CN103348463A - 用于发光装置的改进分割的方法和设备 - Google Patents
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Abstract
本发明是用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的系统和方法，所述衬底具有加工表面和从加工表面延伸的深度。所述方法包括：提供激光加工系统，所述系统具有皮秒激光器，所述激光器具有可控参数；控制激光器参数以便从皮秒激光器形成光脉冲，从而形成变化区域，所述区域具有贯穿衬底深度的约50%的深度并且大致上包括衬底的加工表面并且具有小于区域深度的约5%的宽度；以及通过对衬底施加机械应力来将衬底分割，由此将衬底分裂成具有侧壁的所述发光电子装置，所述侧壁至少部分地与线性变化区域协作来形成。
Description
技术领域
本发明涉及在共同衬底上制造的发光装置的激光辅助分割。具体来说，本发明涉及使用皮秒激光器来将发光装置分割，所述激光器经过引导以便产生变化区域，所述区域开始于与变化区域对准的衬底表面上并且延伸至内部。更具体地说，本发明涉及将发光装置分割，所述装置具有纹理表面以便增强装置的发光性质。
背景技术
电子装置通常通过在共同衬底上平行地建造装置的多个复制品，然后将装置分离或分割成单独单元来制造。衬底包含硅或蓝宝石晶片以及金属(导电)、电介质(绝缘)或半导电材料的层以便形成电子装置。图1示出支撑呈排和列来排布的装置12的典型晶片10。这些排和列形成装置12之间的间隔14、16或直线。装置12和间隔14、16的这种布置允许晶片沿着直线分离，从而允许使用旋转机械锯和机械分裂。分割技术的合意性质包括：小切口尺寸，以便减小间隔尺寸并且由此允许每个衬底更大的有效装置面积；平滑的未损坏边缘，这增加裸片断裂强度，其为经过分割的装置抵抗机械应力下损坏的能力的量度；和系统生产量，其为每单位时间可处理的具有可接受品质的晶片的数量并且通常与切割速度和每次切割的程数相关。衬底可通过切割来分割，所述切割为将切割工具例如锯条用于沿着排和列中的间隔完全切穿衬底，从而将衬底分割成个别装置的过程。还可在衬底上划片，其为切割工具在衬底表面上切出划片或浅沟槽，然后通常以机械方式施加力，以便通过形成在划片处开始的裂纹来使衬底分离或裂开的过程。典型地，将要分割的半导体晶片临时连接至由包围框架固持的有时被称为裸片连接膜(DAF)的可拉伸粘附膜。这种DAF允许对晶片进行分割，同时仍然保持对个别装置的控制。
发光装置例如发光二极管(LED)或激光二极管的装置分割中的重要因素包括裸片断裂强度，其为挠曲经过分割的装置可承受而不发生损坏的量并且至少部分地随着分割过程而变化。分割过程由于可包围激光脉冲位置的热影响区(HAZ)而导致材料的经过分割的边缘损坏，从而可降低所得经过分割的装置的裸片断裂强度。最后，随着所施加电能而变化的装置的光输出是决定经过分割的装置的品质中的重要因素。来自发光装置的光输出至少部分地随着分割过程而变化，因为所得边缘的光学性质是光输出的决定因素，因为边缘品质决定多少光反射回到装置以及多少光从装置中有用地传输出去。决定边缘品质的因素包括热碎片的存在、裂开边缘的随机切面和由HAZ导致的对于边缘的损伤。最后，作为每单位时间可在指定机器上分割的装置的数量的系统生产量是决定分割技术的合意性中的重要因素。增加品质但是以减少系统生产量为代价的技术与不降低系统生产量的技术相比更不太理想。
激光已经有利地应用于电子装置的分割。激光具有以下优势：不消耗昂贵的金刚石包覆锯条、与锯子相比可更快并且以更小的切口来切割衬底，以及需要时，可切割除直线以外的图案。激光的问题包括由过热对于装置造成的损伤和来自碎片的污染。指定给此专利申请的受让人的美国专利号6,676,878;LASER SEGMENTED CUTTING;发明人James N.O’Brien、Lian-Cheng Zou和Yunlong Sun；讨论将晶片分割的方法，所述方法使用多程紫外线(UV)激光脉冲来增加系统生产量同时通过控制热积累来维持装置品质。在此专利中未讨论分割对于发光装置的光输出的影响。美国专利号7,804,043;METHOD ANDAPPARATUS FOR DICING OF THIN AND ULTRA THIN SEMICONDUCTORWAFER USING ULTRAFAST PULSE LASER;发明人Tan Deshi讨论使用超快(飞秒或皮秒)脉冲持续时间来控制碎片产生。‘043专利公开超快脉冲可允许对晶片进行划片或切割而不产生大量热碎片。此碎片可具有的对于发光装置的光输出的影响在‘043专利未予以讨论。明显地，超快脉冲可足够快速地将能量送达至将要除去的材料中，以致于脉冲能量用于大致上烧蚀材料而非用热力将其除去。烧蚀是通过足够迅速地将足够的能量送达至材料中以使得材料的原子被解离成带电荷的分子、原子核和电子的等离子体云而将材料从衬底上除去的过程。这与热力材料除去形成对照，其中通过激光能量使材料熔化成液体然后蒸发成气体或直接升华成气体。另外，热力材料除去还可通过加热的气体在激光加工位点处的膨胀来逐出液体或固体材料而从所述位点处除去材料。在实践中，任何激光材料除去一般来说为烧蚀和热力过程的组合。具有短脉冲持续时间的高能量激光脉冲倾向于导致材料除去更具有烧蚀性而非热力性。在更长脉冲持续时间内施加的相同脉冲能量倾向于导致材料除去更具有热力性而非烧蚀性。
发光装置的激光辅助分割提出难题，因为通过分割过程在装置上留下的边缘的品质可影响光输出并且因此影响成品装置的价值。指定给此专利申请的受让人的美国专利号6,580,054;SCRIBING SAPPHINRE SUBSTRATES WITH ASOLID STATE LASER;发明人Kuo-Ching Liu、Pei Hsien Fang、Dan Dere、JennLiu、Jih-Chuang Huang、Antonio Lucero、Scott Pinkham、Steven Oltrogge和Duane Middlebusher讨论使用UV激光脉冲来将用于制造发光二极管的蓝宝石衬底划片。美国专利6,992,026;LASER PROCESSING METHOD AND LASERPROCESSING APPARATUS;发明人Fumitsugo Fukuyo、Kenshi Fukumitsu、Kaoki Uchiuyama和Toahimitsu Wakuda讨论在晶片内形成劣化区域以便引导机械分裂并且在分割之后留下未损坏的晶片表面。本文提到的专利没有一个讨论激光辅助分割对于装置边缘光学品质的影响或其对于光输出的影响。
讨论边缘品质和其光学性质的参考文献是标题为Efficiency Enhancementof GaN-Based Power-Chip LEDs with Sidewall Roughness by Natural Lithography的文章；作者Hung-Wen Huang、C.F.Lai、W.C.Wang、T.C.Lu、H.C.Kuo、S.C.Wang、R.J.Tsai和C.C Yu;Electrochemical and Solid State Letters，第10卷第(2)号。此文章讨论随着侧壁粗糙度而变化的发光二极管(LED)的光输出。此文章公开通过添加用聚苯乙烯珠粒蚀刻的额外步骤来控制侧壁粗糙度。用聚苯乙烯珠粒蚀刻的步骤增加新的设备、与将发光装置分割的基本任务无关的需求，并且由此增加过程的成本并且减少总过程的生产量。文章的作者显然未考虑或不了解侧壁品质可在分割期间用激光来有利地影响或控制。
仍然持续需要用于从衬底中将发光装置进行激光辅助分割的成本有效、可靠并且可重复的方法，其控制侧壁品质以便提供来自装置的改进的光输出，同时保持装置品质和系统生产量。
发明内容
本发明是用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的系统和方法，所述衬底具有加工表面和从加工表面延伸的深度。它包括提供激光加工系统，所述系统具有皮秒激光器，所述激光器具有可控参数；控制激光器参数以从皮秒激光器形成光脉冲，从而形成变化区域，所述区域具有贯穿衬底深度的50%以上的深度并且大致上包括衬底的加工表面并且具有小于区域深度的约5%的宽度；以及，通过对衬底施加机械应力来将衬底分割，由此将衬底分裂成具有侧壁的所述发光电子装置，所述侧壁至少部分地与线性变化区域协作来形成。本发明的方面用激光加工系统来执行在衬底上制造的发光电子装置的激光辅助分割。激光加工系统使用具有可控激光器参数的脉冲皮秒激光器以便在衬底表面上形成延伸至衬底内部的变化区域，激光器参数受到控制以便限制变化区域的侧向范围。然后将衬底分割，方法是向紧邻变化区域的衬底施加机械应力，由此沿着包括变化区域的小平面使衬底裂开。包含变化材料的这些小平面可操作以便传输约80%以上的由发光装置发出的射到其上的光。
本发明的方面改进来自经过分割的发光装置的光输出，方法是使用减少热碎片量并且控制对于衬底的热损伤的激光脉冲参数。在75kHz至800kHz范围内的脉冲重复下发出的具有532nm或更短的波长以及小于约10ps的脉冲宽度的激光脉冲有利地用于将蓝宝石衬底划片。使用适配激光划片系统将激光脉冲输送至衬底。这些脉冲聚焦于小于约1微米至约5微米的焦斑，所述焦斑通过适配激光划片系统的射束定位光学器件与运动控制载台之间的协作来相对于衬底定位。调整激光器参数以使得在焦斑中以及附近发生衬底材料的合意变化并且在焦斑周围的材料中发生最少不合需要的变化。激光脉冲的合意效应包括改变材料的分子或结晶结构以便增强裂纹发生或扩展并且为裂开之后的经过照射的边缘提供预定量的纹理。通过适当选择激光脉冲参数，对于衬底材料产生的变化可增强裂纹发生和扩展以使得在激光划片之后使材料分裂所需要的机械力得以减少，由此减少形成缺口和分裂的其它不合需要的影响的机会。另外不合需要的影响包括经过照射的位置附近的热影响区(HAZ)所造成的损伤和热碎片。HAZ损伤包括产生降低裸片断裂强度的微裂纹以及产生吸收光并且将光反射回到装置中，从而降低光输出的边缘区域。热碎片还吸收光并且将光反射回到装置，从而也减少光输出。本发明的方面使用促进在衬底中形成具有正好足够劣化或变化材料的变化区域的激光器参数，以便形成纹理表面，所述表面促进穿过侧壁的光传输但是未侧向延伸远得足以抑制光传输。
本发明的方面在衬底上产生具有合意性质的划片，方法是使用皮秒激光器脉冲并且将其以引导至衬底上的同一附近区域以便形成划片的重复激光脉冲引起衬底的合意变化但是不使HAZ的温度升高至足以引起非所要热损伤的方式来引导至衬底。除了以上列出的波长、脉冲持续时间、重复率、脉冲能量和焦斑尺寸以外，此举还通过选择激光器参数来实现。这些激光器参数包括衬底上的相邻激光脉冲的定时和间隔，因为激光器在激光束相对于衬底移动的同时进行脉冲输送，其取决于激光重复率、脉冲持续时间并且通常以mm/s为单位来表达。本发明的实施方案的典型激光束速度在20至1000mm/s范围内或更具体地说为50至450mm/s。
本发明的方面使划片的衬底分裂，方法是施加机械应力至线性变化区域附近的衬底以便起始裂纹，所述裂纹沿着变化区域将衬底分开。与裂纹开始于未达到表面的变化区域相比，在衬底表面上具有起始并且引导机械分裂过程的划片提供具有更好光学性质的所得侧壁表面。一般来说通过机械拉伸DAF或通过使用例如由Opto-System Co.Ltd.,Kyoto,Japan610-0313制造的Opto-SystemSemi Auto Breaker WBM-1000的机械分裂工具施加至衬底的应力引起裂纹开始出现于划片区域并且扩展贯穿衬底。在具有内部划片而没有表面划片的衬底上执行的分裂倾向于使裂纹在随机方向上朝向表面扩展，从而产生多个小平面，其定义为具有共同表面定向的边缘的较小区域。这些多个随机小平面倾向于将更多光反射回到经过分割的装置，由此减少光输出。使具有表面划片的衬底分裂倾向于产生具有小平面的边缘，所述小平面将较少光反射回到装置由此增加光输出，因为所得小平面一般来说平行于划片方向对准。本发明的实施方案通过沿着在衬底表面上产生并且延伸至衬底中的划片来分裂而将衬底分割。
附图说明
图1晶片
图2激光加工系统
图3划片的衬底
图4划片的衬底的SEM图像
图5划片的衬底的SEM图像
具体实施方式
本发明的方面用激光加工系统来执行在衬底上制造的发光电子装置的激光辅助分割。激光加工系统使用具有可控激光器参数的脉冲皮秒激光器来在衬底表面上形成延伸至衬底内部的变化区域，激光器参数受到控制以便限制变化区域的侧向范围。然后将衬底分割，方法是向紧邻变化区域的衬底施加机械应力，由此沿着包括变化区域的小平面使衬底裂开。包含变化材料的这些小平面改进来自发光装置的光输出，方法是提供改进从装置内部至外部的光传输的高度透射、漫射、非镜面侧壁表面。反射回到装置中的光是不合需要的，首先因为其并非有助于装置的有用光输出并且其次因为其可能潜在地被重新吸收并且造成不必要的热积累，从而进一步降低装置的效率。本发明的方面实现发光装置的改进的光输出效率，方法是由于对含有装置的衬底进行激光划片以便准备裂开的特定方式而使装置侧壁的光传输能力得到改进。用适当选择的激光器参数对含有发光装置的衬底进行划片提供在通过分割过程形成的侧壁上具有合意光传输性质的变化区域。
本发明的方面改进来自经过分割的发光装置的光输出，方法是使用减少热碎片的量和对于衬底的热损伤的激光脉冲参数。宜使用在3至1500kHz范围内或更具体地说75至600kHz范围内的脉冲重复率下发出的具有在150至3000nm范围内或更具体地说150至600nm范围内的波长以及小于10ns或更具体地说小于300ps的脉冲宽度的激光脉冲将衬底划片。脉冲聚焦于小于约1微米至约25微米的范围内，更具体地说小于1微米至约2微米范围内的焦斑。使用由Electro Scientific Industries,Inc.,Portland,OR97239制造的经过适配的AccuScribe2600LED Laser Scribing System将激光输送至衬底。所进行的一种适配方式是装配由Time-Bandwidth Products AG,CH-8005Zurich,Switzerland制造的固态IR激光器型号Duetto。此激光器发出1064nm波长的10ps脉冲，所述脉冲使用固态谐波发生器来倍频处理至532nm波长并且任选地使用固态谐波发生器来三倍频处理至355nm波长。任选地，由Lumera Laser GmbH,Opelstr.10,67661Kaiserslautern,Germany制造的Lumera Rapid Green激光器型号SHG-SS可装配至AccuScribe2600LED Laser Scribing System上代替Time-Bandwidth Duetto。Lumera激光器发出1064nm和532nm波长的10ps脉冲。Lumera激光器的双重输出可用于使用固态谐波发生器来产生355nm输出。这些激光器具有0.1至1.5瓦特的输出功率。
图2示出根据本发明的实施方案被适配成对衬底30划片的激光划片系统18的图。适配激光划片系统18具有可操作以便发射激光脉冲22的激光器20。这些脉冲通过射束成形和操纵光学器件24来成形并且操纵，然后由像场光学器件26引导至衬底30。碎片控制喷嘴28使用真空和压缩空气来阻止划片过程产生的碎片再沉积在衬底表面上。衬底30通过与射束成形和操纵光学器件24协同工作的运动控制载台32而相对于激光脉冲来移动。另外，包含物镜光学器件的成像系统34用于将衬底30相对于激光脉冲22来对准。激光器20、射束成形和操纵光学器件24、运动控制载台32和成像系统34都在系统控制器36的控制下操作。
图3示出具有顶部表面42和底部表面44的衬底40的一部分。在衬底的顶部表面42上，由聚焦于小于约1微米至5微米焦斑的激光脉冲22来形成划片46，所述焦斑通过适配激光划片系统18的射束成形和操纵光学器件24与运动控制载台32之间的协作来相对于衬底40定位。脉冲聚焦于表面42上或其附近的点以便执行划片。调整激光器参数以使得在焦斑中以及附近发生衬底材料的合意变化并且在焦斑周围的材料中发生最少不合需要的变化以便形成从顶部表面42延伸至衬底40中一定距离50的一定体积的变化材料48。此变化区域48在垂直于划片的线性方向的侧壁52中是可见的并且描绘由激光改变的材料的侧向范围。激光脉冲的合意效应包括改变材料的分子或结晶结构以便增强裂纹发生或扩展并且为裂开之后的经过照射的边缘提供纹理。当向划片附近的衬底施加机械应力时，裂开将线性地沿着划片并且垂直地沿着线AA发生。不合需要的影响包括由经过照射的位置附近的热影响区(HAZ)所造成的损伤和热碎片。HAZ损伤还包括产生降低裸片断裂强度的微裂纹以及产生吸收光并且将光反射回到装置中，从而降低光输出的边缘区域。热碎片还吸收光并且将光反射回到装置，从而也减少光输出。通过使用预先选定的激光器参数，激光划片的这些负面影响可降至最小，同时可获得所需效应。
本发明的方面在衬底上产生具有合意性质的划片，方法是使用皮秒激光器脉冲并且将其以引导至衬底上的同一附近区域的重复激光脉冲引起衬底的合意变化但是不使HAZ的温度升高至足以引起非所要热损伤的方式来引导至衬底。除了以上列出的波长、脉冲持续时间、重复率、脉冲能量和焦斑尺寸以外，此举还通过选择激光器参数来实现。这些激光器参数包括衬底上的相邻激光脉冲的定时和间隔，因为激光器在激光束相对于衬底移动的同时进行脉冲输送，其取决于激光重复率、脉冲持续时间并且通常以mm/s为单位来表达。本发明的实施方案的典型激光束速度在20至1000mm/s范围内或更具体地说为50至450mm/s。图4示出根据本发明的一个实施方案划片的晶片的扫描电子显微镜图像。图4示出垂直于侧壁52观察的划片的衬底60。此视图示出衬底62的顶部表面和底部64，与侧壁66。顶部表面62示出划片68具有在侧壁52上可见的处于衬底60内部的变化材料70。变化区域延伸至衬底中一定距离72。应注意在此图像中可见的变化材料的侧向范围示出变化的垂直范围大于侧向范围，所述侧向范围垂直于线性划片。
本发明的方面使划片的衬底分裂，方法是对衬底表面上的划片附近的衬底施加机械应力以便启始并且引导机械分裂过程。一般通过机械拉伸DAF或通过使用此类机械分裂工具施加至衬底的应力将引起裂纹开始出现于变化的划片区域并且从顶部表面至底部表面扩展贯穿衬底。在具有内部划片而没有相邻表面划片的衬底上执行的分裂倾向于使裂纹在随机方向上朝向表面扩展，从而产生多个小平面，其定义为具有共同表面定向的边缘的较小区域。这些多个随机小平面倾向于将更多光反射回到经过分割的装置，从而减少光输出。使具有表面划片的衬底分裂允许裂纹扩展至表面上的划片，从而产生具有小平面的边缘，所述小平面将较少光反射回到装置从而增加光输出，因为所得小平面一般来说平行于划片方向而对准。图5示出根据本发明的一个实施方案在划片之后的衬底的扫描电子显微镜图像。图5示出具有顶部表面82和底部84以及侧壁86的衬底80，所述侧壁通过沿着平行于划片的线性方向的与图3中的AA类似的线使衬底分裂来形成。此图像示出划片88的位置，以及通过分裂在侧壁86上显示的变化区域90。变化区域延伸至衬底中一定距离92。与没有此纹理的侧壁或具有侧向延伸至衬底中超过几微米的变化区域的侧壁相比，形成侧壁的至少一部分的此变化区域可操作以便以更高的效率来传输在装置中产生的光。
本发明的实施方案用于将可大致上对于系统所使用的激光波长透明的衬底划片。具体地说，用作制造发光二极管的衬底的蓝宝石晶片大致上对于本发明的优选实施方案所使用的激光波长为透明的。蓝宝石晶片传输约85%的在355nm与4000nm之间的波长下的激光能量和大于60%的在190nm与355nm)之间的波长下的激光能量。典型地，衬底还具有施加至含有有源电路的衬底的顶部表面的DAF。还经常需要在衬底的顶部表面上的有源装置之间的间隔中进行划片。在这种情况下，将具有所连接衬底的DAF装载至系统中以使得激光脉冲射到衬底的与需要划片之处相反的表面上。由于衬底大致上对于所使用的激光波长为透明的，因此激光脉冲可传输穿过衬底并且聚焦于衬底的相反表面上。由于激光脉冲只具有在焦斑与衬底相交之处引起材料变化的足够能量，因此划片或变化将在与激光脉冲射到衬底之处相反的表面附近发生。
对于本领域的普通技术人员来说显而易见，可对本发明的上述实施方案的细节进行许多变化而不背离其潜在原则。因此，本发明的范围只应由以下权利要求来决定。
Claims (28)
1.一种用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的方法，所述衬底具有加工表面和从所述加工表面延伸的深度，所述方法包括：
提供激光加工系统，所述系统具有皮秒激光器，所述激光器具有可选择的参数；
选择所述激光器参数以便从所述皮秒激光器形成光脉冲，从而形成变化区域，所述区域具有贯穿所述深度的约50%以上的深度并且大致上包括所述衬底的所述加工表面并且具有小于所述区域深度的约5%的宽度；以及
通过对所述衬底施加机械应力来将所述衬底分割，由此将所述衬底分裂成具有侧壁的所述发光电子装置，所述侧壁至少部分地与所述线性变化区域协作来形成。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述激光器参数包括以下中的至少一个：波长、脉冲持续时间、脉冲能量、脉冲重复率、焦斑尺寸、焦斑偏离和焦斑速度。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述波长等于或短于约600nm。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述脉冲持续时间等于或短于约100ps。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述脉冲能量等于或大于约1.0微焦耳。
6.如权利要求2所述的方法，其中所述脉冲重复率在约75Hz与约600kHz之间。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述焦斑尺寸在小于约1微米至约5微米之间。
8.如权利要求2所述的方法，其中所述焦斑偏离相对于所述衬底表面在-50微米与+50微米之间。
9.如权利要求2所述的方法，其中所述焦斑速度相对于所述衬底表面在约25与约450mm/s之间。
10.一种用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的激光划片系统，所述衬底具有加工表面和从所述加工表面延伸的深度，所述系统包括：
皮秒激光器，其被适配成产生具有至少一个可选择参数的光脉冲；
激光光学器件，其用于将所述光脉冲可控地输送至所述衬底；
运动控制载台，其用于相对于所述脉冲来可控地移动所述衬底；以及
控制器，其使用参数来引导所述皮秒激光器发射所述脉冲、引导所述激光光学器件将所述脉冲输送至所述衬底并且引导所述运动载台相对于所述脉冲来移动所述衬底，所述参数可操作以便形成变化区域，所述区域具有贯穿所述深度的50%的深度并且大致上包括所述衬底的所述加工表面并且具有小于所述区域深度的约5%的宽度。
11.如权利要求10所述的系统，其中所述激光器参数包括以下中的至少一个：波长、脉冲持续时间、脉冲能量、脉冲重复率、焦斑尺寸、焦斑偏离和焦斑速度。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述波长等于或短于约600nm。
13.如权利要求11所述的系统，其中所述脉冲持续时间等于或短于约100ps。
14.如权利要求11所述的系统，其中所述脉冲能量等于或大于约1.0微焦耳。
15.如权利要求11所述的系统，其中所述脉冲重复率在约75Hz与约600kHz之间。
16.如权利要求所述的系统11，其中所述焦斑尺寸在约小于1微米与约5微米之间。
17.如权利要求11所述的系统，其中所述焦斑偏离相对于所述衬底表面在-50微米与+50微米之间。
18.如权利要求11所述的系统，其中所述焦斑速度相对于所述衬底表面在约25与约450mm/s之间。
19.一种具有侧壁的经过改进的发光电子装置，其是使用激光划片系统从具有加工表面和从所述加工表面延伸的深度的衬底上分割得到，所述系统具有具备可选择参数的激光器，所述改进包括：
通过使用所述激光器控制所述激光器参数来产生变化区域，从而使所述侧壁纹理化，所述区域从所述衬底的所述表面延伸至所述衬底的所述内部以便允许更大光输出并且由此改进所述发光电子装置。
20.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：所述变化区域具有贯穿所述深度的50%的深度并且大致上包括所述衬底的所述加工表面并且具有小于所述区域深度的约5%的宽度。
20.一种使将要分割的发光装置的表面纹理化的方法，其包括：
施加具有可选择参数的激光脉冲，所述参数经过选择以便在所述表面上产生提供所述所需纹理的变化区域。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述激光器参数包括以下中的至少一个：波长、脉冲持续时间、脉冲能量、脉冲重复率、焦斑尺寸、焦斑偏离和焦斑速度。
22.如权利要求21所述的方法，其中所述波长等于或短于约600nm。
23.如权利要求21所述的方法，其中所述脉冲持续时间等于或短于约100ps。
24.如权利要求21所述的方法，其中所述脉冲能量等于或大于约1.0微焦耳。
25.如权利要求21所述的方法，其中所述脉冲重复率在约75与约600kHz之间。
26.如权利要求21所述的方法，其中所述焦斑尺寸在约小于1微米与约5微米之间。
27.如权利要求21所述的方法，其中所述焦斑偏离相对于所述衬底表面在-50微米与+50微米之间。
28.如权利要求21所述的方法，其中所述焦斑速度相对于所述衬底表面在约25与约450mm/s之间。
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