JP3413393B2 - ダイオードの製造方法 - Google Patents
ダイオードの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオードの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面にのりをはり付けて封装されている
従来の低効率のダイオードは柱状（または管状）が主で
あって、柱状ダイオード封装（ＭＥＬＦ（ＭＥＴＡＬ
ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ ＬＥＡＤＬＥＳＳ ＦＡＣＥ）：
金属電極導線なし面）である。
従来の低効率のダイオードは柱状（または管状）が主で
あって、柱状ダイオード封装（ＭＥＬＦ（ＭＥＴＡＬ
ＥＬＥＣＴＲＯＤＥ ＬＥＡＤＬＥＳＳ ＦＡＣＥ）：
金属電極導線なし面）である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の封装方法には次の欠点がある。 (1)機械式の部品の取得、放置、貼付および熔接などの
製造過程が容易でなく、生産効率が低く、大量生産が困
難である。 (2)特に柱状ダイオードの封装においては、熱膨張係数
の問題があり、すなわち電気回路基板の熱膨張係数と合
致せず、電気回路板の熔接のときにダイオードの部品を
断裂させたり接触不良のためにオフにしたりし、製品の
信頼性が不良である。
従来の封装方法には次の欠点がある。 (1)機械式の部品の取得、放置、貼付および熔接などの
製造過程が容易でなく、生産効率が低く、大量生産が困
難である。 (2)特に柱状ダイオードの封装においては、熱膨張係数
の問題があり、すなわち電気回路基板の熱膨張係数と合
致せず、電気回路板の熔接のときにダイオードの部品を
断裂させたり接触不良のためにオフにしたりし、製品の
信頼性が不良である。
【０００４】したがって、本発明の目的は、従来のダイ
オードの製造過程上の欠点を改良してダイオードを大量
に生産し、その生産コストを切り下げることができるダ
イオードの製造方法を提供することにある。
オードの製造過程上の欠点を改良してダイオードを大量
に生産し、その生産コストを切り下げることができるダ
イオードの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めの本発明のダイオードの製造方法は、その手段とし
て、磁器基板に多数の縦横の切り溝を作って数百個の単
位体を形成し、磁器基板の各単位体に下層導体を付設
し、印刷による抵抗体とダイオードの結晶粒とを磁器基
板の上にはり付ける。さらに、磁器基板の上に密封材を
塗粧し、加工して結晶粒の頂端の突起を露出させる。次
に、結晶粒の頂端の突起の上に印刷またはメッキにより
上層導体を形成してその上層導体を各単位体の周縁と連
接し、磁器基板の砕け易いという性質を利用して條状体
に折り裂き、その側面にターミナルを形成したあと焼い
て成形し、再び砕け易い性質を利用して自動構造で條状
体を複数の単位体に折り裂く。さらに、錫熔接可能な金
属をターミナル表面に付設して、電気性能をテストした
あと包装する。この方法により、信頼性が高く安いコス
トのダイオードを製造することができる。
めの本発明のダイオードの製造方法は、その手段とし
て、磁器基板に多数の縦横の切り溝を作って数百個の単
位体を形成し、磁器基板の各単位体に下層導体を付設
し、印刷による抵抗体とダイオードの結晶粒とを磁器基
板の上にはり付ける。さらに、磁器基板の上に密封材を
塗粧し、加工して結晶粒の頂端の突起を露出させる。次
に、結晶粒の頂端の突起の上に印刷またはメッキにより
上層導体を形成してその上層導体を各単位体の周縁と連
接し、磁器基板の砕け易いという性質を利用して條状体
に折り裂き、その側面にターミナルを形成したあと焼い
て成形し、再び砕け易い性質を利用して自動構造で條状
体を複数の単位体に折り裂く。さらに、錫熔接可能な金
属をターミナル表面に付設して、電気性能をテストした
あと包装する。この方法により、信頼性が高く安いコス
トのダイオードを製造することができる。
【０００６】本発明の製造方法により製造されるダイオ
ードは、柱状ではなく片体であって、普通のダイオード
として使用できる他、抵抗器、コンデンサまたはセンサ
として使用でき、必要により多種の組み合わせにするこ
とができるうえに数個のダイオードを整列させた組体に
することができる。
ードは、柱状ではなく片体であって、普通のダイオード
として使用できる他、抵抗器、コンデンサまたはセンサ
として使用でき、必要により多種の組み合わせにするこ
とができるうえに数個のダイオードを整列させた組体に
することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。本発明の一実施例による磁器基板と結
晶粒結構のダイオードの製造方法は、図１に示す流れ作
業過程を含み、全部で１６段階の過程がある。第１段階
としては、図２および図３に示すように、磁器基板１に
多数のＶ字形の切り溝１１を設けて数百個の単位体を形
成する。この切り溝は基板１を折って裂くために形成さ
れ、折って裂いたあと、その側面の比較的大きい面積を
導体として使用できる。
づいて説明する。本発明の一実施例による磁器基板と結
晶粒結構のダイオードの製造方法は、図１に示す流れ作
業過程を含み、全部で１６段階の過程がある。第１段階
としては、図２および図３に示すように、磁器基板１に
多数のＶ字形の切り溝１１を設けて数百個の単位体を形
成する。この切り溝は基板１を折って裂くために形成さ
れ、折って裂いたあと、その側面の比較的大きい面積を
導体として使用できる。
【０００８】第２段階では、図４および図５に示すよう
に、印刷による導体クリームあるいは蒸しメッキにより
基板１の中の各単位体の表面に下層導体２を形成する。
第３段階としては、図６および図７に示すように、基板
１の各単位体の下層導体２の間に印刷によるかまたはメ
ッキにより、適当な抵抗値を有する抵抗体３を設ける。
に、印刷による導体クリームあるいは蒸しメッキにより
基板１の中の各単位体の表面に下層導体２を形成する。
第３段階としては、図６および図７に示すように、基板
１の各単位体の下層導体２の間に印刷によるかまたはメ
ッキにより、適当な抵抗値を有する抵抗体３を設ける。
【０００９】第４段階では、図８および図９に示すよう
に、抵抗体３の表面に保護材４を被覆し、抵抗体３を保
護する他、次の過程のラジウム照射による修正を便利に
する。第５段階としては、図１０および図１１に示すよ
うに、もし印刷した抵抗体３の抵抗値が予定した値と誤
差があるときは、ラジウム照射により抵抗値３を切り取
って欠け口３１を形成し、抵抗値を修正する。
に、抵抗体３の表面に保護材４を被覆し、抵抗体３を保
護する他、次の過程のラジウム照射による修正を便利に
する。第５段階としては、図１０および図１１に示すよ
うに、もし印刷した抵抗体３の抵抗値が予定した値と誤
差があるときは、ラジウム照射により抵抗値３を切り取
って欠け口３１を形成し、抵抗値を修正する。
【００１０】第６段階では、図１２および図１３に示す
ように、導電クリーム５１ならびに結晶粒５（例えばダ
イオード、発光ダイオードなど）の底面５２を下層導体
２に貼付ける。第７段階では、図１４および１５に示す
ように、結晶粒５を保護するためその上に密封材５３を
被覆する。
ように、導電クリーム５１ならびに結晶粒５（例えばダ
イオード、発光ダイオードなど）の底面５２を下層導体
２に貼付ける。第７段階では、図１４および１５に示す
ように、結晶粒５を保護するためその上に密封材５３を
被覆する。
【００１１】第８段階では、図１６および１７に示すよ
うに、研磨、ラジウム照射あるいは化学剤浸食により、
結晶粒５の頂端突起５４を露出させる。第９段階では、
図１８および図１９に示すように、結晶粒５の頂端突起
５４に印刷かあるいは蒸しメッキで導体を形成し、各単
位体の周縁に連接させて上層導体６とする。
うに、研磨、ラジウム照射あるいは化学剤浸食により、
結晶粒５の頂端突起５４を露出させる。第９段階では、
図１８および図１９に示すように、結晶粒５の頂端突起
５４に印刷かあるいは蒸しメッキで導体を形成し、各単
位体の周縁に連接させて上層導体６とする。
【００１２】第１０段階では、図２０および図２１に示
すように、絶縁保護のり７を各単位体の上に被覆する。
第１１段階として、図２２および図２３に示すように、
インキや墨またはラジウム照射彫刻により、その極性と
文字を絶縁保護のりの表面に表示する。第１２段階とし
て、図２４および図２５に示すように、基板１のもろい
性質と切り溝１１とを利用して、自動構造で條状体１２
に折り裂く。
すように、絶縁保護のり７を各単位体の上に被覆する。
第１１段階として、図２２および図２３に示すように、
インキや墨またはラジウム照射彫刻により、その極性と
文字を絶縁保護のりの表面に表示する。第１２段階とし
て、図２４および図２５に示すように、基板１のもろい
性質と切り溝１１とを利用して、自動構造で條状体１２
に折り裂く。
【００１３】第１３段階では、図２６および図２７に示
すように、條状体１２の側面に導電クリームあるいは導
体を付設してターミナル８を形成し、焼いて成形する。
第１４段階としては、図２８および図２９に示すよう
に、基板１自身のもろい性質と切り溝１１とを利用し
て、自動構造で條状体１２を単位体のダイオードに折り
裂く。
すように、條状体１２の側面に導電クリームあるいは導
体を付設してターミナル８を形成し、焼いて成形する。
第１４段階としては、図２８および図２９に示すよう
に、基板１自身のもろい性質と切り溝１１とを利用し
て、自動構造で條状体１２を単位体のダイオードに折り
裂く。
【００１４】第１５段階としては、図３０および図３１
に示すように、錫熔接できる金属８１をターミナル８に
はり付けて、ターミナル表面の酸化を防止し、熔接し易
くさせる。第１６段階では、完成したダイオードの電気
性能をテストして、合格したら包装する。
に示すように、錫熔接できる金属８１をターミナル８に
はり付けて、ターミナル表面の酸化を防止し、熔接し易
くさせる。第１６段階では、完成したダイオードの電気
性能をテストして、合格したら包装する。
【００１５】図３２および図３３に示すように、第６段
階において水平移動式の振動盤９を使用して結晶粒５の
底面５２を正確に下層導体２にはり付ける。振動盤９に
は上が大きく下が小さい階段状孔９１を設け、結晶粒５
の突起５４をその階段状孔９１の下方にはめ、上方には
結晶粒５の本体をはめ、天地を反転して置いているよう
にする。これにより、特定の振動数を利用して、突起５
４が下向きになっている結晶粒５を底面５２が下向きに
なっている結晶粒５より早く移動させ、振動盤９の孔９
１における結晶粒５の底面５２を上向きにさせ、結晶粒
５の底面５２が正確に下層導体２の上にはり付けられる
ようにする。なぜなら、突起５４を有する結晶粒５は、
本体の半導体および突起５４を形成する一種の金属材で
構成され、外観上本体の矩形体と突起５４の半円点とは
組み合っている。材料および外観サイズによる物理特性
の差異、ならびに振動盤が伝送する適当なエネルギーを
利用し、その物理特性が異なることにより結晶性５４を
下向きに配列すると同時に結晶粒５を前方に移動させ、
振動盤の中に入れると、振動盤の中の結晶粒５は皆同じ
方向に配列し、多数の結晶粒５はダイマウンテッド（Di
e Mounted：晶粒粘着剤の名称）ではり付けられる。
階において水平移動式の振動盤９を使用して結晶粒５の
底面５２を正確に下層導体２にはり付ける。振動盤９に
は上が大きく下が小さい階段状孔９１を設け、結晶粒５
の突起５４をその階段状孔９１の下方にはめ、上方には
結晶粒５の本体をはめ、天地を反転して置いているよう
にする。これにより、特定の振動数を利用して、突起５
４が下向きになっている結晶粒５を底面５２が下向きに
なっている結晶粒５より早く移動させ、振動盤９の孔９
１における結晶粒５の底面５２を上向きにさせ、結晶粒
５の底面５２が正確に下層導体２の上にはり付けられる
ようにする。なぜなら、突起５４を有する結晶粒５は、
本体の半導体および突起５４を形成する一種の金属材で
構成され、外観上本体の矩形体と突起５４の半円点とは
組み合っている。材料および外観サイズによる物理特性
の差異、ならびに振動盤が伝送する適当なエネルギーを
利用し、その物理特性が異なることにより結晶性５４を
下向きに配列すると同時に結晶粒５を前方に移動させ、
振動盤の中に入れると、振動盤の中の結晶粒５は皆同じ
方向に配列し、多数の結晶粒５はダイマウンテッド（Di
e Mounted：晶粒粘着剤の名称）ではり付けられる。
【００１６】次に図３４に示すように、製品を軽く薄く
かつ小さくする目的を達成するために、第６段階の過程
を次の過程に変更してもよい。すなわち、導体３２を下
層導体２および保護材料４の上に設け、プリント結晶粒
５を導体３２の上に置く。さらに図３５に示すように、
抵抗体３を使用する必要がなければ、第３段階、第４段
階および第５段階の過程を省き、単独の結晶粒５にす
る。
かつ小さくする目的を達成するために、第６段階の過程
を次の過程に変更してもよい。すなわち、導体３２を下
層導体２および保護材料４の上に設け、プリント結晶粒
５を導体３２の上に置く。さらに図３５に示すように、
抵抗体３を使用する必要がなければ、第３段階、第４段
階および第５段階の過程を省き、単独の結晶粒５にす
る。
【００１７】図３６は、結晶粒５を整列させた状態（ア
レイ（ARRAY））を示し、上述の第３段階、第４段階お
よび第５段階を省略し、第１４段階において條状体１２
を折り裂き、数単位の結晶粒５を整列させたものであ
る。基板１には事前に溝１４を形成しておき、第１３段
階の側面にターミナル８を形成するのを便利にする。さ
らに、単位の結晶粒５はダイオードの他、抵抗器、コン
デンサあるいはセンサとして使用でき、必要により多種
類組合わせられ、かつ整列された数個の結晶粒組を形成
できる。
レイ（ARRAY））を示し、上述の第３段階、第４段階お
よび第５段階を省略し、第１４段階において條状体１２
を折り裂き、数単位の結晶粒５を整列させたものであ
る。基板１には事前に溝１４を形成しておき、第１３段
階の側面にターミナル８を形成するのを便利にする。さ
らに、単位の結晶粒５はダイオードの他、抵抗器、コン
デンサあるいはセンサとして使用でき、必要により多種
類組合わせられ、かつ整列された数個の結晶粒組を形成
できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明には次の効果がある。
(1)目下、大量生産ができる片形ダイオードの唯一の製
造方法である。 (2)製造能率が極めて高く、ただ一台の機械だけで１時
間に約２０万個生産でき、コストが大変低い製品を生産
できる。 (3)本発明の構造およびその製造方法は突破性があり、
競争力が強い。
造方法である。 (2)製造能率が極めて高く、ただ一台の機械だけで１時
間に約２０万個生産でき、コストが大変低い製品を生産
できる。 (3)本発明の構造およびその製造方法は突破性があり、
競争力が強い。
【００１９】(4)生産される製品は信頼度が高く、ダイ
オードの結晶粒の接点には導電物質がはり付けられ、従
来のダイオードが使用するガラス管（金属電極導線なし
面（MELF））でない接触式接点である。 (5)自動化機台で直接クリスタルディスクから結晶粒を
取り基板の上に設置し、あるいは振動盤を利用して一度
に全部の結晶粒を基板の上に整列する。
オードの結晶粒の接点には導電物質がはり付けられ、従
来のダイオードが使用するガラス管（金属電極導線なし
面（MELF））でない接触式接点である。 (5)自動化機台で直接クリスタルディスクから結晶粒を
取り基板の上に設置し、あるいは振動盤を利用して一度
に全部の結晶粒を基板の上に整列する。
【００２０】(6)単一包装で多くの結晶粒を含有し、整
列された結晶粒組体を形成し、結晶粒はダイオード、抵
抗器、コンデンサあるいはセンサとして使用でき、使用
する便利性および効率を増加し、付加価値がさらに高い
製品を生産できる。 (7)同一製造過程において、固定の結晶粒および抵抗体
を包装したものを生産できる。
列された結晶粒組体を形成し、結晶粒はダイオード、抵
抗器、コンデンサあるいはセンサとして使用でき、使用
する便利性および効率を増加し、付加価値がさらに高い
製品を生産できる。 (7)同一製造過程において、固定の結晶粒および抵抗体
を包装したものを生産できる。
【図１】本発明の一実施例によるダイオードの製造方法
の工程図である。
の工程図である。
【図２】本発明の一実施例による切り溝が形成された磁
器基板を示す側面図である。
器基板を示す側面図である。
【図３】本発明の一実施例による切り溝が形成された磁
器基板を示す斜視図である。
器基板を示す斜視図である。
【図４】本発明の一実施例による磁器基板に下層導体が
形成された状態を示す断面図である。
形成された状態を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例による磁器基板に下層導体が
形成された状態を示す上面図である。
形成された状態を示す上面図である。
【図６】本発明の一実施例による下層導体の間に抵抗体
が形成された状態を示す断面図である。
が形成された状態を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施例による下層導体の間に抵抗体
が形成された状態を示す上面図である。
が形成された状態を示す上面図である。
【図８】本発明の一実施例による抵抗体の上に保護材が
形成された状態を示す断面図である。
形成された状態を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施例による抵抗体の上に保護材が
形成された状態を示す上面図である。
形成された状態を示す上面図である。
【図１０】本発明の一実施例による欠け口が形成され抵
抗値が修正された状態を示す断面図である。
抗値が修正された状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施例による欠け口が形成され抵
抗値が修正された状態を示す上面図である。
抗値が修正された状態を示す上面図である。
【図１２】本発明の一実施例による結晶粒が導電クリー
ムではり付けられた状態を示す断面図である。
ムではり付けられた状態を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による結晶粒が導電クリー
ムではり付けられた状態を示す上面図である。
ムではり付けられた状態を示す上面図である。
【図１４】本発明の一実施例による結晶粒を密封材で被
覆した状態を示す断面図である。
覆した状態を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施例による結晶粒を密封材で被
覆した状態を示す上面図である。
覆した状態を示す上面図である。
【図１６】本発明の一実施例による突起を露出させた状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による突起を露出させた状
態を示す上面図である。
態を示す上面図である。
【図１８】本発明の一実施例によるダイオードの突起か
ら各単位の辺縁まで上層導体が形成された状態を示す断
面図である。
ら各単位の辺縁まで上層導体が形成された状態を示す断
面図である。
【図１９】本発明の一実施例によるダイオードの突起か
ら各単位の辺縁まで上層導体が形成された状態を示す上
面図である。
ら各単位の辺縁まで上層導体が形成された状態を示す上
面図である。
【図２０】本発明の一実施例による絶縁保護のりで上面
を被覆した状態を示す断面図である。
を被覆した状態を示す断面図である。
【図２１】本発明の一実施例による絶縁保護のりで上面
を被覆した状態を示す上面図である。
を被覆した状態を示す上面図である。
【図２２】本発明の一実施例による極性と文字が表示さ
れた状態を示す断面図である。
れた状態を示す断面図である。
【図２３】本発明の一実施例による極性と文字が表示さ
れた状態を示す上面図である。
れた状態を示す上面図である。
【図２４】本発明の一実施例による條状体を示す斜視図
である。
である。
【図２５】本発明の一実施例による條状体を示す上面図
である。
である。
【図２６】本発明の一実施例による條状体にターミナル
が形成された状態を示す断面図である。
が形成された状態を示す断面図である。
【図２７】本発明の一実施例による條状体にターミナル
が形成された状態を示す上面図である。
が形成された状態を示す上面図である。
【図２８】本発明の一実施例によるダイオードを示す斜
視図である。
視図である。
【図２９】本発明の一実施例によるダイオードを示す上
面図である。
面図である。
【図３０】本発明の一実施例によるターミナルの表面に
錫熔接可能な金属をはり付けた状態を示す断面図であ
る。
錫熔接可能な金属をはり付けた状態を示す断面図であ
る。
【図３１】本発明の一実施例によるターミナルの表面に
錫熔接可能な金属をはり付けた状態を示す上面図であ
る。
錫熔接可能な金属をはり付けた状態を示す上面図であ
る。
【図３２】本発明の一実施例による振動盤を示す斜視図
である。
である。
【図３３】本発明の一実施例による振動盤の作動状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３４】本発明の別の実施例によるダイオードを示す
断面図である。
断面図である。
【図３５】本発明の別の実施例によるダイオードを示す
断面図である。
断面図である。
【図３６】本発明の別の実施例による複数のダイオード
を配列した部品を示す側面図である。
を配列した部品を示す側面図である。
１ 磁器基板
２ 下層導体
５ 結晶粒
６ 上層導体
７ 絶縁保護のり
８ ターミナル
１１ 切り溝
１２ 條状体
１３ 単位体
５１ 導電クリーム
５３ 密封材
５４ 突起
７１ 極性または文字
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 29/861
H01L 23/48
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (21)
- 【請求項１】 もろい性質を有する磁器基板の上面に複
数の切り溝を縦横に平行に形成し、前記磁器基板を複数
の単位体に分割する段階と、 前記磁器基板の各単位体の表面に下層導体を形成する段
階と、 前記下層導体の上に結晶粒の底面を導電クリームではり
付ける段階と、 前記結晶粒がはり付けられた磁器基板の上面を密封材で
被覆する段階と、 前記結晶粒の頂端の突起を露出させる段階と、 前記結晶粒の突起と連結しかつ前記磁器基板の各単位体
の外周縁と連接するように上層導体を形成する段階と、 前記上層導体の上面を絶縁保護のりで被覆する段階と、 前記絶縁保護のりの表面に極性または文字を表示する段
階と、 前記磁器基板のもろい性質と前記切り溝とを利用し、前
記磁器基板を折り裂いて複数の條状体を形成する段階
と、 前記條状体の側面にターミナルを形成する段階と、 前記磁器基板のもろい性質と前記切り溝とを利用し、前
記條状体を折り裂いて単粒のダイオードを形成する段階
とを含むことを特徴とするダイオードの製造方法。 - 【請求項２】 前記結晶粒は、発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項３】 前記切り溝は、Ｖ字形に形成されること
を特徴とする請求項１記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項４】 前記下層導体は、導体クリームのプリン
トにより形成されることを特徴とする請求項１記載のダ
イオードの製造方法。 - 【請求項５】 前記下層導体は、蒸しメッキにより形成
されることを特徴とする請求項１記載のダイオードの製
造方法。 - 【請求項６】 前記下層導体を形成する段階後に、 所定の抵抗値を有する抵抗体を前記磁器基板の各単位体
における下層導体の間に設置する段階と、 前記抵抗体の表面を保護材で被覆する段階とを含むこと
を特徴とする請求項１記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項７】 前記抵抗体は、プリントにより形成され
ることを特徴とする請求項６記載のダイオードの製造方
法。 - 【請求項８】 前記抵抗体は、蒸しメッキにより形成さ
れることを特徴とする請求項６記載のダイオードの製造
方法。 - 【請求項９】 前記抵抗体は、抵抗値を修正するために
ラジウム照射により欠け口が形成されることを特徴とす
る請求項６記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項１０】 前記下層導体に結晶粒の底面をはり付
ける段階において、孔を有する水平移動式の振動盤を利
用し、所定の振動率で振動して前記突起が下向きになっ
ている結晶粒を前記底面が下向きになっている結晶粒よ
りも早く移動させ、前記孔にはめられた結晶粒の底面を
上向きにし、前記結晶粒の底面を前記下層導体の上に正
確にはり付けることを特徴とする請求項１記載のダイオ
ードの製造方法。 - 【請求項１１】 前記振動盤の孔は、上部が大きく下部
が小さい階段状の孔であって、前記孔の下部に前記結晶
粒の突起がはめられ、前記孔の上部に前記結晶粒の本体
がはめられ、前記結晶粒が天地反転状態で設置されるこ
とを特徴とする請求項１０記載のダイオードの製造方
法。 - 【請求項１２】 前記ダイオードを軽く薄くかつ小さく
製造するために、前記下層導体に結晶粒の底面を導電ク
リームではり付ける段階に代わって、前記下層導体およ
び前記保護材の上に導体をプリントし、その導体の上に
前記結晶粒を設置する段階を含むことを特徴とする請求
項６記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項１３】 前記結晶粒の突起を露出させる段階に
おいて、研磨、ラジウム照射または化学剤浸食のいずれ
かの方法を採用することを特徴とする請求項１記載のダ
イオードの製造方法。 - 【請求項１４】 前記密封材で被覆する段階において、
前記結晶粒の突起が前記密封材で被覆されないように
し、前記突起を自然に露出させ、前記結晶粒の突起を露
出させる段階を省略することを特徴とする請求項１記載
のダイオードの製造方法。 - 【請求項１５】 前記上層導体は、プリントまたは蒸し
メッキにより前記結晶粒の突起に連結するように形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項１６】 前記絶縁保護のりの表面に極性または
文字を表示する段階において、インキまたはラジウム照
射で刻み付ける方法を採用することを特徴とする請求項
１記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項１７】 前記ターミナルを形成する段階におい
て、前記條状体の側面に導電クリームまたは導体を付
け、焼いて成形し、前記ターミナルを形成することを特
徴とする請求項１記載のダイオードの製造方法。 - 【請求項１８】 前記條状体は、前記単位体が複数整列
したものを形成するように折り裂かれ、前記結晶粒が複
数整列したものを形成することを特徴とする請求項１記
載のダイオードの製造方法。 - 【請求項１９】 前記単位体の結晶粒は、それぞれダイ
オード、抵抗器、コンデンサまたはセンサのいずれかと
して使用可能であって、必要に応じて多種の組み合わせ
により前記結晶粒が複数整列した単粒として形成される
ことを特徴とする請求項１８記載のダイオードの製造方
法。 - 【請求項２０】 前記條状体を折り裂いてダイオードを
形成する段階後、 錫溶接可能な金属を前記ターミナルの表面に付設する段
階を含むことを特徴とする請求項１記載のダイオードの
製造方法。 - 【請求項２１】 前記金属をターミナルに付設する段階
後、 前記金属が付設されたダイオードに電気性能テストを施
行し、包装する段階を含むことを特徴とする請求項２０
記載のダイオードの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000208195A JP3413393B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000208195A JP3413393B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | ダイオードの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043631A JP2002043631A (ja) | 2002-02-08 |
| JP3413393B2 true JP3413393B2 (ja) | 2003-06-03 |
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| JP2002043631A (ja) | 2002-02-08 |
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