TWI487125B - 複合透明導體及形成其之方法 - Google Patents

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Description

複合透明導體及形成其之方法
本揭示案係關於基於導電奈米結構之複合透明導體及形成其之方法。
透明導體係指光學上透明之簿導電膜。其廣泛用作諸如液晶顯示器、電漿顯示器、觸摸面板、電致發光裝置及薄膜光電電池之平板電致變色顯示器中之透明電極，用作抗靜電層及電磁波屏蔽層。
習知透明導體包括真空沈積之金屬氧化物，諸如氧化銦錫(ITO)。然而，金屬氧化物膜製造成本昂貴，因為其需要真空室、高沈積溫度及/或高退火溫度以達到高導電性。甚至當經受微小實體應力(諸如彎曲)時，金屬氧化物膜亦易碎且易於損壞。
導電聚合物亦已用作光學上透明之電導體。然而，與金屬氧化物膜相比，其通常具有較低電導率值及較高光學吸收(尤其在可見波長下)，且缺乏化學穩定性及長期穩定性。
導電奈米結構由於其次微米級尺寸可形成光學上透明之導電膜。同在申請中且共同擁有之美國專利申請案第11/504,822號、美國專利申請案第11/871,767號及美國專利申請案第11/871,721號描述由網狀各向異性導電奈米結構(諸如金屬奈米缐)形成之透明導體。如同ITO膜，基於奈米結構之透明導體尤其適用作可在諸如平板顯示器及觸摸 式顯示幕之電致變色顯示器中與薄膜電晶體耦接之電極。此外，基於奈米結構之透明導體亦適合作為濾色器及偏光器(如偏光鏡)等之塗層。上述同在申請中之申請案以全文引用的方式併入本文中。
需要提供具成本效益且高效能之基於奈米結構之透明導體以滿足對高品質顯示器系統之不斷增加的需求。
本發明描述複合透明導體及其應用。
一實施例描述包含以下物質之複合透明導體：包括複數個金屬奈米線或複數個金屬奈米管之主要導電介質；及與主要導電介質藕接之次要導電介質，該次要導電介質包括第二類型的奈米結構或連續導電膜。
另一實施例描述包含複合透明導體之裝置，該導體包括：包括複數個金屬奈米線或複數個金屬奈米管之主要導電介質；及與主要導電介質耦接之次要導電介質，該次要導電介質為連續導電膜。
另一實施例描述液晶顯示單元，其包含：第一電極；及第二電極，其中第一電極與第二電極之間的垂直距離界定單元間隙；其中第一電極為包括主要導電介質及次要導電介質之複合透明導體，且其中主要導電介質包括具有約為單元間隙之網目尺寸的金屬奈米線或金屬奈米管；且其中次要導電介質為連續導電膜或具有為單元間隙之約1/5至1/100之網目尺寸的奈米結構之導電網路。
在圖中，相同元件符號標識類似元件或作用。圖式中不一定按比例繪製元件之尺寸及相對位置。舉例而言，各元件之形狀及角度並未按比例繪製，且任意放大且定位一些該等元件以改良圖式可讀性。此外，如所繪製之元件之特定形狀並不意欲傳達任何關於該等特定元件之實際形狀的資訊，而僅被選擇以便於在圖中識別。
一般而言，複合透明導體為由至少兩種類型之透明導電介質形成之導電膜。更特定言之，複合透明導體包括作為主要導電介質之金屬各向異性奈米結構(如本文所述)及與該主要導電介質耦接之次要導電介質。次要導電介質通常為第二類型導電奈米結構之導電網路或由導電聚合物或金屬氧化物形成之連續導電膜。
複合透明導體之電及光學特性由諸如組份導電介質之幾何形狀、電導率、光學特性、分布及填充量(loading level)之因素來確定。
在某些實施例中，複合透明導體為離散導電膜之層狀結構。在其他實施例中，複合透明導體為內聚結構，其中兩種或兩種以上類型之導電介質(例如，兩種或兩種以上類型之導電奈米結構)完全整合。與結構組態無關，經由審慎選擇組份導電介質，複合透明導體可展示該等組份導電介質之單純疊加效應以外之特性。
導電奈米結構
在某些實施例中，複合透明導體包含至少兩種類型奈米結構，其中之一者係指金屬各向異性奈米結構。如本文所 用，"奈米結構"或"導電奈米結構"通常係指奈米尺寸之結構，其至少一尺寸小於500 nm、更佳小於250 nm、100 nm、50 nm或25 nm。
奈米結構可具有任何形狀或幾何形狀。在某些實施例中，奈米結構為各向同性形狀(亦即，縱橫比=1)。典型各向同性奈米結構包括奈米粒子。在較佳實施例中，奈米結構為各向異性形狀(亦即，縱橫比≠1)。如本文所用，縱橫比係指奈米結構之長度與寬度(或直徑)之間的比率。各向異性奈米結構通常具有沿其長度之縱向軸。如本文所定義，例示性各向異性奈米結構包括奈米線及奈米管。
奈米結構可為實心或中空的。實心奈米結構包括(例如)奈米粒子及奈米線。如本文所定義，"奈米線"係指實心的各向異性奈米結構。通常，各奈米線具有大於10，較佳大於50且更佳大於100之縱橫比(長度：直徑)。通常，奈米線在長度上大於500 nm，或大於1 μm，或大於10 μm。
中空奈米結構包括(例如)奈米管。如本文所定義，"奈米管"係指中空各向異性奈米結構。通常，奈米管具有大於10，較佳大於50且更佳大於100之縱橫比(長度：直徑)。通常，奈米管在長度上大於500 nm，或大於1 μm，或大於10 μm。
奈米結構可由任何導電材料形成。導電材料最通常為金屬的。金屬材料可為元素金屬(例如，過渡金屬)或金屬化合物(例如，金屬氧化物)。金屬材料亦可為金屬合金或雙金屬材料，其包含兩種或兩種以上類型之金屬。合適金屬 包括(但不限於)銀、金、銅、鎳、鍍金銀、鉑及鈀。導電材料亦可為非金屬的，諸如碳或石墨(碳之同素異形體)。
如上所述，將金屬各向異性奈米結構用作複合透明導體中之主要導電介質。較佳類型之各向異性金屬奈米結構包括金屬奈米線。金屬奈米線為由金屬、金屬合金、電鍍金屬或金屬氧化物形成之奈米線。合適之金屬奈米線包括(但不限於)銀奈米線、金奈米線、銅奈米線、鎳奈米線、鍍金銀奈米線、鉑奈米線及鈀奈米線。同在申請中且共同擁有之美國申請案第11/766,552號、美國申請案第11/504,822號、美國申請案第11/871,767號及美國申請案第11/871,721號描述製備金屬奈米線(例如，銀奈米線)之方法及形成及圖案化基於金屬奈米線之透明導體之方法，其說明以全文引用的方式併入本文中。
用於主要導電介質之另一較佳類型之各向異性金屬奈米結構包括金屬奈米管。同在申請中且共同擁有之2008年2月26日申請之美國專利申請案第61/031,643號描述製備金屬奈米管(例如，金奈米管)之方法及形成及圖案化基於金屬奈米管之透明導體之方法，其說明以全文引用的方式併入本文中。
如將在本文中更詳細論述，諸如奈米缐及奈米管之金屬各向異性奈米結構可與由不同類型之導電奈米結構形成之次要導電介質相組合。次要導電介質可為任何以下奈米結構，其包括(但不限於)碳奈米管、不同於形成主要導電介質之金屬奈米線(或奈米管)之金屬奈米線(或奈米管)、導 電奈米粒子及其類似物。
在某些特定實施例中，形成次要導電介質之導電奈米結構為碳奈米管。碳奈米管亦為導電各向異性奈米結構。更特定言之，"碳奈米管"係指捲起之石墨烯薄層之圓筒或管。各石墨烯薄層包含sp2 雜化碳原子。碳奈米管可呈單壁結構或多壁結構或兩者之混合物的形式。單壁碳奈米管(SWNT)由單片捲起之石墨烯薄層形成。多壁碳奈米管(MWNT)為彼此嵌套之兩個或兩個以上同軸排列之SWNT。已知SWNT與MWNT顯示金屬及導電特徵。
碳奈米管通常為具有高縱橫比之剛性結構。SWNT及MWNT之長度通常遠遠超過1 μm且直徑在約1 nm(對於SWNT)至約50 nm(對於MWNT)之範圍內。通常，碳奈米管之縱橫比在約10-100,000之範圍內。更通常地，縱橫比在約1,000-10,000之範圍內。SWNT可自Sigma-Aldrich(st. Louis, MO)購得。
可將碳奈米管視情況表面處理以防止凝集。舉例而言，可將親水性官能基併入表面，以更佳地分散於水性介質中。表面處理之各種方法描述於Peng H.等人，Sidewall Carboxylic Acid Functionalization of Single-Walled Carbon Nanotubes,J. Am. Chem. Soc. 125, 15174-15182, 2003及Liu J.等人Fullerene Pipes,Science , 280, 1253-1256，1998中。
在其他實施例中，導電奈米結構為導電奈米粒子，其包括諸如銀、金、銅及鎳奈米粒子之金屬奈米粒子，及諸如氧化銦錫之金屬氧化物奈米粒子及經摻雜氧化鋅奈米粒 子。非金屬導電奈米粒子包括碳黑、石墨烯薄層及其類似物。該等導電奈米粒子已在此項技術中熟知。
導電奈米結構可經由連續實體接觸以及由一奈米結構穿隧至另一奈米結構的電荷而達成導電性。
主要導電介質
金屬奈米線或金屬奈米管形成主要導電介質。合適之金屬奈米線為由金屬、金屬合金、電鍍金屬或金屬氧化物形成之奈米線。合適之金屬奈米線包括(但不限於)銀奈米線、金奈米線、銅奈米線、鎳奈米線、鍍金銀奈米線、鉑奈米線及鈀奈米線。合適之金屬奈米管包括金奈米管及同在申請中之美國臨時申請案第61/031,643號中所描述之彼等奈米管。
在各種實施例中，金屬奈米線長度約為5-100 μm且直徑(或橫截面)為5-100 nm。在某些實施例中，金屬奈米線長度約為5-30 μm且直徑為20-80 nm。在一較佳實施例中，金屬奈米線(例如，銀奈米線)長度約為20 μm且直徑為50 nm。
合適之金屬奈米管具有與針對金屬奈米線所述之彼等尺寸類似之尺寸。對於奈米管而言，直徑係指奈米管之外徑。
奈米結構經由滲透法形成導電網路。當經由互連奈米結構形成導電路徑時可建立滲透導電性。必須存在充足奈米結構以達到電滲透臨限值且導電。因此電滲透臨限值為與奈米結構之裝填密度或濃度相關之臨界值，在該值以上時 可達成遠程連接性。通常，裝填密度係指每區域中奈米結構之數量，其可由"數量/μm2 "表示。
如同在申請中之美國專利申請案第11/504,822號中所述，奈米結構之縱橫比(長度：直徑)愈高，則需要愈少奈米結構以達成滲透電導率。對於諸如奈米線之各向異性奈米結構而言，電滲透臨限值或裝填密度與奈米線之長度的平方逆相關。以全文引用的方式併入本文中之同在申請中且共同擁有之申請案11/871,053詳細描述在滲透臨限值處奈米線之尺寸/形狀與表面裝填密度之間的理論以及經驗關係。
圖1示意地顯示在電滲透臨限值以上的由奈米線20形成之導電網路10。導電路徑由互連奈米線形成(例如，路徑可經由連接奈米線由網路之一端上溯至另一端)。因此可使電流穿過奈米線網路10。
如本文所用，"導電網路"或"網路"係指由在電滲透臨限值以上之導電奈米結構形成之互連網路。通常，導電網路表面電阻率(或"薄層電阻")不高於108 歐姆/平方(亦稱為"Ω/")。較佳地，表面電阻率不高於104 Ω/、3,000Ω/、1,000Ω/或100Ω/。通常，由金屬奈米線形成之導電網路之表面電阻率在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
圖1中亦顯示網路奈米線界定線間隔30。在滲透臨限值 以上時，線間隔之尺寸(亦稱為"網目尺寸")與網路之電導率有關。通常，較小網目尺寸意謂更稠密分布之奈米線，其又與較高電導率相對應。
網目尺寸亦可用作表面填充量之指示。舉例而言，對於給定長度之奈米線而言，較低表面填充將導致較大網目尺寸。當網目尺寸高於某個臨限值時，奈米線可能過於分開以使得不再可能滲透且有效地使線間隔成為絕緣體。圖2A顯示其中奈米線20的密度不足以形成完整網路的薄膜12。線間隔30變得絕緣。換言之，由於與圖1中相比奈米線之密度較低，故網目尺寸已擴大且奈米線之間的電導率已破壞。
作為填充物之次要導電介質
在複合透明導體中，即使金屬奈米線處於在電滲透臨限值以下之填充量，但仍可在次要導電介質存在下達成電導率。在各種實施例中，當主要導電介質之金屬奈米線可滲透或不可滲透時，次要導電介質之存在於複合透明導體中提供意外或協同特性。
在某些實施例中，次要導電介質包括材料、尺寸、幾何形狀或結構不同於形成主要導電介質之金屬奈米線之彼等特性的奈米結構。舉例而言，次要導電介質可包括(但不限於)不同尺寸或材料之碳奈米管、金屬奈米管、奈米粒子及金屬奈米線。
在其他實施例中，次要導電介質可為連續導電膜。如本文所用，"連續導電"係指穿過薄層(例如，穿過表面或平面 內)之連續及均勻之導電路徑，其中導電性由導電介質之連續實體接觸來建立。連續導電膜之實例包括(但不限於)濺鍍或沈積之金屬氧化物膜、導電聚合物膜及其類似物。
在一方面，次要導電介質用以填充奈米線膜之線間隔。圖2B顯示複合透明導體34，其中將連續導電膜40添加至圖2A之奈米線20中。連續導電膜填充絕緣間隙30且有效地消除網目尺寸。
圖2C顯示另一複合透明導體44，其中亦存在複數個第二類型的各向異性奈米結構48。各向異性奈米結構48被顯示為與奈米線20相比具有更高之縱橫比。如所示，因較長奈米結構48之更有效之連接性，故有效地減少線間隔30。
如圖2B及2C中所示，奈米線及次要導電介質之組合效應建立導電性，即使主要導電介質不一定達到電滲透臨限值。
在另一方面，填充線間隔之次要導電介質之存在亦用以均衡給定透明導體中之電位分布。此外，當兩電極隔開且施加電位時，在兩電極之間隙之間產生電場。將複合透明導體用作電極可用以增強電場之均勻性。圖3A顯示頂部導電膜50與底部導電膜54之間的電場線。導電膜50與54僅基於奈米線。頂部導電膜50包含分布於頂部基板50b上之奈米線50a(顯示於橫截面圖中)。同樣，底部導電膜54包含分布於底部基板54b上之奈米線54a(亦顯示於橫截面圖中)。電場(示意地顯示為缐58)開始於(例如)奈米線50a且終止於54a。由於各電極中奈米線之間的線間隔(例如，62及66)， 線58集中在相對導線附近。圖3B顯示次要導電介質，(例如)連續膜70及74分別填充於線間隔62及66中。因此，由線78所表示之電場更均勻分布。
作為主要導電介質，在複合透明導體中高導電性金屬奈米線通常帶有大多數電流。次要導電介質，雖然不負責載運電流，但仍可形成導電層以填充金屬奈米線之間的間隔。為此說明之目的，次要導電介質形成具有不高於108 歐姆/平方(亦稱為"Ω/")之表面電阻率(或"薄層電阻")之導電層。較佳地，表面電阻率不高於104 Ω/、3,000Ω/、1,000Ω/或100Ω/。通常，連續導電膜之薄層電阻在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
如本文所定義，在各種實施例中，由次要導電介質形成之導電層為光學上清晰的。此外，次要導電介質之存在可導致光散射之總體降低。金屬奈米線為反射性結構，其可因光散射及反射而導致消偏振。消偏振為有助於降低透明導體膜中對比率之主要因素中之一者，其通常在顯示器裝置(例如，平板顯示器)之光路中。較低對比率傾向於不利地影響顯示器裝置之圖像品質。參見(例如)同在申請中之美國臨時申請案第61/031,643號。在僅由奈米線形成之透明導體膜中，奈米線數目之減少可導致光散射降低，但可能以電導率損失為代價。由於由次要導電介質所提供之補充連接性，根據此實施例之複合膜可允許藉由使用較少奈 米線使反射率降低而不一定導致電導率降低。
此外，藉由選擇適當材料(例如，較小反射性或非反射性)、特定尺寸(例如，具有較小直徑或橫截面之奈米結構導致較少光散射)、特定幾何形狀(例如，與同一外徑之奈米線相比奈米管導致較少光散射)之奈米結構，可能定製具有最佳化光學特性之複合透明導體。
通常，在各種實施例中，由次要導電介質形成之導電層為約100 nm至200 nm之厚度，或50 nm至100 nm之厚度，或150 nm至200 nm之厚度。
複合透明導體
因此，複合透明導體包含作為主要導電介質之金屬奈米線及與主要導電介質耦接之次要導電介質。如本文所用，"耦接"係指兩種導電介質之間的接近關聯，且包括實體接觸、電連接等。
與個別導電介質之和相比，複合物中之經組合導電介質提供出乎意料之屬性或增強之特性。如將在本文中更詳細地描述，複合透明導體之協同改良包括(但不限於)複合透明導體中更均衡之電位、由複合透明導體形成之兩個電極之間的更均勻之電場、較高電導率、更佳耐用性、較高對比率等。此外，當使奈米線與審慎選擇之次要導電介質組合時，可降低總體造價而不損害複合透明導體之效能標準。
以下特定實施例描述基於作為主要導電介質及各種次要導電介質之金屬奈米線之複合透明導體。
1.作為次要導電介質之碳奈米管膜
在另一實施例中，複合透明導體包含複數個與次要導電介質組合之金屬奈米線，其中次要導電介質為由碳奈米管(CNT)形成之連續導電膜。
圖4A顯示包括奈米線層144及形成於基板152上之底層CNT層148之複合透明導體140。CNT在奈米線層下形成導電膜。圖4B顯示具有組份膜之反向排列之複合透明導體150，其中奈米線層144在CNT層148之下。在圖4A與4B中，可順序沈積組份膜。或者，亦可同時共沈積奈米線及CNT且形成充分整合之導電膜。圖4C顯示具有導電層164之複合透明導體160，奈米線168及CNT 172充分整合以得到內聚結構。
圖4A-4C中所示之複合膜提供依賴於承載電流之高導電金屬奈米線之補充特性及導電CNT膜之填充效應的遠程連接性。因為在給定之填充量下，CNT與金屬奈米線(對於銀奈米線為約10.5 g/cm3 )相比具有更低之比重(約1.7-1.9 g/cm3 )，故CNT可形成與金屬奈米線相比具有較小網目尺寸之導電膜。因此，當與電源連接時，具有CNT層之複合透明導體亦可改良複合膜電位之均勻性。
此外，CNT為黑色且具有極窄之尺寸(亦即，其直徑或橫截面積通常小於2 nm)，其為降低光散射且改良對比率之所需條件。因此，在所給電導率下，基於CNT及金屬奈米線之經組合導電介質降低總體反射率。
此外，基於CNT及奈米線之複合膜尤其適合作為通道接 觸區。如本文所用之"通道"係指兩導體之間的通常經由介電層之連接。如所論述，因為與金屬奈米線相比CNT具有更低之比重，故與相同重量之金屬奈米線相比每單位面積中CNT之裝填密度可更高。此可有利地應用於負責在限定區域(約5-10微米)內支援高電流密度之通道接觸區。較高密度之CNT可有效地承載額外電流且防止對金屬奈米線之潛在損壞。
在某些實施例中，可另外將第三導電介質併入複合透明導體中。如本文所用之"第二類型奈米結構"及"第三類型奈米結構"特定係指彼此不同以及在至少一方面，諸如奈米結構之材料、尺寸、形狀或幾何形狀上不同於形成主要導電介質之金屬奈米線或金屬奈米管之奈米結構。
合適之第三導電介質包括諸如導電奈米粒子之導電奈米結構，材料、尺寸或幾何形狀不同於主要導電介質之金屬奈米線之導電奈米結構。舉例而言，導電奈米粒子可為金屬奈米粒子、金屬氧化物奈米粒子、碳黑及其組合。導電奈米結構可為不同金屬之奈米線、奈米管或具有較高縱橫比或較小橫截面之奈米線。分布於整個複合透明導體中之第三類型之導電奈米結構可補充CNT之填充效應且有助於形成複合透明導體上更平衡的電位。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體具有至少50%，至少60%，至少70%，或至少80%，或至少85%，或至少90%或至少95%(使用空氣作為參考)之光透射率。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體視該複合透明導體之最終應用而定具有1-108 Ω/範圍內之薄層電阻。更通常地，薄層電阻在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
在較佳實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體具有高於95%之光透射率及小於500Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體具有高於90%之光透射率及小於100Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及CNT膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於50Ω/之薄層電阻。
2.作為次要導電介質之其他類型奈米結構
除CNT外之奈米結構亦適合作為次要導電介質。在某些實施例中，導電奈米結構為材料或尺寸不同於形成主要導電介質之金屬奈米線之金屬奈米線。舉例而言，由較差反射性金屬形成或具有較差反射性氧化物外鞘之奈米線可用以降低光散射而不損害複合透明導體之總體電導率。此外，與主要導電介質之金屬奈米線相比，具有較小直徑(亦即，橫截面積)之奈米線亦可降低光散射。
圖5顯示包含作為主要導電介質之第一類型奈米線174及第二類型奈米線178之複合透明導體170。與第一類型奈米線174相比，第二類型奈米線178具有更小之直徑。因此，次要導電介質不僅藉由填充線間隔182而促進複合透明導體之電導率，而且由於其窄尺寸大體上並無助於光散射。
在各種其他實施例中，第二類型奈米結構可為金屬奈米管、導電奈米粒子(諸如碳黑及金屬或金屬氧化物奈米粒子)及其類似物。
3.作為次要導電介質之金屬氧化物膜
在一實施例中，複合透明導體包含複數個與次要導電介質組合之金屬奈米線，其中次要導電介質為導電金屬氧化物膜。在此項技術中熟知諸如氧化銦錫(ITO)之導電金屬氧化物。通常將濺鍍之ITO膜應用於使用透明導體之裝置。然而，由於ITO膜之脆性及低耐壓性，使其應用受限。甚至ITO膜之微小破裂仍可導致電導率之快速損失。
將基於金屬奈米線之薄膜及ITO膜組合可提供具有協同優點之複合膜。圖6A顯示複合膜186，其包含於基板110(例如，玻璃)上之ITO膜188及定位於ITO膜188頂部之奈米線膜192，奈米線膜192包含奈米線194。
在一實施例中，奈米線194之裝填密度在電滲透臨限值以下。然而，可在複合膜186中藉由奈米線及底層ITO膜188之組合來建立表面導電性。如所論述，ITO膜能夠填充奈米線之間的任何絕緣間隙。
圖6B顯示複合膜196，其具有交替排列之基於奈米線之 薄膜及ITO膜。如所示，奈米線膜192首先沈積於基板110上。將ITO膜188濺鍍於奈米線膜192之頂部。如圖6A中，奈米線194本身不一定形成導電網路。然而，可在複合膜196中藉由奈米線及上覆ITO膜188之組合來建立平面內導電性。
如所示，包括表面及平面內電導率之整個複合膜之電導率可能優於任一單獨組份膜，亦即基於奈米線之薄膜及ITO膜之電導率。有利地，組份膜彼此互補以協同地提供超過組份膜之單純疊加效應之特性。舉例而言，由於連續ITO膜之存在，故當與電壓源連接時，與單獨的基於奈米線之透明導體(亦參見圖2B)相比複合膜具有更均勻之電位。另一方面，奈米線可使複合膜有一定程度之彎曲而不導致電導率損失。舉例而言，奈米線可橋接大部分ITO膜內之微小破裂且維持電導率，因此當處於實體應力中時防止複合膜之潛在失效。
此外，由於奈米線之高電導率，故在相同厚度下與純ITO膜相比複合膜之電導率可更高。因此可產生具有與純ITO膜相比較薄之ITO膜作為組份之複合膜，然而能夠達到與純的較厚ITO膜相同位準之電導率。降低ITO膜之厚度可直接導致造價減少，且產生較不易於破裂之ITO膜。
此外，雖然圖6A及6B之組份膜以類似兩個並聯電阻器的方式排列，但觀察到可使複合膜之電阻率低於並聯電阻器所預期之電阻率(亦參見實例4)。圖6C示意地顯示兩個並聯電阻器198(電阻率R1 )及199(電阻率R2 )。如已知，一 組並聯電阻器之總電阻率R為：R=(R1 ×R2 )/(R1 +R2 )。
實例4量測由具有250Ω/之電阻率的ITO膜及具有約250Ω/之電阻率的基於奈米線之薄膜形成之複合膜的電阻率。若該等兩個組份膜僅為並聯電阻器，則總電阻率將為約125Ω/。然而，觀察到複合膜之電阻率在約50-80Ω/之範圍內，其與作為並聯電阻器之ITO膜(250Ω/)及奈米線膜(250Ω/)之預期電阻率相比更低。
光學上，在給定之電導率水準下，與單獨的基於奈米線之薄膜相比，複合膜可具有較差反射性。如所論述，在僅由奈米線形成之透明導體膜中，奈米線數目之減少可導致透明導體中光散射降低，但可能以電導率損失為代價。由於由ITO膜所提供之補充連接性，根據此實施例之複合膜可允許藉由使用較少奈米線使光散射降低而不一定導致電導率降低。
可使用其他金屬氧化物膜替代圖6A及6B之ITO膜。例示性金屬氧化物膜包括經摻雜之氧化鋅膜、摻雜氟之氧化錫膜、摻雜鋁之氧化鋅膜、Zn2 SnO4 、ZnSnO3 、MgIn2 O4 、GaInO3 、(Ga2 In)2 O3 、Zn2 ID2 O5 、In4 Sn3 O12 等。Crawford, G. P., Flexible Flat Panel Display(John Wiley and Sons, 2005)。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體具有至少50%，至少60%，至少70%，或至少80%，或至少85%，或至少90%或至少95%(使 用空氣作為參考)之光透射率。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體視該複合透明導體之最終應用而定具有1-108 Ω/範圍內之薄層電阻。更通常地，薄層電阻在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
在較佳實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及少於1000Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體具有高於95%之光透射率及小於500Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體具有高於90%之光透射率及小於100Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及金屬氧化物膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於50Ω/之薄層電阻。
4.作為次要導電介質之導電聚合物膜
在另一實施例中，複合透明導體包含複數個與次要導電介質組合之金屬奈米線，其中該次要導電介質為連續聚合物膜。
由於連續重疊軌道之共軛主鏈上之電子非定域作用，某些聚合物為導電的。舉例而言，由交替之單及雙碳-碳鍵 形成之聚合物可提供電子可佔據之重疊p 軌道之連續路徑。
常見類別之有機導電聚合物包括(且限於)聚(乙炔)、聚(吡咯)、聚(噻吩)、聚(苯胺)、聚(茀)、聚(3-烷基噻吩)、聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(亦稱為PEDOT)、聚四硫富瓦烯、聚萘、聚對苯、聚(對苯硫醚)及聚(對苯伸乙烯基)。
雖然單獨的導電聚合物膜通常不導電或實體上足夠穩固以在顯示器裝置中用作透明導體，但可將導電聚合物膜與金屬奈米線組合或摻雜以形成複合透明導體。複合透明導體可依賴於作為主載電流介質之金屬奈米線及作為使電場平坦之填充物之導電聚合物膜。此外，金屬奈米線亦可增強及加強導電聚合物膜之機械特性。
光學上，導電聚合物膜亦可調節組合物膜之吸收特性。
圖7A顯示複合膜200，其包含於基板110(例如，玻璃)上之導電聚合物膜204及位於導電聚合物膜204頂部之奈米線膜220。
圖7B顯示複合膜230，其具有交替排列之基於奈米線之薄膜及導電聚合物膜。如所示，奈米線膜220首先沈積於基板110上。將導電聚合物膜204沈積於奈米線膜220頂部。如圖6A中，奈米線224本身不一定形成導電網路。然而，可在複合膜230中藉由奈米線及上覆導電聚合物膜204之組合來建立平面內導電性。
在一替代實施例中，首先將金屬奈米線沈積於基板上且形成導電網路。可使用金屬奈米線網路作為電極就地形成 導電聚合物膜。可就地形成之合適導電聚合物之實例為聚吡咯。更特定言之，使用基於奈米線之導電網路作為電極(亦即，陽極)，吡咯單體可用電化學方法聚合且於導電網路上形成塗層。亦可在氧化劑存在下根據此項技術中已知之方法化學地形成導電聚合物膜。所得複合透明導體以嵌入導電聚合物膜中之奈米線為特徵。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體具有至少50%，至少60%，至少70%，或至少80%，或至少85%，或至少90%或至少95%(使用空氣作為參考)之光透射率。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體視該複合透明導體之末端應用而定具有1-108 Ω/範圍內之薄層電阻。更通常地，薄層電阻在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
在較佳實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體具有高於95%之光透射及小於500Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體具有高於90%之光透射及小於100Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於 金屬奈米線(例如，銀奈米線)及導電聚合物膜之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射及小於50Ω/之薄層電阻。
電及光學特性
如本文所論述，與個別導電介質之和相比，複合透明導體物中之經組合導電介質提供出乎意料之屬性或增強之特性。複合透明導體之該等協同改良包括(但不限於)更均勻之電位(當與電源連接時)、較高電導率、更佳耐用性、較高對比率等。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體具有至少50%，至少60%，至少70%，或至少80%，或至少85%，或至少90%或至少95%(使用空氣作為參考)之光透射率。混濁度為光散射指數。其係指在透射期間與入射光分離且散射之光的量之百分比(亦即，透射混濁度)。不同於主要為介質之特性之光透射率，混濁度通常與生產有關且通常由表面粗糙度及介質中所嵌入之顆粒或組成不勻性所引起。在各種實施例中，透明導體之混濁度不超過10%，不超過8%，不超過5%，不超過3%或不超過1%。
通常，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體視該複合透明導體之末端應用而定具有1-108 Ω/範圍內之薄層電阻。更通常地，薄層電阻在10Ω/至1000Ω/、100Ω/至750Ω/、50Ω/至200Ω/、100Ω/至500Ω/或100Ω/至250Ω/，或10Ω/至 200Ω/、10Ω/至50Ω/或1Ω/至10Ω/之範圍內。
在較佳實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體具有高於95%之光透射及小於500Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體具有高於90%之光透射及小於100Ω/之薄層電阻。在其他實施例中，基於金屬奈米線(例如，銀奈米線)及次要導電介質之組合的複合透明導體具有高於85%之光透射及小於50Ω/之薄層電阻。
適合作為平板顯示器中之電極之本文所述複合透明導體可具有電及光學特性。平板顯示器中透明電極之薄層電阻之典型範圍為約10-100Ω/，且層之透射率高於87%(當使用玻璃作為參考時)或高於95%(當使用空氣作為參考時)。
此外，當用作電極時，複合透明導體提供在液晶顯示器(LCD)中尤其有利之均勻電場。圖8示意地顯示LCD配置250，其中像素電極254及對立電極260隔開約3-5 μm，此亦稱為"單元間隙"。液晶單元270定位於兩電極之間。簡單地說明，當限制於單元中的液晶分子響應於兩電極之間產生之施加電場而改變其構形時，LCD操作。
在所要之電導率及光透射率位準下，使用僅由奈米線形成之透明導體電極，可使奈米線之間的間隔與液晶單元間 隙(亦即，"單元間隙")相當。因此，可能並非單元中之所有液晶分子將由相同電場(量值與方向)驅動，從而導致單元之光學特性之不當的局部不均勻性。
然而，使用複合透明導體作為電極有效地降低或消除奈米線之間的間隔。通常，奈米缐之間的網目尺寸應小於液晶單元間隙之1/5。更通常地，網目尺寸應小於單元間隙之1/10或1/100。次要導電介質之存在使均勻電極電場能夠被施加在液晶單元上，從而導致液晶分子均勻定向且因此之均勻光學響應。
如所示，若LCD單元中之電極僅包含奈米線，則提供1/5-1/100單元間隙之網目尺寸的表面填充量將產生不良光學特性，包括高混濁度及低對比率。然而，當將複合透明導體用作電極時，主要導電介質之金屬奈米線(或金屬奈米管)可維持約為單元間隙之網目尺寸，而如在連續導電膜之情況下，次要導電介質將網目尺寸有效地降低至單元間隙之約1/5-1/100或消除網目尺寸。所得LCD單元將具有改良之單元效能，此係因為電極之光學特性改良。
因此，一實施例提供液晶單元，其包含第一電極及第二電極，其中第一電極與第二電極之間的垂直距離界定單元間隙；其中第一電極為包括主要導電介質及次要導電介質之複合透明導體，且其中主要導電介質包括具有約為單元間隙之網目尺寸的金屬奈米線或金屬奈米管；且其中次要導電介質為連續導電膜或具有約1/5至1/100單元間隙之網目尺寸的奈米結構之導電網路。
通常，單元間隙為約3-5 μm。在某些實施例中，奈米結構之導電網路具有約1/5至1/10單元間隙或約1/10至1/100單元間隙之網目尺寸。
任何上述複合透明導體可用作液晶單元之第一電極。舉例而言，在各種實施例中，主要導電介質可為金屬奈米線(例如，銀奈米線)或金屬奈米管(例如，金奈米管)。在較佳實施例中，金屬奈米線或金屬奈米管之直徑(奈米管之外徑)為20-80 nm且長度為5-30 μm。
次要導電介質可包括碳奈米管之導電網路、不同於主要導電介質之金屬奈米線之金屬奈米線或不同於主要導電介質之金屬奈米管之金屬奈米管。
或者，次要導電介質可為連續導電膜，諸如金屬氧化物膜(例如，ITO薄膜)或導電聚合物膜(例如，PEDOT膜)。
在另一實施例中，第二電極亦可為如本文所述之複合透明導體。
在某些實施例中，第一電極具有80-95%之光透射率。
如所論述，可設計複合透明導體以減少通常與金屬奈米線有關之不良散射程度。因為次要導電介質承載電流，需要較少奈米線以達到給定電導率。此外，此處所述之次要導電介質通常為非反射性、低反射性或包含具有小散射橫截面之奈米結構；因此由於存在較少奈米線，故總散射減少。
額外層
在另一實施例中，可沈積外塗層之惰性層以穩定化且保 護複合透明導體。外塗層亦可提供有利之光學特性，諸如防眩光及抗反射特性，其用以進一步降低奈米粒子之反射率。
因此，外塗層可為硬塗層、抗反射層、保護膜、障壁層及其類似物中之一或多者，其中所有廣泛論述於同在申請中之申請案第11/871,767及11/504,822號中。
合適硬塗層之實例包括合成聚合物，諸如聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽-丙烯酸系)等。合適防眩光材料在此項技術中所熟知，包括(但不限於)矽氧烷、聚苯乙烯/PMMA摻合物、漆(例如，乙酸丁酯/硝化纖維/蠟/醇酸樹脂)、聚噻吩、聚吡咯、聚胺基甲酸酯、硝化纖維素及丙烯酸酯，其中所有可包含諸如膠狀或煙霧狀二氧化矽之光漫射材料。保護膜之實例包括(但不限於)：聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯、三乙酸酯(TAC)、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛、金屬離子交聯之乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚胺基甲酸酯、塞璐芬(cellophane)、聚烯烴或其類似物；尤其較佳為PET、PC、PMMA或TAC。
圖案化
可取決於本文所述之複合透明導體之末端用途將其圖案化。可使用任何在此項技術中已知之方法及共同擁有且同在申請中之美國專利申請案11/504,822、11/871,767中所述 之所有圖案化方法以圖案化複合透明導體。
複合透明導體之應用
本文所述之複合透明導體可用作功能性薄膜，諸如包括當前使用金屬氧化物膜(例如，ITO)之所有裝置之多種裝置中之透明電極、偏光器、濾色器。圖9示意地顯示裝置280，其包括外殼288中之複合透明導體284。複合透明導體可為主要導電介質(亦即，複數個金屬奈米線)及次要導電介質(亦即，連續導電膜)之任何上述組態或組合。
合適裝置之實例包括平板顯示器(諸如LCD、電漿顯示面板(PDP))、用於著色平板顯示器之濾色器上之塗層、觸摸式顯示幕、電磁干擾、電磁遮蔽、功能玻璃(例如，用於電致變色窗)、包括EL燈及光電電池之光電子裝置及其類似物。此外，本文之透明導體可用於可撓性裝置中，諸如可撓性顯示器及觸摸式顯示幕。參見同在申請中之申請案第11/871,767號。
實例 實例1 銀奈米線之合成
藉由在聚(乙烯吡咯啶酮)(PVP)存在下還原溶解於乙二醇中之硝酸銀來合成銀奈米線。該方法描述於(例如)Y. Sun、B. Gates、B. Mayers及Y. Xia, "Crystalline silver nanowires by soft solution processing",Nanolett , (2002), 2(2)165-168中。可藉由離心或其他已知方法選擇性地分離均勻銀奈米線。
或者，可藉由將合適離子型添加劑(例如，四丁基氯化銨)添加至以上反應混合物中直接合成均勻銀奈米線。因此所產生之銀奈米線可在無尺寸選擇之單獨步驟的情況下直接使用。此合成更詳細地描述於在Cambrios Technologies Corporation(本申請案之受讓人)之名義下美國臨時申請案第60/815,627號中，該申請案以全文引用的方式併入本文中。
在以下實例中，使用寬度為70 nm至80 nm且長度為約8 μm-25 μm之銀奈米線。通常，用較高縱橫比(亦即較長且較細)之導線可達到更佳光學特性(較高透射率及較低混濁度)。
實例2 複合透明導體之製備
可將金屬奈米線調配至墨水組合物中，之後沈積於基板或諸如ITO膜之連續導電膜及導電聚合物膜上。
可將ITO膜直接濺鍍於基板上，接著沈積奈米線層。或者，可首先將奈米線層沈積於基板上，接著於奈米線層上直接濺鍍ITO膜。
若次要導電介質包括碳奈米管，則可將碳奈米管與金屬奈米線一起調配至同一墨水組合物中以用於共沈積。或者，可在金屬奈米線沈積之前或之後將碳奈米管調配至單獨墨水組合物中以用於連續沈積。
通常，墨水組合物包含促進奈米結構分散及/或奈米結構固定於基板上之製劑。該等製劑包括界面活性劑、黏度 改質劑及其類似物。可在同在申請中之美國專利申請案第11/504,822號中發現調配墨水組合物之詳細說明，該案以全文引用的方式併入本文中。
用於沈積金屬奈米線之典型墨水組合物包含0.0025重量%至0.1重量%之界面活性劑(例如，對於Zonyl® FSO-100較佳範圍為0.0025重量%至0.05重量%)、0.02重量%至4重量%之黏度改質劑(例如，對於羥丙基甲基纖維素或HPMC較佳範圍為0.02重量%至0.5重量%)、94.5重量%至99.0重量%之溶劑及0.05重量%到1.4重量%之金屬奈米線。合適界面活性劑之代表性實例包括Zonyl® FSN、Zonyl® FSO、Zonyl® FSH、Triton(×100、×114、×45)、Dynol(604，607)、正十二烷基b-D-麥芽糖苷及Novek。合適黏度改質劑之實例包括羥基丙基甲基纖維素(HPMC)、甲基纖維素、三仙膠、聚乙烯醇、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素。合適溶劑之實例包括水及異丙醇。
可基於奈米線之所要濃度製備墨水組合物，該濃度為形成於基板上之最終導電膜之裝填密度的指數。
基板可為其上沈積奈米線之任何材料。該基板可為剛性或可撓性的。較佳地，基板亦為光學上澄清的，亦即，在可見光區(400 nm-700 nm)中材料之光透射率為至少80%。
剛性基板之實例包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸酯及其類似物。詳言之，可使用諸如無鹼玻璃(例如，硼矽酸鹽)、低鹼玻璃及零膨脹係數玻璃陶瓷之特種玻璃。特種玻璃尤其適合於薄平板顯示器系統，包括液晶顯示器(LCD)。
可撓性基板之實例包括(但不限於)：聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)、聚烯烴(例如，直鏈、支鏈及環狀聚烯烴)、聚乙烯(例如，聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚乙烯醇縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯及其類似物)、纖維素酯基質(例如，三乙酸纖維素、乙酸纖維素)、諸如聚醚碸之聚碸、聚醯亞胺、聚矽氧及其他習知聚合膜。
可根據(例如)同在申請中之美國專利申請案第11/504,822號中所述之方法將墨水組合物沈積於基板上。
作為特定實例，首先製備銀奈米線之水性分散液，亦即墨水組合物。該等銀奈米線之寬度為約35 nm至45 nm且長度為10 μm左右。墨水組合物包含0.2重量%之銀奈米線、0.4重量%之HPMC及0.025重量%Triton×100。隨後墨水將以500 rpm之速度旋塗於玻璃上歷時60秒，接著在50℃下後烘焙90秒且在180℃下後烘焙90秒。經塗佈之薄膜具有約20歐姆/平方之電阻率，96%之透射率(使用玻璃作為參考)及3.3%之混濁度。
如熟習此項技術者所瞭解，可使用其他沈積技術，例如由窄通道量測之沈積流、模流動、斜坡上之流動、隙縫塗覆、凹板印刷式塗覆、微凹板印刷式塗覆、液滴塗覆、浸塗、狹縫式塗覆及其類似物。印刷技術亦可在有或沒有圖案化之情況下用以將墨水組合物直接印刷於基板上。舉例而言，可使用噴墨、柔版印刷及絲網印刷。
應進一步瞭解流體之黏度及剪切行為以及奈米線之間的 相互作用可影響所沈積之奈米缐之分布及互連性。
實例3 透明導體之光學及電特性之評估
評估根據本文所述之方法製備之複合透明導體以確定其光學及電特性。
根據ASTM D1003中之方法獲得光透射率數據。使用BYK Gardner Haze-gard Plus量測混濁度。使用Fluke 175 True RMS萬用錶或無觸點電阻計、Delcom型717B電導監測器量測表面電阻率。更典型裝置為用於量測電阻之4點探針系統(例如，由Keithley Instruments出品)。
亦可在光學或掃描電子顯微鏡下觀察到奈米缐之互連性及基板之覆蓋區域。
實例4 複合透明導體之電阻率之評估
首先將ITO膜濺鍍於玻璃基板上。ITO膜為約250Ω/。將銀奈米線膜塗佈於ITO膜上。銀奈米線膜係基於製備薄層電阻約300-500Ω/之導電膜之墨水組合物。
若僅將複合透明導體處理為一對並聯電阻器，則薄層電阻將具有約135-170Ω/之預期值。然而，所得複合膜顯示50-80Ω/範圍內之薄層電阻，其比預期值相比導電性高約100%。因此，與單純個別導電介質之疊加效應相比，組合之導電介質展示較高電導率。
本說明書中所提及及/或列於申請案資料表中之所有以上美國專利、美國專利申請公開案、美國專利申請案、國 外專利、國外專利申請案及非專利出版物皆以全文引用的方式併入本文中。
自先前描述應瞭解，雖然已為說明之目的於本文中描述了本發明之特定實施例，但可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下進行各種修改。因此，本發明除由附加申請專利範圍限制之外不受其他限制。
10‧‧‧導電網路
12‧‧‧薄膜
20‧‧‧奈米線
30‧‧‧線間隔
34‧‧‧複合透明導體
40‧‧‧連續導電膜
44‧‧‧複合透明導體
48‧‧‧奈米結構
50‧‧‧導電膜
50a‧‧‧奈米線
50b‧‧‧基板
54‧‧‧導電膜
54a‧‧‧奈米線
54b‧‧‧基板
58‧‧‧線
62‧‧‧線間隔
66‧‧‧線間隔
70‧‧‧連續膜
74‧‧‧連續膜
78‧‧‧線
110‧‧‧基板
140‧‧‧複合透明導體
144‧‧‧奈米線層
148‧‧‧CNT層
150‧‧‧複合透明導體
152‧‧‧基板
160‧‧‧複合透明導體
164‧‧‧導電層
168‧‧‧奈米線
170‧‧‧複合透明導體
172‧‧‧CNT
174‧‧‧奈米線
178‧‧‧奈米線
182‧‧‧線間隔
186‧‧‧複合膜
188‧‧‧ITO膜
192‧‧‧奈米線膜
194‧‧‧奈米線
196‧‧‧複合膜
198‧‧‧並聯電阻器
199‧‧‧並聯電阻器
200‧‧‧複合膜
204‧‧‧導電聚合物膜
220‧‧‧奈米線膜
224‧‧‧奈米線
230‧‧‧複合膜
250‧‧‧LCD配置
254‧‧‧像素電極
260‧‧‧對立電極
270‧‧‧液晶單元
280‧‧‧裝置
284‧‧‧複合透明導體
288‧‧‧外殼
圖1顯示在電滲透位準以上之金屬奈米線之薄膜。
圖2A顯示在電滲透位準以下之金屬奈米線之薄膜。
圖2B顯示包含在電滲透位準以下之金屬奈米線且與連續導電膜組合之複合透明導體。
圖2C顯示包含在電滲透位準以下之金屬奈米線，且與第二類型的各向異性奈米結構組合之複合透明導體。
圖3A顯示位於相鄰金屬奈米線之間的不均勻電場。
圖3B顯示在連續導電膜存在下之均勻電場。
圖4A-4C顯示基於金屬奈米線及碳奈米管之複合透明導體之實施例。
圖5顯示具有尺寸不同之兩種不同類型之金屬奈米線之複合透明導體。
圖6A-6B顯示基於金屬奈米線及金屬氧化物膜之複合透明導體之實施例。
圖6C示意地顯示一對並聯電阻。
圖7A-7B顯示基於金屬奈米線及導電聚合物膜之複合透明導體之實施例。
圖8示意地說明定位於兩個透明電極之間的液晶材料。
圖9顯示併入有複合透明導體之裝置。
50a‧‧‧奈米線
50b‧‧‧基板
54b‧‧‧基板
62‧‧‧線間隔
66‧‧‧線間隔
70‧‧‧連續膜
74‧‧‧連續膜
78‧‧‧線

Claims (36)

  1. 一種複合透明導體，其包含：包括複數個金屬奈米結構之主要導電介質，該等奈米結構為金屬奈米線或金屬奈米管；及與該主要導電介質耦接之次要導電介質，該次要導電介質為金屬氧化物膜，其中該等複數個奈米結構係處於電滲透臨限值以下。
  2. 如請求項1之複合透明導體，其中該主要導電介質係位於該次要導電介質之頂部。
  3. 如請求項1之複合透明導體，其中該主要導電介質在該次要導電介質之下。
  4. 如請求項1之複合透明導體，其中該金屬氧化物膜為氧化銦錫(ITO)膜。
  5. 如請求項1之複合透明導體，其中該主要導電介質與該次要導電介質係經電耦接者。
  6. 如請求項1之複合透明導體，其具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。
  7. 如請求項1之複合透明導體，其中該等金屬奈米線為銀奈米線。
  8. 一種複合透明導體，其包含：包括複數個金屬奈米結構之主要導電介質，該等奈米結構為金屬奈米線或金屬奈米管；及藉由實體接觸或電連接而與該主要導電介質耦接之次要導電介質，其中該次要導電介質包括奈米碳管之導電 網路，其中該等奈米碳管及主要導電介質之奈米結構整合於單一導電網路中。
  9. 如請求項8之複合透明導體，其中該等金屬奈米線係位於該碳奈米管導電網路之頂部。
  10. 如請求項8之複合透明導體，該碳奈米管導電網路係位於該等金屬奈米線層之頂部。
  11. 如請求項8之複合透明導體，其進一步包含第三類型導電奈米結構。
  12. 如請求項11之複合透明導體，其中該第三類型導電奈米結構為金屬奈米粒子、金屬氧化物奈米粒子、金屬奈米線、碳黑或其組合。
  13. 如請求項8之複合透明導體，其中該等金屬奈米線為銀奈米線。
  14. 如請求項8之複合透明導體，其具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。
  15. 如請求項8之複合透明導體，其中該第二類型奈米結構之該導電網路包括金屬奈米管。
  16. 如請求項8之複合透明導體，其中該等金屬奈米管為金奈米管。
  17. 一種裝置，其包含如請求項1或8之複合透明導體，其中該裝置為平板顯示器、觸摸式顯示幕、電磁遮蔽、電磁干擾裝置、電致發光裝置或光電電池。
  18. 如請求項17之裝置，其中該等金屬奈米線為銀奈米線。
  19. 如請求項17之裝置，其中該金屬氧化物膜為氧化銦錫 (ITO)膜。
  20. 如請求項17之裝置，其中該複合透明導體形成第一透明電極。
  21. 如請求項20之裝置，其進一步包含形成與該第一透明電極相對之第二透明電極之第二複合透明導體。
  22. 如請求項17之裝置，其中該複合透明導體具有高於85%之光透射率及小於1000Ω/之薄層電阻。
  23. 一種液晶顯示單元，其包含：第一電極；及第二電極，其中該第一電極與該第二電極之間的垂直距離界定單元間隙；其中該第一電極為包括主要導電介質及次要導電介質之複合透明導體，且其中該主要導電介質包括具有約為該單元間隙之網目尺寸的金屬奈米線或金屬奈米管；且其中該次要導電介質為連續導電膜或具有為該單元間隙之約1/5至1/100之網目尺寸的奈米結構之導電網路。
  24. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該奈米結構導電網路具有為該單元間隙之約1/5至1/10之網目尺寸。
  25. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該奈米結構導電網路具有為該單元間隙之約1/10至1/100之網目尺寸。
  26. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該奈米結構導電網路為碳奈米管。
  27. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該奈米結構導電網路為不同於該主要導電介質之該等金屬奈米線之金屬奈米 線。
  28. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該奈米結構導電網路為不同於該主要導電介質之該等金屬奈米管之金屬奈米管。
  29. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該次要導電介質為金屬氧化物膜。
  30. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該次要導電介質為導電聚合物膜。
  31. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該主要導電介質包含銀奈米線。
  32. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該主要導電介質包含金奈米管。
  33. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該單元間隙在約3-5μm之間。
  34. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該第二電極為複合透明導體。
  35. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該第一電極具有80-95%之光透射率。
  36. 如請求項23之液晶顯示單元，其中該第一電極包含直徑為20-80nm且長度為5-30μm之金屬奈米線。
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Families Citing this family (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2014-07-09 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤに基づく透明導電体
US8454721B2 (en) * 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TWI426531B (zh) * 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
AU2008260162B2 (en) 2007-05-29 2013-06-20 Tpk Holding Co., Ltd. Surfaces having particles and related methods
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP5221088B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-26 株式会社クラレ 透明導電膜およびその製造方法
JP2011515510A (ja) 2008-02-26 2011-05-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 導電性特徴をスクリーン印刷するための方法および組成物
WO2010022353A1 (en) 2008-08-21 2010-02-25 Innova Meterials, Llc Enhanced surfaces, coatings, and related methods
KR20100029633A (ko) * 2008-09-08 2010-03-17 삼성전자주식회사 능동형 반투과 소자를 구비하는 디스플레이 장치
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
JP5306760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 透明導電体、タッチパネル、及び太陽電池パネル
JP5189449B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物、及び透明導電体
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
KR20100045675A (ko) 2008-10-24 2010-05-04 삼성전자주식회사 표시 장치
US8642118B2 (en) 2009-01-16 2014-02-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Pattern electrode manufacturing method and pattern electrode
EP2409486A4 (en) * 2009-03-18 2012-08-22 Bayer Materialscience Ag OPTICAL TRENCH LEVEL SYSTEM
JP5625256B2 (ja) * 2009-04-02 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9536633B2 (en) 2009-04-10 2017-01-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Metallic composite and composition thereof
KR101009442B1 (ko) * 2009-04-15 2011-01-19 한국과학기술연구원 전도성 구조체를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
GB0908300D0 (en) 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
CN101963681B (zh) * 2009-07-24 2012-06-20 清华大学 偏光元件
EP2470610A1 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 Cambrios Technologies Corporation Purification of metal nanostructures for improved haze in transparent conductors made from the same
JP2013503260A (ja) * 2009-08-25 2013-01-31 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノワイヤの形態を制御する方法
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
KR101587124B1 (ko) * 2009-09-23 2016-01-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8917377B2 (en) 2009-10-22 2014-12-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Active lenses, stereoscopic image display apparatuses including active lenses and methods of operating the same
KR101632315B1 (ko) * 2009-10-22 2016-06-21 삼성전자주식회사 능동 렌즈 및 이를 채용한 입체 영상 디스플레이 장치
KR101611422B1 (ko) * 2009-11-17 2016-04-12 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
WO2011065213A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 分散液、透明電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9586816B2 (en) * 2009-12-04 2017-03-07 Cam Holding Corporation Nanostructure-based transparent conductors having increased haze and devices comprising the same
EP2524380B1 (en) * 2010-01-15 2021-06-23 Cambrios Film Solutions Corporation Low-haze transparent conductors
CN102781816A (zh) 2010-01-25 2012-11-14 小利兰·斯坦福大学托管委员会 富勒烯掺杂的纳米结构及其方法
KR20120120358A (ko) * 2010-01-25 2012-11-01 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 결합된 나노구조체 및 이를 위한 방법
JP2013518974A (ja) * 2010-02-05 2013-05-23 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 感光性インク組成物および透明導体ならびにこれらの使用方法
KR20130010471A (ko) * 2010-02-27 2013-01-28 이노바 다이나믹스, 인코포레이티드 표면 임베디드 첨가물을 갖는 구조 및 관련 제조 방법
US8518472B2 (en) * 2010-03-04 2013-08-27 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including doped carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
TWI549900B (zh) 2010-03-23 2016-09-21 坎畢歐科技公司 奈米結構透明導體之圖案化蝕刻
EP2418033B1 (en) * 2010-04-06 2020-05-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Metal complex and composition containing same
US9904393B2 (en) * 2010-06-11 2018-02-27 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
TWI416544B (zh) * 2010-06-23 2013-11-21 Nat Univ Tsing Hua 複合電極及其製作方法、矽太陽能電池電極及矽太陽能電池
US10306758B2 (en) * 2010-07-16 2019-05-28 Atmel Corporation Enhanced conductors
FR2962852A1 (fr) * 2010-07-19 2012-01-20 Saint Gobain Electrode transparente pour cellule photovoltaique a haut rendement
KR101119269B1 (ko) * 2010-07-26 2012-03-16 삼성전기주식회사 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법
EP2598942A4 (en) * 2010-07-30 2014-07-23 Univ Leland Stanford Junior CONDUCTIVE FILMS
KR101489161B1 (ko) * 2010-07-30 2015-02-06 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101658154B1 (ko) * 2010-07-30 2016-10-04 엘지디스플레이 주식회사 광전소자 및 그의 제조방법
AU2011289620C1 (en) 2010-08-07 2014-08-21 Tpk Holding Co., Ltd. Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods
US20120061625A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Eckert Karissa L Transparent conductive films, compositions, articles, and methods
US9112058B2 (en) 2010-09-10 2015-08-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Interface apparatus and methods
WO2012040637A2 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 The Regents Of The University Of California Nanowire-polymer composite electrodes
JP5664119B2 (ja) * 2010-10-25 2015-02-04 ソニー株式会社 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、光電変換装置および電子機器
KR20120044545A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
US20120111614A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-10 Free James J Integrated composite structure and electrical circuit utilizing carbon fiber as structural materials and as electric conductor
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
JP2014505963A (ja) * 2010-12-07 2014-03-06 ロディア オペレーションズ 導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイス
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
EP2465966A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-20 Innovation & Infinity Global Corp. Transparent conductive structure and method of making the same
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
KR101892198B1 (ko) * 2010-12-15 2018-08-27 콘달리그 에이에스 자외선 경화성 전도성 조성물의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 조성물
CN102569432B (zh) * 2010-12-17 2014-12-10 国家纳米科学中心 一种透明电极材料及其制备方法
KR20120071149A (ko) * 2010-12-22 2012-07-02 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US20120273455A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Clean Energy Labs, Llc Methods for aligned transfer of thin membranes to substrates
US9575598B2 (en) 2010-12-27 2017-02-21 Tsinghua University Inputting fingertip sleeve
JP2012146430A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Innovation & Infinity Global Corp 混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法
KR101795419B1 (ko) * 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
US20120196053A1 (en) * 2011-01-28 2012-08-02 Coull Richard Methods for creating an electrically conductive transparent structure
WO2012112818A2 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 The Regents Of The University Of California Interpenetrating networks of crystalline carbon and nano-scale electroactive materials
JP4893867B1 (ja) 2011-02-23 2012-03-07 ソニー株式会社 透明導電膜、分散液、情報入力装置、および電子機器
WO2012118582A1 (en) 2011-02-28 2012-09-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
US10494720B2 (en) 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
US20140008747A1 (en) * 2011-03-29 2014-01-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of producing organic photoelectric conversion device
US9215797B2 (en) * 2011-04-07 2015-12-15 Nissha Printing Co., Ltd. Transfer sheet provided with transparent conductive film mainly composed of graphene, method for manufacturing same, and transparent conductor
WO2012145157A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-26 3M Innovative Properties Company Transparent electrode for electronic displays
CN102208547B (zh) * 2011-04-18 2013-11-20 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102201549B (zh) * 2011-04-18 2013-08-14 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102195006A (zh) * 2011-04-26 2011-09-21 福州大学 基于azo/石墨烯/azo结构的柔性电极及其制备
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
US8974900B2 (en) * 2011-05-23 2015-03-10 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film with hardcoat layer
TWI427644B (zh) * 2011-06-13 2014-02-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech 透明導電膜結構之製造方法
JP5866492B2 (ja) 2011-06-14 2016-02-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池およびその製造方法
WO2013003638A2 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Arjun Daniel Srinivas Transparent conductors incorporating additives and related manufacturing methods
US9573163B2 (en) * 2011-07-01 2017-02-21 Cam Holding Corporation Anisotropy reduction in coating of conductive films
KR101327069B1 (ko) 2011-07-28 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 전극 구조체 및 전극 제조 방법
US20140267107A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Sinovia Technologies Photoactive Transparent Conductive Films
US20130039806A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-14 Jeffrey Blinn Nanowire purification methods, compositions, and articles
JP5813875B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 イノバ ダイナミックス， インコーポレイテッド パターン化された透明導体および関連する製造方法
CN103858242B (zh) * 2011-08-26 2016-08-17 加州大学校务委员会 纳米结构的透明导电氧化物电致变色装置
KR20130030903A (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP5583097B2 (ja) * 2011-09-27 2014-09-03 株式会社東芝 透明電極積層体
JP5646424B2 (ja) * 2011-09-27 2014-12-24 株式会社東芝 透明電極積層体
KR101331112B1 (ko) 2011-09-28 2013-11-19 (주)바이오니아 탄소나노튜브 및 금속산화물으로 이루어진 나노복합체 및 이의 제조방법
KR20190092492A (ko) 2011-10-13 2019-08-07 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 금속 나노와이어들을 통합한 전극을 갖는 광전기 디바이스들
US9560754B2 (en) 2011-10-13 2017-01-31 The Johns Hopkins University Solution processed nanoparticle-nanowire composite film as a transparent conductor for opto-electronic devices
US9279551B2 (en) * 2011-12-05 2016-03-08 Koninklijke Philips N.V. Lighting system
WO2013086139A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Duke University Synthesis of cupronickel nanowires and their application in transparent conducting films
KR20130070729A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 제일모직주식회사 메탈나노와이어 및 탄소나노튜브를 포함하는 적층형 투명전극.
CN104094362B (zh) 2011-12-21 2017-01-18 3M创新有限公司 基于银纳米线的透明导电涂层的激光图案化
US10041748B2 (en) 2011-12-22 2018-08-07 3M Innovative Properties Company Carbon coated articles and methods for making the same
CN104321830B (zh) 2011-12-22 2017-09-22 3M创新有限公司 具有高透光率的导电制品
CN103213350B (zh) * 2012-01-18 2015-07-08 国家纳米科学中心 一种透明导电薄膜及其制备方法
US9917255B2 (en) * 2012-02-03 2018-03-13 Northwestern University Methods of making composite of graphene oxide and nanostructures
US9524806B2 (en) * 2012-02-07 2016-12-20 Purdue Research Foundation Hybrid transparent conducting materials
GB201203511D0 (en) * 2012-02-29 2012-04-11 Ibm Position sensing apparatus
KR101324281B1 (ko) * 2012-03-15 2013-11-01 인하대학교 산학협력단 고유연성을 가지는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드를 기반으로 하는 투명전도성 필름
DE102012102319A1 (de) 2012-03-20 2013-09-26 Rent A Scientist Gmbh Nichtlineare Nanodrähte
US9490048B2 (en) 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
JP5836866B2 (ja) 2012-03-30 2015-12-24 株式会社東芝 炭素電極とその製造方法およびそれを用いた光電変換素子
US10483104B2 (en) 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
JP2013211212A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toshiba Corp 積層電極とその製造方法およびそれ用いた光電変換素子
TW201342102A (zh) * 2012-04-06 2013-10-16 Cambrios Technologies Corp 減少光學堆疊之漫反射之系統及方法
FR2989485B1 (fr) * 2012-04-11 2016-02-05 Commissariat Energie Atomique Capteur tactile et procede de fabrication d'un tel capteur
CN102616033A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种快速制备高透光性导电图案的方法
JP5706998B2 (ja) 2012-04-26 2015-04-22 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
KR101388682B1 (ko) * 2012-04-30 2014-04-24 한국교통대학교산학협력단 은 나노와이어 및 그라핀을 이용한 하이브리드 전극 및 이의 제조방법
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
US20130309613A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 Corning Incorporated Liquid Based Films
US9086523B2 (en) * 2012-05-29 2015-07-21 The Boeing Company Nanotube signal transmission system
US9655252B2 (en) * 2012-06-01 2017-05-16 Suzhou Nuofei Nano Science And Technology Co., Ltd. Low haze transparent conductive electrodes and method of making the same
US20140014171A1 (en) 2012-06-15 2014-01-16 Purdue Research Foundation High optical transparent two-dimensional electronic conducting system and process for generating same
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
TWI585032B (zh) * 2012-06-28 2017-06-01 無限科技全球公司 用於製造奈米結構的方法
WO2014015284A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 The Regents Of The University Of California High efficiency organic light emitting devices
KR101431705B1 (ko) * 2012-08-29 2014-08-20 (주)탑나노시스 나노와이어-탄소나노튜브 하이브리드 필름 및 이의 제조 방법
US20140060726A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Bluestone Global Tech Limited Methods for transferring graphene films and the like between substrates
CN104797363B (zh) 2012-09-27 2018-09-07 罗地亚经营管理公司 制造银纳米结构的方法和可用于此方法的共聚物
KR20140046923A (ko) 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
KR20140058895A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 삼성정밀화학 주식회사 전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법
KR101991964B1 (ko) * 2012-11-07 2019-06-21 삼성에스디아이 주식회사 코어-쉘 구조를 갖는 나노와이어의 제조방법
JP5993028B2 (ja) * 2012-11-08 2016-09-14 アルプス電気株式会社 導電体及びその製造方法
KR101486636B1 (ko) * 2012-12-06 2015-01-29 세종대학교산학협력단 광투과 복합필름 및 이의 제조방법
JP6289494B2 (ja) * 2012-12-07 2018-03-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 導電性物品
CN103151394A (zh) * 2012-12-14 2013-06-12 广东志成冠军集团有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
CN103078036B (zh) * 2013-01-17 2015-11-18 北京工业大学 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
KR101364531B1 (ko) * 2013-01-21 2014-02-19 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 투명 전극 및 그 제조 방법
WO2014116738A1 (en) 2013-01-22 2014-07-31 Cambrios Technologies Corporation Nanostructure transparent conductors having high thermal stability for esd protection
DE102013002855A1 (de) 2013-02-20 2014-08-21 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Formulierungen aus gewaschenen Silberdrähten und PEDOT
WO2014129504A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 国立大学法人東京工業大学 導電性ナノワイヤーネットワーク並びにこれを利用した導電性基板及び透明電極、並びにそれらの製造方法
US9530531B2 (en) * 2013-02-21 2016-12-27 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing highly conducting and transparent films from graphene oxide-metal nanowire hybrid materials
US10468152B2 (en) * 2013-02-21 2019-11-05 Global Graphene Group, Inc. Highly conducting and transparent film and process for producing same
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
JP2014165094A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Nippon Zeon Co Ltd 導電性フィルム、タッチパネル、太陽電池用電極、および太陽電池
US20140272199A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Yi-Jun Lin Ultrasonic spray coating of conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
US20140262443A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Cambrios Technologies Corporation Hybrid patterned nanostructure transparent conductors
US8871296B2 (en) * 2013-03-14 2014-10-28 Nanotek Instruments, Inc. Method for producing conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
JP5450863B2 (ja) * 2013-03-27 2014-03-26 富士フイルム株式会社 導電層形成用分散物及び透明導電体
JP6147542B2 (ja) * 2013-04-01 2017-06-14 株式会社東芝 透明導電フィルムおよび電気素子
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
US9477128B2 (en) * 2013-04-19 2016-10-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene/metal nanowire hybrid transparent conductive films
CN104168009B (zh) * 2013-05-17 2018-03-23 光宝电子(广州)有限公司 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组
CN103242630B (zh) * 2013-05-20 2015-05-06 嘉兴学院 一种聚对苯二甲酸乙二酯(pet)基电磁屏蔽复合材料及其制备方法
WO2015005204A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 東洋紡株式会社 導電性ペースト
TW201502653A (zh) * 2013-07-10 2015-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 液晶顯示裝置
KR20150019820A (ko) * 2013-08-16 2015-02-25 일진엘이디(주) 나노와이어를 이용한 질화물 반도체 발광소자
CN103426991A (zh) * 2013-08-23 2013-12-04 厦门大学 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法
JP6308737B2 (ja) 2013-08-26 2018-04-11 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、分散液、透明導電膜、情報入力装置、及び、電子機器
KR101524069B1 (ko) * 2013-09-16 2015-06-10 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 적층형 투명 전극
US9663400B2 (en) * 2013-11-08 2017-05-30 Corning Incorporated Scratch-resistant liquid based coatings for glass
KR102065110B1 (ko) 2013-11-12 2020-02-11 삼성전자주식회사 플렉서블 그래핀 스위칭 소자
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
KR101514325B1 (ko) * 2013-12-10 2015-04-22 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 전기 방사 방법을 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102162426B1 (ko) * 2013-12-11 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
EP3084776B1 (de) * 2013-12-19 2018-06-20 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der Angewand Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
CN105814271B (zh) 2013-12-24 2019-03-22 唯景公司 遮掩电致变色玻璃结构中的汇流条
US11906868B2 (en) 2013-12-24 2024-02-20 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
US10884311B2 (en) 2013-12-24 2021-01-05 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
JP6327870B2 (ja) 2014-01-29 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、透明導電膜及びその製造方法、分散液、情報入力装置、並びに、電子機器
CN105900182B (zh) * 2014-01-31 2017-10-27 日本瑞翁株式会社 透明导电膜、色素敏化太阳能电池用光电极及触摸面板以及色素敏化太阳能电池
EP3100304A1 (en) * 2014-01-31 2016-12-07 Champ Great Int'l Corporation Tandem organic photovoltaic devices that include a metallic nanostructure recombination layer
JP6441576B2 (ja) 2014-02-03 2018-12-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜及びその製造方法、情報入力装置、並びに、電子機器
KR101586902B1 (ko) * 2014-04-09 2016-01-19 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
GB2526311B (en) * 2014-05-20 2019-06-19 M Solv Ltd Manufacturing a conductive nanowire layer
CN104009141B (zh) * 2014-05-24 2017-10-13 北京工业大学 碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管及其制作方法
JP2016027464A (ja) * 2014-05-30 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、情報処理装置
CN104020887A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
TWI486969B (zh) * 2014-06-11 2015-06-01 Nat Univ Tsing Hua 複合導電材料的製作方法及其導電薄膜
KR101536526B1 (ko) * 2014-06-17 2015-07-15 한양대학교 산학협력단 미세 구조체를 갖는 기판 및 그 제조 방법
US9801287B2 (en) 2014-07-09 2017-10-24 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
EP2977993A1 (en) 2014-07-25 2016-01-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Formulations comprising metal nanowires and pedot
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
EP3195342A4 (en) * 2014-08-07 2018-04-04 Flinders Partners Pty Ltd. Transparent electrode materials and methods for forming same
US9927667B2 (en) 2014-08-11 2018-03-27 Sci Engineered Materials, Inc. Display having a transparent conductive oxide layer comprising metal doped zinc oxide applied by sputtering
US11111396B2 (en) * 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
JP6369788B2 (ja) 2014-11-27 2018-08-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エレクトロニクス用構造体
CN105304209B (zh) * 2014-11-27 2017-02-22 中国科学院金属研究所 一种在彩色滤光片上制备透明导电薄膜的方法
CN104393194A (zh) * 2014-12-10 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置
KR20170097680A (ko) * 2014-12-16 2017-08-28 솔베이(소시에떼아노님) 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전도체, 및 그 형성 방법
CN104503162A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 具有触控功能的显示面板及其制造方法和复合电极
KR20160084715A (ko) * 2015-01-06 2016-07-14 연세대학교 산학협력단 투명전극 및 그의 제조방법
TWI684999B (zh) * 2015-01-14 2020-02-11 日商東洋紡股份有限公司 導電性膜
CN104681645B (zh) * 2015-01-23 2016-09-21 华南师范大学 一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法
KR102320382B1 (ko) 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102347960B1 (ko) 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
TWI564071B (zh) * 2015-02-09 2017-01-01 國立中山大學 結合材料粒子於石墨烯－半導體基材表面之光化學方法及半導體結構
KR101881195B1 (ko) * 2015-04-01 2018-07-23 성균관대학교산학협력단 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법
KR101676760B1 (ko) * 2015-04-09 2016-11-16 울산과학기술원 전기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101701603B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101689740B1 (ko) * 2015-04-09 2016-12-26 울산과학기술원 드럼 컬렉터를 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101701601B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 자기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102335116B1 (ko) * 2015-04-13 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
EP3286768A4 (en) * 2015-04-21 2019-01-02 Chasm Technologies, Inc. Transparent conductive film
JP6626126B2 (ja) * 2015-05-05 2019-12-25 ナノ−シー インコーポレイテッドＮａｎｏ−Ｃ， Ｉｎｃ． 多層、透明、導電性、薄層積み重ねの機械的強化用カーボンナノチューブベースハイブリッドフィルム
US10081020B2 (en) 2015-06-12 2018-09-25 Dow Global Technologies Llc Hydrothermal method for manufacturing filtered silver nanowires
US10376898B2 (en) 2015-06-12 2019-08-13 Dow Global Technologies Llc Method for manufacturing high aspect ratio silver nanowires
CN105118836B (zh) * 2015-07-29 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
CN208488734U (zh) 2015-08-21 2019-02-12 3M创新有限公司 包括金属迹线的透明导体
CN105093638A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华科创智技术有限公司 Pdlc智能膜的制备方法及pdlc智能膜
EP3159897A1 (en) 2015-10-20 2017-04-26 Solvay SA Composition for forming transparent conductor and transparentconductor made therefrom
CN106611627A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 苏州汉纳材料科技有限公司 高质量碳纳米管透明导电膜及其制备方法与应用
CN105810305B (zh) * 2015-10-23 2017-11-24 苏州汉纳材料科技有限公司 柔性CNTs/金属纳米线复合透明导电膜、其制备方法与应用
KR102581899B1 (ko) * 2015-11-04 2023-09-21 삼성전자주식회사 투명 전극 및 이를 포함하는 소자
US10147512B2 (en) 2015-12-09 2018-12-04 C3Nano Inc. Methods for synthesizing silver nanoplates and noble metal coated silver nanoplates and their use in transparent films for control of light hue
US9857930B2 (en) 2015-12-16 2018-01-02 3M Innovative Properties Company Transparent conductive component with interconnect circuit tab comprising cured organic polymeric material
CN105575477B (zh) * 2016-01-27 2017-11-28 深圳先进技术研究院 一种提高银纳米线柔性透明导电膜导电性的方法
ES2632247B1 (es) * 2016-03-11 2020-06-03 Garcia Guerrero Jorge Cable inteligente de fibra óptica y fibras de nanotubos de carbono
CN108602119B (zh) * 2016-03-14 2020-09-01 尤尼吉可株式会社 纳米线及其制造方法、纳米线分散液以及透明导电膜
KR102004025B1 (ko) * 2016-03-15 2019-07-25 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN107293591B (zh) * 2016-04-11 2020-03-31 华邦电子股份有限公司 印刷线路、薄膜晶体管及其制造方法
US20180004318A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Khaled Ahmed Flexible sensor
CN106205876A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 福建农林大学 一种柔性纤维素基透明导电材料的制备方法
KR20180044618A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
CN106526991A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 电极制作方法及液晶显示面板
EP3340252A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Electrode assembly
EP3340253A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Uv-resistant electrode assembly
CN108630708A (zh) 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
CN108621753A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 凯姆控股有限公司 平面加热结构
JP6978227B2 (ja) * 2017-05-31 2021-12-08 日東電工株式会社 調光フィルム
US11491327B2 (en) 2017-09-05 2022-11-08 Seoul National University R&Db Foundation Bio electrode and method of forming the same
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
KR101987387B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-10 한국화학연구원 광소결 전도성 전극 및 이의 제조방법
CN109822996A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 宸美（厦门）光电有限公司 电控变色车用玻璃
CN108336191B (zh) * 2017-12-08 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管芯片及制备方法
DE102018200659B4 (de) * 2018-01-16 2020-11-05 Continental Automotive Gmbh Mehrfachschichtanordnung für eine flächig ausgestaltete schaltbare Verglasung, Verglasung und Fahrzeug
CN112088410B (zh) * 2018-03-09 2023-08-08 大日本印刷株式会社 导电性膜、传感器、触控面板和图像显示装置
KR102003427B1 (ko) * 2018-03-28 2019-07-24 전북대학교산학협력단 섬유기반 접힘 투명 전극을 이용한 유연 액정 필름 및 이의 제조방법
CN108717944B (zh) * 2018-05-30 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 导电膜及其制备方法及显示装置
CN110676341B (zh) * 2018-07-03 2021-06-25 清华大学 半导体结构、光电器件、光探测器及光探测仪
CN108598288A (zh) * 2018-07-10 2018-09-28 上海大学 一种复合多功能oled电极及其制备方法
CN108693597A (zh) * 2018-08-01 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 导光结构及其制造方法、背光模组、液晶显示装置
TWI684519B (zh) * 2018-08-20 2020-02-11 郭明智 複合導電材料
KR101996833B1 (ko) * 2018-09-21 2019-10-01 현대자동차 주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
KR20220004152A (ko) 2019-05-06 2022-01-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전기 전도성 요소를 포함하는 패턴화된 물품
CN110083279A (zh) * 2019-05-07 2019-08-02 业成科技（成都）有限公司 透明导电材料、触控结构及触控装置
CN110333793B (zh) * 2019-05-09 2022-12-09 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN110201440B (zh) * 2019-05-23 2023-04-21 中色科技股份有限公司 一种板式过滤机换纸涨缩轴涨缩方法
CN110429202A (zh) 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板、制作方法及智能穿戴设备
CN111112862A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 顾氏纳米科技（浙江）有限公司 一种化学焊接银纳米线的方法
US11947233B2 (en) 2019-12-30 2024-04-02 Sage Electrochromics, Inc. Controlled randomization of electrochromic ablation patterns
CN111416058B (zh) * 2020-04-03 2024-04-19 苏州星烁纳米科技有限公司 一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法
CN113650373B (zh) * 2020-05-12 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控层及其制备方法，以及触控装置
CN115699220A (zh) * 2020-08-19 2023-02-03 东洋纺株式会社 透明导电性薄膜
CN114171241A (zh) * 2020-12-22 2022-03-11 苏州星烁纳米科技有限公司 一种导电结构及其制备方法、由其制备的电子设备
CN114694877B (zh) * 2020-12-28 2024-09-24 乐凯华光印刷科技有限公司 一种纳米银线复合透明导电膜
KR20230142737A (ko) * 2021-01-26 2023-10-11 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 전이 금속 디칼코제나이드 박막을 구비하는 광전 변환소자 및 상기 광전 변환 소자를 구비하는 수광 소자
JP2022122545A (ja) * 2021-02-10 2022-08-23 日東電工株式会社 透明導電性フィルム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200625368A (en) * 2004-12-22 2006-07-16 Powertip Technology Corp Carbon nanotube substrate structure and the manufacturing method thereof
WO2007022226A2 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors

Family Cites Families (223)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2426318A (en) * 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US3164308A (en) 1961-02-28 1965-01-05 Marcovitch Isaac Containers for liquified fuel gas
DE3368092D1 (en) 1982-07-30 1987-01-15 Mishima Paper Co Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
DE3479793D1 (en) 1983-08-01 1989-10-26 Allied Signal Inc Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4523976A (en) * 1984-07-02 1985-06-18 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor devices
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
JPS63229061A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
DE3870012D1 (de) * 1987-04-03 1992-05-21 Ciba Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende polymere und formmassen.
JP2547765B2 (ja) * 1987-04-07 1996-10-23 株式会社日立製作所 電子機器用電磁波シ−ルド構造体
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) * 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165985A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
US5198267A (en) * 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) * 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
EP0617724B1 (en) * 1991-12-16 1998-08-12 IBBOTSON, Peter, Graham Antiglare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
EP0583220B1 (de) 1992-07-15 1996-11-20 Ciba-Geigy Ag Beschichtetes Material, dessen Herstellung und Verwendung
EP0588759A1 (de) * 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
KR100214428B1 (ko) * 1993-06-30 1999-08-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
US5460701A (en) 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
EP0653763A1 (en) 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
US5759230A (en) 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
US5897945A (en) 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
JP2984595B2 (ja) 1996-03-01 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
IT1282387B1 (it) 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US5905000A (en) 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5851507A (en) 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US6344271B1 (en) 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5788738A (en) 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US5952040A (en) 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US6202471B1 (en) 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5731119A (en) 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
US5719016A (en) 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
US5867945A (en) 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6241451B1 (en) 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6265466B1 (en) 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
WO2001001475A1 (en) 1999-06-30 2001-01-04 The Penn State Research Foundation Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
JP2003504857A (ja) 1999-07-02 2003-02-04 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ ナノスコピックワイヤを用いる装置、アレイおよびその製造方法
JP4358936B2 (ja) * 1999-07-15 2009-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、ゴーグル型表示装置、表示装置の作製方法及びゴーグル型表示装置の作製方法
JP3882419B2 (ja) 1999-09-20 2007-02-14 旭硝子株式会社 導電膜形成用塗布液およびその用途
ATE459488T1 (de) 1999-09-28 2010-03-15 Kyodo Printing Co Ltd Übertragungskörper und verwendungsverfahren
CZ297808B6 (cs) 1999-10-20 2007-04-04 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fotoiniciacní prostredky, zpusob jejich prípravy a jejich pouzití
JP2002083518A (ja) 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
AU2001249323A1 (en) 2000-03-22 2001-10-03 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
US6773823B2 (en) 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
ATE337173T1 (de) 2000-06-30 2006-09-15 Ngimat Co Verfahren zum kunststoffbeschichten
JP4788852B2 (ja) 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
US6872189B2 (en) 2000-08-15 2005-03-29 Hammerhead Design And Development, Inc. Gastric access port
WO2002024344A2 (de) 2000-09-25 2002-03-28 Chemetall Gmbh Verfahren zur vorbehandlung und beschichtung von metallischen oberflächen vor der umformung mit einem lackähnlichen überzug und verwendung der derart beschichteten substrate
GB0025016D0 (en) 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
US6537667B2 (en) 2000-11-21 2003-03-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
WO2002046507A2 (en) 2000-12-04 2002-06-13 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Onium salts and the use therof as latent acids
WO2002048428A1 (en) 2000-12-12 2002-06-20 Konica Corporation Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor
US6744425B2 (en) 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
WO2002076724A1 (en) 2001-03-26 2002-10-03 Eikos, Inc. Coatings containing carbon nanotubes
KR20040000418A (ko) 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스
JP2002322558A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
AU2002239726A1 (en) 2001-05-25 2002-12-09 Northwestern University Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
WO2002100931A1 (en) 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
AU2002332422C1 (en) 2001-07-27 2008-03-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6934001B2 (en) 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
JP2004042012A (ja) * 2001-10-26 2004-02-12 Nec Corp 分離装置、分析システム、分離方法および分離装置の製造方法
ITTO20020033A1 (it) 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
WO2003068674A1 (fr) 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
JP4556204B2 (ja) 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
EP1339082A1 (en) 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
WO2004034421A2 (en) 2002-05-10 2004-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for electric field assisted deposition of films of nanoparticles
TWI360098B (en) * 2002-05-17 2012-03-11 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
EP1513621A4 (en) * 2002-05-21 2005-07-06 Eikos Inc METHOD FOR CONFIGURING COATING OF CARBON NANOTUBES AND WIRING OF CARBON NANOTUBES
KR101321255B1 (ko) 2002-06-13 2013-10-28 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 전도성 투명 나노-코팅 및 나노-잉크를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 나노-분말 코팅 및 잉크
JP3606855B2 (ja) * 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
JP3842177B2 (ja) * 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
JP4266732B2 (ja) 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
US7598344B2 (en) 2002-09-04 2009-10-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Composition, method and use of bi-functional biomaterials
AU2003268487A1 (en) 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US7572393B2 (en) * 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
WO2004023527A2 (en) * 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7560160B2 (en) 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法
EP1583715A2 (en) * 2002-12-06 2005-10-12 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
JP4341005B2 (ja) 2002-12-17 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
KR100502821B1 (ko) 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
US20060257638A1 (en) 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004241228A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Toin Gakuen プラスチックフィルム電極及びそれを用いた光電池
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
WO2004083290A2 (en) 2003-03-17 2004-09-30 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US6916842B2 (en) 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US7521851B2 (en) * 2003-03-24 2009-04-21 Zhidan L Tolt Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite
US6936761B2 (en) 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
CN1442872A (zh) * 2003-04-17 2003-09-17 上海交通大学 多层纳米透明导电膜及其制备方法
TW200503611A (en) 2003-04-28 2005-01-16 Takiron Co Electromagnetic wave shielding light diffusion sheet
TWI250202B (en) 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
US7033416B2 (en) 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
WO2004112151A2 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Patterning Technologies Limited Transparent conducting structures and methods of production thereof
CN100395283C (zh) 2003-07-04 2008-06-18 日东电工株式会社 导电纤维素基薄膜
WO2005017962A2 (en) 2003-08-04 2005-02-24 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
WO2005023466A1 (ja) 2003-09-05 2005-03-17 Mitsubishi Materials Corporation 金属微粒子、それを含む組成物、および金属微粒子の製造方法
US7416993B2 (en) 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7062848B2 (en) 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
CN101300026A (zh) 2003-10-15 2008-11-05 得克萨斯系统大学评议会 电子、光、磁、半导体和生物技术应用中作为支架的多功能生物材料
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
KR100570634B1 (ko) 2003-10-16 2006-04-12 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
US8007650B2 (en) 2003-10-24 2011-08-30 Yasuhiro Fukunaka Apparatus for manufacturing metal nanotube and process for manufacturing metal nanotube
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
EP1541528A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-15 Institut Jozef Stefan Quasi-one-dimensional polymers based on the metal-chalcogen-halogen system
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
JP4807933B2 (ja) * 2003-12-17 2011-11-02 株式会社アルバック 透明導電膜の形成方法及び透明電極
US20070158642A1 (en) 2003-12-19 2007-07-12 Regents Of The University Of California Active electronic devices with nanowire composite components
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
KR100625999B1 (ko) 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 도너 시트, 상기 도너 시트의 제조방법, 상기 도너 시트를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법, 및 상기 도너 시트를이용한 평판 표시장치의 제조방법
US7381579B2 (en) 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
JP2005302695A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
US7527668B2 (en) 2004-07-08 2009-05-05 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing metal fine particles, metal fine particles manufactured thereby, and composition, light absorbing material and applied products containing the same
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
TWI417905B (zh) * 2004-09-13 2013-12-01 Sumitomo Metal Mining Co A transparent conductive film and a method for manufacturing the same, and a transparent conductive substrate and a light-emitting device
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US20060070559A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Incredible Technologies, Inc. Unitary currency/credit card unit
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006128233A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Hitachi Ltd 半導体材料および電界効果トランジスタとそれらの製造方法
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
KR100661116B1 (ko) * 2004-11-22 2006-12-22 가부시키가이샤후지쿠라 전극, 광전 변환 소자 및 색소 증감 태양 전지
US7349045B2 (en) 2004-11-24 2008-03-25 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Displacement-designed color filter structure and method of forming the same
EP2202579A3 (en) 2004-12-03 2010-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified photoresist composition, photoresist laminated product, manufacturing method for photoresist composition, manufacturing method for photoresist pattern, and manufacturing method for connection element
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
WO2007061428A2 (en) 2004-12-27 2007-05-31 The Regents Of The University Of California Components and devices formed using nanoscale materials and methods of production
JP2008076416A (ja) 2004-12-27 2008-04-03 Sharp Corp 表示パネルの駆動装置、表示パネル及びそれを備えた表示装置並びに表示パネルの駆動方法
US20060172282A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Naik Rajesh R Peptide templates for nanoparticle synthesis obtained through PCR-driven phage display method
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
US7489432B2 (en) 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
JP2006272876A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
KR100686796B1 (ko) 2005-05-17 2007-02-26 삼성에스디아이 주식회사 전자파 차단층을 구비한 전지 외장재 및 이를 이용한파우치형 이차 전지
KR100720101B1 (ko) * 2005-08-09 2007-05-18 삼성전자주식회사 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
GB2434692A (en) * 2005-12-29 2007-08-01 Univ Surrey Photovoltaic or electroluminescent devices with active region comprising a composite polymer and carbon nanotube material.
US7507449B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
WO2007146964A2 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Robinson Matthew R Thin-film devices fromed from solid particles
US7630041B2 (en) * 2006-06-23 2009-12-08 Tsinghua University Liquid crystal cell assembly for liquid crystal display
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
JP2009057518A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Institute Of Physical & Chemical Research 異方性フィルムおよび異方性フィルムの製造方法
EP2353188A4 (en) * 2008-10-30 2015-04-08 Hak Fei Poon HYBRID, TRANSPARENT, CONDUCTIVE ELECTRODES

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200625368A (en) * 2004-12-22 2006-07-16 Powertip Technology Corp Carbon nanotube substrate structure and the manufacturing method thereof
WO2007022226A2 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Cambrios Technologies Corporation Nanowires-based transparent conductors

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