JP3611722B2 - エッチングガス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、LSI、TFTなどの半導体デバイスの製造用途に適したエッチングガスに関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
半導体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバイス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、CVD法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。これらを製造する際には膜、ウイスカや粉体が堆積させるべき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイスカを製造することが困難になるため随時除去しなければならない。また、半導体やTFT等において回路を構成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要があり、さらに、CVM(ケミカルヴェーパーマシーニング)においては、Siインゴット等をガスエッチングにより切断する必要がある。
【0003】
現在、回路形成のためのエッチング及びCVD装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはCF4、C2F6、CHF3、SF6、NF3などのガスが使用されているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題となっている。また、これらは比較的安定なガスであるため、エッチャントとして有用なCF3・ラジカルやF・ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要であり電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処理が困難であるなどの問題がある。
【0004】
【課題を解決するための具体的手段】
本発明者らは、鋭意検討の結果、化学式(1)で示される化合物からなるガスがエッチング能力に優れることを見いだし本発明に到達したものである。
【0005】
すなわち本発明は、化学式(1)
【0006】
【化3】
【0007】
からなる化合物からなるガスを1種以上含むエッチングガスを提供するものである。
本発明のエッチングガスは、シリコンウエハ、金属板、硝子、単結晶、多結晶などの基板上に堆積した、B、P、W、Si、Ti、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及びその化合物、具体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金のエッチングガスとして使用するものである。
【0008】
本発明のエッチングガスは、従来汎用されていたCF4、C2F6、SF6、NF3などと比較するとエッチング精度に優れている。また、クリーニングガスとして使用しても、供給分子量に対して比較すると高いエッチング速度が取れる特徴がある。
【0009】
本発明のガスを用いたエッチング方法は、プラズマエッチング、反応性プラズマエッチング、マイクロ波エッチングなどの各種ドライエッチング条件下で実施可能であり、これらのエッチングガスとHe、N2、Arなどの不活性ガス、あるいはHI、HBr、HCl、CO、NO、O2、CH4、NH3、H2、C2H2などのガスと適切な割合で混合して使用しても良い。特に、エッチングガスとして使用する場合は、等方的なエッチングを促進するFラジカル量を低減するために、本発明において使用する上述のエッチングガスに対して水素やCH4、NH3、HI、HBr、HClなどの水素含有化合物ガスを、流量比で4倍量以下の流量で混合して使用することが特に望ましい。4倍量より多くの水素または水素含有化合物ガスを混合するとエッチングに有効なFラジカル量が著しく低下するため好ましくない。使用する場合の圧力は、異方性エッチングを行うために、ガス圧力は、5Torr以下の圧力で行うことが好ましいが、0.01Torr以下の圧力ではエッチング速度が遅くなるために好ましくない。使用するガス流量は、エッチング装置の反応器容量、ウエハサイズにもよるが、10SCCM〜1000SCCMの間の流量でエッチングすることが好ましい。また、エッチングする温度は、400℃以下が好ましい、400℃以上では等方的にエッチングが進行する傾向が有り必要とする加工精度が得られないこと、また、レジストがエッチングされるために好ましくない。
【0010】
さらに、本発明のエッチングガスは、分解が容易である。水、アルカリ水溶液、酸性水溶液に溶解もしくはこれらの溶液で分解可能であり環境負荷が少ない。
【0011】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、かかる実施例に制限されるものではない。
【0012】
実施例1〜20、比較例1
実施例1〜20は、本発明のガスをコンタクトホール加工に適用し、層間絶縁膜(SiO2)のエッチングに適用したものである。本実施例において使用したサンプルは、図1に示すように単結晶シリコンウエハ1上にSiO2層間絶縁膜2が形成され、さらに該SiO2のエッチングマスクとして開口部を設けたレジスト・マスク3を形成したものである。
【0013】
上記ウエハを13.56MHzの高周波電力を供給する電源を備えたエッチング装置内に設置し、レジスト開口部周辺の加工形状、SiO2エッチング速度の対レジスト比(対レジスト選択比)の測定を実施した。一例として、下記の条件でSiO2のエッチングを行った。
(条件)
反応ガス流量 :25SCCM
Ar流量 :50SCCM
ガス圧 :0.2Torr
RFパワー密度 :2.2W/cm2
【0014】
【表1】
【0015】
表1に得られた結果を示すが、本発明のエッチングガスを用いることにより高速なエッチングレートが得られ、かつレジストに対しても高い選択性が得られる。また、レジストに対しては肩落ちがないエッチング特性を持つことが精度の良い配線孔を形成するための加工には好ましいが、本発明のガスを用いることにより肩落ちのない加工形状が得られた(図1(b)に示す)。なお、表1中のCDロスの○印は肩落ちがないことを示し、△印は肩落ちが認められることを示す。また比較例として、CF4ガスを用いた。
【0016】
実施例21〜26
(CF3)2CHOCH2FとH2、CH4、NH3、HBr、HI、HClとの混合ガスを用いて実施例1〜20と同様のエッチング試験を下記条件で行った。その結果、対レジスト選択比及びCDロスともに混合しない場合よりも改善された。その結果を表2に示した。
(条件)
反応ガス流量 :25SCCM
水素含有ガス流量 :2.5SCCM
Ar流量 :50SCCM
ガス圧 :0.2Torr
RFパワー密度 :2.2W/cm2
【0017】
【表2】
【0018】
【発明の効果】
本発明のエッチングガスは、加工形状に優れかつ高速で良好なエッチングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、実施例1〜20、比較例1で用いたエッチング用サンプルの断面模式図を示し、(b)は、エッチング後の断面模式図を示す。
【符号の説明】
1 シリコンウエハ
2 SiO2層間絶縁膜
3 レジスト・マスク
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP20670398A JP3611722B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | エッチングガス |
Applications Claiming Priority (1)
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JP20670398A JP3611722B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | エッチングガス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000038579A JP2000038579A (ja) | 2000-02-08 |
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JP20670398A Expired - Fee Related JP3611722B2 (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | エッチングガス |
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JP (1) | JP3611722B2 (ja) |
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1998
- 1998-07-22 JP JP20670398A patent/JP3611722B2/ja not_active Expired - Fee Related
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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