサー８１６はサーミスタとすることができる。温度センサー８１６（例えば、８１６ａ、８１６ｂ、又は８１６ｃ）は、良好な（good）熱伝導率を有する熱エポキシ層等の熱伝導性材料によって第１の側面部８０１及び／又は第２の側面部８０２に固定又は結合することができる。温度センサー８１６と処置デバイスの残りの部分との間のワイヤ接続は、０．０５ｍｍ～３ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～１ｍｍ、又は０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲内の直径を有する１つ、２つ、又はそれより多い数の導電性ワイヤによって示すことができる。述べた直径を有する導電性ワイヤを含むワイヤ接続は、ワイヤと温度センサー８１６との間の熱伝達を最小にするため有利であるものとすることができる。温度センサー８１６に対するワイヤ接続は、５Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～３２０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、又は６Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～２３０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、又は６Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～１６０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、又は２０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～１１０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、又は４５Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～１００Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１、又は又は５０Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１～９５Ｗ・ｍ^－１・Ｋ^－１の範囲内の熱伝導率を有することができる。ワイヤ接続の材料は、例えば、ニッケル、モネル、プラチナ、オスミウム、ニオブ、カリウム、鋼、ゲルマニウム、アルミニウム、コバルト、マグネシウム、銅、及び／又はそれらの合金とすることができる。温度センサー８１６に接続されるワイヤ接続の少なくとも一部は、シース又はシールド、例えばゴムチュービングによって熱絶縁することができる。温度センサー８１６は、アプリケーターの一部である及び／又は主ユニット内にあるものとすることができる、赤外ＩＲ温度センサー等の光温度センサーとすることができる。処置中に、光温度センサーは、患者の皮膚に接触して、又は、患者の皮膚から０．１ｃｍ～３ｃｍ又は０．２ｃｍ～２ｃｍの範囲内に位置することができる。光温度センサーは、光ケーブルを通して患者の皮膚から情報を収集することができる。

磁場発生デバイスの下に少なくとも部分的な重なりを持って位置する１つ以上のＲＦ電極は、磁気処置及びＲＦ処置の相乗効果を提供することができる。磁場発生デバイスの下に少なくとも部分的な重なりを持って位置するＲＦ電極によって、より強い又はより徹底的な処置結果を提供することができる。そのような構成における処置エネルギー源からの生成されるＲＦ場及び磁場を、同じ身体エリア及び／又はターゲット生物学的構造にターゲット設定することができる。これは、刺激される筋肉及び隣接する組織のより良好な加熱、筋肉刺激（例えば、筋肉収縮）によって引き起こされる不快な感覚のより良好な抑制、処置後の良好な再生、及び／又は脂肪組織炎及び他の組織損傷のより良好な防止をもたらすことができる。

磁場によってＲＦ電極において誘起される望ましくない物理的効果を最小にする又はなくす別のオプションは、ＲＦ電極の特別な設計を含むことができる。

磁場発生デバイスに近接して又はそれとの少なくとも部分的な重なりを持った状態で位置決めされたＲＦ電極において磁場によって誘起される望ましくない物理的効果を、セグメント化ＲＦ電極を使用することによって更に最小にする又はなくすことができることは本発明の一部である。セグメント化ＲＦ電極は、アパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部を備えることができる。アパーチャ及び／又は切り欠き部のエリアは、空気、誘電体、及び／又は他の電気絶縁性材料によって形作ることができる。電極は種々の突出部を備えることができる。複数のアパーチャ及び／又は切り欠き部は、そのような電極の床面投影から見ることができる。望ましくない物理的効果の存在を最小にする又はなくす別のパラメーターはＲＦ電極の厚さとすることができる。ＲＦ電極の導電性材料が薄く、ＲＦ電極のエリアが絶縁体によって少なくとも部分的に分離される場合、磁場によって誘起される渦電流のループは非常に小さいとすることができるため、そのようなエリアにおける誘起は最小になる。

ＲＦ電極は、ＲＦ電極の導電性エリア及び／又はＲＦ電極の周縁をセグメント化することができる１つ以上のアパーチャ又は切り欠き部を含むことができる。したがって、ＲＦ電極は、表面エリアの分裂（disruption）による規則的な電極（すなわち、アパーチャ又は切り欠き部を持たない電極）と比較してセグメント化される。１つのＲＦ電極の２つ以上のアパーチャ又は切り欠き部は非対称とすることができる。１つ以上のアパーチャ及び切り欠き部は、例えば、矩形又は円形形状を有することができる。アパーチャは、アプリケーターの床面投影に従った、ＲＦ電極の電極エリア内の任意の穴及び／又は開口とすることができる。アパーチャ及び／又は切り欠き部は、規則的、不規則的、対称的、及び／又は非対称的形状を有することができる。アパーチャ及び／又は切り欠き部を、例えば、空気、誘電体、及び／又は他の電気絶縁性材料（例えば、プリント回路基板の誘電体材料）で充填することができる。ＲＦ電極が２つ以上のアパーチャ又は切り欠き部を含むとき、アパーチャ又は切り欠き部は、同じ対称ポイント及び／又は対称線を有することができる。ＲＦ電極の２つの異なるアパーチャ及び切り欠き部の境界上に位置する２つの最接近ポイント間の距離は、０．１ｍｍ～５０ｍｍ、又は０．１ｍｍ～１５ｍｍ、又は０．１ｍｍ～１０ｍｍ、又は０．１ｍｍ～８ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。ＲＦ電極が磁場発生デバイスと少なくとも部分的な重なりを持つ状態であるとき、ＲＦ電極は、大きいアパーチャ及び切り欠き部を、磁場発生デバイスの中央に近い導電性表面の一部内に含むことができる。

図１３ａは、ＲＦ電極１０１が、電極エリア１１９ａを含み、ＲＦ電極の導電性エリア内に１つ以上のアパーチャ１１７を画定する例示的なＲＦ電極を示す。アパーチャ１１７は、矩形形状を有する細長いスロットとすることができる。１つのアパーチャ１１７は別のアパーチャに平行とすることができる。

図１３ｂは、ＲＦ電極１０１が、電極エリア１１９ａ並びにＲＦ電極の導電性エリア内の１つ以上のアパーチャ１１７ａ及び１１７ｂを含む別の例示的なＲＦ電極を示す。アパーチャ１１７ａはアパーチャ１１７ｂに平行でない。

図１３ｃは、ＲＦ電極１０１が、電極エリア１１９ａと、導電性エリア内の１つ以上のアパーチャ１１７、導電性エリア内の切り欠き部１１５、及びＲＦ電極の突出部１１４の組み合わせとを含む別の例示的なＲＦ電極を示す。

図１３ｄは、ＲＦ電極１０１が、導電性エリアにおける１つ以上のアパーチャ１１７及び電極エリア内の切り欠き部１１５の組み合わせを含む別の例示的なＲＦ電極を示す。線は、ＲＦ電極の電極エリア１１９ａの細い線（例えば、単一ワイヤ）を示す。ＲＦ電極は、導電性ワイヤの格子又は導電性ワイヤのメッシュとすることができる。突出部１１４は、電極の周縁において１つ以上の切り欠き部１１５を画定することができる。

図１３ｅは、突出部及び切り欠き部を含む別の例示的なＲＦ電極を示す。ＲＦ電極１０１は、電極エリア１１９ａ、境界長さ１１９ｂ、及びＮ_♯として示す複数の突出部を有する。突出部は、突出切り欠き部（例えば、開口又はギャップとすることができる切り欠き部１１５）を画定することができる。ＲＦ電極１０１は、少なくとも２つ、３つ、又は５つの突出部１１４（例えば、１１４ａ、１１４ｂ）又はそれより多い数の突出部を含むことができる。突出部１１４は、切り欠き部１１５によって互いから分離することができる。同様に、ＲＦ電極１０１は、１つ、２つ、３つ、又はそれより多い数の突出切り欠き部を含むことができる。複数の突出部のうちの第１の突出部１１４ａ及び第２の突出部１１４ｂは、互いにほぼ平行に配置することができる。突出部１１４は、一定間隔で離間することができ、規則的に配置することができる。突出部１１４ａ、１１４ｂは、ほぼ直線状の形状を有するロッド又はピンとして形作ることができる。突出部１１４ａ及び１１４ｂは、導電性材料で作ることができる。切り欠き部１１５を、空気、誘電体、又は他の電気絶縁性材料で充填することができる。突出部間の距離は、切り欠き部１１５内でかつ２つの突出部１１４ａと１１４ｂとの間に少なくとも１つの円１１８ａが仮想的に内接することができる距離である。少なくとも１つの円１１８ａは、０．００１ｍｍ～３０ｍｍ、又は０．００５ｍｍ～１５ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～１０ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～８ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～７ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～５ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～３ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～２ｍｍの範囲内の直径を有することができ、各円は、第１の突出部１１４ａ上に位置する少なくとも１つの接点（tangential point）及び第２の突出部１１４ｂ上に位置する少なくとも１つの接点を有することができる。各円１１８ａは、異なる接点を有することができる。切り欠き部１１５は、その長さに沿って対称及び／又は非対称とすることができる。切り欠き部１１５は突出部１１４ａと１１４ｂとの間に一定の距離を作成することができる。突出部１１４ａと１１４ｂとの間の距離は、突出部の長さに沿って一定でないとすることができる。２つの最近傍突出部１１４ａと１１４ｂとの間の最短距離は、突出部の長さの増加とともに増加する及び／又は減少することができる。

突出部１１４又は切り欠き部１１５は、対称的、非対称的、不規則的、及び／又は規則的形状を有することができる。個々の突出部１１４のサイズ、形状、及び／又は対称性は、ＲＦ電極１０１にわたって同じ及び／又は異なるものとすることができる。例えば、各突出部１１４は、同じ形状、同じ寸法、及び／又は対称性を有することができる。

突出部１１４は、突出部内に直接入る仮想的内接円１１８ｂを特徴とすることができる。突出部１１４に対する仮想的内接円１１８ｂは、０．００１ｍｍ～３０ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～１５ｍｍ、又は０．２ｍｍ～１０ｍｍ、又は０．２ｍｍ～７ｍｍ、又は０．１ｍｍ～３ｍｍの範囲内の直径を有することができる。仮想的内接円は、その縁が内接する先の突出部の境界を横切らないとすることができる。ＲＦ電極表面エリアの少なくとも一部上で測定される磁束密度Ｂは、０．１Ｔ～５Ｔの範囲内、又は０．２Ｔ～４Ｔの範囲内、又は０．３Ｔ～３Ｔの範囲内、又は０．５Ｔ～５Ｔの範囲内、又は０．７Ｔ～４Ｔの範囲内、又は１Ｔ～３Ｔの範囲内にあるものとすることができる。ＲＦ電極表面エリアの少なくとも一部上で測定される磁束密度Ｂは、処置中に測定することができる。ＲＦ電極表面エリアは、ＲＦ電極の導電性表面の表面エリアを含むことができる。

１つのＲＦ電極内に含まれる突出部Ｎ_♯の数は、ＲＦ電極の表面にわたる２つの平行カット１１１の間で及び／又はそれらによって作成することができる、互いから電気絶縁された導電性エリアの考えられる最大数を意味する。２つの平行カット１１１間の距離は、１ｍｍ～５０ｍｍ、又は２ｍｍ～３５ｍｍ、又は５ｍｍ～２０ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。突出部Ｎ_♯の数は、５個～１０００個、又は１０個～６００個、又は２０個～４００個、又は５０個～４００個、又は１００個～４００個、又は１５個～２００個、又は３０個～１００個、又は４０個～１５０個、又は２５個～７５個の範囲内にあるものとすることができる。

平行カット１１１に関係ない１つのＲＦ電極内の突出部の総数は、５個～１０００個、又は１０個～６００個、又は２０個～４００個、又は５０個～４００個、又は１００個～４００個、又は１５個～２００個、又は３０個～１００個、又は４０個～１５０個、又は２５個～１４０個の範囲内にあるものとすることができる。

平行カット１１１に関係ない１つのＲＦ電極内のアパーチャ又は切り欠き部の総数は、５個～１０００個、又は１０個～６００個、又は２０個～４００個、又は５０個～４００個、又は１００個～４００個、又は１５個～２００個、又は３０個～１００個、又は４０個～１５０個、又は２５個～１４０個の範囲内にあるものとすることができる。

コアを含むコイルの下に位置する１つのＲＦ電極内のアパーチャ、切り欠き部、及び／又は突出部の数は、５個～１０００個、又は１０個～６００個、又は２０個～４００個、又は５０個～４００個、又は１００個～４００個、又は１５個～２００個、又は３０個～１００個、又は４０個～１５０個、又は２５個～１４０個の範囲内にあるものとすることができる。

１つのＲＦ電極に含まれる個々の突出部の数は、２ｃｍに１ｃｍを掛けたサイズのエリア内で、１個～８０００個、又は２個～８０００個、又は５個～８０００個、又は３個～５０００個、又は５個～１０００個、又は５個～５００個、又は１０個～５００個、又は５個～２２０個、又は１０個～１００個の範囲内にあるものとすることができる。

ＲＦ電極１０１の少なくとも一部上で測定される磁束密度Ｂ及び／又は磁束密度の振幅は、処置中に０．１Ｔ～５Ｔ、０．２Ｔ～４Ｔ、０．３Ｔ～３Ｔ、０．７Ｔ～５Ｔ、１Ｔ～４Ｔ、又は１．５Ｔ～３Ｔの範囲内にあるものとすることができる。電極は、式１に従って、突出部密度（protrusion density）ρ_ｐによって規定することができる。

ここで、ｎは磁束密度Ｂ[Ｔ]の磁力線と交差する突出部の数のシンボルであり、ｌ[ｃｍ]は、これらの突出部と交差する磁力線の長さのシンボルである。長さｌは少なくとも１ｃｍとすることができ、磁力線は、少なくとも０．３Ｔ又は０．７Ｔの磁束密度Ｂ[Ｔ]を有することができる。処置デバイスによる突出部密度は、ＲＦ電極の少なくとも一部内で、０．３ｃｍ^－１・Ｔ^－１～７２ｃｍ^－１・Ｔ^－１、又は０．４ｃｍ^－１・Ｔ^－１～１０ｃｍ^－１・Ｔ^－１、又は０．４ｃｍ^－１・Ｔ^－１～７ｃｍ^－１・Ｔ^－１、又は０．５ｃｍ^－１・Ｔ^－１～６ｃｍ^－１・Ｔ^－１、又は０．８ｃｍ^－１・Ｔ^－１～５．２ｃｍ^－１・Ｔ^－１の範囲内にあるものとすることができる。

突出部は、磁束密度が低くなるほど、広くなることができ（すなわち、突出部はより大きい厚さを有することができ）、磁束密度が高くなるほど、薄くなることができる。さらに、突出部密度ρ_ｐは、磁束密度が高くなるほど、高くなることができる。

１つのアプリケーター又は１つの更なる処置デバイス内の１つ以上のＲＦ電極の電極エリアは、アプリケーターの床面投影に従って、１ｃｍ^２～２５００ｃｍ^２、又は２５ｃｍ^２～８００ｃｍ^２、又は３０ｃｍ^２～６００ｃｍ^２、又は３０ｃｍ^２～４００ｃｍ^２、又は５０ｃｍ^２～３００ｃｍ^２、又は４０ｃｍ^２～２００ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。

ＲＦ電極は境界比（border ratio）を有することができる。境界比は、電極の周長と面積との間の比として規定することができる。境界比の例は図１３ｅに示され、アプリケーターの床面投影に従って、周長は境界長さ１１９ｂとして示すことができ、ＲＦ電極の面積は、ＲＦ電極の電極エリア１１９ａによって示される。電極エリア１１９ａは、ＲＦ電極に給電するワイヤがなくかつ全てのアパーチャ及び／又は切り欠き部の周長の合計がないＲＦ電極のエリアである。境界長さ１１９ｂは、電極の周長と、もし存在すれば、電極の内部で内接するアパーチャの全ての周長との合計である。ＲＦ電極の境界比は、１５０ｍ^－１～２００００ｍ^－１、又は２００ｍ^－１～１００００ｍ^－１、又は２００ｍ^－１～４０００ｍ^－１、又は３００ｍ^－１～１００００ｍ^－１、又は３００ｍ^－１～４０００ｍ^－１、又は５００ｍ^－１～４０００ｍ^－１、又は１０ｍ^－１～２００００ｍ^－１、又は２０ｍ^－１～１００００ｍ^－１、又は３０ｍ^－１～５０００ｍ^－１の範囲内にあるものとすることができる。

アプリケーターの床面投影に従って、ＲＦ電極の表面の少なくとも一部上の磁束密度Ｂが０．１Ｔ～７Ｔ、又は０．３Ｔ～５Ｔ、又は０．５Ｔ～３Ｔ、又は０．５Ｔ～７Ｔの範囲内、又は０．７Ｔ～５Ｔの範囲内、又は１Ｔ～４Ｔの範囲内にあるものとすることができる場所において、少なくとも１つのＲＦ電極は、１５０ｍ^－１～２００００ｍ^－１、又は２５０ｍ^－１～１００００ｍ^－１、又は２００ｍ^－１～４０００ｍ^－１、又は３００ｍ^－１～１０００ｍ^－１、又は４００ｍ^－１～４０００ｍ^－１、又は４００ｍ^－１～１２００ｍ^－１、又は５００ｍ^－１～２０００ｍ^－１、又は１０ｍ^－１～２００００ｍ^－１、又は２０ｍ^－１～１００００ｍ^－１、又は３０ｍ^－１～５０００ｍ^－１の範囲内の境界比を有することができる。ＲＦ電極にわたる磁束密度Ｂの増加は境界比の増加になることができる。

境界比とＲＦ電極の表面積上の磁束密度Ｂとの比は、チャージング比（charging ratio）と呼ぶことができる。チャージング比は、少なくとも１．５ｃｍ^２のＲＦ電極の正方形表面積及び０．１Ｔ～７Ｔ、又は０．３Ｔ～５Ｔ、又は０．５Ｔ～３Ｔ、又は１Ｔ～５Ｔ、又は１．２Ｔ～５Ｔの範囲内の磁束密度に関連するものとすることができる。ＲＦ電極の少なくとも一部のチャージング比は、７０ｍ^－１・Ｂ^－１～３００００ｍ^－１・Ｂ^－１、又は１００ｍ^－１・Ｂ^－１～５０００ｍ^－１・Ｂ^－１、又は１００ｍ^－１・Ｂ^－１～２０００ｍ^－１・Ｂ^－１、又は１２０ｍ^－１・Ｂ^－１～１２００ｍ^－１・Ｂ^－１、又は１２０ｍ^－１・Ｂ^－１～６００ｍ^－１・Ｂ^－１、又は２３０ｍ^－１・Ｂ^－１～６００ｍ^－１・Ｂ^－１の範囲内にあるものとすることができる。ＲＦ電極の正方形表面積は、正方形形状を有する表面積を含むことができる。

より高い境界比及び／又はチャージング比によって、ＲＦ電極における、誘起される望ましくない物理的効果は低くなるものとすることができる。なぜならば、ＲＦ電極が、互いからの部分的に絶縁された突出部を含むことができるからである。より高い境界比及び／又はチャージング比によって、突出部内への、考えられる仮想的内接円も、より小さくならなければならないため、誘起される渦電流のループはより小さくならなければならない。したがって、誘起される渦電流はより小さく、ＲＦ電極において誘起される望ましくない誘起物理的効果はより低い又は最小になる。

１つのアプリケーター内でのかつその床面投影に従った、全てのＲＦ電極の一方の側の面積（床面投影）と全ての磁場発生デバイスの全ての巻線エリア（図９ａに示すエリアＡ２）の一方の側の面積との比は、０．１～１５、又は０．５～８、又は０．５～４、又は０．５～２の範囲内にあるものとすることができる。

図１６に示すように、１つの突出部１１４と磁力線Ｂ_１及びＢ_２が交差し、ここで、絶対値│Ｂ_１│が絶対値│Ｂ_２│よりも大きく、│Ｂ_１│－│Ｂ_２０．０５＜│Ｔである場合、突出部は、磁力線Ｂ_１及びＢ_２によって３つのエリアに分割することができる。換言すれば、突出部１１４を、図１６に示すように、磁場勾配の方向に従って同じ長さを有する３分の１Ｓ_１、Ｓ_２、Ｓ_３に分割することができ、Ｓ_１はＳ_３よりも高い磁束密度にさらされる。エリアＳ_１は最大磁束密度内に設置することができ、Ｓ_２は中間磁束密度内に設置することができ、Ｓ_３は最小磁束密度内に設置することができる。エリアＳ_１に内接する直径ｄ_１を有する最大仮想的内接円ｋ_１は、エリアＳ_３に内接する直径ｄ_２を有する最大内接円ｋ_２よりも小さい直径を有することができる。直径ｄ_２は、直径ｄ_１と比べて、直径ｄ_１の２％～１５００％、又は５％～５００％、又は１０％～３００％、又は１０％～２００％、又は１０％～１００％、又は５％～９０％、又は２０％～７０％、又は５％～２０％大きいものとすることができる。そのような場合、突出部は、磁束密度が大きいほど薄くなることができ、例えば、突出部の少なくとも部分的にピラミッド状の形状を作成することができる。さらに、突出部は、磁束密度が大きいほど薄くなることができる。

ＲＦ電極は異なるサイズ及び形状を有することができる。本発明によれば、バイポーラ電極は、図１４ａ～図１４ｅに示すような平行電極、又は、図１５ａ～図１５ｃに示すような（正：as is shown）同心電極とすることができる。アプリケーターの第２の側面部の近くに位置することができる図１４ａ～図１４ｅ及び図１５ａ～図１５ｃに示す同じタイプのＲＦ電極１０１は、第１の側面部の近くに位置するＲＦ電極１０２として及び／又は任意の他の１つ以上のＲＦ電極のために使用することができる。

少なくとも１つのアプリケーターのＲＦ電極の形状及び配置は、少なくとも１つのアプリケーターが取り付けられることになる身体場所（解剖学的構造）のサイズ、形状、及び対称性に基づくものとすることができる。ＲＦ電極の位置決め及び異なる形状は、ホットスポットの作成を回避する、できる限り大きい処置される身体エリア（正：as large treated body area as possible）の均一な加熱を提供する、１つ以上のアプリケーターに関する移動の必要性を回避するために有益とすることができる。

図１４ａはＲＦ電極の対称的位置決めの例を示す。図１４ｂはＲＦ電極の別の例の対称的位置決めを示す。図１４ｃはＲＦ電極の更に別の例の対称的位置決めを示す。図１４ｄはＲＦ電極の対称的位置決めを含むアプリケーターの図を示す。図１４ｅはＲＦ電極の対称的位置決めの例を含むアプリケーターの側面図を示す。

図１４ａ～図１４ｅに示すＲＦ電極の例によれば、アプリケーターは、ギャップ１１３で離間した少なくとも一対の平行バイポーラＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂを備えることができる。ＲＦ電極は配線１００ａ及び１００ｂによって電力供給される。図１４ａ、図１４ｂ、及び図１４ｄに示すように、ＲＦ電極１０１ａ、１０１ｂは、対称とすることができ、また、鏡像とすることができる。個々のＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂの形状は、不規則的、非対称とすることができ、１つのＲＦ電極内の全ての突出部の少なくとも４０％、５０％、７０％、９０％、又は９９％の長さ及び／又は面積は異なるものとすることができる。身体解剖学及び試験は、そのような種類のＲＦ電極が、腹部エリア、臀部、腕、及び／又は大腿部等の身体エリアの最も快適かつ効率的な処置を提供する可能性があることを証明することができる。

図１４ｃに示すように、ＲＦ電極１０１ａ、１０１ｂは、線対称、点対称、及び回転対称に従って等で、少なくとも１つの対称軸又は対称点に従って少なくとも部分的に対称とすることができる。例えば、各電極は、半円又はＣ字形状とすることができる。さらに、ＲＦ電極１０１ａと１０１ｂとの間のギャップ１１３は、不規則的とすることができ、及び／又は、ミラー対称を有する直線の対称軸等、少なくとも１つの対称軸に従って設計することができる。こうして、電極１０１ａ及び１０１ｂを半円とすることができる場合、ギャップ１１３は円形とすることができる。そのような対称電極の使用は、身体エリア（例えば、臀部又はヒップ）の対称性を強調するために、そのような対称性を必要とする場合がある身体エリアを処置するために有益とすることができる。

ＲＦ電極１０１ａと１０１ｂとの間のギャップ１１３は、空気、冷却流体、油、水、誘電体材料、流体、及び／又は、プリント回路基板において使用される複合材料による基材等の任意の他の電気絶縁体を含むことができる。ＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂは、そのような基材上に堆積された銅箔及び／又は層から形成することができる。ギャップ１１３は、ＲＦ電極によって生成される電磁場（例えば、ＲＦ場）の形状、及び、患者の身体組織内への電磁場貫入の深さに影響を及ぼすことができる。また、少なくとも２つのＲＦ電極１０１ａと１０１ｂとの間の距離は、図１４ａに示すように、少なくとも部分的に円、楕円、及び／又は放物線形状を有することができるギャップ１１３を作成することができる。ギャップ１１３は、図１４ｂに示すように、一定距離でＲＦ電極を離間させるための規則的形状を有することができる。

ＲＦ電極１０１ａと１０１ｂとの間のギャップ１１３は、磁場発生デバイスによって生成される磁場の２％～７０％、又は％～５０％、又は１５％～４０％の範囲内の量の通過を提供するように設計することができる。１つのアプリケーター内の少なくとも２つの異なるＲＦ電極の最近傍部分間の距離は、０．１ｃｍ～２５ｃｍ、又は０．２ｃｍ～１５ｃｍ、又は２ｃｍ～１０ｃｍ、又は２ｃｍ～５ｃｍの範囲内にあるものとすることができる。

２つのＲＦ電極間のギャップ１１３は、ＲＦバイポーラ電極の平面内で設計することができ、ギャップ１１３は、磁場発生デバイスによって生成される磁束密度が最大絶対値を有する場所に少なくとも部分的に重なることができる。ギャップ１１３は、処置効率を最適にするとともに、エネルギー損失を最小にするためにそのような場所に位置することができる。

磁束密度の高次導関数ｄＢ／ｄｔを有する強い磁場が、突出部、アパーチャ、及び／又は切り欠き部を有するＲＦ電極の場合でも、望ましくない物理的効果を誘起する場合があることが留意されるべきである。ギャップ１１３は、磁束密度の絶対値が最大である場所に位置決めする又は位置することができる。結果として、ギャップ１１３の周りに位置決めされた複数のＲＦ電極は、より少ない量の磁束密度によって影響を受ける場合がある。

複数のＲＦ電極（例えば、２つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂ）は、図１４ｄに示すように、基材１１３ａ上に位置することができる。基材１１３ａは、ＲＦ電極間のギャップ１１３の及び１つ以上の切り欠き部１１５の充填材として使用することができる。図１４ｄ及び図２５に示すように、基材１１３ａ及び１つ以上のＲＦ電極は、患者の身体エリアに当てはめるために、必要とされる形状及び／又は半径になるように湾曲することができる。ＲＦ電極１０１ａ又は１０１ｂは、アプリケーター８００の下側カバー１２５に沿って、特に、下側カバー１２５の湾曲部１２６に沿って湾曲することができる。図１４ｄに示すように、基材１１３ａは、温度センサー等の少なくとも１つのセンサーのための基材ギャップ１１３ｂを画定することができる。基材ギャップ１１３ｂは、１つ以上のワイヤ、冷却流体の通過、及び／又は、生物学的構造及び／又は身体エリアの照明及び更なる加熱を提供する、光処置エネルギー源（例えば、ＬＥＤ、レーザーダイオード）等の別の処置エネルギー源の実装（正：and/or implementing）を更に可能にすることができる。

図１５ａ、図１５ｂ、及び図１５ｃは、２つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂを示し、少なくとも１つのＲＦ電極１０１ａは別のＲＦ電極１０１ｂを少なくとも部分的に囲むことができる。ＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂは、例えば、図１４ａ～図１４ｅに関して上述したのと同じ絶縁特性を有する基材１１３ａを含むギャップ１１３で離間することができる。ＲＦ電極１０１ｂは、磁場のシールド、及び、ＲＦ電極１０１ｂにおいて誘起される望ましくない物理的効果の誘起を最小にするために穴１１６を含むことができる。穴１１６は、磁場発生デバイスによって生成される磁場の磁束密度が処置中に最大値に達するＲＦ電極平面内に位置することができる。穴１１６は、円とすることができ、又は、とりわけ、長円形、正方形、三角形、又は矩形等の他の形状とすることができる。穴１１６は、０．０５ｃｍ^２～１０００ｃｍ^２、又は０．０５ｃｍ^２～１００ｃｍ^２、又は３ｃｍ^２～７１ｃｍ^２、又は３ｃｍ^２～４０ｃｍ^２、又は３ｃｍ^２～２０ｃｍ^２、又は３ｃｍ^２～１５ｃｍ^２、又は０．５ｃｍ^２～２．５ｃｍ^２の面積を有することができる。ＲＦ電極は、完全に又は部分的に同心とすることができる。

図１５ａは、少なくとも１つの線対称及び／又は点対称を有する、非円形とすることができる（正：which may be）２つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂを示す。示す電極１０１ａ及び１０１ｂは、対称中心を持たないものとすることができる。示すＲＦ電極１０１ａは、その中心に穴１１６を有することができ、そこで、磁場によるＲＦ電極における望ましくない物理的効果の誘起を最小にするために磁束密度は最大である。

図１５ｂは、回転対称を有する、円形形状を有することができる２つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂを示す。ＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂは、同じ対称中心を有することができる。示すＲＦ電極１０１ａは、その中心に穴１１６を有することができ、そこで、磁場によるＲＦ電極における望ましくない物理的効果の誘起を最小にするために磁束密度は最大である。

図１５ｃは、対称性も対称中心も持たないものとすることができる２つのＲＦ電極１０１ａ及び１１０ｂを示す。

磁場によってＲＦ電極において誘起される望ましくない物理的効果を最小にする又はなくす別のオプションは、ＲＦ電極の厚さを低減することを含むことができる。

本発明のＲＦ電極の導電性層の厚さは、０．０１ｍｍ～１０ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～５ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～３ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～１ｍｍ、又は０．１ｍｍ～１ｍｍ、又は０．００５ｍｍ～０．１ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～０．２ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。１つのタイプのＲＦ電極は、プリント回路基板（ＰＣＢ）が調製されるのと同様な方法によって設計することができ、薄い導電性層を、絶縁特性を有する基材内に及び／又は基材上に堆積することができる。基材は、銅、銀、アルミニウム、ニッケル及び亜鉛の合金、オーステナイト系ステンレス鋼等の材料、及び／又は、ＲＦ電極を作製する他の材料からなる１つ、２つ、又はそれより多い数の導電性層を含むことができる。基材材料の厚さは、０．０１ｍｍ～１０ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～５ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～３ｍｍ、又は０．０１ｍｍ～２ｍｍ、又は０．１ｍｍ～２ｍｍ、又は０．５ｍｍ～１．５ｍｍ、又は０．０５ｍｍ～１ｍｍの範囲内にあるものとすることができる。基材材料は、ポリマー、セラミック、コポリマーシート、フェノール樹脂層、エポキシ樹脂層、ガラス繊維ファブリック、テキスタイルファブリック、ポリマーファブリック、及び／又は他のものとすることができる。基材は、少なくとも部分的に柔軟性及び／又は硬質性があるものとすることができる。

ＲＦ電極は、薄い導電性ワイヤ、平坦ストリップ、シート、又は同様なもののシステムとすることができる。

磁場によってＲＦ電極において誘起される望ましくない物理的効果を最小にする又はなくす更に別のオプションは、望ましくない物理的効果の誘起及びＲＦ電極の加熱を低減する導電性材料からＲＦ電極を形成することを含むことができる。

ＲＦ電極を、ＲＦ電極における望ましくない物理的効果の誘起を低減する特定の導電性材料で作ることができる。そのような材料は、４～１００００００、又は２０～３０００００、又は２００～２５００００、又は３００～１０００００、又は３００～１８０００、又は１０００～８０００の範囲内の比透磁率を有することができる。ＲＦ電極の材料は、炭素、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マグネシウム、亜鉛、鉄、チタン、銀、真鍮、プラチナ、パラジウム、及び／又は他のものを含むことができ、それらから、ミューメタル、パーマロイ、電磁鋼板、フェライト鋼、フェライト、ステンレス鋼等の合金を作製することができる。さらに、ＲＦ電極は、混合金属酸化物、及び／又は、金属酸化物からの固定粉末、ｍ金属元素からなる金属から作られて、渦電流の誘起及びＲＦ電極の加熱を最小にし、また同様に、時変性磁場のエネルギー損失を最小にすることができる。

述べた処置デバイスによる処置中にＲＦエネルギーを提供する１つ以上のＲＦ電極は、磁場によって誘起される望ましくない物理的効果をどのように最小にする又はなくすかの、上述した少なくとも１つのオプション、少なくとも２つのオプション、及び／又はオプションの組み合わせを使用することができる。同様に、オプションの１つ以上の特徴付けは、本発明の処置デバイスの製造、設計、及び動作のために使用することができる。

ＲＦ処置を磁気処置と組み合わせる処置デバイスは、１つ以上の処置回路を含むことができる。ＲＦ処置のための処置回路は、電力源、ＲＦ電極、及び／又はＲＦクラスターのために本明細書で述べる全ての電気素子を含むことができる。磁気処置のための処置回路は、電力源、磁場発生デバイス、磁気クラスターＨＩＦＥＭのために本明細書で述べる全ての電気素子を含むことができる。同じ又は異なる処置を提供する複数の処置回路は共通の電力源を含むことができる。代替的に、各処置回路はそれ自身の電力源を含むことができる。全ての処置回路の動作は、１つのマスターユニット又は１つ以上の制御ユニットによって調節することができる。ＨＭＩ、マスターユニット、及び／又は１つ以上の制御ユニットは、各アプリケーター及び／又は各処置エネルギー源（例えば、ＲＦ電極又は磁場発生デバイス）のための１つ以上の処置パラメーターの選択、制御、及び／又は調整のために使用することができる。処置パラメーターを、各アプリケーターについて独立に、ＨＭＩ、マスターユニット、及び／又は１つ以上の制御ユニットによって、選択、制御、及び／又は調整することができる。

図１７は、磁気回路４００の例示的な電気素子を示す。磁気回路４００を通過する電気信号は、電気信号の１つ以上のパルスの形態に変換することができる。電気パルスを磁場発生デバイスに提供して、時変性磁場のインパルスを生成することができる。磁気回路の個々の電気素子は、電力源（ＰＳ：power source）、エネルギー貯蔵デバイス（ＥＳＤ：energy storage device）、スイッチ（ＳＷ：switch）、磁場発生デバイス（ＭＦＧＤ：magnetic field generating device）、及び磁気回路の制御ユニット（ＣＵＭ：control unit of magnetic circuit）とすることができる。磁気回路は、ＨＩＦＥＭクラスターと呼ぶ磁気処置のための処置クラスターを含むことができる。ＨＩＦＥＭクラスターは、例えば、ＥＳＤ、ＳＷ、及び／又はＣＵＭを含むことができる。磁気回路の制御ユニットＣＵＭは制御システムの一部とすることができる。磁気クラスターの制御ユニットＣＵＭ及び／又は磁気回路の他の電気素子はマスターユニットのスレーブとすることができる。ＨＩＦＥＭクラスター、制御システム、及び／又はＣＵＭは、貯蔵される電気エネルギーの量を制御することによってＥＳＤにおける電気エネルギーの貯蔵を提供又は制御することができる。ＨＩＦＥＭクラスター、制御システム、及び／又はＣＵＭは、電気信号の修正、ＨＩＦＥＭクラスターを通して伝達される電気信号のパラメーターの調整、回路の安全な動作、及び／又はＥＳＤの充電又は再充電を提供することができる。例えば、ＨＩＦＥＭクラスター又は制御システムは、ＭＦＧＤに伝達される電気パルスの電圧及び／又は電流の調整によってＭＦＧＤによって提供される磁場の磁束密度の調整を提供することができる。電気信号の修正は、磁気回路において送信される信号の歪み、形状、振幅、及び／又は周波数領域における包絡線歪み、伝達される電気信号に対するノイズの付加、及び／又は磁気回路に入る、送信されたオリジナル信号の他の劣化を含むことができる。

エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤは、磁場発生デバイスにエネルギーの電気信号の形態で（例えば、大電力インパルスの形態で）提供することができる電気エネルギーを蓄積することができる。ＥＳＤは、１つ、２つ、３つ、又はそれより多い数のキャパシタを含むことができる。ＥＳＤは、図１８ａに示すように、電圧センサー、高電圧インジケーター、及び／又は放電抵抗器等の安全素子等の１つ以上の他の電気素子を含むこともできる。電圧センサー及び高電圧インジケーターは、スイッチＳＷ及び／又は制御ユニットＣＵＭにフィードバック情報を提供することができる。安全素子の一部である放電抵抗器は、危険な状況の場合、少なくとも１つのキャパシタの放電を提供することができる。１つ以上のＥＳＤの放電は、制御ユニットＣＵＭによって制御することができる。ＥＳＤからの放出電気エネルギーは、大電力インパルス及び／又はパルスとして、磁気回路の少なくとも一部に、例えば、磁場発生デバイスＭＦＧＤに送出することができる。

エネルギー貯蔵デバイスのキャパシタンスは、５ｎＦ～１００ｍＦの範囲内、又は２５ｎＦ～５０ｍＦの範囲内、又は１００ｎＦ～１０ｍＦの範囲内、又は１μＦ～１ｍＦの範囲内、又は５μＦ～５００μＦの範囲内、又は１０μＦ～１８０μＦの範囲内、又は２０μＦ～８０μＦの範囲内にあるものとすることができる。

エネルギー貯蔵デバイスを、２５０Ｖ～５０ｋＶ、７００Ｖ～５ｋＶ、７００Ｖ～３ｋＶ、又は１ｋＶ～１．８ｋＶの範囲内の電圧で充電することができる。

エネルギー貯蔵デバイスは、１００Ａ～５ｋＡ、２００Ａ～３ｋＡ、４００Ａ～３ｋＡ、又は７００Ａ～２．５ｋＡの範囲内の電流パルス放電を提供することができる。電流は、磁場発生デバイスによって生成されるピーク磁束密度の値に対応することができる。

エネルギー貯蔵デバイスの放電によって、５Ｊ～３００Ｊ、１０Ｊ～２００Ｊ、又は３０Ｊ～１５０Ｊの範囲内のエネルギーを有する大電力電流パルスを生成することができる。

スイッチＳＷは、ダイオード、ピンダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＢＪＴ、サイリスタ、及び／又はその組み合わせ等の任意のスイッチングデバイスを含むことができる。スイッチは、電気信号の修正を提供するパルスフィルターを含むことができる。パルスフィルターは、ＥＳＤの放電中にスイッチによって生成されるスイッチング電圧リップルを抑制することができる。

磁気回路は、時変性磁場を生成するために、スイッチＳＷを反復的にスイッチオン／オフし、磁場発生デバイス、例えばコイルに対してエネルギー貯蔵デバイスＥＳＤを放電させるように指令されることができる。

磁場発生デバイスのインダクタンスは、最大１Ｈまで、又は、１ｎＨ～５００ｍＨ、１ｎＨ～５０ｍＨ、５０ｎＨ～１０ｍＨ、５００ｎＨ～１ｍＨの範囲内、又は、１μＨ～５００μＨの範囲内若しくは１０μＨ～６０μＨの範囲内にあるものとすることができる。

磁場発生デバイスは放射線（例えば、ガンマ線）を放出しないものとすることができる。

磁気回路は、スイッチＳＷ及び磁場発生デバイスの直列接続を含むことができる。スイッチＳＷ及び磁場発生デバイスはともに、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤに並列に接続することができる。エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤを電力源ＰＳによって充電することができる。その後、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤは、スイッチＳＷを通して磁場発生デバイスＭＦＧＤに放電することができる。ＬＣ共振の第２の半周期中に、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤ上の極性は、電力源ＰＳと比較して反転することができる。結果として、電力源の電圧の２倍が存在することができる。したがって、電力源及び磁気回路において接続される全ての部分は、高電圧負荷のために設計することができ、保護抵抗器を、電力源とエネルギー貯蔵デバイスとの間に設置することができる。

磁場発生デバイスＭＦＧＤ及びエネルギー貯蔵デバイスＥＳＤは直列に接続することができる。磁場発生デバイスＭＦＧＤはスイッチＳＷに並列に配設することができる。エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤは磁場発生デバイスを通して充電することができる。磁気パルスを生成するためにエネルギーインパルス（又は、磁気パルスを生成するためにパルス）を提供するために、電力源の制御された短絡がスイッチＳＷを通して起こる。こうして、知られているデバイスに関連するＬＣ共振の第２の半周期中における電力源ＰＳの端子における高電圧負荷が回避される。ＬＣ共振の第２の半周期中における電力源ＰＳの端子上の電圧は、スイッチＳＷ上の電圧降下に等しい電圧を有することができる。

スイッチは、任意の種類のスイッチングデバイスとすることができる。スイッチのタイプに応じて、電力源の負荷は、数ボルト、例えば、１ボルト～１０ボルトに減少することができる。その結果、電力源を、高電圧負荷、例えば、数千ボルトから保護することは必要ない。したがって、保護抵抗器及び／又は保護回路の使用を低減する又はなくすことができる。

図１８ｂは、ＲＦ回路４８０の例示的な電気素子を示す。ＲＦ回路は、調整された及び／又は修正された電磁信号（電気信号）をＲＦ電極（ＲＦＥ：RF electrode）に提供することができる。ＲＦ回路は、電力源（ＰＳ）、ＲＦ処置のための処置クラスター（ＲＦとしてマーク付けされたエリア）、ＲＦクラスターの制御ユニット（ＣＵＲＦ：control unit of RF cluster）、電力増幅器（ＰＡ：power amplifier）、フィルター、電力と組み合わせた定在波比計（ＳＷＲ＋電力計：standing wave ratio combined with power meter）、チューニング素子（チューニング）、スプリッター、絶縁体、対称化素子（ＳＹＭ）、プレマッチ（pre-match）、及びＲＦ電極（ＲＦＥ）を含むことができる。ＲＦ処置のための処置クラスターは、例えば、ＲＦクラスターの制御ユニット（ＣＵＲＦ）、電力増幅器（ＰＡ）、フィルター、電力と組み合わせた定在波比計（ＳＷＲ＋電力計）、及び／又はチューニング素子（チューニング）を含むことができる。ＲＦ回路の制御ユニットＣＵＲＦは制御システムの一部とすることができる。ＲＦ回路の制御ユニットＣＵＲＦ及び／又はＲＦ回路の他の電気素子は、マスターユニットのスレーブとすることができる。ＲＦ回路の一部として述べる１つ以上の電気素子をなくすことができ、電気素子の一部を、同様の機能を有する素子に統合することができ、及び／又は、電気素子の一部を、回路の機能を改善するために付加することができる。

ＲＦ回路の電力源は、１Ｖ～５ｋＶ、又は５Ｖ～１４０Ｖ、又は１０Ｖ～１２０Ｖ、又は１５Ｖ～５０Ｖ、又は２０Ｖ～５０Ｖの範囲内の電圧の電気信号を提供することができる。

ＣＵＲＦは、ＲＦ回路の任意の電気素子の動作を制御することができる。ＣＵＲＦは、ＲＦ回路を通して伝達される電気信号のパラメーターを調節又は修正することができる。信号のパラメーター、例えば、電圧、位相、周波数、包絡線、電流値、信号の振幅、及び／又は他のものは、ＣＵＲＦが制御することができるＲＦ回路の個々の電気素子、制御システム、及び／又はＲＦ回路の個々の電気素子の電気特性によって影響を受ける場合がある。ＲＦ回路内の信号に影響を及ぼす電気素子は、例えば、電力源（ＰＳ）、電力増幅器（ＰＡ）、フィルター、ＳＷＲ＋電力計、チューニング、スプリッター、絶縁体、不平衡信号を平衡信号に変更する対称化素子（ＳＹＭ）、プレマッチ、及び／又はＲＦ波を生成するＲＦ電極とすることができる。電気信号の修正は、ＲＦ回路において送信される信号の歪み、形状、振幅、及び／又は周波数領域における包絡線歪み、伝達される電気信号に対するノイズの付加、及び／又はＲＦ回路に入る、送信されたオリジナル信号の他の劣化を含むことができる。

電力増幅器ＰＡは、ＲＦ電極によるＲＦ波の発生のためにそれぞれの周波数のＲＦ信号を生成することができる。電力増幅器は、ＭＯＳＦＥＴ、ＬＤＭＯＳトランジスタ、又は真空管とすることができる。ＰＡは、提供される信号及び／又は修正される信号の振幅を電気信号（例えば、ＲＦ信号）まで増加させることができるものとすることができる。

フィルターは、電力増幅器から送信される信号の望ましくない周波数を抑制することができる１つ以上のフィルターを含むことができる。１つ以上のフィルターは、フィルタリングし、規定された周波数帯を用いる処置を提供することができる。１つ以上のフィルターは、望ましい周波数帯のみを通過させるために、信号周波数領域に応じて、ＲＦ回路内の電気信号等の電気信号をフィルタリングするために使用することができる。フィルターは、フィルターの内部ソフトウェア及び／又はハードウェア設定に基づいて、適さない信号周波数をフィルタリング除去することができるものとすることができる。フィルターは、他の１つ以上の電気素子、例えば、ＣＵＲＦとの通信に従って動作することができる。１つ以上のフィルターは、ＲＦ信号の電力源ＰＳＲＦとＲＦＥとの間に位置することができる。

ＳＷＲ＋電力計は、ＲＦエネルギーの出力電力を測定し、電力増幅器とアプリケーターとの間のインピーダンス整合の品質を評価することができる。ＳＷＲ＋電力計は、送波（wave transmission）の方向における定在波比を測定することができるＳＷＲ計を含むことができる。ＳＷＲ＋電力計は、そのような定在波の振幅を測定することができる電力計を含むことができる。ＳＷＲ＋電力計は、ＣＵＲＦ及び／又はチューニング素子と通信することができる。ＳＷＲ＋電力計は、フィードバック情報を提供して、患者の身体内での定在波の作成を防止し、チューニング素子によるより良好な信号調整を提供し、生物学的構造に対してより良くターゲット設定された方法でより効率的により安全な処置及びエネルギー伝達を提供することができる。

チューニング素子は、インピーダンス整合の改善を提供することができる。チューニング素子は、例えば、キャパシタ、ＬＣ、及び／又はＲＬＣ回路を含むことができる。チューニング素子は、ＲＦ回路システムがＲＦ回路の個々の電気素子を含むＲＦ回路システム容量についての、また、提供されるＲＦ波の影響下での現在処置されている患者の組織についての制御されたチューニングを提供することができる。ＲＦ回路のチューニングは、処置の前に及び／又はその間に提供することができる。チューニング素子は、トランスマッチ（transmatch）と呼ぶこともできる。

対称化素子ＳＹＭは、信号を不平衡入力から平衡出力に変換することができる。ＳＹＭは、ＲＦ電極間の信号を平衡させる巻回式同軸ケーブル（wound coaxial cable）を含むバラン及び／又はバラン変圧器とすることができる。ＳＹＭ素子は、例えば、同軸ケーブルを通して第１のバイポーラＲＦ電極及び第２のバイポーラＲＦ電極に誘導されるＲＦ信号のλ／２位相シフトを作成することによって、第１のバイポーラＲＦ電極と第２のバイポーラＲＦ電極との間の信号対称化を提供することができる。

スプリッターは、ＲＦ回路内で伝達される／送出されるＲＦ信号を同軸ケーブルによって分割することができる。分割された信号は、分割された各信号部分の同じ位相を有することができ、及び／又は、分割された信号は、互いからの一定位相シフトを有することができる。例えば、スプリッターは、ＲＦ信号の１つの部分をバイポーラ電極の第１のＲＦ電極に、また、ＲＦ信号の第２の部分をバイポーラ電極の第２のＲＦ電極に提供することができる。スプリッターを、１つ、２つ、又はそれより多い数の独立したＲＦ回路が共有することができ、又は、各ＲＦ回路は、それ自身のスプリッターを有することができる。

絶縁体は、スプリッターと組み合わせることができ、及び／又は、ＲＦ信号をＲＦ電極に輸送することに関してスプリッターの前に及び／又はその後ろに位置することができる。絶縁体は、磁気回路からの、ＲＦ回路の少なくとも一部の電気絶縁とすることができる。絶縁体は、ＲＦ回路に対する磁気回路の影響を最小にするために使用することができる。

プレマッチは、同軸ケーブルを使用するデバイスにおいて使用することができる。プレマッチは、小さいコイル、コンデンサー（condenser）、及び／又は抵抗器を含むことができる。

処置エネルギー源として働くＲＦ電極（ＲＦＥ）は、１つ以上のユニポーラＲＦ電極、１つ以上のモノポーラＲＦ電極、及び／又は１つ以上の対のバイポーラＲＦ電極を含むことができる。

ＲＦ回路の電力源ＰＳ、電力増幅器ＰＡ、フィルター、ＳＷＲ＋電力計、チューニング、ＳＹＭ、スプリッター、絶縁体、及び／又はプレマッチは、ＲＦ電極を含む回路の残りの部分に高周波電気信号によって給電するＨＦ発生器によって、少なくとも部分的に及び／又は完全に置換することができる。

図２４は、対称化素子ＳＹＭの例のうちの１つを示す。入力同軸ケーブル１３０は、スプリッター１３１に電気信号（例えば、ＲＦ信号）を提供し、スプリッター１３１はＲＦ信号を２つの分岐に分割することができる。スプリッター１３１は、４ｍｍ～１００ｍｍ、又は２０ｍｍ～５０ｍｍの範囲内の絶縁長を作成する、少なくとも１つの、２つ、３つ、又はそれより多い数の直列接続されたキャパシタ等の、絶縁素子を含むこともできる。ＳＹＭは、バイポーラＲＦ電極の対に誘導される又はつながる異なる長さの同軸ケーブルによって確立又は示すことができる。場所ｌ_１における同軸ケーブル１３２と１３３との間の長さの差は、λの０．４～０．６、又は０．４６～０．５５の範囲内にあるとすることができ、λは、同軸ケーブル１３２及び／又は同軸ケーブル１３３における誘導されるＲＦ信号の波長とすることができる。同軸ケーブル１３２の長さは１ｃｍ～５ｍ、５ｃｍ～９０ｃｍ、又は１０ｃｍ～５０ｃｍの範囲内にあるものとすることができる。同軸ケーブル１３２＋１３５ｂの長さは、λ／４±１０％若しくは±５％又はそれらの正整数倍の範囲内にあるものとすることができる。同軸ケーブル１３３の長さは２ｍ～１２ｍ又は２．２ｍ～８ｍの範囲内にあるものとすることができる。同軸ケーブル１３３の長さは、λ／２±１０％又は±５％＋ケーブル１３２の長さの範囲内にあるものとすることができる。同軸ケーブル１３３＋１３５ａの長さは、３λ／４±１０％又は±５％の範囲内にあるものとすることができる。要約すると、同軸ケーブル１３２＋１３５ｂは、同軸ケーブル１３３＋１３５ａに対してλ／２±１０％又は±５％だけシフトする。ＳＹＭのこの部分は、１つのＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂに送出されるＲＦ信号の位相シフト１８０度を引き起こすことができる。ＲＦ電極１０１ａ及び１０１ｂは１つのアプリケーターの一部とすることができ、又は、ＲＦ電極１０１ａは第１のアプリケーターの一部とすることができ、ＲＦ電極１０１ｂは第２のアプリケーターの一部とすることができる。コネクタ１３４は、１つ以上のアプリケーターを主ユニットに接続するために使用することができる。部分ｌ_２は、アプリケーターの接続管を示すことができる。この接続管内の同軸ケーブル１３５ａ及び１３５ｂの長さは、１ｍ～６ｍ若しくは１．１ｍ～４ｍ、又は、λ／４±１０％若しくは±５％の範囲内にあるものとすることができる。対形成素子１３６は、同軸ケーブル１３５ａ及び１３５ｂの導電性シールド部分の導電性接続とすることができる。対形成素子１３６は、０．５ｃｍ^２～１００ｃｍ^２、１ｃｍ^２～８０ｃｍ^２、又は１．５ｃｍ^２～５０ｃｍ^２の範囲内の表面積を有することができる。対形成素子１３６は、銅、銀、金、ニッケル、又はアルミニウム等の高（正：high）電気伝導率材料を含むことができ、対形成素子１３６のインピーダンスはほぼゼロとすることができる。対形成素子と電極との間に、キャパシタ、抵抗器、及び／又はインダクタを設置することができる。

ＲＦ回路及び／又は磁気回路は、１つ以上のアプリケーター内に少なくとも部分的に位置することができる。アプリケーター、更なる処置デバイス、及び／又は主ユニットの間のワイヤ接続は、ワイヤ接続のインピーダンス、抵抗率、及び／又は長さのために、ＲＦ回路及び／又は磁気回路要素の一部として考慮することもできる。図１７に示す磁気回路、図１８ａ及び図１８ｂに示すＲＦ回路の１つ以上の電気素子をなくすことができ、異なる順序でソートすることができ、及び／又は、２つ以上の電気素子が１つの個々の組み合わせ式電気素子を作成することができる。ＲＦ回路に提供される信号の調整は、処置デバイスの別の異なる回路、例えば、磁気回路及び／又は他の回路によって、又は、その内部で少なくとも部分的に提供することができる。

図１８ａは、処置デバイスの電気素子の例示的なスキーマ１８０を示す。例示的なスキーマは、１つの電力ネットワーク（ＰＮ：power network）に接続されたＲＦ処置のための電力源（ＰＳＲＦ：power source for RF treatment）及び磁気処置のための電力源（ＰＳＭ：power source for magnetic treatment）を含む２つの独立した電力源を含む。ＰＳＲＦは、ＲＦ処置のための２つの独立した処置クラスターＲＦ Ａ及び／又はＲＦ Ｂに電磁信号を提供することができる。ＰＳＭは、磁気処置の１つ以上のクラスターＨＩＦＥＭ Ａ及び／又はＨＩＦＥＭ Ｂに電磁信号を提供することができる。１つ以上の電力源は、とりわけ、ヒューマンマシンインターフェース（ＨＭＩ）又はマスターユニット等の処置デバイスの他の部分に電力供給することもできる（正：may also power）。各磁気回路及び／又はＲＦ回路はそれ自身の制御ユニット（ＣＵＭ Ａ、ＣＵＭ Ｂ並びにＣＵＲＦ Ａ及びＣＵＲＦ Ｂ）を有することができ、ＣＵＲＦ Ａ及びＣＵＲＦ Ｂは、ＲＦ処置のためのＲＦ処置クラスターＡ（ＲＦ Ａ）及びＲＦ処置のための処置クラスターＢ（ＲＦ Ｂ）の制御ユニットとすることができる。

制御ユニットは、１つ以上のＰＣＢ又はマイクロプロセッサを含むことができる。１つ以上の制御ユニットは、互いの間で、及び／又は、マスタースレーブ通信において他の制御ユニットのためのマスターユニットとして選択することができるマスターユニットと通信することができる。マスターユニットを、ＨＭＩと通信する第１の又は唯一の制御ユニットとすることができる。マスターユニットは、ユニットＣＵＭ Ａ及びＣＵＭ Ｂを制御することができる。マスターユニットは、１つ以上のＰＣＢ及び／又はマイクロプロセッサを含む制御ユニットとすることができる。マスターユニット又は制御ユニットＡ（ＣＵＭ Ａ）若しくは制御ユニットＢ（ＣＵＭ Ｂ）は、ヒューマンマシンインターフェースに結合することができる。また、マスターユニットは、ヒューマンマシンインターフェースＨＭＩとし、又はヒューマンマシンインターフェースＨＭＩに結合することができる。

図１８ａは、処置デバイスの２つの部分を示し、第１の部分はＲＦ処置を提供することができ、第２の部分は磁気処置を提供することができる。処置デバイスの２つの部分は、互いから絶縁されるものとすることができる。処置デバイスは、電圧バリア、距離バリア、及び／又は放射バリアをシールドするように、処置デバイス及び個々の回路の、互いから絶縁された１つ以上の電気素子及び／又は部分を含むことができる。絶縁された部分の例は、図１８ａにおいて破線で示すことができる。処置デバイスの個々の電気素子を処置デバイスの少なくとも１つの部分から絶縁することができることも可能である。そのような部分及び／又は電気素子の絶縁は、高誘電率材料によって、個々の部分及び／又は電気素子の距離によって、キャパシタ又は抵抗器のシステムによって提供することができる。また、アルミニウムボックスによる及び／又は他の方法による、電子工学、物理学から知られている任意のシールドを使用することができる。

ＲＦ処置及び／又は磁気処置は、少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数の処置回路（主ユニット内に位置することができる）及び／又はアプリケーターによって提供することができ、１つの処置回路はＲＦクラスター又は磁気クラスターを含むことができる。各アプリケーターＡ及びＢ（ＡＰ Ａ及びＡＰ Ｂ）は、１つ、２つ、又はそれより多い数の処置回路の少なくとも１つの電気素子を含むことができる。各アプリケーターは、ＲＦ処置を提供する１つ以上のＲＦ電極及び磁気処置を提供する１つ以上の磁場発生デバイス等の、少なくとも１つ、２つ、又はそれより多い数の異なる処置エネルギー源を含むことができる。図１８ａに示すように、処置デバイスは、第１のアプリケーター（ＡＰ Ａ）及び第２のアプリケーター（ＡＰ Ｂ）を備えることができる。第１のアプリケーター（ＡＰ Ａ）は、第１のＲＦ回路からの第１のＲＦ電極（ＲＦＥ Ａ）及び第１の磁気回路からの第１の磁場発生デバイス（ＭＦＧＤ Ａ）を備えることができる。第２のアプリケーター（ＡＰ Ｂ）は、第２のＲＦ回路からの第２のＲＦ電極（ＲＦＥ Ｂ）及び第２の磁気回路からの第２の磁場発生デバイス（ＭＦＧＤ Ｂ）を備えることができる。異なる例において、第１のアプリケーターは、第１の磁場発生デバイス及び第１の対のバイポーラＲＦ電極を備えることができ、一方、第２のアプリケーターは、第２の磁場発生デバイス及び第２の対のバイポーラＲＦ電極を備えることができる。２つのアプリケーターは、主ユニットに別々に接続することができ、処置の前に又は処置中に身体エリアの近接部に個々に位置決めすることができ、そのとき、２つのアプリケーターは身体エリアに接触して身体エリアに結合される。

図１８ａは、ＲＦ処置のための処置クラスター（ＲＦ Ａ）、ＲＦ処置のための処置クラスター（ＲＦ Ｂ）、磁気回路内の磁気処置のための処置クラスター（ＨＩＦＥＭ Ａ）、磁気処置のための処置クラスター（ＨＩＦＥＭ Ｂ）、ＲＦ処置のための電力源（ＰＳＲＦ）、磁気処置のための電力源（ＰＳＭ）、アプリケーターＡ（ＡＰ Ａ）、アプリケーターＢ（ＡＰ Ｂ）等の処置デバイスの他の個々の部分も示す。全ての部分は、アプリケーターを除いて、主ユニット内に位置することができる。示すスプリッター、対称化素子（ＳＹＭ Ａ）、及び対称化素子（ＳＹＭ Ｂ）は、２つのＲＦ回路の複数の部分である。図１８ａ上に示すスプリッターはＲＦ回路のために共通とすることができる。ＲＦ処置のための電力源（ＰＳＲＦ）は、ＲＦ回路の定常電力源（ＳＰＳＲＦ：steady power source of RF circuit）、ＲＦ回路の補助電力源（ＡＰＳ ＲＦ：auxiliary power source of RF circuit）、電力ネットワークフィルター（ＰＮＦＬＴ：power network filter）、及び／又は電力ユニット（ＰＵ：power unit）を含むことができる。個々の電気素子は、ＰＳＲＦ内に他の電気素子とともに含まれないとすることができる。磁気処置のための電力源（ＰＳＭ：power source for magnetic treatment）は、補助電力源Ａ（ＡＰＳ Ａ）、補助電力源Ｂ（ＡＰＳ Ｂ）、磁気回路の定常電力源（ＳＰＳＭ：steady power source of magnetic circuit）、電力ポンプ（ＰＰ：power pump）、ボード電力源（board power source）Ａ（ＢＰＳ Ａ）、及び／又はボード電力源Ｂ（ＢＰＳ Ｂ）を含むことができる。個々の電気素子は、ＰＳＭ内に他の電気素子とともに含まれないものとすることができる。磁気回路の磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ａは、制御ユニットＡ（ＣＵＭ Ａ）、エネルギー貯蔵デバイスＡ（ＥＳＤ Ａ）、スイッチＡ（ＳＷ Ａ）、安全素子（ＳＥ：safety element）、及び／又はパルスフィルター（ＰＦ：pulse filter）を含むことができる。磁気回路の磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ｂは、制御ユニットＢ（ＣＵＭ Ｂ）、エネルギー貯蔵デバイスＢ（ＥＳＤ Ａ）、及び／又はスイッチＢ（ＳＷ Ａ）を含むことができる。図１８ａに示さないが、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ｂも、パルスフィルター（ＰＦ）及び／又は安全素子（ＳＥ）を含むことができる。個々の電気素子は、互いから絶縁されるものとすることができる。しかしながら、個々の電気素子及び／又は回路部分を、他の回路部分と統合及び／又は共有することができる。１つの例として、１つの制御ユニットを、２つ以上のＲＦ回路及び／又は磁気回路と少なくとも部分的に共有することができ、１つの制御ユニットは、ＲＦ回路のために、また磁気回路のためにも、電力を、又は、電力を提供する電力ネットワーク若しくは電力源を調節することができる。別の例は、少なくとも２つのＲＦ及び／又は磁気回路とともに共有される少なくとも１つの補助電力源及び／又は定常電力源とすることができる。

磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ａは、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ｂと独立に磁気処置を提供することができる。代替的に、処置デバイスは、磁気処置のためのたった１つの処置クラスターＨＩＦＥＭを含むことができ、又は、処置デバイスは、磁気処置のための２つ以上の個々の処置クラスターＨＩＦＥＭを含むことができ、その場合、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭの一部は、制御ユニット、エネルギー貯蔵デバイス、パルスフィルター、及び／又は他のもの等の個々の電気素子を共有することができる。

図１８ａに示すように、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ、例えば、ＨＩＦＥＭ Ａは、制御ユニット、例えばＣＵＭ Ａを含むことができる。制御ユニット、例えばＣＵＭ Ａは、エネルギー貯蔵デバイス、例えば、ＥＳＤ Ａの充電及び／又は放電、フィードバック情報の処理、及び／又は、個々の電気素子及び／又は磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭのパラメーターの調整を制御することができる。さらに、制御ユニット（例えば、ＣＵＭ Ａ）は、電気素子、例えば、回路部分ＰＳＭからのＢＰＳ Ａ、スイッチ、ＰＦ、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ ＡからのＥＳＤ Ａのパラメーター又は動作の調整、及び／又は、アプリケーターＡＰ Ａ及び／又はＡＰ Ｂ内のセンサーからの情報の処理を制御することができる。また、制御ユニット（例えば、ＣＵＭ Ａ）は、別の１つ以上の磁気及び／又はＲＦ回路、及び／又は、マスターユニットと通信することができる。電力源ＰＳＭ、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤ、及び／又はスイッチＳＷを、磁気回路の制御ユニット、例えば、ＣＵＭ Ａによって少なくとも部分的に調節することができる。制御ユニット（例えばＣＵＭ Ａ）又はマスターユニット及び／又は回路の１つ以上の個々の電気素子を、任意の他の電気素子によって、両者間の相互通信に基づいて調節することができる。マスターユニットは、センサーから提供されるフィードバック情報に基づいて及び／又は他の制御ユニット、例えば、マスターユニットとの通信に基づいて磁気処置及び／又はＲＦ処置の処置パラメーターを調整することができるものとすることができる。１つの制御ユニットＣＵＭ又はＣＵＲＦは、磁気及び／又はＲＦ処置を提供する１つ以上の回路を独立に調節することができる。少なくとも１つの制御ユニットは、他の制御ユニットとのピアツーピア通信及び／又はマスタースレーブ通信を使用することができる（例えば、ＣＵＭ Ａは、マスターユニットのスレーブ制御ユニットとすることができる）。

処置デバイスは、１つ、２つ、３つ、又はそれより多い数のＥＳＤを含むことができ、各ＥＳＤは、１つ、２つ、３つ、又はそれより多い数のキャパシタを含むことができる。１つのＥＳＤは、磁気処置を提供する磁場発生デバイス等の、１つ、２つ、３つ、又はそれより多い数の処置エネルギー源にエネルギーを提供することができる。各コイルは、それ自身のそれぞれのＥＳＤ又は２つ以上のＥＳＤに結合することができる。ＥＳＤは、図１８ａに示すように、電圧センサー、高電圧インジケーター、及び／又は放電抵抗器等の安全素子ＳＥ等の１つ以上の他の電気素子を含むことができる。電圧センサー及び高電圧インジケーターは、スイッチＳＷ及び／又は制御ユニット、例えば、ＣＵＭ Ａにフィードバック情報を提供することができる。ＳＥの一部としての放電抵抗器は、危険な状況の場合、少なくとも１つのキャパシタの放電を提供することができる。１つ以上のＥＳＤの放電は、制御ユニット、例えば、ＣＵＭ Ａ又はＣＵＭ Ｂによって制御することができる。エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤからスイッチＳＷを通して磁場発生デバイスに提供される信号は、パルスフィルター（ＰＦ）によって修正することができる。ＰＦは、スイッチＳＷの一部とすることができ、及び／又は、スイッチＳＷと、磁場発生デバイス、例えば、ＭＦＧＤ Ａとの間に位置決めすることができる。ＰＦは、ＥＳＤの放電中にスイッチによって生成されるスイッチング電圧リップルを抑制することができる。提案される回路は、時変性磁場を生成するために、スイッチＳＷを反復的にスイッチオン／オフし、磁場発生デバイス、例えば、ＭＧＦＤ Ａに対してエネルギー貯蔵デバイスＥＳＤを放電させることができる。図１８ａに示すように、磁気回路及び／又はＲＦ回路の１つ以上の電気素子を、省略する及び／又は別の電気素子と組み合わせることができる。例えば、ＰＳＲＦ及び／又はＰＳＭの１つ以上の個々の電気素子を、１つになるように組み合わせることができるが、個々の回路と独立に、減らすことができる。また、電気素子、ＰＦ、ＳＥ、及び／又は他のものは独立の電気素子とすることができる。また、個々の処置回路、例えば、ＲＦ回路は、図１８ａ及び図１８ｂに見られるように、互いと異なるものとすることができ、フィルター、ＳＷＲ＋電力計、チューニング、スプリッター、絶縁体、ＳＹＭ、及び／又はプレマッチ等の電気素子は、なくすことができ、及び／又は、１つになるように組み合わせることができる。個々の電気素子をなくすこと及び／又は組み合わせることは、チューニングがない状態での患者身体に対するエネルギー伝達の効率の低下、ＳＹＭ、プレマッチ、及び／又はチューニングの非存在（正：absence of）によるより大きいエネルギー損失、回路における信号調整の機能不全、及び、ＳＷＲ＋電力計、スプリッター、及び絶縁体がない状態での不正確なフィードバック情報をもたらす場合があり、及び／又は、処置デバイスは、フィルター、ＳＷＲ＋電力計、ＳＹＭ、及び／又はチューニング素子がない状態では患者にとって危険になり得る。

制御ユニットＣＵＭ Ａ及びＣＵＭ Ｂは、それぞれの磁場発生デバイス（例えば、ＭＦＧＤ Ａ及びＭＦＧＤ Ｂ）に対して電流を放出するように両方の制御ユニットＣＵＭ Ａ及びＣＵＭ Ｂに指令することができるマスターユニットのスレーブとして役立つことができる。したがって、各制御ユニットＣＵＭ Ａ及びＣＵＭ Ｂの制御は独立である。代替的に、ＣＵＭ ＢはＣＵＭ Ａのスレーブとすることができ、一方、ＣＵＭ Ａ自身はマスターユニットのスレーブとすることができる。したがって、磁場発生デバイス（例えば、ＭＦＧＤ Ａ）内に電流を放出するようにマスターユニットがＣＵＭ Ａに指令すると、ＣＵＭ Ａは、異なるアプリケーター内に位置決めされた別の磁場発生デバイス（例えば、ＭＦＧＤ Ｂ）に対して電流を放出するようにＣＵＭ Ｂに指令することができる。別の代替法において、更なる制御ユニットを、マスターユニットと制御ユニットＣＵＭ Ａ及びＣＵＭ Ｂとの間に位置決めすることができ、そのような更なる制御ユニットは、例えば、放電のタイミングを提供することができる。これらの手法の両方によって、磁場のパルスを、同期して又は同時に印加することができる。

処置デバイスが２つ以上の磁場発生デバイスを含み、処置方法が２つ以上の磁場発生デバイス（例えば、コイル）を使用することを含むとき、各コイルはそれぞれの磁気回路に接続することができる。しかしながら、１つのコイルは複数の磁気回路に接続することができる。また、電力源ＰＳＭは、少なくとも２つの磁場発生デバイスのために使用することができる。

電力源、例えば、ＰＳＭ及び／又はＰＳＲＦは、ＲＦ回路、磁気回路の少なくとも１つの又は少なくとも１つの個々の電気素子に、及び／又は、処置デバイスの他の部分に、例えば、マスターユニット、ＨＭＩ、エネルギー貯蔵デバイス（例えば、ＥＳＤ Ａ及び／又はＥＳＤ Ｂ）に、制御ユニット（例えば、ＣＵＭ Ａ及び／又はＣＵＭ Ｂ）に、及び／又はスイッチ（例えば、ＳＷ Ａ及び／又はＳＷ Ｂ）に電気エネルギーを提供することができる。電力源は、図１８ａに示すように、電力ネットワークＰＮ接続からの電気エネルギーを変換する１つ以上の素子を含むことができる。ＲＦ回路及び／又は磁気回路の電力源の幾つかの個々の電気素子は、１つの共通電気素子として構築することができ、図１８ａに示すように個々の電気素子として構築される必要はない。各ＲＦ及び／又は磁気回路は、それ自身の電力源、及び／又は、ＲＦ及び／又は磁気回路の一方のみに電力供給する電力源の少なくとも１つの電気素子を有することができる。同様に、１つの電力源の少なくとも一部は、処置の少なくとも一部の前に及び／又はその間に少なくとも２つの異なる回路に電力供給することができる（正：may power）。電力源は、少なくとも部分的に互いから電気絶縁することができる個々の電気回路と共有される１つ以上の部分を含むことができる。

ＲＦ処置のための電力源の１つ以上の電気素子（例えば、磁気回路の定常電力源（ＳＰＳＭ）、補助電力源ＡＰＳ Ａ及び／又はＡＰＳ Ｂ、電力ポンプＰＰ、ボード電力源ＢＰＳ Ａ及び／又はＢＰＳ Ｂ）は、ＲＦ回路及び／又は磁気回路の個々の電気素子に直接的に及び／又は間接的に電気エネルギーを提供することができる。直接的に提供される電気エネルギーは、２つの電気素子間の導電性接続を通して提供され、回路の他の電気素子は、直接的に電力供給される電気素子間に直列接続されない。抵抗器、絶縁キャパシタ等の回路の絶縁用の及び／又は他の電気素子は、電気素子であると考えないものとすることができる。間接的に電力供給される電気素子は、電流値、周波数、位相、振幅、及び／又は他のもの等の、提供される（正：provided）電気エネルギーのパラメーターを変更することができる任意の他の素子を通して電気エネルギーを提供する１つ以上の他の素子によって電力供給することができる。

図１８ａにより詳細に示す電力源ＰＳＭは、電力ネットワークＰＮに対する接続を含むことができる。ＰＮは、周波数及び電流値等、電力ネットワークからの入力電気信号のフィルタリング及び／又は他の調整を提供することができる。ＰＮは、処置デバイスと電力ネットワークとの間のバリアを作成する絶縁素子として使用することもできる。ＰＮは、キャパシタ、抵抗器、及び／又は、処置デバイスから戻る信号をフィルタリングするフィルターのうちの１つ以上を含むことができる。ＰＮは、プラグ又はプラグに対する接続を含むことができる。ＰＮは、プラグ又はパワーグリッドに結合することができる。ＰＳＭは、１つ以上の定常電力源（例えば、磁気回路の定常電力源ＳＰＳＭ）、補助電力源（例えば、ＡＰＳ Ａ及び／又はＡＰＳ Ｂ）、１つ以上の電力ポンプＰＰ、及び／又は１つ以上のボード電力源（例えば、ＢＰＳ Ａ及び／又はＢＰＳ Ｂ）を含むことができる。図１８ａに示すように、処置デバイスは、少なくとも部分的に独立に制御することができる少なくとも２つの電気絶縁された磁気及び／又はＲＦ回路を含むことができ、例えば、磁気処置のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ａ及びＨＩＦＥＭ Ｂに接続される磁場発生デバイスＭＦＧＤ Ａ及びＭＦＧＤ Ｂによる生成磁場の強度は異なるものとすることができる。定常電力源（ＳＰＳＭ）は、異なる電力ネットワーク条件下で定常出力電圧を提供することができる。定常電力源ＳＰＳＭは、補助電力源（例えば、ＡＰＳ Ａ及び／又はＡＰＳ Ｂ）に接続することができる。２つの補助電力源は、組み合わされ、１つの電気素子を作成することができる。定常電力源によって及び／又は補助電力源によって生成される定常出力電圧は、１Ｖ～１０００Ｖ、又は２０Ｖ～１４０Ｖ、又は５０Ｖ～７００Ｖ、又は１２０Ｖ～５００Ｖ、又は２４０Ｖ～４５０Ｖの範囲内にあるものとすることができる。

１つ以上の補助電力源は、個々の回路の１つ以上の制御ユニットに電力供給することができる（正：may power）。ＡＰＳは、１つ以上のボード電力源ＢＰＳ、例えば、ＢＰＳ Ａ及び／又はＢＰＳ Ｂに電力供給することもできる。ＡＰＳは、マスターユニットＨＭＩ及び／又は処置デバイスの他の素子に電力供給することもできる。ＡＰＳがあるため、少なくとも１つの制御ユニット及び／又はマスターユニットは、ＲＦ及び／又は磁気回路内の電気信号の処理／調整を正確に独立に提供することができ、及び／又は、処置デバイスの個々の電気素子を、過負荷から保護することもできる。ボード電力源（例えば、素子ＢＰＳ Ａ及び／又はＢＰＳ Ｂ）は、磁気回路の少なくとも１つの素子のための電気エネルギー源（例えば、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤ Ａ及び／又はＥＳＤ Ｂ）として使用することができる。代替的に、電力源ＰＳＭの１つ以上の素子を、組み合わせる及び／又はなくすことができる。

電力源は、磁気回路及び／又はＲＦ回路に電圧を提供する高電圧発生器として役立つことができる。電力源によって提供される電圧は、５００Ｖ～５０ｋＶ、又は７００Ｖ～５ｋＶ、又は７００Ｖ～３ｋＶ、又は１ｋＶ～１．８ｋＶの範囲内であるものとすることができる。電力源は、任意の電気素子（例えば、エネルギー貯蔵デバイスＥＳＤ Ａ）に、また磁場発生デバイス（例えば、ＭＦＧＤ Ａ）に等、各回路に十分な量の電気エネルギーを送出することができる。磁場発生デバイスは、筋肉収縮を引き起こすのに十分なパラメーターを有する時変性磁場を反復して生成することができる。

図１８ａによれば、ＲＦ回路は、ＰＳＭと少なくとも部分的に異なるものとすることができるそれら自身の電力源ＰＳＲＦを有する。ＰＳＲＦは、ＰＮの内部部分から及び／又はＲＦ回路の任意の部分からの電磁放出を抑制する電気素子（正：electrical element）ＰＮＦＬＴを含むことができる。電気素子ＰＮＦＬＴは電力ネットワークフィルターを示すことができる。しかしながら、ＰＮＦＬＴは、ＰＮの一部とすることもできる。ＰＳＲＦは、ＲＦ回路の補助電力源ＡＰＳ ＲＦ、ＲＦ回路の制御ユニット、電力ユニットＰＵ、及び／又は直流供給電を使用する他の電気素子に対して、異なる電力ネットワーク条件下で定常出力電圧を提供するＳＰＳＲＦを含むことができる。図１８ａに更に示すように、ＡＰＳ ＲＦは、ＳＰＳＲＦと独立に、交流を直流に変換するそれ自身の機構を含むことができる。ＡＰＳ ＲＦは、ＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ａの制御ユニット及び／又はマスターユニットに電力供給することができるとすることができ、一方、ＳＰＳＲＦは、ＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ｂの制御ユニットに独立に電力供給することができる。ＲＦ回路の電力ユニットＰＵは、１つ以上のＲＦ回路、又は、電力増幅器等のＲＦ回路の少なくとも１つの電気素子、及び／又は、高周波信号を作成及び／又は調整するＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ａ及び／又はＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ｂの他の電気素子に電力供給することができる。

ＰＳＭ、ＰＳＲＦ、ＡＰＳ、ＳＰＳＭ、及び／又はＳＰＳＲＦとして述べる少なくとも１つの電気素子は、少なくとも１つのＲＦ回路及び磁気回路によって共有することができる。

制御ユニットＣＵＲＦは、マスターユニットのスレーブとして働くことができ、マスターユニットは、ＲＦ回路を通してＲＦ電極にＲＦ信号を提供するようにＣＵＲＦに指令することができる。２つの制御ユニットＣＵＲＦの場合、両方の制御ユニットは、マスターユニットのスレーブとして働き、マスターユニットは、それぞれのＲＦ電極にＲＦ信号を提供するように両方の制御ユニットＣＵＲＦに指令することができる。したがって、各制御ユニットの制御は独立とすることができる。代替的に、第１のＣＵＲＦは第２のＣＵＲＦのスレーブとすることができ、一方、第１のＣＵＲＦ自身はマスターユニットのスレーブとすることができる。したがって、第１のＲＦ電極内に電流を放出するようにマスターユニットが第１のＣＵＲＦに指令すると、第１のＣＵＲＦは、異なるアプリケーター内に位置決めされた第２のＲＦ電極に電流を放出するように第２のＣＵＲＦに指令することができる。別の代替法において、更なる制御ユニットを、マスターユニットと複数の制御ユニットＣＵＲＦとの間に位置決めすることができ、そのような更なる制御ユニットは、例えば、放電のタイミングを提供することができる。これらの両方の原理によって、ＲＦ場のパルスを、連続して又はパルス方式で（正：in pulsed manner）印加することができる。

図１７、図１８ａ、及び図１８ｂに示す磁気のための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ａ及びＨＩＦＥＭ Ｂは、図７上に示すＨＩＦＥＭ Ａ及びＨＩＦＥＭ Ｂ ７１８としてマーク付けされるＨＭＩ部分に関連する１つ以上のスライダー又はスクローラーを通して制御することができる。ヒューマンマシンインターフェースＨＭＩ上に示す、関連する強度スクローラー、強度バー、及び／又は強度スライダーを通して、ユーザーは、磁気エネルギーのための処置クラスターＨＩＦＥＭ Ａ及び／又はＨＩＦＥＭ Ｂの１つ以上の電気素子の動作速度を制御又は調整することができる。

同様に、図１７、図１８ａ、及び図１８ｂに示すＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ａ及びＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ｂは、図７上に示すＲＦ Ａ及びＲＦ Ｂ ７１２としてマーク付けされるＨＭＩ部分に関連するスライダー、バー、又は強度スクローラーを通して制御することができる。ヒューマンマシンインターフェースＨＭＩ上に示す、関連する強度スクローラー、強度バー、及び／又は強度スライダーを通して、ユーザーは、ＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ａ及び／又はＲＦ Ｂの１つ以上の電気素子の動作速度を制御又は調整することができる。同様に、関連する強度スクローラー、強度バー、及び／又は強度スライダーを使用することによって、ユーザーは、ＲＦ処置のための処置クラスターＲＦ Ａ又はＲＦ Ｂの１つ以上の電気素子を通した又は電気素子の間の電気信号送信速度を制御又は調整することができる。

処置デバイスは２つ以上のアプリケーターを含むことができ、各アプリケーターは、１つの磁場発生デバイス及び１つ又は２つのＲＦ電極を含むことができる。第１のアプリケーター内に位置決めされた第１の磁場発生デバイスのインダクタンスは、第２のアプリケーター内に位置決めされた第２の磁場発生デバイスのインダクタンスと同一とすることができる。また、第１のアプリケーター内の第１の磁場発生デバイスのターン数、巻線エリア、及び／又は巻線なしのエリアは、第２のアプリケーター内の第２の磁場発生デバイスのターン数、巻線エリア、及び／又は巻線なしのエリアと同一とすることができる。第１のアプリケーター内の第１の磁場発生デバイスは、第２のアプリケーター内の第２の磁場発生デバイスと同一の磁場を提供することができる。同じ又は別の処置セッション中に複数の磁場発生デバイスによって提供される同一の磁場は、同じ処置パラメーター、例えば、列内のパルス数、バースト内のパルス数、同じ振幅の磁束密度のインパルス、同じ形状の包絡線、又は他のものを有することができる。しかしながら、例えば、磁束密度の振幅からの妥当な偏差を、同一の磁場において許容することができる。磁束計又はオシロスコープによって測定される磁束密度の振幅又は平均磁束密度の偏差は、０．１％～１０％、又は０．１％～５％の範囲内にあるものとすることができる。

代替的に、両方のアプリケーター内の磁場発生デバイスのインダクタンスは異なるものとすることができる。また、同じ又は別の処置セッション中に複数の磁場発生デバイスによって提供される磁場は、異なる処置パラメーターを有することができる。

処置デバイスが２つ以上のアプリケーターを有するとき、各アプリケーターは、１つの磁場発生デバイス及び１つ又は２つのＲＦ電極を含むことができる。第１のアプリケーター内に位置決めされた１つのＲＦ電極のサイズ又は面積は、第２のアプリケーター内に位置決めされた（正：positioned）別のＲＦ電極のサイズ又は面積と同一とすることができる。第１のアプリケーター及び第２のアプリケーターは、同じ又は別の処置セッション中に提供される同一のＲＦ場を提供することができ、同一のＲＦ場は、ＲＦ場の同じ処置パラメーター、例えば、波長、位相、継続時間、及び強度を有することができる。

代替的に、両方のアプリケーター内のＲＦ電極のサイズ又は面積は異なるものとすることができる。同様に、同じ又は別の処置セッション中に複数の磁場発生デバイスによって提供される磁場は、異なる処置パラメーターを有することができる。

図１９は、磁場発生デバイスによって提供される磁場（例えば、時変性磁場）の例示的な組成を示す。同様に、図１９は、ＲＦ場の組成を示すこともできる。したがって、特に図１９の説明において、用語「インパルス（impulse）」は「磁気インパルス（magnetic impulse）」又は「ＲＦインパルス（RF impulse）」を指すことができる。同様に、用語「パルス（pulse）」は、「磁気パルス（magnetic pulse）」又は「ＲＦパルス（RF pulse）」を指すことができる。同様に、用語「列」は「磁気列（magnetic train）」を指すことができる。用語「磁気列」は、磁気パルスの列を含むことができ、磁気パルスの列は、１つのパルスが別のパルスに追従する複数の磁気後続パルス（magnetic subsequent pulses）として理解することができる。磁気パルスが１つの磁気インパルスを含むことができるため、用語「磁気列」は、磁気インパルスの列を含むこともできる。用語「バースト（burst）」は「磁気バースト（magnetic burst）」を指すことができる。

図１９に示すように、インパルスは、少なくとも部分的な筋肉収縮、筋肉収縮、生物学的構造の温度の変化、及び／又は神経刺激等の少なくとも部分的な処置効果を引き起こすのに十分な強度を有する印加処置エネルギー（例えば、磁場）の期間を指すことができる。磁気インパルスは、図１９に示すように１つの２相形状を含むことができる。磁気インパルスは、所定の振幅の磁束密度を含むことができる。

磁気パルスは、インパルスを含む期間及びパルスのパッシブ期間を指すことができる。磁気パルスは、１つの磁気インパルスの期間、及び、パッシブ期間、すなわち、立ち上がり／立ち下がりエッジから後続の立ち上がり／立ち下がりエッジまでの２つのインパルス間の継続時間を指すことができる。パルスのパッシブ継続時間は、患者の身体に対して処置エネルギーを全く適用しないこと、及び／又は、送出される処置エネルギーの処置エネルギー強度（例えば、磁束密度）及び／又は周波数が不十分であるため、少なくとも部分的な処置効果を引き起こすのに不十分な処置エネルギーを適用することを含むことができる。そのような期間は、パルス継続時間（pulse duration）と呼ぶことができる。図１９に示すように、各パルスは、インパルス継続時間（impulse duration）と呼ぶ期間中の１つの２相永続部（biphasic lasting）を含むことができる。代替的に、インパルス又はパルスは単相とすることができる。

図１９に更に示すように、複数のパルスは列を形成することができる。列は、複数のパルスを指すことができ、１つの列は、パルスが次々に追従する少なくとも２つのパルスを含むことができる。列は、図１９に示す期間永続部Ｔ_１だけ続くことができる。

磁気列は、２磁気パルス～２０００００磁気パルス、又は２磁気パルス～１５００００磁気パルス、又は２磁気パルス～１０００００磁気パルスの範囲内の複数の磁気パルスを含むことができる。磁気列は、次々に続く複数回の少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮、少なくとも１つの不完全強縮性筋肉収縮、少なくとも１つの過最大収縮、少なくとも１つの完全強縮性筋肉収縮を引き起こすことができる。１つの列の印加中に、磁場は、筋肉弛緩が後続する１回の筋肉収縮を提供することができる。筋肉弛緩には、１つの列の印加中に別の筋肉収縮が後続することができる。１つの列中に、筋肉仕事サイクル（筋肉弛緩が後続する筋肉収縮を含むことができる）は、少なくとも２回、３回、４回、又はそれより多い回数反復することができる。

バーストは、期間Ｔ_１、及び、処置効果が引き起こされない期間を示すことができる期間Ｔ_２の間に提供される１つの列を指すことができる。期間Ｔ_２は、処置エネルギーが患者の身体に印加されない及び／又は印加される処置エネルギーが処置効果を引き起こすのに不十分である、パッシブ処置（passive treatment）を提供する期間とすることができる。図１９に示す期間Ｔ_３は、バーストの継続時間を示すことができる。

時変性磁場の磁気列には、静磁場が後続することができる、及び／又は、磁気列には、少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮を引き起こすのに不十分な周波数の時変性磁場及び／又は不十分な磁束密度が後続することができる。例えば、バーストは、筋肉収縮が後続しない少なくとも１回の少なくとも部分的な筋肉収縮を提供することができる。別の例において、バーストは、筋肉収縮が後続しない少なくとも１回の筋肉収縮を提供することができる。処置は、１５回～２５０００回の範囲内、又は４０回～１００００回の範囲内、又は７５回～２５００回の範囲内、又は１５０回～１５００回の範囲内、又は３００回～７５０回の範囲内の、又は１０００００回までの複数回の磁気バーストを含むことができる。後続バーストの反復レートは、１Ｈｚ～２００Ｈｚ、又は２Ｈｚ～２０Ｈｚ、又は５Ｈｚ～１５Ｈｚの、又は５Ｈｚよりも大きい値の増分で、増分的に増減することができる。代替的に、磁束密度の振幅は、後続バーストにおいて変動する、例えば、直前のパルス周波数の、少なくとも１％、２％、又は５％以上の増分で増分的に増減することができる。１つのバーストの印加中に、磁場は、筋肉弛緩が後続する１回の筋肉収縮を提供することができる。筋肉弛緩は、同じバーストの印加中に、別の筋肉収縮が後続することができる。１つのバースト中に、筋肉仕事サイクル（筋肉弛緩が後続する筋肉収縮を含むことができる）は、少なくとも２回、３回、４回、又はそれより多い回数反復することができる。

また、処置デューティサイクルは、図１９に示すように磁場のパルス状処置エネルギーの印加に関連することができる。処置デューティサイクルは、アクティブ処置時間Ｔ_１と、１サイクルＴ_３中のアクティブ処置時間及びパッシブ処置時間の和との間の比を指すことができる。

例示的な処置デューティサイクルは図１９に示される。１０％のデューティサイクルは、アクティブ処置のＴ_１が２ｓ続き、パッシブ処置Ｔ_２が１８ｓ続くことを意味する。この例示的な処置において、アクティブ処置期間及びパッシブ処置期間を含む期間Ｔ_３は２０秒続く。処置デューティサイクルはＴ_１とＴ_３との間の比として規定することができる。処置デューティサイクルは、１：１００（１％を意味する）～２４：２５（９６％を意味する）、又は１：５０（２％を意味する）～４：６（６７％を意味する）、又は１：５０（２％を意味する）～１：２（５０％を意味する）、又は１：５０～１：３（３３％を意味する）、又は１：５０（２％を意味する）～１：４（２５％を意味する）、又は１：２０（５％を意味する）～１：８（１２．５％を意味する）、又は１：１００（１％を意味する）～１：８（１２．５％を意味する）の範囲内にある、又は少なくとも１：４（少なくとも２５％を意味する）であるものとすることができる。

４Ｈｚのバースト反復レートの例示的な適用は、２００Ｈｚの反復レートで、かつ、列における５０％の処置デューティサイクルが１２５ｍｓ続く、すなわち、各列が２５パルスを含む状態で、時変性磁場が患者に適用されるものとすることができる。１分につき６バーストのバースト反復レートの代替の例示的な適用は、１Ｈｚの反復レートで、かつ、列における３０％の処置デューティサイクルが３ｓ続く、すなわち、各列が３パルスを含む状態で、時変性磁場が患者に適用されるものとすることができる。

図１９は、ＲＦ電極によって提供される磁気成分の例示的な組成を示すこともできる。

処置デバイスが複数（例えば、２つ）のアプリケーターを使用するとき、各アプリケーターは、１つの磁場発生デバイスを含むことができる。各磁場発生デバイスが１つのそれぞれの磁場を提供することができるため、複数のアプリケーターは異なる磁場を含むことができる。その場合、磁気インパルス又はパルスの磁束密度の振幅は、ＨＭＩを通してユーザーによって及び／又は１つ以上の制御ユニットによって指定されるように、同じ又は異なるものとすることができる。

１つの磁場発生デバイス（例えば、磁気コイル）によって提供される１つの磁場のインパルスを、別の磁場発生デバイスによって提供される別の磁場のインパルスと同期して生成し印加することができる。処置デバイスが２つの磁場発生デバイスを含む状態での処置セッション中に、１つの磁場発生デバイスによって提供される１つの磁場のインパルスは、第２の磁場発生デバイスによって提供される第２の磁場のインパルスと同期して生成することができる。同期生成は同時生成を含むことができる。

磁気インパルスの同期生成は、複数の磁気処置回路のスイッチ、エネルギー貯蔵デバイス、磁場発生デバイス、及び／又は他の電気素子の同期動作によって提供することができる。しかしながら、磁気処置回路の電気素子の同期動作を、ＨＭＩを通したユーザー、マスターユニット、及び／又は１つ以上の（正：one or more）制御ユニットが、指令する、調整する、又は制御することができる。

図２７ａは、２つの例示的な磁場発生デバイス上での同時タイプの磁気インパルスの同期生成を示す。磁場発生デバイスＡ（ＭＦＧＤ Ａ）は、複数の２相磁気インパルス２７１ａを含む第１の磁場を生成することができる。磁場発生デバイスＢ（ＭＦＧＤ Ｂ）は、複数の磁気インパルス２７１ｂを含む第２の磁場を生成することができる。両方の磁場の磁気インパルスは、第１の磁場の磁気インパルス２７１ａのインパルス継続時間２７２中に生成される。また、両方の磁場のインパルスは、第１の磁場のパルス継続時間２７３内で生成される。磁場の同時生成は、第１の時変性磁場の磁気インパルス２７１ａが第２の時変性磁場の磁気インパルス２７１ｂと同時に生成されることを意味する。

磁場の同期生成は、第１の時変性磁場の第１のインパルスの始まりから第１の時変性磁場の次の連続するインパルスの始まりまで続く期間の間、第１のパルスが続くように、第１の時変性磁場の第１のパルスを生成すること、及び、第２の時変性磁場の第１のインパルスの始まりから第２の時変性磁場の次の連続するインパルスの始まりまで、第２のパルスが続くように、第２の磁場発生デバイスによって第２の時変性磁場の第２のパルスを生成することを含むことができる。磁場の同期生成は、第２の時変性磁場の第１のインパルスが第１のパルスの期間中に生成されることを意味する。

図２７ｂは、磁気インパルスの同期生成の例を示す。磁場発生デバイスＡ（ＭＦＧＤ Ａ）は、複数の２相磁気インパルス２７１ａを含む第１の磁場を生成することができる。磁場発生デバイスＢ（ＭＦＧＤ Ｂ）は、複数の磁気インパルス２７１ｂを含む第２の磁場を生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂは、第１の磁場のパルスのパルス継続時間２７３中であるが、第１の磁場のインパルスのインパルス継続時間２７２の外で生成することができる。

図２７ｃは、磁気インパルスの同期生成の別の例を示す。磁場発生デバイスＡ（ＭＦＧＤ Ａ）は、複数の２相磁気インパルス２７１ａを含む第１の磁場を生成することができる。磁場発生デバイスＢ（ＭＦＧＤ Ｂ）は、複数の磁気インパルス２７１ｂを含む第２の磁場を生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂは、第１の磁場のパルスのパルス継続時間２７３の間に生成することができる。同様に、第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂは、第１の磁場のパルスのインパルス継続時間２７２の間に生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂの始まりは、第１の磁場のインパルス２７１ａの始まりからインパルスシフト２７４と呼ぶ期間だけ離れているものとすることができる。インパルスシフトは５１～１０ｍｓ、又は５μｓ～１０００μｓ、又は１μｓ～８００μｓの範囲内にあるものとすることができる。

図２７ｄは、磁気インパルスの同期生成の更に別の例を示す。磁場発生デバイスＡ（ＭＦＧＤ Ａ）は、複数の２相磁気インパルス２７１ａを含む第１の磁場を生成することができる。磁場発生デバイスＢ（ＭＦＧＤ Ｂ）は、複数の磁気インパルス２７１ｂを含む第２の磁場を生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂは、第１の磁場のパルスのパルス継続時間２７３内に生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂは、第１の磁場のインパルスのインパルス継続時間２７２の外で生成することができる。第２の磁場の磁気インパルス２７１ｂの始まりは、第１の磁場の磁気インパルス２７１ａの終わりからインパルス距離期間２７５と呼ぶ期間だけ離れているものとすることができる。インパルス距離期間は、５１～１０ｍｓ、又は５μｓ～１０００μｓ、又は１μｓ～８００μｓの範囲で続くことができる。

同期生成の他に、複数の磁場の磁気インパルスを別々に生成することができる。磁場の磁気インパルスの分離式生成（separated generation）は、１つの磁場のインパルスの生成が別の磁場のパルス継続時間の外で生成されることを含むことができる。

図２７ｅは、磁気インパルスの分離生成の例を示す。磁場発生デバイスＡは、インパルス継続時間２７２ａを有する２相磁気インパルス２７１ａの列を含む第１の磁場を生成することができる。各磁気インパルス２７１ａはパルス継続時間２７３ａを有するパルスの一部である。第１の磁場のインパルス継続時間２７２ａは第１の磁場のパルス継続時間２７３ａの一部とすることができる。第１の磁場の列は、列継続時間２７６ａを有することができる。磁場発生デバイスＢは、インパルス継続時間２７２ｂを有する複数の磁気インパルス２７１ｂの別の列を含む別の磁場を生成することができる。各磁気インパルス２７１ｂは、パルス継続時間２７３ｂを有するパルスの一部である。第２の磁場のインパルス継続時間２７２ｂは第２の磁場のパルス継続時間２７３ｂの一部とすることができる。第２の磁場の列は、列継続時間２７６ｂを有することができる。列継続時間２７６ａを有する列は、列継続時間２７６ｂを有する列が磁場発生デバイスＢによって生成されるのと異なる時間に、磁場発生デバイスＡによって生成される。両方の列は、１ｍｓ～３０ｓの範囲内にあるものとすることができる分離期間２７７によって分離することができる。分離期間２７７中に、どの磁場発生デバイスもアクティブでないものとすることができ、これは、電流パルスを提供するエネルギー貯蔵デバイスがエネルギーを全く貯蔵しないことを意味する。

磁気インパルスの同期又は分離式生成の全ての例は、１つの処置セッション中に適用することができる。また、インパルスシフト及び／又はインパルス距離期間は、図２７Ｂ～図２７Ｅによって与えられる任意の例に従って位置決めすることができる第２の又は別の磁場の任意の磁気インパルス２７１ｂについて計算することができる。インパルスシフト及び／又はインパルス距離期間は、オシロスコープ測定から測定し計算することができる。磁気インパルスの同期生成は、２つ以上の磁場発生デバイスによる磁気パルス及び／又は列の同期生成をもたらし、及びこれに外挿することができる。同様に、磁気インパルスの分離式生成は、２つ以上の磁場発生デバイスによる磁気パルス及び／又は列の同期生成をもたらし、及びこれに外挿することができる。

マスターユニット及び／又は１つ以上の制御ユニットによって提供される調整又は制御は、磁気包絡線又はＲＦ包絡線の作成又は整形のために使用することができる。例えば、磁気インパルス又はＲＦインパルスは、種々の包絡線の構築を可能にするために、各インパルス又は複数のインパルスの振幅を変調することができる。同様に、ＲＦエネルギーの振幅は、種々の包絡線を構築するために振幅を変調することができる。マスターユニット及び／又は１つ以上の制御ユニットは、本明細書で述べる１つ以上の包絡線の構築を提供するように構成することができる。異なるように整形された磁気包絡線及び／又はＲＦ包絡線（本明細書で包絡線とも呼ぶ）を、患者が異なるように知覚することができる。本出願の図に示す包絡線（又は全ての包絡線）は、インパルス、パルス、又は列の磁束密度の振幅、及び／又は、ＲＦ波のＲＦインパルスの電力出力の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。

包絡線は、磁気インパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。インパルスから形成される磁気包絡線は、複数のインパルス、例えば、少なくとも２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数の後続の磁気インパルスを含むことができる。そのような磁気包絡線の（正：of such magnetic envelope）後続の磁気インパルスは、互いに追従することができる。そのような包絡線の場合、包絡線継続時間は、複数のインパルスのうちの第１のインパルスで始まり、最後のインパルスで終わることができる。包絡線は、磁気インパルスの１つの列を含むことができる。包絡線は、インパルスの磁束密度の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。したがって、磁気インパルスによって形成される磁気包絡線は、磁気インパルスの磁束密度の変調、反復レート、及び／又はインパルス継続時間に従って列形状を規定することができる。したがって、包絡線は、ＲＦインパルス及びそれらの包絡線の変調、ＲＦ波のＲＦインパルスの反復レート又はインパルス継続時間によって形成されるＲＦ包絡線とすることができる。

包絡線は、磁気パルスによって形成される磁気包絡線とすることができる。パルスによって形成される磁気包絡線は、複数のパルス（例えば、少なくとも２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数の後続の磁気パルス）を含むことができ、パルスは、紛失（missing）パルスがない状態で互いに追従する。そのような場合、包絡線継続時間は、複数のパルスの（正：of the plurality of pulses）第１のパルスのインパルスで始まり、最後のインパルスのパッシブ継続時間で終わることができる。したがって、磁気パルスによって形成される包絡線は、磁束密度の変調、反復レート、及び／又はインパルス継続時間に従って列形状を規定することができる。包絡線は磁気パルスの１つの列を含むことができる。列は、プロトコル中に少なくとも２回反復するパターンの磁気パルスからなる。磁気包絡線は、パルスの磁束密度の振幅による当てはめられた曲線とすることができる。

包絡線は、磁気列から形成される磁気包絡線とすることができる。列から形成される磁気包絡線は、複数の列（例えば、少なくとも２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数の後続の磁気列）を含むことができ、列は、列間の所定の継続時間を持って互いに追従する。そのような場合、包絡線継続時間は、複数のパルスの第１の列の第１のパルスのインパルスで始まり、パッシブ継続時間で終わることができる。１つの包絡線内の複数の列は、インパルスを含む紛失パルスによって分離することができる。紛失パルスの数は、１個～２０個、又は１個～１０個の範囲内にあるものとすることができる。

包絡線を、磁束密度の種々のオフセット値に対して変調することができる。オフセット値は、０．０１Ｔ～１Ｔ、又は０．１Ｔ～１Ｔ、又は０．２Ｔ～０．９Ｔの範囲内にあるものとすることができる。オフセット値は、磁束密度の非ゼロ値に対応することができる。

１回の処置セッション中に、処置デバイスは、種々の数の包絡線を適用することができる。磁場の２つ以上の包絡線を組み合わせて、考えられる結果として得られる形状を作成することができる。

上記で述べた例において、包絡線は第１のインパルスで始まることができる。さらに、包絡線は、第１のインパルスを含む第１のそれぞれのパルスの継続時間を通して継続する。さらに、包絡線は、最後のパルスのパッシブ継続時間で終わることができ、最後のパルスは第１のパルスに追従することができる。このオプションは、磁気パルスの包絡線の例示的な形状を示す以下の図に示される。以下の図に示すように、包絡線の形状は、磁束密度の変調によって提供することができる。ＲＦ包絡線の形状は、ＲＦ波の電力又はインパルスの振幅の変調によって提供することができる。

図２８は、磁気インパルス２８２から形成される増加する包絡線２８１の例示的な図であり、１つの磁気インパルス２８２は、磁気パルスの１つのパッシブ期間が後続する。増加する包絡線における後続のインパルスの磁束密度の振幅は増加する。１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅よりも大きい。同様に、第２のインパルスの磁束密度の振幅は、第１のインパルスの磁束密度の振幅よりも大きい。増加する振幅は筋肉準備（muscle preparation）のために使用することができる。増加する包絡線２８１の包絡線継続時間２８３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、増加する包絡線２８１を構築するために振幅変調することができる。

図２９は、磁気インパルス２９２から形成される減少する包絡線２９１の例示的な図である。減少する包絡線における後続のインパルスの磁束密度の振幅は減少する。１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅よりも小さい。同様に、第２のインパルスの磁束密度の振幅は、第１のインパルスの磁束密度の振幅よりも小さい。減少する包絡線２９１の包絡線継続時間２９３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、減少する包絡線２９１を構築するために振幅変調することができる。

図３０は、磁気インパルス３０３から形成される矩形包絡線３０２の例示的な図である。矩形包絡線におけるインパルスの磁束密度の振幅は一定とすることができる。しかしながら、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。第１のインパルスの磁束密度の振幅は、第２のインパルスの磁束密度の振幅と同一とすることができ、第２のインパルスは第１のインパルスに追従する。矩形包絡線３０２の包絡線継続時間３０４は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。矩形包絡線は、筋肉収縮又は筋単収縮の誘起のために使用することができる。同様に、ＲＦ波の振幅は、矩形包絡線３０２を構築するために振幅変調することができる。

図３１は、増加する包絡線と矩形包絡線との組み合わせとして仮想的に見ることができる組み合わせ式包絡線３１１の例示的な図である。組み合わせ式包絡線３１１は磁気インパルス３１２を含む。組み合わせ式包絡線におけるインパルスの磁束密度の振幅は、組み合わせ式包絡線全体の継続時間の１％～９５％、又は５％～９０％、又は１０％～８０％の範囲内について、増加することができる。組み合わせ式包絡線の矩形部分における後続のインパルスの磁束密度の振幅は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。組み合わせ式包絡線３１１の包絡線継続時間３１３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。図３１に示す組み合わせ式包絡線は、筋肉の準備及び筋肉収縮又は筋単収縮の誘起のために使用することができる。同様に、ＲＦ波の振幅は、包絡線３１１を構築するために振幅変調することができる。

図３２は、矩形包絡線と減少する包絡線との組み合わせとして仮想的に見ることができる組み合わせ式包絡線３２１の例示的な図である。組み合わせ式包絡線３２１は磁気インパルス３２２を含む。組み合わせ式包絡線におけるインパルスの磁束密度の振幅は、組み合わせ式包絡線全体の継続時間の１％～９５％、又は５％～９０％、又は１０％～８０％の範囲内について、減少することができる。組み合わせ式包絡線の矩形部分における後続のインパルスの磁束密度の振幅は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。組み合わせ式包絡線３２１の包絡線継続時間３２３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。図３２に示す組み合わせ式包絡線は、筋肉収縮又は筋単収縮の誘起及びその後の筋肉刺激の終了のために使用することができる。同様に、ＲＦ波の振幅は、包絡線３２１を構築するために振幅変調することができる。

図３３は、増加する包絡線と、すぐその後に続く減少する包絡線との組み合わせとして理解することができる三角形包絡線３３１の例示的な図である。三角形包絡線３３１は磁気インパルス３３２を含むことができる。包絡線の三角形形状は、対称でないものとすることができる。また、三角形形状の１つ以上の線の真直度（straightness）を、本明細書で述べる別のタイプの包絡線、例えば、矩形包絡線によって中断することができる。１つの三角形包絡線は、別の三角形包絡線に密接に追従する、又は、別の三角形包絡線に接合することができる。２つの三角形包絡線を接合することによって、結果として得られる包絡線は、鋸歯状形状を有することができる。三角形包絡線３３１の包絡線継続時間３３３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、三角形包絡線３３１を構築するために振幅変調することができる。

図３４は、台形包絡線３４１の例示的な図である。台形包絡線３４１は磁気インパルス３４２を含むことができる。台形包絡線は、増加（立ち上がり）期間Ｔ_Ｒ、ホールド期間Ｔ_Ｈ、及び減少（立ち下がり）期間Ｔ_Ｆを含むことができる。増加期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は増加する。さらに、増加期間中、１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅よりも大きい。ホールド期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。減少期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は減少する。さらに、減少期間中、１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅より小さい。ホールド期間を、磁束密度の異なる所定の値を有する別のホールド期間によって中断することができる。台形包絡線３４１の包絡線継続時間３４３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、台形包絡線３４１を構築するために振幅変調することができる。

台形包絡線は、筋肉組織刺激にとって最も快適であると患者が知覚することができる。台形包絡線は、筋肉収縮の自然な経過に配慮する。すなわち、筋肉収縮は時変性とすることができる。自然な筋肉収縮の強度は、増加し、最大強度を保持し、減少する。台形包絡線は自然な筋肉収縮に対応する。すなわち、筋肉収縮の強度は磁束密度に対応する。台形包絡線の継続時間中の磁束密度は、増加し、保持し、減少する。同じ形状の包絡線は、適切な振幅を有するＲＦインパルスから形成されるＲＦ電極を有することができる。

台形包絡線は、台形包絡線形状に当てはまらない、１つ以上のインパルス、パルス、バースト、及び／又は列によって少なくとも１回中断される場合があるが、この中断後、台形包絡線は継続する。

同様に、台形包絡線は、複数の列、例えば、２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数の列を含むことができる。台形包絡線の場合、包絡線は３つの列を含むことができる。第１の列は、増加する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。１つのインパルスの磁束密度は、第１のインパルスに後続する第２のインパルスの磁束密度よりも大きいものとすることができる。第２の列は、一定の磁束密度を有するインパルスを含むことができる。しかしながら、処置デバイスの動作は、各インパルスについて厳密に一定の磁束密度を提供することができず、したがって、磁束密度は０．１％～５％の範囲内で振動する場合がある。第３の列は、減少する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。１つのインパルスの磁束密度は、第１のインパルスに後続する第２のインパルスの磁束密度よりも小さいものとすることができる。

さらに、台形包絡線は、複数のバースト、例えば、２つ、３つ、４つ、又はそれより多い数のバーストを含むことができる。台形包絡線の場合、包絡線は３つのバーストを含むことができる。第１のバーストは、増加する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。１つのインパルスの磁束密度は、第１のインパルスに後続する第２のインパルスの磁束密度よりも大きいものとすることができる。第２のバーストは、一定の磁束密度を有するインパルスを含むことができる。しかしながら、処置デバイスの動作は、各インパルスについて厳密に一定の磁束密度を提供することができず、したがって、磁束密度は０．１％～５％の範囲内で振動する場合がある。第３のバーストは、減少する磁束密度を有するインパルスを含むことができる。１つのインパルスの磁束密度は、第１のインパルスに後続する第２のインパルスの磁束密度よりも小さいものとすることができる。

図２０は、別の例示的な台形包絡線を示す。縦軸は磁束密度を示すことができ、横軸は時間を示すことができる。台形包絡線は、列中に印加されたインパルスの磁束密度の振幅による当てはめられた曲線とすることができ、Ｔ_Ｒは、増加遷移時間と呼ぶ、増加する磁束密度を有する期間であり、すなわち、磁束密度の振幅は増加することができる。Ｔ_Ｈは、最大磁束密度を有する期間であり、すなわち、磁束密度の振幅は一定とすることができる。Ｔ_Ｆは、減少する磁束密度を有する期間であり、すなわち、磁束密度の振幅は減少することができる。Ｔ_Ｒ、Ｔ_Ｈ、及びＴ_Ｒの合計は、筋肉収縮に対応することができる台形包絡線継続時間とすることができる。

台形包絡線はエネルギー消費を減少させることができる。低エネルギー消費のため、台形形状は、磁場発生デバイスの冷却の改善を可能にすることができる。さらに、抵抗損失は、磁場発生デバイスの低温によって低減することができる。異なる反復レートは、異なるタイプの筋肉収縮を引き起こすことができる。各タイプの筋肉収縮は、異なる量のエネルギーを消費する場合がある。

図３５は、増加期間Ｔ_１、第１の減少期間Ｔ_２、及び第２の減少期間Ｔ_３を含む台形包絡線３５１の例示的な図である。台形包絡線３５１は磁気インパルス３５２を含む。増加期間は、磁束密度の増加する振幅を有するインパルスを含む。第１の減少期間及び第２の減少期間は、磁束密度の減少する振幅を有するインパルスを含む。示す例に関して、第１の減少期間は、増加期間に追従し、第２の減少期間に先行する。後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第２の減少期間中により急峻に減少することが示される。代替的に、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第１の減少期間中により急峻に減少することができる。台形包絡線３５１の包絡線継続時間３５３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。したがって、包絡線は、ＲＦインパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。同様に、ＲＦ波の振幅は、台形包絡線３５１を構築するために振幅変調することができる。

図３６は、第１の増加期間、第２の増加期間、及び減少期間を含む台形包絡線３６１の例示的な図である。台形包絡線３６１は磁気インパルス３６２を含む。第１の増加期間及び第２の増加期間は、磁束密度の増加する振幅を有するインパルスを含む。第１の増加期間及び第２の増加期間は、磁束密度の増加する振幅を有するインパルスを含む。示す例に関して、第２の増加期間は、第１の増加期間に追従し、減少期間に先行する。後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第１の増加期間中により急峻に増加することが示される。代替的に、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、第２の増加期間中により急峻に増加することができる。台形包絡線３６１の包絡線継続時間３６３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、台形包絡線３６１を構築するために振幅変調することができる。

図３７は、第１の増加期間Ｔ_１、第１のホールド期間Ｔ_２、第２の増加期間、第２のホールド期間、及び減少期間を含む階段状包絡線３７１の例示的な図である。階段状包絡線３７１は磁気インパルス３７２を含む。第１の増加期間及び第２の増加期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は増加することができる。減少期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は減少することができる。ホールド期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、一定とすることができ、又は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。階段状包絡線３７１の包絡線継続時間３７３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、台形包絡線３７１を構築するために振幅変調することができる。

図３８は、第１の増加期間Ｔ_１、第１のホールド期間Ｔ_２、第１の減少期間Ｔ_３、第２のホールド期間Ｔ_４、及び第２の減少期間Ｔ_５を含む階段状包絡線３８１の例示的な図である。階段状包絡線３８１は磁気インパルス３８２を含む。増加期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は増加することができる。第１の減少期間及び第２の減少期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は減少することができる。ホールド期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、一定とすることができ、又は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。階段状包絡線３８１の包絡線継続時間３８３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波の振幅は、台形包絡線３８１を構築するために振幅変調することができる。

図３９は、磁気インパルス３９２を含む別のタイプの台形包絡線３９１の例示的な図である。台形包絡線は、増加期間Ｔ_１、ホールド期間Ｔ_２、及び減少期間Ｔ_３を含むことができる。増加期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は増加する。さらに、増加期間中、１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅よりも大きい。ホールド期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は、０．０１％～５％の範囲内の磁束密度の振幅の所定の値の周りで振動する場合がある。減少期間中、後続のインパルスの磁束密度の振幅は減少する。さらに、減少期間中、１つのインパルスの磁束密度の振幅は、先行するインパルスの磁束密度の振幅よりも小さい。ホールド期間は、磁束密度の異なる所定の値を有する別のホールド期間Ｔ_４を含むことができる。包絡線３９１の包絡線継続時間３９３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波及び／又はＲＦインパルスの振幅は、台形包絡線３９１を構築するために振幅変調することができる。

包絡線は、磁束密度と反復レートとの組み合わせ式変調を含むことができる。図４０は、一定振幅の磁束密度を有する矩形包絡線４０１の例示的な図を示す。矩形包絡線４０１は磁気インパルス４０２を含むことができる。期間Ｔ_ＲＲ２及びＴ_ＲＲ３は、矩形包絡線において示す（正：shown in）Ｔ_ＲＲ１中の磁気インパルスの残りの部分よりも高い反復周波数を有するインパルスを示す。示す期間Ｔ_ＲＲ２及びＴ_ＲＲ３は、示す矩形包絡線の残りの部分よりも強い筋肉収縮を提供することができる。しかしながら、示す全ての包絡線は、反復レート領域における変調を含むことができる。矩形包絡線４０１の包絡線継続時間４０３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。したがって、包絡線は、ＲＦインパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。それらの振幅は、ＲＦ包絡線と呼ぶ振幅を形成することもできる。同様に、ＲＦ波の振幅及び／又は反復レートは、包絡線４０１を構築するために振幅変調することができる。

述べたように、包絡線は、１つ以上の紛失パルスによって分離される磁気列から形成することができる。図４１は、磁気インパルス４１２を含む磁気列から形成された包絡線を示す。示すように、増加する磁束密度を有するインパルス列を含む第１の列は継続時間Ｔ_１を有する。一定の又は振動する磁束密度を有するインパルス列を含む第２の列は継続時間Ｔ_２を有する。減少する磁束密度を有するインパルス列を含む第３の列は継続時間Ｔ_３を有する。複数の列を含む包絡線４１１は台形形状を有する。継続時間Ｔ_１とＴ_２との間又は継続時間Ｔ_２とＴ_３との間の継続時間は、紛失インパルスを含む紛失パルスが位置決めされることになる時間ギャップを示すことができる。包絡線４１１の包絡線継続時間４１３は、第１のパルスの第１のインパルスから始まり、最後のパルスのパッシブ継続時間の終了に至る。同様に、ＲＦ波又はＲＦインパルスの振幅は、包絡線４１１を構築するために振幅変調することができる。

処置中に、磁気包絡線を組み合わせることができる。図４２は、磁気包絡線の組み合わせの例を示す。増大する形状を有する増加する包絡線４２２は磁気インパルス４２１の列を含む。増加する包絡線４２２は継続時間Ｔ_Ｅ１を有することができる。矩形包絡線４２３は磁気インパルス４２１の列を含む。矩形包絡線は継続時間Ｔ_Ｅ２を有することができる。減少する包絡線４２４は磁気インパルス４２１の列を含む。減少する包絡線４２４は継続時間Ｔ_Ｅ３を有することができる。第１の包絡線、第２の包絡線、及び第３の包絡線の組み合わせによって形成される処置プロトコルの結果として得られるサブ期間は、例えば、図３４及び図２０に関して示す台形包絡線と同じ又は同様の処置効果を提供することができる。処置プロトコルの結果として得られるサブ期間は、処置サブ期間の第１のパルスの第１のインパルスから最後のパルスのパッシブ継続時間の終了までの継続時間４２５を有する。同様に、ＲＦ波及び／又はＲＦインパルスの振幅は、包絡線の組み合わせを構築するために振幅変調することができる。

図４３は、磁気包絡線の組み合わせの別の例を示し、減少期間は、矩形包絡線と異なる磁束密度を有する。この例は、磁気包絡線の組み合わせが、異なる磁束密度を有する包絡線を含むことができることを示すことができる。増大する形状を有する増加する包絡線４３２は磁気インパルス４３１の列を含む。増加する包絡線は継続時間Ｔ_Ｅ１を有することができる。矩形包絡線４３３は磁気インパルス４３１の列を含む。矩形包絡線は継続時間Ｔ_Ｅ２を有することができる。減少する包絡線は磁気インパルス４３１の列を含む。減少する包絡線４３４は継続時間Ｔ_Ｅ３を有することができる。第１の包絡線、第２の包絡線、及び第３の包絡線の組み合わせによって形成される処置プロトコルの結果として得られるサブ期間は、例えば、図３４及び図２０に関して示す台形包絡線と同じ又は同様の処置効果を提供することができる。処置プロトコルの結果として得られるサブ期間は、処置サブ期間の第１のパルスの第１のインパルスから最後のパルスのパッシブ継続時間の終了までの継続時間４３５を有する。同様に、ＲＦ波又はＲＦインパルスの振幅は、包絡線の組み合わせを構築するために振幅変調することができる。

図４４は、包絡線間期間、すなわち、包絡線の間の期間の例を有する磁場の２つの例示的な包絡線である。包絡線の間の期間は、磁気刺激なしの時間を含むことができる。しかしながら、包絡線の間の期間は、不十分な又は認識不能な筋肉刺激（例えば、筋肉収縮及び筋肉弛緩を含む）を提供する磁気インパルスを含むことができる。包絡線の間の期間中に生成される磁気インパルスも包絡線を形成することができる。不十分な又は認識不能な筋肉刺激を提供する磁気インパルスは、残存容量（resting capacity）を放出するために、磁場発生コイルに対するエネルギー貯蔵デバイスの放電によって生成することができる。エネルギー貯蔵デバイスは、その後、大電力電流インパルスを磁場発生デバイスに提供するために、電力源によってより大量の電流及び／又は電圧まで充電することができる。継続時間Ｔ_１を有する矩形包絡線４４２は磁気インパルス４４１を含むことができる。継続時間Ｔ_２を有する台形包絡線４４４は磁気インパルス４４１を含むことができる。継続時間Ｔ_ＥＰを有する包絡線間期間は、包絡線間期間内で磁気インパルス４４１の磁束密度によって与えられる包絡線４４３（例えば、縮小する形状を有する）を含むことができる。代替的に、包絡線間期間は、筋単収縮を提供する単一インパルスを含むことができる。したがって、包絡線は、ＲＦインパルスから形成される磁気包絡線とすることができる。それらの振幅は、ＲＦ包絡線と呼ぶ振幅を形成することもできる。ＲＦ包絡線間の期間は加熱なし時間を含むことができる。

ＲＦ処置（ＲＦ場）を、継続的動作（continual operation）、パルス状動作、又は複数のサイクルを含む動作で、処置エネルギー源（例えば、ＲＦ電極）によって生成することができる。継続的動作は、継続的ＲＦ処置中に提供される。パルス状動作は、パルス状ＲＦ処置中に提供される。

継続的動作中に、ＲＦ電極は、マスターユニット又は１つ以上の制御ユニットによって指令されるＲＦ場を、処置全体にわたって、又は、処置中の１つの継続時間内に生成することができる。ＲＦ電極は、正弦形状を有するＲＦ波を生成することができる。換言すれば、ＲＦ電極は、正弦形状を有する無線周波数波形を生成することができる。他の形状、例えば、ＲＦ波の振幅に応じて、鋸歯状、三角形、又は正方形が可能である。

継続的ＲＦ処置は、患者のターゲット生物学的構造の継続的加熱による、提供される磁気処置との最大の相乗効果、患者のターゲット生物学的構造を分極し、深部磁場貫入を確実にする最大の効果、及び、筋肉収縮を促進するため等、患者の組織に対する生成磁場の高い効果のうちの１つを有することができる。

パルス状生成中に、ＲＦ電極は、処置の２つ以上のアクティブ期間の間、ＲＦ場を生成することができ、期間をパッシブ期間によって分離することができる。パルス状ＲＦ処置のアクティブ期間は、ＲＦ電極がアクティブでありかつＲＦ場を生成する期間を示すことができる。アクティブ期間は、１ｓ～１５分、又は３０ｓ～１０分、又は５ｓ～９００ｓ、又は３０ｓ～３００ｓ、又は６０ｓ～３６０ｓの範囲内にあるものとすることができる。ＲＦパルス状処置のパッシブ期間は、ＲＦ電極が非アクティブでありかつＲＦ場を生成しない期間を示すことができる。ＲＦパルス状処置のパッシブ期間は、１ｓ～１５分、又は１０ｓ～１０分、又は５ｓ～６００ｓ、又は５ｓ～３００ｓ、又は１０ｓ～１８０ｓの範囲内にあるものとすることができる。パルス状生成及びそのパラメーターは、処置中に変化し得る。

ユーザーは、処置デバイスの制御ユニット又はマスターユニットを通して、処置デバイスの種々の処置プロトコルを選択、制御、又は調整することができる。同様に、マスターユニット及び／又は制御ユニットは、処置プロトコル、身体エリア、又はユーザーが選択した別のオプションを選択、制御、又は調整することができる。さらに、マスターユニット及び／又は制御ユニットは、上述した任意のセンサーによって提供されるフィードバックに応じて種々の処置パラメーターを選択、制御、又は調整することができる。

処置プロトコルは、それぞれのプロトコルに割り当てられた１つ以上の処置パラメーター及びそれらの所定の値の選択を含むことができる。さらに、処置プロトコルは、磁気処置及びＲＦ処置による種々のタイプの組み合わせ式処置を含むことができる。

処置パラメーターに関して、ユーザーは、処置デバイスのマスターユニット又は１つ以上の制御ユニットを含む制御システムを通して、処置デバイスの種々の処置パラメーターを制御又は調整することができる。マスターユニット及び／又は制御ユニットは、処置プロトコル、身体エリア、又はユーザーが選択した別のオプションに応じて処置パラメーターを制御又は調整することができる。さらに、マスターユニット及び／又は制御ユニットは、上述した任意のセンサーによって提供されるフィードバックに応じて種々の処置パラメーターを制御又は調整することができる。マスターユニット又は１つ以上の制御ユニットは、磁場の処置パラメーターの調整を提供することができ、磁場の処置パラメーターは、磁束密度、磁束密度の振幅、インパルス継続時間、パルス継続時間、インパルスの反復レート、パルスの反復レート、列継続時間、列内のインパルス及び／又はパルスの数、バースト継続時間、磁気バーストの組成、磁気列の組成、包絡線の数、デューティサイクル、包絡線の形状、及び／又は、磁束密度導関数の最大を含む。マスターユニット又は１つ以上の制御ユニットは、ＲＦ場の処置パラメーターの調整を提供することができ、ＲＦ場の処置パラメーターは、ＲＦ場の周波数、ＲＦ場のデューティサイクル、ＲＦ場の強度、ＲＦ場によって提供されるエネルギー束、ＲＦ場の電力、ＲＦ場の電力の振幅、及び／又はＲＦ波の電力の振幅を含み、ＲＦ波は、ＲＦ場の電気成分を指すことができる。処置パラメーターを以下の範囲内で制御又は調整することができる。

さらに、処置パラメーターは、例えば、処置時間、磁場発生デバイスの温度、ＲＦ電極の温度、アプリケーターの温度、冷却タンクの温度、ターゲット設定された身体エリアの選択、接続されたアプリケーターの数、冷却流体の温度（適切な温度センサーによって流体導管、接続管、アプリケーター、又は冷却タンク内で測定される）、選択された身体エリア、及び／又は他のものを含むことができる。

異なる磁束密度、パルス継続時間、列及び／又はバーストの組成は、筋肉組織に異なる影響を及ぼすことができる。磁気処置の１つの部分は、例えば、筋肉強度、筋肉体積、筋肉引き締めを増すために筋肉トレーニングを引き起こすことができ、磁気処置の他の部分は、筋肉弛緩を引き起こすことができる。ＲＦ電極に提供される信号は、２つのバイポーラＲＦ電極によって作成される回路及び患者の身体の容量に関して変調することができ、アプリケーター及び／又は患者における定在無線周波数波又は他のものの作成が防止される。無線周波数場の変調は、周波数領域、強度領域、インパルス継続時間、及び／又は他のパラメーターにおいて提供することができる。個々の無線周波数処置、磁気処置、及び／又はそれらの組み合わせの目標は、ターゲット生物学的構造についての最も複雑な及び／又は効率的な処置に達することである。時間領域における変調は、アクティブ刺激期間及びパッシブ刺激期間を提供することができる。パッシブ期間は、ＲＦ処置及び／又は磁気処置が、筋肉刺激がない、及び／又は、ターゲット生物学的構造のＲＦ場によって提供される温度の変化又は他の処置効果がない期間を含むときに起こるものとすることができる。パッシブ期間中に、磁場及び／又はＲＦ場は生成されないものとすることができる。また、パッシブ期間中に、磁場及びＲＦ場を生成することができるが、磁場及び／又はＲＦ場の強度は、ターゲット生物学的構造の少なくとも１つの処置効果を提供するのに十分でないものとすることができる。

磁場の磁束密度は、０．１Ｔ～７Ｔの範囲内、又は０．５Ｔ～７Ｔの範囲内、又は０．５Ｔ～５Ｔの範囲内、又は０．５Ｔ～４Ｔの範囲内、又は０．５Ｔ～２Ｔの範囲内にあるものとすることができる。そのような規定は、磁場の磁束密度の振幅を含むことができる。磁束密度の示す範囲は、筋肉収縮を引き起こすために使用することができる。磁束密度及び／又は磁束密度の振幅は、磁束計又はオシロスコープによって測定することができる。

反復レートは、磁気インパルスを発火させる周波数を指すことができる。反復レートは、磁気パルスの継続時間から導出することができる。磁気インパルスの反復レートは、０．１Ｈｚ～７００Ｈｚ、又は１Ｈｚ～７００Ｈｚ、又は１Ｈｚ～５００Ｈｚの範囲内、又は１Ｈｚ～３００Ｈｚ、又は１Ｈｚ～１５０Ｈｚの範囲内であるものとすることができる。各磁気パルスが１つの磁気インパルスを含むため、磁気パルスの反復レートは磁気インパルスの反復レートに等しい。磁気インパルスの継続時間は、１μｓ～１０ｍｓ、又は３μｓ～３ｍｓ、又は３μｓ～３ｍｓ、又は３μｓ～１ｍｓ、又は１０μｓ～２０００μｓ、又は５０μｓ～１０００μｓ、又は１００μｓ～８００μｓの範囲内であるものとすることができる。インパルスの反復レートは、オシロスコープ測定の記録から測定することができる。

列継続時間は、１ｍｓ～３００ｓ、又は１ｍｓ～８０ｓ、又は２ｍｓ～６０ｓ、又は４ｍｓ～３０ｓ、又は８ｍｓ～１０ｓ、又は２５ｍｓ～３ｓの範囲内であるものとすることができる。２つの後続列間の時間は、５ｍｓ～１００ｓ、又は１０ｍｓ～５０ｓ、又は２００ｍｓ～２５ｓ、又は５００ｍｓ～１０ｓ、又は７５０ｍｓ～５ｓ、又は３００ｍｓ～２０ｓの範囲内であるものとすることができる。反復レートは、オシロスコープ測定の記録から測定することができる。

バースト継続時間は、１０ｍｓ～１００秒、又は１００ｍｓ～１５ｓ、又は５００ｍｓ～７ｓ、又は５００ｍｓ～５ｓの範囲内であるものとすることができる。磁気バーストの反復レートは、０．０１Ｈｚ～１５０Ｈｚ、又は０．０２Ｈｚ～１００Ｈｚの範囲内、又は０．０５Ｈｚ～５０Ｈｚ、又は０．０５Ｈｚ～１０Ｈｚ、又は０．０５Ｈｚ～２Ｈｚの範囲内であるものとすることができる。反復レートは、オシロスコープ測定の記録から測定することができる。

有効な磁気処置を提供し、筋肉収縮を引き起こす（正：to cause）別のパラメーターは、ｄＢ／ｄｔで規定される磁束密度の導関数であり、ｄＢは磁束密度導関数［Ｔ］であり、ｄｔは時間導関数［ｓ］である。磁束密度導関数は磁場に関連する。磁束密度導関数は、組織内の誘導電流の量として規定することができるため、筋肉収縮を提供するときの重要なパラメーターの１つとして役立つことができる。磁束密度導関数が大きいほど、筋肉収縮が強い。磁束密度導関数は、上記で述べた式から計算することができる。

磁束密度導関数の最大値は、最大５ＭＴ／ｓまで、又は、０．３ｋＴ／ｓ～８００ｋＴ／ｓ、０．５ｋＴ／ｓ～４００ｋＴ／ｓ、１ｋＴ／ｓ～３００ｋＴ／ｓ、１．５ｋＴ／ｓ～２５０ｋＴ／ｓ、２ｋＴ／ｓ～２００ｋＴ／ｓ、２．５ｋＴ／ｓ～１５０ｋＴ／ｓの範囲内であるものとすることができる。

ＲＦ場（例えば、ＲＦ波）の周波数は、数百ｋＨｚ～数十ＧＨｚの範囲内であり、例えば、１００ｋＨｚ～３ＧＨｚ、５００ｋＨｚ～３ＧＨｚ、４００ｋＨｚ～９００ＭＨｚ、若しくは５００ｋＨｚ～９００ＭＨｚの範囲内であり、又は、約１３．５６ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、若しくは２．４５ＧＨｚであるものとすることができる。

ＲＦ場（例えば、ＲＦ波）によって提供されるエネルギー束は、０．００１Ｗ／ｃｍ^２～１５００Ｗ／ｃｍ^２、又は０．００１Ｗ／ｃｍ^２～１５Ｗ／ｃｍ^２、又は０．０１Ｗ／ｃｍ^２～１０００Ｗ／ｃｍ^２、又は０．０１Ｗ／ｃｍ^２～５Ｗ／ｃｍ^２、又は０．０８Ｗ／ｃｍ^２～１Ｗ／ｃｍ^２、又は０．１Ｗ／ｃｍ^２～０．７Ｗ／ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。用語「約（around）」は、列挙される値の５％の範囲内にあるとして解釈されるべきである。

ＲＦ処置のための処置回路の電力源によって提供される電磁信号の電圧は、１Ｖ～５ｋＶ、又は５Ｖ～１４０Ｖ、又は１０Ｖ～１２０Ｖ、又は１５Ｖ～５０Ｖ、又は２０Ｖ～５０Ｖの範囲内にあるものとすることができる。

生物学的構造内の温度、処置される身体エリアの表面上の温度、身体エリア内の温度、アプリケーターの内部の温度、ＲＦ電極の温度、及び／又は磁場発生デバイスの温度は、例えば、図８ｃに示すアプリケーター内に実装された温度センサー８１６によって測定することができる。ＲＦ電極及び／又は磁場発生デバイスの温度は、３８℃～１５０℃、３８℃～１００℃、又は４０℃～８０℃、４０℃～６０℃、又は４１℃～６０℃、又は４２℃～６０℃の範囲内に維持することができる。処置される身体エリアの表面上の温度、処置される身体内及び／又は生物学的構造内の温度は、３８℃～６０℃、又は４０℃～５２℃、又は４１℃～５０℃、又は４１℃～４８℃、又は４２℃～４８℃、又は４２℃～４５℃の範囲内の温度まで上げることができる。上述した温度の値は、ＲＦ処置及び／又は磁場処置が開始した後、５ｓ～６００ｓ、１０ｓ～３００ｓ、又は３０ｓ～１８０ｓの間に達成することができる。その後、温度の値（正：value of temperature）を、５℃、３℃、又は２℃、又は１℃の範囲内の最大温度偏差を持って、処置中に一定に維持することができる。

処置の始めに、患者の皮膚上の及び／又は生物学的構造内の開始温度を、４２℃～６０℃、又は４５℃～５４℃、又は４８℃～６０℃、又は４８℃～５２℃の範囲内の開始温度まで、及び／又は、アポトーシスプロセスが始まるときの温度より３℃、又は５℃、又は８℃高いが６０℃を超えない温度まで上げることができる。開始温度に達してから４５ｓ～３６０ｓ後、又は６０ｓ～３００ｓ後、又は１２０ｓ～４００ｓ後、又は３００ｓ～５００ｓ後に、ＲＦ場の強度を減少することができ、患者の皮膚上の温度及び／又は生物学的構造内の温度を、４１℃～５０℃又は４２℃～４８℃の範囲内の温度に維持することができる。処置の別の方法によれば、少なくとも１つのアプリケーターが、腹部エリア、臀部、腕、脚、及び／又は他の身体エリア等の同じ患者の身体エリアに取り付けられている間に、生物学的構造の温度は、処置中に少なくとも２回、２℃～１０℃、２℃～８℃、又は３℃～６℃の範囲内で減少及び増加することができる。

生物学的構造内の温度を、少なくとも１つ以上の測定された特性と組み合わせて、数学モデル、相関関数に従って、計算することができる。そのような測定された特性は、患者の皮膚上の温度、ＲＦ電極間のキャパシタンス、ＲＦバイポーラ電極のボルトアンペア特性、及び／又はＲＦ電極に対する接続された電気素子のボルトアンペア特性を含むことができる。

処置継続時間は、５分～１２０分、又は５分～６０分、又は１５分～４０分とすることができる。１週間中に、同じ身体エリアの１回、２回、又は３回の処置を行うことができる。同様に、２回の後続する処置の間の１回の休止は、１週間、２週間、又は３週間とすることができる。

処置中に患者に適用されるＲＦ処置及び磁気処置のエネルギー束密度の合計は、０．０３ｍＷ／ｍｍ^２～１．２Ｗ／ｍｍ^２の範囲、又は０．０５ｍＷ／ｍｍ^２～０．９Ｗ／ｍｍ^２の範囲、又は０．０１ｍＷ／ｍｍ^２～０．６５Ｗ／ｍｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。ＲＦ処置及びアクティブ磁気処置の同時適用中の磁気処置のエネルギー束密度の部分は、処置時間の１％～７０％、３％～５０％、５％～３０％、又は１％～２０％の範囲内にあるものとすることができる。

１つのＲＦ電極によって提供されるＲＦエネルギー（すなわち、ＲＦ場）の電力出力は、０．００５Ｗ～３５０Ｗ、又は０．１Ｗ～２００Ｗ、又は０．１Ｗ～１５０Ｗの範囲内にあるものとすることができる。

図２１は、処置デバイスによって提供するとともに、磁場又は磁場とＲＦ場との組み合わせの適用によって達成することができる異なるタイプの筋肉収縮を示す。筋肉収縮は、エネルギー消費、及び、筋肉ターゲット設定、例えば、筋肉強化、筋肉体積増加／減少、筋持久力、筋肉弛緩、筋肉のウォーミングアップ、及び／又は他の効果において異なり得る。縦軸は筋肉収縮の強度を示すことができ、横軸は時間を示すことができる。矢印は、患者の筋肉に印加される磁気インパルス及び／又はパルスを示すことができる。

例えば、１Ｈｚ～１５Ｈｚの範囲内の時変性磁場パルスの低い反復レートは、単収縮を引き起こすことができる。低い反復レートは、処置される筋肉が完全に弛緩することを可能にするのに十分に低いものとすることができる。処置される筋肉のエネルギー消費は、低い反復レートのため、低いものとすることができる。しかしながら、低い反復レートは、例えば、２つの収縮の間に筋肉の積極的弛緩（active relaxation）を引き起こすことができる。

時変性磁場パルスの中間反復レートは不完全強縮性筋肉収縮を引き起こすことができ、中間反復レートは１５Ｈｚ～２９Ｈｚの範囲内にあるものとすることができる。不完全強縮性筋肉収縮は、１０Ｈｚ～３０Ｈｚの範囲内の反復レートによって規定することができる。筋肉は完全に弛緩することができない。筋肉は部分的に弛緩することができる。筋肉収縮強度は、一定の磁束密度が印加される状態で増加することができる。

時変性磁場パルスの高い反復レートは完全強縮性筋肉収縮を引き起こすことができる。高い反復レートは、例えば、３０Ｈｚ～１５０Ｈｚ、又は３０Ｈｚ～９０Ｈｚ、又は３０Ｈｚ～６０Ｈｚの範囲内にあるものとすることができる。完全強縮性筋肉収縮は、最強の過最大筋肉収縮を引き起こすことができる。過最大筋肉収縮は意志的（volitional）筋肉収縮より強いものとすることができる。エネルギー消費はより大きいものとすることができる。強化効果を改善することができる。さらに、少なくとも３０Ｈｚの反復レートにおいて、脂肪細胞の体積及び／又は数を減少することができると思われる。

９０Ｈｚを超える時変性磁場パルスの更に高い反復レートは、異なるレベル又は神経系及び／又は疼痛受容体における疼痛励起伝達（pain excitement transmission）を抑制及び／又は阻止することができる。高い反復レートは、少なくとも１００Ｈｚ、少なくとも１２０Ｈｚ、若しくは少なくとも１４０Ｈｚであり、又は、１００Ｈｚ～２３０Ｈｚ、若しくは１２０Ｈｚ～２００Ｈｚ、若しくは１４０Ｈｚ～１８０Ｈｚの範囲内にあるものとすることができる。患者の筋肉に対する時変性磁場の印加は、疼痛緩和効果（pain relieving effect）を引き起こすことができる。

１２０Ｈｚ～３００Ｈｚ、又は１５０Ｈｚ～２５０Ｈｚ、又は１８０Ｈｚ～３５０Ｈｚの範囲内の又は２００Ｈｚよりも高い時変性磁場パルスの高い反復レートは、筋肉弛緩効果を引き起こすことができる。

時変性磁場によって引き起こされる筋肉収縮の品質は、筋肉収縮の収縮力、筋肉・腱長、筋肉の相対的短縮、又は筋肉の短縮速度（shortening velocity）等のパラメーターによって特徴付けることができる。

筋肉収縮の収縮力は、少なくとも０．１Ｎ／ｃｍ^２及び最大２５０Ｎ／ｃｍ^２までの収縮力に達することができる。収縮力は、０．５Ｎ／ｃｍ^２～２００Ｎ／ｃｍ^２の範囲内、又は１Ｎ／ｃｍ^２～１５０Ｎ／ｃｍ^２の範囲内、又は２Ｎ／ｃｍ^２～１００Ｎ／ｃｍ^２の範囲内にあるものとすることができる。

筋肉・腱長は、残りの筋肉・腱長の最大６５％までに達することができる。筋肉・腱長は、残りの筋肉・腱長の１％～６５％の範囲内、又は残りの筋肉・腱長の３％～５５％の範囲内、又は残りの筋肉・腱長の５％～５０％の範囲内にあるものとすることができる。

筋肉は、筋肉収縮中に、残りの筋肉長の６０％まで短縮することができる。筋肉短縮は、残りの筋肉長の０．１％～５０％の範囲内、又は残りの筋肉長の０．５％～４０％の範囲内、又は残りの筋肉長の１％～２５％の範囲内にあるものとすることができる。

筋肉は、１０ｃｍ／ｓまでの速度で短縮することができる。筋肉短縮速度は、０．１ｃｍ／ｓ～７．５ｃｍ／ｓの範囲内、又は０．２ｃｍ／ｓ～５ｃｍ／ｓの範囲内、又は０．５ｃｍ／ｓ～３ｃｍ／ｓの範囲内にあるものとすることができる。

時変性磁場は、筋肉収縮による筋肉整形効果を引き起こすために患者に適用することができる。筋肉は、緊張及び／又は体積の増大を得ることができる。筋肉の強度も増加することができる。

ＲＦ処置及び磁気処置による組み合わせ式処置のタイプに関して、処置デバイスは、１回の処置セッション中の種々の期間において異なる処置エネルギー（例えば、ＲＦ場及び磁場）を提供するように構成することができる。ユーザーは、ＨＭＩを通して処置を制御又は調整することができる。ＨＭＩを、マスターユニット及び／又は１つ以上の制御ユニットに結合することができる。また、マスターユニット及び／又は制御ユニットは、処置プロトコル、身体エリア、又はユーザーによって選択される別のオプションに従って、異なる処置エネルギーの適用を制御又は調整することができる。さらに、マスターユニット及び／又は制御ユニットは、上記で述べた任意のセンサーによって提供されるフィードバックに従って異なる処置エネルギーの適用を制御又は調整することができる。したがって、マスターユニット及び／又は１つ以上の制御ユニットは、１回の処置セッション中の種々の期間において処置及び処置エネルギー（例えば、ＲＦ処置及び磁気処置）の提供を制御又は調整することができる。磁気処置及びＲＦ処置の示す全てのタイプの適用を、処置デバイスが提供することができる。

磁気処置とＲＦ処置との１つのタイプの組み合わせ式適用は同時適用とすることができる。同時適用中に、磁気処置及びＲＦ処置はともに、処置セッションの全体又はほとんどの間、同じ時間に適用することができる。１つの例において、同時適用は、連続するＲＦ場の適用を伴う磁場の１つ以上のセクションの適用によって達成することができる。別の例において、パルス状磁気処置は、継続的ＲＦ処置中に適用することができる。更に別の例において、同時適用は、例えば、磁気パルスの１つ又は２つの長い列と一緒のＲＦ処置の継続的適用によって達成することができる。そうした場合、磁気パルスの長い列は、１Ｈｚ～１５Ｈｚ又は１Ｈｚ～１０Ｈｚの範囲内の値の反復レートを有する磁気パルスを含むべきである。１つ又は２つの長い磁気列のみが、処置セッション全体のために使用される場合、そのような列の列継続時間は、５ｓ～９０分、又は１０ｓ～８０分、又は１５分～４５分の範囲内にあるものとすることができる。

同時ＲＦ処置を伴う又はその間の時変性磁場によって引き起こされる筋肉収縮は、影響を受けるより多くの筋肉線維を含むことができる。また、ターゲット設定された生物学的構造（例えば、筋肉）は、同時ＲＦ処置がない状況と比較して、磁場のより低い印加磁束密度によってより収縮することができる。

同じ身体エリア内へのＲＦ処置と磁気処置との同時適用は、ＲＦ処置によって生じる熱の消散を改善することができる。この効果は、処置される身体エリア内での又は処置されるエリアの近傍での血液循環の増大に基づく。また、誘起される筋肉仕事は、ＲＦ場によって誘起され提供される加熱の均一性及び熱の消散を改善することができる。

磁気処置とＲＦ処置との別のタイプの組み合わせ式適用は分離適用とすることができる。分離適用中に、磁気処置及びＲＦ処置をともに、処置セッション中の異なる時間に適用することができる（正：may be applied）。ＲＦ処置を、磁気処置の（正：of）、磁気包絡線、バースト、列、パルス、及び／又はインパルスの前に、その後に、及び／又はその間に提供することができる。

磁気処置が適用される時間とＲＦ処置が適用される時間との間の比は、０．２％～８０％、又は２％～６０％、又は５％～５０％、又は２０％～６０％の範囲内にあるものとすることができる。この計算についての適用される磁気処置の時間は、処置中の全てのパルス継続時間の合計である。

磁気処置とＲＦ処置との別のタイプの組み合わせ式適用は依存適用（dependent application）とすることができる。１つの処置エネルギーの適用は、別の処置エネルギーの開始又は１つ以上の処置パラメーターに依存するものとすることができる。依存適用は、１つ以上のセンサーからのフィードバックに応じて開始又は調節することができる。例えば、ＲＦ処置の適用の開始は、磁気処置の開始、又は、列、バースト、及び／又は包絡線の開始に依存するものとすることができる。筋肉仕事（筋肉収縮及び／又は筋肉弛緩を含む）によって提供される熱消散が提供されないとき、過熱によって引き起こされる望ましくない組織損傷の健康リスクが起こる場合がある。別の例において、磁気処置の適用の開始は、ＲＦ処置の開始、継続時間、又は強度に依存するものとすることができる。磁気処置は、好ましくは、生物学的構造が十分に加熱された後に開始することができる。少なくとも部分的な筋肉収縮又は筋肉収縮を提供する磁気処置は、血流及びリンパ流を改善するとともに、隣接組織のマッサージを提供することができ、また、ＲＦ処置によって患者の身体内に誘起される熱のより良好な再分配を提供する。

処置プロトコルは、２つ以上の処置セクションに分割することができる。処置セクションの数は、１つのプロトコルについて２個～５０個、又は２個～３０個、又は２個～１５個の範囲内にあるものとすることができる。

処置プロトコルの各処置セクションは、上述したように、異なる処置パラメーター、及び／又は、磁気処置及びＲＦ処置の組み合わせ式処置のタイプを含むことができる。

１つの処置セクションは、セクション時間の間、続くことができ、セクション時間は、１０ｓ～３０分、又は１５ｓ～２５分、又は２０ｓ～２０分の範囲内にあるものとすることができる。異なるセクションは、１つ以上の処置される生物学的構造、例えば、筋肉及び脂肪組織において異なる処置効果を有することができる。例えば、１つの処置セクションは、筋肉収縮が強くかつ多数回のそのような収縮が提供される高い強度の筋肉運動を提供することができ、高いエネルギー束密度を有する高い反復レートの磁気パルスを１つの処置セクション中に使用することができる。別の処置セクションは、筋肉弛緩効果を有することができ、低い及び／又は高い反復レートの磁気パルスを使用することができ、及び／又は、磁場の低い磁束密度も使用することができる。

処置プロトコルは、処置デバイスの制御システムによって指令又は制御される、ＲＦ処置の電力出力の異なる設定を含むことができる。１つの設定は、処置プロトコル中の電力出力を同じとすることができる一定電力出力とすることができる。別の設定は、ＲＦ処置の振動性電力出力とすることができる。ＲＦ処置の電力出力は、所定の電力出力の０．１％～５％の範囲内の電力出力の所定の値の周りで振動する場合がある。更に別の設定は、ＲＦ処置の電力出力が処置プロトコル中に変動する、ＲＦエネルギーの変動性電力出力とすることができる。ＲＦ処置の電力出力の変動を、１つ以上の電力出力変動ステップで提供することができ、１つの電力出力変動ステップは、１つ以上のＲＦ電極によって適用されるＲＦ処置の電力出力の値の１つの変化を含むことができる。電力出力変動ステップ中の１つの値から別の値へのＲＦ処置の電力出力の変化は、０．１Ｗ～５０Ｗ、又は０．１Ｗ～３０Ｗ、又は０．１Ｗ～２０Ｗの範囲内にあるものとすることができる。電力出力変動ステップは、０．１ｓ～１０ｍｉｎ又は０．１ｓ～５ｍｉｎの範囲内の継続時間を有することができる。

ＲＦエネルギーの電力出力の変動に関して、ＲＦエネルギーの電力出力は、処置プロトコルの異なる期間の間に異なる値を有することができる。したがって、ＲＦ処置は、第１の期間中に電力出力の異なる値を有し、それに続いて、ＲＦ処置の電力出力の異なる値を有する第２の期間が後続する電力出力変動ステップが起こることができる。ＲＦ処置の電力出力の１つの値を有する第１の期間は、１ｓ～１５ｍｉｎ又は１０ｓ～１０ｍｉｎの範囲内にあるものとすることができる。ＲＦ処置の電力出力の別の値を有する第２の期間は、１ｓ～４５ｍｉｎ、又は４ｓ～５９ｍｉｎ、又は５ｓ～３５ｍｉｎの範囲内にあるものとすることができる。例えば、ＲＦ処置は、第１の時間の間、約２０Ｗ、また、第２の期間の間、１０Ｗの電力出力の値を有することができる。

第１の例示的な処置プロトコルは２つの処置セクションを含むことができる。第１の処置セクションは、磁気パルスの包絡線を含むことができ、包絡線は、１Ｈｚ～１０Ｈｚの範囲内の反復レートを有するパルスを含むことができる。第１の処置セクションの包絡線は、矩形又は台形形状を有することができる。第１の処置セクションの継続時間は、３分～１５分とすることができる。第２の処置セクションは、磁気パルスの包絡線を含むことができ、包絡線は、１５Ｈｚ～４５Ｈｚの範囲内の反復レートを有するパルスを含むことができる。第２の処置セクションの包絡線は、矩形又は台形形状を有することができる。第１の処置セクションの継続時間は、３分～１５分とすることができる。処置セクションを、次々に反復することができる。ＲＦ処置は、処置プロトコル全体の間に連続して適用することができる。ＲＦ処置は、１つ又は２つの電力出力変動ステップを含むことができる。

第２の例示的な処置プロトコルは３つの処置セクションを含むことができる。第１の処置セクションは、磁気パルスの包絡線を含むことができ、包絡線は、５Ｈｚ～５０Ｈｚの範囲内の反復レートを有するパルスを含むことができる。第１の処置セクションの包絡線は、矩形又は台形形状を有することができる。第１の処置セクションの継続時間は、３分～１５分とすることができる。第２の処置セクションは、磁気パルスの包絡線を含むことができ、包絡線は、１５Ｈｚ～４５Ｈｚの範囲内の反復レートを有するパルスを含むことができる。第２の処置セクションの包絡線は、矩形又は台形形状を有することができる。第１の処置セクションの継続時間は、３分～１５分とすることができる。第３の処置セクションは、磁気パルスの包絡線を含むことができ、包絡線は、１０Ｈｚ～４０Ｈｚの範囲内の反復レートを有するパルスを含むことができる。第３の処置セクションの包絡線は、矩形又は台形形状を有することができる。第３の処置セクションの継続時間は、３分～１５分とすることができる。処置セクションを、次々に反復することができる。ＲＦ処置は、処置プロトコル全体の間に連続して適用することができる。ＲＦ処置は、１つ又は２つの電力出力変動ステップを含むことができる。１つの電力出力変動ステップを、処置プロトコルの開始後、１分又は２０分の範囲内で始動することができる。１つの例において、１つの電力出力変動ステップを、処置プロトコルの開始後、３分で始動することができる。

例、実施形態、及び方法の全てを、別々に又は任意の組み合わせで使用することができる。

新規なシステム及び方法が述べられた。本発明は、最も広い意味で解釈されるべきであり、したがって、もちろん、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、種々の変更及び置換を行うことができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物による以外、制限されるべきでない。

略語のリストは図１７、図１８、及び図１８ａに関連する。（Ａ／Ｂ）は、リストのそれぞれの要素をそれぞれの文字で示すことができることを意味する。例えば、ＥＳＤ（Ａ／Ｂ）は、ＥＳＤ Ａ及び／又はＥＳＤ Ｂが少なくとも１つの図において示されることを意味する。

ＰＳ 電力源
ＥＳＤ（Ａ／Ｂ） エネルギー貯蔵デバイス
ＳＷ（Ａ／Ｂ） スイッチ
ＨＩＦＥＭ（Ａ／Ｂ） 磁気処置のための処置クラスター
ＭＦＧＤ（Ａ／Ｂ） 磁場発生デバイス
ＣＵＭ（Ａ／Ｂ） 磁気回路の制御ユニット
ＡＰＳ ＲＦ ＲＦ回路の補助電力源
ＰＵ 電力ユニット
ＳＰＳＲＦ ＲＦ回路の定常電力源
ＰＮＦＬＴ 電力ネットワークフィルター
ＰＳＲＦ ＲＦ処置のための電力源
ＲＦ（Ａ／Ｂ） ＲＦ処置のための処置クラスター
ＳＹＭ（Ａ／Ｂ） 対称化素子
ＡＰ（Ａ／Ｂ） アプリケーター
ＲＦＥ（Ａ／Ｂ） ＲＦ電極
ＡＰＳ（Ａ／Ｂ） 補助電力源
ＰＳＭ 磁気処置のための電力源
ＢＰＳ（Ａ／Ｂ） ボード電力源
ＳＰＳＭ 磁気回路の定常電力源
ＰＮ 電力ネットワーク
ＰＦ パルスフィルター
ＳＥ 安全素子
ＰＡ 電力増幅器
ＣＵＲＦ ＲＦ回路の制御ユニット

Claims (24)

1. 患者の身体エリアに対して磁気処置及び無線周波数処置を提供する処置デバイスであって、
   電気エネルギーを貯蔵するエネルギー貯蔵デバイスと、
   磁場発生デバイスと、
   時変性磁場が生成され、前記患者の前記身体エリア内の筋肉の収縮を引き起こすように、前記エネルギー貯蔵デバイスから前記磁場発生デバイスに前記電気エネルギーを放電するように構成されたスイッチングデバイスであって、前記時変性磁場は、０．１Ｔ～７Ｔの範囲内の磁束密度及び１Ｈｚ～７００Ｈｚの範囲内の反復レートを有する、スイッチングデバイスと、
   複数の開口を有する無線周波数電極であって、前記時変性磁場によって引き起こされる該無線周波数電極内の渦電流の誘起が最小にされるように構成され、該無線周波数電極は、前記患者の前記身体エリア内の組織の温度を増加させるように無線周波数の電磁波を生成するように構成される、無線周波数電極と、
   を備え、前記無線周波数電極の周長と該無線周波数電極の面積との比は、１５０ｍ^－１～２００００ｍ^－１の範囲内である、デバイス。
2. 前記磁場発生デバイスと前記無線周波数電極との間の最短距離は、０．１ｍｍ～１００ｍｍの範囲内である、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記磁場発生デバイス及び前記無線周波数電極は、電気絶縁性材料によって分離される、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記磁場発生デバイスは、空気コアを更に備える、請求項３に記載のデバイス。
5. 前記複数の開口は、前記患者の前記身体エリアと前記磁場発生デバイスとの間に位置し、前記患者の前記身体エリアと前記磁場発生デバイスとの間に位置する開口の数は、１０個～６００個の範囲内である、請求項１に記載のデバイス。
6. 前記複数の開口は、前記複数の開口のそれぞれの開口部に充填される電気絶縁性材料又は誘電体材料を含む、請求項５に記載のデバイス。
7. 前記複数の開口における開口に１つの円が仮想的に内接するときに、前記円の最大直径は、０．０１ｍｍ～１０ｍｍの範囲内である、請求項４に記載のデバイス。
8. 前記処置中に前記無線周波数電極の表面上で測定される磁束密度は、０．１Ｔ～５Ｔの範囲内である、請求項４に記載のデバイス。
9. 患者の身体エリアに対して磁気処置及び無線周波数処置を提供するデバイスであって、
   電気エネルギーを貯蔵するエネルギー貯蔵デバイスと、
   磁場発生デバイスと、
   無線周波数電極であって、該無線周波数電極の導電性エリア内に複数の切り欠き部を備え、該無線周波数電極は、前記患者の組織の温度を増加させるように無線周波数の電磁波を生成するように構成され、前記切り欠き部は２つの突出部との間に一定の距離を作成することができ、２つの突出部の間の最短距離は、０．１ｍｍ～５０ｍｍの範囲内である、無線周波数電極と、
   前記磁場発生デバイスに、前記患者の前記身体エリア内の筋肉の収縮を引き起こす、０．１Ｔ～７Ｔの範囲内の磁束密度及び１Ｈｚ～７００Ｈｚの範囲内の反復レートを有する時変性磁場を生成させるように構成された制御システムと、
   を備え、
   前記制御システムは、前記無線周波数電極に、前記患者の組織の温度を増加させるように前記無線周波数の電磁波を生成させるように構成される、デバイス。
10. 前記複数の切り欠き部における切り欠き部の数は、１０個～６００個の範囲内である、請求項９に記載のデバイス。
11. 前記磁気処置中に前記複数の切り欠き部上で測定される磁束密度は、０．１Ｔ～５Ｔの範囲内である、請求項１０に記載のデバイス。
12. 前記無線周波数電極は、バイポーラ無線周波数電極である、請求項９に記載のデバイス。
13. 前記磁場発生デバイスは、空気コアを有する平坦コイルを更に備える、請求項１２に記載のデバイス。
14. 前記無線周波数電極の周長と該無線周波数電極の面積との比は、１５０ｍ^－１～２００００ｍ^－１の範囲内である、請求項９に記載のデバイス。
15. 前記複数の切り欠き部は、前記複数の切り欠き部のそれぞれの切り欠き部に充填される電気絶縁性材料又は誘電体材料を含む、請求項１４に記載のデバイス。
16. 前記デバイスは、アプリケーターを更に備え、前記磁場発生デバイス及び前記無線周波数電極は、該アプリケーター内に配置される、請求項９に記載のデバイス。
17. 患者の身体エリアに対して磁気処置及び無線周波数処置を提供する処置デバイスであって、
    電気エネルギーを貯蔵するエネルギー貯蔵デバイスと、
    磁場発生デバイスと、
    前記患者の前記身体エリア内の筋肉を収縮させるように、０．１Ｔ～７Ｔの範囲内の磁束密度及び１Ｈｚ～７００Ｈｚの範囲内の反復レートを含む時変性磁場を生成するために、前記エネルギー貯蔵デバイスから前記磁場発生デバイスに前記電気エネルギーを放電するように構成されたスイッチングデバイスと、
    アプリケーターであって、
    ケーシングと、
    前記アプリケーターの前記ケーシング内に収容された前記磁場発生デバイスと、
    前記磁場発生デバイスと、前記患者の前記身体エリアとの間に配設された無線周波数電極であって、該無線周波数電極は、互いに分離された複数の突出部を備える導電性表面を備え、該無線周波数電極は、前記身体エリアにおける組織の温度を増加させるように無線周波数の電磁波を生成するように構成される、無線周波数電極と、
    を備える、前記アプリケーターと、
    を備える、デバイス。
18. 前記磁場発生デバイスは、空気コアを有する平坦コイルを更に備える、請求項１７に記載のデバイス。
19. 前記無線周波数電極は、バイポーラ無線周波数電極である、請求項１８に記載のデバイス。
20. 前記複数の突出部は、前記磁場発生デバイスの下に位置し、該複数の突出部における突出部の数は、１０個～６００個の範囲内である、請求項１７に記載のデバイス。
21. 前記磁気処置中に前記複数の突出部上で測定される磁束密度は、０．１Ｔ～５Ｔの範囲内である、請求項２０に記載のデバイス。
22. 前記複数の突出部は、第１の突出部及び第２の突出部を含み、該第１の突出部及び該第２の突出部は、互いに平行である、請求項２１に記載のデバイス。
23. 前記磁場発生デバイスと前記無線周波数電極との間の最短距離は、０．１ｍｍ～１００ｍｍの範囲内である、請求項２２に記載のデバイス。
24. 前記無線周波数電極は、バイポーラ無線周波数電極である、請求項１７に記載のデバイス。

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