JPH02271547A - フィルムキャリヤ型半導体装置 - Google Patents
フィルムキャリヤ型半導体装置Info
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- JPH02271547A JPH02271547A JP1094016A JP9401689A JPH02271547A JP H02271547 A JPH02271547 A JP H02271547A JP 1094016 A JP1094016 A JP 1094016A JP 9401689 A JP9401689 A JP 9401689A JP H02271547 A JPH02271547 A JP H02271547A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリヤ型半導体装置に関する。
従来のフィルムキャリヤ型半導体装置は、第４図（ａ）
、（ｂ）に示すように、搬送及び位置決め用のスプロケ
ットホール１と、素子搭載用の開孔部３を有するポリイ
ミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、前記
金属箔を選択的にエツチングして開孔部３の内側に先端
を突出して配置したリード４及びリード４に接続した電
気選別のためのパッド５を形成したフィルムキャリヤテ
ープ６と、あらかじめ電極端子上に金属突起物であるバ
ンプ７を設けた半導体チップ２とを準備し、次にフィル
ムキャリヤテープ６のリード４と半導体チップ２のバン
ブ７とを熱圧着法または共晶法等によりインナーリード
ボンディングし、フィルムキャリヤテープ６の電気選別
用パッド５の上に測定用探針を接触させて電気的選別や
バイアス試験を実施する。ここで、リード４の変形防止
用として絶縁フィルムの枠であるサスペンダー８をあら
かじめフィルムキャリヤテープ６に設け、第５図に示す
ように、信頼性向上及び機械的保護のため樹脂膜９をボ
ッティングして樹脂封止を行なう。
、（ｂ）に示すように、搬送及び位置決め用のスプロケ
ットホール１と、素子搭載用の開孔部３を有するポリイ
ミド等の絶縁フィルム上に銅等の金属箔を接着し、前記
金属箔を選択的にエツチングして開孔部３の内側に先端
を突出して配置したリード４及びリード４に接続した電
気選別のためのパッド５を形成したフィルムキャリヤテ
ープ６と、あらかじめ電極端子上に金属突起物であるバ
ンプ７を設けた半導体チップ２とを準備し、次にフィル
ムキャリヤテープ６のリード４と半導体チップ２のバン
ブ７とを熱圧着法または共晶法等によりインナーリード
ボンディングし、フィルムキャリヤテープ６の電気選別
用パッド５の上に測定用探針を接触させて電気的選別や
バイアス試験を実施する。ここで、リード４の変形防止
用として絶縁フィルムの枠であるサスペンダー８をあら
かじめフィルムキャリヤテープ６に設け、第５図に示す
ように、信頼性向上及び機械的保護のため樹脂膜９をボ
ッティングして樹脂封止を行なう。
上記のようなフィルムキャリヤ型半導体装置をプリント
基板上に実装する場合は、第６図に示すように、リード
４を所望の長さに切断し、ついでプリント基板１１上に
接着剤１０を用いて半導体チップ２を固着し、リード４
をプリント基板上のポンディングパッド１２にアウター
リードボンディングする。
基板上に実装する場合は、第６図に示すように、リード
４を所望の長さに切断し、ついでプリント基板１１上に
接着剤１０を用いて半導体チップ２を固着し、リード４
をプリント基板上のポンディングパッド１２にアウター
リードボンディングする。
これらのフィルムキャリヤ型半導体装置は、ボンディン
グがリード数と無関係に一度で可能であるためボンディ
ングスピードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使
用するため作業の自動化が容易である等の利点を有して
いる。
グがリード数と無関係に一度で可能であるためボンディ
ングスピードが速いこと、フィルムキャリヤテープを使
用するため作業の自動化が容易である等の利点を有して
いる。
上述した従来のフィルムキャリヤ型半導体装置は、一般
に液状の樹脂を半導体チップ表面に滴下するボッティン
グ法によって樹脂封止されることが多いため、第５図に
示すように、半導体チップ表面のみを封止するか、また
はサスペンダー８を樹脂ダムとして半導体チップ全体を
封止することが一般的である。ここで、特に高密度実装
を要求される場合は、第６図に示すように、半導体チッ
プ周縁近傍でリードを成形してプリント基板に実装する
ため、半導体チップ表面のみを樹脂封止する形態を選択
するが、樹脂ボッティングの際、リード間に毛細管現象
により樹脂が入り込み、実装時のリード成形時にリード
間に存在する樹脂膜が影響してリード成形が正確にでき
ないという欠点がある。なお、半導体チップ表面を下に
して実装するフェイスダウンボンディングの場合、実装
後の樹脂ボッティングが困難のため、特に問題である。
に液状の樹脂を半導体チップ表面に滴下するボッティン
グ法によって樹脂封止されることが多いため、第５図に
示すように、半導体チップ表面のみを封止するか、また
はサスペンダー８を樹脂ダムとして半導体チップ全体を
封止することが一般的である。ここで、特に高密度実装
を要求される場合は、第６図に示すように、半導体チッ
プ周縁近傍でリードを成形してプリント基板に実装する
ため、半導体チップ表面のみを樹脂封止する形態を選択
するが、樹脂ボッティングの際、リード間に毛細管現象
により樹脂が入り込み、実装時のリード成形時にリード
間に存在する樹脂膜が影響してリード成形が正確にでき
ないという欠点がある。なお、半導体チップ表面を下に
して実装するフェイスダウンボンディングの場合、実装
後の樹脂ボッティングが困難のため、特に問題である。
一般に、半導体チップ表面のみに行う樹脂封止は樹脂の
表面張力を利用して行なうため、半導体チップの周縁部
まで樹脂が到達するので、特に低粘度液状樹脂を使用す
る場合は容易にリード間に樹脂が入り込む。例えば、ボ
ッティング樹脂としては一般的なシリコーン樹脂を用い
ると、粘度が約１０００ｃｐの場合、ボッティング後数
分間で半導体チップ周縁部にまで広がって目的が達せら
れるが、樹脂が半導体チップ周縁部に到達後、リード間
に入り込み、数分間以内にリード間を約２００〜５００
μｍ程度の長さに埋めてしまう。
表面張力を利用して行なうため、半導体チップの周縁部
まで樹脂が到達するので、特に低粘度液状樹脂を使用す
る場合は容易にリード間に樹脂が入り込む。例えば、ボ
ッティング樹脂としては一般的なシリコーン樹脂を用い
ると、粘度が約１０００ｃｐの場合、ボッティング後数
分間で半導体チップ周縁部にまで広がって目的が達せら
れるが、樹脂が半導体チップ周縁部に到達後、リード間
に入り込み、数分間以内にリード間を約２００〜５００
μｍ程度の長さに埋めてしまう。
さらに、樹脂の硬化は一般に約１５０℃で１時間程度の
ベークにより行なわれるが、ベーク中にさらに同程度の
長さを埋めてしまう。これに対し、粘度を約１００００
ｃｐ程度にした場合には、リード間に入り込むまでの時
間は大幅に延長され、ベーク中での広がりもほとんどみ
られないが、逆にボッティングした樹脂がほとんど広が
らず、半導体チップ表面を封止するという本来の目的が
達せられないという欠点がある。一般に樹脂を広げるた
めに、半導体チップ表面の数ケ所に樹脂をボッティング
する方法が用いられるが、高粘度樹脂の場合は少量のボ
ッティングを行なうことが困難であり、この場合におい
ても適当なボッティング条件が求めにくいという欠点が
ある。
ベークにより行なわれるが、ベーク中にさらに同程度の
長さを埋めてしまう。これに対し、粘度を約１００００
ｃｐ程度にした場合には、リード間に入り込むまでの時
間は大幅に延長され、ベーク中での広がりもほとんどみ
られないが、逆にボッティングした樹脂がほとんど広が
らず、半導体チップ表面を封止するという本来の目的が
達せられないという欠点がある。一般に樹脂を広げるた
めに、半導体チップ表面の数ケ所に樹脂をボッティング
する方法が用いられるが、高粘度樹脂の場合は少量のボ
ッティングを行なうことが困難であり、この場合におい
ても適当なボッティング条件が求めにくいという欠点が
ある。
本発明のフィルムキャリヤ型半導体装置は、帯状の絶縁
フィルムの中央部に設けた開孔部の内側に先端部を突出
して配列して設けたリードと、前記絶縁フィルムの両側
端部近傍に設けた搬送及び位置決め用スプロケットホー
ルとを有するフィルムキャリヤテープと、前記リードの
先端部に電極を接続して搭載した半導体チップとを有す
るフィルムキャリヤ型半導体装置において、前記半導体
チップの表面の周縁部に設けた樹脂止めダムを備えてい
る。
フィルムの中央部に設けた開孔部の内側に先端部を突出
して配列して設けたリードと、前記絶縁フィルムの両側
端部近傍に設けた搬送及び位置決め用スプロケットホー
ルとを有するフィルムキャリヤテープと、前記リードの
先端部に電極を接続して搭載した半導体チップとを有す
るフィルムキャリヤ型半導体装置において、前記半導体
チップの表面の周縁部に設けた樹脂止めダムを備えてい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図である。帯状の絶縁フィルムの両
側端部近傍に搬送及び位置決め用スプロケットホール１
を設け、絶縁フィルムの中央に設けた開孔部３の内側に
先端部を突出して配列し設けたり−ド４と、リード４に
接続して設けた電気選択用バッド５を有するフィルムキ
ャリャテープ６のリード４と半導体チップ２のバンブ７
がボンディングされており、半導体チップ２の表面に枠
状にメツキ配線１３を設けて半導体チップの表面を封止
する樹脂膜９の樹脂ダムとして使用される。
及びＡ−Ａ’線断面図である。帯状の絶縁フィルムの両
側端部近傍に搬送及び位置決め用スプロケットホール１
を設け、絶縁フィルムの中央に設けた開孔部３の内側に
先端部を突出して配列し設けたり−ド４と、リード４に
接続して設けた電気選択用バッド５を有するフィルムキ
ャリャテープ６のリード４と半導体チップ２のバンブ７
がボンディングされており、半導体チップ２の表面に枠
状にメツキ配線１３を設けて半導体チップの表面を封止
する樹脂膜９の樹脂ダムとして使用される。
前記フィルムキャリヤ型半導体装置は、以下の様にして
製造される。フィルムキャリヤテープ６は従来と同様に
スプロケットホール１．リード４、開孔部３等を有した
ものを準備し、半導体チップ２は、バンブ７とめっき配
線１３を設けたものを準備する。めっき配線１３はバン
ブ７を形成する時と同時に、同一工程で形成し、バンブ
７の内側に枠状に形成する。めっき配線１３はバンブ７
と同一工程で形成されるため一般に２０μｍ程度の高さ
を有している。また、めっき配線１３を樹脂ダムとして
使用する以外に電源や接地配線として使用することも可
能である。次に、フィルムキャリヤテープ６のリード４
とバンブ７とを熱圧着法または共晶法等によりボンディ
ングして半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２の表
面に樹脂膜９を設けて、フィルムキャリヤ型半導体装置
を構成する。ここて、めっき配線１３は樹脂ダムとして
機能するため、樹脂膜９は半導体チップ２の周縁に広が
ること無く、従って、リード４の間に入り込むことは無
い。
製造される。フィルムキャリヤテープ６は従来と同様に
スプロケットホール１．リード４、開孔部３等を有した
ものを準備し、半導体チップ２は、バンブ７とめっき配
線１３を設けたものを準備する。めっき配線１３はバン
ブ７を形成する時と同時に、同一工程で形成し、バンブ
７の内側に枠状に形成する。めっき配線１３はバンブ７
と同一工程で形成されるため一般に２０μｍ程度の高さ
を有している。また、めっき配線１３を樹脂ダムとして
使用する以外に電源や接地配線として使用することも可
能である。次に、フィルムキャリヤテープ６のリード４
とバンブ７とを熱圧着法または共晶法等によりボンディ
ングして半導体チップ２を搭載し、半導体チップ２の表
面に樹脂膜９を設けて、フィルムキャリヤ型半導体装置
を構成する。ここて、めっき配線１３は樹脂ダムとして
機能するため、樹脂膜９は半導体チップ２の周縁に広が
ること無く、従って、リード４の間に入り込むことは無
い。
上記のような樹脂封止法は、バンブ部分を樹脂封止して
いないが、半導体チップ２の表面の機械的保護には充分
であり、また、メモリー素子等のようにα線によるソフ
トエラー防止を目的とした場合には、メモリーセル部を
樹脂層９が覆うようにめっき配線１３を配置すればその
目的は達せられる。
いないが、半導体チップ２の表面の機械的保護には充分
であり、また、メモリー素子等のようにα線によるソフ
トエラー防止を目的とした場合には、メモリーセル部を
樹脂層９が覆うようにめっき配線１３を配置すればその
目的は達せられる。
なお、本実施例では、プリント基板に実装する前にボッ
ティングを実施したが、第６図のようにフェイスアップ
で実装する場合は、実装後に実施しても良い。但しこの
場合は既にリード成形が完了しているので、本実施例は
実装後のポツティングが困難な半導体チップ表面を下に
するフェイスダウンでの実装に有効である。
ティングを実施したが、第６図のようにフェイスアップ
で実装する場合は、実装後に実施しても良い。但しこの
場合は既にリード成形が完了しているので、本実施例は
実装後のポツティングが困難な半導体チップ表面を下に
するフェイスダウンでの実装に有効である。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
めっき配線１３の代りにフィルム枠１４をエポキシ樹脂
又はポリイミド樹脂等の絶縁材で形成し、接着剤１５に
より半導体チップ２表面に固着して、フィルム枠１４を
樹脂ダムとして樹脂膜９により半導体チップ２の表面を
封止している以外は第１の実施例と同じ構成を有してい
る。
又はポリイミド樹脂等の絶縁材で形成し、接着剤１５に
より半導体チップ２表面に固着して、フィルム枠１４を
樹脂ダムとして樹脂膜９により半導体チップ２の表面を
封止している以外は第１の実施例と同じ構成を有してい
る。
この実施例では、樹脂ダムとしてフィルム枠を使用して
いるので、第１の実施例の樹脂ダム高さが約２０μｍで
あるのに対しフィルム枠の厚みを５０〜１００μｍにす
ることが可能であり、樹脂膜９の厚さを十分にとること
ができる利点がある。
いるので、第１の実施例の樹脂ダム高さが約２０μｍで
あるのに対しフィルム枠の厚みを５０〜１００μｍにす
ることが可能であり、樹脂膜９の厚さを十分にとること
ができる利点がある。
第３図は本発明の第３の実施例の断面図である。
第１の実施例と同様にバンブ７を形成するのと同じ工程
でめっき配線１３を形成するが、本実施例の場合はバン
ブ７の外側に枠状にめっき配線１３を形成している。ま
た、リード間の短絡を防止するため、本実施例の場合は
めっき配線表面を絶縁材からなる樹脂膜１６で被覆して
おく必要がある。樹脂膜１６としては、めっき配線１３
．パン１７等をめっきで形成後、ポリイミド等の樹脂膜
６を半導体チップ２の表面全面に塗布して、フォトエツ
チング法により選択的に樹脂膜６をエツチングする一般
的な方法で実施可能である。
でめっき配線１３を形成するが、本実施例の場合はバン
ブ７の外側に枠状にめっき配線１３を形成している。ま
た、リード間の短絡を防止するため、本実施例の場合は
めっき配線表面を絶縁材からなる樹脂膜１６で被覆して
おく必要がある。樹脂膜１６としては、めっき配線１３
．パン１７等をめっきで形成後、ポリイミド等の樹脂膜
６を半導体チップ２の表面全面に塗布して、フォトエツ
チング法により選択的に樹脂膜６をエツチングする一般
的な方法で実施可能である。
この実施例では、バンブ７の外側に樹脂ダムがあるので
、半導体チップ２の表面全体を樹脂封止できる他、樹脂
ダムをリード４の半導体チップ２の周縁との短絡を防止
するエッヂタッチ防止の効果もあるという利点を有する
。
、半導体チップ２の表面全体を樹脂封止できる他、樹脂
ダムをリード４の半導体チップ２の周縁との短絡を防止
するエッヂタッチ防止の効果もあるという利点を有する
。
以上説明したように本発明は、半導体チップの表面に樹
脂ダムを設けることにより、半導体チップの表面を樹脂
で封止する形態のフィルムキャリヤ型半導体装置におい
て、ボッティングした液状樹脂が半導体チップ周縁部か
らさらに広がり、リード間に入り込み、後工程のリード
形成時に悪影響を与えるという欠点を防止ずＺことがで
きる。
脂ダムを設けることにより、半導体チップの表面を樹脂
で封止する形態のフィルムキャリヤ型半導体装置におい
て、ボッティングした液状樹脂が半導体チップ周縁部か
らさらに広がり、リード間に入り込み、後工程のリード
形成時に悪影響を与えるという欠点を防止ずＺことがで
きる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図及び第３図は本発明の第
２及び第３の実施例の断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は
従来のフィルムキャリヤ型半導体装置の一例を示す平面
図及びＢ−Ｂ’線断面図、第５図は第４図のフィルムキ
ャリヤ型半導体装置の樹脂封止後の断面図、第６図は従
来のフィルムキャリヤ型半導体装置の実装状態を示す断
面図である。 １・・・スプロケットホール、２・・・半導体チップ、
３・・・開孔部、４・・・リード、５・・・電気的選別
用パッド、６・・・フィルムキャリヤテープ、７・・・
バンプ、８・・・サスペンダー ９・・・樹脂膜、１０
・・・接着剤、１１・・・プリント基板、１２・・・ポ
ンディングパッド、１３・・・めっき配線、１４・・・
フィルム枠、１５・・・接着剤、１６・・・樹脂膜。
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図及び第３図は本発明の第
２及び第３の実施例の断面図、第４図（ａ）、（ｂ）は
従来のフィルムキャリヤ型半導体装置の一例を示す平面
図及びＢ−Ｂ’線断面図、第５図は第４図のフィルムキ
ャリヤ型半導体装置の樹脂封止後の断面図、第６図は従
来のフィルムキャリヤ型半導体装置の実装状態を示す断
面図である。 １・・・スプロケットホール、２・・・半導体チップ、
３・・・開孔部、４・・・リード、５・・・電気的選別
用パッド、６・・・フィルムキャリヤテープ、７・・・
バンプ、８・・・サスペンダー ９・・・樹脂膜、１０
・・・接着剤、１１・・・プリント基板、１２・・・ポ
ンディングパッド、１３・・・めっき配線、１４・・・
フィルム枠、１５・・・接着剤、１６・・・樹脂膜。
Claims (1)
- 帯状の絶縁フィルムの中央部に設けた開孔部の内側に
先端部を突出して配列して設けたリードと、前記絶縁フ
ィルムの両側端部近傍に設けた搬送及び位置決め用スプ
ロケットホールとを有するフィルムキャリヤテープと、
前記リードの先端部に電極を接続して搭載した半導体チ
ップとを有するフィルムキャリヤ型半導体装置において
、前記半導体チップの表面の周縁部に設けた樹脂止めダ
ムを備えたことを特徴とするフィルムキャリヤ型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094016A JP2522039B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | フィルムキャリヤ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094016A JP2522039B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | フィルムキャリヤ型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271547A true JPH02271547A (ja) | 1990-11-06 |
| JP2522039B2 JP2522039B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=14098706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094016A Expired - Lifetime JP2522039B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | フィルムキャリヤ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522039B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7043827B2 (en) | 2003-03-17 | 2006-05-16 | Opt Engineering Co., Ltd. | Device for installing rivets on rivet holding body |
| KR20180029209A (ko) * | 2010-05-14 | 2018-03-20 | 소니 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 및 전자 기기 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3848300B2 (ja) | 2003-05-28 | 2006-11-22 | 株式会社アドバンテスト | コネクタ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5776868A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-14 | Fujitsu Ltd | Forming method for resin protected film |
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1989
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2522039B2 (ja) | 1996-08-07 |
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