JP2009296008A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009296008A5
JP2009296008A5 JP2009214743A JP2009214743A JP2009296008A5 JP 2009296008 A5 JP2009296008 A5 JP 2009296008A5 JP 2009214743 A JP2009214743 A JP 2009214743A JP 2009214743 A JP2009214743 A JP 2009214743A JP 2009296008 A5 JP2009296008 A5 JP 2009296008A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light
manufacturing
groove
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009214743A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4886015B2 (ja
JP2009296008A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009214743A priority Critical patent/JP4886015B2/ja
Priority claimed from JP2009214743A external-priority patent/JP4886015B2/ja
Publication of JP2009296008A publication Critical patent/JP2009296008A/ja
Publication of JP2009296008A5 publication Critical patent/JP2009296008A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4886015B2 publication Critical patent/JP4886015B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2009214743A 2002-03-12 2009-09-16 発光素子の製造方法 Expired - Lifetime JP4886015B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009214743A JP4886015B2 (ja) 2002-03-12 2009-09-16 発光素子の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002067372 2002-03-12
JP2002067372 2002-03-12
JP2009214743A JP4886015B2 (ja) 2002-03-12 2009-09-16 発光素子の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003067264A Division JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-03-12 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011024162A Division JP5557766B2 (ja) 2002-03-12 2011-02-07 発光素子の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009296008A JP2009296008A (ja) 2009-12-17
JP2009296008A5 true JP2009296008A5 (OSRAM) 2011-03-24
JP4886015B2 JP4886015B2 (ja) 2012-02-29

Family

ID=27800281

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003574374A Expired - Lifetime JP4606741B2 (ja) 2002-03-12 2003-03-11 加工対象物切断方法
JP2003574375A Expired - Lifetime JP4515096B2 (ja) 2002-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法
JP2009214743A Expired - Lifetime JP4886015B2 (ja) 2002-03-12 2009-09-16 発光素子の製造方法
JP2011024162A Expired - Lifetime JP5557766B2 (ja) 2002-03-12 2011-02-07 発光素子の製造方法
JP2011167009A Expired - Lifetime JP4846880B2 (ja) 2002-03-12 2011-07-29 レーザ加工装置
JP2012035464A Expired - Lifetime JP4970628B1 (ja) 2002-03-12 2012-02-21 発光素子の製造方法
JP2012141230A Expired - Lifetime JP5545777B2 (ja) 2002-03-12 2012-06-22 レーザ加工装置
JP2012231625A Expired - Lifetime JP5689449B2 (ja) 2002-03-12 2012-10-19 発光素子の製造方法
JP2013248016A Expired - Lifetime JP5778239B2 (ja) 2002-03-12 2013-11-29 発光素子の製造方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003574374A Expired - Lifetime JP4606741B2 (ja) 2002-03-12 2003-03-11 加工対象物切断方法
JP2003574375A Expired - Lifetime JP4515096B2 (ja) 2002-03-12 2003-03-12 レーザ加工方法

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011024162A Expired - Lifetime JP5557766B2 (ja) 2002-03-12 2011-02-07 発光素子の製造方法
JP2011167009A Expired - Lifetime JP4846880B2 (ja) 2002-03-12 2011-07-29 レーザ加工装置
JP2012035464A Expired - Lifetime JP4970628B1 (ja) 2002-03-12 2012-02-21 発光素子の製造方法
JP2012141230A Expired - Lifetime JP5545777B2 (ja) 2002-03-12 2012-06-22 レーザ加工装置
JP2012231625A Expired - Lifetime JP5689449B2 (ja) 2002-03-12 2012-10-19 発光素子の製造方法
JP2013248016A Expired - Lifetime JP5778239B2 (ja) 2002-03-12 2013-11-29 発光素子の製造方法

Country Status (11)

Country Link
US (7) US7749867B2 (OSRAM)
EP (9) EP2272618B1 (OSRAM)
JP (9) JP4606741B2 (OSRAM)
KR (3) KR100749972B1 (OSRAM)
CN (3) CN1328002C (OSRAM)
AT (2) ATE493226T1 (OSRAM)
AU (2) AU2003211581A1 (OSRAM)
DE (1) DE60335538D1 (OSRAM)
ES (3) ES2356817T3 (OSRAM)
TW (2) TWI270431B (OSRAM)
WO (2) WO2003076119A1 (OSRAM)

Families Citing this family (253)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
EP2272618B1 (en) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2285634T3 (es) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Metodo para dividir un siustrato.
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (en) * 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
JP5017861B2 (ja) * 2003-06-06 2012-09-05 日立化成工業株式会社 接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2005032903A (ja) 2003-07-10 2005-02-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
EP2324950B1 (en) * 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005101413A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 薄板状被加工物の分割方法及び装置
JP4175636B2 (ja) 2003-10-31 2008-11-05 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法
JP4569097B2 (ja) * 2003-11-18 2010-10-27 凸版印刷株式会社 球状弾性表面波素子およびその製造方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
CN100527360C (zh) * 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
WO2005098915A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4938998B2 (ja) * 2004-06-07 2012-05-23 富士通株式会社 基板及び積層体の切断方法、並びに積層体の製造方法
US7491288B2 (en) * 2004-06-07 2009-02-17 Fujitsu Limited Method of cutting laminate with laser and laminate
JP2006040949A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd レーザー結晶化装置及びレーザー結晶化方法
KR101190454B1 (ko) * 2004-08-06 2012-10-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
KR100628276B1 (ko) * 2004-11-05 2006-09-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스크라이브 장비 및 이를 구비한 기판의 절단장치 및이것을 이용한 기판의 절단방법
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006173428A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp 基板加工方法及び素子製造方法
JP4809632B2 (ja) * 2005-06-01 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4938261B2 (ja) * 2005-08-11 2012-05-23 株式会社ディスコ 液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法
JP4742751B2 (ja) * 2005-08-30 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007095952A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置及びレーザーダイシング方法
US8507302B1 (en) * 2005-10-11 2013-08-13 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Wall structures for a semiconductor wafer
WO2007055010A1 (ja) 2005-11-10 2007-05-18 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
US7838331B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
JP4830740B2 (ja) * 2005-11-16 2011-12-07 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
KR100858983B1 (ko) * 2005-11-16 2008-09-17 가부시키가이샤 덴소 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법
JP4923874B2 (ja) * 2005-11-16 2012-04-25 株式会社デンソー 半導体ウェハ
JP2007165851A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ダイシングシートフレーム
US7662668B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-16 Denso Corporation Method for separating a semiconductor substrate into a plurality of chips along with a cutting line on the semiconductor substrate
JP4872503B2 (ja) * 2005-11-16 2012-02-08 株式会社デンソー ウェハおよびウェハの加工方法
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
JP2007142001A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
US20070111480A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
JP4736738B2 (ja) * 2005-11-17 2011-07-27 株式会社デンソー レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4655915B2 (ja) * 2005-12-15 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 層状基板の分割方法
JP2007165706A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
US7960202B2 (en) * 2006-01-18 2011-06-14 Hamamatsu Photonics K.K. Photodiode array having semiconductor substrate and crystal fused regions and method for making thereof
GB2434767A (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Laser machining
US20070181545A1 (en) * 2006-02-06 2007-08-09 Boyette James E Method and apparatus for controlling sample position during material removal or addition
JP2007235008A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Denso Corp ウェハの分断方法およびチップ
JP4322881B2 (ja) * 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007290304A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Casio Comput Co Ltd 脆性シート材分断方法及びその装置
JP2007304296A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Sony Corp 液晶表示装置及びその製造方法、並びに映像表示装置
JP2007304297A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Sony Corp 液晶表示装置の製造方法
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
JP4480728B2 (ja) * 2006-06-09 2010-06-16 パナソニック株式会社 Ｍｅｍｓマイクの製造方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1875983B1 (en) * 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) * 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
US7892891B2 (en) * 2006-10-11 2011-02-22 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Die separation
GB0622232D0 (en) 2006-11-08 2006-12-20 Rumsby Philip T Method and apparatus for laser beam alignment for solar panel scribing
KR20080075398A (ko) * 2007-02-12 2008-08-18 주식회사 토비스 대형 티에프티-엘씨디 패널의 커팅방법
DE202007004412U1 (de) * 2007-03-22 2008-07-24 STABILA Messgeräte Gustav Ullrich GmbH Wasserwaage
US20080232419A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Seiko Epson Corporation Laser array chip, laser module, manufacturing method for manufacturing laser module, manufacturing method for manufacturing laser light source, laser light source, illumination device, monitor, and projector
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP2009049390A (ja) * 2007-07-25 2009-03-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP2009032970A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
EP3065186B1 (en) * 2007-08-03 2020-01-01 Nichia Corporation Method for manufacturing a gallium nitride compound semiconductor light emitting element
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP2009044600A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Panasonic Corp マイクロホン装置およびその製造方法
JP5225639B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US20100247836A1 (en) * 2007-11-07 2010-09-30 Claus Peter Kluge Method for the laser ablation of brittle components
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP2010021398A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの処理方法
KR100993088B1 (ko) * 2008-07-22 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
TWI419203B (zh) * 2008-10-16 2013-12-11 Sumco Corp 具吸附槽之固態攝影元件用磊晶基板、半導體裝置、背照式固態攝影元件及其製造方法
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2010177277A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置
US8728914B2 (en) 2009-02-09 2014-05-20 Hamamatsu Photonics K.K. Workpiece cutting method
US8347651B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
JP5573832B2 (ja) 2009-02-25 2014-08-20 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
KR101769158B1 (ko) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2010274328A (ja) * 2009-04-30 2010-12-09 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5258671B2 (ja) * 2009-05-28 2013-08-07 三菱化学株式会社 窒化物系半導体素子の製造方法
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP2465634B1 (en) 2009-08-11 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
JP2011060848A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP5446631B2 (ja) * 2009-09-10 2014-03-19 アイシン精機株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US20110127242A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Xinghua Li Methods for laser scribing and separating glass substrates
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
US20130256286A1 (en) * 2009-12-07 2013-10-03 Ipg Microsystems Llc Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths
JP2011142297A (ja) * 2009-12-08 2011-07-21 Hitachi Via Mechanics Ltd 薄膜太陽電池製造方法及びレーザスクライブ装置
JP5056839B2 (ja) 2009-12-25 2012-10-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5558129B2 (ja) * 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5558128B2 (ja) * 2010-02-05 2014-07-23 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011165766A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP2011189477A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Disco Corp マイクロマシンデバイスの製造方法
KR100984719B1 (ko) * 2010-04-16 2010-10-01 유병소 레이저 가공장치
TWI433745B (zh) * 2010-04-16 2014-04-11 Qmc Co Ltd 雷射加工方法及雷射加工設備
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP2012000636A (ja) 2010-06-16 2012-01-05 Showa Denko Kk レーザ加工方法
KR102088722B1 (ko) * 2010-07-12 2020-03-17 로핀-시나르 테크놀로지스 엘엘씨 레이저 필라멘테이션에 의한 재료 가공 방법
JP5559623B2 (ja) * 2010-07-15 2014-07-23 株式会社ディスコ 分割方法
JP5104919B2 (ja) * 2010-07-23 2012-12-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5104920B2 (ja) * 2010-07-23 2012-12-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5599675B2 (ja) * 2010-08-16 2014-10-01 株式会社ディスコ Ｌｅｄデバイスチップの製造方法
US8720228B2 (en) 2010-08-31 2014-05-13 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass substrates
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
TWI469842B (zh) * 2010-09-30 2015-01-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 雷射加工裝置、被加工物之加工方法及被加工物之分割方法
JP2012079936A (ja) 2010-10-01 2012-04-19 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR101259580B1 (ko) * 2010-10-15 2013-04-30 한국과학기술원 펄스 레이저의 분산 조절을 이용한 레이저 가공장치 및 가공방법
JP2012089721A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置
JP5608521B2 (ja) * 2010-11-26 2014-10-15 新光電気工業株式会社 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置
EP2471627B1 (de) * 2010-12-29 2014-01-08 W. Blösch AG Verfahren zur Herstellung von mechanischen Werkstücken aus einer Platte aus monokristallinem Silizium
CN104691058B (zh) * 2011-05-13 2016-09-28 日本电气硝子株式会社 层叠体、层叠体的切断方法和层叠体的加工方法、以及脆性板状物的切断装置和切断方法
JP2013012559A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子の製造方法
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
TWI409886B (zh) * 2011-08-05 2013-09-21 Powertech Technology Inc 防止晶粒破裂之晶粒拾取方法與裝置
CN102324450A (zh) * 2011-09-09 2012-01-18 上海蓝光科技有限公司 GaN基发光二极管芯片及其制备方法
CN102290505B (zh) * 2011-09-09 2014-04-30 上海蓝光科技有限公司 GaN基发光二极管芯片及其制造方法
JP5894754B2 (ja) * 2011-09-16 2016-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101293595B1 (ko) * 2011-11-07 2013-08-13 디에이치케이솔루션(주) 웨이퍼 다이싱 방법 및 그에 의해 제조되는 소자
US8624348B2 (en) 2011-11-11 2014-01-07 Invensas Corporation Chips with high fracture toughness through a metal ring
JP5930811B2 (ja) * 2011-11-18 2016-06-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8677783B2 (en) * 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
JP5385999B2 (ja) * 2012-02-20 2014-01-08 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
JP2013188785A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の加工方法および分割方法
TW201343296A (zh) * 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
JP5902529B2 (ja) * 2012-03-28 2016-04-13 株式会社ディスコ レーザ加工方法
JP2013237097A (ja) * 2012-05-17 2013-11-28 Disco Corp 改質層形成方法
US9938180B2 (en) * 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
CN102749746B (zh) * 2012-06-21 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶基板切割装置及液晶基板切割方法
CN103537805B (zh) * 2012-07-17 2016-05-25 大族激光科技产业集团股份有限公司 晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法
CN102751400B (zh) * 2012-07-18 2016-02-10 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种含金属背镀的半导体原件的切割方法
JP5965239B2 (ja) * 2012-07-31 2016-08-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 貼り合わせ基板の加工方法並びに加工装置
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
JP6053381B2 (ja) * 2012-08-06 2016-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
KR101358672B1 (ko) * 2012-08-13 2014-02-11 한국과학기술원 극초단 펄스 레이저를 이용한 투명시편 절단방법 및 다이싱 장치
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
JP2014096526A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
EP2964416B1 (de) 2013-04-04 2023-07-19 LPKF Laser & Electronics SE Verfahren zum trennen eines substrates
EP3118903B1 (en) 2013-07-18 2023-06-21 Lumileds LLC Dicing a wafer of light emitting devices
US9102007B2 (en) * 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9640714B2 (en) 2013-08-29 2017-05-02 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting element
DE102013016693A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Herstellungsverfahren für Festkörperelemente mittels Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9815730B2 (en) * 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9209082B2 (en) 2014-01-03 2015-12-08 International Business Machines Corporation Methods of localized hardening of dicing channel by applying localized heat in wafer kerf
WO2015162445A1 (fr) 2014-04-25 2015-10-29 Arcelormittal Investigación Y Desarrollo Sl Procede et dispositif de preparation de toles d'acier aluminiees destinees a etre soudees puis durcies sous presse; flan soude correspondant
US9636783B2 (en) 2014-04-30 2017-05-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for laser dicing of wafers
KR20150130835A (ko) * 2014-05-14 2015-11-24 주식회사 이오테크닉스 금속층이 형성된 반도체 웨이퍼를 절단하는 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
WO2015182300A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 旭硝子株式会社 光学ガラスおよびガラス基板の切断方法
US9165832B1 (en) * 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
TWI614914B (zh) 2014-07-11 2018-02-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
LT3169477T (lt) * 2014-07-14 2020-05-25 Corning Incorporated Skaidrių medžiagų apdorojimo sistema ir būdas, naudojant lazerio pluošto židinio linijas, kurių ilgis ir skersmuo yra reguliuojami
WO2016010949A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
WO2016010943A2 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Method and system for arresting crack propagation
US10526234B2 (en) 2014-07-14 2020-01-07 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
CN105322057B (zh) * 2014-07-25 2020-03-20 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
US9859162B2 (en) 2014-09-11 2018-01-02 Alta Devices, Inc. Perforation of films for separation
WO2016059449A1 (en) * 2014-10-13 2016-04-21 Evana Technologies, Uab Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming "spike-like" shaped damage structures
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2016149391A (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 旭化成株式会社 窒化物半導体素子、窒化物半導体素子の移動方法及び半導体装置の製造方法
JP7292006B2 (ja) 2015-03-24 2023-06-16 コーニング インコーポレイテッド ディスプレイガラス組成物のレーザ切断及び加工
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
DE102015004603A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
US10305744B2 (en) * 2015-07-08 2019-05-28 Fedex Corporate Services, Inc. System, apparatus, and methods of event monitoring for an event candidate related to an ID node within a wireless node network
US11186060B2 (en) 2015-07-10 2021-11-30 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
JP6498553B2 (ja) * 2015-07-17 2019-04-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6245239B2 (ja) 2015-09-11 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US20170197868A1 (en) * 2016-01-08 2017-07-13 Apple Inc. Laser Processing of Electronic Device Structures
US10518358B1 (en) 2016-01-28 2019-12-31 AdlOptica Optical Systems GmbH Multi-focus optics
KR102388994B1 (ko) * 2016-03-22 2022-04-22 실텍트라 게엠베하 분리될 고형체의 결합된 레이저 처리 방법
SG11201809797PA (en) 2016-05-06 2018-12-28 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
KR20190035805A (ko) 2016-07-29 2019-04-03 코닝 인코포레이티드 레이저 처리를 위한 장치 및 방법
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
US11542190B2 (en) 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
EP3551373A1 (de) 2016-12-12 2019-10-16 Siltectra GmbH Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
JP6821259B2 (ja) * 2017-04-17 2021-01-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
KR101987192B1 (ko) * 2017-06-14 2019-09-30 주식회사 이오테크닉스 가공물 절단 장치
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US20190062196A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using an afocal beam adjustment assembly
DE102017121679A1 (de) * 2017-09-19 2019-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen und Halbleiterbauteil
JP6904567B2 (ja) * 2017-09-29 2021-07-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置
JP7222991B2 (ja) 2017-11-29 2023-02-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
US12180108B2 (en) 2017-12-19 2024-12-31 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
CN108788488A (zh) * 2018-06-12 2018-11-13 华丰源（成都）新能源科技有限公司 一种激光切割装置及其控制方法
DE102018115205A1 (de) * 2018-06-25 2020-01-02 Vishay Electronic Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Widerstandsbaueinheiten
JP7086474B2 (ja) * 2018-08-02 2022-06-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
WO2020049814A1 (ja) * 2018-09-04 2020-03-12 株式会社村田製作所 Ｍｅｍｓデバイスの製造方法及びｍｅｍｓデバイス
KR102498148B1 (ko) * 2018-09-20 2023-02-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
EP3670062A1 (en) * 2018-12-20 2020-06-24 Thales Dis France SA Method for cutting an ink sticker in a multilayer structure and method for printing the ink sticker onto a substrate
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
EP3839676A1 (en) * 2019-12-16 2021-06-23 Bystronic Laser AG Thickness compensation in a cutting and bending process
US20220020705A1 (en) * 2020-07-20 2022-01-20 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer thinned by stealth lasing
US11377758B2 (en) 2020-11-23 2022-07-05 Stephen C. Baer Cleaving thin wafers from crystals
JP7643869B2 (ja) * 2020-12-25 2025-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP7734363B2 (ja) * 2021-07-02 2025-09-05 国立大学法人埼玉大学 ダイヤモンド基板製造方法
JP2023021579A (ja) * 2021-08-02 2023-02-14 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP7784081B2 (ja) 2021-10-08 2025-12-11 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法
CN114512412B (zh) * 2022-04-20 2022-07-12 苏州科阳半导体有限公司 一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片
CN120813465A (zh) 2023-03-22 2025-10-17 卡本有限公司 用于可光聚合树脂的组合式增材与减材制造方法及设备
CN117655552B (zh) * 2023-12-18 2024-08-13 广东泽源智能装备有限公司 电池极耳激光模切设备及方法、一种计算机可读存储介质

Family Cites Families (269)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448510A (en) 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3629545A (en) * 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3613974A (en) 1969-03-10 1971-10-19 Saint Gobain Apparatus for cutting glass
JPS4812599B1 (OSRAM) * 1969-07-09 1973-04-21
US3610871A (en) 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3909582A (en) * 1971-07-19 1975-09-30 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790744A (en) 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790051A (en) 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3970819A (en) 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4242152A (en) 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS6041478B2 (ja) 1979-09-10 1985-09-17 富士通株式会社 半導体レ−ザ素子の製造方法
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
JPS5854648A (ja) 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
US4475027A (en) 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
WO1984002296A1 (fr) 1982-12-17 1984-06-21 Inoue Japax Res Appareil d'usinage a laser
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS59130438A (ja) * 1983-11-28 1984-07-27 Hitachi Ltd 板状物の分離法
US4650619A (en) 1983-12-29 1987-03-17 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of machining a ceramic member
JPS60144985A (ja) * 1983-12-30 1985-07-31 Fujitsu Ltd 半導体発光素子の製造方法
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
JPH0746353B2 (ja) * 1984-10-19 1995-05-17 セイコーエプソン株式会社 日本語文章入力装置
JPS61229487A (ja) 1985-04-03 1986-10-13 Sasaki Glass Kk レ−ザビ−ムによるガラス切断方法
JPS6240986A (ja) 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
AU584563B2 (en) 1986-01-31 1989-05-25 Ciba-Geigy Ag Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses
US4691093A (en) 1986-04-22 1987-09-01 United Technologies Corporation Twin spot laser welding
FR2605310B1 (fr) 1986-10-16 1992-04-30 Comp Generale Electricite Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser
US4815854A (en) * 1987-01-19 1989-03-28 Nec Corporation Method of alignment between mask and semiconductor wafer
US4981525A (en) 1988-02-19 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0256987A (ja) 1988-02-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路の実装方法
JPH01133701U (OSRAM) 1988-03-07 1989-09-12
JP2680039B2 (ja) 1988-06-08 1997-11-19 株式会社日立製作所 光情報記録再生方法及び記録再生装置
JP2507665B2 (ja) * 1989-05-09 1996-06-12 株式会社東芝 電子管用金属円筒部材の製造方法
JP2891264B2 (ja) * 1990-02-09 1999-05-17 ローム 株式会社 半導体装置の製造方法
US5132505A (en) * 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
JPH03276662A (ja) * 1990-03-26 1991-12-06 Nippon Steel Corp ウエハ割断法
JP3024990B2 (ja) * 1990-08-31 2000-03-27 日本石英硝子株式会社 石英ガラス材料の切断加工方法
JPH04167985A (ja) * 1990-10-31 1992-06-16 Nagasaki Pref Gov ウェハの割断方法
FR2669427B1 (fr) 1990-11-16 1993-01-22 Thomson Csf Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle.
US5211805A (en) * 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JP2992088B2 (ja) * 1990-12-26 1999-12-20 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーンゴム組成物
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
IL97479A (en) 1991-03-08 1994-01-25 Shafir Aaron Laser beam heating method and apparatus
JPH04300084A (ja) * 1991-03-28 1992-10-23 Toshiba Corp レーザ加工機
US5171249A (en) 1991-04-04 1992-12-15 Ethicon, Inc. Endoscopic multiple ligating clip applier
JP3213338B2 (ja) 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5230184A (en) 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5762744A (en) 1991-12-27 1998-06-09 Rohm Co., Ltd. Method of producing a semiconductor device using an expand tape
SG52223A1 (en) * 1992-01-08 1998-09-28 Murata Manufacturing Co Component supply method
RU2024441C1 (ru) 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5254149A (en) 1992-04-06 1993-10-19 Ford Motor Company Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Ｌｏｃ構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
WO1994014567A1 (en) 1992-12-18 1994-07-07 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5382770A (en) 1993-01-14 1995-01-17 Reliant Laser Corporation Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot
US5637244A (en) 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
JP3293136B2 (ja) 1993-06-04 2002-06-17 セイコーエプソン株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US5580473A (en) 1993-06-21 1996-12-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Methods of removing semiconductor film with energy beams
GB2281129B (en) * 1993-08-19 1997-04-09 United Distillers Plc Method of marking a body of glass
US5376793A (en) 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
DE4404141A1 (de) 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
JP3162255B2 (ja) * 1994-02-24 2001-04-25 三菱電機株式会社 レーザ加工方法及びその装置
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5622540A (en) 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
JP3374880B2 (ja) 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US5543365A (en) 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
US5841543A (en) 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
US5786560A (en) 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
EP0847317B1 (en) 1995-08-31 2003-08-27 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US6057525A (en) * 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
US5662698A (en) * 1995-12-06 1997-09-02 Ventritex, Inc. Nonshunting endocardial defibrillation lead
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
MY118036A (en) 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3660741B2 (ja) * 1996-03-22 2005-06-15 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
WO1997035811A1 (en) 1996-03-25 1997-10-02 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom
JPH09298339A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
DK109197A (da) 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10128567A (ja) * 1996-10-30 1998-05-19 Nec Kansai Ltd レーザ割断方法
DE19646332C2 (de) 1996-11-09 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6529362B2 (en) 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US5976392A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
US6156030A (en) * 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6294439B1 (en) 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3498895B2 (ja) * 1997-09-25 2004-02-23 シャープ株式会社 基板の切断方法および表示パネルの製造方法
JP3231708B2 (ja) * 1997-09-26 2001-11-26 住友重機械工業株式会社 透明材料のマーキング方法
JP3292294B2 (ja) * 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
JP3449201B2 (ja) * 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP3532100B2 (ja) * 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
JP3604550B2 (ja) * 1997-12-16 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
US6641662B2 (en) 1998-02-17 2003-11-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same
US6057180A (en) 1998-06-05 2000-05-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ｎｔｎ株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3156776B2 (ja) 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
TW419867B (en) 1998-08-26 2001-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Laser cutting apparatus and method
US6402004B1 (en) * 1998-09-16 2002-06-11 Hoya Corporation Cutting method for plate glass mother material
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) * 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
US6413839B1 (en) 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
US6172329B1 (en) * 1998-11-23 2001-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ablated laser feature shape reproduction control
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6259058B1 (en) 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
JP2000195828A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
US6127005A (en) 1999-01-08 2000-10-03 Rutgers University Method of thermally glazing an article
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
EP1022778A1 (en) 1999-01-22 2000-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3569147B2 (ja) * 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
EP1026735A3 (en) 1999-02-03 2004-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP4040819B2 (ja) 1999-02-03 2008-01-30 株式会社東芝 ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
US6208020B1 (en) 1999-02-24 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device
JP3426154B2 (ja) 1999-02-26 2003-07-14 科学技術振興事業団 グレーティング付き光導波路の製造方法
JP2000247671A (ja) 1999-03-04 2000-09-12 Takatori Corp ガラスの分断方法
TW445545B (en) 1999-03-10 2001-07-11 Mitsubishi Electric Corp Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device
JP3648399B2 (ja) 1999-03-18 2005-05-18 株式会社東芝 半導体装置
JP2000323441A (ja) 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法
US6285002B1 (en) 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
US6562698B2 (en) 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
JP2000349107A (ja) 1999-06-09 2000-12-15 Nitto Denko Corp 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート
US6229113B1 (en) 1999-07-19 2001-05-08 United Technologies Corporation Method and apparatus for producing a laser drilled hole in a structure
US6344402B1 (en) 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TW404871B (en) 1999-08-02 2000-09-11 Lg Electronics Inc Device and method for machining transparent medium by laser
JP2001047264A (ja) 1999-08-04 2001-02-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR100578309B1 (ko) 1999-08-13 2006-05-11 삼성전자주식회사 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
JP4493127B2 (ja) 1999-09-10 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物半導体チップの製造方法
US6359254B1 (en) 1999-09-30 2002-03-19 United Technologies Corporation Method for producing shaped hole in a structure
US6229114B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Xerox Corporation Precision laser cutting of adhesive members
JP3932743B2 (ja) 1999-11-08 2007-06-20 株式会社デンソー 圧接型半導体装置の製造方法
JP4180206B2 (ja) 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
ES2304987T3 (es) * 1999-11-24 2008-11-01 Applied Photonics, Inc. Metodo y aparato para separar materiales no metalicos.
US6612035B2 (en) 2000-01-05 2003-09-02 Patrick H. Brown Drywall cutting tool
JP2001196282A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
DE10015702A1 (de) 2000-03-29 2001-10-18 Vitro Laser Gmbh Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
US6407363B2 (en) 2000-03-30 2002-06-18 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single press micromachining of multilayer workpieces
JP2001284292A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体ウエハーのチップ分割方法
WO2001080308A2 (fr) 2000-04-14 2001-10-25 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Procede pour la decoupe d'au moins une couche mince dans un substrat ou lingot, notamment en materiau(x) semi-conducteur(s)
US6333486B1 (en) 2000-04-25 2001-12-25 Igor Troitski Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images
US20020006765A1 (en) 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
TW443581U (en) 2000-05-20 2001-06-23 Chipmos Technologies Inc Wafer-sized semiconductor package structure
JP2001339638A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hamamatsu Photonics Kk ストリークカメラ装置
JP2001345252A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP3650000B2 (ja) 2000-07-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6376797B1 (en) 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002047025A (ja) 2000-07-31 2002-02-12 Seiko Epson Corp 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器
JP2002050589A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6726631B2 (en) 2000-08-08 2004-04-27 Ge Parallel Designs, Inc. Frequency and amplitude apodization of transducers
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2003001458A (ja) 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2003039184A (ja) 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3660294B2 (ja) 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3332910B2 (ja) 2000-11-15 2002-10-07 エヌイーシーマシナリー株式会社 ウェハシートのエキスパンダ
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US6875379B2 (en) 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6770544B2 (en) 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
SG118117A1 (en) 2001-02-28 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW473896B (en) 2001-03-20 2002-01-21 Chipmos Technologies Inc A manufacturing process of semiconductor devices
WO2002082540A1 (en) 2001-03-30 2002-10-17 Fujitsu Limited Semiconductor device, method of manufacture thereof, and semiconductor substrate
KR100701013B1 (ko) 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003046177A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6608370B1 (en) 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6908784B1 (en) 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
AU2003211575A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
ES2285634T3 (es) 2002-03-12 2007-11-16 Hamamatsu Photonics K. K. Metodo para dividir un siustrato.
EP2272618B1 (en) * 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP2003338636A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
DE10213272A1 (de) * 2002-03-25 2003-10-23 Evotec Ag Vorrichtung und Verfahren zur Leitungsankopplung an fluidische Mikrosysteme
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
ATE550129T1 (de) * 2002-12-05 2012-04-15 Hamamatsu Photonics Kk Laserbearbeitungsvorrichtungen
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
JP4188847B2 (ja) 2003-01-14 2008-12-03 富士フイルム株式会社 分析素子用カートリッジ
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
GB2404280B (en) * 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
EP2324950B1 (en) 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate to be cut with treated and minute cavity region, and method of cutting such substrate
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4300084B2 (ja) 2003-09-19 2009-07-22 株式会社リコー 画像形成装置
KR101195311B1 (ko) * 2004-01-07 2012-10-26 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100527360C (zh) 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
WO2005098915A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
US20110002792A1 (en) * 2004-04-09 2011-01-06 Bartos Ronald P Controller for a motor and a method of controlling the motor
JP4733934B2 (ja) 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101190454B1 (ko) * 2004-08-06 2012-10-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
US20090025386A1 (en) * 2004-10-12 2009-01-29 Peer Rumsby Electrically assisted turbocharger
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101522362B (zh) * 2006-10-04 2012-11-14 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5097639B2 (ja) * 2008-08-01 2012-12-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リードフレーム及び半導体装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009296008A5 (OSRAM)
JP5528904B2 (ja) サファイアウェーハの分割方法
JP4909657B2 (ja) サファイア基板の加工方法
JP2006068816A5 (OSRAM)
TWI631665B (zh) 光裝置之加工方法
CN102610711B (zh) Led芯片的制造方法
JP5758116B2 (ja) 分割方法
JP2009135453A5 (OSRAM)
JP5996250B2 (ja) リフトオフ方法
JP5589942B2 (ja) 半導体発光チップの製造方法
JP2009049387A5 (OSRAM)
JP2009033135A5 (OSRAM)
JP2017501884A5 (OSRAM)
JP2012192459A5 (ja) レーザ加工装置
JP2011243875A (ja) サファイアウェーハの分割方法
JP2009071287A5 (OSRAM)
JP2003334812A5 (OSRAM)
CN103348463A (zh) 用于发光装置的改进分割的方法和设备
JP2012527753A5 (OSRAM)
JP2009010365A5 (OSRAM)
JP2010109361A5 (ja) 半導体基板の作製方法
JP2010274328A5 (OSRAM)
TW201529267A (zh) 光裝置及光裝置之加工方法
JP2003151921A (ja) 化合物半導体とその製造方法
JP2009200480A5 (OSRAM)