RU2013102422A - Способ обработки материалов с использованием филаментации - Google Patents

Способ обработки материалов с использованием филаментации Download PDF

Info

Publication number
RU2013102422A
RU2013102422A RU2013102422/02A RU2013102422A RU2013102422A RU 2013102422 A RU2013102422 A RU 2013102422A RU 2013102422/02 A RU2013102422/02 A RU 2013102422/02A RU 2013102422 A RU2013102422 A RU 2013102422A RU 2013102422 A RU2013102422 A RU 2013102422A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
specified
laser beam
focused laser
filaments
Prior art date
Application number
RU2013102422/02A
Other languages
English (en)
Inventor
С. Аббас ХОССЕЙНИ
Питер Р. ХЕРМАН
Original Assignee
ФАЙЛЭЙСЕР ЮЭс-Эй ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=45469840&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2013102422(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by ФАЙЛЭЙСЕР ЮЭс-Эй ЭлЭлСи filed Critical ФАЙЛЭЙСЕР ЮЭс-Эй ЭлЭлСи
Publication of RU2013102422A publication Critical patent/RU2013102422A/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0619—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams with spots located on opposed surfaces of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/0025—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by a laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54—Glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10—Methods
    • Y10T225/12—With preliminary weakening

Abstract

1. Способ подготовки подложки для раскалывания, включающий следующие шаги:облучение указанной подложки пакетом импульсов сфокусированного лазерного пучка, при этом указанная подложка является прозрачной для указанного сфокусированного лазерного пучка, временная задержка между последовательными импульсами в пакете импульсов меньше времени, в течение которого происходит релаксация одной или более динамических характеристик модификации материала, а пакет импульсов имеет энергию и длительность импульсов, выбранные для формирования филамента в указанной подложке;сдвиг указанной подложки относительно указанного сфокусированного лазерного пучка для облучения подложки и формирования дополнительного филамента в одном или более дополнительных положениях;при этом указанные филаменты формируют решетку, задающую скрайбированный изнутри путь для раскалывания указанной подложки.2. Способ по п.1, в котором подложку сдвигают относительно сфокусированного лазерного пучка со скоростью, выбранной для создания расстояния между филаментами в микронном диапазоне.3. Способ по п.1 или 2, в котором указанный пакет импульсов подают два или более раз с заданной частотой, при этом указанную подложку сдвигают относительно указанного сфокусированного лазерного пучка по существу с постоянной скоростью.4. Способ по п.1 или 2, в котором положение фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы формировать в подложке филаменты, при этом по меньшей мере на одной поверхности подложки абляция отсутствует.5. Способ по п.1 или 2, в котором характеристики указанного пакета импульсов выбирают так, чтобы обеспечи�

Claims (32)

1. Способ подготовки подложки для раскалывания, включающий следующие шаги:
облучение указанной подложки пакетом импульсов сфокусированного лазерного пучка, при этом указанная подложка является прозрачной для указанного сфокусированного лазерного пучка, временная задержка между последовательными импульсами в пакете импульсов меньше времени, в течение которого происходит релаксация одной или более динамических характеристик модификации материала, а пакет импульсов имеет энергию и длительность импульсов, выбранные для формирования филамента в указанной подложке;
сдвиг указанной подложки относительно указанного сфокусированного лазерного пучка для облучения подложки и формирования дополнительного филамента в одном или более дополнительных положениях;
при этом указанные филаменты формируют решетку, задающую скрайбированный изнутри путь для раскалывания указанной подложки.
2. Способ по п.1, в котором подложку сдвигают относительно сфокусированного лазерного пучка со скоростью, выбранной для создания расстояния между филаментами в микронном диапазоне.
3. Способ по п.1 или 2, в котором указанный пакет импульсов подают два или более раз с заданной частотой, при этом указанную подложку сдвигают относительно указанного сфокусированного лазерного пучка по существу с постоянной скоростью.
4. Способ по п.1 или 2, в котором положение фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы формировать в подложке филаменты, при этом по меньшей мере на одной поверхности подложки абляция отсутствует.
5. Способ по п.1 или 2, в котором характеристики указанного пакета импульсов выбирают так, чтобы обеспечивать достаточную интенсивность пучка в подложке для обеспечения самофокусировки указанного сфокусированного лазерного пучка и по существу однородной модификации указанной подложки вдоль указанного пути пучка.
6. Способ по п.1 или 2, в котором положение фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы формировать V-образную канавку по меньшей мере на одной поверхности подложки.
7. Способ по п.1 или 2, в котором указанная подложка представляет собой стекло.
8. Способ по п.1 или 2, в котором указанная подложка включает полупроводник.
9. Способ по п.1 или 2, в котором указанную подложку выбирают из группы, включающей прозрачную керамику, полимеры, прозрачные проводники, стекла с широкой запрещенной зоной, кристаллы, кристаллический кварц, алмаз и сапфир.
10. Способ по п.1 или 2, в котором указанная подложка включает первый слой и один или более дополнительных слоев, при этом положение фокуса сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы формировать филаменты по меньшей мере в одном из указанных одного или более дополнительных слоев.
11. Способ по п.10, в котором указанная подложка включает многослойное стекло плоскопанельного дисплея.
12. Способ по п.11, в котором указанное стекло плоскопанельного дисплея выбирают из группы, включающей жидкокристаллический дисплей (LCD), плоскопанельный дисплей (FPD) и органический светодиодный дисплей (OLED).
13. Способ по п.10, в котором указанную подложку выбирают из группы, включающей автомобильное стекло, трубопровод, окна, биочипы, оптические датчики, планарные оптические схемы, оптоволокна, стеклянную посуду, художественное стекло, кремний, полупроводники III-V, микроэлектронные чипы, микросхемы памяти, микросхемы датчиков, светодиоды (LED), лазерные диоды (LD) и лазер с поверхностным излучением с вертикальным резонатором (VCSEL).
14. Способ по п.10, в котором указанное положение фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы формировать филаменты в двух или более слоях, при этом указанный сфокусированный лазерный пучок формирует первый филамент в одном слое, проходит по меньшей мере в один из указанных одного или более дополнительных слоев и формирует второй филамент в указанном по меньшей мере одном из указанных одного или более дополнительных слоев.
15. Способ по п.1 или 2, также включающий шаг раскалывания указанной подложки.
16. Способ по п.1 или 2, в котором длительность каждого импульса меньше приблизительно 100 пс.
17. Способ по п.1 или 2, в котором длительность каждого импульса меньше приблизительно 10 пс.
18. Способ по п.10, в котором положение указанного фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка сначала выбирают так, чтобы сформировать филаменты в указанном первом слое, при этом указанный способ также включает следующие шаги:
размещение второго фокуса пучка во втором слое, при этом указанный второй слой представляет собой один из указанных одного или более дополнительных слоев; и
облучение указанного второго слоя и сдвиг указанной подложки для формирования второй решетки филаментов, задающей второй скрайбированный изнутри путь для раскалывания указанной подложки.
19. Способ по п.18, в котором при облучении указанного второго слоя указанную подложку облучают со стороны, противоположной стороне, с которой облучают указанный первый слой.
20. Способ по п.18, в котором перед облучением указанного второго слоя положение указанного второго фокуса пучка сдвигают в сторону с получением сдвига относительно первого положения первого фокуса пучка при облучении указанного первого слоя.
21. Способ по любому из п.п.18-20, в котором второй сфокусированный лазерный пучок используют для облучения указанного второго слоя.
22. Способ по п.1 или 2, в котором шаг решетки меньше или равен приблизительно 10 мкм.
23. Способ по п.1 или 2, в котором длина филаментов превышает приблизительно 250 мкм.
24. Способ по п.1 или 2, в котором длина филаментов превышает приблизительно 600 мкм.
25. Способ по п.1 или 2, в котором диаметр филамента меньше приблизительно 3 мкм.
26. Способ по п.1 или 2, в котором диаметр филамента меньше приблизительно 10 мкм.
27. Способ по п.1 или 2, в котором после раскалывания указанной подложки ширина разлома меньше приблизительно 30 мкм.
28. Способ по п.1 или 2, в котором филаменты проходят через существенную часть указанной подложки.
29. Способ по п.28, в котором филаменты завершаются без проникновения в верхнюю или нижнюю поверхности указанной подложки.
30. Способ по п.28, в котором положение фокуса указанного сфокусированного лазерного пучка выбирают так, чтобы сформировать V-образную канавку по меньшей мере на одной поверхности указанной подложки.
31. Способ по п.1 или 2, в котором дифрагированный пучок, выходящий через нижнюю поверхность указанной подложки, снова сводится на нижней поверхности указанной подложки с помощью фокусирующего элемента, так чтобы на нижней поверхности указанной подложки сформировалась V-образная канавка.
32. Способ по п.1 или 2, в котором после раскалывания подложки края указанной расколотой подложки по существу свободны от осколков и микротрещин.
RU2013102422/02A 2010-07-12 2011-07-12 Способ обработки материалов с использованием филаментации RU2013102422A (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US36356810P 2010-07-12 2010-07-12
US61/363,568 2010-07-12
US37296710P 2010-08-12 2010-08-12
US61/372,967 2010-08-12
PCT/CA2011/050427 WO2012006736A2 (en) 2010-07-12 2011-07-12 Method of material processing by laser filamentation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013102422A true RU2013102422A (ru) 2014-08-20

Family

ID=45469840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013102422/02A RU2013102422A (ru) 2010-07-12 2011-07-12 Способ обработки материалов с использованием филаментации

Country Status (11)

Country Link
US (2) US9296066B2 (ru)
EP (1) EP2593266A4 (ru)
JP (2) JP6121901B2 (ru)
KR (2) KR102088722B1 (ru)
CN (1) CN103079747B (ru)
AU (1) AU2011279374A1 (ru)
CA (1) CA2805003C (ru)
MY (1) MY184075A (ru)
RU (1) RU2013102422A (ru)
SG (1) SG187059A1 (ru)
WO (1) WO2012006736A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2720791C1 (ru) * 2019-09-06 2020-05-13 Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "ИРЭ-Полюс" (ООО НТО "ИРЭ-Полюс") Способ лазерной обработки прозрачного хрупкого материала и устройство его реализующее

Families Citing this family (235)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2459691C2 (ru) * 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP2013046924A (ja) * 2011-07-27 2013-03-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
CN102601521A (zh) * 2012-03-27 2012-07-25 北京理工大学 一种用飞秒激光脉冲序列对透明介质内部加工的方法
CN102601529A (zh) * 2012-03-27 2012-07-25 北京理工大学 一种提高飞秒激光制备微通道加工效率的方法
FR2989294B1 (fr) * 2012-04-13 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Dispositif et methode de nano-usinage par laser
AT13206U1 (de) * 2012-07-17 2013-08-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
CN102981373A (zh) * 2012-11-26 2013-03-20 中国科学院上海光学精密机械研究所 Y型波导激光直写装置
US9653298B2 (en) * 2013-01-14 2017-05-16 Ipg Photonics Corporation Thermal processing by transmission of mid infra-red laser light through semiconductor substrate
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
TWI543833B (zh) * 2013-01-28 2016-08-01 先進科技新加坡有限公司 將半導體基板輻射開槽之方法
KR20150110707A (ko) * 2013-02-04 2015-10-02 뉴포트 코포레이션 투명 및 반투명 기재의 레이저 절단 방법 및 장치
US10286487B2 (en) 2013-02-28 2019-05-14 Ipg Photonics Corporation Laser system and method for processing sapphire
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2014177369A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Hamamatsu Photonics Kk 強化ガラス部材の製造方法
JP2016520501A (ja) * 2013-03-15 2016-07-14 キネストラル テクノロジーズ，インク． レーザ切断強化ガラス
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
DE102013005136A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zurn Abtragen von sprödhartem Material mittels Laserstrahlung
WO2014161534A2 (de) * 2013-04-04 2014-10-09 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren und vorrichtung zum einbringen von durchbrechungen in ein substrat sowie ein derart hergestelltes substrat
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
JP2016117593A (ja) * 2013-04-15 2016-06-30 旭硝子株式会社 ガラス板の切断方法
DE102013212577A1 (de) 2013-06-28 2014-12-31 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Abtragschneiden eines Werkstücks mittels eines gepulsten Laserstrahls
JP2015014740A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 日本電気硝子株式会社 光学素子及びその製造方法
CN103433618B (zh) * 2013-07-25 2017-07-04 长春理工大学 一种控制金属表面微纳米结构尺寸和分布的方法
US9102011B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
DE112013007305A5 (de) 2013-08-07 2016-06-02 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines plattenartigen Werkstückes mit einer transparenten, gläsernen, glasartigen keramischen und/oder kristallinen Lage, Trennvorrichtung für ein derartiges Werkstück sowie Produkt aus einem derartigen Werkstück
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US20150121960A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for machining diamonds and gemstones using filamentation by burst ultrafast laser pulses
RU2551043C1 (ru) * 2013-11-07 2015-05-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосистемы" Способ и устройство формирования прецизионных отверстий в оптически прозрачной пленке сверхкоротким импульсом лазерного излучения
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) * 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US9517929B2 (en) * 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US10252507B2 (en) * 2013-11-19 2019-04-09 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for forward deposition of material onto a substrate using burst ultrafast laser pulse energy
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
US10144088B2 (en) * 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US20150166393A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US9850160B2 (en) * 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US20150165563A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US20150165560A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9701563B2 (en) * 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9687936B2 (en) * 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US10442719B2 (en) * 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US20160311717A1 (en) * 2013-12-17 2016-10-27 Corning Incorporated 3-d forming of glass
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US10471546B1 (en) * 2013-12-20 2019-11-12 Gentex Corporation Distribution of damage volumes in laser-induced channels
RU2556177C1 (ru) * 2014-01-09 2015-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек
WO2015108991A2 (en) 2014-01-17 2015-07-23 Imra America, Inc. Laser-based modification of transparent materials
CN106132886B (zh) * 2014-01-27 2019-05-10 康宁股份有限公司 边缘倒角方法
JP2017510535A (ja) * 2014-01-27 2017-04-13 コーニング インコーポレイテッド レーザ切断済みガラスを機械的に加工することによる縁部面取り
US10029940B1 (en) * 2014-02-04 2018-07-24 Gentex Corporation Laser-separated edges with controlled roughness
IN2014CH00782A (ru) 2014-02-19 2015-08-28 Kennametal India Ltd
EP3110592B1 (en) * 2014-02-28 2020-01-15 IPG Photonics Corporation Multple-laser distinct wavelengths and pulse durations processing
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
US10343237B2 (en) 2014-02-28 2019-07-09 Ipg Photonics Corporation System and method for laser beveling and/or polishing
US9764427B2 (en) 2014-02-28 2017-09-19 Ipg Photonics Corporation Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials
WO2015162445A1 (fr) 2014-04-25 2015-10-29 Arcelormittal Investigación Y Desarrollo Sl Procede et dispositif de preparation de toles d'acier aluminiees destinees a etre soudees puis durcies sous presse; flan soude correspondant
LT6240B (lt) 2014-05-16 2016-01-25 Valstybinis mokslinių tyrimų institutas Fizinių ir technologijos mokslų centras Skaidrių terpių lazerinis pjovimo būdas ir įrenginys
CN106687419A (zh) * 2014-07-08 2017-05-17 康宁股份有限公司 用于激光处理材料的方法和设备
EP2965853B2 (en) 2014-07-09 2020-03-25 High Q Laser GmbH Processing of material using elongated laser beams
CN107074611A (zh) * 2014-07-11 2017-08-18 康宁股份有限公司 通过将脉冲激光穿孔诱导到玻璃制品中进行玻璃切割的系统以及方法
EP3169477B1 (en) 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
US9617180B2 (en) * 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
CN208586209U (zh) * 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
WO2016010991A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
CN105481236A (zh) * 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的系统和方法
US9757815B2 (en) 2014-07-21 2017-09-12 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser curved filamentation within transparent materials
EP3177426B1 (de) 2014-08-08 2020-01-01 CeramTec-Etec GmbH Verfahren zur herstellung dünner substrate
WO2016026987A1 (de) 2014-08-22 2016-02-25 Ceramtec-Etec Gmbh Verfahren zur herstellung von präzisionsbauteilen aus transparenten werkstoffen
DE102015216130A1 (de) * 2014-08-22 2016-02-25 Ceramtec-Etec Gmbh Trennen von Werkstoffen mit transparenten Eigenschaften
EP3186030B1 (en) 2014-08-28 2023-02-22 IPG Photonics Corporation Multi-laser system and method for cutting and post-cut processing hard dielectric materials
WO2016033494A1 (en) 2014-08-28 2016-03-03 Ipg Photonics Corporation System and method for laser beveling and/or polishing
DE102014113339A1 (de) 2014-09-16 2016-03-17 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Erzeugung von Ausnehmungen in einem Material
KR20190065480A (ko) * 2014-09-16 2019-06-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 판 모양의 작업물 안으로 적어도 하나의 컷아웃부 또는 구멍을 도입하기 위한 방법
CN104216047A (zh) * 2014-09-26 2014-12-17 南京先进激光技术研究院 基于自聚焦成丝的超短脉冲激光制备光波导器件的方法
JP6499300B2 (ja) * 2014-10-13 2019-04-10 エバナ テクノロジーズ ユーエービー スパイク状の損傷構造を形成して基板を劈開または切断するレーザー加工方法
CN107107267B (zh) * 2014-11-10 2020-08-25 康宁股份有限公司 使用多个焦点来进行对透明制品的激光加工
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
EP3221727B1 (de) 2014-11-19 2021-03-17 Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH System zur asymmetrischen optischen strahlformung
DE102014116957A1 (de) 2014-11-19 2016-05-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung
RU2573181C1 (ru) * 2014-11-24 2016-01-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") Способ лазерной обработки неметаллических пластин
KR20200006641A (ko) * 2014-11-27 2020-01-20 실텍트라 게엠베하 재료의 전환을 이용한 고체의 분할
US9873628B1 (en) 2014-12-02 2018-01-23 Coherent Kaiserslautern GmbH Filamentary cutting of brittle materials using a picosecond pulsed laser
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
CN107406293A (zh) * 2015-01-12 2017-11-28 康宁股份有限公司 使用多光子吸收方法来对经热回火的基板进行激光切割
KR101972466B1 (ko) * 2015-01-13 2019-04-25 로핀-시나르 테크놀로지스 엘엘씨 취성 재료를 묘각하고 화학 식각하는 방법 및 시스템
DE102016201910A1 (de) 2015-02-09 2016-08-11 Ceramtec-Etec Gmbh Erzeugung einer transparenten Oberfläche zur Nutzung eines laserbasierten Trennprozesses
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
US10391586B1 (en) 2015-03-11 2019-08-27 Coherent, Inc. Method for laser-marking of anodized aluminum
JP2016171214A (ja) 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
KR102546692B1 (ko) * 2015-03-24 2023-06-22 코닝 인코포레이티드 디스플레이 유리 조성물의 레이저 절단 및 가공
GB201505042D0 (en) 2015-03-25 2015-05-06 Nat Univ Ireland Methods and apparatus for cutting a substrate
JP2018516215A (ja) 2015-03-27 2018-06-21 コーニング インコーポレイテッド 気体透過性窓、および、その製造方法
US9718215B2 (en) * 2015-04-15 2017-08-01 Halo Industries, Inc. Capacitive clamping process for cleaving work pieces using crack propagation
WO2016183148A1 (en) * 2015-05-13 2016-11-17 Corning Incorporated Light guides with reduced hot spots and methods for making the same
CN107635935A (zh) * 2015-05-15 2018-01-26 康宁股份有限公司 具有激光切割边缘的玻璃制品及其制造方法
JP6654813B2 (ja) 2015-06-02 2020-02-26 川崎重工業株式会社 面取り加工装置および面取り加工方法
US10384306B1 (en) 2015-06-10 2019-08-20 Seagate Technology Llc Laser cutting array with multiple laser source arrangement
CN108260349B (zh) 2015-06-24 2020-07-03 敦提大学 用于降低光电子产率和/或二次电子产率的方法和装置
GB201603991D0 (en) * 2016-03-08 2016-04-20 Univ Dundee Processing method and apparatus
DE102015110422A1 (de) * 2015-06-29 2016-12-29 Schott Ag Laserbearbeitung eines mehrphasigen transparenten Materials, sowie mehrphasiger Kompositwerkstoff
WO2017011296A1 (en) 2015-07-10 2017-01-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
DE102015111490A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum lasergestützten Abtrennen eines Teilstücks von einem flächigen Glaselement
DE102015111491A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen von Glas- oder Glaskeramikteilen
CN104959736A (zh) * 2015-07-23 2015-10-07 深圳英诺激光科技有限公司 一种激光成丝加工微孔的装置及方法
PL3334697T3 (pl) 2015-08-10 2022-01-24 Saint-Gobain Glass France Sposób cięcia cienkiej warstwy szkła
CN107922259B (zh) * 2015-09-04 2021-05-07 Ａｇｃ株式会社 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置
CN108025965B (zh) 2015-09-04 2021-02-09 Ａｇｃ株式会社 玻璃管的制造方法、玻璃物品的制造方法、玻璃管、玻璃物品和玻璃物品的制造装置
JP6260601B2 (ja) 2015-10-02 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
LT6428B (lt) 2015-10-02 2017-07-25 Uab "Altechna R&D" Skaidrių medžiagų lazerinis apdirbimo būdas ir įrenginys
DE102015116848A1 (de) 2015-10-05 2017-04-06 Schott Ag Dielektrisches Werkstück mit einer Zone definiert ausgebildeter Festigkeit sowie Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
DE102015116846A1 (de) 2015-10-05 2017-04-06 Schott Ag Verfahren zum Filamentieren eines Werkstückes mit einer von der Sollkontur abweichenden Form sowie durch Filamentation erzeugtes Werkstück
DE102015120950B4 (de) 2015-12-02 2022-03-03 Schott Ag Verfahren zum lasergestützten Ablösen eines Teilstücks von einem flächigen Glas- oder Glaskeramikelement, flächiges zumindest teilweise keramisiertes Glaselement oder Glaskeramikelement und Kochfläche umfassend ein flächiges Glas- oder Glaskeramikelement
US20170197868A1 (en) * 2016-01-08 2017-07-13 Apple Inc. Laser Processing of Electronic Device Structures
DE102016000184A1 (de) 2016-01-11 2017-07-27 Zwiesel Kristallglas Ag Laserfilamentieren
US10518358B1 (en) 2016-01-28 2019-12-31 AdlOptica Optical Systems GmbH Multi-focus optics
DE102016102768A1 (de) 2016-02-17 2017-08-17 Schott Ag Verfahren zur Kantenbearbeitung von Glaselementen und verfahrensgemäß bearbeitetes Glaselement
US20170313617A1 (en) * 2016-04-27 2017-11-02 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser-cutting of transparent materials
CN109311725B (zh) 2016-05-06 2022-04-26 康宁股份有限公司 从透明基材激光切割及移除轮廓形状
DE102016109720B4 (de) * 2016-05-25 2023-06-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
KR20190003766A (ko) * 2016-06-08 2019-01-09 한스 레이저 테크놀러지 인더스트리 그룹 컴퍼니 리미티드 사파이어 절단 방법 및 그 장치
JP2019527466A (ja) 2016-06-14 2019-09-26 エバナ テクノロジーズ ユーエービー 多分割レンズ及びウェハをダイシングまたは切断するためのレーザー加工システム
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
WO2018011618A1 (en) 2016-07-13 2018-01-18 Evana Technologies, Uab Method and system for cleaving a substrate with a focused converging ring-shaped laser beam
DE102016213802A1 (de) 2016-07-27 2018-02-01 4Jet Microtech Gmbh & Co. Kg Trennen mit Laserstrahlung
WO2018022476A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing
JP6698468B2 (ja) * 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
KR102423775B1 (ko) 2016-08-30 2022-07-22 코닝 인코포레이티드 투명 재료의 레이저 가공
PL3508458T3 (pl) 2016-09-01 2022-06-13 AGC Inc. Sposób wytwarzania wyrobu szklanego
JP6944703B2 (ja) * 2016-09-28 2021-10-06 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の改質層形成方法
JP6775822B2 (ja) 2016-09-28 2020-10-28 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
TWI604907B (zh) 2016-10-11 2017-11-11 財團法人工業技術研究院 雷射均勻加工裝置及其方法
WO2018071617A1 (en) * 2016-10-13 2018-04-19 Corning Incorporated Creation of holes and slots in glass substrates
US20180105455A1 (en) * 2016-10-17 2018-04-19 Corning Incorporated Silica test probe and other such devices
EP3848333A1 (en) 2016-10-24 2021-07-14 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
JP6894692B2 (ja) * 2016-11-18 2021-06-30 株式会社ディスコ ガラス板の分割方法及び板状ワークの分割方法
CN106425128B (zh) * 2016-11-21 2019-02-01 北京工业大学 利用飞秒激光成丝制备毫米级深孔的方法
DE102017100015A1 (de) * 2017-01-02 2018-07-05 Schott Ag Verfahren zum Trennen von Substraten
DE102017100755A1 (de) 2017-01-16 2018-07-19 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Glas- oder Glaskeramikelementen mittels eines Lasers
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
JP6531878B2 (ja) * 2017-02-21 2019-06-19 Ａｇｃ株式会社 ガラス板およびガラス板の製造方法
WO2018155099A1 (ja) 2017-02-21 2018-08-30 Ａｇｃ株式会社 ガラス板およびガラス板の製造方法
JP6898998B2 (ja) 2017-03-06 2021-07-07 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 電磁放射及び続くエッチングプロセスにより材料内に少なくとも１つの空隙を施すための方法
US20180257170A1 (en) 2017-03-13 2018-09-13 Coherent Lasersystems Gmbh & Co. Kg Controlled separation of laser processed brittle material
DE102017106372B4 (de) 2017-03-24 2021-04-29 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstückes
WO2018180417A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置
JP2020513118A (ja) 2017-04-12 2020-04-30 サン−ゴバン グラス フランス エレクトロクロミック構造およびエレクトロクロミック構造の分離方法
US20200164469A1 (en) * 2017-05-15 2020-05-28 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Systems and methods for laser cleaving diamonds
DE102017208290A1 (de) * 2017-05-17 2018-11-22 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks entlang einer vorbestimmten Bearbeitungslinie
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
JP6864563B2 (ja) * 2017-06-07 2021-04-28 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
CN107262937B (zh) * 2017-07-06 2019-08-23 北京中科镭特电子有限公司 一种激光切划装置
DE102018005010A1 (de) * 2017-07-13 2019-01-17 Wika Alexander Wiegand Se & Co. Kg Transfer und Aufschmelzen von Schichten
DE102017212858A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6985060B2 (ja) * 2017-08-17 2021-12-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111065485B (zh) * 2017-08-25 2022-06-21 康宁股份有限公司 使用无焦光束调整组件激光加工透明工件的设备和方法
IT201700105367A1 (it) * 2017-09-20 2019-03-20 St Microelectronics Srl Procedimento per produrre guide d'onda ottiche, sistema e dispositivo corrispondenti
KR102582734B1 (ko) * 2017-09-27 2023-09-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 절단 장치
JP6904567B2 (ja) 2017-09-29 2021-07-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置
US10639714B2 (en) 2017-10-26 2020-05-05 General Electric Company Applying electric pulses through a laser induced plasma channel for use in a 3-D metal printing process
US20190151996A1 (en) * 2017-11-22 2019-05-23 Roche Diabetes Care, Inc. Multiple laser processing for biosensor test strips
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
US10610939B1 (en) * 2018-01-20 2020-04-07 Clean Cutters LLC Dustless one-stroke cut-through saw
DE102018126381A1 (de) 2018-02-15 2019-08-22 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Einfügen einer Trennlinie in ein transparentes sprödbrüchiges Material, sowie verfahrensgemäß herstellbares, mit einer Trennlinie versehenes Element
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
JP7121941B2 (ja) * 2018-03-09 2022-08-19 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
US11401195B2 (en) * 2018-03-29 2022-08-02 Corning Incorporated Selective laser processing of transparent workpiece stacks
KR102510398B1 (ko) 2018-04-11 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 레이저 커팅 장치와 그 장치를 이용한 레이저 커팅 방법 및 그 방법을 적용한 디스플레이 패널의 제조방법
KR102566338B1 (ko) * 2018-04-13 2023-08-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TW201946882A (zh) 2018-05-07 2019-12-16 美商康寧公司 透明氧化物玻璃的雷射誘導分離
CN112119201B (zh) * 2018-05-24 2024-02-27 贝克休斯控股有限责任公司 包括激光蚀刻基板的换能器
US11081855B2 (en) 2018-06-18 2021-08-03 Coherent, Inc. Laser-MOPA with burst-mode control
DE102018114973A1 (de) 2018-06-21 2019-12-24 Schott Ag Flachglas mit wenigstens einer Sollbruchstelle
JP2020004889A (ja) 2018-06-29 2020-01-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板の分断方法及び分断装置
KR20200002633A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 접합 기판의 분단 방법 및 분단 장치
US11524366B2 (en) 2018-07-26 2022-12-13 Coherent Munich GmbH & Co. KG Separation and release of laser-processed brittle material
US20200061750A1 (en) * 2018-08-22 2020-02-27 Coherent Munich GmbH & Co. KG Mitigating low surface quality
JP2020028905A (ja) 2018-08-23 2020-02-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板の部分抜き加工方法
KR20200030160A (ko) * 2018-09-11 2020-03-20 삼성디스플레이 주식회사 레이저 박리 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP7311532B2 (ja) 2018-10-30 2023-07-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP7108517B2 (ja) * 2018-10-30 2022-07-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
DE102018219465A1 (de) 2018-11-14 2020-05-14 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum Schneiden eines Glaselements und Schneidsystem
DE102018219797A1 (de) 2018-11-19 2020-05-20 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum vorübergehenden Lagern und Fixieren eines flächigen Elements und Bearbeitungssystem zur Durchführung des Verfahrens
DE102018220240A1 (de) 2018-11-20 2020-05-20 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum Vereinzeln eines Glaselements in eine Mehrzahl von Glasbauteilen und Schneidsystem zur Durchführung des Verfahrens
KR20200059756A (ko) 2018-11-21 2020-05-29 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
JP2020082155A (ja) 2018-11-28 2020-06-04 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ加工装置
TW202030045A (zh) 2018-11-28 2020-08-16 日商三星鑽石工業股份有限公司 雷射加工裝置
CN109693032A (zh) * 2019-02-27 2019-04-30 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光切割方法和装置
US10877218B2 (en) 2019-03-26 2020-12-29 Stmicroelectronics S.R.L. Photonic devices and methods for formation thereof
FR3095152B1 (fr) * 2019-04-16 2021-12-17 Safran Aircraft Engines Procédé de traitement d’un défaut interne d’une pièce
US11054574B2 (en) * 2019-05-16 2021-07-06 Corning Research & Development Corporation Methods of singulating optical waveguide sheets to form optical waveguide substrates
EP3969220A1 (en) 2019-05-17 2022-03-23 Corning Incorporated Phase-modified quasi-non-diffracting laser beams for high angle laser processing of transparent workpieces
DE102019003822A1 (de) * 2019-06-02 2020-12-03 Keming Du Verfahren zur Bearbeitung transparenter Materialien
SG10202006597QA (en) * 2019-07-26 2021-02-25 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Process for preparing a processed filament by interaction of a filament with at least one processing beam in N processing steps
DE102019123239B4 (de) 2019-08-29 2023-05-04 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen eines Werkstücks mittels eines Laserstrahls
CN110539085A (zh) * 2019-09-11 2019-12-06 华东师范大学重庆研究院 一种飞秒光丝隐切方法及装置
US11646228B2 (en) * 2019-09-11 2023-05-09 Chongqing Institute Of East China Normal University Stealth dicing method including filamentation and apparatus thereof
DE102019215264A1 (de) 2019-10-02 2021-04-08 Flabeg Deutschland Gmbh Scheibenförmiges Glaselement und Verfahren zum Vereinzeln eines Glassubstrats in eine Mehrzahl von derartigen Glaselementen
CN110788500B (zh) * 2019-10-28 2022-02-01 北京航天控制仪器研究所 一种硬脆材料复杂构件飞秒激光精密成型加工系统
WO2021100477A1 (ja) 2019-11-21 2021-05-27 Ａｇｃ株式会社 ガラス板の加工方法、ガラス板
DE102019219462A1 (de) 2019-12-12 2021-06-17 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum Schneiden eines Glaselements und Schneidsystem
CN111198443A (zh) * 2020-01-15 2020-05-26 山东师范大学 基于平顶飞秒激光的成丝装置及超连续辐射发生装置
US11858063B2 (en) 2020-02-03 2024-01-02 Corning Incorporated Phase-modified quasi-non-diffracting laser beams for high angle laser processing of transparent workpieces
WO2021156166A1 (de) 2020-02-05 2021-08-12 Saint-Gobain Glass France Verfahren zum erzeugen einer öffnung in einem glasstapel
US20210387286A1 (en) * 2020-06-10 2021-12-16 Corning Incorporated Phase-modified quasi-non-diffracting laser beams for high angle laser processing of transparent workpieces
DE102021117203A1 (de) 2020-07-27 2022-01-27 Optics Balzers Ag Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen
DE102020123928A1 (de) 2020-09-15 2022-03-17 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Zuschneiden von Glasfolien
DE102020213776A1 (de) 2020-11-03 2022-05-05 Q.ant GmbH Verfahren zum Spalten eines Kristalls
EP4011846A1 (en) 2020-12-09 2022-06-15 Schott Ag Method of structuring a glass element and structured glass element produced thereby
KR20220087220A (ko) * 2020-12-17 2022-06-24 코닝 인코포레이티드 유리기판 히트 챔퍼링 방법 및 장치
KR20230124015A (ko) * 2020-12-21 2023-08-24 코닝 인코포레이티드 기판 절단 및 분리 시스템 및 방법
CN112719642A (zh) * 2020-12-22 2021-04-30 苏州京浜光电科技股份有限公司 一种玻璃滤光片微裂纹激光切割方法
DE102020134751A1 (de) 2020-12-22 2022-06-23 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Trennen eines Werkstücks
DE102021100675B4 (de) 2021-01-14 2022-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zum Zerteilen eines transparenten Werkstücks
TW202302477A (zh) * 2021-02-26 2023-01-16 美商康寧公司 使用脈衝雷射光束焦線來雷射處理透明材料的方法
DE102021105034A1 (de) 2021-03-02 2022-09-08 Cericom GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks aus Glas
CN112935530B (zh) * 2021-04-25 2022-12-13 山东大学深圳研究院 一种确定脉冲激光焦点位置的方法及装置
CN113333966B (zh) * 2021-05-13 2022-12-09 西安交通大学 一种基于飞秒激光光丝效应的薄石英玻璃切割方法
CN117480132A (zh) 2021-06-11 2024-01-30 Ａｇｃ株式会社 玻璃物品的制造方法、玻璃物品、罩玻璃和显示装置
EP4159357A1 (en) 2021-10-01 2023-04-05 National University of Ireland Galway Method of and apparatus for cutting a substrate or preparing a substrate for cleaving
CN114083155A (zh) * 2021-12-31 2022-02-25 杭州银湖激光科技有限公司 一种激光切割硅晶片的方法
EP4353690A1 (en) 2022-10-14 2024-04-17 NKT Photonics A/S System and method for processing a transparent material

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5089735A (ru) 1973-12-17 1975-07-18
JPS5271092A (en) 1975-12-09 1977-06-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Transporting and loading method of cargos
JP3352934B2 (ja) 1998-01-21 2002-12-03 理化学研究所 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
US6407360B1 (en) * 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
US6552301B2 (en) 2000-01-25 2003-04-22 Peter R. Herman Burst-ultrafast laser machining method
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
SG108262A1 (en) * 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
EP2216128B1 (en) * 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
CA2428187C (en) 2002-05-08 2012-10-02 National Research Council Of Canada Method of fabricating sub-micron structures in transparent dielectric materials
TWI248244B (en) 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot
US20050000952A1 (en) * 2003-05-19 2005-01-06 Harter Donald J. Focusless micromachining
EP2324950B1 (en) 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate
US7486705B2 (en) * 2004-03-31 2009-02-03 Imra America, Inc. Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback
US7211184B2 (en) 2004-08-04 2007-05-01 Ast Management Inc. Capillary electrophoresis devices
JP4692717B2 (ja) 2004-11-02 2011-06-01 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断装置
US7303977B2 (en) 2004-11-10 2007-12-04 Intel Corporation Laser micromachining method
JP2006239718A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Kyoto Univ ナノ空孔周期配列体の作製方法及びその装置
CA2783963C (en) * 2005-03-16 2014-10-07 Brian L. Lawrence Data storage devices and methods
DE102005013783B4 (de) 2005-03-22 2007-08-16 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Trennen von spröden Materialien mittels Laser mit unsymmetrischer Strahlungsdichteverteilung
DE102005038027A1 (de) 2005-08-06 2007-02-08 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Durchtrennen von spröden Flachmaterialien
DE102005039833A1 (de) * 2005-08-22 2007-03-01 Rowiak Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
JP2007235008A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Denso Corp ウェハの分断方法およびチップ
JP2007307599A (ja) 2006-05-20 2007-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd スルーホール成形体およびレーザー加工方法
US8198566B2 (en) * 2006-05-24 2012-06-12 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP5232375B2 (ja) 2006-10-13 2013-07-10 アイシン精機株式会社 半導体発光素子の分離方法
JP5522881B2 (ja) 2006-09-06 2014-06-18 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 材料を接合するための方法
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5322418B2 (ja) 2006-09-19 2013-10-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
WO2008035770A1 (en) 2006-09-22 2008-03-27 Osaka University Substance joining method, substance joining device, joined body, and its manufacturing method
CN101663125B (zh) * 2007-04-05 2012-11-28 查目工程股份有限公司 激光加工方法及切割方法以及具有多层基板的结构体的分割方法
JP4775313B2 (ja) 2007-05-01 2011-09-21 セイコーエプソン株式会社 レーザ切断方法
DE102007033242A1 (de) 2007-07-12 2009-01-15 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser
JP5139739B2 (ja) 2007-07-19 2013-02-06 パナソニック株式会社 積層体の割断方法
JP2009050892A (ja) 2007-08-27 2009-03-12 Seiko Epson Corp 基板分割方法、及び表示装置の製造方法
JP2009056482A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Seiko Epson Corp 基板分割方法、及び表示装置の製造方法
KR100876502B1 (ko) * 2007-09-21 2008-12-31 한국정보통신대학교 산학협력단 초단파 레이저 빔을 이용한 기판 절단장치 및 그 절단방법
EP2250714B1 (en) 2008-02-19 2015-01-14 Bergmann Messgeräte Entwicklung KG Generation of burst of laser pulses
JP5380986B2 (ja) 2008-09-30 2014-01-08 アイシン精機株式会社 レーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置
GB0900036D0 (en) * 2009-01-03 2009-02-11 M Solv Ltd Method and apparatus for forming grooves with complex shape in the surface of apolymer
JP5271092B2 (ja) 2009-01-09 2013-08-21 エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 電気機器
US8309885B2 (en) 2009-01-15 2012-11-13 Electro Scientific Industries, Inc. Pulse temporal programmable ultrafast burst mode laser for micromachining
US10307862B2 (en) 2009-03-27 2019-06-04 Electro Scientific Industries, Inc Laser micromachining with tailored bursts of short laser pulses
US20100252959A1 (en) 2009-03-27 2010-10-07 Electro Scientific Industries, Inc. Method for improved brittle materials processing
WO2011071886A1 (en) 2009-12-07 2011-06-16 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser machining and scribing systems and methods
US20120234807A1 (en) 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
JP5089735B2 (ja) 2010-07-15 2012-12-05 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
CN102785031B (zh) 2012-08-15 2015-04-01 武汉隽龙科技有限公司 一种利用超短脉冲激光的透明材料切割方法及切割装置
US20140079570A1 (en) 2012-09-17 2014-03-20 GM Global Technology Operations LLC Launch torus torque converter
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6208430B2 (ja) 2013-01-25 2017-10-04 株式会社ディスコ レーザー加工方法
KR20150110707A (ko) 2013-02-04 2015-10-02 뉴포트 코포레이션 투명 및 반투명 기재의 레이저 절단 방법 및 장치
JP2016520501A (ja) 2013-03-15 2016-07-14 キネストラル テクノロジーズ，インク． レーザ切断強化ガラス
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
WO2014161534A2 (de) 2013-04-04 2014-10-09 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren und vorrichtung zum einbringen von durchbrechungen in ein substrat sowie ein derart hergestelltes substrat
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
US20150166393A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US20160311717A1 (en) 2013-12-17 2016-10-27 Corning Incorporated 3-d forming of glass
CN107074611A (zh) 2014-07-11 2017-08-18 康宁股份有限公司 通过将脉冲激光穿孔诱导到玻璃制品中进行玻璃切割的系统以及方法
CN208586209U (zh) 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
EP3221727B1 (de) 2014-11-19 2021-03-17 Trumpf Laser- und Systemtechnik GmbH System zur asymmetrischen optischen strahlformung
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2720791C1 (ru) * 2019-09-06 2020-05-13 Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "ИРЭ-Полюс" (ООО НТО "ИРЭ-Полюс") Способ лазерной обработки прозрачного хрупкого материала и устройство его реализующее
WO2021043450A1 (en) 2019-09-06 2021-03-11 Ire-Polus Method of laser beam machining of a transparent brittle material and device embodying such method

Also Published As

Publication number Publication date
AU2011279374A1 (en) 2013-02-07
KR20180121683A (ko) 2018-11-07
CA2805003C (en) 2017-05-30
CA2805003A1 (en) 2012-01-19
US20130126573A1 (en) 2013-05-23
SG187059A1 (en) 2013-02-28
KR20130031377A (ko) 2013-03-28
US10399184B2 (en) 2019-09-03
EP2593266A4 (en) 2017-04-26
JP2013536081A (ja) 2013-09-19
CN103079747A (zh) 2013-05-01
US9296066B2 (en) 2016-03-29
WO2012006736A2 (en) 2012-01-19
CN103079747B (zh) 2016-08-03
EP2593266A2 (en) 2013-05-22
US20170028505A1 (en) 2017-02-02
MY184075A (en) 2021-03-17
KR102088722B1 (ko) 2020-03-17
JP2017185547A (ja) 2017-10-12
JP6646609B2 (ja) 2020-02-14
WO2012006736A3 (en) 2012-11-29
JP6121901B2 (ja) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013102422A (ru) Способ обработки материалов с использованием филаментации
US8513567B2 (en) Laser processing method for forming a modified region for cutting in an object
TWI527649B (zh) The cutting method of the object to be processed
TWI389756B (zh) Laser processing methods and semiconductor wafers
KR101466392B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 칩
TWI637433B (zh) 使用雷射處理及溫度引起之應力的組合式晶圓製造方法
KR101283228B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 가공 대상물
US8735770B2 (en) Laser processing method for forming a modified region in an object
CN100553853C (zh) 板状体切断方法及激光加工装置
KR101549271B1 (ko) 레이저 가공 방법
KR101408491B1 (ko) 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치
TWI542432B (zh) The cutting method of the object to be processed
US10828727B2 (en) Method of separating surface layer of semiconductor crystal using a laser beam perpendicular to the separating plane
US20120103948A1 (en) Laser machining device and laser machining method
TWI380867B (zh) Laser processing methods and semiconductor wafers
TW200819236A (en) Laser processing method
TW201206605A (en) Method and apparatus for improved wafer singulation
TW201207927A (en) Method for cutting a substrate wafer
TW201249577A (en) Semiconductor substrate and cutting method of semiconductor substrate
CN104810453A (zh) 光器件及光器件的加工方法
KR20120101707A (ko) 레이저 박리 방법 그리고 빔 스플리터를 구비하는 레이저 박리 방법용 장치
US20190139799A1 (en) Method of laser scribing of semiconductor workpiece using divided laser beams
JP2011091322A (ja) レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
CN108028189A (zh) 激光加工方法
KR20130083429A (ko) 주입 및 조사에 의해 기판을 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20160321