JP5698496B2 - 発光チップ、ledパッケージ、液晶ディスプレイ用バックライト、液晶ディスプレイおよび照明 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 72
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
に形成され、他の一方が下部面に形成された垂直型構造のチップダイと、チップダイを搭
載したサブマウントと、チップダイの上部面に形成され、蛍光物質を有する樹脂層と、チ
ップダイの上部面に形成されるバンプとを備え、樹脂層およびバンプは、バンプの少なく
とも一部が露出するまで一緒に研磨処理されることにより形成され、前記サブマウントの側面と前記樹脂層の側面は実質的に同一平面をなし、前記同一平面は前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程によって得られ、これにより、前記側面に位置した樹脂層部分が均一な厚さを有する発光チップを提供する。
図2(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)は、本発明によるチップコーティング型LEDパッケージを図示した製造工程図で、図3は本発明によるチップコーティング型LEDパッケージの第1実施例を図示した斜視図である。
11、130 パッケージ本体
12、121 リードフレーム
15、125 金属ワイヤ
14、110 発光チップ
17 透明樹脂部
101 チップダイ
102 バンプボール
103 樹脂層
104 サブマウント
120 電極部
122 電極パターン
131 基板
132 金属シャシー
133 配置孔
135 反射部
C キャビティ
L レンズ
W ウェーハ
Claims (18)
- P極またはN極のいずれか一方が上部面に形成され、他の一方が下部面に形成された垂直型構造のチップダイと、
前記チップダイの下部面がダイアタッチング(die attaching)された上面を有するサブマウントと、
前記チップダイの上部面に形成され、蛍光物質を有する樹脂層と、
前記チップダイの上部面に形成されるバンプと、を備え、
前記樹脂層および前記バンプは、前記バンプの少なくとも一部が露出するまで一緒に研磨処理されることにより形成され、前記サブマウントの側面と前記樹脂層の側面は実質的に同一平面をなし、前記同一平面は前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程によって得られ、これにより、前記側面において樹脂層部分が均一な厚さを有し、
前記樹脂層は、前記チップダイの前記サブマウントと接する面以外の外部面を均一に覆い、
前記樹脂層と前記サブマウントを一緒に切断する工程は、
a)複数個の前記チップダイがウェーハ上に一定間隔を置いてダイアタッチング方式で搭載される段階と、
b)前記チップダイの上部面に少なくとも一つの前記バンプを具備する段階と、
c)前記バンプを含む前記チップダイが前記樹脂層で覆われるよう前記ウェーハ上に前記樹脂層を形成する段階と、
d)前記バンプが外部へ露出するよう前記樹脂層の上部面を研磨する段階と、
e)前記チップダイと隣接するチップダイとの間に所定の間隔で形成された縦、横の切断線に沿って切断される段階と、を意味することを特徴とする発光チップ。 - 前記バンプは、前記チップダイの上部面の中央部に形成されている請求項1に記載の発光チップ。
- 請求項1又は2に記載の発光チップと、
前記バンプに接続された金属ワイヤと、
前記金属ワイヤにより、前記バンプと電気的に接続された電極部が設けられたパッケージ本体とを備えるLEDパッケージ。 - 前記電極部は、前記パッケージ本体に一体で設けられるリードフレームである請求項3に記載のLEDパッケージ。
- 前記パッケージ本体は、キャビティを有する樹脂構造物であり、
前記パッケージ本体は、前記キャビティにキャビティ電極を有し、
前記発光チップが、前記キャビティ電極上に搭載された請求項3または4に記載のLEDパッケージ。 - 前記パッケージ本体が、射出成形された請求項5に記載のLEDパッケージ。
- 前記パッケージ本体の前記キャビティ内に、前記電極部が設けられている請求項5または6に記載のLEDパッケージ。
- 前記キャビティの内部面に、前記発光チップから発生した光を反射させる反射部を有する請求項5乃至7のいずれか一項に記載のLEDパッケージ。
- 前記キャビティに設けられた透明な樹脂材から成る充填剤と、
前記パッケージ本体の上部に設けられたレンズとをさらに備える請求項5乃至8のいずれか一項に記載のLEDパッケージ。 - 前記電極部は、パターン印刷により形成されている請求項3に記載のLEDパッケージ。
- 前記発光チップを搭載する金属シャシーをさらに備える請求項3または10に記載のLEDパッケージ。
- 前記金属シャシーに搭載された前記発光チップを外部へ露出する配置孔を有する基板をさらに備える請求項11に記載のLEDパッケージ。
- 前記電極部が前記配置孔を有する基板の上部面にパターン印刷されている請求項12に記載のLEDパッケージ。
- 前記配置孔の内部面には、前記発光チップから発生した光を反射させる反射部を有する請求項12または13に記載のLEDパッケージ。
- 前記配置孔に設けられた透明な樹脂材から成る充填剤と、
前記パッケージ本体の上部に設けられたレンズと、をさらに備える請求項12乃至14のいずれか一項に記載のLEDパッケージ。 - 請求項3乃至15のいずれか一項に記載のLEDパッケージを備える液晶ディスプレイ用バックライト。
- 請求項16に記載の液晶ディスプレイ用バックライトを備える液晶ディスプレイ。
- 請求項3乃至15のいずれか一項に記載のLEDパッケージを備える照明。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0002829 | 2006-01-10 | ||
KR1020060002829A KR100723247B1 (ko) | 2006-01-10 | 2006-01-10 | 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007001964A Division JP4791381B2 (ja) | 2006-01-10 | 2007-01-10 | 発光デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012180199A Division JP5505745B2 (ja) | 2006-01-10 | 2012-08-15 | チップコーティング型ledパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029665A JP2011029665A (ja) | 2011-02-10 |
JP5698496B2 true JP5698496B2 (ja) | 2015-04-08 |
Family
ID=38231946
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007001964A Active JP4791381B2 (ja) | 2006-01-10 | 2007-01-10 | 発光デバイスの製造方法 |
JP2010240608A Active JP5698496B2 (ja) | 2006-01-10 | 2010-10-27 | 発光チップ、ledパッケージ、液晶ディスプレイ用バックライト、液晶ディスプレイおよび照明 |
JP2012180199A Active JP5505745B2 (ja) | 2006-01-10 | 2012-08-15 | チップコーティング型ledパッケージ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007001964A Active JP4791381B2 (ja) | 2006-01-10 | 2007-01-10 | 発光デバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012180199A Active JP5505745B2 (ja) | 2006-01-10 | 2012-08-15 | チップコーティング型ledパッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7714342B2 (ja) |
JP (3) | JP4791381B2 (ja) |
KR (1) | KR100723247B1 (ja) |
Families Citing this family (434)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
KR100587020B1 (ko) | 2004-09-01 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드용 패키지 |
KR101161383B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법 |
KR100764386B1 (ko) | 2006-03-20 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법 |
KR100809210B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US7943952B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
US20100224890A1 (en) * | 2006-09-18 | 2010-09-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode chip with electrical insulation element |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
JP4228012B2 (ja) | 2006-12-20 | 2009-02-25 | Necライティング株式会社 | 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子 |
US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US8232564B2 (en) * | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
JP2008187030A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置 |
US8021904B2 (en) * | 2007-02-01 | 2011-09-20 | Cree, Inc. | Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN |
US8049323B2 (en) * | 2007-02-16 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip holder with wafer level redistribution layer |
TW200837974A (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-16 | Touch Micro System Tech | Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof |
US8232563B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-07-31 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
US10505083B2 (en) | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
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-
2006
- 2006-01-10 KR KR1020060002829A patent/KR100723247B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-01-10 US US11/651,524 patent/US7714342B2/en active Active
- 2007-01-10 JP JP2007001964A patent/JP4791381B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-08 US US12/684,578 patent/US7795052B2/en active Active
- 2010-01-08 US US12/684,614 patent/US8013352B2/en active Active
- 2010-07-23 US US12/842,493 patent/US8324646B2/en active Active
- 2010-10-27 JP JP2010240608A patent/JP5698496B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-15 JP JP2012180199A patent/JP5505745B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100723247B1 (ko) | 2007-05-29 |
US20100112735A1 (en) | 2010-05-06 |
US7795052B2 (en) | 2010-09-14 |
US8013352B2 (en) | 2011-09-06 |
US20070158669A1 (en) | 2007-07-12 |
US7714342B2 (en) | 2010-05-11 |
JP2011029665A (ja) | 2011-02-10 |
US20100109040A1 (en) | 2010-05-06 |
JP5505745B2 (ja) | 2014-05-28 |
JP2007189225A (ja) | 2007-07-26 |
US8324646B2 (en) | 2012-12-04 |
US20100289051A1 (en) | 2010-11-18 |
JP2013012753A (ja) | 2013-01-17 |
JP4791381B2 (ja) | 2011-10-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120516 |
|
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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