JP2019519457A - 基板にビアを形成するための物品および方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 183
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- BPYFPNZHLXDIGA-UHFFFAOYSA-N diphenylsilicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si]C1=CC=CC=C1 BPYFPNZHLXDIGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 39
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N phenylsilicon Chemical compound [Si]C1=CC=CC=C1 XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 11
- -1 carbon (DLC) Chemical compound 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 7
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 2-butyne Chemical compound CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N Acetylene Chemical compound C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical compound CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 241000282575 Gorilla Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000005358 alkali aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical compound CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
第一面から延在する少なくとも1つの損傷域を有する基板にビアを形成する方法であって、その基板の第一面にマスクが施されている間に、その基板の少なくとも1つの損傷域をエッチングして、その基板に、その基板の厚さTを通じて延在するビアを形成する工程を有してなる方法。そのマスクは、エッチング後に基板の第一面から除去され、そのマスクの除去の際に、基板の第一面は約1.0nm未満の表面粗さ(Rq)を有する。
Description
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、2016年6月1日に出願された米国仮特許出願第62/343943号の米国法典第35編第119条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
本開示は、広く、基板にビアを形成するための物品および方法に関する。特に、本開示は、基板の表面粗さ(Rq)を維持するエッチング工程を含む、基板にスルービアを形成するための物品および方法に関する。
電気接続をより広いピッチに広げるために、または電気接続を異なる電気接続に変更するために、高周波(RF)フィルタを有するデバイスを含む電子デバイスにおける電気的インターフェースとして、インターポーザが使用されることがある。ガラス製インターポーザが、シリコンおよび繊維強化高分子に代わる魅力的な代替案となってきた。これは、一部には、大型の薄板に形成されるガラスの能力のためである。しかしながら、電子デバイスが絶えず薄くなるにつれて、多くの用途では、インターポーザの厚さが300μm以下である必要がある。そのような薄いガラスは、ガラスの脆性および剛性の欠如のために、製造手順において取り扱うのが難しくなり得る。ガラス基板の脆性および剛性の欠如を解消するために、そのガラス基板を結合する担体を使用する製造方法が開発されてきた。
ガラス物品を担体に一時的に結合するために、ファンデルワールス力が使用されることがある。その一時的結合のエネルギーは、剥離可能でありつつ、フラットパネル製造に残存するのに十分である。しかしながら、ガラス物品の表面粗さ(Rq)が高すぎると、ファンデルワールス力により、あったとしても、弱い結合しか生じないことがある。
典型的に、ガラス製インターポーザでは、電気的インターフェースを提供するために、ビア(ホール)に導電性材料を充填する必要がある。ガラス製インターポーザにビアを形成する公知の方法は、ガラス製インターポーザの厚さを通じて損傷域を作り出し、次いで、基板をエッチング液中に浸漬することによるものである。次に、そのエッチング液は、損傷域から材料を除去して、ホールを拡大するであろう。しかしながら、そのエッチング過程は選択的ではなく、材料は、ガラス製インターポーザの両面から除去されるだけでなく、ホールも拡大するであろう。これにより必ず、ガラス製インターポーザに、ファンデルワールス結合が適切に形成され得る範囲を外れた表面粗さ(Rq)が生じてしまう。
したがって、基板を担体に取り外し可能に結合できるように、低い表面粗さ(Rq)を維持しながら、基板にビアを形成する方法が必要とされている。
第1の態様において、第一面から延在する少なくとも1つの損傷域を有する基板にビアを形成する方法は、その基板の第一面にマスクが施されている間に、その基板の少なくとも1つの損傷域をエッチングして、その基板にビアを形成する工程を有してなる。次いで、そのマスクは基板の第一面から除去され、そのマスクの除去の際に、基板の第一面は約1.0nm未満の表面粗さ(Rq)を有する。
そのマスクが、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される、第1の態様による第2の態様。
そのマスクがDLCであり、そのDLCが水素化非晶質炭素である、第2の態様による第3の態様。
その基板の第一面の表面粗さ(Rq)が、マスクの除去の際に、約0.6nm未満である、先の態様のいずれかによる第4の態様。
その基板の第一面と反対の基板の第二面に、エッチング中にマスクが施されている、先の態様のいずれかによる第5の態様。
そのマスクが酸化により除去される、先の態様のいずれかによる第6の態様。
そのビアがブラインドビアまたはスルービアである、先の態様のいずれかによる第7の態様。
その損傷域にマスクが施されないように、そのマスクが基板の第一面に選択的に施される、先の態様のいずれかによる第8の態様。
その基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、先の態様のいずれかによる第9の態様。
担体の結合面上にその基板の第一面を配置することによって、その基板をその担体に取り外し可能に結合する工程をさらに含む、先の態様のいずれかによる第10の態様。
その基板をその担体に取り外し可能に結合した後、その基板にアルカリ性洗浄液を施すこと、その基板をウェットエッチングすること、基板を研磨すること、基板を金属メッキすること、ウェットエッチングにより基板に金属パターニングすること、基板上に材料を堆積させること、および基板をアニーリングすることの内の少なくとも1つによってその基板を加工する工程をさらに含む、第10の態様による第11の態様。
その基板からその担体を取り外す工程をさらに含む、第11の態様による第12の態様。
その損傷域にマスクが施されないように、そのマスクが基板の第一面に選択的に施される、第10から第12の態様のいずれか1つによる第13の態様。
第14の態様において、物品は、厚さTだけ隔てられた第一面と第二面を有する基板を備える。少なくとも1つの損傷域が、その基板内にあり、その第一面から延在する。第1の薄膜層が、基板の第一面の非損傷域に配置される。その第1の薄膜層は、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される。
その基板の第二面の非損傷域上に配置された第2の薄膜層をさらに備え、その第2の薄膜層が、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される、第14の態様による第15の態様。
その第1の薄膜層がDLCであり、そのDLCが水素化非晶質炭素である、第14または第15の態様による第16の態様。
その基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、第14から第16の態様のいずれか1つによる第17の態様。
本開示の追加の特徴および利点が、以下の詳細な説明に述べられており、一部は、その説明から当業者に容易に明白となるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含む、ここに記載された実施の形態を実施することによって、認識されるであろう。
先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、様々な実施の形態を記載しており、請求項の主題の性質および特徴を理解するための概要または骨子を提供する目的であることが理解されよう。添付図面は、様々な実施の形態のさらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、ここに記載された様々な実施の形態を示しており、説明と共に、請求項の主題の原理および作動を説明する働きをする。
図面に示された実施の形態は、事実上、説明的かつ例示であり、請求項により定義される主題を限定する意図はない。説明のための実施の形態の以下の詳細な説明は、同様の構造が同様の参照番号により示されている、以下の図面と共に読んだときに理解できる。
広く図面を参照すると、ここに提供される基板にビアを形成するための物品および方法の実施の形態は、さらなる加工のために基板を担体に取り外し可能に結合できるように、基板の表面粗さ(Rq)を維持することができる。ここで、その例が添付図面に示されている、基板にビアを形成するための物品および方法の様々な実施の形態を詳しく参照する。できるときはいつでも、同じまたは同様の部分を指すために、図面に亘り同じ参照番号が使用される。図面に示された実施の形態は、一定の縮尺で描かれておらず、説明目的のためだけに、相対的なサイズおよび幅を選択したことに留意のこと。
実施の形態は、ビア形成のためにエッチング過程中にマスク層を使用することによって、基板の予めエッチングされた表面粗さを維持する。ビア形成中に基板の低い表面粗さを維持することによって、基板は、さらなる加工のために、担体に取り外し可能に結合できる。加工後、基板は担体から取り外すことができ、よって、担体は、さらに別の基板を加工するために再利用できる。ビア形成のための物品および方法の様々な実施の形態が、以下に詳しく記載されている。
図1は、例示の物品100を示す。ここに開示された物品は、例えば、半導体パッケージにおけるインターポーザとして使用でき、その物品は、エッチングされたホール(例えば、ビア)と、以下に限られないが、半導体デバイス、高周波(RF)デバイス(例えば、アンテナ、スイッチなど)、インターポーザデバイス、マイクロ電子デバイス、光電子デバイス、微小電気機械システム(MEMS)デバイスおよびビアが利用される他の用途のために、ビア金属化および再配線層(RDL)の施用を含む後続加工を成功させる表面属性とを有する。
図2は、基板にビアを形成するための例示の過程を概して示す例示の流れ図10を示す。この流れ図に示された工程は、様々な図面の記載を通じてより詳しく説明される。流れ図10は特定の順序を有するものとして示されているが、本開示の実施の形態は、図1に示された工程の順序に限定されないことを理解すべきであることに留意のこと。
図1を参照すると、物品100は概して基板110を備える。基板110は第一面と第二面112、114を有する。第一面112上に少なくとも1つの損傷域120が示されている。基板の第一面と第二面112、114の少なくとも一方に、第1と第2のマスク150A、150Bが形成される。いくつかの実施の形態において、そのマスクは、第一面または第二面112、114の一方のみに形成されることがある。他の実施の形態において、図1に示されるように、基板110の第一面と第二面112、114の両方の上に、第1と第2のマスク150A、150Bが形成される。基板110は、制限なく、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、アルミノホウケイ酸塩ガラス、アルカリアルミノホウ酸塩ガラス、およびソーダ石灰ガラスを含む様々なガラス組成物から形成してよい。さらに、基板110は、強化されていても(例えば、イオン交換過程により)、強化されていなくてもよい。例示の基板としては、以下に限られないが、Corning EAGLE XG(登録商標)ガラス、化学強化または非強化Corning Gorilla(登録商標)ガラス、およびCorning Willow(登録商標)ガラスが挙げられる。さらに他の実施の形態において、基板110は、セラミックおよびガラスセラミックなどの他の材料から製造されてもよい。
ここで図3を参照すると、基板110の第一面と第二面112、114は、厚さTだけ隔てられることがあり、これは、用途に依存することがあり、本開示により限定されない。非限定例として、厚さTは、約25μmから約3,000μm、約25μmから約2,000μm、約25μmから約1,000μm、約50μmから約3,000μm、約50μmから約2,000μm、約50μmから約1,000μm、約100μmから約3,000μm、約100μmから約2,000μm、約100μmから約1,000μm、約200μmから約3,000μm、約200μmから約2,000μm、約200μmから約1,000μm、約500μmから約3,000μm、約500μmから約2,000μm、約500μmから約1,000μm、約3,000μm以下、約2000μm以下、約1,000μm以下、約700μm以下、約500μm以下、約400μm以下、約300μm以下、約200μm以下、または約100μm以下の範囲にあることがある。第一面と第二面112、114は、予めエッチングされた表面粗さ(Rq)も有する。表面粗さ(Rq)は、表面の測定された微視的な山と谷の二乗平均平方根(RMS)を称する。表面粗さ(Rq)は、原子間力顕微鏡(AFM)、例えば、Veeco Dimension Iconを使用して測定できる。表面粗さ(Rq)は、下記に記載されるエッチング加工などの加工工程に応じて変化することがある。これは、下記に与えられる例においてより明白であろう。
図2にブロック11を参照すると、基板110に少なくとも1つの損傷域120が形成される。図3に示されるように、少なくとも1つの損傷域120は、基板110の厚さTを通じて延在する。少なくとも1つの損傷域120は、基板110の厚さTを通じて延在するホールであることがある。いくつかの実施の形態において、少なくとも1つの損傷域120は、基板の全厚を通じて延在しない。いくつかの実施の形態において、基板の全厚を通じて延在しない損傷域と、基板の厚さTを通じて延在する損傷域との組合せがある。少なくとも1つの損傷域120は、様々な方法で基板110に形成してよい。いくつかの実施の形態において、少なくとも1つの損傷域120は、高エネルギーレーザパルスを印加して、基板110を通る狭いホールを除去することによって、形成されることがある。少なくとも1つの損傷域120は、後続のエッチング過程中にエッチング液をその中に流すことができる。
別の例では、少なくとも1つの損傷域120は、基板110の厚さTを通るホールではなく、パルスレーザにより形成されたレーザ誘起損傷の線であることがある。パルスレーザは、例えば、非線形多光子吸収により損傷線を形成することがある。少なくとも1つの損傷域120を画成するレーザ誘起損傷の線内の材料除去速度は、エッチング過程中の少なくとも1つの損傷域120の外側の材料除去速度よりも速い。レーザ損傷形成およびその後のエッチングを行うための例示の方法が、米国特許第9278886号および米国特許出願公開第2015/0166395号の各明細書に開示されており、その各々がここに全て引用される。
図2の流れ図10のブロック12で、第1と第2のマスク150A、150Bが、それぞれ、基板110の第一面と第二面112、114に施すことができる。いくつかの実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは、基板110に無差別に施される。そのような実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは、先に記載されたように、少なくとも1つの損傷域120が基板110に形成される前に、基板に施すことができる。そのような場合、レーザパルスが、第1と第2のマスク150A、150Bおよび基板110を通るホールを除去することができる。他の実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは、少なくとも1つの損傷域が形成された後に、基板に無差別に施される。この場合、第1と第2のマスク150A、150Bは、さらなる加工の前に、既に形成された少なくとも1つの損傷域120から選択的に取り外せる。さらに別の実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは、基板110に選択的に施される。そのような実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは、既に形成された少なくとも1つの損傷域120を避けるように、基板110に施すことができる。それゆえ、第1と第2のマスク150A、150Bは、少なくとも1つの損傷域120にエッチング液が到達できるように、少なくとも1つの損傷域120と揃えられた開口を有することができる。第1と第2のマスク150A、150Bは、1μm以下の厚さで施されることがある。いくつかの実施の形態において、マスク150A、150Bは、300nm以下の厚さで施されることがある。さらに別の実施の形態において、マスク150A、150Bは、約60nmの厚さで施されることがある。
第1と第2のマスク150A、150Bは、様々な材料であってよい。例えば、制限なく、そのマスクは、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)から製造することができる。いくつかの実施の形態において、そのダイヤモンド状炭素は水素化非晶質炭素であることがある。そのような水素化非晶質炭素膜は、nが1から6であり、yが2から14である、式CnHyの化合物などの炭化水素前駆体化合物を堆積させることによって、形成できる。いくつかの例において、nは1から4であり、yは2から10である。その炭化水素前駆体化合物は、線状であって、分岐していても差し支えない。いくつかの例において、炭化水素前駆体化合物を堆積させることによって形成されるコーティング層は、少なくとも80質量パーセント、少なくとも85質量パーセント、少なくとも90質量パーセント、または少なくとも95質量パーセントの炭素と水素の合計含有量を有する。いくつかの例において、その前駆体化合物は、少なくとも80質量パーセント、少なくとも85質量パーセント、少なくとも90質量パーセント、少なくとも95質量パーセント、少なくとも98質量パーセント、少なくとも99質量パーセント、または99.5質量パーセント超の炭素と水素の合計含有量を有するコーティング層を形成するように堆積される。
炭化水素前駆体化合物の例にアルカンがある。アルカンとしては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、およびヘキサンが挙げられる。いくつかの例において、その炭化水素前駆体化合物は、少なくとも1つの炭素・炭素二重結合、例えば、アルケンを含む。アルケンとしては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテンおよびヘキセンが挙げられる。アルケンにおける炭素・炭素二重結合は、化合物の様々な位置で存在し得る、例えば、ブト−1−エンまたはブト−2−エンがある。さらに他の例において、炭化水素前駆体化合物は、少なくとも1つの炭素・炭素三重結合、例えば、アルキンを含む。アルキンとしては、エチン、プロピン、ブチン、ペンチンおよびヘキシンが挙げられる。いくつかの例において、アルキンにおける炭素・炭素三重結合は、化合物の様々な位置で存在し、例えば、1−ブチンまたは2−ブチンがある。
第1と第2のマスク150A、150Bの全ては同じ材料であってよいと考えられる。他の実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは異なる材料であることがある。マスク材料がジフェニルケイ素である実施の形態において、ジフェニルケイ素薄膜は、基板110の第一面と第二面112、114の少なくとも一方に施されることがある。そのジフェニルケイ素薄膜が第一面と第二面112、114の両方に施される場合、第1のジフェニルケイ素薄膜層および第2のジフェニルケイ素薄膜層がある。さらに、図示されていないが、ジフェニルケイ素薄膜は、基板110のエッジ面に施されることがある。その薄膜は、例えば、蒸着により施すことができる。制限ではなく、例として、ジフェニルケイ素薄膜は、化学蒸着、好ましくはプラズマ化学気相成長法により、ジフェニルシランおよび水素から形成される。ジフェニルケイ素は、非常に効果的なマスキング材料であり、酸浸食に対して耐性である。それゆえ、ジフェニルケイ素は、エッチング過程に一般に使用されるフッ化水素酸・鉱酸の混合物との接触に耐えることができる。さらに、ジフェニルケイ素は、過剰な表面粗さ(Rq)を作らずに、ガラス面から容易に除去することができる。
実施の形態において、そのマスク材料は水素化非晶質炭素であり、水素化非晶質炭素薄膜が、基板110の第一面と第二面112、114の少なくとも一方に施されることがある。水素化非晶質炭素薄膜が第一面と第二面112、114の両方に施される場合、第1の水素化非晶質炭素薄膜層および第2の水素化非晶質炭素薄膜層がある。その水素化非晶質炭素は、化学的気相成長(CVD)技術、および同様の方法によって堆積させることができる。CVD技術の特別な例に、CVD、低圧CVD、大気圧CVD、プラズマCVD(PECVD)、大気圧プラズマCVD、原子層堆積(ALD)、プラズマALD、および化学ビームエピタキシーがある。別の例において、そのコーティング層は、600℃超、800℃超、または1,000℃超と、それらの間の任意の範囲および部分的範囲の温度で、熱分解トーチにより堆積させることができる。炭化水素前駆体化合物を含有する、コーティング層を形成するための気体混合物は、制御された量の別の化合物、例えば、搬送ガスまたは作業ガスも含むことがある。他の化合物としては、空気、酸素、亜酸化窒素、二酸化炭素、水蒸気、または過酸化水素、および/または1種類以上の不活性ガス、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンが挙げられる。
マスクが使用されるどの選択的エッチング過程においても最大の難題の内の1つは、マスクの除去である。そのマスク材料は、エッチングに耐えるのに十分に強靱でなければならないだけでなく、基板に損傷を与えずに容易に除去できなければならない。フォトレジストなどの高分子マスクは、通常、機械的撹拌を伴う、高温溶媒中のマスキングされた基板の浸漬を含む。大抵、無機マスクは、プラズマエッチングにより除去される。例えば、PECVD堆積炭化ケイ素(SiC)は、一般に、フッ素含有プラズマで除去される。しかしながら、そのような過程において、除去中に基板もエッチングされ、それゆえ、基板の表面粗さ(Rq)が増加する。ジフェニルケイ素は、特に酸化されやすいという点で、従来のマスキング材料に特有である。酸化中、その有機基は、熱分解され、除去され、ケイ素が酸化されて、二酸化ケイ素を形成する。この過程により、基板の表面粗さが実質的に維持される。下記の実施例3に示されるように、マスクを除去するために、水素化非晶質炭素も酸化することができる。他のプラズマ高分子薄膜および材料は、ジフェニルケイ素と実質的に類似の恩恵を有するであろうと考えられる。例えば、制限ではなく、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)がある。
図2の流れ図10のブロック13を参照すると、少なくとも1つの損傷域120を形成し、第1と第2のマスク150A、150Bを施した後、ガラス物品100をエッチングすることができる。図4に示されるように、エッチング過程は、エッチング液180浴中にガラス物品100を浸漬することを含むことがある。それに加え、またはそれに代えて、エッチング液180は、ガラス物品100上に吹き付けられることがある。エッチング液180は、基板110のマスキングされていない部分で基板110の材料を除去して、少なくとも1つの損傷域120の直径を拡大することができる。どの適切なエッチング液を用いてもよい。エッチング液の非限定例としては、硝酸、塩化水素酸、またはリン酸などの強鉱酸、フッ化水素酸、重フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウムなどのフッ素含有エッチング液が挙げられる。
図5は、エッチングが行われた後の基板110を示す。図から分かるように、ビア124が、図1に示された少なくとも1つの損傷域120から開けられている。ビア124は、基板の厚さを通じて延在するスルービアであると示されている。他の実施の形態において、ビアは、基板を通る経路の一部のみに延在するブラインドビアであることがある。いくつかの実施の形態において、スルービアは、基板の厚さを通じて延在する損傷域から形成され、ブラインドビアは、基板の厚さを通じて延在しない損傷域から形成される。限定ではなく、例として、ビア124は、約5μmから約150μm、約20μmから約150μm、または約5μmから約20μmの範囲の直径を有することがある。ビアは、例えば、第一面または第二面のビアの開口の直径の少なくとも70%、少なくとも75%、または少なくとも80%の直径を持つ胴のくびれ(最小の直径を持つビアに沿った点)を有する実質的に円筒形であることがある。
少なくとも1つのビア124が所望の直径まで開けられた後、第1と第2のマスク150A、150Bを基板110から除去してよい(図2のブロック14)。図6は、基板110から第1と第2のマスク150A、150Bが除去された様子を示している。いくつかの実施の形態において、基板110は、第1と第2のマスク150A、150Bを除去する前および/または後に洗浄してもよい(例えば、脱イオン水で濯ぐことにより)。例えば、制限ではなく、ジフェニルケイ素がマスク材料である実施の形態において、第1と第2のマスク150A、150Bは酸化により除去することができる。ジフェニルケイ素薄膜を酸化するための例示の器具に、酸素フォトレジスト剥離装置またはプラズマ灰化装置がある。マスク150A、150Bは、基板110の第一面と第二面112、114の表面粗さ(Rq)(すなわち、エッチング後の表面粗さ(Rq))を実質的に増加させずに、除去されるであろう。表面粗さ(Rq)を実質的に増加させるとは、ここに記載されたような、ファンデルワールス結合能力を超えて基板110の表面粗さ(Rq)を増加させることを称する。いくつかの例において、マスク150A、150Bを除去した後の基板110の結果として生じた表面粗さ(Rq)は、約1.2nm未満、約1.1nm未満、約1.0nm未満、約0.9nm未満、約0.8nm未満、約0.7nm未満、約0.6nm未満、約0.5nm未満、約0.4nm未満、または約0.3nm未満である。
ビア124をエッチングした後、基板110に、追加のインターポーザ特性を獲得するために、追加の加工工程を施すことができる。図7は、担体200の結合面210上に基板110の第二面114を配置することによって、例示の担体200に取り外し可能に結合された例示の基板110を示す。先に述べたように、ガラス製インターポーザは非常に薄いことがある(例えば、300μm未満から700μmのどこか)。そのような薄い材料は、基板110の脆性および剛性の欠如のために、製造手順中に取り扱いが難しいであろう。脆性および剛性の欠如を解消するために、ビアが形成され、第1と第2のマスク150A、150Bが除去された後に、基板110を担体200に取り外し可能に結合することができる。基板110を担体に取り外し可能に結合する例示の方法の1つが、ここに全て引用される、米国特許出願公開第2014/0170378号明細書に開示されたような、ファンデルワールス結合を使用するものである。ファンデルワールス結合は、一般に、担体の結合面上に物品の表面を配置し、物品の温度を上昇させ、その後、物品を室温まで冷却する各工程を含む。その結果、物品と担体が互いに取り外し可能に結合される。ファンデルワールス結合は、基板の全域を担体200から取り外せつつ(1度に全て、または部分的にのいずれか)、加工(例えば、高温加工)に耐えることのできる結合を形成する能力のために、後続加工にとって有益である。基板110が取り外された後、担体200は、追加の基板を加工するために、再利用することができる。
しかしながら、基板を結合させるためにファンデルワールス結合技術を使用することの難題は、互いに結合されている表面の粗さが、結合される表面の能力に影響することである。非限定例として、約1.0nm超の表面粗さ(Rq)では、自発的結合が実質的に妨げられる、または基板110の担体200に対する結合が弱くなることがある。結合が弱いと、1つ以上の過程からの液体が基板110と担体200との間に侵入し、それによって、剥離、またはあるプロセスからの残留物が後のプロセスに影響するであろうから、プロセス汚染がもたらされるであろう。
担体200は、例えば、ガラスなどの、どのような適切な材料のものであってもよい。担体200は、ガラスである必要は無く、その代わりに、例えば、セラミック、ガラスセラミック、または金属であってよい。担体200は、ガラスから製造される場合、以下に限られないが、アルミノケイ酸塩、ホウケイ酸塩、アルミノホウケイ酸塩、ソーダ石灰ケイ酸塩を含む、どのような適切な組成物のものであってもよく、最終用途に応じて、アルカリ含有、または無アルカリのいずれであってもよい。担体200は、どのような適切な厚さを有してもよい。それに加え、担体200は、図示されたような、一層、または互いに結合された(例えば、積層により)多層から作られてもよい。さらに、担体200の熱膨張係数は、高温での加工中に基板110が担体200から分離するのを防ぐ、または基板110が反るのを防ぐために、基板110のものと実質的に一致させられるであろう。基板110の表面粗さ(Rq)は、担体200の表面粗さに加わる。したがって、担体200が0.6nm以下の表面粗さ(Rq)を有することが一般に推奨される。
図2のブロック16を参照すると、加工中に担体200と基板110が分離しないように、一旦、担体200に基板110が十分に結合されたら、基板110にさらなる加工を施してもよい。基板110の加工としては、基板110にアルカリ性洗浄液を施すこと、基板110をウェットエッチングすること、基板110を研磨すること、基板110を金属メッキすること、ウェットエッチングにより基板に金属パターニングすること、蒸着により基板110上に材料を堆積させること、および基板110をアニーリングすることなどの工程が挙げられる。
以下の比較例および実施例1と2は、酸エッチングおよびジフェニルケイ素薄膜の除去の結果としての表面粗さ(Rq)の変化を比べている。各例において、ガラス試料は、0.7mm厚であり、損傷域を持たなかった。各試料の表面粗さ(Rq)は、以下のパラメータ:1Hz、512走査/ライン、および2マイクロメートルの画像サイズで、Veeco Dimension ICON AFMにより測定した。
比較例
この比較例において、マスキングしていない「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、このガラス試料を6Mのフッ化水素酸と1.6Mの硝酸の混合物によりエッチングしながら、定期的に測定した。機械的(超音波ではない)撹拌をしつつ室温で10分未満で1nm超の表面粗さ(Rq)が達成されると立証された。この時間の量は40μmのエッチング深さに相当した。その結果が、下記の表1に纏められている。1.0nmを超えるいくつかの例の表面粗さ(Rq)で、ファンデルワールス結合が弱くなるまたは無効になることがあることに留意のこと。
この比較例において、マスキングしていない「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、このガラス試料を6Mのフッ化水素酸と1.6Mの硝酸の混合物によりエッチングしながら、定期的に測定した。機械的(超音波ではない)撹拌をしつつ室温で10分未満で1nm超の表面粗さ(Rq)が達成されると立証された。この時間の量は40μmのエッチング深さに相当した。その結果が、下記の表1に纏められている。1.0nmを超えるいくつかの例の表面粗さ(Rq)で、ファンデルワールス結合が弱くなるまたは無効になることがあることに留意のこと。
実施例1
この例において、「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、ジフェニルケイ素薄膜の施用の前と後、並びにその除去後に測定した。そのジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:390℃、500sccmのジフェニルシリカンの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)、210ミル(約5.33mm)の間隙、300WのRF、80℃でのジフェニルシラン・バブラーで、Applied Materials P5000 Universal Chemical Vapor Deposition (CVD)System内において堆積させた。ジフェニルケイ素薄膜の厚さは60nmであった。このジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去した。下記の表2に纏められた結果は、表面粗さ(Rq)がわずかしか増加せず、それでも、上述したようなファンデルワールス結合に要求される範囲に十分に入ることを示す。この例では、ガラス基板に酸エッチングを施さなかったことに留意のこと。
この例において、「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、ジフェニルケイ素薄膜の施用の前と後、並びにその除去後に測定した。そのジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:390℃、500sccmのジフェニルシリカンの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)、210ミル(約5.33mm)の間隙、300WのRF、80℃でのジフェニルシラン・バブラーで、Applied Materials P5000 Universal Chemical Vapor Deposition (CVD)System内において堆積させた。ジフェニルケイ素薄膜の厚さは60nmであった。このジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去した。下記の表2に纏められた結果は、表面粗さ(Rq)がわずかしか増加せず、それでも、上述したようなファンデルワールス結合に要求される範囲に十分に入ることを示す。この例では、ガラス基板に酸エッチングを施さなかったことに留意のこと。
実施例2
この例では、「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、ジフェニルケイ素薄膜の施用の後、15分のエッチング後、およびジフェニルケイ素薄膜の除去後に測定した。実施例1におけるように、そのジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:390℃、500sccmのジフェニルシリカンの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)、210ミル(約5.33mm)の間隙、300WのRF、80℃でのジフェニルシラン・バブラーで、Applied Materials P5000 Universal CVD System内において堆積させた。ジフェニルケイ素薄膜の厚さは60nmであった。エッチング液は、3Mのフッ化水素酸と1Mの硝酸の混合物であり、機械的(超音波ではない)撹拌を伴った。先の例におけるように、このジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去した。下記の表3に纏められた結果は、表面粗さ(Rq)が、上述したようなファンデルワールス結合に要求される範囲に十分に入ることを示す。この例も、ここに述べられたような酸浸食に対するジフェニルケイ素の耐性を示す。
この例では、「Eagle XG」ガラス試料の表面粗さ(Rq)を、ジフェニルケイ素薄膜の施用の後、15分のエッチング後、およびジフェニルケイ素薄膜の除去後に測定した。実施例1におけるように、そのジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:390℃、500sccmのジフェニルシリカンの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)、210ミル(約5.33mm)の間隙、300WのRF、80℃でのジフェニルシラン・バブラーで、Applied Materials P5000 Universal CVD System内において堆積させた。ジフェニルケイ素薄膜の厚さは60nmであった。エッチング液は、3Mのフッ化水素酸と1Mの硝酸の混合物であり、機械的(超音波ではない)撹拌を伴った。先の例におけるように、このジフェニルケイ素薄膜は、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去した。下記の表3に纏められた結果は、表面粗さ(Rq)が、上述したようなファンデルワールス結合に要求される範囲に十分に入ることを示す。この例も、ここに述べられたような酸浸食に対するジフェニルケイ素の耐性を示す。
実施例3
この例では、厚さ0.7mm、直径150mmで、損傷域を持たない「Eagle XG」ガラスウエハーの6個の試料に、非晶質水素化炭素薄膜のマスクを施した。このマスクは、30sccmのエチレン、70sccmの水素、60mT(約8.0Pa)の圧力、800Wの出力、および13.56MHzの周波数の条件下において、Nextral NE500反応性イオンエッチャー内において、エチレンと水素から堆積させた。堆積時間およびマスクの厚さ(堆積されたまま)が、下記の表4に列挙されている。このマスクの屈折率も、632nmで測定した(堆積されたまま)。厚さおよび屈折率は、N&K分析機を使用して測定した。マスクの堆積後、試料を、10質量%のフッ化水素酸と7質量%の硝酸のエッチング液内において23℃で約15分間に亘りエッチングした。マスクの厚さおよび632nmでの屈折率を、エッチング後に再びN&K分析機を使用して測定し、それらが下記の表4に列挙されている。厚さと屈折率の変化は、実験誤差の範囲内であった。次に、そのマスクを、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去し、各試料の表面粗さ(Rq)を、以下のパラメータ:1Hz、512走査/ライン、および2マイクロメートルの画像サイズで、Veeco Dimension ICON AFMにより測定した。その結果が、下記の表4に列挙されている。
この例では、厚さ0.7mm、直径150mmで、損傷域を持たない「Eagle XG」ガラスウエハーの6個の試料に、非晶質水素化炭素薄膜のマスクを施した。このマスクは、30sccmのエチレン、70sccmの水素、60mT(約8.0Pa)の圧力、800Wの出力、および13.56MHzの周波数の条件下において、Nextral NE500反応性イオンエッチャー内において、エチレンと水素から堆積させた。堆積時間およびマスクの厚さ(堆積されたまま)が、下記の表4に列挙されている。このマスクの屈折率も、632nmで測定した(堆積されたまま)。厚さおよび屈折率は、N&K分析機を使用して測定した。マスクの堆積後、試料を、10質量%のフッ化水素酸と7質量%の硝酸のエッチング液内において23℃で約15分間に亘りエッチングした。マスクの厚さおよび632nmでの屈折率を、エッチング後に再びN&K分析機を使用して測定し、それらが下記の表4に列挙されている。厚さと屈折率の変化は、実験誤差の範囲内であった。次に、そのマスクを、以下のパラメータ:200℃、1200mT(約160Pa)、1000sccmのN2、100sccmのO2、900W、2.54GHz、30秒の過剰エッチングによる端点制御を有するGasonics L3510フォトレジスト剥離装置により除去し、各試料の表面粗さ(Rq)を、以下のパラメータ:1Hz、512走査/ライン、および2マイクロメートルの画像サイズで、Veeco Dimension ICON AFMにより測定した。その結果が、下記の表4に列挙されている。
表4から分かるように、試料7は、マスクを持たず、マスクを有する6個の試料と同じ条件下でエッチングした。マスクを持たない試料7の表面粗さ(Rq)は、0.240から0.278と比べて著しく高い1.13であった。
ここに与えられた他の材料を、同様のパラメータを有するApplied Materials P5000 Universal CVD Systemを使用して基板上に堆積させてもよい。例えば、フェニルケイ素薄膜を、以下の条件:390℃、120sccmのフェニルシランの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)の圧力、210ミル(約5.33mm)の間隙、300W、13.56MHzのRFで、フェニルシランおよび水素から、Applied Materials P5000 Universal CVD System内において、水素搬送ガスと共に水素化有機ケイ素より堆積させてもよい。このフェニルシランのアンプルは30℃であることがある。その堆積速度はほぼ1000nm/分であることがある。メチルフェニルケイ素薄膜を、以下の工程条件:390℃、200sccmのメチルフェニルシランの体積流量、600sccmの水素(H2)の体積流量、9トール(約1.20kPa)の圧力、210ミル(約5.33mm)の間隙、450WのRFで、Applied Materials P5000 Universal CVD Systemを使用して、堆積させてもよい。このメチルフェニルシランのアンプルは80℃であることがある。ハロゲン化有機ケイ素などの他の前駆体も同様の結果を生じるであろう。
ここに記載された実施の形態により、基板の表面粗さ(Rq)を実質的に増加させずに、基板にビアが形成されることを理解すべきである。ビア形成中に基板の低い表面粗さを維持することによって、その基板は、さらなる加工のために担体に取り外し可能に結合できる。加工後、基板を担体から取り外すことができ、よって、その担体は、さらに別の基板を加工するために再利用できる。さらに、スルービアは、両面からエッチングできるので、実質的に円筒形に製造することができる。
請求項の主題の精神および範囲から逸脱せずに、ここに記載された実施の形態に様々な改変および変更を行えることが当業者に明白であろう。それゆえ、本明細書は、ここに記載された様々な実施の形態の改変および変更を、そのような改変および変更が付随の特許請求の範囲およびその等価物の範囲内に入るという条件で、包含することが意図されている。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
第一面から延在する少なくとも1つの損傷域を有する基板にビアを形成する方法において、
前記基板の第一面にマスクが施されている間に、該基板の前記少なくとも1つの損傷域をエッチングして、該基板にビアを形成する工程、および
前記マスクを前記基板の第一面から除去する工程であって、該マスクの除去の際に、該基板の第一面が約1.0nm未満の表面粗さ(Rq)を有する工程、
を有してなる方法。
第一面から延在する少なくとも1つの損傷域を有する基板にビアを形成する方法において、
前記基板の第一面にマスクが施されている間に、該基板の前記少なくとも1つの損傷域をエッチングして、該基板にビアを形成する工程、および
前記マスクを前記基板の第一面から除去する工程であって、該マスクの除去の際に、該基板の第一面が約1.0nm未満の表面粗さ(Rq)を有する工程、
を有してなる方法。
実施形態2
前記マスクが、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される、実施形態1に記載の方法。
前記マスクが、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される、実施形態1に記載の方法。
実施形態3
前記マスクがDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、実施形態2に記載の方法。
前記マスクがDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、実施形態2に記載の方法。
実施形態4
前記基板の第一面の表面粗さ(Rq)が、前記マスクの除去の際に、約0.6nm未満である、実施形態1から3いずれか1つに記載の方法。
前記基板の第一面の表面粗さ(Rq)が、前記マスクの除去の際に、約0.6nm未満である、実施形態1から3いずれか1つに記載の方法。
実施形態5
前記基板の第一面と反対の該基板の第二面に、エッチング中にマスクが施されている、実施形態1から4いずれか1つに記載の方法。
前記基板の第一面と反対の該基板の第二面に、エッチング中にマスクが施されている、実施形態1から4いずれか1つに記載の方法。
実施形態6
前記マスクが酸化により除去される、実施形態1から5いずれか1つに記載の方法。
前記マスクが酸化により除去される、実施形態1から5いずれか1つに記載の方法。
実施形態7
前記ビアがブラインドビアまたはスルービアである、実施形態1から6いずれか1つに記載の方法。
前記ビアがブラインドビアまたはスルービアである、実施形態1から6いずれか1つに記載の方法。
実施形態8
前記損傷域にマスクが施されないように、該マスクが前記基板の第一面に選択的に施される、実施形態1から7いずれか1つに記載の方法。
前記損傷域にマスクが施されないように、該マスクが前記基板の第一面に選択的に施される、実施形態1から7いずれか1つに記載の方法。
実施形態9
前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、実施形態1から8いずれか1つに記載の方法。
前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、実施形態1から8いずれか1つに記載の方法。
実施形態10
担体の結合面上に前記基板の第一面を配置することによって、該基板を該担体に取り外し可能に結合する工程、
をさらに含む、実施形態1から9いずれか1つに記載の方法。
担体の結合面上に前記基板の第一面を配置することによって、該基板を該担体に取り外し可能に結合する工程、
をさらに含む、実施形態1から9いずれか1つに記載の方法。
実施形態11
前記基板を前記担体に取り外し可能に結合した後、該基板にアルカリ性洗浄液を施すこと、該基板をウェットエッチングすること、該基板を研磨すること、該基板を金属メッキすること、ウェットエッチングにより該基板に金属パターニングすること、該基板上に材料を堆積させること、および該基板をアニーリングすることの内の少なくとも1つによって該基板を加工する工程をさらに含む、実施形態10に記載の方法。
前記基板を前記担体に取り外し可能に結合した後、該基板にアルカリ性洗浄液を施すこと、該基板をウェットエッチングすること、該基板を研磨すること、該基板を金属メッキすること、ウェットエッチングにより該基板に金属パターニングすること、該基板上に材料を堆積させること、および該基板をアニーリングすることの内の少なくとも1つによって該基板を加工する工程をさらに含む、実施形態10に記載の方法。
実施形態12
前記基板から前記担体を取り外す工程をさらに含む、実施形態11に記載の方法。
前記基板から前記担体を取り外す工程をさらに含む、実施形態11に記載の方法。
実施形態13
前記基板が、ファンデルワールス力を使用して、前記担体に取り外し可能に結合されている、実施形態10から12いずれか1つに記載の方法。
前記基板が、ファンデルワールス力を使用して、前記担体に取り外し可能に結合されている、実施形態10から12いずれか1つに記載の方法。
実施形態14
物品において、
厚さTだけ隔てられた第一面と第二面を有する基板、
前記基板内にあり、前記第一面から延在する少なくとも1つの損傷域、および
前記基板の第一面の非損傷域に配置された第1の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第1の薄膜層、
を備えた物品。
物品において、
厚さTだけ隔てられた第一面と第二面を有する基板、
前記基板内にあり、前記第一面から延在する少なくとも1つの損傷域、および
前記基板の第一面の非損傷域に配置された第1の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第1の薄膜層、
を備えた物品。
実施形態15
前記基板の第二面の非損傷域上に配置された第2の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第2の薄膜層をさらに備える、実施形態14に記載の物品。
前記基板の第二面の非損傷域上に配置された第2の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第2の薄膜層をさらに備える、実施形態14に記載の物品。
実施形態16
前記第1の薄膜層がDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、実施形態14または15に記載の物品。
前記第1の薄膜層がDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、実施形態14または15に記載の物品。
実施形態17
前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、実施形態14から16いずれか1つに記載の物品。
前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、実施形態14から16いずれか1つに記載の物品。
100 物品
110 基板
112 第一面
114 第二面
120 損傷域
124 ビア
150A 第1のマスク
150B 第2のマスク
180 エッチング液
200 担体
210 結合面
110 基板
112 第一面
114 第二面
120 損傷域
124 ビア
150A 第1のマスク
150B 第2のマスク
180 エッチング液
200 担体
210 結合面
Claims (10)
- 第一面から延在する少なくとも1つの損傷域を有する基板にビアを形成する方法において、
前記基板の第一面にマスクが施されている間に、該基板の前記少なくとも1つの損傷域をエッチングして、該基板にビアを形成する工程、および
前記マスクを前記基板の第一面から除去する工程であって、該マスクの除去の際に、該基板の第一面が約1.0nm未満の表面粗さ(Rq)を有する工程、
を有してなる方法。 - 前記マスクが、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される、請求項1記載の方法。
- 前記マスクがDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、請求項2記載の方法。
- 前記基板の第一面の表面粗さ(Rq)が、前記マスクの除去の際に、約0.6nm未満である、請求項1から3いずれか1項記載の方法。
- 前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、請求項1から4いずれか1項記載の方法。
- 担体の結合面上に前記基板の第一面を配置することによって、該基板を該担体に取り外し可能に結合する工程、
をさらに含む、請求項1から5いずれか1項記載の方法。 - 物品において、
厚さTだけ隔てられた第一面と第二面を有する基板、
前記基板内にあり、前記第一面から延在する少なくとも1つの損傷域、および
前記基板の第一面の非損傷域に配置された第1の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第1の薄膜層、
を備えた物品。 - 前記基板の第二面の非損傷域上に配置された第2の薄膜層であって、ジフェニルケイ素、フェニルケイ素、メチルフェニルケイ素、およびダイヤモンド状炭素(DLC)からなる群より選択される第2の薄膜層をさらに備える、請求項7記載の物品。
- 前記第1の薄膜層がDLCであり、該DLCが水素化非晶質炭素である、請求項7または8記載の物品。
- 前記基板がガラス、セラミック、またはガラスセラミックである、請求項7から9いずれか1項記載の物品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662343943P | 2016-06-01 | 2016-06-01 | |
US62/343,943 | 2016-06-01 | ||
PCT/US2017/035346 WO2017210376A1 (en) | 2016-06-01 | 2017-06-01 | Articles and methods of forming vias in substrates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019519457A true JP2019519457A (ja) | 2019-07-11 |
Family
ID=59055309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018562285A Pending JP2019519457A (ja) | 2016-06-01 | 2017-06-01 | 基板にビアを形成するための物品および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10410883B2 (ja) |
EP (1) | EP3465745A1 (ja) |
JP (1) | JP2019519457A (ja) |
KR (1) | KR20190013869A (ja) |
CN (1) | CN109314058A (ja) |
TW (1) | TW201806082A (ja) |
WO (1) | WO2017210376A1 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211020 |