JP6181698B2 - 液晶ディスプレイセル - Google Patents

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Description

（発明の分野）
本開示は、導電性ナノ構造に基づく複合透明導電体と、それを形成するための方法とに関する。
透明導電体は、光透過性導電性薄膜を指す。透明導電体は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネセント素子、および薄膜太陽電池等のフラットパネルディスプレイにおける透明電極として、帯電防止層として、ならびに電磁波遮蔽層として広く使用されている。
従来の透明導電体には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の真空蒸着金属酸化物が含まれる。しかしながら、金属酸化物膜は、高導電率を達成するために、真空チャンバ、上昇蒸着温度、および／または高い焼きなまし温度を必要とすることから、加工に費用が掛かる。また、金属酸化物膜は、屈曲等の微量の物理的応力を受ける場合であっても、脆弱で破損し易い。
また、導電性高分子も、光透過性電導体として使用されてきた。しかしながら、導電性高分子は、概して、金属化学物皮膜よりも低い導電率値および高い光吸収性を有し（特に可視波長で）、化学的および長期的安定性の不足を被る。
導電性ナノ構造は、そのサブミクロン寸法により光透過性導電性膜を形成することが可能である。同時係属および共有の特許文献１、特許文献２、および特許文献３は、金属ナノワイヤ等の網状異方性導電性ナノ構造によって形成される透明導電体について説明している。ＩＴＯ膜と同様に、ナノ構造ベースの透明導電体は、フラットパネルディスプレイおよびタッチスクリーン等のエレクトロクロミックディスプレイにおける薄膜トランジスタに連結可能である電極として特に有用である。加えて、ナノ構造ベースの透明導電体は、色フィルタおよび偏光子における塗膜として、偏光子として、およびその他のものとしても適切である。上記同時係属出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
高品質のディスプレイシステムに対する需要増加を満たすために、費用効率が高く、かつ高性能であるナノ構造ベースの透明導電体を提供する必要性が存在する。
米国特許出願第１１／５０４，８２２号明細書 米国特許出願第１１／８７１，７６７号明細書 米国特許出願第１１／８７１，７２１号明細書
複合透明導電体およびその用途について説明する。
一実施形態は、複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、第２の種類のナノ構造または連続導電性薄膜を含む二次導電性媒体とを備える複合透明導電体について説明する。
別の実施形態は、複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、連続導電性薄膜である二次導電性媒体とを備える機器について説明する。
さらなる実施形態は、第１の電極と、第２の電極であって、第１の電極および前記第２の電極の間の垂直距離はセルギャップを規定する第２の電極とを備え、第１の電極は、一次導電性媒体および二次導電性媒体を含む複合透明導電体であり、一次導電性媒体は、セルギャップと類似のメッシュサイズを有する金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを含み、二次導電性媒体は、セルギャップの約１／５から１／１００までのメッシュサイズを有する連続導電性薄膜またはナノ構造の導電性網である、液晶ディスプレイセルについて説明する。
図面において、同一の参照番号は、類似の要素または作用を示す。図面における要素のサイズおよび相対位置は、必ずしも一定の縮尺で描かれてはいない。例えば、種々の要素の形状および角度は一定の縮尺で描かれず、これらの要素のいくつかは、図面の視認性を改善するために、任意により拡大および配置されている。さらに、描かれる要素の特定の形状は、特定の要素の実際の形状に関するいかなる情報も伝えることを意図せず、単に、図面を認識し易いように選択されただけである。
図１は、電気的パーコレーションレベルを上回る、金属ナノワイヤの膜を示す。 図２Ａは、電気的パーコレーションレベルを下回る、金属ナノワイヤの膜を示す。 図２Ｂは、電気的パーコレーションレベルを下回り、かつ連続導電性薄膜と組み合わせられる金属ナノワイヤを備える複合透明導電体を示す。 図２Ｃは、電気的パーコレーションレベルを下回り、かつ第２の種類の異方性ナノ構造から形成される導電性膜と組み合わせられる金属ナノワイヤを備える複合透明導電体を示す。 図３Ａは、隣接する金属ナノワイヤ間で局在化される非均一電場を示す。 図３Ｂは、連続導電性薄膜の存在下の均一電場を示す。 図４Ａ−４Ｃは、金属ナノワイヤおよびカーボンナノチューブに基づく複合透明導電体の実施形態を示す。 図５は、その寸法が異なる２つの異なる種類の金属ナノワイヤを有する複合透明導電体を示す。 図６Ａ−６Ｂは、金属ナノワイヤおよび金属酸化物膜に基づく複合透明導電体の実施形態を示す。 図６Ｃは、１対の並列抵抗器を図式的に示す。 図７Ａ−７Ｂは、金属ナノワイヤおよび導電性ポリマー膜に基づく複合透明導電体の実施形態を示す。 図８は、２つの透明電極間に配置される液晶材料を図式的に示す。 図９は、複合透明導電体を組み込む機器を示す。
概して、複合透明導電体は、少なくとも２つの種類の透明導電性媒体から形成される導電性膜である。より具体的には、複合透明導電体は、一次導電性媒体としての金属異方性ナノ構造（本明細書で上述した）と、一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体とを含む。典型的には、二次導電性媒体は、第２の種類の導電性ナノ構造の導電性網、または導電性ポリマーもしくは金属酸化物から形成される連続導電性薄膜である。
複合透明導電体の電気的特性および光学的特性は、構成導電性媒体の幾何学的形状、導電率、光学的特性、分布、および荷重レベル等の要因によって判断される。
特定の実施形態では、複合透明導電体は、個別の導電性膜の層状構造である。他の実施形態では、複合透明導電体は、２つ以上の種類の導電性媒体（例えば、２つ以上の種類の導電性ナノ構造）が完全に統合される凝集構造である。構造構成にかかわらず、複合透明導電体は、構成導電性媒体の単なる相加的効果を上回る特性を、このような構成導電性媒体の賢明な選択によって呈することが可能である。
（導電性ナノ構造）
特定の実施形態では、複合透明導電体は、少なくとも２つの種類のナノ構造を備え、そのうちの１つは、金属異方性ナノ構造を対象とする。本明細書において使用する際、「ナノ構造」または「導電性ナノ構造」は、概して、ナノサイズの構造を指し、その少なくとも１つの寸法は、５００ｎｍ未満、より好ましくは、２５０ｎｍ、１００ｎｍ、５０ｎｍ、または２５ｎｍ未満である。
ナノ構造は、任意の形状または幾何学的形状を有することが可能である。特定の実施形態では、ナノ構造は、等方的形状（すなわち、アスペクト比＝１）である。典型的な等方性ナノ構造には、ナノ粒子が含まれる。好適な実施形態では、ナノ構造は、等方的形状（すなわち、アスペクト比≠１）である。本明細書において使用する際、アスペクト比は、ナノ構造の長さおよび幅（または直径）の比率を指す。典型的には、異方性ナノ構造は、その長さに沿って長手方向軸を有する。例示的な異方性ナノ構造には、本明細書に定義するように、ナノワイヤおよびナノチューブが含まれる。
ナノ構造は、中実または中空であることが可能である。中実ナノ構造には、例えば、ナノ粒子およびナノワイヤが含まれる。「ナノワイヤ」は、本明細書に定義するように、中実異方性ナノ構造を指す。典型的には、各ナノワイヤは、１０を上回る、好ましくは５０を上回る、より好ましくは１００を上回るアスペクト比（長さ：直径）を有する。典型的には、ナノワイヤは、５００ｎｍを上回る、または１μｍを上回る、または１０μｍを上回る長さを有する。
中空ナノ構造には、例えば、ナノチューブが含まれる。「ナノチューブ」は、本明細書に定義するように、中空異方性ナノ構造を指す。典型的には、ナノチューブは、１０を上回る、好ましくは５０を上回る、より好ましくは１００を上回るアスペクト比（長さ：直径）を有する。典型的には、ナノワイヤは、５００ｎｍを上回る、または１μｍを上回る、または１０μｍを上回る長さを有する。
ナノ構造は、任意の導電性材料から形成可能である。最も典型的には、導電性材料は、金属である。金属材料は、元素金属（例えば、遷移金属）または金属化合物（例えば、金属酸化物）であることが可能である。また、金属材料は、２つ以上の種類の金属を含む金属合金または２種の金属からなる材料であることが可能である。適切な金属には、銀、金、胴、ニッケル、金めっき銀、白金、およびパラジウムが含まれるが、これらに限定されない。また、導電性材料は、炭素または黒鉛（炭素の同素体）等の非金属であることも可能である。
上述のように、金属異方性ナノ構造は、複合透明導電体における一次導電性媒体として使用される。好適な種類の異方性金属ナノ構造には、金属ナノワイヤが含まれる。金属ナノワイヤは、金属、金属合金、めっき金属、または金属酸化物から形成されるナノワイヤである。適切な金属ナノワイヤには、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、金めっき銀ナノワイヤ、白金ナノワイヤ、およびパラジウムナノワイヤが含まれるが、これらに限定されない。同時係属および共有の米国出願第１１／７６６，５５２号、第１１／５０４，８２２号、第１１／８７１，７６７号、および第１１／８７１，７２１号は、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）を調製する方法と、金属ナノワイヤに基づく透明導電体を形成およびパターン化する方法とについて説明しており、その説明は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
一次導電性媒体に使用される別の好適な種類の異方性金属ナノ構造には、金属ナノチューブが含まれる。２００８年２月２６日に出願された同時係属および共有の米国特許出願第６１／０３１，６４３号は、金属ナノチューブ（例えば、金ナノチューブ）を調製する方法と、金属ナノチューブに基づく透明導電体の形成およびパターン化の方法とについて説明しており、その説明は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本明細書においてより詳細に論じるように、ナノワイヤおよびナノチューブ等の金属異方性ナノ構造は、異なる種類の導電性ナノ構造により形成される二次導電性媒体と組み合わせ可能である。二次導電性媒体は、カーボンナノチューブ、一次導電性媒体を形成する金属ナノワイヤ（または、ナノチューブ）とは異なる金属ナノワイヤ（または、ナノチューブ）、導電性ナノ粒子、およびその同等物を含むが、これらに限定されないナノ構造のうちのいずれかであることが可能である。
特定の具体的な実施形態では、二次導電性媒体を形成する導電性ナノ構造は、カーボンナノチューブである。カーボンナノチューブも、導電性異方性ナノ構造である。より具体的には、「カーボンナノチューブ」は、巻き上げ状グラフェンシートの円筒または管を指す。各グラフェンシートは、ｓｐ２混成炭素原子を含む。カーボンナノチューブは、単層構造もしくは多層構造またはその混合のいずれかの形状をとることが可能である。単層カーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）は、単一の巻き上げ状グラフェンシートから形成される。多層カーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ）は、相互に入れ子式である２つ以上の同軸上に配置されるＳＷＮＴである。ＳＷＮＴおよびＭＷＮＴの両方は、金属特徴および導電性特徴を示すことで知られている。
典型的には、カーボンナノチューブは、高アスペクト比を有する剛性構造である。ＳＷＮＴおよびＭＷＮＴの長さは、通常１μｍを十分上回り、直径は、約１ｎｍ（ＳＷＮＴの場合）から約５０ｎｍ（ＭＷＮＴの場合）までの範囲である。典型的には、カーボンナノチューブのアスペクト比は、約１０−１００，０００の範囲である。より典型的には、アスペクト比は、約１，０００−１０，０００の範囲である。ＳＷＮＴは、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）より市販されている。
カーボンナノチューブは、任意により、凝集防止のために表面処理され得る。例えば、より良好に水媒体へ分散するように、親水性官能基が表面に組み込まれ得る。表面処理に関する種々の方法については、Ｐｅｎｇ Ｈ．らのＳｉｄｅｗａｌｌ Ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ Ａｃｉｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ−Ｗａｌｌｅｄ Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５、１５１７４−１５１８２、２００３、およびＬｉｕ Ｊ．らのＦｕｌｌｅｒｅｎｅ Ｐｉｐｅｓ、Ｓｃｉｅｎｃｅ、２８０、１２５３−１２５６、１９９８に説明されている。
さらなる実施形態では、導電性ナノ構造は、銀、金、銅、およびニッケルナノ粒子等の金属ナノ粒子、ならびにインジウムスズ酸化物およびドープ酸化亜鉛ナノ粒子等の金属酸化物ナノ粒子を含む導電性ナノ粒子である。非金属導電性ナノ粒子には、カーボンブラック、グラフェンシート、およびその同等物が含まれる。これらの導電性ナノ粒子は、当技術分野において周知である。
導電性ナノ構造は、連続的な物理的接触により、ならびに一方のナノ構造から別のナノ構造へ移行する電荷により、電気伝導度を達成することが可能である。
（一次導電性媒体）
金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブは、一次導電性媒体を形成する。適切な金属ナノワイヤは、金属、金属合金、めっき金属、または金属酸化物から形成されるナノワイヤである。適切な金属ナノワイヤには、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、金めっき銀ナノワイヤ、白金ナノワイヤ、およびパラジウムナノワイヤが含まれるが、これらに限定されない。適切な金属ナノチューブには、金ナノチューブおよび同時係属米国仮出願第６１／０３１，６４３号に説明されるものが含まれる。
種々の実施形態では、金属ナノワイヤは、約５−１００μｍの長さを有し、５−１００ｎｍの直径（または、断面）を有する。特定の実施形態では、金属ナノワイヤは、約５−３０μｍの長さを有し、２０−８０ｎｍの直径を有する。好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）は、約２０μｍの長さを有し、５０ｎｍの直径を有する。
適切な金属ナノチューブは、金属ナノワイヤについて説明した寸法と類似の寸法を有する。ナノチューブでは、直径は、ナノチューブの外径を指す。
ナノ構造は、パーコレーション過程によって導電性網を形成する。パーコレーション導電率は、導電性経路が相互接続ナノ構造によって形成される場合に確立可能である。電気的パーコレーション閾値を達成し、かつ導電性になるためには、十分なナノ構造が存在しなければならない。ゆえに、電気的パーコレーション閾値は、ナノ構造の荷重密度または濃度に関連する臨界値であり、臨界値を上回ると長距離導電率が達成可能である。典型的には、荷重密度は、面積当たりのナノ構造の数を指し、「数／μｍ２」によって表すことが可能である。
同時係属米国特許出願第１１／５０４，８２２号に説明するように、ナノ構造のアスペクト比（長さ：直径）が高くなると、パーコレーション導電率の達成に必要なナノ構造は少なくなる。ナノワイヤ等の異方性ナノ構造では、電気的パーコレーション閾値または荷重密度は、ナノワイヤの長さの２乗に反比例する。参照によりその全体が本明細書に組み込まれる同時係属および共有の出願第１１／８７１，０５３号は、ナノワイヤのサイズ／形状と、パーコレーション閾値における表面荷重密度との理論的関係ならびに経験的関係について詳述している。
図１は、電気的パーコレーション閾値を上回ってナノワイヤ２０により形成される導電性網１０を図式的に示す。導電性経路は、ナノワイヤを相互接続すること（例えば、網の一方の端部から他方の端部まで、接続するナノワイヤを通って追跡可能であること）によって形成される。ゆえに、電流は、ナノワイヤ網１０を横断して伝導可能である。
本明細書において使用する際、「導電性網」または「網」は、電気的パーコレーション閾値を上回る導電性ナノ構造によって形成される相互接続網を指す。典型的には、導電性網の表面抵抗率（または、「シート抵抗」）は、１０８オーム／スクエア（「Ω／□」とも呼ばれる）未満である。好ましくは、表面抵抗率は、１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□、または１００Ω／□未満である。典型的には、金属ナノワイヤにより形成される導電性網の表面抵抗率は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
また、図１に示すように、網状ナノワイヤは、ワイヤ間空間３０を画定する。パーコレーション閾値を上回る際、ワイヤ間空間のサイズ（「メッシュサイズ」とも呼ばれる）は、網の導電率に相関する。典型的には、メッシュサイズが小さいことは、ナノワイヤが密に分散すること意味し、これは高い導電率に相当する。
また、メッシュサイズは、表面荷重レベルの指標として使用可能である。例えば、所定の長さを有するナノワイヤでは、表面荷重が低くなると、メッシュサイズが大きくなる。メッシュサイズが、特定の閾値を上回ると、ナノワイヤは、離隔し過ぎてパーコレーションが不可能になり、ワイヤ間空間は、効率的に絶縁体になる。図２Ａは、ナノワイヤ２０が完全な網の形成に不十分な密度にある膜１２を示す。ワイヤ間空間３０は、絶縁になる。明らかに異なるように、図１の密度に比べてナノワイヤの密度が低いことにより、メッシュサイズは拡大し、ナノワイヤ間の導電率は崩壊している。
（充填材としての二次導電性媒体）
複合透明導電体では、金属ナノワイヤが、電気的パーコレーション閾値未満の荷重レベルにある場合であっても、二次導電性媒体の存在下で導電率を達成することが可能である。一次導電性媒体の金属ナノワイヤは、種々の実施形態では、パーコレーションまたは非パーコレーションであるが、第２の導電性媒体の存在は、複合透明導電体において、予想外の特性および相乗特性を提供する。
特定の実施形態では、二次導電性媒体は、一次導電性媒体を形成する金属ナノワイヤとは異なる材料、寸法、幾何学的形状、または構造のナノ構造を含む。例えば、二次導電性媒体には、異なる寸法または材料のカーボンナノチューブ、金属ナノチューブ、ナノ粒子、および金属ナノワイヤが含まれ得るが、これらに限定されない。
他の実施形態では、二次導電性媒体は、連続導電性薄膜であることが可能である。本明細書において使用する際、「連続導電性」は、薄層を横断する（例えば、表面または面内を横断する）不断かつ一様な導電性経路を指し、この場合、電気伝導率は、導電性媒体の連続的な物理的接触によって確立される。連続導電性薄膜の例として、スパッタまたは蒸着金属酸化物膜、導電性ポリマー膜、およびその同等物が挙げられるが、これらに限定されない。
一側面では、第２の導電性媒体は、ナノワイヤ膜のワイヤ間空間を充填する役割を果たす。図２Ｂは、図２Ａのナノワイヤ２０に連続導電性薄膜４０を添加する複合透明導電体３４を示す。連続導電性薄膜は、絶縁空間３０を充填し、メッシュサイズを効率的に削減する。
図２Ｃは、複数の第２の種類の異方性ナノ構造４８も存在する別の複合透明導電体４４を示す。異方性ナノ構造４８は、ナノワイヤ２０よりもさらに高いアスペクト比を有するように示される。図示するように、ワイヤ間空間３０は、より長いナノ構造４８による効率的な導電率により、効率的に低減する。
図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、ナノワイヤおよび二次導電性媒体の組み合わせ効果によって、一次導電性媒体が必ずしも電気的パーコレーション閾値に達していなくても、導電率が確立される。
さらなる側面において、ワイヤ間空間を充填する第２の導電性媒体の存在は、所定の透明導電体における電位分布を等化する役割も果たす。加えて、２つの電極が離間し、かつ電位が印加される場合、２つの電極の空間に電場が生成される。複合透明導電体を電極として用いることは、電場の均一性を強化する役割を果たす。図３Ａは、上部導電性膜５０および下部導電性膜５４間の電場線を示す。導電性膜５０および５４の両方は、ナノワイヤのみをベースとする。上部導電性膜５０は、上部基板５０ｂ上に分散されるナノワイヤ５０ａ（断面図で示す）を備える。同様に、下部導電性膜５４は、下部基板５４ｂ上に分散されるナノワイヤ５４ａ（断面図で示す）を備える。電場（線５８として図式的に示す）は、例として、ナノワイヤ５０ａから開始し、５４ａにおいて終了する。各電極におけるナノワイヤ間のワイヤ間空間（例えば、６２および６６）により、線５８は、対向するワイヤ付近に集中する。図３Ｂは、二次導電性媒体、例えば、連続膜７０および７４が、ワイヤ間空間６２および６６をそれぞれ充填することを示す。結果として、線７８により表される電場は、より均一に分散される。
一次導電性媒体、つまり高導電性金属ナノワイヤは、典型的には、複合透明導電体における電流の大部分を担う。二次導電性媒体は、電流伝導には関与しないが、それでも金属ナノワイヤ間の空間を充填する導電性層を形成することが可能である。本説明において、二次導電性媒体は、１０８オーム／スクエア（「Ω／□」とも呼ばれる）未満の表面抵抗率（または、「シート抵抗」）を有する導電性層を形成する。好ましくは、表面抵抗率は、１０４Ω／□、３，０００Ω／□、１，０００Ω／□、または１００Ω／□未満である。典型的には、連続導電性薄膜のシート抵抗は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
種々の実施形態では、第２の導電性媒体により形成される導電性層は、任意により、本明細書に定義するように、透明である。さらに、二次導電性媒体の存在により、光散乱が全体的に低減し得る。金属ナノワイヤは、光散乱および反射により偏光解消を引き起こし得る反射構造である。偏光解消は、典型的には表示機器（例えば、フラットパネルディスプレイ）の光路に存在する透明導電体膜におけるコントラスト比の低減に寄与する主な要因の１つである。コントラスト比が低くなると、表示機器の画像品質に悪影響を及ぼす傾向にある。例えば、同時係属米国仮出願第６１／０３１，６４３号を参照されたい。ナノワイヤのみから形成される透明導電体膜では、ナノワイヤの数の減少により、光散乱の低減がもたらされ得るが、導電率損失の犠牲を潜在的に伴う。本実施形態に従う複合膜により、第２の導電性媒体が提供する補足的導電率により、導電率の低下を必ずしも引き起こさずに、数の少ないナノワイヤを用いることによって反射率の低減が可能になる。
さらに、適切な材料（例えば、低反応性または非反応性）のナノ構造、特定の寸法（例えば、ナノ構造の直径または断面が小さくなると、光散乱が低減する）、特定の幾何学的形状（例えば、同一の外径を有するナノワイヤよりも、ナノチューブは光散乱を低減させる）を選択することによって、最適化された光学的特性を有する複合透明導電体をカスタマイズすることが可能になる。
典型的には、種々の実施形態では、第２の導電性媒体により形成される導電性層は、約１００ｎｍから２００ｎｍの厚さ、または５０ｎｍから１００ｎｍの厚さ、または１５０ｎｍから２００ｎｍの厚さを有する。
（複合透明導電体）
したがって、複合透明導電体は、一次導電性媒体としての金属ナノワイヤと、一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体とを備える。本明細書において使用する際、「連結」は、２つの導電性媒体の間における近接関係を指し、物理的接触、電気接続等を含む。
複合体において組み合わせられた導電性媒体は、個々の導電性媒体をまとめるよりも、予想外の特質または強化された特性を提供する。本明細書においてより詳細に説明するように、複合透明導電体の相乗的な改善には、複合透明導電体におけるより均等な電位、複合透明導電体によって形成される２つの電極間のより均一な電場、より高い導電率、より良好な耐久性、より高いコントラスト比等が含まれるが、これらに限定されない。加えて、二次導電性媒体の賢明な選択によりナノワイヤを組み合わせることによって、複合透明導電体の性能基準を妥協せずに、全体の加工費用を減少させることが可能である。
以下の具体的な実施形態は、一次導電性媒体としての金属ナノワイヤと、種々の二次導電性媒体とに基づく複合透明導電体について説明する。
（１．二次導電性媒体としてのカーボンナノチューブ膜）
別の実施形態では、複合透明導電体は、二次導電性媒体と組み合わせられる複数の金属ナノワイヤを備え、二次導電性媒体は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から形成される連続導電性薄膜である。
図４Ａは、ナノワイヤ層１４４と、基板１５２上に形成される下部ＣＮＴ層１４８とを含む複合透明導電体１４０を示す。ＣＮＴは、ナノワイヤ層の下に導電性膜を形成する。図４Ｂは、構成膜の逆の配置を有する複合透明導電体１５０を示し、ナノワイヤ層１４４は、ＣＮＴ層１４８の下に存在する。図４Ａおよび図４Ｂの両方において、構成膜は、連続的に蒸着可能である。代替として、ナノワイヤおよびＣＮＴは、同時に共蒸着可能であり、完全に統合された導電性膜を形成する。図４Ｃは、導電性層１６４を有する複合透明導電体１６０を示し、ナノワイヤ１６８およびＣＮＴ１７２は、凝集構造を可能にするように、完全に統合される。
図４Ａ−図４Ｃに示す複合膜は、電流を伝導するための高導電性金属ナノワイヤの補完的特性に依存する長距離連結性と、導電性ＣＮＴ膜の充填効果とを提供する。所定の荷重レベルにおいて、ＣＮＴは、金属ナノワイヤ（銀ナノワイヤでは約１０．５ｇ／ｃｍ３）に比べてかなり低い特定重量（約１．７−１．９ｇ／ｃｍ３）を有することから、ＣＮＴは、金属ナノワイヤと比べて小さいメッシュサイズの導電性膜を形成することが可能である。したがって、ＣＮＴ層を有する複合透明導電体は、電源への接続時に、電位の均一性も改善することが可能である。
加えて、ＣＮＴは、黒色であり、極めて狭い寸法（すなわち、その直径または断面積は、典型的には２ｎｍ未満である）を有し、これは、光散乱の低減およびコントラスト比の改善には望ましい条件である。結果として、ＣＮＴおよび金属ナノワイヤに基づく組み合わせ型導電性媒体は、所定の導電率において全体的な反射率を低減させる。
さらに、ＣＮＴおよびナノワイヤに基づく複合膜は、接触を介する際に特に適切である。本明細書において使用する際、「介する」は、典型的には誘電体層を通した２つの導電体の間の接続を指す。上述のように、ＣＮＴは、金属ナノワイヤよりもかなり低い特定重量を有することから、同一の重量の金属ナノワイヤよりも、単位面積当たりのＣＮＴの荷重密度がかなり高くなる。これは、接触を介して有利に適用可能であり、限定面積（約５−１０ミクロン）において高電流密度に対応することに関与する。ＣＮＴの密度が高くなると、追加の電流を効率的に伝導することが可能になり、金属ナノワイヤに対する潜在的破損を防止することが可能である。
特定の実施形態では、第３の導電性媒体を複合透明導電体にさらに組み込むことが可能である。本明細書において使用する際、「第２の種類のナノ構造」および「第３の種類のナノ構造」は、具体的には、ナノ構造の材料、寸法、形状、または幾何学的形状等の少なくとも１つの側面において、相互に異なるナノ構造を指し、また、一次導電性媒体を形成する金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブとは異なる構造を指す。
適切な第３の導電性媒体には、導電性ナノ粒子等の導電性ナノ構造、一次導電性媒体の金属ナノワイヤとは異なる材料、寸法、または幾何学的形状の導電性ナノ構造が含まれる。例えば、導電性ナノ粒子は、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、カーボンブラック、およびそれらの組み合わせであることが可能である。導電性ナノ構造は、異なる金属のナノワイヤ、ナノチューブ、またはアスペクト比の高いまたは断面の小さいナノワイヤであることが可能である。複合透明導電体に分散される第３の種類の導電性ナノ構造は、ＣＮＴの充填効果を補足することが可能であり、また、複合透明導電体においてより均等な電位を提供することに寄与することが可能である。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも８５％、または少なくとも９０％、または少なくとも９５％（参照として空気を使用）の光透過性を有する。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、１−１０８Ω／□の範囲のシート抵抗を有し、複合透明導電体の最終用途に依存する。より典型的には、シート抵抗は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および１０００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９５％より高い光透過性および５００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９０％より高い光透過性および１００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）およびＣＮＴ膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および５０Ω／□未満のシート抵抗を有する。
（２．二次導電性媒体としての他の種類のナノ構造）
ＣＮＴ以外のナノ構造も、第２の導電性媒体として適切である。特定の実施形態では、導電性ナノ構造は、一次導電性媒体を形成する金属ナノワイヤとは異なる材料または寸法の金属ナノワイヤである。例えば、低反射性金属から形成される、または低反射性酸化シースを有するナノワイヤを使用して、複合透明導電体の全体的な導電率を妥協せずに、光散乱を低減させることが可能である。さらに、一次導電性媒体の金属ナノワイヤに比べて直径（すなわち、断面積）が小さいナノワイヤも、光散乱を低減することが可能である。
図５は、一次導電性媒体としての第1の種類のナノワイヤ１７４と、第２の種類のナノ
ワイヤ１８８とを備える複合透明導電体１７０を示す。第２の種類のナノワイヤ１８８は、第1の種類のナノワイヤ１７４よりもかなり小さい直径を有する。結果として、二次導
電性媒体は、ワイヤ間空間１８２を充填することによって、複合透明導電体の導電率を促進するだけでなく、その狭い寸法により、光錯乱に実質的に寄与しない。
種々の他の実施形態では、第２の種類のナノ構造は、金属ナノチューブ、導電性ナノ粒子（カーボンブラックおよび金属または金属酸化物ナノ粒子等）、およびその同等物であることが可能である。
（３．二次導電性媒体としての金属酸化物膜）
一実施形態では、複合透明導電体は、二次導電性媒体と組み合わせられる複数の金属ナノワイヤを備え、二次導電性媒体は、導電性金属酸化物膜である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物は、当技術分野において周知である。スパッタＩＴＯ膜は、従来的には、透明導電体を用いる機器に適用されていた。しかしながら、ＩＴＯ膜は、その脆弱性および応力に対する低耐性により、その用途が限定されている。ＩＴＯ膜にたとえ微小な割れ目があっても、導電率の急速な損失を引き起こし得る。
金属ナノワイヤベースの膜およびＩＴＯ膜を組み合わせることによって、相乗的利点を有する複合膜が可能になる。図６Ａは、複合膜１８６が、基板１１０（例えば、ガラス）上にＩＴＯ膜１８８と、ＩＴＯ膜１８８の上に配置されるナノワイヤ膜１９２とを備え、ナノワイヤ膜１９２がナノワイヤ１９４を備えることを示す。
一実施形態では、ナノワイヤ１９４の荷重密度は、電気的パーコレーション閾値を下回る。それにもかかわらず、表面伝導率は、ナノワイヤおよび下部ＩＴＯ膜１８８の組み合わせによって、複合膜１８６において確立可能である。上述のように、ＩＴＯ膜は、ナノワイヤ間の任意の絶縁間隙を充填することが可能である。
図６Ｂは、ナノワイヤベースの膜およびＩＴＯ膜の代替配置を有する複合膜１９６を示す。図示するように、ナノワイヤ膜１９２は、最初に基板１１０上に蒸着される。ＩＴＯ膜１８８は、ナノワイヤ膜１９２の上にスパッタされる。図６Ａと同様に、ナノワイヤ１９４は、必ずしもそれ自体で導電性網を形成するとは限らない。それにもかかわらず、面内導電率は、ナノワイヤおよび下部ＩＴＯ膜１８８の組み合わせによって、複合膜１９６において確立可能である。
図示するように、表面および面内導電率を含む複合膜における導電率は、構成膜のみ、すなわち、ナノワイヤベースの膜およびＩＴＯ膜のいずれかの導電率よりも優れていることが可能である。有利には、構成膜は、相互に補完し、例えば、連続ＩＴＯ膜の存在による単なる構成膜の単なる相加効果を上回る特性を相乗的に提供し、電圧源への接続時に、複合膜は、ナノワイヤだけに基づく透明導電体の電位よりも均一な電位を有する（図２Ｂも参照）。一方、ナノワイヤは、導電率の損失を引き起こさずに、複合膜において特定の程度の屈曲を可能にする。例えば、ナノワイヤは、ＩＴＯ膜のバルク内の微小な割れ目を克服し、導電率を維持することが可能であるため、物理的応力を受ける際に複合膜における潜在的な不具合を防止する。
加えて、ナノワイヤの高導電率により、複合膜の高導電率は、同一の厚さの純粋ＩＴＯ膜の導電率に比べてかなり高いことが可能である。ゆえに、構成要素として純粋ＩＴＯ膜よりも薄いＩＴＯ膜であって、依然として、純粋で厚いＩＴＯ膜と同一レベルの導電性を達成可能であるＩＴＯを有する複合膜を生成することが可能である。ＩＴＯ膜の厚さを縮小することによって、加工費用が直接的に減少可能になり、また、ＩＴＯ膜が破損する可能性が低くなる。
さらに、図６Ａおよび図６Ｂの構成膜は、２つの並列抵抗器に類似する配置にあるが、複合膜の抵抗率が、並列抵抗器について予測される抵抗率よりも低くなり得ることが認められる（実施例４も参照）。図６Ｃは、２つの並列抵抗器１９８（抵抗率Ｒ１）および１９９（抵抗率Ｒ２）を図式的に示す。既知のように、１組の並列抵抗器の全体抵抗率Ｒは、
Ｒ＝（Ｒ１ｘＲ２）／（Ｒ１＋Ｒ２）
である。
実施例４は、２５０Ω／□の抵抗率を有するＩＴＯ膜と、約２５０Ω／□の抵抗率を有するナノワイヤベースの膜とによって形成される複合膜の抵抗率を測定する。これらの２つの構成膜が、単に並列抵抗器であれば、全体抵抗率は、約１２５Ω／□になるであろう。しかしながら、複合膜の抵抗率は、約５０−８０Ω／□の範囲であることが観測され、これは、ＩＴＯ膜（２５０Ω／□）およびナノワイヤ膜（２５０Ω／□）の並列抵抗器として予測された抵抗率よりもかなり低い。
任意により、複合膜は、所定の導電率レベルにおいて、ナノワイヤベースの膜のみよりも低い反射性を有することが可能である。上述のように、ナノワイヤのみから形成される透明導電体膜では、ナノワイヤの数の減少により、透明導電体において光散乱の低減がもたらされ得るが、導電率損失の犠牲を潜在的に伴う。本実施形態に従う複合膜により、ＩＴＯ膜が提供する補足的導電率により、導電率の低下を必ずしも引き起こさずに、数の少ないナノワイヤを用いることによって反射の低減が可能になる。
図６Ａおよび図６ＢのＩＴＯ膜の代わりに、他の金属酸化物膜を使用することが可能である。例示的な金属酸化物膜には、ドープ酸化亜鉛膜、フッ素ドープ酸化スズ膜、アルミニウムドープ酸化亜鉛膜、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、ＧａｌｎＯ３、（Ｇａ２ｌｎ）２Ｏ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、ｌｎ４Ｓｎ３Ｏ１２等が含まれる。Ｃｒａｗｆｏｒｄ， Ｇ．Ｐ．、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，２００５）。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも８５％、または少なくとも９０％、または少なくとも９５％（参照として空気を使用）の光透過性を有する。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、１−１０８Ω／□の範囲のシート抵抗を有し、複合透明導電体の最終用途に依存する。より典型的には、シート抵抗は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および１０００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９５％より高い光透過性および５００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９０％より高い光透過性および１００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および金属酸化物膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および５０Ω／□未満のシート抵抗を有する。
（４．二次導電性媒体としての導電性ポリマー膜）
別の実施形態では、複合透明導電体は、二次導電性媒体と組み合わせられる複数の金属ナノワイヤを備え、二次導電性媒体は、連続ポリマー膜である。
特定のポリマーは、連続的に重複する軌道の共役骨格における電子非局在化により導電性である。例えば、単一および２重の炭素−炭素結合の交互から形成されるポリマーは、電子が占有可能である重複ｐ軌道の連続経路を提供することが可能である。
共通の種類の有機導電性ポリマーには、ポリ（アセチレン）、ポリ（ピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ＰＥＤＯＴとしても既知であるポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリパラフェニレン、ポリ（パラフェニレンスルフィド）、およびポリ（パラフェニレンビニレン）が含まれるが、これらに限定されない。
導電性ポリマー膜単独では、典型的には導電性ではなく、または表示機器における透明導電体として機能するには十分物理的に強固ではないが、導電性ポリマー膜は、金属ナノワイヤと組み合わせまたはドープして、複合透明導電体を形成することが可能である。複合透明導電体は、主要な電流伝導媒体としての金属ナノワイヤと、電場を均一にするためのフィルタとしての導電性ポリマー膜とに依存することが可能である。加えて、金属ナノワイヤは、導電性ポリマー膜の機械的特性を補強および強化することも可能である。
任意により、導電性ポリマー膜は、複合膜の吸収特性も調整することが可能である。
図７Ａは、複合膜２００が、基板１１０（例えば、ガラス）上に導電性ポリマー膜２０４と、導電性ポリマー膜２０４の上に配置されるナノワイヤ膜２２０とを備えることを示す。
図７Ｂは、ナノワイヤベースの膜および導電性ポリマー膜の代替配置を有する複合膜２３０を示す。図示するように、ナノワイヤ膜２２０は、最初に基板１１０上に蒸着される。導電性ポリマー膜１０４は、ナノワイヤ膜２２０の上面の上に蒸着される。図６Ａと同様に、ナノワイヤ２２４は、必ずしもそれ自体で導電性網を形成するとは限らない。それにもかかわらず、面内導電率は、ナノワイヤおよび下部導電性ポリマー膜２０４の組み合わせによって、複合膜２３０において確立可能である。
代替実施形態では、最初に金属ナノワイヤを基板上に蒸着して、導電性網を形成する。導電性ポリマー膜は、電極として金属ナノワイヤ網を使用して原位置で形成可能である。原位置で形成可能である適切な導電性ポリマーの例として、ポリピロールが挙げられる。より具体的には、ナノワイヤベースの導電性網を電極（すなわち、陽極）として使用して、ピロール単量体は、電気化学的に重合することが可能であり、導電性網上に塗膜を形成することが可能である。また、導電性ポリマー膜は、当技術分野において既知の方法の存在下で化学的に形成可能である。結果として生じる複合透明導電体は、導電性ポリマー膜に埋め込まれるナノワイヤを特徴とする。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも８５％、または少なくとも９０％、または少なくとも９５％（参照として空気を使用）の光透過性を有する。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、１−１０８Ω／□の範囲のシート抵抗を有し、複合透明導電体の最終用途に依存する。より典型的には、シート抵抗は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および１０００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９５％より高い光透過性および５００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９０％より高い光透過性および１００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および導電性ポリマー膜の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および５０Ω／□未満のシート抵抗を有する。
（電気的特性および光学的特性）
本明細書において論じるように、複合透明導電体において組み合わせられた導電性媒体は、個々の導電性媒体をまとめるよりも、予想外の特質または強化された特性を提供する。複合透明導電体のこれらの相乗的な改善には、より一様な電位（電源への接続時）、より高い導電率、より良好な耐久性、より高いコントラスト比等が含まれるが、これらに限定されない。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、少なくとも５０％、少なくとも６０％、少なくとも７０％、または少なくとも８０％、または少なくとも８５％、または少なくとも９０％、または少なくとも９５％（参照として空気を使用）の光透過性を有する。ヘーズは、光散乱の指標である。これは、入射光から分離し、かつ透過中に散乱した光の量の割合を指す（すなわち、透過ヘーズ）。主に媒体の特性である光透過性とは違って、ヘーズは、しばしば製造に関し、典型的には、表面粗さおよび埋め込み粒子または媒体中の成分不均質によって引き起こされる。種々の実施形態では、透明導電体のヘーズは、１０％以下、８％以下、５％以下、３％以下、または１％以下である。
典型的には、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、１−１０８Ω／□の範囲のシート抵抗を有し、複合透明導電体の最終用途に依存する。より典型的には、シート抵抗は、１０Ω／□から１０００Ω／□、１００Ω／□から７５０Ω／□、５０Ω／□から２００Ω／□、１００Ω／□から５００Ω／□、または１００Ω／□から２５０Ω／□、１０Ω／□から２００Ω／□、１０Ω／□から５０Ω／□、または１Ω／□から１０Ω／□の範囲である。
好適な実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および１０００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９５％より高い光透過性および５００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、９０％より高い光透過性および１００Ω／□未満のシート抵抗を有する。他の実施形態では、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）および二次導電性媒体の組み合わせに基づく複合透明導電体は、８５％より高い光透過性および５０Ω／□未満のシート抵抗を有する。
本明細書に説明する複合透明導電体は、フラットパネルディスプレイにおいて電極として適切である電気的特性および光学的特性を有することが可能である。フラットパネルディスプレイにおける透明電極のシート抵抗の典型的な範囲は、約１０−１００Ω／□であり、層の透過性は、８７％より高い（参照としてガラスを使用する場合）か、または９５％より高い（参照として空気を使用する場合）。
さらに、電極として使用する場合、複合透明導電体は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）において特に有利である一様な電場を提供する。図８は、ＬＣＤ設定２５０を図式的に示し、本設定において、画素電極２５４および対電極２６０は、約３−５μｍ離隔し、これは「セルギャップ」とも呼ばれる。液晶セル２７０は、２つの電極の間に配置される。簡潔に言うと、ＬＣＤは、セルに閉じ込められる液晶分子が、２つの電極間に生成された印加電場に応答して、その構造を変化させる際に動作する。
ナノワイヤのみから形成される透明導電体電極を使用する場合、所望のレベルの導電率および光透過性において、ナノワイヤ間の空間は、液晶セルキャップ（すなわち、「セルギャップ」）に相当し得る。したがって、セルにおける全ての液晶分子が、同一の電場（大きさおよび方向の両方）によって駆動されるわけではなく、それによって、セルの光学的特性における不要な不均一性がもたらされる可能性がある。
しかしながら、電極として複合透明導電体を用いることによって、ナノワイヤ間の空間が効率的に低減または排除される。典型的には、ナノワイヤ間のメッシュサイズは、液晶セルギャップの１／５未満であるべきである。より典型的には、メッシュサイズは、セルギャップの１／１０または１／１００未満であるべきである。二次導電性媒体の存在によって、一様な電極場が液晶セルにおいて印加可能になり、液晶分子の一様配向がもたらされるため、均質な光学的応答がもたらされる。
図示するように、ＬＣＤセルにおける電極が、ナノワイヤのみを備える場合、セルギャップの１／５−１／１００のメッシュサイズを可能にする表面荷重レベルは、高ヘーズおよび低コントラスト比を含む不十分な光学的特性をもたらす。しかしながら、複合透明導電体を電極として使用すると、一次導電性媒体の金属ナノワイヤ（または、金属ナノチューブ）は、セルギャップと類似するメッシュサイズを維持し、一方、二次導電性媒体は、セルギャップの約１／５−１／１００にメッシュサイズを低減するか、または連続導電性薄膜の場合、メッシュサイズを排除する。結果として生じるＬＣＤセルは、電極の光学的特性が改善するため、改善されたセル性能を有する。
したがって、一実施形態は、第１の電極と、第２の電極であって、第１の電極および第２の電極間の垂直距離は、セルギャップを規定する第２の電極とを液晶セルに提供し、第１の電極は、一次導電性媒体および二次導電性媒体を含む複合透明導電体であり、一次導電性媒体は、セルギャップと類似のメッシュサイズを有する金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを含み、二次導電性媒体は、連続導電性薄膜またはセルギャップの約１／５から１／１００のメッシュサイズを有するナノ構造の導電性網である。
典型的には、セルギャップは、約３−５μｍである。特定の実施形態では、ナノ構造の導電性網は、セルギャップの約１／５から１／１０、またはセルギャップの約１／１０から１／１００のメッシュサイズを有する。
上述の複合透明導電体のいずれかは、液晶セルの第１の電極として使用可能である。例えば、種々の実施形態では、一次導電性媒体は、金属ナノワイヤ（例えば、銀ナノワイヤ）または金属ナノチューブ（例えば、金ナノチューブ）であることが可能である。好適な実施形態では、金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブは、２０−８０ｎｍの直径（ナノチューブでは外径）を有し、５−３０μｍの長さを有する。
二次導電性媒体は、カーボンナノチューブ、一次導電性媒体の金属ナノワイヤとは異なる金属ナノワイヤ、または一次導電性媒体の金属ナノチューブとは異なる金属ナノチューブの導電性網を含み得る。
代替として、二次導電性媒体は、金属酸化物膜（例えば、ＩＴＯ膜）または導電性ポリマー膜（例えば、ＰＥＤＯＴ膜）等の連続導電性薄膜であることが可能である。
さらなる実施形態では、本明細書において説明するように、第２の電極も複合透明導電体であることが可能である。
特定の実施形態では、第１の電極は、８０−９５％の光透過性を有する。
上述のように、複合透明導電体は、典型的には金属ナノワイヤと関連する不要なレベルの散乱を低減するように設計可能である。二次導電性媒体は、電流を伝導するため、所定の導電率を達成するのに必要なナノワイヤの数が少なくなる。加えて、本明細書に説明する二次導電性媒体は、典型的には非反射性、低反射性、または散乱断面が小さいナノ構造を備え、結果として、存在するナノワイヤの数が少なくなるため、全体の散乱は減少する。
（追加の層）
さらなる実施形態では、オーバーコートの不活性層が、複合透明導電体を安定化および保護するために蒸着可能である。また、オーバーコートは、防幻特性および防反射特性等の好ましい光学的特性も提供することが可能であり、ナノ粒子の反射率をさらに低減させる役割を果たす。
したがって、オーバーコートは、ハードコート、反射防止層、保護膜、障壁層、およびその同等物のうちの１つ以上であることが可能であり、その全てについて、同時係属出願第１１／８７１，７６７号および第１１／５０４，８２２号において広範囲に説明される。
適切なハードコートの例として、ポリアクリル酸、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリシラン、シリコーン、ポリ（シリコアクリル）等の合成ポリマーが挙げられる。適切な防幻材料は、当技術分野において周知であり、シロキサン、ポリスチレン／ＰＭＭＡ混合物、ラッカー（例えば、酢酸ブチル／ニトロセルロース／ろう／アルキド樹脂）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリウレタン、ニトロセルロース、およびアクリレートが含まれるがこれらに限定されず、その全ては、コロイド状シリカまたはヒュームドシリカ等の光拡散材料を含み得る。保護膜の例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファン、ポリオレフィン、またはその同等物が挙げられるが、これらに限定されず、特に、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、またはＴＡＣが好ましい。
（パターン化）
本明細書に説明する複合透明導電体は、その最終用途に応じてパターン化可能である。当技術分野における任意の既知の方法ならびに共有および同時係属の米国特許出願第１１／５０４，８２２号、同第１１／８７１，７６７号において説明するパターン化方法は、複合透明導電体のパターン化に使用可能である。
（複合透明導電体の用途）
本明細書に説明する複合透明導電体は、金属酸化物膜（例えば、ＩＴＯ）を現在利用する全ての機器を含む多種多様の機器における透明電極、偏光子、色フィルタ等の機能性膜として使用可能である。図７は、ハウジング２５８において複合透明導電体２５４を含む機器２５０を図式的に示す。複合透明導電体は、一次導電性媒体（すなわち、複数の金属ナノワイヤ）および第２の導電性媒体（すなわち、連続導電性薄膜）の上述の構成または組み合わせのうちのいずれかであることが可能である。
適切な機器の例として、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、カラーフラットパネルディスプレイ用の色フィルタ上の塗膜、タッチスクリーン、電磁干渉、電磁遮蔽、機能性ガラス（例えば、エレクトロクロミック窓用）、ＥＬランプおよび太陽電池を含む光電子機器、ならびにその同等物が挙げられる。加えて、本明細書における透明導電体は、フレキシブルディスプレイおよびタッチスクリーン等の可塑性機器に使用可能である。同時係属出願第１１／８７１，７６７号を参照されたい。
（実施例１）
（銀ナノワイヤの合成）
ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）の存在下でエチレングリコール中に溶解された硝酸銀の還元によって、銀ナノワイヤを合成した。本方法は、例えば、Ｙ．Ｓｕｎ、Ｂ．Ｇａｔｅｓ、Ｂ．ＭａｙｅｒｓおよびＹ．Ｘｉａ、「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｖｅｒ ｎａｎｏｗｉｒｅｓ ｂｙ ｓｏｆｔ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、Ｎａｎｏｌｅｔｔ、（２００２）、２（２）１６５−１６８に説明されている。一様な銀ナノワイヤは、遠心分離または他の既知の方法によって選択的に分離可能である。
代替として、適切なイオン添加剤（例えば、テトラブチルアンモニウムクロリド）を上記反応混合物に添加することによって、一様な銀ナノワイヤを直接合成することが可能である。このように産生された銀ナノワイヤをサイズ選択の分離ステップを行なわずに、直接使用することが可能である。本合成は、本出願の譲受人であるＣａｍｂｒｉｏｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ名義の米国仮出願第６０／８１５，６２７号においてより詳細に説明され、本出願は、その全体が本明細書に組み込まれる。
以下の例において、７０ｎｍから８０ｎｍまでの幅および約８μｍ−２５μｍの長さを有する銀ナノワイヤを使用した。典型的には、より良好な光学的特性（高透過性および低ヘーズ）は、高アスペクト比ワイヤ（すなわち、より長くかつ細い）により達成可能である。
（実施例２）
（複合透明導電体の調製）
金属ナノワイヤは、基板あるいはＩＴＯ膜および導電性ポリマー膜等の連続導電性薄膜上に蒸着する前に、インク組成物に調合されることが可能である。
ＩＴＯ膜は、基板上に直接スパッタ可能であり、その後、ナノワイヤ層が蒸着される。代替として、最初にナノワイヤ層を基板上に蒸着し、その後、ナノワイヤ層上に直接ＩＴＯ膜をスパッタすることが可能である。
二次導電性媒体がカーボンナノチューブを含む場合、カーボンナノチューブは、共蒸着のために、金属ナノワイヤと共に同一のインク組成物に調合されることが可能である。代替として、カーボンナノチューブは、金属ナノワイヤの蒸着の前または後に、連続蒸着のために、別々のインク組成物に調合されることが可能である。
典型的には、インク組成物は、ナノ構造の分散および／または基板上のナノ構造の固定化を促進する薬剤を含む。これらの薬剤には、界面活性剤、粘度調整剤、およびその同等物が含まれる。インク組成物の調合に関する詳細な説明は、同時係属米国特許出願第１１／５０４，８２２号に記載されており、本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
金属ナノワイヤを蒸着するための典型的なインク組成物には、０．００２５重量％から０．１重量％の界面活性剤（例えば、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＯ−１００では、好適な範囲は０．００２５重量％から０．０５重量％まで）、０．０２重量％から４重量％までの粘度調整剤（例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはＨＰＭＣでは、好適な範囲は０．０２重量％から０．５重量％まで）、９４．５重量％から９９．０重量％までの溶媒、および０．０５重量％から１．４重量％までの金属ナノワイヤが含まれる。適切な界面活性剤の代表的な例として、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＮ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＯ、Ｚｏｎｙｌ（登録商標）ＦＳＨ、トリトン（ｘ１００、ｘ１１４、ｘ４５）、ダイノール（６０４、６０７）、ｎ−ドデシルｂ−Ｄ−マルトシド、およびノベックが挙げられる。適切な粘度調整剤の例として、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、メチルセルロース、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースが挙げられる。適切な溶媒の例として、水およびイソプロパノールが挙げられる。
インク組成物は、基板上に形成される最終導電性膜の荷重密度の指標であるナノワイヤの所望の濃度に基づいて調製可能である。
基板は、その上にナノワイヤが蒸着される任意の材料であることが可能である。基板は、剛性または可塑性であることが可能である。好ましくは、基板は、光学的に透明であり、すなわち、材料の光透過性は、可視領域（４００ｎｍ−７００ｎｍ）において少なくとも８０％である。
剛性基板の例として、ガラス、ポリカーボネート、アクリル、およびその同等物が挙げられる。具体的には、無アルカリガラス（例えば、ホウケイ酸塩）、低アルカリガラス、およびゼロ膨脹ガラス−セラミック等の特殊ガラスを使用することが可能である。特殊ガラスは、特に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含む薄型パネルディスプレイシステムに適切である。
可塑性基板の例として、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエステルナフタレート、およびポリカーボネート）、ポリオレフィン（例えば、直鎖、分岐、および環状ポリオレフィン）、ポリビニル（例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール、ポリスチレン、ポリアクリル、およびその同等物）、セルロースエステル塩基（例えば、セルローストリアセテート、酢酸セルロース）、ポリエーテルスルホン等のポリスルホン、ポリイミド、シリコーン、および他の従来のポリマー膜が挙げられるが、これらに限定されない。
インク組成物は、例えば、同時係属米国特許出願第１１／５０４，８２２号に説明する方法に従って、基板上に蒸着可能である。
具体的な例として、銀ナノワイヤの水分散液、すなわち、インク組成物を最初に調製した。銀ナノワイヤの幅は、約３５ｎｍから４５ｎｍであり、長さは、約１０μｍであった。インク組成物は、０．２重量％の銀ナノワイヤ、０．４重量％のＨＰＭＣ、および０．０２５重量％のトリトンｘ１００を含む。次いで、６０秒間５００ｒｐｍの速度で、ガラス上にインクをスピンコートし、その後、９０秒間５０℃でポストベーキングし、９０秒間１８０℃でポストベーキングした。塗膜の抵抗率は、約２０オーム／スクエアであり、透過性は９６％（参照としてガラスを使用）、ヘーズは３．３％であった。
当業者が理解するように、他の蒸着技法を用いることが可能である。例えば、狭いチャネルにより測定される沈降流動、ダイ流動、傾斜上の流動、スリットコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、ビーズコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、およびその同等物が挙げられる。また、印刷手法を使用して、パターン化を含むまたは含まずに、インク組成物を基板上に直接印刷することが可能である。例えば、インクジェット、フレキソ印刷、およびスクリーン印刷を用いることが可能である。
流体の粘度およびせん断挙動ならびにナノワイヤ間の相互作用が、蒸着されたナノワイヤの分布および相互接続に影響を及ぼし得ることをさらに理解されたい。
（実施例３）
（透明導電体の光学的特性および電気的特性の評価）
本明細書に説明する方法に従い調製される複合透明導電体を評価して、その光学的特性および電気的特性を確立した。
ＡＳＴＭ Ｄ１００３における方法論に従って、光透過性データを入手した。ＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社のＨａｚｅ−ｇａｒｄ Ｐｌｕｓを使用して、ヘーズを測定した。Ｆｌｕｋｅ １７５ Ｔｒｕｅ ＲＭＳ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒまたは非接触式抵抗計、Ｄｅｌｃｏｍ社のｍｏｄｅｌ ７１７Ｂ導電率モニタを使用して、表面抵抗率を測定した。より典型的な機器は、抵抗を測定するための４端子プローブシステムである（例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社による）。
また、ナノワイヤの相互接続性および基板の面積範囲は、光学顕微鏡または走査型電子顕微鏡で観測可能である。
（実施例４）
（複合透明導電体の抵抗率の評価）
最初に、ＩＴＯ膜をガラス基板上にスパッタした。ＩＴＯ膜は、約２５０Ω／□であった。銀ナノワイヤ膜をＩＴＯ膜上に塗膜した。銀ナノワイヤ膜は、シート抵抗が約３００−５００Ω／□である導電性膜を産生したインク組成物をベースとしていた。
複合透明導電体を単に１対の並列抵抗器として扱うのであれば、シート抵抗は、約１３５−１７０Ω／□の予測値を有するであろう。しかしながら、結果として生じる複合膜は、５０−８０Ω／□の範囲のシート抵抗を示し、これは、予測値よりも約１００％大きい導電性を有した。したがって、組み合わせ型導電性媒体は、個々の導電性媒体の単なる相加効果よりも優れた導電率を呈した。
本明細書で参照されるおよび／または出願データシートに列挙される上記米国特許、米国特許出願公表、米国特許出願、外国特許、外国特許出願、および非特許公報の全ては、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本発明の具体的な実施形態について例証目的のために本明細書において説明したが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく種々の修正を加えてもよいことを、上記説明から理解されたい。したがって、本発明は、添付の請求項によって限定される場合を除き限定されない。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、
該一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、第２の種類のナノ構造または連続導電性薄膜を含む、二次導電性媒体と
を備える、複合透明導電体。
（項目２）
前記一次導電性媒体は、前記二次導電性媒体の上面の上に配置される、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目３）
前記一次導電性媒体は、前記二次導電性媒体の下に存在する、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目４）
前記一次導電性媒体および前記二次導電性媒体は、一体化される、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目５）
前記一次導電性媒体および前記二次導電性媒体は、電気的に連結される、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目６）
８５％より高い光透過性と、１０００Ω／□未満のシート抵抗とを有する、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目７）
前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目８）
前記二次導電性媒体は、前記第２の種類のナノ構造の導電性網を含む、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目９）
前記第２の種類のナノ構造の前記導電性網は、カーボンナノチューブを含む、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１０）
前記金属ナノワイヤは、カーボンナノチューブの前記導電性網の上面の上に配置される、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１１）
カーボンナノチューブの前記導電性網は、前記金属ナノワイヤの層の上に配置される、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１２）
前記カーボンナノチューブおよび前記金属ナノワイヤは、単一の導電性網において一体化される、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１３）
第３の種類の導電性ナノ構造をさらに備える、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１４）
前記第３の種類の導電性ナノ構造は、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、金属ナノワイヤ、カーボンブラック、またはそれらの組み合わせである、項目１３に記載の複合透明導電体。
（項目１５）
前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１６）
８５％より高い光透過性と、１０００Ω／□未満のシート抵抗とを有する、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１７）
前記第２の種類のナノ構造の前記導電性網は、金属ナノチューブを含む、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１８）
前記金属ナノチューブは、金ナノチューブである、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目１９）
前記第２の種類のナノ構造の前記導電性網は、ナノ粒子を含む、項目８に記載の複合透明導電体。
（項目２０）
前記ナノ粒子は、金属ナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、カーボンブラック、グラフェンシート、またはそれらの組み合わせである、項目１９に記載の複合透明導電体。
（項目２１）
前記連続導電性薄膜は、金属酸化物膜である、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目２２）
前記金属ナノワイヤは、前記金属酸化物膜の上に配置される、項目２１に記載の複合透明導電体。
（項目２３）
前記金属酸化物膜は、前記金属ナノワイヤの層の上に配置される、項目２１に記載の複合透明導電体。
（項目２４）
前記金属酸化物膜は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜であり、前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目２１に記載の複合透明導電体。
（項目２５）
８５％より高い光透過性と、１０００Ω／□未満のシート抵抗とを有する、項目２１に記載の複合透明導電体。
（項目２６）
前記一次導電性媒体および前記金属酸化物膜は、電気的に連結される、項目２１に記載の複合透明導電体。
（項目２７）
前記連続導電性薄膜は、導電性ポリマー膜である、項目１に記載の複合透明導電体。
（項目２８）
前記導電性ポリマー膜は、ポリ（アセチレン）、ポリ（ピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリパラフェニレン、ポリ（パラフェニレンスルフィド）、またはポリ（パラフェニレンビニレン）である、項目２７に記載の複合透明導電体。
（項目２９）
前記金属ナノワイヤは、前記導電性ポリマー膜の上に配置される、項目２７に記載の複合透明導電体。
（項目３０）
前記導電性ポリマー膜は、前記金属ナノワイヤの層の上に配置される、項目２７に記載の複合透明導電体。
（項目３１）
前記金属ナノワイヤは、前記導電性ポリマー膜の中に埋め込まれる、項目２７に記載の複合透明導電体。
（項目３２）
８５％より高い光透過性と、１０００Ω／□未満のシート抵抗とを有する、項目２７に記載の複合透明導電体。
（項目３３）
複数の金属ナノワイヤまたは複数の金属ナノチューブを含む一次導電性媒体と、
該一次導電性媒体に連結される二次導電性媒体であって、連続導電性薄膜である二次導電性媒体と
を備える複合透明導電体を備える、機器。
（項目３４）
前記金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤである、項目３３に記載の機器。
（項目３５）
前記連続導電性薄膜は、金属酸化物膜である、項目３３に記載の機器。
（項目３６）
連続導電性薄膜には、カーボンナノチューブが含まれる、項目３３に記載の機器。
（項目３７）
連続導電性薄膜は、導電性ポリマー膜である、項目３３に記載の機器。
（項目３８）
前記複合透明導電体は、第１の透明電極を形成する、項目３３に記載の機器。
（項目３９）
前記第１の透明電極に対向する第２の透明電極を形成する第２の複合透明導電体をさらに備える、項目３８に記載の機器。
（項目４０）
前記複合透明導電体は、８５％より高い光透過性と、１０００Ω／□未満のシート抵抗とを有する、項目３３に記載の機器。
（項目４１）
フラットパネルディスプレイ、タッチスクリーン、電磁遮蔽、電磁干渉機器、エレクトロルミネセント素子、または太陽電池である、項目３３に記載の機器。
（項目４２）
第１の電極と、
第２の電極であって、該第１の電極および該第２の電極の間の垂直距離は、セルギャップを規定する、第２の電極と
を備え、該第１の電極は、一次導電性媒体および二次導電性媒体を含む複合透明導電体であり、該一次導電性媒体は、該セルギャップと類似のメッシュサイズを有する金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを含み、該二次導電性媒体は、連続導電性薄膜または該セルギャップの約１／５から１／１００までのメッシュサイズを有するナノ構造の導電性網である、液晶ディスプレイセル。
（項目４３）
前記ナノ構造の導電性網は、前記セルギャップの約１／５から１／１０までのメッシュサイズを有する、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４４）
前記ナノ構造の導電性網は、前記セルギャップの約１／１０から１／１００までのメッシュサイズを有する、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４５）
前記ナノ構造の導電性網は、カーボンナノチューブである、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４６）
前記ナノ構造の導電性網は、前記一次導電性媒体の前記金属ナノワイヤとは異なる金属ナノワイヤである、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４７）
前記ナノ構造の導電性網は、前記一次導電性媒体の前記金属ナノチューブとは異なる金属ナノチューブである、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４８）
前記二次導電性媒体は、金属酸化物膜である、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目４９）
前記二次導電性媒体は、導電性ポリマー膜である、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目５０）
前記一次導電性媒体には、銀ナノワイヤが含まれる、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目５１）
前記一次導電性媒体には、金ナノチューブが含まれる、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目５２）
前記セルギャップは、約３−５μｍの間である、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目５３）
前記第２の電極は、複合透明導電体である、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。（項目５４）
前記第１の電極は、８０−９５％の光透過性を有する、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。
（項目５５）
前記第１の電極は、直径が２０−８０ｎｍであり、長さが５−３０μｍである金属ナノワイヤを備える、項目４２に記載の液晶ディスプレイセル。

Claims (12)

  1. 第１の電極と、
    第２の電極であって、該第１の電極および該第２の電極の間の垂直距離は、セルギャップを規定する、第２の電極と、
    を備え、
    該第１の電極は、一次導電性媒体および二次導電性媒体を含む複合透明導電体であり、
    該一次導電性媒体は、該セルギャップと類似のメッシュサイズを有する第１の種類のナノ構造の金属ナノワイヤまたは金属ナノチューブを含み、
    該二次導電性媒体は、第２の種類のナノ構造のカーボンナノチューブ、金属ナノワイヤ、又は金属ナノチューブを含み、かつ、該セルギャップの１／５から１／１００までのメッシュサイズを有するナノ構造の導電性網である、液晶ディスプレイセル。
  2. 前記ナノ構造の導電性網は、前記セルギャップの１／５から１／１０までのメッシュサイズを有する、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  3. 前記ナノ構造の導電性網は、前記セルギャップの１／１０から１／１００までのメッシュサイズを有する、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  4. 前記ナノ構造の導電性網は、カーボンナノチューブである、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  5. 前記一次導電性媒体は、金属ナノワイヤを含み、
    前記ナノ構造の導電性網は、前記一次導電性媒体の前記金属ナノワイヤとは異なる材料の金属ナノワイヤである、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  6. 前記一次導電性媒体は、金属ナノチューブを含み、
    前記ナノ構造の導電性網は、前記一次導電性媒体の前記金属ナノチューブとは異なる材料の金属ナノチューブである、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  7. 前記一次導電性媒体には、銀ナノワイヤが含まれる、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  8. 前記一次導電性媒体には、金ナノチューブが含まれる、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  9. 前記セルギャップは、３−５μｍの間である、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  10. 前記第２の電極は、複合透明導電体である、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  11. 前記第１の電極は、８０−９５％の光透過性を有する、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
  12. 前記第１の電極は、直径が２０−８０ｎｍであり、長さが５−３０μｍである金属ナノワイヤを備える、請求項１に記載の液晶ディスプレイセル。
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Families Citing this family (265)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5546763B2 (ja) 2005-08-12 2014-07-09 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤに基づく透明導電体
US8454721B2 (en) * 2006-06-21 2013-06-04 Cambrios Technologies Corporation Methods of controlling nanostructure formations and shapes
US8018568B2 (en) 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
TWI426531B (zh) * 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
AU2008260162B2 (en) 2007-05-29 2013-06-20 Tpk Holding Co., Ltd. Surfaces having particles and related methods
KR20090023803A (ko) * 2007-09-03 2009-03-06 삼성전자주식회사 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP5221088B2 (ja) * 2007-09-12 2013-06-26 株式会社クラレ 透明導電膜およびその製造方法
JP2011515510A (ja) 2008-02-26 2011-05-19 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 導電性特徴をスクリーン印刷するための方法および組成物
WO2010022353A1 (en) 2008-08-21 2010-02-25 Innova Meterials, Llc Enhanced surfaces, coatings, and related methods
KR20100029633A (ko) * 2008-09-08 2010-03-17 삼성전자주식회사 능동형 반투과 소자를 구비하는 디스플레이 장치
JP2010087105A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 太陽電池
JP5306760B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-02 富士フイルム株式会社 透明導電体、タッチパネル、及び太陽電池パネル
JP5189449B2 (ja) * 2008-09-30 2013-04-24 富士フイルム株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物、及び透明導電体
US20110180133A1 (en) * 2008-10-24 2011-07-28 Applied Materials, Inc. Enhanced Silicon-TCO Interface in Thin Film Silicon Solar Cells Using Nickel Nanowires
US20100101830A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Magnetic nanoparticles for tco replacement
US20100101829A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Steven Verhaverbeke Magnetic nanowires for tco replacement
US20100101832A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Compound magnetic nanowires for tco replacement
KR20100045675A (ko) 2008-10-24 2010-05-04 삼성전자주식회사 표시 장치
US8642118B2 (en) 2009-01-16 2014-02-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Pattern electrode manufacturing method and pattern electrode
EP2409486A4 (en) * 2009-03-18 2012-08-22 Bayer Materialscience Ag OPTICAL TRENCH LEVEL SYSTEM
JP5625256B2 (ja) * 2009-04-02 2014-11-19 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9536633B2 (en) 2009-04-10 2017-01-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Metallic composite and composition thereof
KR101009442B1 (ko) * 2009-04-15 2011-01-19 한국과학기술연구원 전도성 구조체를 이용한 전도성필름 제조방법 및 전도성필름
GB0908300D0 (en) 2009-05-14 2009-06-24 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester films
CN101963681B (zh) * 2009-07-24 2012-06-20 清华大学 偏光元件
EP2470610A1 (en) * 2009-08-24 2012-07-04 Cambrios Technologies Corporation Purification of metal nanostructures for improved haze in transparent conductors made from the same
JP2013503260A (ja) * 2009-08-25 2013-01-31 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 金属ナノワイヤの形態を制御する方法
JP5391932B2 (ja) * 2009-08-31 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI420540B (zh) 2009-09-14 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 藉由光能或熱能成形之導電材料、導電材料之製備方法以及導電組合物
KR101587124B1 (ko) * 2009-09-23 2016-01-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8917377B2 (en) 2009-10-22 2014-12-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Active lenses, stereoscopic image display apparatuses including active lenses and methods of operating the same
KR101632315B1 (ko) * 2009-10-22 2016-06-21 삼성전자주식회사 능동 렌즈 및 이를 채용한 입체 영상 디스플레이 장치
KR101611422B1 (ko) * 2009-11-17 2016-04-12 삼성전자주식회사 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법
WO2011065213A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 分散液、透明電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9586816B2 (en) * 2009-12-04 2017-03-07 Cam Holding Corporation Nanostructure-based transparent conductors having increased haze and devices comprising the same
EP2524380B1 (en) * 2010-01-15 2021-06-23 Cambrios Film Solutions Corporation Low-haze transparent conductors
CN102781816A (zh) 2010-01-25 2012-11-14 小利兰·斯坦福大学托管委员会 富勒烯掺杂的纳米结构及其方法
KR20120120358A (ko) * 2010-01-25 2012-11-01 더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티 결합된 나노구조체 및 이를 위한 방법
JP2013518974A (ja) * 2010-02-05 2013-05-23 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション 感光性インク組成物および透明導体ならびにこれらの使用方法
KR20130010471A (ko) * 2010-02-27 2013-01-28 이노바 다이나믹스, 인코포레이티드 표면 임베디드 첨가물을 갖는 구조 및 관련 제조 방법
US8518472B2 (en) * 2010-03-04 2013-08-27 Guardian Industries Corp. Large-area transparent conductive coatings including doped carbon nanotubes and nanowire composites, and methods of making the same
TWI549900B (zh) 2010-03-23 2016-09-21 坎畢歐科技公司 奈米結構透明導體之圖案化蝕刻
EP2418033B1 (en) * 2010-04-06 2020-05-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Metal complex and composition containing same
US9904393B2 (en) * 2010-06-11 2018-02-27 3M Innovative Properties Company Positional touch sensor with force measurement
TWI416544B (zh) * 2010-06-23 2013-11-21 Nat Univ Tsing Hua 複合電極及其製作方法、矽太陽能電池電極及矽太陽能電池
US10306758B2 (en) * 2010-07-16 2019-05-28 Atmel Corporation Enhanced conductors
FR2962852A1 (fr) * 2010-07-19 2012-01-20 Saint Gobain Electrode transparente pour cellule photovoltaique a haut rendement
KR101119269B1 (ko) * 2010-07-26 2012-03-16 삼성전기주식회사 터치패널용 투명도전막 및 그 제조방법
EP2598942A4 (en) * 2010-07-30 2014-07-23 Univ Leland Stanford Junior CONDUCTIVE FILMS
KR101489161B1 (ko) * 2010-07-30 2015-02-06 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
KR101658154B1 (ko) * 2010-07-30 2016-10-04 엘지디스플레이 주식회사 광전소자 및 그의 제조방법
AU2011289620C1 (en) 2010-08-07 2014-08-21 Tpk Holding Co., Ltd. Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods
US20120061625A1 (en) * 2010-09-09 2012-03-15 Eckert Karissa L Transparent conductive films, compositions, articles, and methods
US9112058B2 (en) 2010-09-10 2015-08-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Interface apparatus and methods
WO2012040637A2 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 The Regents Of The University Of California Nanowire-polymer composite electrodes
JP5664119B2 (ja) * 2010-10-25 2015-02-04 ソニー株式会社 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、光電変換装置および電子機器
KR20120044545A (ko) * 2010-10-28 2012-05-08 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자
US20120111614A1 (en) * 2010-11-10 2012-05-10 Free James J Integrated composite structure and electrical circuit utilizing carbon fiber as structural materials and as electric conductor
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
JP2014505963A (ja) * 2010-12-07 2014-03-06 ロディア オペレーションズ 導電性ナノ構造、そのようなナノ構造を作製するための方法、そのようなナノ構造を含有する導電性ポリマーフィルム、およびそのようなフィルムを含有する電子デバイス
US8763525B2 (en) * 2010-12-15 2014-07-01 Carestream Health, Inc. Gravure printing of transparent conductive films containing networks of metal nanoparticles
EP2465966A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-20 Innovation & Infinity Global Corp. Transparent conductive structure and method of making the same
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
KR101892198B1 (ko) * 2010-12-15 2018-08-27 콘달리그 에이에스 자외선 경화성 전도성 조성물의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 조성물
CN102569432B (zh) * 2010-12-17 2014-12-10 国家纳米科学中心 一种透明电极材料及其制备方法
KR20120071149A (ko) * 2010-12-22 2012-07-02 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
US20120273455A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Clean Energy Labs, Llc Methods for aligned transfer of thin membranes to substrates
US9575598B2 (en) 2010-12-27 2017-02-21 Tsinghua University Inputting fingertip sleeve
JP2012146430A (ja) * 2011-01-11 2012-08-02 Innovation & Infinity Global Corp 混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法
KR101795419B1 (ko) * 2011-01-26 2017-11-13 주식회사 잉크테크 투명 도전막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 투명 도전막
US20120196053A1 (en) * 2011-01-28 2012-08-02 Coull Richard Methods for creating an electrically conductive transparent structure
WO2012112818A2 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 The Regents Of The University Of California Interpenetrating networks of crystalline carbon and nano-scale electroactive materials
JP4893867B1 (ja) 2011-02-23 2012-03-07 ソニー株式会社 透明導電膜、分散液、情報入力装置、および電子機器
WO2012118582A1 (en) 2011-02-28 2012-09-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
US10494720B2 (en) 2011-02-28 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Metallic nanofiber ink, substantially transparent conductor, and fabrication method
US20140008747A1 (en) * 2011-03-29 2014-01-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of producing organic photoelectric conversion device
US9215797B2 (en) * 2011-04-07 2015-12-15 Nissha Printing Co., Ltd. Transfer sheet provided with transparent conductive film mainly composed of graphene, method for manufacturing same, and transparent conductor
WO2012145157A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-26 3M Innovative Properties Company Transparent electrode for electronic displays
CN102208547B (zh) * 2011-04-18 2013-11-20 电子科技大学 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102201549B (zh) * 2011-04-18 2013-08-14 电子科技大学 一种柔性发光器件用基板及其制备方法
CN102195006A (zh) * 2011-04-26 2011-09-21 福州大学 基于azo/石墨烯/azo结构的柔性电极及其制备
US9175183B2 (en) * 2011-05-23 2015-11-03 Carestream Health, Inc. Transparent conductive films, methods, and articles
US8974900B2 (en) * 2011-05-23 2015-03-10 Carestream Health, Inc. Transparent conductive film with hardcoat layer
TWI427644B (zh) * 2011-06-13 2014-02-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech 透明導電膜結構之製造方法
JP5866492B2 (ja) 2011-06-14 2016-02-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池およびその製造方法
WO2013003638A2 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Arjun Daniel Srinivas Transparent conductors incorporating additives and related manufacturing methods
US9573163B2 (en) * 2011-07-01 2017-02-21 Cam Holding Corporation Anisotropy reduction in coating of conductive films
KR101327069B1 (ko) 2011-07-28 2013-11-07 엘지이노텍 주식회사 전극 구조체 및 전극 제조 방법
US20140267107A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Sinovia Technologies Photoactive Transparent Conductive Films
US20130039806A1 (en) * 2011-08-12 2013-02-14 Jeffrey Blinn Nanowire purification methods, compositions, and articles
JP5813875B2 (ja) * 2011-08-24 2015-11-17 イノバ ダイナミックス， インコーポレイテッド パターン化された透明導体および関連する製造方法
CN103858242B (zh) * 2011-08-26 2016-08-17 加州大学校务委员会 纳米结构的透明导电氧化物电致变色装置
KR20130030903A (ko) * 2011-09-20 2013-03-28 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP5583097B2 (ja) * 2011-09-27 2014-09-03 株式会社東芝 透明電極積層体
JP5646424B2 (ja) * 2011-09-27 2014-12-24 株式会社東芝 透明電極積層体
KR101331112B1 (ko) 2011-09-28 2013-11-19 (주)바이오니아 탄소나노튜브 및 금속산화물으로 이루어진 나노복합체 및 이의 제조방법
KR20190092492A (ko) 2011-10-13 2019-08-07 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 금속 나노와이어들을 통합한 전극을 갖는 광전기 디바이스들
US9560754B2 (en) 2011-10-13 2017-01-31 The Johns Hopkins University Solution processed nanoparticle-nanowire composite film as a transparent conductor for opto-electronic devices
US9279551B2 (en) * 2011-12-05 2016-03-08 Koninklijke Philips N.V. Lighting system
WO2013086139A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Duke University Synthesis of cupronickel nanowires and their application in transparent conducting films
KR20130070729A (ko) * 2011-12-20 2013-06-28 제일모직주식회사 메탈나노와이어 및 탄소나노튜브를 포함하는 적층형 투명전극.
CN104094362B (zh) 2011-12-21 2017-01-18 3M创新有限公司 基于银纳米线的透明导电涂层的激光图案化
US10041748B2 (en) 2011-12-22 2018-08-07 3M Innovative Properties Company Carbon coated articles and methods for making the same
CN104321830B (zh) 2011-12-22 2017-09-22 3M创新有限公司 具有高透光率的导电制品
CN103213350B (zh) * 2012-01-18 2015-07-08 国家纳米科学中心 一种透明导电薄膜及其制备方法
US9917255B2 (en) * 2012-02-03 2018-03-13 Northwestern University Methods of making composite of graphene oxide and nanostructures
US9524806B2 (en) * 2012-02-07 2016-12-20 Purdue Research Foundation Hybrid transparent conducting materials
GB201203511D0 (en) * 2012-02-29 2012-04-11 Ibm Position sensing apparatus
KR101324281B1 (ko) * 2012-03-15 2013-11-01 인하대학교 산학협력단 고유연성을 가지는 산화 그라핀/은 나노와이어 하이브리드를 기반으로 하는 투명전도성 필름
DE102012102319A1 (de) 2012-03-20 2013-09-26 Rent A Scientist Gmbh Nichtlineare Nanodrähte
US9490048B2 (en) 2012-03-29 2016-11-08 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
JP5836866B2 (ja) 2012-03-30 2015-12-24 株式会社東芝 炭素電極とその製造方法およびそれを用いた光電変換素子
US10483104B2 (en) 2012-03-30 2019-11-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for producing stacked electrode and method for producing photoelectric conversion device
JP2013211212A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toshiba Corp 積層電極とその製造方法およびそれ用いた光電変換素子
TW201342102A (zh) * 2012-04-06 2013-10-16 Cambrios Technologies Corp 減少光學堆疊之漫反射之系統及方法
FR2989485B1 (fr) * 2012-04-11 2016-02-05 Commissariat Energie Atomique Capteur tactile et procede de fabrication d'un tel capteur
CN102616033A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种快速制备高透光性导电图案的方法
JP5706998B2 (ja) 2012-04-26 2015-04-22 国立大学法人大阪大学 透明導電性インク及び透明導電パターン形成方法
KR101388682B1 (ko) * 2012-04-30 2014-04-24 한국교통대학교산학협력단 은 나노와이어 및 그라핀을 이용한 하이브리드 전극 및 이의 제조방법
TWI450821B (zh) * 2012-05-03 2014-09-01 Taiwan Textile Res Inst 具可撓性的透明電極及其製造方法
US20130309613A1 (en) * 2012-05-16 2013-11-21 Corning Incorporated Liquid Based Films
US9086523B2 (en) * 2012-05-29 2015-07-21 The Boeing Company Nanotube signal transmission system
US9655252B2 (en) * 2012-06-01 2017-05-16 Suzhou Nuofei Nano Science And Technology Co., Ltd. Low haze transparent conductive electrodes and method of making the same
US20140014171A1 (en) 2012-06-15 2014-01-16 Purdue Research Foundation High optical transparent two-dimensional electronic conducting system and process for generating same
US9920207B2 (en) 2012-06-22 2018-03-20 C3Nano Inc. Metal nanostructured networks and transparent conductive material
US10029916B2 (en) 2012-06-22 2018-07-24 C3Nano Inc. Metal nanowire networks and transparent conductive material
TWI585032B (zh) * 2012-06-28 2017-06-01 無限科技全球公司 用於製造奈米結構的方法
WO2014015284A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 The Regents Of The University Of California High efficiency organic light emitting devices
KR101431705B1 (ko) * 2012-08-29 2014-08-20 (주)탑나노시스 나노와이어-탄소나노튜브 하이브리드 필름 및 이의 제조 방법
US20140060726A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Bluestone Global Tech Limited Methods for transferring graphene films and the like between substrates
CN104797363B (zh) 2012-09-27 2018-09-07 罗地亚经营管理公司 制造银纳米结构的方法和可用于此方法的共聚物
KR20140046923A (ko) 2012-10-11 2014-04-21 제일모직주식회사 투명 도전체, 이를 제조하기 위한 조성물 및 이를 포함하는 광학표시 장치
KR20140058895A (ko) * 2012-11-07 2014-05-15 삼성정밀화학 주식회사 전도성 고분자를 포함하는 복합체 전극 및 그 제조 방법
KR101991964B1 (ko) * 2012-11-07 2019-06-21 삼성에스디아이 주식회사 코어-쉘 구조를 갖는 나노와이어의 제조방법
JP5993028B2 (ja) * 2012-11-08 2016-09-14 アルプス電気株式会社 導電体及びその製造方法
KR101486636B1 (ko) * 2012-12-06 2015-01-29 세종대학교산학협력단 광투과 복합필름 및 이의 제조방법
JP6289494B2 (ja) * 2012-12-07 2018-03-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 導電性物品
CN103151394A (zh) * 2012-12-14 2013-06-12 广东志成冠军集团有限公司 薄膜太阳能电池及其制作方法
CN103078036B (zh) * 2013-01-17 2015-11-18 北京工业大学 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
KR101364531B1 (ko) * 2013-01-21 2014-02-19 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 투명 전극 및 그 제조 방법
WO2014116738A1 (en) 2013-01-22 2014-07-31 Cambrios Technologies Corporation Nanostructure transparent conductors having high thermal stability for esd protection
DE102013002855A1 (de) 2013-02-20 2014-08-21 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Formulierungen aus gewaschenen Silberdrähten und PEDOT
WO2014129504A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 国立大学法人東京工業大学 導電性ナノワイヤーネットワーク並びにこれを利用した導電性基板及び透明電極、並びにそれらの製造方法
US9530531B2 (en) * 2013-02-21 2016-12-27 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing highly conducting and transparent films from graphene oxide-metal nanowire hybrid materials
US10468152B2 (en) * 2013-02-21 2019-11-05 Global Graphene Group, Inc. Highly conducting and transparent film and process for producing same
US10020807B2 (en) 2013-02-26 2018-07-10 C3Nano Inc. Fused metal nanostructured networks, fusing solutions with reducing agents and methods for forming metal networks
JP2014165094A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Nippon Zeon Co Ltd 導電性フィルム、タッチパネル、太陽電池用電極、および太陽電池
US20140272199A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Yi-Jun Lin Ultrasonic spray coating of conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
US20140262443A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Cambrios Technologies Corporation Hybrid patterned nanostructure transparent conductors
US8871296B2 (en) * 2013-03-14 2014-10-28 Nanotek Instruments, Inc. Method for producing conducting and transparent films from combined graphene and conductive nano filaments
JP5450863B2 (ja) * 2013-03-27 2014-03-26 富士フイルム株式会社 導電層形成用分散物及び透明導電体
JP6147542B2 (ja) * 2013-04-01 2017-06-14 株式会社東芝 透明導電フィルムおよび電気素子
US9368248B2 (en) 2013-04-05 2016-06-14 Nuovo Film, Inc. Transparent conductive electrodes comprising metal nanowires, their structure design, and method of making such structures
US9477128B2 (en) * 2013-04-19 2016-10-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Graphene/metal nanowire hybrid transparent conductive films
CN104168009B (zh) * 2013-05-17 2018-03-23 光宝电子(广州)有限公司 发光型触控开关装置及发光型触控开关模组
CN103242630B (zh) * 2013-05-20 2015-05-06 嘉兴学院 一种聚对苯二甲酸乙二酯(pet)基电磁屏蔽复合材料及其制备方法
WO2015005204A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 東洋紡株式会社 導電性ペースト
TW201502653A (zh) * 2013-07-10 2015-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 液晶顯示裝置
KR20150019820A (ko) * 2013-08-16 2015-02-25 일진엘이디(주) 나노와이어를 이용한 질화물 반도체 발광소자
CN103426991A (zh) * 2013-08-23 2013-12-04 厦门大学 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法
JP6308737B2 (ja) 2013-08-26 2018-04-11 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、分散液、透明導電膜、情報入力装置、及び、電子機器
KR101524069B1 (ko) * 2013-09-16 2015-06-10 덕산하이메탈(주) 나노 물질층을 포함하는 적층형 투명 전극
US9663400B2 (en) * 2013-11-08 2017-05-30 Corning Incorporated Scratch-resistant liquid based coatings for glass
KR102065110B1 (ko) 2013-11-12 2020-02-11 삼성전자주식회사 플렉서블 그래핀 스위칭 소자
US11274223B2 (en) * 2013-11-22 2022-03-15 C3 Nano, Inc. Transparent conductive coatings based on metal nanowires and polymer binders, solution processing thereof, and patterning approaches
US9674947B2 (en) * 2013-12-04 2017-06-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Transparent conductor, method for preparing the same, and optical display including the same
KR101514325B1 (ko) * 2013-12-10 2015-04-22 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 전기 방사 방법을 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102162426B1 (ko) * 2013-12-11 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
EP3084776B1 (de) * 2013-12-19 2018-06-20 Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der Angewand Transparente nanodrahtelektrode mit funktionaler organischer schicht
CN105814271B (zh) 2013-12-24 2019-03-22 唯景公司 遮掩电致变色玻璃结构中的汇流条
US11906868B2 (en) 2013-12-24 2024-02-20 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
US10884311B2 (en) 2013-12-24 2021-01-05 View, Inc. Obscuring bus bars in electrochromic glass structures
JP6327870B2 (ja) 2014-01-29 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 金属ナノワイヤー、透明導電膜及びその製造方法、分散液、情報入力装置、並びに、電子機器
CN105900182B (zh) * 2014-01-31 2017-10-27 日本瑞翁株式会社 透明导电膜、色素敏化太阳能电池用光电极及触摸面板以及色素敏化太阳能电池
EP3100304A1 (en) * 2014-01-31 2016-12-07 Champ Great Int'l Corporation Tandem organic photovoltaic devices that include a metallic nanostructure recombination layer
JP6441576B2 (ja) 2014-02-03 2018-12-19 デクセリアルズ株式会社 透明導電膜及びその製造方法、情報入力装置、並びに、電子機器
KR101586902B1 (ko) * 2014-04-09 2016-01-19 인트리 주식회사 나노구조의 패턴을 구비한 광투과성 도전체 및 그 제조방법
US11343911B1 (en) 2014-04-11 2022-05-24 C3 Nano, Inc. Formable transparent conductive films with metal nanowires
GB2526311B (en) * 2014-05-20 2019-06-19 M Solv Ltd Manufacturing a conductive nanowire layer
CN104009141B (zh) * 2014-05-24 2017-10-13 北京工业大学 碳纳米管银纳米线复合电流扩展层发光二极管及其制作方法
JP2016027464A (ja) * 2014-05-30 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、情報処理装置
CN104020887A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 南昌欧菲光科技有限公司 触摸屏
TWI486969B (zh) * 2014-06-11 2015-06-01 Nat Univ Tsing Hua 複合導電材料的製作方法及其導電薄膜
KR101536526B1 (ko) * 2014-06-17 2015-07-15 한양대학교 산학협력단 미세 구조체를 갖는 기판 및 그 제조 방법
US9801287B2 (en) 2014-07-09 2017-10-24 Cam Holding Corporation Electrical contacts in layered structures
EP2977993A1 (en) 2014-07-25 2016-01-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Formulations comprising metal nanowires and pedot
US9183968B1 (en) 2014-07-31 2015-11-10 C3Nano Inc. Metal nanowire inks for the formation of transparent conductive films with fused networks
EP3195342A4 (en) * 2014-08-07 2018-04-04 Flinders Partners Pty Ltd. Transparent electrode materials and methods for forming same
US9927667B2 (en) 2014-08-11 2018-03-27 Sci Engineered Materials, Inc. Display having a transparent conductive oxide layer comprising metal doped zinc oxide applied by sputtering
US11111396B2 (en) * 2014-10-17 2021-09-07 C3 Nano, Inc. Transparent films with control of light hue using nanoscale colorants
CN104505149A (zh) * 2014-11-19 2015-04-08 东北师范大学 一种叠层透明电极及其制备方法
JP6369788B2 (ja) 2014-11-27 2018-08-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 エレクトロニクス用構造体
CN105304209B (zh) * 2014-11-27 2017-02-22 中国科学院金属研究所 一种在彩色滤光片上制备透明导电薄膜的方法
CN104393194A (zh) * 2014-12-10 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性电极、其制作方法、电子皮肤及柔性显示装置
KR20170097680A (ko) * 2014-12-16 2017-08-28 솔베이(소시에떼아노님) 금속 나노와이어를 포함하는 투명 전도체, 및 그 형성 방법
CN104503162A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 具有触控功能的显示面板及其制造方法和复合电极
KR20160084715A (ko) * 2015-01-06 2016-07-14 연세대학교 산학협력단 투명전극 및 그의 제조방법
TWI684999B (zh) * 2015-01-14 2020-02-11 日商東洋紡股份有限公司 導電性膜
CN104681645B (zh) * 2015-01-23 2016-09-21 华南师范大学 一种基于金属网格和金属纳米线制备复合透明导电电极的方法
KR102320382B1 (ko) 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102347960B1 (ko) 2015-02-03 2022-01-05 삼성전자주식회사 도전체 및 그 제조 방법
TWI564071B (zh) * 2015-02-09 2017-01-01 國立中山大學 結合材料粒子於石墨烯－半導體基材表面之光化學方法及半導體結構
KR101881195B1 (ko) * 2015-04-01 2018-07-23 성균관대학교산학협력단 나노 복합체를 이용한 변형률 감지센서 및 이의 제조방법
KR101676760B1 (ko) * 2015-04-09 2016-11-16 울산과학기술원 전기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101701603B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101689740B1 (ko) * 2015-04-09 2016-12-26 울산과학기술원 드럼 컬렉터를 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR101701601B1 (ko) * 2015-04-09 2017-02-02 희성전자 주식회사 자기장을 이용한 전기 방사 장치 및 이를 이용한 투명 전극의 제조 방법
KR102335116B1 (ko) * 2015-04-13 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
EP3286768A4 (en) * 2015-04-21 2019-01-02 Chasm Technologies, Inc. Transparent conductive film
JP6626126B2 (ja) * 2015-05-05 2019-12-25 ナノ−シー インコーポレイテッドＮａｎｏ−Ｃ， Ｉｎｃ． 多層、透明、導電性、薄層積み重ねの機械的強化用カーボンナノチューブベースハイブリッドフィルム
US10081020B2 (en) 2015-06-12 2018-09-25 Dow Global Technologies Llc Hydrothermal method for manufacturing filtered silver nanowires
US10376898B2 (en) 2015-06-12 2019-08-13 Dow Global Technologies Llc Method for manufacturing high aspect ratio silver nanowires
CN105118836B (zh) * 2015-07-29 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
KR20170018718A (ko) * 2015-08-10 2017-02-20 삼성전자주식회사 비정질 합금을 이용한 투명 전극 및 그 제조 방법
CN208488734U (zh) 2015-08-21 2019-02-12 3M创新有限公司 包括金属迹线的透明导体
CN105093638A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 深圳市华科创智技术有限公司 Pdlc智能膜的制备方法及pdlc智能膜
EP3159897A1 (en) 2015-10-20 2017-04-26 Solvay SA Composition for forming transparent conductor and transparentconductor made therefrom
CN106611627A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 苏州汉纳材料科技有限公司 高质量碳纳米管透明导电膜及其制备方法与应用
CN105810305B (zh) * 2015-10-23 2017-11-24 苏州汉纳材料科技有限公司 柔性CNTs/金属纳米线复合透明导电膜、其制备方法与应用
KR102581899B1 (ko) * 2015-11-04 2023-09-21 삼성전자주식회사 투명 전극 및 이를 포함하는 소자
US10147512B2 (en) 2015-12-09 2018-12-04 C3Nano Inc. Methods for synthesizing silver nanoplates and noble metal coated silver nanoplates and their use in transparent films for control of light hue
US9857930B2 (en) 2015-12-16 2018-01-02 3M Innovative Properties Company Transparent conductive component with interconnect circuit tab comprising cured organic polymeric material
CN105575477B (zh) * 2016-01-27 2017-11-28 深圳先进技术研究院 一种提高银纳米线柔性透明导电膜导电性的方法
ES2632247B1 (es) * 2016-03-11 2020-06-03 Garcia Guerrero Jorge Cable inteligente de fibra óptica y fibras de nanotubos de carbono
CN108602119B (zh) * 2016-03-14 2020-09-01 尤尼吉可株式会社 纳米线及其制造方法、纳米线分散液以及透明导电膜
KR102004025B1 (ko) * 2016-03-15 2019-07-25 삼성에스디아이 주식회사 투명 도전체 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN107293591B (zh) * 2016-04-11 2020-03-31 华邦电子股份有限公司 印刷线路、薄膜晶体管及其制造方法
US20180004318A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Khaled Ahmed Flexible sensor
CN106205876A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 福建农林大学 一种柔性纤维素基透明导电材料的制备方法
KR20180044618A (ko) * 2016-10-24 2018-05-03 현대자동차주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
CN106526991A (zh) * 2016-12-02 2017-03-22 深圳市华星光电技术有限公司 电极制作方法及液晶显示面板
EP3340252A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Electrode assembly
EP3340253A1 (en) 2016-12-22 2018-06-27 Solvay SA Uv-resistant electrode assembly
CN108630708A (zh) 2017-03-15 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 导电基板及其制作方法、显示装置
CN108621753A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 凯姆控股有限公司 平面加热结构
JP6978227B2 (ja) * 2017-05-31 2021-12-08 日東電工株式会社 調光フィルム
US11491327B2 (en) 2017-09-05 2022-11-08 Seoul National University R&Db Foundation Bio electrode and method of forming the same
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
KR101987387B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-10 한국화학연구원 광소결 전도성 전극 및 이의 제조방법
CN109822996A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 宸美（厦门）光电有限公司 电控变色车用玻璃
CN108336191B (zh) * 2017-12-08 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管芯片及制备方法
DE102018200659B4 (de) * 2018-01-16 2020-11-05 Continental Automotive Gmbh Mehrfachschichtanordnung für eine flächig ausgestaltete schaltbare Verglasung, Verglasung und Fahrzeug
CN112088410B (zh) * 2018-03-09 2023-08-08 大日本印刷株式会社 导电性膜、传感器、触控面板和图像显示装置
KR102003427B1 (ko) * 2018-03-28 2019-07-24 전북대학교산학협력단 섬유기반 접힘 투명 전극을 이용한 유연 액정 필름 및 이의 제조방법
CN108717944B (zh) * 2018-05-30 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 导电膜及其制备方法及显示装置
CN110676341B (zh) * 2018-07-03 2021-06-25 清华大学 半导体结构、光电器件、光探测器及光探测仪
CN108598288A (zh) * 2018-07-10 2018-09-28 上海大学 一种复合多功能oled电极及其制备方法
CN108693597A (zh) * 2018-08-01 2018-10-23 京东方科技集团股份有限公司 导光结构及其制造方法、背光模组、液晶显示装置
TWI684519B (zh) * 2018-08-20 2020-02-11 郭明智 複合導電材料
KR101996833B1 (ko) * 2018-09-21 2019-10-01 현대자동차 주식회사 투명 전극 필름 및 이를 포함하는 터치 패널
KR20220004152A (ko) 2019-05-06 2022-01-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전기 전도성 요소를 포함하는 패턴화된 물품
CN110083279A (zh) * 2019-05-07 2019-08-02 业成科技（成都）有限公司 透明导电材料、触控结构及触控装置
CN110333793B (zh) * 2019-05-09 2022-12-09 业成科技（成都）有限公司 可挠触控结构
CN110201440B (zh) * 2019-05-23 2023-04-21 中色科技股份有限公司 一种板式过滤机换纸涨缩轴涨缩方法
CN110429202A (zh) 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板、制作方法及智能穿戴设备
CN111112862A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 顾氏纳米科技（浙江）有限公司 一种化学焊接银纳米线的方法
US11947233B2 (en) 2019-12-30 2024-04-02 Sage Electrochromics, Inc. Controlled randomization of electrochromic ablation patterns
CN111416058B (zh) * 2020-04-03 2024-04-19 苏州星烁纳米科技有限公司 一种导电薄膜、显示装置和显示装置的制作方法
CN113650373B (zh) * 2020-05-12 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 一种触控层及其制备方法，以及触控装置
CN115699220A (zh) * 2020-08-19 2023-02-03 东洋纺株式会社 透明导电性薄膜
CN114171241A (zh) * 2020-12-22 2022-03-11 苏州星烁纳米科技有限公司 一种导电结构及其制备方法、由其制备的电子设备
CN114694877B (zh) * 2020-12-28 2024-09-24 乐凯华光印刷科技有限公司 一种纳米银线复合透明导电膜
KR20230142737A (ko) * 2021-01-26 2023-10-11 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 전이 금속 디칼코제나이드 박막을 구비하는 광전 변환소자 및 상기 광전 변환 소자를 구비하는 수광 소자
JP2022122545A (ja) * 2021-02-10 2022-08-23 日東電工株式会社 透明導電性フィルム

Family Cites Families (225)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2426318A (en) * 1945-11-15 1947-08-26 Stanolind Oil & Gas Co Inhibiting corrosion
US3164308A (en) 1961-02-28 1965-01-05 Marcovitch Isaac Containers for liquified fuel gas
DE3368092D1 (en) 1982-07-30 1987-01-15 Mishima Paper Co Ltd Conductive film for packaging
FR2537898A1 (fr) * 1982-12-21 1984-06-22 Univ Paris Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede
DE3479793D1 (en) 1983-08-01 1989-10-26 Allied Signal Inc Oriented film laminates of polyamides and ethylene vinyl alcohol
US4523976A (en) * 1984-07-02 1985-06-18 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor devices
US4780371A (en) 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
JPS63229061A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 テルモ株式会社 膜型人工肺とその製造方法
DE3870012D1 (de) * 1987-04-03 1992-05-21 Ciba Geigy Ag Antistatische und elektrisch leitende polymere und formmassen.
JP2547765B2 (ja) * 1987-04-07 1996-10-23 株式会社日立製作所 電子機器用電磁波シ−ルド構造体
US5292784A (en) 1989-05-23 1994-03-08 Ganns Financial Group, Inc., Dba Glare Tech Industries Incorporated Anti-glare coating for reflective-transmissive surfaces and method
US5063125A (en) 1989-12-29 1991-11-05 Xerox Corporation Electrically conductive layer for electrical devices
US5716663A (en) 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
CA2038785C (en) 1990-03-27 1998-09-29 Atsushi Oyamatsu Magneto-optical recording medium
US5225244A (en) * 1990-12-17 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Polymeric anti-reflection coatings and coated articles
US5165985A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a flexible, transparent film for electrostatic shielding
US5198267A (en) * 1991-09-20 1993-03-30 Allied-Signal Inc. Fluoropolymer blend anti-reflection coatings and coated articles
US5270364A (en) * 1991-09-24 1993-12-14 Chomerics, Inc. Corrosion resistant metallic fillers and compositions containing same
EP0617724B1 (en) * 1991-12-16 1998-08-12 IBBOTSON, Peter, Graham Antiglare and/or reflection formulation
EP0554220A1 (de) 1992-01-29 1993-08-04 Ciba-Geigy Ag Charge-Transfer Komplexe mit Ferrocenen, deren Herstellung und deren Verwendung
EP0583220B1 (de) 1992-07-15 1996-11-20 Ciba-Geigy Ag Beschichtetes Material, dessen Herstellung und Verwendung
EP0588759A1 (de) * 1992-08-20 1994-03-23 Ciba-Geigy Ag Dithiopentacenderivate, deren Herstellung und deren Verwendung als Elektronenakzeptoren in Charge-Transfer Komplexen
KR100214428B1 (ko) * 1993-06-30 1999-08-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 적외선차단재와 그것에 사용하는 적외선차단분말
US5415815A (en) 1993-07-14 1995-05-16 Bruno; Art Film for glare reduction
US5460701A (en) 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
EP0653763A1 (en) 1993-11-17 1995-05-17 SOPHIA SYSTEMS Co., Ltd. Ultraviolet hardenable, solventless conductive polymeric material
US5759230A (en) 1995-11-30 1998-06-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Nanostructured metallic powders and films via an alcoholic solvent process
US5897945A (en) 1996-02-26 1999-04-27 President And Fellows Of Harvard College Metal oxide nanorods
JP2984595B2 (ja) 1996-03-01 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
IT1282387B1 (it) 1996-04-30 1998-03-20 Videocolor Spa Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione
US5820957A (en) 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH1017325A (ja) 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム粉末及びその製造方法
JPH1046382A (ja) 1996-07-26 1998-02-17 Mitsubishi Materials Corp 微細金属繊維の製造方法及び該繊維を用いた導電性塗料
US5905000A (en) 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US5851507A (en) 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US6344271B1 (en) 1998-11-06 2002-02-05 Nanoenergy Corporation Materials and products using nanostructured non-stoichiometric substances
US5788738A (en) 1996-09-03 1998-08-04 Nanomaterials Research Corporation Method of producing nanoscale powders by quenching of vapors
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US5952040A (en) 1996-10-11 1999-09-14 Nanomaterials Research Corporation Passive electronic components from nano-precision engineered materials
US6202471B1 (en) 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
US5731119A (en) 1996-11-12 1998-03-24 Eastman Kodak Company Imaging element comprising an electrically conductive layer containing acicular metal oxide particles and a transparent magnetic recording layer
US5719016A (en) 1996-11-12 1998-02-17 Eastman Kodak Company Imaging elements comprising an electrically conductive layer containing acicular metal-containing particles
JP3398587B2 (ja) 1996-12-10 2003-04-21 タキロン株式会社 成形可能な制電性樹脂成形品
US6379745B1 (en) 1997-02-20 2002-04-30 Parelec, Inc. Low temperature method and compositions for producing electrical conductors
US6001163A (en) 1997-04-17 1999-12-14 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate
US6045925A (en) 1997-08-05 2000-04-04 Kansas State University Research Foundation Encapsulated nanometer magnetic particles
TW505685B (en) 1997-09-05 2002-10-11 Mitsubishi Materials Corp Transparent conductive film and composition for forming same
US6514453B2 (en) 1997-10-21 2003-02-04 Nanoproducts Corporation Thermal sensors prepared from nanostructureed powders
JP2972702B2 (ja) 1998-03-17 1999-11-08 静岡日本電気株式会社 ペン入力型携帯情報端末機
US5867945A (en) 1998-06-04 1999-02-09 Scafidi; Stephen J. Self-cleaning gutter
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
US6294401B1 (en) 1998-08-19 2001-09-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same
US6241451B1 (en) 1998-09-08 2001-06-05 Knight Manufacturing Corp. Distributor apparatus for spreading materials
US6541539B1 (en) 1998-11-04 2003-04-01 President And Fellows Of Harvard College Hierarchically ordered porous oxides
US6855202B2 (en) 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
US6274412B1 (en) 1998-12-21 2001-08-14 Parelec, Inc. Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays
US6265466B1 (en) 1999-02-12 2001-07-24 Eikos, Inc. Electromagnetic shielding composite comprising nanotubes
JP3909791B2 (ja) 1999-04-19 2007-04-25 共同印刷株式会社 透明導電膜の転写方法
US6342097B1 (en) 1999-04-23 2002-01-29 Sdc Coatings, Inc. Composition for providing an abrasion resistant coating on a substrate with a matched refractive index and controlled tintability
US6881604B2 (en) 1999-05-25 2005-04-19 Forskarpatent I Uppsala Ab Method for manufacturing nanostructured thin film electrodes
WO2001001475A1 (en) 1999-06-30 2001-01-04 The Penn State Research Foundation Electrofluidic assembly of devices and components for micro- and nano-scale integration
JP2003504857A (ja) 1999-07-02 2003-02-04 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ ナノスコピックワイヤを用いる装置、アレイおよびその製造方法
JP4358936B2 (ja) * 1999-07-15 2009-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、ゴーグル型表示装置、表示装置の作製方法及びゴーグル型表示装置の作製方法
JP3882419B2 (ja) 1999-09-20 2007-02-14 旭硝子株式会社 導電膜形成用塗布液およびその用途
ATE459488T1 (de) 1999-09-28 2010-03-15 Kyodo Printing Co Ltd Übertragungskörper und verwendungsverfahren
CZ297808B6 (cs) 1999-10-20 2007-04-04 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fotoiniciacní prostredky, zpusob jejich prípravy a jejich pouzití
JP2002083518A (ja) 1999-11-25 2002-03-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性基材とその製造方法並びにこの透明導電性基材が適用された表示装置、および透明導電層形成用塗液とその製造方法
NL1016815C2 (nl) 1999-12-15 2002-05-14 Ciba Sc Holding Ag Oximester-fotoinitiatoren.
WO2001044132A1 (fr) 1999-12-17 2001-06-21 Asahi Glass Company, Limited Composition de dispersion de particules ultrafines, composition de couche de liaison intercouche pour verre feuillete, couche de liaison intercouche, et verre feuillete
JP2001205600A (ja) 2000-01-27 2001-07-31 Canon Inc 微細構造体及びその製造方法
AU2001249323A1 (en) 2000-03-22 2001-10-03 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
FR2807052B1 (fr) 2000-04-03 2003-08-15 Clariant France Sa Compositions silico-acryliques, leur procede de preparation et leur utilisation
US6773823B2 (en) 2000-04-07 2004-08-10 University Of New Orleans Research And Technology Foundation, Inc. Sequential synthesis of core-shell nanoparticles using reverse micelles
JP2001291431A (ja) 2000-04-10 2001-10-19 Jsr Corp 異方導電性シート用組成物、異方導電性シート、その製造方法および異方導電性シートを用いた接点構造
JP4077596B2 (ja) 2000-05-31 2008-04-16 中島工業株式会社 低反射層を有する転写材及びこれを用いた成型品の製造方法
ATE337173T1 (de) 2000-06-30 2006-09-15 Ngimat Co Verfahren zum kunststoffbeschichten
JP4788852B2 (ja) 2000-07-25 2011-10-05 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基材とその製造方法およびこの製造方法に用いられる透明コート層形成用塗布液と透明導電性基材が適用された表示装置
US6872189B2 (en) 2000-08-15 2005-03-29 Hammerhead Design And Development, Inc. Gastric access port
WO2002024344A2 (de) 2000-09-25 2002-03-28 Chemetall Gmbh Verfahren zur vorbehandlung und beschichtung von metallischen oberflächen vor der umformung mit einem lackähnlichen überzug und verwendung der derart beschichteten substrate
GB0025016D0 (en) 2000-10-12 2000-11-29 Micromass Ltd Method nad apparatus for mass spectrometry
US6537667B2 (en) 2000-11-21 2003-03-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electro-conductive oxide particle and process for its production
WO2002046507A2 (en) 2000-12-04 2002-06-13 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Onium salts and the use therof as latent acids
WO2002048428A1 (en) 2000-12-12 2002-06-20 Konica Corporation Method for forming thin film, article having thin film, optical film, dielectric coated electrode, and plasma discharge processor
US6744425B2 (en) 2000-12-26 2004-06-01 Bridgestone Corporation Transparent electroconductive film
US6444495B1 (en) 2001-01-11 2002-09-03 Honeywell International, Inc. Dielectric films for narrow gap-fill applications
JP3560333B2 (ja) 2001-03-08 2004-09-02 独立行政法人 科学技術振興機構 金属ナノワイヤー及びその製造方法
WO2002076724A1 (en) 2001-03-26 2002-10-03 Eikos, Inc. Coatings containing carbon nanotubes
KR20040000418A (ko) 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스
JP2002322558A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Konica Corp 薄膜形成方法、光学フィルム、偏光板及び画像表示装置
US7147687B2 (en) 2001-05-25 2006-12-12 Nanosphere, Inc. Non-alloying core shell nanoparticles
AU2002239726A1 (en) 2001-05-25 2002-12-09 Northwestern University Non-alloying core shell nanoparticles
US6697881B2 (en) 2001-05-29 2004-02-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for efficient format, read, write, and initial copy processing involving sparse logical units
US20050164515A9 (en) 2001-06-05 2005-07-28 Belcher Angela M. Biological control of nanoparticle nucleation, shape and crystal phase
US20030148380A1 (en) 2001-06-05 2003-08-07 Belcher Angela M. Molecular recognition of materials
WO2002100931A1 (en) 2001-06-08 2002-12-19 Eikos, Inc. Nanocomposite dielectrics
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
AU2002332422C1 (en) 2001-07-27 2008-03-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6934001B2 (en) 2001-08-13 2005-08-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Structure and method for supporting a flexible substrate
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
JP2004042012A (ja) * 2001-10-26 2004-02-12 Nec Corp 分離装置、分析システム、分離方法および分離装置の製造方法
ITTO20020033A1 (it) 2002-01-11 2003-07-11 Fiat Ricerche Dispositivo elettro-luminescente.
WO2003068674A1 (fr) 2002-02-15 2003-08-21 Japan Science And Technology Agency Structure de fils nanometriques en metal noble et leur procede de production
JP4556204B2 (ja) 2003-02-06 2010-10-06 三菱マテリアル株式会社 金属ナノ繊維含有組成物およびその用途
EP1339082A1 (en) 2002-02-25 2003-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Impact-resistant film for flat display panel, and flat display panel
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
WO2004034421A2 (en) 2002-05-10 2004-04-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for electric field assisted deposition of films of nanoparticles
TWI360098B (en) * 2002-05-17 2012-03-11 Semiconductor Energy Lab Display apparatus and driving method thereof
EP1513621A4 (en) * 2002-05-21 2005-07-06 Eikos Inc METHOD FOR CONFIGURING COATING OF CARBON NANOTUBES AND WIRING OF CARBON NANOTUBES
KR101321255B1 (ko) 2002-06-13 2013-10-28 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 전도성 투명 나노-코팅 및 나노-잉크를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 나노-분말 코팅 및 잉크
JP3606855B2 (ja) * 2002-06-28 2005-01-05 ドン ウン インターナショナル カンパニー リミテッド 炭素ナノ粒子の製造方法
JP3842177B2 (ja) * 2002-07-03 2006-11-08 独立行政法人科学技術振興機構 貴金属ナノチューブ及びその製造方法
JP2004035962A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Toyota Motor Corp 金属ナノチューブの製造法
JP2004055298A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Catalysts & Chem Ind Co Ltd 透明導電性被膜形成用塗布液、および透明導電性被膜付基材、表示装置
JP4134313B2 (ja) 2002-07-24 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
JP4266732B2 (ja) 2002-08-30 2009-05-20 キヤノン株式会社 積層型回折光学素子
US7598344B2 (en) 2002-09-04 2009-10-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Composition, method and use of bi-functional biomaterials
AU2003268487A1 (en) 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanocomposites
US7572393B2 (en) * 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
WO2004023527A2 (en) * 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Nanostructure and nanocomposite based compositions and photovoltaic devices
JP4134314B2 (ja) 2002-09-13 2008-08-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性粉末の製造方法
US20050064508A1 (en) 2003-09-22 2005-03-24 Semzyme Peptide mediated synthesis of metallic and magnetic materials
US7135728B2 (en) 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7067867B2 (en) 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7560160B2 (en) 2002-11-25 2009-07-14 Materials Modification, Inc. Multifunctional particulate material, fluid, and composition
US6949931B2 (en) 2002-11-26 2005-09-27 Honeywell International Inc. Nanotube sensor
JP3972093B2 (ja) 2002-12-04 2007-09-05 独立行政法人物質・材料研究機構 β−Ｇａ２Ｏ３ナノウイスカーとその製造方法
EP1583715A2 (en) * 2002-12-06 2005-10-12 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
JP4341005B2 (ja) 2002-12-17 2009-10-07 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有組成物および電磁波遮蔽フィルター
JP2004196981A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Toyobo Co Ltd 表面導電性樹脂成形体
US6975067B2 (en) 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
KR100502821B1 (ko) 2002-12-26 2005-07-22 이호영 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원
JP2007112133A (ja) 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
US20060257638A1 (en) 2003-01-30 2006-11-16 Glatkowski Paul J Articles with dispersed conductive coatings
JP2004230690A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Takiron Co Ltd 制電性透明樹脂板
JP4471346B2 (ja) 2003-01-31 2010-06-02 タキロン株式会社 電磁波シールド体
JP2004241228A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Toin Gakuen プラスチックフィルム電極及びそれを用いた光電池
JP2004253326A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Toyobo Co Ltd 導電性フイルム
JP2004256702A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Toyobo Co Ltd 導電性塗料
WO2004083290A2 (en) 2003-03-17 2004-09-30 University Of Rochester Core-shell magnetic nanoparticles and nanocomposite materials formed therefrom
US6916842B2 (en) 2003-03-24 2005-07-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of 5-methyl-n-(methyl aryl)-2-pyrrolidone, 5-methyl-n-(methyl cycloalkyl)-2-pyrrolidone and 5-methyl-n-alkyl-2-pyrrolidone by reductive amination of levulinic acid esters with cyano compounds
US7521851B2 (en) * 2003-03-24 2009-04-21 Zhidan L Tolt Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite
US6936761B2 (en) 2003-03-29 2005-08-30 Nanosolar, Inc. Transparent electrode, optoelectronic apparatus and devices
CN1442872A (zh) * 2003-04-17 2003-09-17 上海交通大学 多层纳米透明导电膜及其制备方法
TW200503611A (en) 2003-04-28 2005-01-16 Takiron Co Electromagnetic wave shielding light diffusion sheet
TWI250202B (en) 2003-05-13 2006-03-01 Eternal Chemical Co Ltd Process and slurry for chemical mechanical polishing
US7033416B2 (en) 2003-05-22 2006-04-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature synthesis of metallic nanoparticles
WO2004112151A2 (en) * 2003-06-12 2004-12-23 Patterning Technologies Limited Transparent conducting structures and methods of production thereof
CN100395283C (zh) 2003-07-04 2008-06-18 日东电工株式会社 导电纤维素基薄膜
WO2005017962A2 (en) 2003-08-04 2005-02-24 Nanosys, Inc. System and process for producing nanowire composites and electronic substrates therefrom
WO2005023466A1 (ja) 2003-09-05 2005-03-17 Mitsubishi Materials Corporation 金属微粒子、それを含む組成物、および金属微粒子の製造方法
US7416993B2 (en) 2003-09-08 2008-08-26 Nantero, Inc. Patterned nanowire articles on a substrate and methods of making the same
US7062848B2 (en) 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7067328B2 (en) 2003-09-25 2006-06-27 Nanosys, Inc. Methods, devices and compositions for depositing and orienting nanostructures
JP2005103723A (ja) 2003-10-01 2005-04-21 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 金属ナノワイヤーの単結晶化方法及び装置
US6982206B1 (en) 2003-10-02 2006-01-03 Lsi Logic Corporation Mechanism for improving the structural integrity of low-k films
CN101300026A (zh) 2003-10-15 2008-11-05 得克萨斯系统大学评议会 电子、光、磁、半导体和生物技术应用中作为支架的多功能生物材料
KR100570206B1 (ko) 2003-10-15 2006-04-12 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물
KR100570634B1 (ko) 2003-10-16 2006-04-12 한국전자통신연구원 탄소나노튜브와 금속분말 혼성 복합에 의해 제조된 전자파차폐재
US8007650B2 (en) 2003-10-24 2011-08-30 Yasuhiro Fukunaka Apparatus for manufacturing metal nanotube and process for manufacturing metal nanotube
US6896739B1 (en) 2003-12-03 2005-05-24 For Your Ease Only, Inc. Anti-tarnish aqueous treatment
EP1541528A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-15 Institut Jozef Stefan Quasi-one-dimensional polymers based on the metal-chalcogen-halogen system
JP2005181392A (ja) 2003-12-16 2005-07-07 Canon Inc 光学系
JP4807933B2 (ja) * 2003-12-17 2011-11-02 株式会社アルバック 透明導電膜の形成方法及び透明電極
US20070158642A1 (en) 2003-12-19 2007-07-12 Regents Of The University Of California Active electronic devices with nanowire composite components
TWI243004B (en) 2003-12-31 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Method for manufacturing low-temperature highly conductive layer and its structure
US7923109B2 (en) 2004-01-05 2011-04-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Inorganic nanowires
US20050165120A1 (en) 2004-01-22 2005-07-28 Ashavani Kumar Process for phase transfer of hydrophobic nanoparticles
KR100625999B1 (ko) 2004-02-26 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 도너 시트, 상기 도너 시트의 제조방법, 상기 도너 시트를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법, 및 상기 도너 시트를이용한 평판 표시장치의 제조방법
US7381579B2 (en) 2004-02-26 2008-06-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Donor sheet, method of manufacturing the same, method of manufacturing TFT using the donor sheet, and method of manufacturing flat panel display device using the donor sheet
JP2005239481A (ja) 2004-02-26 2005-09-08 Nagoya Institute Of Technology 金属内包カーボンナノチューブ凝集体、その製造方法、金属内包カーボンナノチューブ、金属ナノワイヤおよびその製造方法
JP2005277405A (ja) 2004-02-27 2005-10-06 Takiron Co Ltd 画像表示装置用透光性ノイズ防止成形体
JP2005302695A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
JP2005311330A (ja) 2004-03-22 2005-11-04 Takiron Co Ltd 電波吸収体
JP2005281357A (ja) 2004-03-29 2005-10-13 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2005335054A (ja) 2004-04-27 2005-12-08 Japan Science & Technology Agency 金属ナノワイヤー及びその製造方法
JP4524745B2 (ja) 2004-04-28 2010-08-18 三菱マテリアル株式会社 金属ナノワイヤー含有導電性材料およびその用途
JP4491776B2 (ja) 2004-04-28 2010-06-30 三菱マテリアル株式会社 導電性ペースト等の製造方法
JP2006049843A (ja) 2004-06-29 2006-02-16 Takiron Co Ltd 画像表示装置用制電性成形体
US7255796B2 (en) 2004-07-08 2007-08-14 General Electric Company Method of preventing hydrogen sulfide odor generation in an aqueous medium
US7527668B2 (en) 2004-07-08 2009-05-05 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing metal fine particles, metal fine particles manufactured thereby, and composition, light absorbing material and applied products containing the same
JP2006035771A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 導電層転写シート
JP2006035773A (ja) 2004-07-29 2006-02-09 Takiron Co Ltd 粘接着性導電成形体
JP4257429B2 (ja) 2004-09-13 2009-04-22 国立大学法人東北大学 原子の拡散を制御することによる金属ナノワイヤの製造方法およびこの方法により製造する金属ナノワイヤ
TWI417905B (zh) * 2004-09-13 2013-12-01 Sumitomo Metal Mining Co A transparent conductive film and a method for manufacturing the same, and a transparent conductive substrate and a light-emitting device
JP4372654B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US20060070559A1 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Incredible Technologies, Inc. Unitary currency/credit card unit
JP4372653B2 (ja) 2004-09-30 2009-11-25 住友大阪セメント株式会社 棒状導電性錫含有酸化インジウム微粉末の製造方法
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
JP2006111675A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Mitsubishi Materials Corp 金属ナノロッド配向組成物およびその用途
JP2006128233A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Hitachi Ltd 半導体材料および電界効果トランジスタとそれらの製造方法
JP2006133528A (ja) 2004-11-05 2006-05-25 Takiron Co Ltd 制電性光拡散シート
KR100661116B1 (ko) * 2004-11-22 2006-12-22 가부시키가이샤후지쿠라 전극, 광전 변환 소자 및 색소 증감 태양 전지
US7349045B2 (en) 2004-11-24 2008-03-25 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Displacement-designed color filter structure and method of forming the same
EP2202579A3 (en) 2004-12-03 2010-10-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified photoresist composition, photoresist laminated product, manufacturing method for photoresist composition, manufacturing method for photoresist pattern, and manufacturing method for connection element
JP4665499B2 (ja) 2004-12-10 2011-04-06 三菱マテリアル株式会社 金属微粒子とその製造方法とその含有組成物ならびにその用途
JP2006171336A (ja) 2004-12-15 2006-06-29 Takiron Co Ltd 画像表示用透明電極体および画像表示装置
TWI246103B (en) * 2004-12-22 2005-12-21 Powertip Technology Corp Carbon nanotube substrate structure and the manufacturing method thereof
WO2007061428A2 (en) 2004-12-27 2007-05-31 The Regents Of The University Of California Components and devices formed using nanoscale materials and methods of production
JP2008076416A (ja) 2004-12-27 2008-04-03 Sharp Corp 表示パネルの駆動装置、表示パネル及びそれを備えた表示装置並びに表示パネルの駆動方法
US20060172282A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Naik Rajesh R Peptide templates for nanoparticle synthesis obtained through PCR-driven phage display method
JP4821951B2 (ja) 2005-02-23 2011-11-24 三菱マテリアル株式会社 ワイヤー状の金微粒子と、その製造方法および含有組成物ならびに用途
US20100127241A1 (en) * 2005-02-25 2010-05-27 The Regents Of The University Of California Electronic Devices with Carbon Nanotube Components
JP2006239790A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Tohoku Univ 金属ナノワイヤ作製法および金属ナノワイヤ
US7489432B2 (en) 2005-03-25 2009-02-10 Ricoh Company, Ltd. Electrochromic display device and display apparatus
JP2006272876A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Takiron Co Ltd 導電体
JP2006310353A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Takiron Co Ltd 電波吸収体
US7902639B2 (en) 2005-05-13 2011-03-08 Siluria Technologies, Inc. Printable electric circuits, electronic components and method of forming the same
KR100686796B1 (ko) 2005-05-17 2007-02-26 삼성에스디아이 주식회사 전자파 차단층을 구비한 전지 외장재 및 이를 이용한파우치형 이차 전지
KR100720101B1 (ko) * 2005-08-09 2007-05-18 삼성전자주식회사 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법
JP5546763B2 (ja) * 2005-08-12 2014-07-09 カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション ナノワイヤに基づく透明導電体
JP4974332B2 (ja) 2005-09-07 2012-07-11 一般財団法人電力中央研究所 ナノ構造体およびその製造方法
US7341944B2 (en) 2005-09-15 2008-03-11 Honda Motor Co., Ltd Methods for synthesis of metal nanowires
JP2007091859A (ja) 2005-09-28 2007-04-12 Koyo Sangyo Co Ltd 導電性塗料
JP2007105822A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 National Institute For Materials Science 原子スケール金属ワイヤもしくは金属ナノクラスター、およびこれらの製造方法
GB2434692A (en) * 2005-12-29 2007-08-01 Univ Surrey Photovoltaic or electroluminescent devices with active region comprising a composite polymer and carbon nanotube material.
US7507449B2 (en) * 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
WO2007146964A2 (en) * 2006-06-12 2007-12-21 Robinson Matthew R Thin-film devices fromed from solid particles
US7630041B2 (en) * 2006-06-23 2009-12-08 Tsinghua University Liquid crystal cell assembly for liquid crystal display
WO2008127313A2 (en) * 2006-11-17 2008-10-23 The Regents Of The University Of California Electrically conducting and optically transparent nanowire networks
JP2009057518A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Institute Of Physical & Chemical Research 異方性フィルムおよび異方性フィルムの製造方法
EP2353188A4 (en) * 2008-10-30 2015-04-08 Hak Fei Poon HYBRID, TRANSPARENT, CONDUCTIVE ELECTRODES

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