JP2000038673A - クリーニングガス - Google Patents
クリーニングガスInfo
- Publication number
- JP2000038673A JP2000038673A JP10206704A JP20670498A JP2000038673A JP 2000038673 A JP2000038673 A JP 2000038673A JP 10206704 A JP10206704 A JP 10206704A JP 20670498 A JP20670498 A JP 20670498A JP 2000038673 A JP2000038673 A JP 2000038673A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- gas
- cleaning gas
- unnecessary deposits
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置
において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 化学式（１）： ただし、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈを示し、Ｒは、
Ｈ、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2、ＣＦ3を示す。で示される化合
物からなるガスを含むガス。
において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除
去するためのクリーニングガスを提供する。 【解決手段】 化学式（１）： ただし、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｈを示し、Ｒは、
Ｈ、ＣＨ2Ｆ、ＣＨＦ2、ＣＦ3を示す。で示される化合
物からなるガスを含むガス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体が堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシーニ
ング）においては、Ｓｉインゴット等をガスエッチング
により切断する必要がある。
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体が堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシーニ
ング）においては、Ｓｉインゴット等をガスエッチング
により切断する必要がある。
【０００３】現在、回路形成のためのエッチング及びＣ
ＶＤ装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なＣＦ3・ラジカルやＦ・
ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要
であり電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処
理が困難であるなどの問題がある。
ＶＤ装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なＣＦ3・ラジカルやＦ・
ラジカル等を発生させるためには高いエネルギーが必要
であり電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガス処
理が困難であるなどの問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは、鋭
意検討の結果、化学式（１）で示される化合物からなる
ガスがクリーニング能力に優れることを見いだし本発明
に到達したものである。
意検討の結果、化学式（１）で示される化合物からなる
ガスがクリーニング能力に優れることを見いだし本発明
に到達したものである。
【０００５】すなわち本発明は、化学式（１）
【０００６】
【化３】
【０００７】からなる化合物からなるガスを１種以上含
むクリーニングガスを提供するものである。本発明のク
リーニングガスは、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用するもので
ある。
むクリーニングガスを提供するものである。本発明のク
リーニングガスは、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用するもので
ある。
【０００８】本発明のクリーニングガスは、従来汎用さ
れていたＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などと
比較すると供給分子量に対して高いエッチング速度が取
れる特徴がある。
れていたＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などと
比較すると供給分子量に対して高いエッチング速度が取
れる特徴がある。
【０００９】本発明のクリーニングガスは、マルチチャ
ンバ型ＣＶＤ装置や各種バッチ型ＣＶＤ装置、エピタキ
シャル成長用ＣＶＤ装置などのクリーニングとして適応
可能である。ガスの励起方式は特に限定されず、例え
ば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使用す
ればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても良い
し、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイオン
を反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実施可
能である。
ンバ型ＣＶＤ装置や各種バッチ型ＣＶＤ装置、エピタキ
シャル成長用ＣＶＤ装置などのクリーニングとして適応
可能である。ガスの励起方式は特に限定されず、例え
ば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使用す
ればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても良い
し、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイオン
を反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実施可
能である。
【００１０】また、クリーニングには、Ｈｅ、Ｎ2、Ａ
ｒなどの不活性ガスあるいはＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、Ｃ
Ｏ、ＮＯ、Ｏ2、ＣＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｃ2Ｈ2などのガス
と適切な割合で混合して使用しても良い。特に、クリー
ニングに使用する場合は、クリーニングに有用なＦラジ
カルの寿命を永くするためと、炭素系化合物の堆積を防
止するためにＯ2、ＣＯ、ＮＯなどの酸素または酸素含
有化合物ガスを、化学式（１）に示した化合物ガスに対
して流量比で４倍量以下の流量で混合して使用すること
が望ましい。４倍量以上の酸素または酸素含有化合物ガ
スを混合すると堆積物自体が著しく酸化され、エッチン
グ速度が低下するため好ましくない。さらにクリーニン
グの場合、反応速度を高く取るために室温（１８℃）以
上の温度でクリーニングすることが好ましいが、９１０
℃以上の温度に加熱されたものをクリーニングすると下
地の金属などが腐蝕を受けるため好ましくない。また、
クリーニングする場合の圧力は、反応速度を高く取るた
めには圧力も高い方が好ましいが、１０Ｔｏｒｒ以上の
圧力では良好なプラズマ状態を維持できないために好ま
しくない。また、０．０１Ｔｏｒｒ以下の圧力では反応
速度が遅くなるため好ましくない。使用する化学式
（１）で示した化合物ガス流量は、堆積物量、薄膜堆積
装置の反応器容量にもよるが、通常１０ＳＣＣＭ〜１０
０００ＳＣＣＭの間の流量で適宜選択すればよい。この
場合、１０ＳＣＣＭ以下の流量であると大量の堆積物の
除去が困難になり、また１００００ＳＣＣＭ以上の流量
だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましくな
い。
ｒなどの不活性ガスあるいはＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、Ｃ
Ｏ、ＮＯ、Ｏ2、ＣＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｃ2Ｈ2などのガス
と適切な割合で混合して使用しても良い。特に、クリー
ニングに使用する場合は、クリーニングに有用なＦラジ
カルの寿命を永くするためと、炭素系化合物の堆積を防
止するためにＯ2、ＣＯ、ＮＯなどの酸素または酸素含
有化合物ガスを、化学式（１）に示した化合物ガスに対
して流量比で４倍量以下の流量で混合して使用すること
が望ましい。４倍量以上の酸素または酸素含有化合物ガ
スを混合すると堆積物自体が著しく酸化され、エッチン
グ速度が低下するため好ましくない。さらにクリーニン
グの場合、反応速度を高く取るために室温（１８℃）以
上の温度でクリーニングすることが好ましいが、９１０
℃以上の温度に加熱されたものをクリーニングすると下
地の金属などが腐蝕を受けるため好ましくない。また、
クリーニングする場合の圧力は、反応速度を高く取るた
めには圧力も高い方が好ましいが、１０Ｔｏｒｒ以上の
圧力では良好なプラズマ状態を維持できないために好ま
しくない。また、０．０１Ｔｏｒｒ以下の圧力では反応
速度が遅くなるため好ましくない。使用する化学式
（１）で示した化合物ガス流量は、堆積物量、薄膜堆積
装置の反応器容量にもよるが、通常１０ＳＣＣＭ〜１０
０００ＳＣＣＭの間の流量で適宜選択すればよい。この
場合、１０ＳＣＣＭ以下の流量であると大量の堆積物の
除去が困難になり、また１００００ＳＣＣＭ以上の流量
だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましくな
い。
【００１１】さらに、本発明のクリーニングガスは、分
解が容易である。水、アルカリ水溶液、酸性水溶液に溶
解もしくはこれらの溶液で分解可能であり環境負荷が少
ない。
解が容易である。水、アルカリ水溶液、酸性水溶液に溶
解もしくはこれらの溶液で分解可能であり環境負荷が少
ない。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、かかる実施例に制限されるものではない。
が、かかる実施例に制限されるものではない。
【００１３】実施例１〜８ ＣＶＤ法によりＷ（実施例１）、ＷＳｉｘ（実施例
２）、Ｔａ2Ｏ5（実施例３）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（実施例
４）、ＴｉＮ（実施例５）、Ｔｉ（実施例６）、Ｓｉ3
Ｎ4（実施例７）、ＳｉＯ2（実施例８）をそれぞれ成膜
した。これらの膜を成膜した後の反応器壁には、膜状不
要物（１〜２０μｍ）及び粉体が堆積していた。これら
の堆積物を除去するために下記条件でクリーニングし
た。
２）、Ｔａ2Ｏ5（実施例３）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（実施例
４）、ＴｉＮ（実施例５）、Ｔｉ（実施例６）、Ｓｉ3
Ｎ4（実施例７）、ＳｉＯ2（実施例８）をそれぞれ成膜
した。これらの膜を成膜した後の反応器壁には、膜状不
要物（１〜２０μｍ）及び粉体が堆積していた。これら
の堆積物を除去するために下記条件でクリーニングし
た。
【００１４】それぞれ３０分クリーニングした後、反応
器内部の状態を観察したところ堆積物が少し残っていた
ので、そのまま続けてクリーニングした。再度反応器内
部の状態を観察したところ堆積していた膜及び粉体は完
全に除去できていた。
器内部の状態を観察したところ堆積物が少し残っていた
ので、そのまま続けてクリーニングした。再度反応器内
部の状態を観察したところ堆積していた膜及び粉体は完
全に除去できていた。
【００１５】実施例９〜１６ ＣＶＤ法によりＷ（実施例９）、ＷＳｉｘ（実施例１
０）、Ｔａ2Ｏ5（実施例１１）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（実施
例１２）、ＴｉＮ（実施例１３）、Ｔｉ（実施例１
４）、Ｓｉ3Ｎ4（実施例１５）、ＳｉＯ2（実施例１
６）をそれぞれ成膜した。これらの膜を成膜した後の反
応器壁には、膜状不要物（１〜２０μｍ）及び粉体が堆
積していた。これらの堆積物を除去するために下記条件
でクリーニングした。 それぞれクリーニングした後、反応器内部の状態を観察
したところ堆積していた膜及び粉体は完全に除去できて
いた。
０）、Ｔａ2Ｏ5（実施例１１）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（実施
例１２）、ＴｉＮ（実施例１３）、Ｔｉ（実施例１
４）、Ｓｉ3Ｎ4（実施例１５）、ＳｉＯ2（実施例１
６）をそれぞれ成膜した。これらの膜を成膜した後の反
応器壁には、膜状不要物（１〜２０μｍ）及び粉体が堆
積していた。これらの堆積物を除去するために下記条件
でクリーニングした。 それぞれクリーニングした後、反応器内部の状態を観察
したところ堆積していた膜及び粉体は完全に除去できて
いた。
【００１６】
【発明の効果】本発明のクリーニングガスを用いること
により、地球温暖化の問題もなく、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
により、地球温暖化の問題もなく、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 ５Ｆ０４５ 21/3065 21/285 Ｃ // Ｈ０１Ｌ 21/285 21/302 Ｆ (72)発明者 大橋 満也 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Ｆターム(参考） 4H003 BA28 DA15 EA31 ED30 4K029 BA02 BA17 BA35 BA43 BA46 BA52 BA58 BA60 CA01 CA05 EA05 FA09 4K030 BA18 BA20 BA29 BA38 BA40 BA42 BA44 BA48 DA06 JA06 4M104 BB01 BB14 BB18 BB28 BB30 DD34 DD37 DD43 5F004 AA15 DA00 DA26 DB01 DB08 DB12 DB13 5F045 BB14 EB06
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、化学式（１） 【化１】 で示される化合物からなるガスを含むクリーニングガ
ス。 - 【請求項２】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、化学式（１） 【化２】 で示される化合物からなるガスと酸素または酸素含有化
合物ガスとを含むクリーニングガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206704A JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206704A JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038673A true JP2000038673A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16527744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10206704A Pending JP2000038673A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000038673A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
| JP2021528857A (ja) * | 2018-06-19 | 2021-10-21 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP10206704A patent/JP2000038673A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1900801A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | FUJIFILM Corporation | Substrate water-removing agent, and water-removing method and drying method employing same |
| JP2021528857A (ja) * | 2018-06-19 | 2021-10-21 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
| JP7420754B2 (ja) | 2018-06-19 | 2024-01-23 | ラム リサーチ コーポレーション | 金属酸化物膜を除去するための温度制御システムおよびその方法 |
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