JP2020513118A - エレクトロクロミック構造およびエレクトロクロミック構造の分離方法 - Google Patents

Abstract

エレクトロクロミック構造（１００）は、基板（１０１）と、基板上に配置されたエレクトロクロミック残留物（１０４）とを含むことができる。エレクトロクロミック構造は、基板上のエレクトロクロミックスタック（１１０）を含むことができる。プロセスを使用して構造を分離することができる。このプロセスは、基板内のフィラメント（１０２）を形成することと、基板に熱処理を施すこととを含むことができる。フィラメントを形成することは、基板にレーザーエネルギーのパルスを印加することによって行うことができる。特定の実施形態では、基板に複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを形成することができる。基板は、ミネラルガラス、サファイア、酸窒化アルミニウム、スピネル、または透明ポリマーを含むことができる。

Description

本開示は、一般に、エレクトロクロミック構造およびエレクトロクロミック構造を分離する方法に関する。

風防や自動車の窓などのエレクトロクロミック素子その他の窓構造ではガラスが使用される。典型的には、マザーガラス上にエレクトロクロミックスタックが形成され、次いでガラス基板を有する個々のスタックを形成するためにそれが所望の形状に切断される。しかしながら、異なる形状の基板を形成する場合、ガラス基板への損傷を防ぎ、ガラス基板の分離を確実に成功させるためにスタック間のより広いギャップが必要になるため、マザーガラスの著しい無駄を生じることがよくある。多くの場合、安全上の理由とエッジ強度を改善するために、研磨などのガラス基板のエッジを切断する追加処理が使用される。エレクトロクロミック素子に強化（例えば、熱強化もしくは化学強化）ガラスまたはテンパード（ｔｅｍｐｅｒｅｄ）ガラスが求められる場合、強化ガラスまたはテンパードガラスの切断は失敗が多く、当技術分野では難しいと考えられてきたので、個々のエレクトロクロミックスタックの形成が終わるまでガラスの焼戻しまたは強化は行われない。当業界ではガラス切断の改善が求められている。

添付の図において実施形態は例として示されており、限定されない。

一実施形態による構造の断面図である。 一実施形態によるプロセスを含むフローチャートの図である。 別の実施形態による構造の断面図である。 一実施形態によるフィラメントパターンを含む構造の図である。 一実施形態による構造の上面図である。 別の実施形態による構造の上面図である。 別の実施形態による構造の上面図である。 別の実施形態による例示的な構造の一部分の斜視図である。 一実施形態による例示的な断熱ガラスユニットの図である。 一実施形態による別の例示的な断熱ガラスユニットの図である。 一実施形態による別の例示的な断熱ガラスユニットの図である。 一実施形態による別の例示的な断熱ガラスユニットの図である。 一実施形態による別の例示的な断熱ガラスユニットの図である。

当業者であれば、図中の要素が簡潔明瞭に示されており、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことを理解する。例えば、図中の一部の要素の寸法は、本発明の実施形態の理解を高める助けとなるように他の要素に対して誇張されている場合がある。

図面と組み合わせた以下の説明は、本明細書に開示される教示の理解を助けるために提供されている。以下の考察は、教示の特定の実装態様および実施形態に焦点を当てたものになる。これらに焦点を当てたのは、教示の説明の助けとするためであり、教示の範囲または適用性に対する限定として解釈されるべきではない。

本明細書で使用される場合、用語「ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ（含む、からなる）」、「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ（含む、からなる）」、「ｉｎｃｌｕｄｅｓ（含む）」、「ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ（含む）」、「ｈａｓ（有する）」、「ｈａｖｉｎｇ（有する）」、またはそれらの任意の他の変形は、非排他的包含を範囲とすることを意図されている。例えば、特徴のリストを含むプロセス、方法、物品、もしくは装置は、必ずしもそれらの特徴だけに限定されず、明示的に列挙されていない、またはそのようなプロセス、方法、物品、もしくは装置に固有の他の特徴を含み得る。さらに、そうではないと明示されていない限り、「ｏｒ（または／もしくは）」は、包含的ＯＲを指し、排他的ＯＲを意味しない。例えば、条件ＡまたはＢは、次のいずれか１つによって満たされる：Ａが真であり（または存在し）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在せず）Ｂが真である（または存在する）、およびＡとＢの両方が真である（または存在する）。

「ａ」または「ａｎ」の使用は、本明細書に記載される要素および構成要素を記述するために用いられている。これが用いられているのは単に、便宜上および本発明の範囲の一般的な意味を与えるためにすぎない。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むように読み取られるべきであり、そうでないことを意味していることが明らかでない限り、単数形は複数も含み、逆もまた同様である。

特に定めのない限り、本明細書で使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法、および例は例示的のためのものにすぎず、限定的であることを意図されていない。本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料および処理行為に関する多くの詳細は従来のものであり、ガラス、レーザー切断、およびエレクトロクロミックの技術内の教科書その他の情報源に記載されている。

実施形態は、基板を含む構造を分離するプロセスに関する。本プロセスは、基板内にフィラメントを形成することを含むことができる。フィラメントは、基板内で基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在することができる。特定の実施形態では、互いに離間した複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを形成することができる。本プロセスはまた、フィラメントパターンに沿って基板の一部分を残りの部分から分離するために基板に熱処理を施すことも含むことができる。本プロセスにより、各部分に滑らかな新しいエッジを形成することが可能になる。上から見ると、新しいエッジは湾曲部を含むことができ、特に、用途に応じて、小半径（最大でも５μｍなど）、または鋭角、またはそれらの組み合わせを含むことができる。別の特定の実施形態では、基板は熱半強化ガラスを含むことができ、本プロセスにより、エッジを欠くことも別の悪影響を引き起こすこともなく、熱半強化ガラスの一部分を分離することが可能になる。

他の実施形態は、基板とエレクトロクロミック残留物とを含むエレクトロクロミック構造に関する。本構造は、基板内のフィラメントをさらに含むことができる。フィラメントは、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在することができる。本構造は、フィラメントを含むフィラメントパターンに沿って各部分に分離され得る。各一服は、エレクトロクロミックスタックを含むことができ、研削や研磨など、各部分のエッジに対する追加処理なしでエレクトロクロミック素子として使用することができる。

一実施形態によれば、構造は、レーザー波長に対して実質的に透明であり得る基板を含むことができる。例示的な基板には、ミネラルガラス、サファイア、酸窒化アルミニウム、スピネル、または透明ポリマーが含まれ得る。ポリマーの例には、ポリイミド、ポリエチレン、ナプタレート（ＰＥＭ）、ポリエチレンテラフタレート（ＰＥＴ）、アラミドなどが含まれ得る。例示的なミネラルガラス基板は、熱強化ガラスまたは化学強化ガラス、半強化ガラス、超薄型ガラス、フロートガラス、合わせガラスなどの強化ガラスやテンパードガラス、またはホウケイ酸ガラスやソーダ石灰ガラスなどの非強化ガラス、またはそれらの任意の組み合わせであり得る。本開示では、強化される（ｓｔｒｅｎｇｔｈｅｎｅｄ）という用語とテンパード（ｔｅｍｐｅｒｅｄ）という用語が区別なく使用される。特定の実施形態では、基板は、半強化ガラス、特に、３０ＭＰａから６０ＭＰａの表面応力を有し得る熱半強化ガラスを含むことができる。本明細書に開示されるプロセスは、様々な基板の処理に使用することができ、熱半強化ガラスに特に適し得る。

別の実施形態によれば、基板は、０．０２ｍｍから２０ｍｍの範囲の厚さを有することができる。別の例では、この厚さは、エレクトロクロミック素子、自動車の窓用フィルム、または風防などの堆積に特に適し得る。この厚さは、基板のタイプによって異なり得る。ガラスを例にとると、超薄型ガラス基板では、この厚さは２０μｍ〜３００μｍの範囲とし得る。熱半強化ガラスでは、この厚さは、最小でも１．６ｍｍ最大でも２０ｍｍとすることができる。化学強化ガラスは最小でも０．５５ｍｍ最大でも１．６ｍｍ、非強化ガラスは最小でも０．３ｍｍ最大でも６ｍｍの厚さを有することができる。特定の実施形態では、基板は、１．６ｍｍから２０ｍｍの範囲の厚さを有する熱半強化ガラスとすることができる。別の実施形態では、基板は、最小でも１１００ｍｍ×１５００ｍｍのサイズを有するマザーボードとすることができる。さらに別の実施形態では、本構造は、マザーボードと、マザーボード上に配置された複数のエレクトロクロミックスタックを含むことができる。

一実施形態によれば、本構造は、基板上に配置されたエレクトロクロミックスタックを含むことができる。別の実施形態によれば、エレクトロクロミックスタックは、個々のエレクトロクロミック素子を形成するために部分に分離することができるエレクトロクロミック素子プリフォームとすることができる。特定の実施形態では、エレクトロクロミックスタックは、固体エレクトロクロミック素子とすることができる。例えば、エレクトロクロミックスタックは、イオン貯蔵層、エレクトロクロミック層、および任意選択でイオン伝導層を含むことができる。

図１は、基板１０１の上にある層１２２、層１２４、層１２６、層１２８、および層１３０のエレクトロクロミックスタック１１０を含む例示的なエレクトロクロミック構造１００の断面図を含んでいる。構造１００は、導電性金属酸化物または導電性ポリマーを含むことができる透明導電層１２２および透明導電層１３０を含むことができる。例としては、どちらもＡｌ、Ｇａ、Ｉｎなどの三価元素でドープすることができる酸化スズもしくは酸化亜鉛、またはポリアニリン、ポリピロール、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）などのスルホン化ポリマーなどを含むことができる。透明導電層１２２および透明導電層１３０は、同じかまたは異なる組成物を有することができる。

層１２４および層１２８は電極層であり、層の一方はエレクトロクロミック（ＥＣ）層であり、層の他方はイオン貯蔵層（対電極層と呼ばれることもある）である。ＥＣ層は無機金属酸化物の電気化学的活性物質、例えば、ＷＯ_３、Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＣｕＯ、Ｉｒ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＨｆＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｓｂ_２Ｏ_３、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができ、５０ｎｍから２０００ｎｍの範囲の厚さを有することができる。別の実施形態では、ＥＣ層は、本明細書に記載の酸化物を含む二元化合物、三元化合物、または四元化合物を含むことができる。イオン貯蔵層は、エレクトロクロミック層に関して列挙した材料のいずれかを含むことができ、さらに酸化ニッケル（ＮｉＯ、Ｎｉ_２Ｏ_３、またはその２つの組み合わせ）、およびＬｉ、Ｎａ、Ｈ、または別のイオンを含み、８０ｎｍから５００ｎｍの範囲の厚さを有し得る。特定の実施形態では、イオン貯蔵層は、Ｌｉ、Ｎｉ、およびＮｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｂ、またはＶを含む別の元素を含む酸化物を含むことができる。

イオン伝導層１２６（電解質層と呼ばれることもある）は任意選択であり、電極層１２４と電極層１２８との間にあり、２０ミクロンから６０ミクロンの範囲の厚さを有する。イオン伝導層１２６は、イオンを通して移動させ、多量の電子は通過させない。イオン伝導層１２６は、リチウム、アルミニウム、ジルコニウム、リン、ホウ素を含むかまたは含まないケイ酸塩、リチウムを含むかまたは含まないホウ酸塩、リチウムを含むかまたは含まない酸化タンタル、リチウムを含むかまたは含まないランタニド系材料、別のリチウム系セラミック材料などを含むことができる。

本明細書を読めば、当業者は、本明細書に記載される概念の範囲から逸脱することなく、層１２２、層１２４、層１２６、層１２８、および層１３０に他の組成物および厚さを使用できることを理解するであろう。

透明導電層１２２および透明導電層１３０は各々、除去される部分を含むので、バスバー１４４およびバスバー１４８は互いに電気的に接続されない。そのような除去される部分は、典型的には２０ｎｍから２０００ｎｍの幅である。特定の実施形態では、バスバー１４４は透明導電層１２２を介して電極層１２４に電気的に接続され、バスバー１４８は透明導電層１３０を介して電極層１２８に電気的に接続される。バスバー１４４およびバスバー１４８は、導電性材料を含む。一実施形態では、バスバー１４４およびバスバー１４８は各々、透明導電層１２２上に印刷された銀フリットなどの導電性インクを使用して形成することができる。別の実施形態では、バスバー１４４とバスバー１４８の一方または両方が、銀充填エポキシなどの金属充填ポリマーを含むことができる。特定の実施形態（図示されない）では、バスバー１４８は、透明導電層１３０上に配置され、層１２２、層１２４、層１２６、および層１２８から離間した導電性充填ポリマーを含むことができる。金属充填ポリマーの前駆物質の粘度は、そうでなければ導電性インクにとって問題となり得る下にある層の亀裂その他の微細な欠陥を前駆物質が流れないようにするのに十分な高さであり得る。

構造１００はまた、バスバー１４４およびバスバー１４８も含むことができる。バスバー１４４およびバスバー１４８を、それぞれ、透明導電層１２２および透明導電層１３０に結合することができる。

別の実施形態によれば、構造は、基板上の残留物をさらに含むことができる。残留物は、エレクトロクロミックスタックの一部分からのものとすることができる。図１を参照すると、残留物１０４が基板１０１上に配置され、エレクトロクロミックスタック１１０から離間している。別の実施形態によれば、残留物はエレクトロクロミックスタックの層または層の組み合わせの組成物、例えば、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）酸化銅（ＣｕＯ）、酸化イリジウム（Ｍｎ_２Ｏ_３）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_３）、酸化ニッケル（Ｎｉ_２Ｏ_３）、ＮｉＯ、酸化コバルト（Ｃｏ_２Ｏ_３）、ケイ酸塩、またはそれらの任意の組み合わせを含み得る。別の実施形態によれば、残留物は、エレクトロクロミックスタックをパターン化するプロセスから生じ得る。例えば、プロセスは、基板の表面領域からエレクトロクロミックスタックの一部分を除去することを含み得る。除去操作により、エレクトロクロミックスタック一服の大部分、例えば９５％超または９９％超が除去される一方で若干のエレクトロクロミック残留物が表面領域に残る場合がある。エレクトロクロミックスタックの一部分を除去することによりスクライブレーンを形成することもでき、これにより、スクライブレーンに沿って基板にフィラメントパターンを形成することができる。

別の実施形態によれば、構造は、基板に少なくとも１つのフィラメントを含むことができる。別の実施形態では、構造は、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを含むことができる。図１に示されるように、構造１００は、基板１０１の厚さに対して実質的に平行な方向に延在するフィラメント１０２を含む。フィラメント１０２の各々は、フィラメントパターンの一部とすることができる。以下に詳細に開示されるように、フィラメントパターンは構造の分離を容易にすることができる。

一実施形態によれば、構造は、様々な形状およびサイズを有する部分に分離することができる。分離は、各部分が基板の一部と、基板のその一部に配置されたエレクトロクロミックスタックの一部とを含むことができるように行うことができる。いくつかの用途では、エレクトロクロミックスタックは、構造の分離に悪影響を及ぼし得る組成物を有する層を含み得る。フィラメントパターンの形成を可能にするために、エレクトロクロミックスタックの一部分を除去して基板の一部の表面領域を露出することが望ましい場合がある。例えば、構造はレーザーエネルギーを吸収できる層を含んでいてもよく、レーザーを使用してフィラメントパターンを形成する前にエレクトロクロミックスタックの一部分の除去を行うことができる。

図２は、プロセス２００を含むフローチャートの図を含んでいる。本明細書に開示されるように、プロセスは、基板からエレクトロクロミックスタックの一部分を除去するブロック２０１から開始し得る。特定の用途では、プロセスは、エレクトロクロミックスタックを形成し、次いで図２に示されるようにスタックの一部分を除去することを含み得る。エレクトロクロミックスタックの形成は、どちらも参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，３７２，６１０号や米国特許第７，５９３，１５４号に開示されている技術など、当技術分野で既知の技術を使用して実施することができる。

別の実施形態によれば、スタックの一部分を、エッチング、レーザーアブレーションなどによって除去することができる。特定の実施形態では、除去を、レーザーアブレーションなどのアブレーションによって行うことができる。必要に応じて、構造を２つ以上の部分に分離することを可能にするためにスタックの複数の個別の部分を除去することができる。別の実施形態によれば、除去された部分は、フィラメントパターンの形成を容易にできる特定の幅を有することができる。この幅は、分離されたスタックの隣接するエッジ間の最小距離とすることができる。一実施形態では、レーザーフィラメンテーションを行うことを可能にするためにこの幅を最小でも２ｍｍとすることができる。別の実施形態では、フィラメントパターンの形成に悪影響を及ぼすことなく除去された材料および基板上の無駄を減らすために、この幅を最大でも１０ｍｍ、例えば、最大でも７ｍｍやさらには３ｍｍ以下にさえもすることができる。別の実施形態によれば、除去された部分は、基板の寸法（幅や長さなど）と同じかまたはそれより小さい、例えば最小でも２１ｍｍ、例えば、５７ｍｍ、最小でも４２０、または最小でも１０２０ｍｍの長さを有することができる。別の例では、この長さは最大でも２１３０ｍｍ、例えば、最大でも１３２０ｍｍ、または最大でも２４０ｍｍであり得る。別の例では、この長さは、本明細書に開示される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、最小でも２１ｍｍから最大でも２１３０ｍｍの範囲内とすることができる。

別の実施形態によれば、分離されたスタック間のギャップを、フィラメントパターンの形成を誘導するスクライブレーンとすることができる。例えば、スクライブレーンに沿ってレーザービームを向けることができる。いくつかの用途では、スクライブレーン上に残留物が形成される場合があり、残留物はレーザーフィラメンテーションに悪影響を及ぼし得るので、残留物を避けるようにレーザービームを向けることが求められ得る。

別の実施形態によれば、バスバーを、スクライブレーンの近くに配置することができる。例えば、バスバーとスクライブレーンとの間の距離を、最小でも１ｍｍ最大でも３ｍｍとすることができる。この距離は、レーザーフィラメンテーションと構造の分離を実行することによって引き起こされるバスバーへの悪影響を防ぎ、電子スタックと基板の無駄を削減するのに役立つ。距離は、スクライブレーンと、スクライブレーンに最も近いバスバーの外側エッジとの間の最小距離とすることができる。

別の実施形態によれば、構造は、基板上に配置されたコーティングを含むことができる。例示的なコーティングには、低放射率コーティング、酸化インジウムスズコーティング、銀系コーティング、またはそれらの組み合わせを含むことができる。用途では、コーティングはレーザーフィラメンテーションに悪影響を及ぼす可能性があり、フィラメントの形成前にコーティングの一部分を除去することができる。図３は、コーティング３０２と基板３０１とを含む構造３００の図を含んでいる。コーティング３０２の一部分を除去した結果として基板３０１上に残留物３０３が配置されている。別の実施形態によれば、コーティングは単一層からなり得る。別の実施形態によれば、コーティング３０２は、複数の層（図示されない）を含むことができる。本開示を読めば、当業者は、本明細書に開示されるプロセスを使用して、透明基板上に配置された層またはコーティングを含む他のタイプの構造を分離することができることを理解するであろう。

別の実施形態によれば、構造は、基板の上にある層またはスタックを含むことができ、層またはスタックは、レーザー波長に対して透明であり得る。プロセス２００は、層またはスタックの一部分を除去する必要がない場合があるため、ブロック２０２から開始することができる。いくつかの用途では、構造は基板からなっていてもよく、プロセス２００はブロック２０２から開始することができる。

図２に戻って、ブロック２０２で、スクライブレーンに沿ってフィラメントパターンを形成することができる。フィラメントパターンを形成することは、基板内に少なくとも１つのフィラメントを形成することを含むことができる。別の実施形態によれば、フィラメントパターンは、複数のフィラメントを含むことができる。特定の実施形態によれば、パルスバーストモードを備えたレーザーを使用して、フィラメントパターンを形成することができる。例えば、レーザーエネルギーのパルスを基板に印加して所望の位置にフィラメントを形成することができ、複数のパルスを印加してフィラメントパターンを形成することができる。

本明細書で使用される場合、フィラメントという用語は、レーザーフィラメンテーションによって基板に形成された空隙を指すことを意図されている。本開示を読めば、当業者は、フィラメントまたは空隙に関連する実施形態をフィラメントパターンのフィラメントに適用できることを理解するであろう。

一実施形態によれば、空隙は、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在することができる。本明細書で使用される場合、実質的にという用語は、空隙の延在方向と基板の厚さが±１０°以内の角度を形成し得ることを意味することを意図されている。空隙は、基板の一部分を残りの部分から分離するのを容易にできる特定の長さを有することができる。この長さは、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在することができる。例えば、空隙の長さは、基板の厚さと同様かそれより小さくすることができる。別の例では、空隙の長さは最小でも０．３ｍｍ、例えば、最小でも０．７ｍｍや、または最小でも２．３ｍｍとすることができる。空隙の長さは、様々な用途に合わせて基板の厚さが変化するにつれて変化する。さらに別の例では、空隙の長さは最大でも５．８ｍｍ、例えば、最大でも５．１ｍｍや、最大でも３．８ｍｍや、または最大でも２．３ｍｍとすることができる。別の例では、空隙の長さは本明細書に記載される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、最小でも０．３ｍｍから最大でも５．８ｍｍの範囲内とすることができる。特定の実施形態では、空隙の長さは厚さと同じとすることができる。

別の実施形態によれば、空隙は幅を有することができる。いくつかの用途では、幅を直径とすることができる。いくつかの用途では、幅を、空隙の長さの８０％、例えば空隙の最大幅の２０％以内にわたって実質的に一定であり得るように形成することができる。最大幅は、空隙の長さに沿った位置で測定された最大値を有する幅である。一実施形態によれば、空隙の幅は最小でも０．５μｍ、例えば、最小でも０．７μｍまたは最小でも１．３μｍとすることができる。別の実施形態では、空隙の幅は最大でも５μｍ、例えば、最大でも４．６μｍまたは最大でも３．９μｍとすることができる。空隙の幅は、本明細書に開示される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、０．５μｍから５μｍの範囲内とすることができる。別の実施形態によれば、空隙は長さ：幅のアスペクト比を有することができる。アスペクト比は最小でも１０：１、例えば、最小でも１５：１、最小でも３０：１、最小でも５０：１、または最小でも１００：１とすることができる。別の実施形態では、アスペクト比は最大でも３０００：１、例えば、２５００：１、２０００：１、３０００：１、または１５００：１とすることができる。アスペクト比は、本明細書に開示される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、最小でも１０：１から３０００：１の範囲内とすることができる。

別の実施形態によれば、複数のレーザーパルスを基板に印加して、所望の長さの空隙を形成することができる。特に、最小でも２ｍｍから最大１６ｍｍまでの厚さを有する基板では、複数のパルスを印加することができる。例えば、最小でも２ｍｍの厚さを有する基板にフィラメントパターンを形成する場合、レーザーパルスを複数パス基板に施して、フィラメントパターンの空隙を形成することができる。最初のパスでは、空隙の形成を開始するために、レーザーパルスをスクライブレーンに沿って上面近くに集光させることができる。最初のパス後、空隙が所望の長さではない場合がある。後続のパスでは、各空隙の長さを延長するために、レーザーパルスは異なる深さで集光され得る。フィラメントパターンが完成するまでこのプロセスを繰り返すことができる。単回パスのプロセスと比較すると、複数回パスのレーザーパルスはより大きな集光許容差を有することができる。例えば、レーザーを形成されたフィラメントの下または基板の底面近くに集光させて、空隙を深くすることができる。一実施形態では、パス間のフィラメンテーションの最適なオーバーラップを達成できるように、異なる集光位置間の距離を０．８ｍｍから１ｍｍとすることができる。別の実施形態では、フィラメントが形成されるまでレーザーを移動せずに複数のレーザーパルスが使用され得る。別の実施形態では、所望の長さの空隙の形成を容易にするために、レーザーのエネルギーを高めることができる。例えば、フィラメントを形成するために高いエネルギーで１つのレーザーパルスを印加することができる。別の例では、後続のパスごとにレーザーエネルギーを高めることができる。いくつかの用途では、空隙が形成されるまで、基板の同じ面（上面または下面のどちらかなど）からレーザーパルスが印加され得る。あるいは、両面を同時に処理して空隙を形成することもできる。例えば、２つのレーザーを整列させて使用して、レーザーエネルギーを上面と下面とに同時に印加して空隙を形成することができる。

特定の実施形態によれば、レーザーは、最大でも１０ピコ秒最小でも１ピコ秒のパルス持続時間を有するなどの超短パルスレーザーとすることができる。カー効果により、レーザービームは回折することなく基板内を伝播でき、所望の長さを有する空隙が形成されるまで、レーザーパルスの集光とデフォーカスのサイクルによって伝播を持続させることができる。

一実施形態によれば、レーザーは、最小でも５ｋＨｚ最大でも３０ｋＨｚのパルスバースト周波数と、最小でも３５０Ｗ最大でも１０２０Ｗのピーク出力とを有することができる。レーザーは、最小でも８００ｎｍ最大でも２２００ｎｍの波長と、最大でも５μｍ、例えば最大でも２μｍ、または最小でも０．５μｍの集光直径とを有することができる。レーザーは、最小でも１００ｍｍ／ｓ最大でも１０００ｍｍ／ｓの速度を有することができる。特定の用途では、レーザーは、トップハットビームを生成することができ、１０６４ｎｍの波長、１５ｋＨｚのパルスバースト周波数、および７００Ｗのピーク出力を有することができる。

フィラメントパターンは、スクライブレーンに沿ってフィラメントを生成することによって形成され得る。一実施形態によれば、パターンを形成するために、フィラメントを、基板上にマークされたスクライブレーンに沿って実質的に一定の間隔で配置することができる。本明細書で使用される場合、「実質的に一定の間隔」は、隣接するフィラメント間の距離がフィラメントパターンの平均距離の１０％以内にあり得ることを意味することを意図されている。隣接するフィラメント間の距離は、基板の表面に沿ったフィラメントの中心間の直線距離とすることができる。平均距離は、隣接するフィラメント間の全ての距離の合計を、フィラメントパターンに含まれる間隔の総数で除算することによって求めることができる。一実施形態によれば、フィラメントパターンは、最小でも０．５μｍ最大でも５μｍの平均距離を含むことができる。

一実施形態によれば、フィラメントパターンは、基板の厚さよりも短い長さを有する少なくとも１つのフィラメントを含むことができる。特定の実施形態では、全てのフィラメントが基板の厚さよりも短い長さを有することができる。別の実施形態によれば、フィラメントパターンは、フィラメントの長さの合計をフィラメントの数で除算することによって求めることができる平均長を有することができる。平均長は、最小でも０．５ｍｍ最大でも６ｍｍとすることができる。別の実施形態では、フィラメントパターン内の各フィラメントの長さを実質的に同じ、例えば平均長の１０％以内などとすることができる。

一実施形態によれば、フィラメントパターンを形成することは、スクライブレーンに沿って複数回のレーザーエネルギーパスを施すことを含むことができる。例えば、レーザーパルスの最初のパス後、部分的に形成されたフィラメントがスクライブレーンに沿って配置され、２回目以降のパスが施されて、所望の長さのフィラメントの形成が完了され得る。特に、２ｍｍを超える厚さを有する基板では、基板の全厚さにわたって延在するフィラメントを形成するために複数回のレーザーエネルギーパスを施すことが求められ得る。別の実施形態では、最初のフィラメントの完成前に第２のフィラメントの形成が開始されないようにフィラメントが順次に形成されてもよく、用途の必要に応じてフィラメントごとに複数のパルスを印加することができる。

図４は、例示的な構造４００の一部分の図を含んでいる。この構造は、上面４２０と下面４３０とを有する基板４１０を含む。基板４１０の厚さ内に複数のフィラメント４０２を含むフィラメントパターン４０１が形成されている。フィラメント４０２は、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在し、互いに離間している。

別の実施形態によれば、同じ基板上に複数のフィラメントパターンを形成することができる。図５から図７は、マザーボード上のスクライブレーンの非限定的な例示的レイアウトの図を含んでいる。基板の複数の部分への分離を容易にするためにスクライブレーンに沿ってフィラメントパターンを形成することができる。図５は、各々が不規則な形状を取り囲む、上面にマークされたスクライブレーン５０１とスクライブレーン５０２とを有する基板５１０を含む構造５００の上面図を含んでいる。スクライブレーン５０１およびスクライブレーン５０２に沿ってフィラメントを形成して、それらの形状の部分の輪郭を描くフィラメントパターンを形成することができる。スクライブレーン５０６は、エレクトロクロミックスタックの輪郭である。

一実施形態によれば、フィラメントパターンは、直線、曲線、またはそれらの組み合わせを含むことができる。線は、角度（鋭角、鈍角、直角、またはそれらの任意の組み合わせなど）を形成するように交差し得る。例えば、フィラメントパターンは、角度、半径、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。別の例では、必要に応じて、フィラメントパターンは、最大でも５μｍ、例えば最大でも２μｍの半径を含むことができる。風防、サイドウィンドウ、天窓など、様々な用途に適した複雑な形状を有する部分を分離するためにフィラメントパターンを形成することができる。図６に示されるように、規則的な幾何学的形状の輪郭を描くようにフィラメントパターンを形成することができる。例示の上面図を見ると、フィラメントパターンは、鋭角と直角とを含む三角形６０２の形状を有することができる。例示の上面図にあるようなその他の輪郭形状を有する別のフィラメントパターンを形成することができる。

一実施形態によれば、図５および図６に示されるものなど、フィラメントパターンを互いに完全に離間することができ、２つの隣接するフィラメントパターン間の最小距離を最大でも５ｍｍ最小でも３μｍとすることができる。２つの隣接するフィラメントパターン間の最小距離は、隣接するパターンからの２つの最も近いフィラメントの中心間の基板表面に沿った直線距離である。隣接するフィラメントパターン間の最小距離は、別々のフィラメントパターンの形成を可能にし、フィラメントパターン間の無駄な領域を減らすのに役立つ。

別の実施形態によれば、フィラメントパターンは、用途の必要に応じて重なり合ってもよい。例えば、少なくとも１つのフィラメントが異なるフィラメントパターンの一部であってもよい。図７は、７０３と７０４とで重なり合うスクライブレーン７０１および７０２を有する基板７１０を含む構造７００の上面図を含んでいる。一実施形態によれば、フィラメントパターンは、エレクトロクロミックスタックを有する表面から、他方の表面から、または両面から同時に形成され得る。特定の実施形態では、エレクトロクロミックスタックまたはコーティングを有する表面からスクライブレーンに沿ってレーザーエネルギーを印加することができる。

図２に戻って、プロセスは２０３に進み、基板を分離するために熱処理を施すことができる。一実施形態によれば、レーザー、蒸気やランプなどの加熱源、冷却流体、またはそれらの任意の組み合わせを使用して熱処理を施すことができる。特定の実施形態では、レーザーを使用して、スクライブレーンに沿ってなど、フィラメントパターンと関連付けられた領域に熱処理を施すことができる。レーザーには、ＣＯレーザー、ＣＯ_２レーザー、またはそれらの組み合わせが含まれ得る。特定の例では、熱処理レーザーは連続波を生成することができる。熱処理レーザーは、最小でも５μｍの波長、最小でも２００Ｗの出力、最小でも３ｍｍの集光直径、および最小でも１００ｍｍ／ｓの速度を有することができる。

熱処理レーザーを使用する場合、基板の横方向に沿って温度差を生じさせるためにスクライブレーンに沿ってレーザービームを集光させることができる。別の実施形態では、各部分の分離を引き起こし得る適切な温度勾配および熱応力の生成を容易にするために、冷却流体（冷却空気など）がレーザーと組み合わせて使用され得る。別の実施形態では、レーザーフィラメンテーション後に湿度を高めることにより熱処理および分離が促進され得る。例えば、フィラメントパターンの形成後、熱処理の前に、スクライブレーンに沿って（例えばノズルによって）基板に水蒸気が当てられてもよい。

別の実施形態によれば、基板のエッジの近くにフィラメントパターンを形成することが求められる場合、フィラメントパターンとエッジとの間の特定の最小距離によりフィラメントパターンに沿った分離を容易にすることができる。特に、フィラメントパターンがエッジに近い鋭角を含む場合、エッジと最も近いフィラメントの中心との間が最小距離であれば、鋭さが低減され、エッジ強度が改善されて熱処理の適用および切断エッジの形成が容易になり得る。例えば、最小距離は最小でも２０μｍとすることができる。別の実施形態によれば、無駄を減らすのに役立つように最小距離は最大でも２００μｍであり得る。

別の実施形態によれば、熱処理およびレーザーフィラメンテーションを同時に行うことができる。例えば、熱処理レーザーを、スクライブレーンに沿うがフィラメンテーションレーザーから離間してたどるように向けることができる。他の例では、フィラメントパターンの形成が完了した後に熱処理レーザー（ＣＯやＣＯ_２など）を使用することができる。別の実施形態によれば、複数のレーザーを使用して同時に異なるフィラメントパターンに沿って熱処理を施すことができる。

一実施形態によれば、熱処理を施すことにより、基板の一部分を残りの部分から分離することができる。分離は、フィラメントパターンに沿って行われ得る。特に、分離は機械的破断を必要としない可能性がある。より詳細には、分離後、研削や研磨など、新しいエッジへのさらなる追加処理が不要になる可能性がある。当技術分野ではガラス基板を分離するために機械的破断が使用される。しかしながら、機械的な力は、エッジの欠けを引き起こす可能性が高く、鋭角や小半径の湾曲を有するものなどの複雑な形状を形成できないことになる。機械的破断の後、エッジを滑らかにするために研削または研磨が必要になる可能性がより高い。

別の実施形態によれば、基板を分離するために特定の基板の熱処理が不要になる可能性がある。例えば、化学強化ガラス基板をフィラメントパターンの完成時または形成中に自然に分離させることができる。

一実施形態によれば、分離された部分に切断エッジを形成することができる。各フィラメントを２つのチャネルに分割することができ、切断エッジが複数のチャネルを含むことができる。一実施形態によれば、構造を複数の部分に分離することができ、フィラメントの分離の結果として、各部分は新しいエッジに複数のチャネルを含むことができる。別の実施形態によれば、切断エッジは最小でも１００ＭＰａ、例えば、最小でも１３０ＭＰａ、最小でも１７０ＭＰａ、最小でも２４０ＭＰａのエッジ強度を有することができる。別の例では、エッジ強度は最大でも３８０ＭＰａ、例えば、３３０ＭＰＡまたは２９０ＭＰａとすることができる。別の例では、エッジ強度は、本明細書に開示される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、最小でも１００ＭＰａから最大でも３８０ＭＰａの範囲内とすることができる。本開示では、エッジ強度は、ＤＩＮ ＥＮ １２８８−１／３（２０００−０９）に従って試験され、ただし試験は、サイズが１５０ｍｍ×５０ｍｍ、ガラス厚さが０．７ｍｍから４ｍｍの分離基板に対して行われ、ローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）ロッドと支持ロッドとの距離はそれぞれ２０ｍｍと１００ｍｍである。

図８は、複数のチャネル８１１を含む切断エッジ８１０を含む分離された部分８００の図を含んでいる。チャネル８１１は、実質的に基板８０１の厚さ方向に沿って延在することができる。部分８００は、基板８０１上に配置されたスタック８０２を含む。スタック８０２は、図１に示されるようなエレクトロクロミックスタックとすることができ、図１に示されるように配置されたバスバーを含むことができる。別の実施形態によれば、スタック８０２はコーティング、例えば、ウィドウコーティングやウィンドウコーティングのスタックを含むことができる。別の実施形態によれば、８００などの分離された部分が個々のエレクトロクロミック素子であり得る。さらに別の実施形態によれば、分離された部分は、切替可能素子または切替可能素子の一部であり得る。別の実施形態によれば、分離された部分を、本明細書に開示されるプロセスを繰り返すことによってより小さな部分にさらに分離することができる。

特定の実施形態によれば、エレクトロクロミック素子は、基板の少なくとも１つのエッジに複数のチャネルを有する単一の基板を含むことができる。チャネルは、互いに離間し、基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在することができる。別の特定の実施形態によれば、エレクトロクロミック素子を固体とすることができる。

一実施形態によれば、エレクトロクロミック素子は、最小でも約１００ＭＰａ、例えば、最小でも１３０ＭＰａ、最小でも１７０ＭＰａ、最小でも２４０ＭＰａのエッジ強度を有することができる。別の例では、エレクトロクロミック素子は、最大でも３８０ＭＰａ、例えば、３３０ＭＰａまたは２９０ＭＰａのエッジ強度を有することができる。別の例では、エッジ強度は、本明細書に開示される最小値および最大値のいずれかを含む範囲内、例えば、最小でも１００ＭＰａから最大でも３８０ＭＰａの範囲内とすることができる。

別の実施形態によれば、断熱ガラスユニットを形成するために、エレクトロクロミック素子を別個の基板、例えば外側基板（合わせガラスペイン(pane)など）に積層することができる。一実施形態では、個々のエレクトロクロミック素子は、外側基板と同様のサイズを有することができる。別の実施形態では、個々のエレクトロクロミック素子を、少なくとも１つの寸法において外側基板よりも小さくすることができる。別の実施形態では、個々のエレクトロクロミック素子を、少なくとも１つの寸法において外側基板よりも０．５ｍｍから３ｍｍ短く、例えば、少なくとも１つの寸法において、または全ての寸法において１ｍｍから２．０ｍｍ短くすることができる。

図９は、例示的な断熱ガラスユニット９００の図を含んでいる。断熱ガラスユニット９００は、外側の別個の基板９３０と、エレクトロクロミックスタック９２０および基板９１０（チャネルは図示されていない）を含むエレクトロクロミック素子とを含む。スタック９２０と外側基板９４０の間にはソーラー・コントロール・フィルム９４０が配置されており、ソーラー・コントロール・フィルム９４０とスタック９２０との間には中間層９５０が配置されている。中間層９５０は積層接着剤であり得る。インターレイ９５０は熱可塑性物質、例えば、ポリウレタンやエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）やポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を含むことができる。基板９１０と外側基板９３０との間とスタック９２０の周りにはシール９４１が配置されている。シール９４１はポリマー、例えばポリイソブチレンを含むことができる。外側基板９３０はペイン９６０に結合されている。外側基板９３０とペイン９６０とは各々、強化ガラスまたはテンパードガラスであり、２ｍｍから９ｍｍの範囲の厚さを有することができる。ペイン９６０の内面に沿って低放射率層９４２を配置することができる。外側基板９３０およびペイン９６０は、基板９１０およびスタック９２０を囲むスペーサーバー９４３によって離間することができる。スペーサーバー９４３は、シール９４４を介して外側基板９３０とペイン９６０とに結合されている。シール９４４は、ポリイソブチレンなどのポリマーとすることができる。シール９４４は、シール９４１と比較して同じかまたは異なる組成を有することができる。接着接合部９４５は、外側基板９３０とペイン９６０とを保持するように設計されており、外側基板９３０とペイン９６０のエッジの全周囲に沿って設けられている。ＩＧＵ９００の内部空間９７０は、希ガスや乾燥空気などの比較的不活性なガスを含み得る。別の実施形態では、内部空間９７０は真空排気され得る。特定の用途に必要かまたは求められる場合にはＩＧＵに他の設計が使用されてもよく、ＩＧＵの他のいくつかの例示的な設計が図１０から図１３に示されている。図１０から図１３のＩＧＵは、断熱ガラスユニット９００の構成要素と同じ構成要素を含むことができる。同じ構成要素は、同じ参照番号を使用して参照される。

図１０は、別の例示的な断熱ガラスユニット１０００の図を含んでいる。断熱ガラスユニット１０００は、エレクトロクロミックスタック９２０と基板９１０（チャネルは図示されていない）とを含むエレクトロクロミック素子を含む。特定の実施形態では、基板９１０を、２．２ｍｍの厚さを有する焼きなましガラスとすることができる。中間層９５０は、外側の別個の基板９３０とエレクトロクロミックスタック９２０との間に配置されている。

図１１は、別の例示的な断熱ガラスユニット１１００の図を含んでいる。断熱ガラスユニット１１００は、断熱ガラスユニット１０００のものと同様のエレクトロクロミック素子を含み、ただしエレクトロクロミックスタック９２０は外側の別個の基板９３０と反対側にある。中間層９５０は、外側の別個の基板９３０と基板９１０との間に配置されている。

図１２は、別の例示的な断熱ガラスユニット１２００の図を含んでいる。断熱ガラスユニット１２００は、外側の別個の基板１２１０と、外側の別個の基板１２１０上に配置されたエレクトロクロミックスタック９２０とを含む。外側の別個の基板１２１０は、テンパードガラスまたは半強化ガラスとすることができる。外側の別個の基板１２１０のエッジ１２４０は、フィラメントパターンに沿った分離から得られたチャネル１２４１を含む。

図１３は、別の例示的な断熱ガラスユニット１２００の図を含んでいる。断熱ガラスユニット１２００は、外側の別個の基板１２１０と、外側の別個の基板１２１０上に配置されたエレクトロクロミックスタック９２０とを含む。外側の別個の基板１２１０のエッジは、エッジ保護部１２６０によって覆われている。一実施形態では、エッジ保護部は、基板の損傷に対するエッジ耐性を高めることができる適切なコーティングを含むことができる。別の実施形態では、エッジ保護部は、ポリマー、金属、複合材料、またはそれらの組み合わせを含む材料を含むことができる。さらに別の実施形態では、液状塗料、押出し、カプセル化などを利用してエッジに対してエッジ保護を施すことができる。

本開示は、当技術分野からの脱却を表すものである。特定の実施形態は、レーザーフィラメンテーションと熱処理の組み合わせを利用して構造を様々な形状およびサイズを有する部分に正確に分離するプロセスに関するものである。この構造には、当技術分野では切断するのが難しいと考えられている熱半強化ガラスを含むことができる。これらのプロセスは、分離を正確に行うことができるので、小半径、三角形、丸コーナー、またはそれらの任意の組み合わせを含む形状などの複雑な形状を形成するのに特に適し得る。加えて、レーザーフィラメンテーションとレーザー熱処理の組み合わせを使用すると、構造の分離を可能にするためにエレクトロクロミックスタック間に幅２ｍｍほどの狭いギャップを形成することができ、構造の無駄を減らすのに役立つ。さらに、分離により高品質と機械的強度を有するエッジが得られるので、研削や研磨などのさらなる処理は必ずしも必要ではなくなり、分離された部分を直接使用することができる。

多くの異なる態様および実施形態が可能である。それらの態様および実施形態のいくつかを以下に記載する。本明細書を読めば、それらの態様および実施形態は例示にすぎず、本発明の範囲を限定しないことを当業者は理解するであろう。例示的な実施形態は、以下に列挙される実施形態のうちの任意の１つまたは複数によるものであり得る。

実施形態１．基板と、
基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する基板内の第１のフィラメントと、
基板上のエレクトロクロミック残留物と
を含む、エレクトロクロミック構造。

実施形態２．第１のフィラメントを含み、各フィラメントが基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを含む、実施形態１に記載のエレクトロクロミック構造。

実施形態３．基板からエレクトロクロミックスタックの一部分を除去することと、
基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する基板内に第１のフィラメントを形成することと
を含む、方法。

実施形態４．該部分が長さと最小でも２ｍｍの最小幅とを有する、実施形態３に記載の方法。

実施形態５．第１のフィラメントを形成することが、基板にレーザーエネルギーのパルスを印加することによって行われる、実施形態３または４に記載の方法。

実施形態６．第１のフィラメントを形成することが、基板にレーザーエネルギーの複数のパルスを印加することによって行われる、実施形態３または４に記載の方法。

実施形態７．第１のフィラメントを含み、各フィラメントが基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを形成することを含む、実施形態３から６のいずれか１つに記載の方法。

実施形態８．基板が最小でも１ｍｍの厚さを有し、少なくとも１つのフィラメントの形成がレーザーエネルギーの少なくとも１回のパスの適用によって行われる、実施形態７に記載の方法。

実施形態９．基板の一部分を基板の残りの部分から分離するために基板に熱処理を施すことを含む、実施形態３から８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１０．基板内のフィラメントパターンと関連付けられた領域に温度勾配を生成することを含む、実施形態３から９のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１１．熱処理を施すことが、レーザー、蒸気、ランプ、またはそれらの組み合わせを使用することを含む、実施形態９または１０に記載の方法。

実施形態１２．レーザーがＣＯレーザー、ＣＯ２レーザー、またはそれらの組み合わせを含む、実施形態１１に記載の方法。

実施形態１３．熱処理を施すことが、基板内のフィラメントパターンと関連付けられた領域に低温流体を施すことを含む、実施形態８から１２のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１４．各フィラメントパターンが基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを含み、少なくとも２つの隣接するフィラメントパターンが最大でも５μｍの距離だけ離間している、基板内に複数のフィラメントパターンを形成することを含む、実施形態８から１３のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１５．各フィラメントパターンが基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを含み、少なくとも２つの隣接するフィラメントパターンが最小でも３μｍの距離だけ離間している、基板内に複数のフィラメントパターンを形成することを含む、実施形態８から１４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１６．フィラメントパターンに沿って基板の一部分を基板の残りの部分から分離することを含む、実施形態８から１５のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１７．基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する基板内に第１のフィラメントを形成することと、
基板の一部分を基板の残りの部分から分離するために熱処理を施すことと
を含む、方法。

実施形態１８．フィラメントが、最小でも１０：１、最大でも３０００：１の長さ対幅のアスペクト比を有する、実施形態１から１７のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態１９．フィラメントパターンが、基板の厚さよりも短い長さを有する少なくとも１つのフィラメントを含む、実施形態２から１８のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２０．フィラメントパターンが最大でも５μｍの半径、鋭角、またはそれらの組み合わせを含む、実施形態２および８から１９のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２１．基板上に少なくとも１つのエレクトロクロミックスタックが配置され、エレクトロクロミックスタックがイオン貯蔵層、イオン伝導層、エレクトロクロミック層、またはこれらの任意の組み合わせを含む、実施形態１から２０のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２２．基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する複数のフィラメントを各々含む複数のフィラメントパターンを含む、実施形態１、２および１７から２１のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２３．エレクトロクロミック残留物がエレクトロクロミックスタックの一部分を含む、実施形態１、２および１７から２２のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２４．基板のエッジに隣接して配置された１組のフィラメントを含むフィラメントパターンを含む、実施形態２および１７から２３のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２５．基板がエッジを含み、エッジの少なくとも一部分が互いに離間した複数のチャネルによって定義され、エッジが最大でも１５ＭＰａのコア応力を有する、実施形態２および１７から２４のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２６．エッジから離間したバスバーをさらに含み、エッジとバスバーとの間の最小距離が最小でも１ｍｍである、実施形態２５に記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２７．エレクトロクロミックスタックをさらに含み、残留物がエレクトロクロミックスタックから最小でも２ｍｍの距離だけ離間している、実施形態１、２および１７から２６のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２８．基板のエッジに沿って配置されたエッジ保護部をさらに含む、実施形態２および１７から２５のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態２９．エッジ保護部が、ポリマー、金属、複合材料、またはそれらの組み合わせを含む材料を含む、実施形態２８に記載のエレクトロクロミック構造または方法。

実施形態３０．基板と、
基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する基板内の第１のフィラメントと、
基板の上にあるフィルムであって、低放射率コーティング、酸化インジウムスズコーティング、および銀系コーティングからなる群より選択される組成物を含む、フィルムと
を含む、構造。

一般的な説明または例において上述した全ての動作が必要とされるわけではないこと、特定の動作の一部分が必要とされない場合もあること、および記載の動作に加えて１つまたは複数のさらなる動作が行われ得ることに留意されたい。さらに、動作が記載されている順序は必ずしもそれらが行われる順序ではない。

明確にするために、本明細書において別々の実施形態の文脈で説明されている特定の特徴が、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよい。逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈で説明されている様々な特徴が、別々にまたは任意の部分的組み合わせで提供されてもよい。さらに、範囲として記載された値に言及する場合それはその範囲内のありとあらゆる値を含む。

利益、他の利点、および問題の解決策は、特定の実施形態に関して上述されている。しかしながら、それらの利益、利点、問題の解決策、および利益、利点、または解決策を生じさせるかまたはより顕著にし得る任意の（１つまたは複数の）特徴は、任意のまたは全ての請求項の不可欠な、必須の、または本質的な特徴として解釈されるべきものではない。

本明細書に記載された実施形態の仕様および例示は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図されたものである。これらの仕様および例示は、本明細書に記載の構造または方法を使用する装置およびシステムの全ての要素および特徴の網羅的かつ包括的な説明となることを意図されたものではない。別々の実施形態が単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈で説明されている様々な特徴が、別々にまたは任意の部分的組み合わせで提供されてもよい。さらに、範囲として記載された値に言及する場合それはその範囲内のありとあらゆる値を含む。他の多くの実施形態は、本明細書を読んで初めて、当業者には明らかになるであろう。本開示から他の実施形態が使用および導出され得るので、本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、または別の変更がなされ得る。したがって、本開示は限定的ではなく例示的とみなされるべきである。

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する前記基板内の第１のフィラメントと、
   前記基板上のエレクトロクロミック残留物と
   を含む、エレクトロクロミック構造。
2. 前記第１のフィラメントを含む複数のフィラメントであって、各フィラメントが前記基板の前記厚さに対して実質的に平行な方向に延在する当該複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを含む、請求項１に記載のエレクトロクロミック構造。
3. 前記エレクトロクロミック残留物がエレクトロクロミックスタックの一部分を含む、請求項１または２に記載のエレクトロクロミック構造。
4. 前記第１のフィラメントが、最小でも１０：１、最大でも３０００：１の長さ対幅のアスペクト比を有する、請求項１または３に記載のエレクトロクロミック構造。
5. 前記フィラメントパターンが、前記基板の前記厚さよりも短い長さを有する少なくとも１つのフィラメントを含む、請求項２から４のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック構造。
6. 前記フィラメントパターンが最大でも５μｍの半径、鋭角、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２から５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック構造。
7. 前記基板のエッジの少なくとも一部分が互いに離間した複数のチャネルによって定められ、前記エッジが最大でも１５ＭＰａのコア応力を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック構造。
8. 前記エッジから離間したバスバーをさらに含み、前記エッジと前記バスバーとの間の距離が最小でも１ｍｍである、請求項７に記載のエレクトロクロミック構造。
9. 前記基板のエッジに沿って配置されたエッジ保護部をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック構造。
10. 基板からエレクトロクロミックスタックの一部分を除去することと、
    前記基板の厚さに対して実質的に平行な方向に延在する前記基板内に第１のフィラメントを形成することと
    を含む、方法。
11. 前記一部分が長さと少なくとも２ｍｍの幅とを有する、請求項１０に記載の方法。
12. 前記第１のフィラメントを形成することが、前記基板にレーザーエネルギーの少なくとも１つのパルスを印加することによって行われる、請求項１０または１１に記載の方法。
13. 前記第１のフィラメントを含む複数のフィラメントであって、各フィラメントが前記基板の前記厚さに対して実質的に平行な方向に延在する当該複数のフィラメントを含むフィラメントパターンを形成することを含み、前記フィラメントパターンを形成することが、レーザーエネルギーの少なくとも１回のパスの適用によって行われる、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記基板の一部分を前記基板の残りの部分から分離するために前記基板に熱処理を施すことを含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記基板内の前記フィラメントパターンと関連付けられた領域に温度勾配を生成することを含む、請求項１０または１４のいずれか一項に記載の方法。