JPS60257533A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60257533A JPS60257533A JP59113805A JP11380584A JPS60257533A JP S60257533 A JPS60257533 A JP S60257533A JP 59113805 A JP59113805 A JP 59113805A JP 11380584 A JP11380584 A JP 11380584A JP S60257533 A JPS60257533 A JP S60257533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tabic
- spacer
- chip
- lead
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特に多ビンチップ
キャリア構造の半導体装置に関するものである。
キャリア構造の半導体装置に関するものである。
従来この種のチップキャリアは様々な種類が実用化され
ている。しかしさらに高速化、高密度化が進むにつれて
、多数のリードを有する半導体チップを収容し、而も小
型で放熱性の高いチップキャリアが必要となってくる。
ている。しかしさらに高速化、高密度化が進むにつれて
、多数のリードを有する半導体チップを収容し、而も小
型で放熱性の高いチップキャリアが必要となってくる。
現在考えられている多数リードの半導体チップを収容し
たチップキャリアとしては、電極リード付きの集積回路
（ＴＡＢＩＣ）チップを使用したものがある。これはＴ
ＡＢＩＣの回路面を下向きにして工Ｃリードをチップキ
ャリアの絶縁体基板上の導体パターンに接続し、キャン
プによりＴＡＢ ＩＣ！を密封しかつＴＡＢＩＣの底面
をキャンプ内部に接着してキャップ側から冷却する構造
である。
たチップキャリアとしては、電極リード付きの集積回路
（ＴＡＢＩＣ）チップを使用したものがある。これはＴ
ＡＢＩＣの回路面を下向きにして工Ｃリードをチップキ
ャリアの絶縁体基板上の導体パターンに接続し、キャン
プによりＴＡＢ ＩＣ！を密封しかつＴＡＢＩＣの底面
をキャンプ内部に接着してキャップ側から冷却する構造
である。
しかしこの構造では工Ｃリードもキャップ内部に収容さ
れるため、ＩＣ！Ｊ−ド接続後にＴＡＢＩＣチップをキ
ャンプ内部に接着しなければならない。しかしこの接着
を行う時は、加圧力がキャンプ側から基板側に働くため
、ＩＣ！Ｊ−ドを変形させショートを誘発するという欠
点がある。
れるため、ＩＣ！Ｊ−ド接続後にＴＡＢＩＣチップをキ
ャンプ内部に接着しなければならない。しかしこの接着
を行う時は、加圧力がキャンプ側から基板側に働くため
、ＩＣ！Ｊ−ドを変形させショートを誘発するという欠
点がある。
したがって本発明の目的は、前記の欠点を改善し、生産
に適した信頼性の高い半導体装置を提供することにある
。
に適した信頼性の高い半導体装置を提供することにある
。
本発明は、−主面に多数の電極リードを有する半導体チ
ップと、前記電極リードと電気的に接続する第１のパッ
ドを一生面上に備えかつ前記第１のパッドと電気的に接
続する第２のパッドを他主面上に備えた絶縁体基板と、
前記半導体テップを内部に接着し前記絶縁体基板に載置
されるキャンプと、前記半導体チップと前記絶縁体基板
の間に配置した内部に空間を持っスペーサとを備えた半
導体装置にある。
ップと、前記電極リードと電気的に接続する第１のパッ
ドを一生面上に備えかつ前記第１のパッドと電気的に接
続する第２のパッドを他主面上に備えた絶縁体基板と、
前記半導体テップを内部に接着し前記絶縁体基板に載置
されるキャンプと、前記半導体チップと前記絶縁体基板
の間に配置した内部に空間を持っスペーサとを備えた半
導体装置にある。
、（次に本発明を図面を参照して詳細に説明する。
□
１ 第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す
平面図、第２図は第１図のＡＡ’線に沿って切断した製
造途中における装置の断面図である。
平面図、第２図は第１図のＡＡ’線に沿って切断した製
造途中における装置の断面図である。
第１図及び第２図において、絶縁体基板１は表面にはＩ
Ｃリード接続バッド２を、裏面には半田付はパラｌ−′
６を、内部には両者を接続する導体パターン４をそれぞ
れ多数有している。
Ｃリード接続バッド２を、裏面には半田付はパラｌ−′
６を、内部には両者を接続する導体パターン４をそれぞ
れ多数有している。
ＴＡＢ工０チップ５は絶縁体基板１側に回路面を向け、
かつ工Ｃリード６でＩＣリード接続パッド２に接続され
ている。絶縁体基板１とＴＡＢＩＣチップ５の間には中
空でかつ弾力性のある樹脂製の気密のスペーサ７が予め
載置されている。キャップ８は一方（図の下側）に開口
部を持ち、かつ前記ＴＡＢＩＣテップ５を内部に接着剤
９を介して接着し、前記■Ｃリード接続パッド２の外側
で前記絶縁体基板１とシーラー１０により密着し、前記
ＴＡＢ工Ｃチップ５を封止保護している。
かつ工Ｃリード６でＩＣリード接続パッド２に接続され
ている。絶縁体基板１とＴＡＢＩＣチップ５の間には中
空でかつ弾力性のある樹脂製の気密のスペーサ７が予め
載置されている。キャップ８は一方（図の下側）に開口
部を持ち、かつ前記ＴＡＢＩＣテップ５を内部に接着剤
９を介して接着し、前記■Ｃリード接続パッド２の外側
で前記絶縁体基板１とシーラー１０により密着し、前記
ＴＡＢ工Ｃチップ５を封止保護している。
以上の構成を得るのに、まず前記ＩＣリード６と前記■
Ｃリード接続パッド２が接続し、前記キャップ８の内側
に前記接着剤９を所定量供給し、開口部を下向きにして
前記ＴＡＢ工０チップ５と前記工Ｃリード接続バンド２
を内部に収容する位置に載せ、前記絶縁体基板１に固定
する。この状態においてはまだ前記ＴＡＢ ＩＣ５の裏
面と前記キャップ９は密着していない。
Ｃリード接続パッド２が接続し、前記キャップ８の内側
に前記接着剤９を所定量供給し、開口部を下向きにして
前記ＴＡＢ工０チップ５と前記工Ｃリード接続バンド２
を内部に収容する位置に載せ、前記絶縁体基板１に固定
する。この状態においてはまだ前記ＴＡＢ ＩＣ５の裏
面と前記キャップ９は密着していない。
この後周囲の環境を減圧することにより、前記スペーサ
７は膨張し、前記ＴＡＢ工Ｃｆツブ５を上方に押し上げ
、前記キャップ８に密着させる。また、同時に加熱する
ことにより前記接着剤９及びシーラー１０を硬化できる
。このとき前記ＩＣリード６は伸びる方向に力を受ける
ためショートする危険はなく、またＺ形に成形されてい
るために切れることもなく、安定した接着を得ることが
できる。
７は膨張し、前記ＴＡＢ工Ｃｆツブ５を上方に押し上げ
、前記キャップ８に密着させる。また、同時に加熱する
ことにより前記接着剤９及びシーラー１０を硬化できる
。このとき前記ＩＣリード６は伸びる方向に力を受ける
ためショートする危険はなく、またＺ形に成形されてい
るために切れることもなく、安定した接着を得ることが
できる。
第６図は上記のようにして完成した装置の構成を示した
図であり、スペーサは７１で示す形となり、ＴＡＢ工Ｃ
チップ５を押上げた形になっている。
図であり、スペーサは７１で示す形となり、ＴＡＢ工Ｃ
チップ５を押上げた形になっている。
本実施例においては、キャップ８の封止はシーラー１０
を使用してＴＡＢ ＩＣ５の接着と同時に行なっている
が、他の封止方法でもよい。例えば低温ガラスを使用す
れば、 ＴＡＢＩＣ５の接着を封止前に行なうことがで
き、接着剤のアウトガスがキャンプ内に残留することが
なくなり。
を使用してＴＡＢ ＩＣ５の接着と同時に行なっている
が、他の封止方法でもよい。例えば低温ガラスを使用す
れば、 ＴＡＢＩＣ５の接着を封止前に行なうことがで
き、接着剤のアウトガスがキャンプ内に残留することが
なくなり。
さらに信頼性の高い半導体装置が得られる。またキャン
プ８に貫通穴をあけても同様の効果が得られる。
プ８に貫通穴をあけても同様の効果が得られる。
スペーサ７（７’）は樹脂系例えばシリコンゴムを使用
しているが、圧力の変化により体積が膨張及び収縮する
ものであれば他の材料を使用しても全く同じ効果が得ら
れる。
しているが、圧力の変化により体積が膨張及び収縮する
ものであれば他の材料を使用しても全く同じ効果が得ら
れる。
以上のように９本発明によればＴＡＢ ＩＣ！と絶縁体
基板との間にスペーサを配置する構造にしたことにより
、ＴＡＢＩＣとキャンプの接着時にＴＡＢＩＣをキャン
プ方向に押しつけることができ、均一な接着が得られる
とともに、リードショートの危険が無いという効果があ
る。
基板との間にスペーサを配置する構造にしたことにより
、ＴＡＢＩＣとキャンプの接着時にＴＡＢＩＣをキャン
プ方向に押しつけることができ、均一な接着が得られる
とともに、リードショートの危険が無いという効果があ
る。
以下金白
第１図は本発明の実施例の半導体装置を示す平面図、第
２図は第１図のＡＡ”線に沿って切断した断面図、第６
図は本発明による完成した半導体装置の断面図である。 記号の説明：１は絶縁体基板、２はＩＣリード接続バン
ド、６は半田付はパッド、４は導体パターン、５はＴＡ
ＢＩＯチップ、６は■Ｃリード。 ７はスペーサ、８はキャップ、９は接着剤。 １０はシーラーをそれぞれあられしている。 第１図 第３図 信
２図は第１図のＡＡ”線に沿って切断した断面図、第６
図は本発明による完成した半導体装置の断面図である。 記号の説明：１は絶縁体基板、２はＩＣリード接続バン
ド、６は半田付はパッド、４は導体パターン、５はＴＡ
ＢＩＯチップ、６は■Ｃリード。 ７はスペーサ、８はキャップ、９は接着剤。 １０はシーラーをそれぞれあられしている。 第１図 第３図 信
Claims (1)
- １、−主面に多数の電極リードを有する半導体チップと
、前記電極リードと対向して電気的に接続する第１のパ
ッドを一生面に備えかつ前記第１のパッドと電気的に接
続する第２のパッドを他主面上に備えた絶縁体基板と、
前記半導体チップを内部に接着し前記絶縁体基板に載置
されるキャップと、前記半導体チップと前記絶縁体基板
の間に配置した内部に空間を持つスペーサとを備えた半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113805A JPS60257533A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113805A JPS60257533A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257533A true JPS60257533A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14621508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113805A Pending JPS60257533A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257533A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548487A (en) * | 1991-09-27 | 1996-08-20 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellchaft | Flat circuit module mounting using an elastic pad in a depression of a circuit board |
| GB2352780A (en) * | 1999-03-23 | 2001-02-07 | Nachi Fujikoshi Corp | High pressure plunger pump |
| CN103617965A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-03-05 | 常州唐龙电子有限公司 | 一种外型具有引线的扁平集成电路封装结构 |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP59113805A patent/JPS60257533A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548487A (en) * | 1991-09-27 | 1996-08-20 | Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellchaft | Flat circuit module mounting using an elastic pad in a depression of a circuit board |
| GB2352780A (en) * | 1999-03-23 | 2001-02-07 | Nachi Fujikoshi Corp | High pressure plunger pump |
| CN103617965A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-03-05 | 常州唐龙电子有限公司 | 一种外型具有引线的扁平集成电路封装结构 |
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