JP2012043863A - Ledデバイスチップの製造方法 - Google Patents
Ledデバイスチップの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012043863A JP2012043863A JP2010181786A JP2010181786A JP2012043863A JP 2012043863 A JP2012043863 A JP 2012043863A JP 2010181786 A JP2010181786 A JP 2010181786A JP 2010181786 A JP2010181786 A JP 2010181786A JP 2012043863 A JP2012043863 A JP 2012043863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sapphire substrate
- light emitting
- led device
- device chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】GaN(n層31+p層32)から成る発光層3を、サファイア基板2に形成された分割予定ライン21に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板2の裏面側からレーザービームLBを照射してエッチング処理で除去しきれなかったn層31の裾野の部分311に改質層312を形成する。次いで改質層312に外力を加え、改質層312を起点としてn層31の裾野の部分311を分割、分離する。最後に、エッチング処理によって分割予定ライン21に沿って露出したサファイア基板2の表面に切削加工を施し、多数のLEDデバイスチップ1Aを得る。
【選択図】図2
Description
1A…LEDデバイスチップ
2…サファイア基板
21…分割予定ライン
3…発光層
31…n層
311…裾野の部分
312…改質層
32…p層
LB…レーザービーム
Claims (1)
- サファイア基板上に発光層が形成されたLEDデバイスチップの製造方法であって、
分割予定ラインが設定されたサファイア基板の表面側に形成されたGaNによるn層とp層とを含む発光層を前記分割予定ラインに沿ってエッチング処理により除去する工程と、
前記サファイア基板の裏面側から該サファイア基板を透過する波長のレーザービームを照射して、前記エッチング処理によって前記分割予定ラインに沿って形成された該エッチング処理で除去しきれなかった前記n層の裾野の部分に改質層を形成する工程と、
前記改質層に外力を加えて該改質層を起点として前記n層の裾野の部分を分割することによって該n層の裾野の部分をLEDデバイスチップから分離する工程と、
前記エッチング処理によって前記分割予定ラインに沿って露出した前記サファイア基板の表面に加工を施すことによって、前記分割予定ラインに沿って該サファイア基板を分割する工程と、
を含むことを特徴とするLEDデバイスチップの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181786A JP5599675B2 (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Ledデバイスチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010181786A JP5599675B2 (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Ledデバイスチップの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012043863A true JP2012043863A (ja) | 2012-03-01 |
JP5599675B2 JP5599675B2 (ja) | 2014-10-01 |
Family
ID=45899865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010181786A Active JP5599675B2 (ja) | 2010-08-16 | 2010-08-16 | Ledデバイスチップの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5599675B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300475A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP6394832B1 (ja) * | 2017-11-17 | 2018-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
CN112838082A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏 |
CN112838082B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-06-04 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156332A (ja) * | 2000-10-04 | 2001-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2001217497A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Pioneer Electronic Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2005286098A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子のおよびその製造方法 |
JP2009296008A (ja) * | 2002-03-12 | 2009-12-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
-
2010
- 2010-08-16 JP JP2010181786A patent/JP5599675B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217497A (ja) * | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Pioneer Electronic Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
JP2001156332A (ja) * | 2000-10-04 | 2001-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2009296008A (ja) * | 2002-03-12 | 2009-12-17 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
JP2005286098A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子のおよびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008300475A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP6394832B1 (ja) * | 2017-11-17 | 2018-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2019097686A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
CN112838082A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏 |
CN112838082B (zh) * | 2020-12-31 | 2024-06-04 | 深圳Tcl新技术有限公司 | Led灯板制备方法、磁性led芯片及其制备方法、led显示屏 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5599675B2 (ja) | 2014-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10593829B2 (en) | Manufacturing method of light-emitting device | |
JP6010667B2 (ja) | 機能素子およびその製造方法 | |
KR102408839B1 (ko) | 작은 소스 크기를 갖는 파장 변환 발광 디바이스 | |
KR100661614B1 (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
TWI680588B (zh) | 分離形成於基板晶圓上之發光裝置之方法 | |
KR100649769B1 (ko) | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR101259483B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2014239123A (ja) | 加工方法 | |
US10109770B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode | |
KR100993088B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20130012376A (ko) | 반도체 발광소자 제조방법 | |
KR20080096997A (ko) | 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
JP2017502497A (ja) | 発光デバイスのウエハを分離する方法 | |
KR100815226B1 (ko) | 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조방법 | |
US8697463B2 (en) | Manufacturing method of a light-emitting device | |
JP6696897B2 (ja) | 発光デバイスのウエハを分離する方法 | |
JP2004228290A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5599675B2 (ja) | Ledデバイスチップの製造方法 | |
JP2016525286A (ja) | 発光デバイスのウェファのダイシング | |
KR101205527B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
TW201725660A (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
KR100752721B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 led 소자의 제조방법 | |
JP2009032795A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006019586A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US11735686B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140728 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5599675 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |