JP2000038674A - クリーニングガス - Google Patents
クリーニングガスInfo
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- JP2000038674A JP2000038674A JP10206706A JP20670698A JP2000038674A JP 2000038674 A JP2000038674 A JP 2000038674A JP 10206706 A JP10206706 A JP 10206706A JP 20670698 A JP20670698 A JP 20670698A JP 2000038674 A JP2000038674 A JP 2000038674A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて薄
膜等を製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積し
た不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提
供する。 【解決手段】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガ
スを含有したクリーニングガスで、さらに、ＣＦ 3ＣＦ
ＨＯＣＦ2Ｈからなるガスと酸素または酸素含有化合物
ガスとを含有したクリーニングガス。
膜等を製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積し
た不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提
供する。 【解決手段】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガ
スを含有したクリーニングガスで、さらに、ＣＦ 3ＣＦ
ＨＯＣＦ2Ｈからなるガスと酸素または酸素含有化合物
ガスとを含有したクリーニングガス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法、スパッ
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
タリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、
粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具
等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニン
グガスに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体を堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシーニ
ング）においてはＳｉインゴット等をガスエッチングに
より切断する必要がある。
体工業を中心とした薄膜デバイス製造プロセス、光デバ
イス製造プロセスや超鋼材料製造プロセスでは、ＣＶＤ
法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて種
々の薄膜、厚膜、粉体、ウイスカが製造されている。こ
れらを製造する際には膜、ウイスカや粉体を堆積させる
べき目的物上以外の反応器内壁、目的物を担持する冶具
等にも堆積物が生成する。不要な堆積物が生成するとパ
ーティクル発生の原因となるため良質な膜、粒子、ウイ
スカを製造することが困難になるため随時除去しなけれ
ばならない。また、半導体やＴＦＴ等において回路を構
成する各種の薄膜材料に回路パターンを形成するために
薄膜材料を部分的に取り除くガスエッチングを行う必要
があり、さらに、ＣＶＭ（ケミカルヴェーパーマシーニ
ング）においてはＳｉインゴット等をガスエッチングに
より切断する必要がある。
【０００３】現在、回路形成のためのエッチング及びＣ
ＶＤ装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なＣＦ3・ラジカルやＦ・
ラジカル等を発生させるためには、高いエネルギーが必
要であり、電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガ
ス処理が困難であるなどの問題がある。
ＶＤ装置等の薄膜形成装置のクリーニングにはＣＦ4、
Ｃ2Ｆ6、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3などのガスが使用され
ているが、これらは地球温暖化係数が高いことが問題と
なっている。また、これらは比較的安定なガスであるた
め、エッチャントとして有用なＣＦ3・ラジカルやＦ・
ラジカル等を発生させるためには、高いエネルギーが必
要であり、電力消費量が大きいこと、大量の未反応排ガ
ス処理が困難であるなどの問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための具体的手段】本発明者らは、鋭
意検討の結果、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈ（以下、ＤＦＲと
略記する）からなるガスがクリーニング能力に優れるこ
とを見いだし本発明に至ったものである。
意検討の結果、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈ（以下、ＤＦＲと
略記する）からなるガスがクリーニング能力に優れるこ
とを見いだし本発明に至ったものである。
【０００５】すなわち、本発明は、薄膜形成装置の中に
生成した不要な堆積物を除去するために、ＣＦ3ＣＦＨ
ＯＣＦ2Ｈからなるガスを含有したクリーニングガス
で、さらに、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガスと酸素
または酸素含有化合物ガスとを含有したクリーニングガ
スを提供するものである。
生成した不要な堆積物を除去するために、ＣＦ3ＣＦＨ
ＯＣＦ2Ｈからなるガスを含有したクリーニングガス
で、さらに、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガスと酸素
または酸素含有化合物ガスとを含有したクリーニングガ
スを提供するものである。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明するが、本発明
のクリーニングガスは、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用できるもの
である。
のクリーニングガスは、Ｂ、Ｐ、Ｗ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓ
ｂ、Ｇｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｓ、Ｃｒ及びその化合物、具
体的には酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの合金を堆
積させる装置の反応器壁、配管、基板搬送室をクリーニ
ングするためのクリーニングガスとして使用できるもの
である。
【０００７】本発明のクリーニングガスは、従来汎用さ
れていたＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6、ＮＦ3などと比較する
と、供給分子量に対して高いエッチング速度が取れる特
徴がある。さらに、加温したＳｉを除害薬剤としたよう
な乾式除害装置で容易に分解可能であり、環境が少ない
という優れた特徴を有する。また、分子内に含有する酸
素の効果から炭素系化合物の堆積が起こらず、長寿命の
Ｆラジカルを供給することが可能であるという優れた特
徴を有する。
れていたＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＳＦ6、ＮＦ3などと比較する
と、供給分子量に対して高いエッチング速度が取れる特
徴がある。さらに、加温したＳｉを除害薬剤としたよう
な乾式除害装置で容易に分解可能であり、環境が少ない
という優れた特徴を有する。また、分子内に含有する酸
素の効果から炭素系化合物の堆積が起こらず、長寿命の
Ｆラジカルを供給することが可能であるという優れた特
徴を有する。
【０００８】本発明のクリーニングガスは、マルチチャ
ンバ型ＣＶＤ装置や各種バッチ型ＣＶＤ装置、エピタキ
シャル成長用ＣＶＤ装置などのクリーニングガスとして
適応可能である。ガスの励起方式は、特に限定されず、
例えば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使
用すればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても
良いし、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイ
オンを反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実
施可能である。
ンバ型ＣＶＤ装置や各種バッチ型ＣＶＤ装置、エピタキ
シャル成長用ＣＶＤ装置などのクリーニングガスとして
適応可能である。ガスの励起方式は、特に限定されず、
例えば、高周波、マイクロ波など装置形態に合わせて使
用すればよい。また、ガスを反応器内部で励起させても
良いし、反応器の外部で励起させ、ラジカルあるいはイ
オンを反応器に導入するリーモートプラズマ方式でも実
施可能である。
【０００９】次に、ＤＦＲガスによるクリーニングは、
Ｈｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＩ、ＨＢ
ｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、Ｏ2、ＣＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｃ
2Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用しても良
い。特に、クリーニングに使用する場合は、クリーニン
グに有用なＦラジカルの寿命を永くするためと、炭素系
化合物の付着を防止するためにＯ2、ＣＯ、ＮＯなどの
酸素または酸素含有化合物ガスを、ＤＦＲに対して流量
比で４倍量以下の流量で混合して使用することが望まし
い。４倍量以上の酸素含有化合物を混合すると堆積物自
体が著しく酸化され、エッチング速度が低下するため好
ましくない。さらにクリーニングの場合、反応速度を高
く取るために室温（１８℃）以上の温度でクリーニング
することが好ましいが、９１０℃以上の温度に加熱され
たものをクリーニングすると下地の金属などが腐蝕を受
けるため好ましくない。また、クリーニングする場合の
圧力は、反応速度を高く取るためには圧力も高い方が好
ましいが、１０Ｔｏｒｒ以上の圧力では良好なプラズマ
状態を維持できないために好ましくない。また、０．０
１Ｔｏｒｒ以下の圧力では反応速度が遅くなるため好ま
しくない。使用するＤＦＲのガス流量は、堆積物量、薄
膜堆積装置の反応器容量にもよるが、通常１０ＳＣＣＭ
〜１００００ＳＣＣＭの間の流量で適宜選択すればよ
い。この場合、１０ＳＣＣＭ以下の流量であると大量の
堆積物の除去が困難になり、１００００ＳＣＣＭ以上の
流量だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましく
ない。
Ｈｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガスあるいはＨＩ、ＨＢ
ｒ、ＨＣｌ、ＣＯ、ＮＯ、Ｏ2、ＣＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｃ
2Ｈ2などのガスと適切な割合で混合して使用しても良
い。特に、クリーニングに使用する場合は、クリーニン
グに有用なＦラジカルの寿命を永くするためと、炭素系
化合物の付着を防止するためにＯ2、ＣＯ、ＮＯなどの
酸素または酸素含有化合物ガスを、ＤＦＲに対して流量
比で４倍量以下の流量で混合して使用することが望まし
い。４倍量以上の酸素含有化合物を混合すると堆積物自
体が著しく酸化され、エッチング速度が低下するため好
ましくない。さらにクリーニングの場合、反応速度を高
く取るために室温（１８℃）以上の温度でクリーニング
することが好ましいが、９１０℃以上の温度に加熱され
たものをクリーニングすると下地の金属などが腐蝕を受
けるため好ましくない。また、クリーニングする場合の
圧力は、反応速度を高く取るためには圧力も高い方が好
ましいが、１０Ｔｏｒｒ以上の圧力では良好なプラズマ
状態を維持できないために好ましくない。また、０．０
１Ｔｏｒｒ以下の圧力では反応速度が遅くなるため好ま
しくない。使用するＤＦＲのガス流量は、堆積物量、薄
膜堆積装置の反応器容量にもよるが、通常１０ＳＣＣＭ
〜１００００ＳＣＣＭの間の流量で適宜選択すればよ
い。この場合、１０ＳＣＣＭ以下の流量であると大量の
堆積物の除去が困難になり、１００００ＳＣＣＭ以上の
流量だと未反応排ガスの処理量が多くなるため好ましく
ない。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、かかる実施例に制限されるものではない。
が、かかる実施例に制限されるものではない。
【００１１】実施例１〜７、比較例１、２ マイクロ波発生器を備えたコールドウオール型ＣＶＤ装
置のヒータ上に熱ＣＶＤでＮｉ基板状に成膜したＷ膜
（１００μｍ）試料を設置し、ＤＦＲまたはＤＦＲと酸
素または酸素含有化合物ガスとの混合ガスをマイクロ波
で励起したのち反応器内に流通させ下記条件でエッチン
グ速度の測定を行った。
置のヒータ上に熱ＣＶＤでＮｉ基板状に成膜したＷ膜
（１００μｍ）試料を設置し、ＤＦＲまたはＤＦＲと酸
素または酸素含有化合物ガスとの混合ガスをマイクロ波
で励起したのち反応器内に流通させ下記条件でエッチン
グ速度の測定を行った。
【００１２】ＤＦＲ単体でもＣＦ4と比較して充分高い
エッチング速度を得ることが可能であり、さらに酸素や
酸素含有化合物ガスを添加するとエッチング速度が高ま
る結果を得た。その結果を表１に示した。 （条件） マイクロ波出力：５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ガス圧力 ：１Ｔｏｒｒ ＤＦＲ流量 ：１０００ＳＣＣＭ 基板温度 ：１８℃
エッチング速度を得ることが可能であり、さらに酸素や
酸素含有化合物ガスを添加するとエッチング速度が高ま
る結果を得た。その結果を表１に示した。 （条件） マイクロ波出力：５０Ｗ（２．４５ＧＨｚ） ガス圧力 ：１Ｔｏｒｒ ＤＦＲ流量 ：１０００ＳＣＣＭ 基板温度 ：１８℃
【００１３】
【表１】
【００１４】実施例８ マイクロ波発生器を備えたコールドウオール型ＣＶＤ装
置でＷＦ6とＳｉＨ2Ｃｌ2を原料として基板温度５００
℃でＮｉ基板状にＷＳｉｘ膜を２０μｍ成膜した。その
際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＷＳｉ膜が
０．１〜２０μｍの厚みで堆積していた。この装置内を
下記条件でクリーニングしたところ堆積物は完全にガス
化除去されており、クリーニングされていた。
置でＷＦ6とＳｉＨ2Ｃｌ2を原料として基板温度５００
℃でＮｉ基板状にＷＳｉｘ膜を２０μｍ成膜した。その
際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＷＳｉ膜が
０．１〜２０μｍの厚みで堆積していた。この装置内を
下記条件でクリーニングしたところ堆積物は完全にガス
化除去されており、クリーニングされていた。
【００１５】実施例９ マイクロ波発生器を備えたコールドウオール型ＣＶＤ装
置でＴｉＣｌ4とＮＨ3を原料として基板温度７００℃で
Ｎｉ基板状にＴｉＮｘ膜を１μｍ成膜した。その際、ヒ
ータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＴｉＮｘ膜が０．
０１〜１μｍの厚みで堆積していた。この装置内を下記
条件でクリーニングしたところ堆積物は完全にガス化除
去されており、クリーニングされていた。
置でＴｉＣｌ4とＮＨ3を原料として基板温度７００℃で
Ｎｉ基板状にＴｉＮｘ膜を１μｍ成膜した。その際、ヒ
ータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＴｉＮｘ膜が０．
０１〜１μｍの厚みで堆積していた。この装置内を下記
条件でクリーニングしたところ堆積物は完全にガス化除
去されており、クリーニングされていた。
【００１６】実施例１０ 平行平板型プラズマ装置でＳｉＨ4を原料として基板温
度２５０℃で硝子基板状にアモルファスＳｉ膜を１００
μｍ成膜した。その際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応
器壁にもアモルファスＳｉ膜が０．１〜１００μｍの厚
みで堆積していた。この装置内を下記条件でクリーニン
グしたところ堆積物は完全にガス化除去されており、ク
リーニングされていた。
度２５０℃で硝子基板状にアモルファスＳｉ膜を１００
μｍ成膜した。その際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応
器壁にもアモルファスＳｉ膜が０．１〜１００μｍの厚
みで堆積していた。この装置内を下記条件でクリーニン
グしたところ堆積物は完全にガス化除去されており、ク
リーニングされていた。
【００１７】実施例１１ 平行平板型プラズマ装置でＳｉＨ4とＮＨ3を原料として
基板温度３５０℃で硝子基板状にアモルファスＳｉＮｘ
膜を１０μｍ成膜した。その際、ヒータ上部、ヒータ周
辺、反応器壁にもアモルファスＳｉ膜が０．１〜１０μ
ｍの厚みで堆積していた。この装置内を下記条件でクリ
ーニングしたところ堆積物は完全にガス化除去されてお
り、クリーニングされていた。
基板温度３５０℃で硝子基板状にアモルファスＳｉＮｘ
膜を１０μｍ成膜した。その際、ヒータ上部、ヒータ周
辺、反応器壁にもアモルファスＳｉ膜が０．１〜１０μ
ｍの厚みで堆積していた。この装置内を下記条件でクリ
ーニングしたところ堆積物は完全にガス化除去されてお
り、クリーニングされていた。
【００１８】実施例１２ マイクロ波発生器を備えたコールドウオール型ＣＶＤ装
置でＴａ（ＯＣ2Ｈ5） 5とＯ2を原料として基板温度５０
０℃でＮｉ基板状にＴａ2Ｏ5膜を２０μｍ成膜した。そ
の際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＴａ2Ｏ5
膜が０．１〜２０μｍの厚みで堆積していた。この装置
内を下記条件でクリーニングしたところ堆積物は完全に
ガス化除去されており、クリーニングされていた。
置でＴａ（ＯＣ2Ｈ5） 5とＯ2を原料として基板温度５０
０℃でＮｉ基板状にＴａ2Ｏ5膜を２０μｍ成膜した。そ
の際、ヒータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にもＴａ2Ｏ5
膜が０．１〜２０μｍの厚みで堆積していた。この装置
内を下記条件でクリーニングしたところ堆積物は完全に
ガス化除去されており、クリーニングされていた。
【００１９】実施例１３ マイクロ波発生器を備えたコールドウオール型ＣＶＤ装
置でＳｉＨ4を原料として基板温度７００℃で単結晶Ｓ
ｉウエハに多結晶Ｓｉ膜を１μｍ成膜した。その際、ヒ
ータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にも多結晶あるいはア
モルファスＳｉ膜が０．００１〜１μｍの厚みで堆積し
ていた。多結晶Ｓｉ膜を成膜したＳｉウエハをヒータ上
に設置したまま装置内部を下記条件でクリーニングし
た。その結果、Ｓｉウエハ上に堆積した多結晶Ｓｉ膜の
みならずＳｉウエハの厚みも約１／３に減少しており、
反応器内部の堆積物も完全にガス化除去されており、ク
リーニングされていた。
置でＳｉＨ4を原料として基板温度７００℃で単結晶Ｓ
ｉウエハに多結晶Ｓｉ膜を１μｍ成膜した。その際、ヒ
ータ上部、ヒータ周辺、反応器壁にも多結晶あるいはア
モルファスＳｉ膜が０．００１〜１μｍの厚みで堆積し
ていた。多結晶Ｓｉ膜を成膜したＳｉウエハをヒータ上
に設置したまま装置内部を下記条件でクリーニングし
た。その結果、Ｓｉウエハ上に堆積した多結晶Ｓｉ膜の
みならずＳｉウエハの厚みも約１／３に減少しており、
反応器内部の堆積物も完全にガス化除去されており、ク
リーニングされていた。
【００２０】
【発明の効果】本発明のクリーニングガスを用いること
により、地球温暖化の問題が無く、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
により、地球温暖化の問題が無く、高速で清浄なクリー
ニングを行うことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 14/00 Ｃ２３Ｃ 14/00 Ｂ ５Ｆ０４５ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/285 Ｃ // Ｈ０１Ｌ 21/285 21/302 Ｆ (72)発明者 熊谷 洋一 埼玉県川越市今福中台2805番地 セントラ ル硝子株式会社化学研究所内 Ｆターム(参考） 4H003 BA28 DA15 EA31 ED29 4K029 CA01 CA05 EA05 FA09 4K030 AA03 AA04 AA06 AA11 AA13 BA18 BA20 BA29 BA30 BA38 BA40 BA42 BA48 CA02 DA06 FA10 FA12 JA06 4M104 DD34 DD37 DD43 5F004 AA15 BA20 BB14 BD04 BD05 DA00 DA26 5F045 AB03 AB04 AB30 AB40 AC00 AC01 AC05 AC07 AC11 AC12 AD06 AD07 AD11 BB14 EB06 EH13
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガ
スを含有したクリーニングガス。 - 【請求項２】 薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積
物を除去するための、ＣＦ3ＣＦＨＯＣＦ2Ｈからなるガ
スと酸素または酸素含有化合物ガスとを含有したクリー
ニングガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206706A JP2000038674A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10206706A JP2000038674A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000038674A true JP2000038674A (ja) | 2000-02-08 |
Family
ID=16527777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10206706A Pending JP2000038674A (ja) | 1998-07-22 | 1998-07-22 | クリーニングガス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000038674A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6951220B1 (en) * | 2002-11-05 | 2005-10-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of decontaminating equipment |
-
1998
- 1998-07-22 JP JP10206706A patent/JP2000038674A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6951220B1 (en) * | 2002-11-05 | 2005-10-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of decontaminating equipment |
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