CN111416058B - 一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种导电薄膜，包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均包括金属纳米线，且从第一层薄膜到第N层薄膜中，所述第一层薄膜的金属纳米线的长度最短，和/或，所述第N层薄膜的金属纳米线的长度最长，其中，N不小于2；由于第一层薄膜的金属纳米线较短，导电薄膜设置在功能层上时，第一薄膜中的较短的金属纳米线与下层功能层的接触较好，利于电子或空穴传输，第N层薄膜的金属纳米线长度较长将减少金属纳米线的搭接点数量，使包含导电薄膜的显示装置有效降低接触电阻，改善发光均一性，适合大规模量产。
Description
技术领域
本申请属于显示领域，特别涉及一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法。
背景技术
随着光电行业的发展，透明导电薄膜得到了越来越广泛的应用。1907年Badeker首次报道半透明导电CdO材料，直到第二次世界大战，透明导电薄膜(Transparentconductive film，TCF)材料才得到足够的重视和应用。现在，TCF材料(例如ITO(Indiumtin oxide))、TFO(fluorine-doped tin oxide))已经广泛地应用在平板显示，节能玻璃和太阳能电池中。从物理角度看，物质的透光性和导电性是一对基本矛盾。一种材料要具备良好的导电性，必须同时有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率，然而较高浓度的载流子会吸收光子从而提高了材料对光的吸收率降低了其透射率。从CdO到ITO，以及AZO(Al-doped ZnO)；从金属薄膜到聚合物薄膜；从单一组分到多元材料；对透明导电薄膜的研究一直围绕这一矛盾展开。金属氧化物，特别是ITO，在可见光区具有较高的光透过率和较低的电阻率，在过去50年来一直是透明导电电极研究和应用的热点。然而金属氧化物本身导电性有限，且质脆易碎，不易变形等缺陷，同时原料资源日益稀缺，价格昂贵，已经无法满足现代光电子器件的发展的需求。
近年来用于制作透明导电薄膜的导电材料主要有：纳米线、金属纳米颗粒、导电高分子聚合物、石墨烯、碳纳米管等。其中采用纳米线导电填料制作的透明导电薄膜具有优异的导电性能和透光率,在经过多次弯折后仍然能够保持较低的表面电阻值。因此纳米线称为最具有潜力替代ITO用于制作透明导电薄膜的导电材料，受到国内外广泛的关注。
纳米线用作电极主要包括两种方式，一是有序的网格电极，即在衬底表面通过丝网印刷、电子束、聚焦离子束刻蚀等技术获得规则宏观或纳米尺度栅线。在传统晶体硅太阳能电池中，银浆栅线电极被大量使用。通过丝网印刷和后续的高温(约800℃)退火得到银浆栅线电极。但这种电极昂贵的制备方法(丝网印刷、离子束和电子束刻蚀等)大幅地提高了电极成本。二是液相法大面积制备随机纳米线薄膜电极。随机纳米线网因其优异的光电性能，耐弯折性以及易于在不同材料的衬底上进行大面积制备等优点得到了研究机构和工业界的广泛关注(Ye,S.,Rathmell,A.R.,Chen,Z.,Stewart,I.E.&Wiley,B.J.Metalnanowire networks:the next generation of transparentconductors.Advancedmaterials 26,6670-6687,doi:10.1002/adma.201402710(2014).)。然而，高表面电阻以及低表面附着力限制了纳米线的大面积应用，为了制备性能优异的纳米线电极，高温退火、高强度脉冲激光烧结和表面封装等复杂的后处理工艺被用来解决上述问题，但是这些工艺不仅耗时而且耗能。
因此，如何低成本地制备具有高透明，低表面电阻，良好衬底附着力和机械环境稳定性等优异性能的纳米线电极，成为其在光电领域，例如触摸显示、光伏等行业大规模应用的关键问题。
发明内容
针对上述技术问题，本申请提供一种导电薄膜，包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均包括金属纳米线，且从第一层薄膜到第N层薄膜中，第一层薄膜的金属纳米线的长度最短，和/或，第N层薄膜的金属纳米线的长度最长，其中，N不小于2。
进一步地，所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm。
进一步地，所述第N层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。
进一步地，包括依次层叠结合的两层薄膜，所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm，所述第二层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。
进一步地，所述导电薄膜的透光率为50％～99.9％。
进一步地，所述导电薄膜的方阻小于50Ω/□。
进一步地，所述金属纳米线包括金纳米线、银纳米线、铜纳米线、铁纳米线、钴纳米线、镍纳米线中的至少一种；
进一步地，从所述第一层薄膜到所述第N层薄膜中各层的所述金属纳米线的长径比范围为10～10000；
优选地，所述金属纳米线的直径范围为1～100nm。
本申请还提供一种显示装置，包括底电极；
第一功能层，设置于所述底电极上；
电致发光层，设置于所述第一功能层上；
第二功能层，设置于所述电致发光层上；和
顶电极，设置于所述第二功能层上；
其中，所述顶电极包括如上所述的导电薄膜。
本申请还提供一种显示装置的制备方法，包括步骤：将金属纳米线溶液以若干次涂布的方式涂覆在所述第二功能层上形成导电薄膜；
其中，每次涂布包括以下步骤：
提供金属纳米线溶液，所述金属纳米线溶液包括金属纳米线和有机溶剂；
将所述金属纳米线溶液涂布于所述基板上；
干燥所述金属纳米线溶液形成一层金属纳米线膜；
对所述金属纳米线膜进行紫外光照射。
有益效果：
1、本申请的导电薄膜中由于第一层薄膜的金属纳米线较短，导电薄膜设置在功能层上时，第一薄膜中的较短的金属纳米线与下层功能层的接触较好，利于电子或空穴传输。
2、现有技术是将金属纳米线嵌入基材中形成复合电极后，再贴合于功能层上；而本申请可以直接将金属纳米线设置于功能层上，形成金属纳米线网络状结构的顶电极，顶电极完全由金属纳米线构成，例如银纳米线(AgNWs)，整个顶电极的面电阻非常小，增强了导电性；
3、显示装置的顶电极中无基材混入，顶电极的透光度得到提高；
4、与现有技术中ITO通过磁控溅镀方式相比，本申请的金属纳米线可以直接形成于显示装置的功能层上，不会对功能层造成破坏；
5、金属纳米线网络状结构的顶电极对功能层的膜平整性无过多要求，简化工艺；
6、包含本申请导电薄膜的显示装置有效降低接触电阻，改善发光均一性，适合大规模量产。
附图说明
图1是本申请一实施方式中导电薄膜10的结构示意图；
图2是本申请一实施方式中显示装置100的结构示意图；
图3是本申请一实施方式中导电薄膜的制备流程图；
图4是本申请一实施方式中紫外光线照射金属纳米线膜示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的且不意图为限制性的。如果未另外定义，说明书中的所有术语(包括技术和科学术语)可如本领域技术人员通常理解的那样定义。常用字典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开内容中的含义一致的含义，并且不可以理想方式或者过宽地解释，除非清楚地定义。此外，除非明确地相反描述，措辞“包括”和措辞“包含”当用于本说明书中时表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、要素、和/或组分，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、要素、组分、和/或其集合。因此，以上措辞将被理解为意味着包括所陈述的要素，但不排除任何其它要素。
将理解，尽管术语第一、第二、第三等可在本文中用于描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因而，在不背离本实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可称为第二元件、组分、区域、层或部分。
定义
以下定义适用于关于本发明一些实施方式描述的一些方面，这些定义同样可以在本文得到扩展。
除非上下文另做清楚规定，否则如本文使用的，单数形式“一个”和“所述”包括多个指代物。除非上下文另做清楚规定，否则提到一个对象可包括多个对象。
如本文使用的，术语“邻近”是指接近或邻接。邻近的对象可彼此间隔开，或者可彼此实际或直接接触。在一些情况中，邻近的对象可彼此连接，或者可彼此整体的形成。
如本文使用的，术语“连接”、是指操作性耦接或链接。链接的对象可彼此直接耦接，或者可经由另一组对象彼此间接地耦接。
如本文使用的，相对性术语，例如“里边”、“内部”、“外面”、“外部”、“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“后面”、“上部”、“下部”、“垂直”、“横向”、“在……之上”及“在……之下”是指例如根据附图，一组对象先对彼此的取向，但在制造或使用期间不要求这些对象的特定取向。
如本文使用的，术语“纳米范围”或“nm范围”是指约1nm至约1μm的尺寸范围。
如本文使用的，术语“纵横比”是指对象的最大尺寸或范围与所述对象的其余尺寸或范围的平均值的比，其中所述其余尺寸相对彼此且相对最大尺寸正交。在一些情况中，对象的其余尺寸可基本上相同，并且所述其余尺寸的平均值可基本上对应于所述其余尺寸中的任一项。例如，圆柱体的纵横比是指圆柱体的长度与圆柱体截面直径的比。
如本文使用的，术语“纳米级”对象是指具有至少一个在纳米范围内的尺寸的对象。纳米级对象可具有任何的各种各样的形状，并且可由各种各样的材料形成。纳米级对象的实例包括纳米线、纳米管、纳米片、纳米颗粒以及其他纳米结构。
如本文使用的，术语“纳米线”是指细长的纳米级对象，其基本上是实心的。一般的，纳米线具有纳米范围内的横向尺寸(例如，以直径、宽度、或表示跨正交方向的平均值的宽度或直径形式的截面尺寸)。
如图1所示，为本申请一实施方式中导电薄膜的结构示意图。导电薄膜10包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均包括金属纳米线，且从第一层薄膜11到第N层薄膜1N中，所述第一层薄膜11的金属纳米线的长度最短，和/或，所述第N层薄膜的金属纳米线的长度最长，其中，N不小于2。本实施例方式对第二层薄膜至第N层薄膜1N之间的薄膜的金属纳米线的长度不进行限定，只要满足第一层薄膜11的金属纳米线的长度最短，和/或，第N层薄膜1N的金属纳米线的长度最长即属于本申请的保护范围。由于第一层薄膜11的金属纳米线较短，导电薄膜10设置在功能层上时，第一薄膜11中的较短的金属纳米线与下层功能层的接触较好，利于电子或空穴传输。第一层薄膜11中的金属纳米线长度较短，与底部的功能层接触良好，降低导电薄膜10的驱动电压，第N层薄膜1N的金属纳米线最长，长的金属纳米线与下方薄膜中短的金属纳米线搭接时可有效减少搭接点数量，降低接触电阻，导电薄膜10用于电致发光器件时可改善发光均一性，器件性能优异，重复性好，适合大规模量产制造。
在本申请第二个具体实施方式中，导电薄膜10的第一层薄膜11中的金属纳米线的长度为1-20μm，例如第一层薄膜中的金属纳米线的长度可以为1μm、2μm、3μm、5μm、6μm、8μm、10μm、15μm、18μm或20μm，第一层薄膜11中金属纳米线的长度在1-20μm的范围可以使第一层薄膜11与下层的功能层的接触更好，有效降低导电薄膜的驱动电压。
在本申请第三个具体实施方式中，导电薄膜10的第N层薄膜1N中的金属纳米线的长度为20-50μm，例如第N层薄膜1N中的金属纳米线的长度可以为20μm、22μm、25μm、28μm、30μm、33μm、36μm、40μm、44μm、46μm、48μm或者50μm，第N层薄膜1N中金属纳米线的长度在20-50μm的范围可以使第N层薄膜1N与下层薄膜的金属纳米线的搭接点数量减少，降低导电薄膜的接触电阻。
在本申请第四个具体实施方式中，导电薄膜10包括依次层叠结合的两层薄膜，两层薄膜分别包含金属纳米线，其中，第一层薄膜11中的金属纳米线的长度为1-20μm，以使第一层薄膜与下层的功能层的接触更好，有效降低导电薄膜的驱动电压；第二层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm，以使第二层薄膜与第一层薄膜的金属纳米线的搭接点数量减少，降低导电薄膜的接触电阻；本申请的两层薄膜含有不同长度的金属纳米线，使导电薄膜的导电性能更优异。本申请的导电薄膜可以仅包含两层薄膜，也可以在两层薄膜上再叠加两层薄膜，还可以是两层薄膜叠加其他层薄膜，设计出多种导电薄膜，本申请对此不进行限定，可以根据实际情况选择。
在本申请第五个具体实施方式中，导电薄膜10的透光率为50％～99.9％，导电薄膜10可以使用在透明显示场景的电子设备中，以观看到电子设备另一侧的图像，例如可以作为展示橱窗上的设备的电极设备，既美观大方又实用。
在本申请的第六个具体实施方式中，导电薄膜10的方阻小于50Ω/□，从而能够保证导电薄膜具有良好的导电性能。
在本申请的第七个具体实施方式中，导电薄膜10中的金属纳米线包括但不限于金纳米线、银纳米线、铜纳米线、铁纳米线、钴纳米线、镍纳米线中的至少一种，本申请的导电薄膜的导电性能优良。
优选实施例中，本申请的导电薄膜10从所述第一层薄膜11到所述第N层薄膜1N中各层的金属纳米线的材料相同，使用一种金属纳米线材料，可以简化导电薄膜10的生产工艺。
另一优选实施例中，本申请的导电薄膜10的所述第一层薄膜11至第N层薄膜1N中至少两层薄膜的金属纳米线的材料不同，从而可以根据不同金属纳米线的性质进行搭配设计，使导电薄膜10可以具备多种性能，满足市场多元化的需求。
本申请第八个具体实施方式中，金属纳米线108横截面直径一般在纳米级，例如，金属纳米线108的直径范围在1～100nm，优选的，金属纳米线108的直径范围在10～50nm。在本申请一实施方式中，金属纳米线108的长度范围为10nm～100μm。优选的，金属纳米线108的长度范围为1μm～100μm。在本申请一实施方式中，金属纳米线108的纵横比范围为10～10000。优选的，金属纳米线108的纵横比为100～5000。
本申请还提供一种显示装置，如图2示，显示装置100包括衬底60、底电极50、第一功能层40、电致发光层30、第二功能层20和顶电极10’，第一功能层40设置于所述底电极50上；电致发光层30设置于所述第一功能层40上；第二功能层20设置于所述电致发光层30上；顶电极10’设置于所述第二功能层20上；其中，所述顶电极10’包括至少两种不同长度的金属纳米线，且靠近第二功能层20的金属纳米线最短，例如本实施方式的顶电极10’包括两层薄膜，分别是第一薄膜11和第二薄膜12，第二薄膜12中的金属纳米线的长度大于第一薄膜11中的金属纳米线的长度，顶电极10’中含有不同长度金属纳米线的薄膜互相堆叠搭接在一起，使得顶电极10’与第二功能层20的接触更好，显示装置100的驱动电压和接触电阻都得到有效降低，改善显示装置100的发光均一性。
可以理解的是，本申请显示装置100的各层可以选择常规使用的相应材料，形成各层的方式包括但不限定于喷墨打印、喷涂、旋涂、印刷、刮涂、浸渍提拉、浸泡、滚涂或狭缝打印等，本申请并不以此为限。
本申请另一实施方式中，显示装置100中顶电极10’的透光率为50％～99.9％，当底电极50也是透明电极时，显示装置100可以使用在透明显示场景的电子设备中，以观看到电子设备另一侧的图像，例如可以作为展示橱窗上的设备的电极设备，既美观大方又实用。具体地，当底电极50为透明导电电极ITO，顶电极10’为透明的金属纳米线电极时，本申请的显示装置100可以实现两面发光，并且进一步可以实现透明显示，即显示装置100能够自发光的情况下，还能够透过显示装置100看到其后边的图像，对于观看者来说，显示装置100是透明的。
本申请实施方式的显示装置100包括但不限于手机、电脑、车载显示器、AR显示器、VR显示器、智能手表、显示屏、显示面板等装置或部件，部件例如可以为QLED器件、OLED器件、PLED器件、Micro-LED器件、Mini-LED器件等电致发光器件。显示装置100可以为顶发光显示装置，也可以为底发光显示装置，还可以为透明显示装置。
本申请还提供一种显示装置的制备方法，包括步骤：将金属纳米线溶液以若干次涂布的方式涂覆在第二功能层上形成导电薄膜；本实施方式的金属纳米线溶液包含金属纳米线，涂布次数例如为1-10次，当涂布次数为多次时，金属纳米线溶液经过依次堆叠方式进行涂布。如图3所示，每次涂布金属纳米线溶液包括如下步骤：
步骤S11：提供金属纳米线溶液，所述金属纳米线溶液包括金属纳米线和有机溶剂。金属纳米线均匀分散于有机溶剂中，形成金属纳米线溶液，具体可以为：金属纳米线包括配体，配体有助于金属纳米线直接分散在有机溶剂中。进一步地，金属纳米线溶液的浓度可以小于10mg/mL，例如金属纳米线溶液的浓度例如可以为1mg/mL、3mg/mL、5mg/mL、7mg/mL、8mg/mL、9mg/mL或者10mg/mL，采用低浓度的金属纳米线溶液使金属纳米线在基板上分散均匀，经过多次涂布后，顶电极的金属纳米线之间搭接形成网格状结构，使金属纳米线之间能够形成良好的导电通路。
本申请的有机溶剂可选自甲乙酮、丙酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、二丙酮醇、甲苯、二甲苯中的至少一种，这些溶剂在干燥金属纳米线溶液后将会快速挥发，只在第二功能层上留下纳米银线。
步骤S12：将所述金属纳米线溶液涂布于所述基板上。
在基板上涂布金属纳米线溶液，使金属纳米线溶液在第二功能层上均匀铺展，从而形成的导电薄膜更均匀，平整性更佳。
步骤S13：干燥所述金属纳米线溶液形成一层金属纳米线膜。
使金属纳米线溶液中的有机溶剂挥发从而使金属纳米线留置于基板上形成一层金属纳米线膜，该金属纳米线膜材料为金属纳米线，本申请的干燥方法包括但不限于常压风干、真空干燥或热干燥。
步骤S14：对所述金属纳米线膜进行紫外光照射。
对于干燥后的金属纳米线膜进行紫外光照射，如图4所示，基底13上的金属纳米线溶液经过干燥形成一层金属纳米线膜14，金属纳米线膜14经过紫外光线照射，促进金属纳米线膜14与基底13结合得更加紧密。
本申请实施例的在步骤S14之后还可以包括步骤：
步骤S15：对所述金属纳米线膜进行退火处理。
本申请实施方式中的退火处理是将金属纳米线膜缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却，以进一步促进金属纳米线膜中的有机溶剂的挥发，提高顶电极的导电率以及透光率。退火处理的控制温度可以为70-200℃，处理时间可以为1到30分钟，根据实际需要进行退火工艺参数的选用，本申请并不以此为限。
以下将更详细地描述根据本申请的一些示例性实施方式的显示装置的结构；然而，本申请的示例性实施方式不限于此。
实施例1
透明QLED显示装置的制作：
S1、提供具有ITO导电层的玻璃衬底；
S2、在具有ITO导电层的玻璃衬底上涂布空穴注入层PEDOT：PSS；
S3、在空穴注入层PEDOT：PSS上涂布空穴传输层TFB；
S4、在空穴传输层TFB上涂布红光CdSe/ZnS量子点层；
S5、在红色CdSe/ZnS量子点层上涂布ZnO电子传输层；
S6、ZnO电子传输层上刷涂第一金属纳米线溶液，其中，第一金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为5μm；
S7、干燥第一金属纳米线溶液，形成第一金属纳米线膜；
S8、对第一金属纳米线膜进行UV照射30秒；
S9、在第一金属纳米线膜上刷涂第二金属纳米线溶液，其中，第二金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为5μm，按照与形成第一金属纳米线膜相同的工艺，在第一金属纳米线膜上制备第二金属纳米线膜；
S10：在第二层金属纳米线膜上刷涂第三金属纳米线溶液，其中，第三金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为20μm；
S11、干燥第三金属纳米线溶液，形成第三金属纳米线膜；
S12、对第三金属纳米线膜进行UV照射30秒；
S13：在第三金属纳米线膜上刷涂第四金属纳米线溶液，其中，第四金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为20μm，按照与形成第三金属纳米线膜相同的工艺，在第三金属纳米线膜上制备第四金属纳米线膜；得到方阻为10Ω/□的顶电极。
最后，制得红色量子点QLED器件，对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件进行通电，启动电压为1.8V，获得的发光均匀，调节电压直至维持红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光亮度较亮且无变化后，分别对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的ITO侧和AgNWs侧的最大电流效率和最大外量子效率进行测量，测得ITO侧的最大电流效率为6.12cd/A，最大外量子效率为8.14％；AgNWs侧的最大电流效率为5.89cd/A，最大外量子效率为7.83％，红色CdSe/ZnS量子点QLED器件总计最大电流效率为12.01cd/A，总计最大外量子效率为15.97％。
实施例2
透明QLED显示装置的制作：
S1、提供具有ITO导电层的玻璃衬底；
S2、在具有ITO导电层的玻璃衬底上涂布空穴注入层PEDOT：PSS；
S3、在空穴注入层PEDOT：PSS上涂布空穴传输层TFB；
S4、在空穴传输层TFB上涂布红光CdSe/ZnS量子点层；
S5、在红色CdSe/ZnS量子点层上涂布ZnO电子传输层；
S6、ZnO电子传输层上刷涂第一金属纳米线溶液，其中，第一金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为5μm；
S7、干燥第一金属纳米线溶液，形成第一金属纳米线膜；
S8、对第一金属纳米线膜进行UV照射30秒；
S9、在第一金属纳米线膜上刷涂第二金属纳米线溶液，其中，第二金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为10μm；
S10、干燥第二金属纳米线溶液，形成第二金属纳米线膜；
S11、对第二金属纳米线膜进行UV照射30秒；
S12：在第二层金属纳米线膜上刷涂第三金属纳米线溶液，其中，第三金属纳米线溶液浓度为5mg/mL，长度为20μm；
S13、干燥第三金属纳米线溶液，形成第三金属纳米线膜；
S14、对第三金属纳米线膜进行UV照射30秒；得到方阻为12Ω/□的顶电极。
最后，制得红色量子点QLED器件，对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件进行通电，启动电压为1.8V，获得的发光均匀，调节电压直至维持红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光亮度较亮且无变化后，分别对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的ITO侧和AgNWs侧的最大电流效率和最大外量子效率进行测量，测得ITO侧的最大电流效率为6.53cd/A，最大外量子效率为8.69％；AgNWs侧的最大电流效率为6.12cd/A，最大外量子效率为8.14％，红色CdSe/ZnS量子点QLED器件总计最大电流效率为12.65cd/A，总计最大外量子效率为16.83％。
实施例3：
透明显示装置的制作：
S1、提供具有ITO导电层的玻璃衬底；
S2、在具有ITO导电层的玻璃衬底上涂布空穴注入层PEDOT：PSS；
S3、在空穴注入层PEDOT：PSS上涂布空穴传输层TFB；
S4、在空穴传输层TFB上涂布红光CdSe/ZnS量子点层；
S5、在红色CdSe/ZnS量子点层上涂布ZnO电子传输层；
S6、ZnO电子传输层上第一次刷涂金属纳米线溶液，其中，金属纳米线溶液的浓度为5mg/mL；
S7、干燥所述金属纳米线溶液，形成第一金属纳米线膜；
S8、在第一金属纳米线膜上第二次刷涂金属纳米线溶液，按照同样的刷涂方法，在第一金属纳米线膜上依次制备第二金属纳米线膜、第三金属纳米线膜、第四金属纳米线膜，形成方阻为12Ω/□的导电薄膜。
S9、对第一金属纳米线膜进行100℃退火10分钟。
最后，制得红色量子点QLED器件，对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件进行通电，启动电压为1.8V，获得的发光均匀，调节电压直至维持红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的发光亮度较亮且无变化后，分别对红色CdSe/ZnS量子点QLED器件的ITO侧和AgNWs侧的最大电流效率和最大外量子效率进行测量，测得ITO侧的最大电流效率为2.15cd/A，最大外量子效率为3.31％；AgNWs侧的最大电流效率为1.95cd/A，最大外量子效率为2.93％，红色CdSe/ZnS量子点QLED器件总计最大电流效率为4.1cd/A，总计最大外量子效率为6.24％。
由上可知，本申请实施例中通过刷涂不同长度的银纳米线(AgNWs)形成顶电极，最终制得的量子点QLED显示装置均能发出均匀光线，并且当底电极为ITO时，银纳米线(AgNWs)侧与ITO侧的出光最大电流效率及最大外量子效率基本相同。本申请的QLED器件，发光均匀，外量子效率高，与目前银纳米线(AgNWs)嵌入到PI或PMMA中制作成复合电极不同，本发明直接将银纳米线(AgNWs)形成于氧化锌电子传输层上，顶电极完全由银纳米线构成，整个顶电极的面电阻非常小，增强了电致发光器件的导电性，并且大大简化制作工艺，降低了QLED器件的制造成本。
尽管发明人已经对本申请的技术方案做了较详细的阐述和列举，应当理解，对于本领域技术人员来说，对上述实施例作出修改和/或变通或者采用等同的替代方案是显然的，都不能脱离本申请精神的实质，本申请中出现的术语用于对本申请技术方案的阐述和理解，并不能构成对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种显示装置，其特征在于，包括底电极；
第一功能层，设置于所述底电极上；
量子点层，设置于所述第一功能层上；
第二功能层，设置于所述量子点层上；和
顶电极，设置于所述第二功能层上；
其中，所述顶电极包括设置于功能层上的导电薄膜，所述设置于功能层上的导电薄膜，包括依次层叠结合的N层薄膜，所述N层薄膜均由相同金属纳米线组成，且从第一层薄膜到第N层薄膜中，所述第一层薄膜的金属纳米线的长度最短，其中， N不小于2，所述第一层薄膜与所述功能层接触；
制备所述的显示装置的方法，包括步骤：将金属纳米线溶液以若干次涂布的方式涂覆在所述第二功能层上形成导电薄膜，所述金属纳米线溶液的浓度小于10mg/mL；
其中，每次涂布包括以下步骤：
提供金属纳米线溶液，所述金属纳米线溶液包括金属纳米线和有机溶剂；
将所述金属纳米线溶液涂布于所述第二功能层上；
干燥所述金属纳米线溶液形成一层金属纳米线膜；
对所述金属纳米线膜进行紫外光照射。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第N层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括依次层叠结合的两层薄膜，所述第一层薄膜中的金属纳米线的长度为1-20μm，第二层薄膜中的金属纳米线的长度为20-50μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电薄膜的透光率为50%~99.9%。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电薄膜的方阻小于50Ω/□。
7.根据权利要求1-6任一所述的显示装置，其特征在于，所述金属纳米线包括金纳米线、银纳米线、铜纳米线、铁纳米线、钴纳米线、镍纳米线中的至少一种。
8.根据权利要求1-6任一所述的显示装置，其特征在于，从所述第一层薄膜到所述第N层薄膜中各层的所述金属纳米线的长径比范围为10~10000。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述金属纳米线的直径范围为1 ~100nm。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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