TW201737766A - 處理基板的方法 - Google Patents

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Abstract

方法包括處理基板，包括以下步驟：將楔壓抵在接合到基板的載體的至少外部分。方法進一步包括以下步驟：在基板和載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。藉由在楔和基板的外邊緣部分之間提供相對運動而達成啟動脫離的步驟。

Description

處理基板的方法
本揭露書一般涉及用於處理基板的方法，且更具體地，涉及藉由在基板和載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離而處理基板的方法。
在撓性電子或其它裝置的製造中存在使用薄、撓性玻璃之興趣。撓性玻璃可具有與電子裝置(例如，液晶顯示器（LCD）、電泳顯示器（EPD）、有機發光二極體顯示器（OLED）、電漿顯示面板（PDP）、觸碰感應器、光伏等)的製造或性能任一者相關的若干有益性質。在使用撓性玻璃中的一個要素是以片材形式處理玻璃的能力。
在撓性玻璃的處理期間處理撓性玻璃的一種方式中，使用接合劑而將撓性玻璃接合到相對剛性的載體上。一旦接合到載體，載體的相對剛性的特徵和尺寸允許接合的結構在生產中被處理，而不會對撓性玻璃造成非所欲的彎曲或損壞。例如，撓性玻璃片可接合到載體，且接著功能部件（如，濾色器、觸碰感應器或薄膜電晶體（TFT）部件）可附接到撓性玻璃片以產生玻璃基板，其可用於在液晶顯示器（LCD）的生產中。
例如，一旦處理及/或其它處理步驟完成，可能存在有從基板移除載體的要求。然而，考慮到基板的易碎本質，當試圖移除載體時，載體及/或接合到載體的基板可能不幸地發生損壞。例如，對於強的接合界面而言，可能需要施加顯著的力，當試圖從基板剝離載體時，可能損壞載體及/或基板。此外，弱化具有尖銳物體的接合界面的嘗試可能會與載體及/或接合基板產生進一步的收縮應力，從而損壞載體及/或接合基板。因此，存在有用於從載體分離基板而不損壞基板及/或接合到載體的基板之實際解決方案的需求。
以下部分給出本揭露書之簡要的發明說明，以提供對在實施方式中描述的一些實施例的基本理解。本發明的實施例提供處理基板（如，一或多個單一基板或兩或多個單一基板的堆疊）的方法。
貫穿本揭露書的單一基板可包含廣泛的基板，包括單一玻璃基板（如，單一撓性玻璃基板，或單一剛性玻璃基板），單一玻璃陶瓷基板，單一陶瓷基板或單矽基板。在一些實施例中，單一基板可包含單一空白材料的基板，諸如單一空白玻璃基板（如，包括原始表面的玻璃片，此玻璃片可(例如)已與藉由下拉熔融製程或其它技術而製造的玻璃帶分離），單一空白玻璃-陶瓷基板或單一空白矽基板（如，單一空白矽晶圓）。若提供為單一空白玻璃基板，則單一空白玻璃基板可為透明的，半透明的或不透明的，且可任選地在單一空白玻璃基板的整個厚度上從單一空白玻璃基板的第一主表面到第二主表面包括相同的玻璃成分。在又進一步的實施例中，單一空白玻璃基板可包含已被化學強化的單一空白玻璃基板。
本揭露書的任何單一基板可任選地包括廣泛的功能。例如，單一玻璃基板可包括允許單一基板修改光或者結合到顯示裝置，觸碰感應器部件或其他裝置中的特徵。例如，單一玻璃基板可包括濾色器，偏振器，薄膜電晶體（TFT）或其他部件。在進一步的實施例中，若單一基板被提供為單一矽基板，則單一矽基板可包含允許其被結合到積體電路，光伏裝置或其他電子部件中的特徵。
在進一步的實施例中，基板可包含單一基板的堆疊，例如，以上所討論的單一基板中的任一個或組合。單一基板的堆疊可藉由相對於彼此而堆疊的兩或更多個單一基板所構建，其中相鄰單一基板的相面對的主表面彼此接合。在僅一個實施例中，單一基板的堆疊可包含單一玻璃基板的堆疊。例如，第一單一玻璃基板可包括濾色器，且第二單一玻璃基板可包括薄膜電晶體。第一和第二單一玻璃基板可(例如)利用邊緣接合而接合在一起，作為可形成為用於顯示器應用的顯示面板的單一基板的堆疊。因此，本揭露書的基板可包括以上所揭露的任一個或多個單一基板或單一基板的堆疊。
本揭露書提供有利於從接合到基板的一或多個載體移除以上所述的基板的各種方法。在一些實施例中，基板（如，一或多個單一基板、單一基板的堆疊）可移除地接合到一或多個載體。在一些實施例中，基板的第一主表面接合到單一載體。在進一步的實施例中，基板的兩個主表面可接合到相應的載體，其中基板位於兩個載體之間。
在將基板接合到載體之後的某一時刻，可能需要移除載體而不損壞基板。本揭露書提供允許分離載體而不接觸接合到載體的基板的實施例。因此，可避免由於接觸基板的傳統技術所導致的損壞。此外，本揭露書提供可在從接合到載體的基板完全地移除（如，藉由剝離）載體之前，啟動在載體和接合到載體的基板之間的脫離的技術。開始脫離的接合界面的初始位置在接合界面中提供所欲的弱化點。因此，後續的剝離技術可涉及顯著更小的力，因為脫離已經開始。由於減小了用以完全地移除載體（如，藉由剝離）的最大施加的力，所以施加到基板的相關應力可同樣減小，由此進一步減少對基板的可能損壞。
在一個實施例中，提供一種用於處理基板的方法，其中基板的第一主表面可移除地接合到第一載體的第一主表面，且基板的第二主表面可移除地接合到第二載體的第一主表面。基板的外邊緣部分設置在第一載體的外部分和第二載體的外部分之間。方法可包括步驟（I）：將楔壓抵在第一和第二載體的外部分。方法可進一步包括步驟（II）：在基板和第一載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。啟動脫離的步驟可藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而達成。
在另一個實施例中，可執行步驟（I）和（II）而不使基板的任何部分與楔接觸。
在另一個實施例中，插入工具的第一部分可包括限定楔的錐形厚度。
在另一個實施例中，在步驟（II）之後，方法可進一步包括以下步驟：用插入工具增加在第一載體的脫離部分和第二載體之間的距離，以使第一載體的進一步部分從基板脫離。
在另一實施例中，插入工具可進一步包括具有恆定厚度的第二部分。方法可又進一步包括減小在楔與基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到第一和第二載體的撬開的外部分的相面對的內表面間隔開等於插入工具的第二部分之恆定厚度的距離。
在另一個實施例中，插入工具的第二部分的恆定距離可比在步驟（I）開始時在第一和第二載體的外部分的相面對的內表面之間的距離大從約20微米至約40微米。
在另一個實施例中，插入工具的第二部分可包括限定恆定厚度的相對的外平行表面。
在另一個實施例中，在步驟（II）之後，該方法可進一步包括以下步驟：增加在第一載體的脫離部分和第二載體之間的距離，其中插入工具的第二部分的表面嚙合第一載體的外部分的內表面，以使第一載體的進一步部分從基板脫離。
在另一個實施例中，方法可進一步包括以下步驟：在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
在另一實施例中，方法可進一步包括將第二載體的第二主表面可移除地附接到板，以在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
在另一個實施例中，板可包括真空板，且方法可進一步包括將第二載體的第二主表面真空附接到真空板，以在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
在另一個實施例中，基板可包括玻璃基板和矽基板的至少一個。
在另一實施例中，基板可包括具有厚度為從約50微米至約300微米的單一玻璃基板。
在另一個實施例中，第一載體和第二載體的至少一個可包括從約200微米到約700微米的厚度。
在另一個實施例中，在基板與第一載體和第二載體的至少一個之間的後退橫向距離可為從約2mm至約10mm。
在另一個實施例中，在步驟（II）之後，方法可進一步包括步驟（III）：藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而在基板和第二載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。
在另一個實施例中，方法可包括以下步驟：在步驟（III）期間抑制第一載體的彎曲。
在另一個實施例中，方法可進一步包括將第一載體的第二主表面真空附接到真空板，以在步驟（III）期間抑制第一載體的彎曲。
在另一個實施例中，在步驟（III）之後，方法可進一步包括步驟（IV）：從基板完全地移除第一載體和第二載體的一個。
在另一個實施例中，在步驟（IV）之後，方法可進一步包括步驟（V）：從基板完全地移除第一載體和第二載體的另一個。
在另一實施例中，提供有一種用於處理玻璃基板的方法，其中玻璃基板的第一主表面可移除地接合到第一載體的第一主表面，且玻璃基板的第二主表面可移除地接合到第二載體的第一主表面。玻璃基板的外邊緣部分設置在第一載體的外部分和第二載體的外部分之間。方法包括步驟（I）：將第二載體的第二主表面可移除地附接到板，以抑制第二載體的彎曲。方法進一步包括步驟（II）：將插入工具的楔壓抵在第一和第二載體的外部分上，同時第二載體的第二主表面附接到板。方法進一步包括步驟（III）：在玻璃基板和第一載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離，同時第二載體的第二主表面附接到板上。可藉由在楔和玻璃基板的外邊緣之間提供相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而達成啟動脫離。可執行步驟（II）和（III）而不使玻璃基板的任何部分與楔接觸。
在另一個實施例中，插入工具可包括第一部分和第二部分，第一部分包括楔，第二部分具有恆定厚度。方法可進一步包括減小在楔和玻璃基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到第一和第二載體的撬開的外部分的相面對的內表面間隔開等於插入工具的第二部分的恆定厚度的距離。
在另一實施例中，在步驟（III）之後，進一步包括以下步驟：增加在第一載體的脫離部分與第二載體之間的距離。增加距離可藉由插入工具的第二部分的表面嚙合第一載體的外部分的內表面而達成，以使第一載體的進一步部分從玻璃基板脫離。
在另一個實施例中，提供有一種用於處理基板的方法，其中基板的第一主表面可移除地接合到載體的第一主表面。方法包括步驟（I）：相對於板可移除地附接基板的第二主表面，以抑制基板的彎曲。一旦可移除地附接，基板的外邊緣部分設置在載體的外部分和板的表面之間。方法可進一步包括步驟（II）：將楔壓抵在載體的外部和板的表面。方法還可進一步包括步驟（III）：藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開載體的外部分和板的表面而在基板和載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離，同時基板的第二主表面相對於板的表面維持可移除地附接。
在另一個實施例中，可執行步驟（II）和（III）而不使基板的任何部分與楔接觸。
在另一個實施例中，插入工具的第一部分可包括限定楔的錐形厚度。
在另一個實施例中，在步驟（III）之後，方法可進一步包括以下步驟：用插入工具增加在載體的脫離部分和板的表面之間的距離，以使載體的進一步部分從基板脫離。
在另一個實施例中，插入工具可進一步包括具有恆定厚度的第二部分。方法還可進一步包括減小在楔與基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到載體的內表面和板的表面間隔開等於插入工具的第二部分的恆定厚度的距離。
在另一個實施例中，插入工具的第二部分的恆定距離可比在步驟（II）開始時在載體的內表面和板的表面之間的距離大從約20微米至約40微米。
在另一個實施例中，插入工具的第二部分可包括限定恆定厚度的相對的外平行表面。
在另一個實施例中，在步驟（III）之後，方法可進一步包括以下步驟：增加在載體的脫離部分和板的表面之間的距離，其中插入工具嚙合載體的外部分的內表面，以使載體的進一步部分從基板脫離。
在另一個實施例中，板可包括真空板，且步驟（I）包括將基板的第二主表面真空附接到真空板。
在另一個實施例中，基板可包括玻璃基板和矽基板的至少一個。
在另一個實施例中，基板可包括單一基板。
在另一實施例中，基板可包括玻璃基板。
在另一個實施例中，基板可包括具有厚度為從約50微米至約300微米的單一基板。
在另一個實施例中，載體可包括從約200微米至約700微米的厚度。
在另一個實施例中，在基板和載體之間的後退橫向距離可為從約2mm至約10mm。
在另一個實施例中，在步驟（III）之後，方法可進一步包括步驟（IV）：從基板完全地移除載體。
現將在下文中參考附隨的圖式而更全面地描述實施例，在附隨的圖式中顯示有各種實施例。只要可能，使用相同的元件符號在整個圖式中，以指代相同或相似的部件。然而，態樣可以許多不同的形式而實施，且不應被解釋為受限於在此所闡述的實施例。
為了能夠在處理期間處理基板，基板可接合到一或多個載體。載體的相對剛性的特徵和尺寸允許在生產中處理接合的基板，而沒有顯著的彎曲，否則其可能導致對基板及/或安裝到基板上的部件的損壞。本揭露書的任何實施例的基板可如上所述包含一或多個單一基板或者兩或多個單一基板的堆疊。單一基板可具有從約50微米到約300微米的厚度，但是在進一步的實施例中可提供其他厚度。在一個實施例中，單一撓性玻璃基板或單一撓性玻璃基板的堆疊(其中每一單一撓性玻璃基板具有從約50微米到約300微米的厚度)可使用接合劑(例如聚合物接合劑，或在美國專利申請案公開號第US2014/0170378號、第US2015/0329415號中所揭露的接合劑，或在國際專利申請案公開號第WO2015/113020號、第WO2015/113023號、第WO2015/112958號、第WO2015/157202號中所揭露的接合劑，或在2015年6月26日提交的美國臨時專利申請US62/185095、2015年5月19日提交的US62/163821、2015年8月5日提交的US62/201245中所揭露的接合劑)而可移除地接合到剛性載體。類似地，接合劑可包括如在EP2025650中詳述的矽酮材料，或在KR2013044774中詳述的表面粗糙度機制。載體可由能夠抵抗在可移除地接合到載體的基板的處理期間的條件的玻璃，樹脂或其他材料所製成。貫穿本揭露的載體可任選地藉由提供載體而引入所欲的剛性水平，該載體具有大於可移除地接合到載體的基板的厚度之厚度。如圖所示，載體可包含在載體的第一主表面和第二主表面之間的具有厚度的板（如，剛性板）。在一些實施例中，貫穿本揭露書的載體可包括從約200微米至約700微米的厚度。在一些進一步的實施例中，載體可包括大於接合到載體的單一基板的厚度之厚度。此外，在一些實施例中，可選擇載體的厚度，其中載體和接合到載體的基板的總厚度在可用於已經配置以處理相對厚的玻璃基板的現有處理機械的範圍內，該相對厚的玻璃基板具有在載體和接合到載體的基板的總厚度的範圍內的厚度。
如第 1 和 2 圖 中所示意性所示的，基板301 可任選地包含單一基板或單一基板的堆疊。在僅一個實施例中，第 3 圖 顯示以兩個單一基板的堆疊之任選形式的基板301 ，基板301 包括接合到第二單一玻璃基板315b 的第一單一玻璃基板315a 。第 3 圖 的基板可以各種各樣的方式而形成。例如，第一單一撓性玻璃片可接合到第一載體307 ，以產生第一接合結構323a 。同樣地，第二撓性玻璃片可接合到第二載體313 ，以產生第二接合結構323b 。第一接合結構323a 可用經設計以處理第一接合結構的現有機械處理，以向第一撓性玻璃片添加一或多個功能部件(例如濾色器317 )，以產生第一單一玻璃基板315a 。在一些實施例中，第一單一玻璃基板315a 可由於與剛性的第一載體307 的接合而為非撓性的，但是若從第一載體307完全地脫離，則將為單一撓性玻璃基板。
第二接合結構323b 可用經設計以處理第二接合結構的現有機器處理，並向第二撓性玻璃片添加一或多個功能部件(例如薄膜電晶體（TFT）部件319 )，以產生第二單一玻璃基板315b 。在一些實施例中，第二單一玻璃基板315b 可由於與剛性的第二載體313 接合而為非撓性的，但是若從第二載體313 完全地脫離，則將為單一撓性玻璃基板。
第一接合結構323a 的第一單一玻璃基板315a 的外表面可接合到第二接合結構323b 的第二單一玻璃基板315b 的外表面，以形成基板301 （如，所示的單一基板的堆疊），其包含接合到第二單一基板315b 的第一單一基板315a 。如圖所示，以單一玻璃基板的堆疊的形式之基板301 可形成用於顯示器應用的玻璃面板，但是在進一步的實施例中可形成其他結構。在一些實施例中，由於與剛性的第一載體307 和剛性的第二載體313 接合，以單一基板的堆疊的形式的基板301 可為非撓性的，但若從第一載體307 和第二載體313 完全地脫離，則將為單一基板的撓性堆疊。如圖所示，基板301 包括第一主表面303 和第二主表面309 ，第一主表面303 可移除地接合到第一載體307 的第一主表面305 ，第二主表面309 可移除地接合到第二載體313 的第一主表面311 。
在將基板接合到載體之後的某一時刻，可能需要移除載體而不損壞基板。實際上，在處理單一基板（如，藉由添加一或多個功能部件）之前，可能需要從載體移除單一基板。在另一個實施例中，可能存在有在將基板處理成具有功能部件的單一基板之後且在將基板創建為單一基板的堆疊之前，從載體移除單一基板的要求。在又進一步的實施例中，可能存在有從包括單一基板的堆疊的基板(例如以上所討論的基板301 )移除一或多個載體的要求。
可能存在有最終從以上所討論的任何基板移除載體的要求。由於基板的易碎本質，在一些實施例中，可能存在有移除載體而不嚙合基板的外邊緣部分321 的要求。
在一些實施例中，可能存在有在外周邊接合界面的預定位置處啟動脫離的要求。這種脫離啟動可降低應力，及可能在沒有脫離啟動步驟的情況下發生對基板及/或載體的可能的損害。事實上，提供脫離啟動步驟可針對外周邊接合界面的相對小的位置，以允許在小區域裡以第一力起始脫離，由此提供一個弱化點在接合處，這可允許以與第一力相比為減小的第二力從基板更容易地完全移除（如，藉由剝離）載體。
現將首先參考第 18 圖 而描述處理基板的方法，因為其應用於第 3-10 圖 中所示的基板301 ，不過類似或相同的步驟可應用於以上所討論的任何其它基板。如圖所示，方法可藉由任選地包括抑制第二載體313 的彎曲之步驟1803 而開始於1801 。例如，第二載體313 可實質地固定，以抵抗彎曲力矩下的彎曲。以這種方式，方法允許合理地預測哪個載體將首先釋放。實際上，藉由抑制第二載體313 的彎曲，載體的彎曲主要受限於第一載體307 。因此，抑制第二載體313 的彎曲可促使脫離，以在基板301 和第一載體307 之間的外周邊接合界面的位置處啟動。
抑制第二載體313 的彎曲的步驟1803 可以多種方式而達成。例如，方法步驟1803 可包括將第二載體313 的第二主表面325 可移除地附接到板，以抑制第二載體313 的彎曲。板可包含由金屬（如，不銹鋼、鋁等）、塑膠、樹脂或其它材料所製成的剛性板。可移除的附接可藉由黏著劑接合或其它技術而達成。在一個實施例中，如圖所示，板可包含真空板327 。如圖所示，真空板327 可真空附接到第二載體313 的第二主表面325 ，以相對於真空板327 將第二載體313 可釋放地固定定位。
如第 1 和 2 圖 中所示，真空板327 可包括一或多個真空埠，例如所示的複數個真空埠101 在真空板327 的表面103 （如，實質平坦的表面）處開口。複數個真空埠101 可設置成與真空源201 （參見第 2 圖 ）（例如真空罐或真空泵）選擇性流體連通。如第 2 圖 中所示，真空導管203 （例如撓性軟管）可在複數個真空埠101 和真空源201 之間提供流體連通。在一個實施例中，如第 2 圖 中所示，真空板可包含真空腔室205 ，真空腔室205 可設置成與複數個真空埠101 流體連通，使得複數個真空埠101 與真空導管203 流體連通。
雖然未顯示，但是可提供一或多個支座以防止在第二載體313 的第二主表面325 和真空板327 的表面103 之間的實際嚙合。這種支座可包含外周邊支座，例如包圍複數個真空埠101 的環。另外或替代地，支座可包含分佈在真空埠之間，遍及於真空埠101 的圖案的柱。柱可包含各種材料，例如聚合物材料。支座可延伸約1.6毫米（mm）（如，1/16英寸）的距離，但是在進一步的實施例中可使用其他距離。
如第 18 圖 中的箭頭1805 所示，方法可任選地從抑制第二載體313 的彎曲之步驟1803 進行到將楔601 （參見第 6 圖 ）(例如插入工具329 的楔)壓抵在第一載體307 的外部分603a 及第二載體313 的外部分603b 的步驟1807 。替代地，如箭頭1809 所示，方法可開始於將楔601 壓抵在第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 之步驟1807 。這可能是期望的，以減少處理時間且若沒有優先選擇哪個載體首先釋放。然而，為了抓取基板301 並提供預先選擇的第一載體307 的優先脫離，可(例如)利用以上所討論的真空板327 抑制第二載體313 彎曲。
參照第 1 圖 ，楔601 可在方向105 上朝向分別包括第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 的倒角角落107 插入。這個接近角度可減小在與載體嚙合的點處的應力集中，同時最大化在基板301 的角落處的應力集中，以促進載體從基板啟動脫離。如第 1 圖 中示意性所示，除了倒角角落，載體的任何或所有角落可包括圓角落109 或其他角落形狀。此外，載體的任何或所有角落可包含倒角，諸如倒角角落107 、110a 、110b 。此外，可在一或多個載體角落處提供替代形狀。如第 1 圖 中的虛線示意性所示，基板301 的角落可任選地包括圓角落113 ，倒角角落115 或其他角落形狀。此外，基板可包括圓角落或倒角角落的混合或其他角落形狀的混合。又進一步地，所有的角落可包含圓角落，倒角角落或其他角落形狀。
回到第 18 圖 ，在步驟1807 之後，方法可進行到步驟1811 ，其藉由提供在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的相對運動以撬開第一載體307 和第二載體313 的至少一個的外部分603a 、603b 而在基板301 和第一載體307 之間的外周邊接合界面605 （參見第 6 圖 ）的位置701 （參見第 7 圖 ）處啟動脫離。在步驟1811 期間，可如以上關於步驟1803 所述，抑制第二載體的彎曲。例如，如前面所討論的，在步驟1803 期間，方法可包括將第二載體313 的第二主表面325 真空附接到真空板327 ，以在步驟1803 期間抑制第二載體313 的彎曲。
撬開第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 的至少一個的動作可藉由將楔601 (例如)在第 1 、 6 和 7 圖 中所示的方向105 上線性地壓抵外部分603a 、603b 而達成。由楔601 所提供的撬開動作藉由外部分603a 、603b 和楔601 的相對輪廓形狀而達成。在僅一個實施例中，插入工具的錐形厚度限定楔601 。例如，如第 3 圖 中所示，插入工具329 可包括設置有楔601 的外端，楔601 在向外方向331 上從較大厚度T1 漸縮成較小厚度T2 。可藉由插入工具329 的錐形厚度而界定提供給楔的各種替代形狀。例如，第 4 圖 顯示插入工具401 的另一個實施例，其具有倒角楔403 ，倒角楔403 包括可終止於鈍端407 的傾斜側405 。第 5 圖 顯示插入工具501 的又另一個實施例，其具有圓形楔503 ，圓形楔503 包括可終止於鈍端507 的圓角落505 。為插入工具提供錐形楔可減少可能提供應力點的尖銳角落，尖銳角落可能對插入工具及/或外部分603a 、603b 造成損壞。此外，錐形楔允許外部分603a 、603b 被撬開，因為插入工具329 的最大厚度607 （見第 6 圖 ）大於在步驟1807 開始時在第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 的相面對的內表面之間的距離「D1 」（參見第 6 圖 ）。
如進一步所示，外部分603a 、603b 可具有與以上所論述的任何實施例中所論述的楔相似的圓形輪廓。也就是說，外部分603a 、603b 可具有如第 4 ， 5 ， 12 或 13 圖 之任一個所示的輪廓。此外，還可想到在插入工具的楔包括由插入工具的末端的錐形厚度所限定的楔的實施例中，外部分603a 、603b 可具有帶90度的角落之平坦邊緣。替代地，在外部分603a 、603b 包括錐形端的實施例中，插入工具的楔可包含端部，該端部具有帶90度的角落之平坦邊緣。然而，為插入工具的外部分603a 、603b 和楔601 提供錐形輪廓（如，如圖所示）可減小應力點，從而減少對插入工具及/或載體的磨損和損壞，同時還提供所欲的撬開動作。
在一些實施例中，方法步驟1807 和1811 可實施而不使基板301 的任何部分與楔601 接觸。實際上，例如，如第 8 圖 中所示，在完全插入位置處，楔601 的頂點601a 與基板301 的外邊緣部分321 間隔開。防止在基板301 和楔601 之間的接觸可避免對基板301 施加壓力，從而減少損害基板301 的可能性，否則以刀片接合基板及/或載體以試圖突破外周邊接合界面605 的其他技術可能會發生這種情況。此外，減小在插入工具的楔上的尖銳點可進一步減少或防止若不知何故接觸發生時對基板301 的損壞。例如，提供具有鈍端407 、570 或具有圓形頂點601a 的插入工具的楔可減少或消除尖銳的邊緣、點或角落，且從而避免若非故意的接觸發生時對基板301 的外邊緣部分321 的損壞。
如第 18 圖 中所示，在啟動脫離的步驟1811 之後，方法可任選地進行到步驟1813 ，用插入工具329 增加在第一載體307 的脫離部分和第二載體313 之間的距離，以使第一載體307 的進一步部分從基板301 脫離。為獲得更可靠的提升界面，插入工具可任選地在插入方向105 上進一步插入，直到插入工具329 的最大厚度位於第一載體307 的第一主表面305 下方。如第 8 圖 中所示，在一些實施例中，插入工具包括在插入工具329 的第二部分801 的長度上包括恆定厚度609 的第二部分801 。如圖所示，在一些實施例中，在第二部分801 的長度上的恆定厚度609 可包含插入工具的最大厚度。在一些實施例中，如第 8 圖 中所示，恆定厚度609 可由兩個相對的外平行表面803a 、803b 所提供。平行表面可提供恆定厚度609 ，恆定厚度609 可在第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 之間提供所欲的間隔。在一些實施例中，恆定厚度609 可比在步驟1807 開始時在外部分603a 、603b 的相面對的內表面之間的距離「D1 」大從約20微米到約40微米。雖然可採用寬範圍的厚度差，但提供小於20微米的厚度差可能不能在一些應用中成功地啟動脫離，而當提供大於40微米的厚度差時可能使得插入工具在一些應用中太難以插入。
如第 8 圖 中所示，在一些實施例中，方法可進一步包括減小在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的距離，至少直到第一載體307 和第二載體313 的撬開的外部分603a 、603b 的相面對的內表面被間隔開等於插入工具329 的第二部分801 的恆定厚度609 的距離「D2 」。減小距離可提供重疊的平面界面805 ，重疊的平面界面805 可減少應力以及降低插入工具在以下所述的提升操作期間無意地從第一載體307 脫離的可能性。減小距離可(例如)藉由沿方向105 進一步插入插入工具而達成。工具可插入的程度可取決於基板301 的後退橫向距離。為了本揭露書的目的，參考第 6 圖 ，後退橫向距離「L1 」被認為是在插入工具插入以啟動脫離的位置處，在待提升的載體（如，第一載體307 ）的最外點與基板301 的外邊緣部分321 的最外點之間的橫向距離。可根據本揭露書而使用寬範圍的後退橫向距離。例如，在一些實施例中，後退橫向距離可從約2mm到約10mm。第 19 圖 顯示在垂直軸上的成功脫離啟動百分比對照在水平軸上的以毫米為單位的後退距離的曲線圖。正方形表示實際資料，而曲線顯示實際資料的函數擬合。如可見的，後退距離越高，基板達成成功脫離啟動的百分比越大。如可見的，在具有從約2mm至約10mm的後退橫向距離的一些實施例中，可達成從大於70%至約100%的令人印象深刻的結果。使用從約6mm至約10mm的後退橫向距離可達成更大的結果。
在一個實施例中，如第 9 圖 中所示，增加在第一載體307 的脫離部分和第二載體313 之間的距離的步驟1813 可包括在遠離第二載體313 的第一主表面311 的方向901 上提升插入工具329 。在一些實施例中，方向901 可垂直於第一主表面311 ，以減少(諸如防止)第一載體相對於插入工具329 的側向滑動。如進一步所示的，可增加距離直到第一載體307 和第二載體313 的撬開的外部分603a 、603b 的相面對的內表面與插入工具329 的第二部分801 的表面（如，所示的平行表面803a 的一部分）(該表面與第一載體307 的外部分603a 的內表面嚙合)間隔開距離「D3 」，以使第一載體307 的進一步部分從基板301 脫離。
如第 18 圖 中的箭頭1815 和1817 所示，在步驟1811 或1813 之後，方法可任選地進行到步驟1819 ，其翻轉基板以在相對側上執行類似的過程，以使第二載體313 從基板301 啟動脫離。例如，可如上所述再次實施第 6-9 圖 中所示的過程，但是將第一載體307 安裝到在圖式中的真空板327 。實際上，方法可藉由提供在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的相對運動以撬開第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 而在基板301 和第二載體313 之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。類似於以上所討論的過程，方法可包括當啟動脫離時抑制第一載體的彎曲(例如利用板)之步驟。
在一些實施例中，可在步驟1821 期間，在完全地移除載體307 、313 中的一者或兩者之前進行在載體307 、313 的每一者與基板301 之間的啟動脫離。實際上，在一些實施例中，過程在1830 結束，而不移除載體，如箭頭1823 和1825 所示。若要在不同的時間或位置進行完全移除，則可能發生此種情況。例如，啟動脫離但不完全地將載體從基板脫離可允許載體在運送期間保護基板。同時，由於啟動脫離但不完全地脫離載體的製程，簡化了在目的地位置處移除載體。此外，參考第 1 圖 ，啟動脫離可發生在載體的相對角落上。例如，可在倒角角落107 處啟動脫離第一載體，同時可同樣地在相對角落110a 、110b 的一個處進行第二載體的啟動脫離。在相對的角落110a 、110b 的一個處提供脫離啟動可在第二載體的第二脫離啟動過程期間，幫助維持真空密封抵住真空板之基板或載體的剛性。此外，如第 18 圖 中的箭頭1810 所示，任何一個載體（例如，第一載體或第二載體）從基板的脫離啟動可發生在多於一個位置，且這可在翻轉堆疊之前完成，以在堆疊的外周邊周圍的一或多個位置處將任何其它載體從基板啟動脫離。
第 10 圖 顯示從基板301 完全地移除第一載體307 的步驟1821 。如圖所示，真空條1001 可用以夾持載體已經啟動脫離的部分，並繼續將那個部分在方向1003 上向上提升，以完全地從基板301 移除（如，藉由剝離）第一載體307 。可執行類似的過程，以從基板301 移除第二載體313 。
根據前述內容，將理解本揭露書的一個實施例可包括處理玻璃基板（例如玻璃基板301 及包括以上所述的單一玻璃基板的堆疊）的方法。在這個實施例中，玻璃基板301 的第一主表面303 可移除地接合到第一載體307 的第一主表面305 ，且玻璃基板301 的第二主表面309 可移除地接合到第二載體313 的第一主表面311 。如第 3 圖 中所示，玻璃基板301 的外邊緣部分321 設置在第一載體307 的外部分603a 和第二載體313 的外部分603b 之間。在這種實施例中，方法可包括步驟1803 ，其將第二載體313 的第二主表面325 可移除地附接到板（如，真空板），以抑制第二載體313 的彎曲。如第 6 圖 中所示，方法可進一步包括步驟1807 ，其將插入工具329 的楔601 壓抵在第一載體307 和第二載體313 的外部分603a 、603b 之間，同時第二載體313 的第二主表面325 附接到板（如，真空板）。方法可進一步包括步驟1811 ，其在玻璃基板301 和第一載體307 之間的外周邊接合界面605 （參見第 6 圖 ）的位置701 （參見第 7 圖 ）處啟動脫離，同時第二載體313 的第二主表面325 附接到板（如，真空板）。如第 7 圖 中所示，啟動脫離的步驟可藉由提供在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的相對運動以撬開第一載體307 和第二載體313 的外部分而達成，其中步驟1807 和1811 可執行而不使玻璃基板301 的任何部分與楔601 接觸。
如第 18 圖 中所示，提升的步驟181 是任選的。事實上，如箭頭1827 所示，方法可直接從步驟1811 進行到從基板完全地移除載體的步驟1821 。例如，不是在步驟1811 之後翻轉基板，而是可如第 10 圖 中所示完全地移除第一載體307 。接著，如箭頭1829 所示，方法可任選地進行到翻轉的步驟1819 。移除第二載體313 的製程在第 11-17 圖 中顯示。除非另有指明，否則與第 11-17 圖 相關聯的製程可與在第 1 -10 圖 中所指出的製程類似或相同。此外，當顯示在第 11-17 圖 中的製程顯示從玻璃基板301 移除載體時，可採用類似的過程用於任何其它基板。
回到第 11 圖 ，方法可包括處理基板，例如所示的基板301 ，其中基板301 的第二主表面309 可移除地接合到第二載體313 的第一主表面311 。方法可包括以下步驟：相對於板327 （如，真空板）將基板301 的第一主表面303 可移除地附接，以抑制基板301 的彎曲。在一個實施例中，基板301 的第一主表面303 或基板301 的第一主表面303 的至少一部分可不接觸板327 ，而基板的第一主表面303 仍然相對於板327 而可移除地附接。這樣的實施例在與第一主表面303 上的特徵（如，部件）的接觸可能在真空附接期間因接觸板327 而損壞的應用中可能為特別有用的。替代地，在另一實施例中，基板301 的整個第一主表面303 可與板327 直接接觸，同時基板的第一主表面303 仍然相對於板327 而可移除地附接。
如圖所示，基板301 的外邊緣部分321 設置在第二載體313 的外部分603b 和板327 的表面103 之間。方法可進一步包括以下步驟：將楔601 壓抵在第二載體313 的外部分603b 和板327 的表面103 之間。第 12 圖 顯示倒角楔1201 的替代實施例，其類似於第 4 圖 中所示的倒角楔403 。第 13 圖 顯示圓形楔1301 的另一替代實施例，其類似於第5圖中所示的圓形楔503 。與所有其它顯示的楔一樣，第 12 和 13 圖 的楔也可藉由插入工具的錐形厚度而限定。在進一步的實施例中，楔403 和503 也可用在第 11-16 圖 的製程中。
如第 14 圖 中所示，方法可進一步包括藉由提供在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的相對運動以撬開第二載體313 的外部分603b 和板327 的表面103 而在基板301 和第二載體313 之間的外周邊接合界面1101 （參見第 11 圖 ）的位置1401 處啟動脫離，同時基板301 的第一主表面303 維持可移除地附接到板327 的表面103 。如第 11 、 14 和 15 圖 中所示，方法可執行而不使基板301 的任何部分與楔601 接觸。
在位置1401 處啟動脫離之後，方法可進一步包括以下步驟：用插入工具329 增加在第二載體313 的脫離部分和板327 的表面103 之間的距離，以使第二載體313 的進一步部分從基板301 脫離。如前所述，插入工具329 包括具有恆定厚度609 的第二部分801 。如第 15 圖 中所示，方法可進一步包括減小在楔601 和基板301 的外邊緣部分321 之間的距離，至少直到第二載體313 的內表面和板327 的表面103 間隔開等於插入工具329 的第二部分801 的恆定厚度609 的距離「D2 」。如以上所討論的，插入工具329 的第二部分801 的恆定距離609 可比在將楔壓抵在第二載體上開始時，在第二載體313 的內表面和板327 的表面103 之間的距離「D1 」（參見第 11 圖 ）大從約20微米至約40微米。此外，如以上所討論的，參照第 8 圖 ，插入工具329 的第二部分801 可包括限定恆定厚度609 的相對的平行表面803a 、803b 。
在啟動第二載體313 的脫離之後，如第 16 圖 中所示，方法可進一步包含以下步驟：用插入工具329 增加在第二載體313 的脫離部分和板327 的表面103 之間的距離「D3 」，其中插入工具329 嚙合第二載體313 的外部分的內表面，以使第二載體313 的進一步部分從基板301 脫離。
如第 17 圖 中所示，方法可進一步包括從基板301 完全地移除第二載體313 的步驟。如以上所討論的，在第 11-17 圖 中所示的製程可用以從載體移除任何基板。在一個實施例中，基板可包含單一玻璃基板和單一矽晶圓的至少一個，但是在進一步的實施例中可提供其他基板。在進一步的實施例中，單一基板包含包括功能部件的單一基板（如，具有偏振器、濾色器、薄膜電晶體等的單一玻璃基板）。在又另一個實施例中，基板可包含單一基板的堆疊，例如所示的單一玻璃基板的堆疊。如前所述，任何單一基板（如，單一玻璃基板）可具有從約50微米至約300微米的厚度，但是在進一步的實施例中可能有其他厚度。此外，載體可包括從約200微米至約700微米的厚度，但是在進一步的實施例中可提供其他厚度。又進一步地，在基板和載體之間的後退橫向距離可為從約2mm至約10mm。
除非另有說明，否則本揭露書的方法步驟可以各種順序而執行。例如，方法步驟可以第 18 圖 中所示的任何順序而執行。在一個實施例中，具有以上所討論的在兩個載體之間的基板，方法可通過步驟1807 和1811 ，以將第一載體從基板啟動脫離，並任選地通過步驟1813 。方法可接著包括在步驟1819 期間將基板翻轉，並接著再次通過步驟1807 和1811 ，以將第二載體從基板啟動脫離，並且任選地通過步驟1813 。接著，方法可進行到步驟1821 ，以如第 10 圖 中所示從基板中完全地移除載體的一個，並接著如第 11 和 14-17 圖 中所示完全地移除另一個載體。
在另一個實施例中，具有以上所討論的在兩個載體之間接合的基板，方法可通過步驟1807 和1811 ，以將第一載體從基板啟動脫離，並任選地通過步驟1813 。接著，方法可直接進行到步驟1821 ，其中第一載體從基板完全地移除，如第 10 圖 中所示。接著，在步驟1819 期間可翻轉基板，且接著方法可再次通過步驟1807 和1811 ，以將第二載體從基板啟動脫離，且任選地通過步驟1813 。接著，方法可進行到步驟1821 ，以完全地移除第二載體基板，如第 11 和 14-17 圖 中所示。
這些僅是可對以上所討論的方法進行的變化的幾個實施例。可進行其它各種修改和變化而不背離申請專利範圍的精神和範圍。
實施例1.一種處理基板的方法，其中基板的第一主表面可移除地接合到第一載體的第一主表面，且基板的第二主表面可移除地接合到第二載體的第一主表面，其中基板的外邊緣部分設置在第一載體的外部分和第二載體的外部分之間，方法包含以下步驟： （I）將楔壓抵在第一和第二載體的外部分；及 （II）藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而在基板和第一載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。
實施例2.如實施例1之方法，其中執行步驟（I）和（II）而不使基板的任何部分與楔接觸。
實施例3.如實施例1或實施例2之方法，其中插入工具的第一部分包括限定楔的錐形厚度。
實施例4.如實施例3之方法，其中在步驟（II）之後，進一步包含以下步驟：用插入工具增加在第一載體的脫離部分和第二載體之間的距離，以使第一載體的進一步部分從基板脫離。
實施例5.如實施例4之方法，其中插入工具進一步包括具有恆定厚度的第二部分，且方法進一步包括減小在楔與基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到第一和第二載體的撬開的外部分的相面對的內表面間隔開等於插入工具的第二部分之恆定厚度的距離。
實施例6.如實施例5之方法，其中插入工具的第二部分的恆定距離比在步驟（I）開始時在第一和第二載體的外部分的相面對的內表面之間的距離大從約20微米至約40微米。
實施例7.如實施例5或實施例6之方法，其中插入工具的第二部分包括限定恆定厚度的相對的外平行表面。
實施例8.如實施例5-7之任一者之方法，其中在步驟（II）之後，進一步包含以下步驟：增加在第一載體的脫離部分和第二載體之間的距離，其中插入工具的第二部分的表面嚙合第一載體的外部分的內表面，以使第一載體的進一步部分從基板脫離。
實施例9.如實施例1-8之任一者之方法，進一步包含以下步驟：在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
實施例10.如實施例9之方法，進一步包含將第二載體的第二主表面可移除地附接到板，以在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
實施例11.如實施例10之方法，其中板包含真空板，且方法進一步包括將第二載體的第二主表面真空附接到真空板，以在步驟（II）期間抑制第二載體的彎曲。
實施例12.如實施例1-11之任一者之方法，其中基板包含玻璃基板和矽基板的至少一個。
實施例13.如實施例1-12之任一者之方法，其中基板包括具有厚度為從約50微米至約300微米的單一玻璃基板。
實施例14.實施例1-13之任一者之方法，其中第一載體和第二載體的至少一個包括從約200微米到約700微米的厚度。
實施例15.如實施例1-14之任一者之方法，其中在基板與第一載體和第二載體的至少一個之間的後退橫向距離為從約2mm至約10mm。
實施例16.如實施例1-15之任一者之方法，其中在步驟（II）之後，進一步包含步驟（III）：藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而在基板和第二載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離。
實施例17.如實施例16之方法，進一步包含以下步驟：在步驟（III）期間抑制第一載體的彎曲。
實施例18.如實施例17之方法，進一步包含將第一載體的第二主表面真空附接到真空板，以在步驟（III）期間抑制第一載體的彎曲。
實施例19.如實施例16之方法，其中在步驟（III）之後，進一步包含步驟（IV）：從基板完全地移除第一載體和第二載體的一個。
實施例20.如實施例19之方法，其中在步驟（IV）之後，進一步包含步驟（V）：從基板完全地移除第一載體和第二載體的另一個。
實施例21.一種用於處理玻璃基板的方法，其中玻璃基板的第一主表面可移除地接合到第一載體的第一主表面，且玻璃基板的第二主表面可移除地接合到第二載體的第一主表面，其中玻璃基板的外邊緣部分設置在第一載體的外部分和第二載體的外部分之間，方法包含以下步驟： （I）將第二載體的第二主表面可移除地附接到板，以抑制第二載體的彎曲； （II）將插入工具的楔壓抵在第一和第二載體的外部分上，同時第二載體的第二主表面附接到板；及 （III）在玻璃基板和第一載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離，同時第二載體的第二主表面附接到板上，其中藉由在楔和玻璃基板的外邊緣之間提供相對運動以撬開第一和第二載體的外部分而啟動脫離，其中執行步驟（II）和（III）而不使玻璃基板的任何部分與楔接觸。
實施例22.如實施例21之方法，其中插入工具包括第一部分和第二部分，第一部分包括楔，第二部分具有恆定厚度，且方法進一步包括減小在楔和玻璃基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到第一和第二載體的撬開的外部分的相面對的內表面間隔開等於插入工具的第二部分的恆定厚度的距離。
實施例23.如實施例22之方法，其中在步驟（III）之後，進一步包含以下步驟：藉由插入工具的第二部分的表面嚙合第一載體的外部分的內表面，以增加在第一載體的脫離部分與第二載體之間的距離，以使第一載體的進一步部分從玻璃基板脫離。
實施例24.一種用於處理基板的方法，其中基板的第一主表面可移除地接合到載體的第一主表面，方法包含以下步驟： （I）相對於板可移除地附接基板的第二主表面，以抑制基板的彎曲，其中基板的外邊緣部分設置在載體的外部分和板的表面之間； （II）將楔壓抵在載體的外部分和板的表面；及 （III）藉由提供在楔和基板的外邊緣部分之間的相對運動以撬開載體的外部分和板的表面而在基板和載體之間的外周邊接合界面的位置處啟動脫離，同時基板的第二主表面相對於板的表面維持可移除地附接。
實施例25.如實施例24之方法，其中執行步驟（II）和（III）而不使基板的任何部分與楔接觸。
實施例26.如實施例24或實施例25之方法，其中插入工具的第一部分包括限定楔的錐形厚度。
實施例27.如實施例26之方法，其中在步驟（III）之後，進一步包含以下步驟：用插入工具增加在載體的脫離部分和板的表面之間的距離，以使載體的進一步部分從基板脫離。
實施例28.如實施例27之方法，其中插入工具進一步包括具有恆定厚度的第二部分，且方法進一步包括減小在楔與基板的外邊緣部分之間的距離，至少直到載體的內表面和板的表面間隔開等於插入工具的第二部分的恆定厚度的距離。
實施例29.如實施例28之方法，其中插入工具的第二部分的恆定距離比在步驟（II）開始時在載體的內表面和板的表面之間的距離大從約20微米至約40微米。
實施例30.如實施例28或實施例29之方法，其中插入工具的第二部分包括限定恆定厚度的相對的外平行表面。
實施例31.如實施例28-30之任一者之方法，其中在步驟（III）之後，進一步包含以下步驟：用插入工具增加在載體的脫離部分和板的表面之間的距離，其中插入工具嚙合載體的外部分的內表面，以使載體的進一步部分從基板脫離。
實施例32.如實施例24-31之任一者之方法，其中板包含真空板，且步驟（I）包括將基板的第二主表面真空附接到真空板。
實施例33.如實施例24-32之任一者之方法，其中基板包含玻璃基板和矽基板的至少一個。
實施例34.如實施例24-33之任一者之方法，其中基板包含單一基板。
實施例35.如實施例24-34之任一者之方法，其中基板包含玻璃基板。
實施例36.如實施例24-35之任一者之方法，其中基板包括厚度為從約50微米至約300微米的單一基板。
實施例37.如實施例24-36之任一者之方法，其中載體包括從約200微米至約700微米的厚度。
實施例38.如實施例24-37之任一者之方法，其中在基板和載體之間的後退橫向距離為從約2mm至約10mm。
實施例39.如實施例24-38之任一者之方法，其中在步驟（III）之後，進一步包含步驟（IV）：從基板完全地移除載體。
101‧‧‧真空埠
103‧‧‧表面
105‧‧‧方向
107‧‧‧倒角角落
109‧‧‧圓角落
110a‧‧‧角落
110b‧‧‧角落
113‧‧‧圓角落
115‧‧‧倒角角落
201‧‧‧真空源
203‧‧‧真空導管
205‧‧‧真空腔室
301‧‧‧基板
303‧‧‧第一主表面/主表面
305‧‧‧第一主表面
307‧‧‧第一載體/載體
309‧‧‧第二主表面
311‧‧‧第一主表面
313‧‧‧第二載體/載體
315a‧‧‧基板
315b‧‧‧基板
317‧‧‧濾色器
319‧‧‧薄膜電晶體（TFT）部件
321‧‧‧外邊緣部分
323a‧‧‧第一接合結構
323b‧‧‧第二接合結構
325‧‧‧第二主表面
327‧‧‧真空板/板
329‧‧‧插入工具
331‧‧‧向外方向
401‧‧‧插入工具
403‧‧‧倒角楔/楔
405‧‧‧傾斜側
407‧‧‧鈍端
501‧‧‧插入工具
503‧‧‧圓形楔/楔
505‧‧‧圓角落
507‧‧‧鈍端
601‧‧‧楔
601a‧‧‧頂點
603a‧‧‧外部分
603b‧‧‧外部分
605‧‧‧外周邊接合界面
607‧‧‧最大厚度
609‧‧‧恆定厚度/恆定距離
701‧‧‧位置
801‧‧‧第二部分
803a‧‧‧平行表面
803b‧‧‧平行表面
805‧‧‧平面界面
901‧‧‧方向
1001‧‧‧真空條
1003‧‧‧方向
1101‧‧‧外周邊接合界面
1201‧‧‧倒角楔
1301‧‧‧圓形楔
1401‧‧‧位置
1801‧‧‧開始
1803‧‧‧步驟
1805‧‧‧箭頭
1807‧‧‧步驟
1809‧‧‧箭頭
1810‧‧‧箭頭
1811‧‧‧步驟
1813‧‧‧步驟
1815‧‧‧箭頭
1817‧‧‧箭頭
1819‧‧‧步驟
1821‧‧‧步驟
1823‧‧‧箭頭
1825‧‧‧箭頭
1827‧‧‧箭頭
1829‧‧‧箭頭
1830‧‧‧結束
當參考附隨的圖式而閱讀以下的實施方式時，可更好地理解以上和其它的特徵，其中：
第 1 圖 是真空附接到真空板的第二載體的示意性平面圖，其中基板的一部分、第一載體和第二載體被剖開，以顯示真空板的真空埠；
第 2 圖 是沿第 1 圖 的線2-2的示意性剖面圖；
第 3 圖 是沿第 2 圖 的視野3的放大示意圖，顯示位於在將楔壓抵在第一和第二載體的外部分之前的一位置處的楔；
第 4 圖 顯示本揭露書的任何實施例的楔及/或第一和第二載體的外部分的替代剖面輪廓的實施例；
第 5 圖 顯示本揭露書的任何實施例的楔及/或第一和第二載體的外部分的替代剖面輪廓的另一實施例；
第 6 圖 是類似於第 3 圖 的放大示意圖，但顯示將楔壓抵在第一和第二載體的外部分的步驟；
第 7 圖 是類似於第 6 圖 的放大示意圖，但顯示在第一載體和基板之間啟動脫離的步驟；
第 8 圖 是類似於第 7 圖 的放大示意圖，但顯示進一步插入插入工具，使得第一和第二載體的撬開的外部分間隔開等於插入工具的第二部分的恆定厚度的距離的步驟；
第 9 圖 是類似於第 8 圖 的放大示意圖，但顯示利用插入工具增加在第一載體的脫離部分和第二載體之間的距離的步驟；
第 10 圖 是類似於第 9 圖 的放大示意圖，但顯示從基板完全地移除第一載體的步驟；
第 11 圖 顯示相對於真空板而真空附接的基板，其中楔被壓抵在第二載體的外部分和真空板的表面；
第 12 圖 顯示第 11 圖 的楔及/或載體的外部分的替代剖面輪廓的實施例；
第 13 圖 顯示第 11 圖 的楔及/或載體的外部分的替代剖面輪廓的另一實施例；
第 14 圖 是類似於第 11 圖 的放大示意圖，但顯示在第二載體和基板之間啟動脫離的步驟；
第 15 圖 是類似於第 11 圖 的放大示意圖，但顯示進一步插入插入工具的步驟；
第 16 圖 是類似於第 11 圖 的放大示意圖，但顯示增加在第二載體的脫離部分和板的表面之間的距離的步驟；
第 17 圖 是顯示從第 16 圖 的基板完全地移除第二載體的步驟的放大示意圖；
第 18 圖 是顯示本揭露書的替代實施例的步驟的方塊圖；及
第 19 圖 是顯示啟動脫離百分比的對照後退橫向距離的曲線圖。
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101‧‧‧真空埠
301‧‧‧基板
303‧‧‧第一主表面/主表面
305‧‧‧第一主表面
307‧‧‧第一載體/載體
309‧‧‧第二主表面
311‧‧‧第一主表面
313‧‧‧第二載體/載體
315a‧‧‧基板
315b‧‧‧基板
317‧‧‧濾色器
319‧‧‧薄膜電晶體(TFT)部件
321‧‧‧外邊緣部分
323a‧‧‧第一接合結構
323b‧‧‧第二接合結構
325‧‧‧第二主表面
327‧‧‧真空板/板
329‧‧‧插入工具
331‧‧‧向外方向
601‧‧‧楔
601a‧‧‧頂點
603a‧‧‧外部分
603b‧‧‧外部分

Claims (10)

  1. 一種處理一基板的方法，其中該基板的一第一主表面可移除地接合到一第一載體的一第一主表面，且該基板的一第二主表面可移除地接合到一第二載體的一第一主表面，其中該基板的一外邊緣部分設置在該第一載體的一外部分和該第二載體的一外部分之間，該方法包含以下步驟： （I）將一楔壓抵在該第一和第二載體的該等外部分；及（II）藉由提供在該楔和該基板的該外邊緣部分之間的相對運動以撬開該第一和第二載體的該等外部分而在該基板和該第一載體之間的一外周邊接合界面的位置處啟動脫離。
  2. 如請求項1所述之方法，其中執行步驟（I）和（II）而不使該基板的任何部分與該楔接觸。
  3. 如請求項1所述之方法，其中在該基板與該第一載體和該第二載體的至少一個之間的一後退橫向距離為從約2mm至約10mm。
  4. 如請求項1所述之方法，其中在步驟（II）之後，進一步包含步驟（III）：從該基板完全地移除該載體。
  5. 如請求項1-4任一項所述之方法，其中一插入工具的一第一部分包括限定該楔的一錐形厚度。
  6. 如請求項5所述之方法，其中在步驟（II）之後，進一步包含步驟：使用該插入工具增加該第一載體的一脫離部分和該第二載體之間的一距離，以將該第一載體的進一步部分從該基板脫離。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該插入工具進一步包括具有一恆定厚度的一第二部分，且該方法進一步包括減小在該楔與該基板的該外邊緣部分之間的一距離，至少直到該第一和第二載體的撬開的該等外部分間隔開等於該插入工具的該第二部分的該恆定厚度的一距離。
  8. 如請求項7所述之方法，其中該插入工具的該第二部分的該恆定距離比在步驟（I）開始時在該第一和第二載體的該等外部分的相面對的該等內表面之間的一距離大從約20微米至約40微米。
  9. 如請求項1-4任一項所述之方法，進一步包含以下步驟：在步驟（II）期間抑制該第二載體的彎曲，並將該第二載體的一第二主表面可移除地附接到一板，以在步驟（II）期間抑制該第二載體的彎曲。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該板包含一真空板，且該方法進一步包括將該第二載體的該第二主表面真空附接到該真空板，以在步驟（II）期間抑制該第二載體的彎曲。
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