JP5599675B2 - Ledデバイスチップの製造方法 - Google Patents
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Description
前記サファイア基板の表面が前記分割予定ラインに沿って露出するとともに、該分割予定ラインの両側の該表面に除去しきれない前記n層からなる裾野の部分が残って該発光層の該分割予定ラインに臨む側面が段差状に形成されるように、該発光層を該分割予定ラインに沿ってエッチング処理により除去する工程と、前記サファイア基板の裏面側から該サファイア基板を透過する波長のレーザービームを照射して、前記n層の裾野の部分に改質層を形成する工程と、前記改質層に外力を加えて該改質層を起点として前記n層の裾野の部分を分割することによって該n層の裾野の部分をLEDデバイスチップから分離する工程と、前記エッチング処理によって前記分割予定ラインに沿って露出した前記サファイア基板の表面に加工を施すことによって、前記分割予定ラインに沿って該サファイア基板を分割する工程と、を含むことを特徴とする。
1A…LEDデバイスチップ
2…サファイア基板
21…分割予定ライン
3…発光層
31…n層
311…裾野の部分
312…改質層
32…p層
LB…レーザービーム
Claims (1)
- 分割予定ラインが設定されたサファイア基板の表面に、GaNによるn層とp層とを含む発光層が、該表面側から該n層、該p層の順に積層されて形成されたLEDデバイスチップの製造方法であって、
前記サファイア基板の表面が前記分割予定ラインに沿って露出するとともに、該分割予定ラインの両側の該表面に除去しきれない前記n層からなる裾野の部分が残って該発光層の該分割予定ラインに臨む側面が段差状に形成されるように、該発光層を該分割予定ラインに沿ってエッチング処理により除去する工程と、
前記サファイア基板の裏面側から該サファイア基板を透過する波長のレーザービームを照射して、前記n層の裾野の部分に改質層を形成する工程と、
前記改質層に外力を加えて該改質層を起点として前記n層の裾野の部分を分割することによって該n層の裾野の部分をLEDデバイスチップから分離する工程と、
前記エッチング処理によって前記分割予定ラインに沿って露出した前記サファイア基板の表面に加工を施すことによって、前記分割予定ラインに沿って該サファイア基板を分割する工程と、
を含むことを特徴とするLEDデバイスチップの製造方法。
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JP2010181786A JP5599675B2 (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Ledデバイスチップの製造方法 |
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